JP4442817B2 - ホトレジスト用剥離液 - Google Patents
ホトレジスト用剥離液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4442817B2 JP4442817B2 JP2004306615A JP2004306615A JP4442817B2 JP 4442817 B2 JP4442817 B2 JP 4442817B2 JP 2004306615 A JP2004306615 A JP 2004306615A JP 2004306615 A JP2004306615 A JP 2004306615A JP 4442817 B2 JP4442817 B2 JP 4442817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- stripping solution
- component
- stripping
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
(実施例1〜6、比較例1〜6)
シリコン基板上に、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジストであるTFR−H(東京応化工業(株)製)をスピンナーで塗布し、110℃にて90秒間プリベークを施し、膜厚1.5μmのホトレジスト層を形成した。このホトレジスト層をNSR−1505G4D((株)ニコン製)を用いてマスクパターンを介して露光し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液にて現像し、ホトレジストパターンを形成した。次いで160℃で90秒間のポストベークを行った。
(評価)
S: 剥離液浸漬後、約2分間でホトレジストが完全に溶解した
A: 剥離液浸漬後、ホトレジストが完全に溶解するのに5分間程度かかった
B: 剥離液浸漬後、ホトレジストが完全に溶解するのに10分間程度かかった
C: 剥離液浸漬後、ホトレジストが完全に溶解するのに15分間程度かかった
シリコン基板上にモリブデン(Mo)層を形成(200nm厚)した後、該基板を、下記表1に示すホトレジスト用剥離液に70℃、20分間浸漬し、シート抵抗値を測定し、その結果からMoの膜減り量(エッチング量)を求め、Mo層に対する防食性を、下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。なお、シート抵抗値の測定は、VR−70(国際電気(株)製)を用いて測定した。
(評価)
S: 腐食は全くみられなかった
A: 腐食が散見された
B: 深刻な腐食が発生していた
シリコン基板上にAl合金(Al−Si−Cu)層を形成(200nm厚)した後、該基板を、下記表1に示すホトレジスト用剥離液に浸漬し、シート抵抗値を測定し、その結果からAl合金層の膜減り量を求め、Al合金層に対する防食性を、下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。なお、シート抵抗値の測定は、上記Mo層の腐食試験と同じ測定装置を用いた。
(評価)
S: 腐食は全くみられなかった
A: 腐食が散見された
B: 深刻な腐食が発生していた
Claims (7)
- (a)N,N−ジエチルヒドロキシルアミンを0.5〜50質量%、(b)アルカノールアミンを10〜30質量%、および(c)水溶性有機溶媒(ただし、N,N−ジエチルヒドロキシルアミンを除く)を70〜95質量%含有し、実質的に水を含まないホトレジスト用剥離液。
- (b)成分として、モノイソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミンの中から選ばれる少なくとも1種を用いる、請求項1記載のホトレジスト用剥離液。
- (b)成分として、モノイソプロパノールアミンを用いる、請求項1記載のホトレジスト用剥離液。
- (c)成分として、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドの中から選ばれる少なくとも1種を用いる、請求項1〜3のいずれか1項に記載のホトレジスト用剥離液。
- (c)成分として、ジエチレングリコールモノブチルエーテルとN−メチル−2−ピロリドンとの混合液を用いる、請求項1〜3のいずれか1項に記載のホトレジスト用剥離液。
- (c)成分が、ジエチレングリコールモノブチルエーテル:N−メチル−2−ピロリドン=7:3〜3:7(質量比)の混合液である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のホトレジスト用剥離液。
- 少なくともモリブデン(Mo)およびアルミニウム(Al系金属)を含む金属層が形成された基板上のホトレジストの剥離に用いる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のホトレジスト用剥離液の使用方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004306615A JP4442817B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | ホトレジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004306615A JP4442817B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | ホトレジスト用剥離液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006119341A JP2006119341A (ja) | 2006-05-11 |
JP4442817B2 true JP4442817B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=36537291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004306615A Active JP4442817B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | ホトレジスト用剥離液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4442817B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008007660A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤 |
KR101805195B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2017-12-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
JP2015011356A (ja) * | 2014-07-18 | 2015-01-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
CN111999994B (zh) * | 2020-08-25 | 2023-08-25 | 福建天甫电子材料有限公司 | 一种电子级tft光阻剥离液的制备工艺 |
CN112731777A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-30 | 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 | 一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法 |
-
2004
- 2004-10-21 JP JP2004306615A patent/JP4442817B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006119341A (ja) | 2006-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3403187B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
JP3410403B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
JP4678673B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
JP4725905B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法 | |
US20060063688A1 (en) | Photoresist stripping solution and method of treating substrate with the same | |
JP3738992B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
JP2001188363A (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
JP2008003399A (ja) | フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
TW542945B (en) | Resist stripping solution composition and resist stripping method using the same | |
JP2006343604A (ja) | ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
JP2002357908A (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
JP4884889B2 (ja) | フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
JP2007114519A (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
JP4229552B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
KR100363924B1 (ko) | 포토 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 이용한 포토레지스트 박리방법 | |
JP4442817B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
KR100497587B1 (ko) | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법 | |
JP2008058625A (ja) | フォトレジスト用剥離液及びこれを用いた基板の処理方法 | |
JP2001222118A (ja) | ホトリソグラフィー用リンス液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
JP2002072505A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法 | |
JP4692799B2 (ja) | レジスト剥離用組成物 | |
JP2000199971A (ja) | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
JP2004287288A (ja) | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 | |
JP3476367B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100107 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4442817 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 4 |