JP2000200744A - レジスト残渣除去装置及び除去方法 - Google Patents
レジスト残渣除去装置及び除去方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ配線の局部的なエッチングを抑制して配
線の歩留りを向上し、Ａｌ配線の細りを抑制してＡｌ配
線の抵抗増加を抑制し、更にＣｕを含んだＡｌ配線にお
けるＣｕの析出を抑制する。 【解決手段】 半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する
際のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥するこ
とにより除去するようにしたレジスト残渣除去装置であ
って、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチ
ャンバーの雰囲気を、各ステップに対応して制御するよ
うにした。
線の歩留りを向上し、Ａｌ配線の細りを抑制してＡｌ配
線の抵抗増加を抑制し、更にＣｕを含んだＡｌ配線にお
けるＣｕの析出を抑制する。 【解決手段】 半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する
際のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥するこ
とにより除去するようにしたレジスト残渣除去装置であ
って、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチ
ャンバーの雰囲気を、各ステップに対応して制御するよ
うにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト残渣除
去装置及び除去方法、特に半導体集積回路を構成するア
ルミ（Ａｌ）配線の加工後におけるレジスト残渣除去装
置及び除去方法に関するものである。
去装置及び除去方法、特に半導体集積回路を構成するア
ルミ（Ａｌ）配線の加工後におけるレジスト残渣除去装
置及び除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの高速化や高性能化を実現する
ために、半導体集積回路の微細化が進んでいる。デバイ
スの駆動部であるトランジスタなどの素子部に限らず、
多層配線部にもデバイスの微細化が必要とされている。
配線にアルミ（Ａｌ）が使用される場合、Ａｌ合金をス
パッタリングして半導体装置上にＡｌ配線を形成し、そ
の上にレジストを成膜して、このレジストにパターニン
グを施した後、ドライエッチングして半導体装置上の微
細加工が行われる。
ために、半導体集積回路の微細化が進んでいる。デバイ
スの駆動部であるトランジスタなどの素子部に限らず、
多層配線部にもデバイスの微細化が必要とされている。
配線にアルミ（Ａｌ）が使用される場合、Ａｌ合金をス
パッタリングして半導体装置上にＡｌ配線を形成し、そ
の上にレジストを成膜して、このレジストにパターニン
グを施した後、ドライエッチングして半導体装置上の微
細加工が行われる。
【０００３】その結果、Ａｌ配線は多層配線間の接合用
の孔と同等の寸法にまで縮小化され、接合孔がＡｌ配線
で完全に覆われていない現象が生じる。このように、接
合孔がＡｌ配線とずれて、Ａｌ配線の形成後も接合孔の
表面が露出しているような配線は、ボーダレス配線ある
いはミスアラインメント配線と呼ばれている。ボーダレ
ス配線を含む半導体装置上のレジストは、酸素プラズマ
によりアッシングして除去されるが、アッシングではレ
ジストを完全に除去できず、残渣が半導体装置上に残留
するため、剥離液による処理及び水による洗浄が行われ
る。
の孔と同等の寸法にまで縮小化され、接合孔がＡｌ配線
で完全に覆われていない現象が生じる。このように、接
合孔がＡｌ配線とずれて、Ａｌ配線の形成後も接合孔の
表面が露出しているような配線は、ボーダレス配線ある
いはミスアラインメント配線と呼ばれている。ボーダレ
ス配線を含む半導体装置上のレジストは、酸素プラズマ
によりアッシングして除去されるが、アッシングではレ
ジストを完全に除去できず、残渣が半導体装置上に残留
するため、剥離液による処理及び水による洗浄が行われ
る。
【０００４】図５は、レジスト残渣除去処理が行われた
ボーダレス配線の構成を示す略図である。この図におい
て、１は層間絶縁膜、２は層間絶縁膜に形成された層間
接続用の孔、３は上記孔に充填されプラグを構成する導
電材、４は層間絶縁膜上に形成されたバリアメタル、５
は一部が上記孔２のプラグ３に接続されたＡｌ配線、５
ａはＡｌ配線の反射防止膜である。
ボーダレス配線の構成を示す略図である。この図におい
て、１は層間絶縁膜、２は層間絶縁膜に形成された層間
接続用の孔、３は上記孔に充填されプラグを構成する導
電材、４は層間絶縁膜上に形成されたバリアメタル、５
は一部が上記孔２のプラグ３に接続されたＡｌ配線、５
ａはＡｌ配線の反射防止膜である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＡｌ配
線を有する半導体装置のレジスト残渣処理においては、
次のような問題点があった。即ち、Ａｌは浸食されやす
い金属であるため、剥離液処理後の水洗時にも浸食され
て配線が細くなるのに加えて、水洗処理中にＡｌ配線中
のＡｌとプラグ材料（Ｗなど）が異種金属局部電池効果
による腐食を起こし、プラグ３上のＡｌ配線５がエッチ
ングされることがある。
線を有する半導体装置のレジスト残渣処理においては、
次のような問題点があった。即ち、Ａｌは浸食されやす
い金属であるため、剥離液処理後の水洗時にも浸食され
て配線が細くなるのに加えて、水洗処理中にＡｌ配線中
のＡｌとプラグ材料（Ｗなど）が異種金属局部電池効果
による腐食を起こし、プラグ３上のＡｌ配線５がエッチ
ングされることがある。
【０００６】また、Ａｌ配線５には、エレクトロマイグ
レーション耐性改善のために銅（Ｃｕ）が添加され、Ｃ
ｕを含む合金とされているものがあり、この種の配線に
対して現在使用されているレジスト剥離液の多くは、水
洗時に多量の水と混ざり合うと、残渣除去を行う有効成
分の電離が進み、反応性が上昇してＡｌに対する腐食性
が強くなる結果、Ａｌ配線に含まれるＣｕの周辺のＡｌ
がエッチングされてＣｕが析出することがある。このた
め、配線歩留りの低下や配線抵抗の増加、配線の信頼性
低下などの特性劣化が生じるものである。この発明は、
このような問題点を解決するためになされたもので、プ
ラグ上のＡｌ配線の局部的なエッチングを抑制して配線
歩留りを向上すると共に、Ａｌ配線の細りを抑制してＡ
ｌ配線の抵抗増加を抑制し、更にＣｕを含んだＡｌ配線
におけるＣｕの析出を抑制することができるレジスト残
渣除去装置及び除去方法を提供しようとするものであ
る。
レーション耐性改善のために銅（Ｃｕ）が添加され、Ｃ
ｕを含む合金とされているものがあり、この種の配線に
対して現在使用されているレジスト剥離液の多くは、水
洗時に多量の水と混ざり合うと、残渣除去を行う有効成
分の電離が進み、反応性が上昇してＡｌに対する腐食性
が強くなる結果、Ａｌ配線に含まれるＣｕの周辺のＡｌ
がエッチングされてＣｕが析出することがある。このた
め、配線歩留りの低下や配線抵抗の増加、配線の信頼性
低下などの特性劣化が生じるものである。この発明は、
このような問題点を解決するためになされたもので、プ
ラグ上のＡｌ配線の局部的なエッチングを抑制して配線
歩留りを向上すると共に、Ａｌ配線の細りを抑制してＡ
ｌ配線の抵抗増加を抑制し、更にＣｕを含んだＡｌ配線
におけるＣｕの析出を抑制することができるレジスト残
渣除去装置及び除去方法を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明のレジスト残渣
除去装置は、半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する際
のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥すること
により除去するようにしたレジスト残渣除去装置であっ
て、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチャ
ンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処内容に応
じて制御するようにしたものである。この発明のレジス
ト残渣除去装置は、また、半導体ウェハ上にアルミ配線
を形成する際のレジスト残渣を、スプレー式あるいは枚
葉式の洗浄方式による剥離液処理、振切、水洗及び乾燥
することにより除去するようにしたレジスト残渣除去装
置であって、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容
したチャンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処
内容に応じて制御するようにしたものである。
除去装置は、半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する際
のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥すること
により除去するようにしたレジスト残渣除去装置であっ
て、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチャ
ンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処内容に応
じて制御するようにしたものである。この発明のレジス
ト残渣除去装置は、また、半導体ウェハ上にアルミ配線
を形成する際のレジスト残渣を、スプレー式あるいは枚
葉式の洗浄方式による剥離液処理、振切、水洗及び乾燥
することにより除去するようにしたレジスト残渣除去装
置であって、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容
したチャンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処
内容に応じて制御するようにしたものである。
【０００８】この発明のレジスト残渣除去方法は、剥離
液処理におけるチャンバー内を、アルミに対する非酸化
性ガス雰囲気とするものである。この発明のレジスト残
渣除去方法は、また、剥離液処理の終了後、水洗の開始
までの間、チャンバー内を、アルミに対する酸化性ガス
雰囲気とするものである。
液処理におけるチャンバー内を、アルミに対する非酸化
性ガス雰囲気とするものである。この発明のレジスト残
渣除去方法は、また、剥離液処理の終了後、水洗の開始
までの間、チャンバー内を、アルミに対する酸化性ガス
雰囲気とするものである。
【０００９】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、水洗時におけるチャンバー内を、アルミに対する非
酸化性ガス雰囲気とするものである。この発明のレジス
ト残渣除去方法は、また、レジスト残渣除去装置におけ
るチャンバー内を、剥離液処理の終了後、水洗の開始ま
での間は、アルミに対する酸化性ガス雰囲気とし、水洗
の間は、アルミに対する非酸化性ガス雰囲気とするもの
である。
た、水洗時におけるチャンバー内を、アルミに対する非
酸化性ガス雰囲気とするものである。この発明のレジス
ト残渣除去方法は、また、レジスト残渣除去装置におけ
るチャンバー内を、剥離液処理の終了後、水洗の開始ま
での間は、アルミに対する酸化性ガス雰囲気とし、水洗
の間は、アルミに対する非酸化性ガス雰囲気とするもの
である。
【００１０】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、レジスト残渣除去装置におけるチャンバー内を、剥
離液処理の間は、アルミに対する非酸化性ガス雰囲気と
し、剥離液処理の終了後、水洗の開始までの間は、アル
ミに対する酸化性ガス雰囲気とし、水洗の間は、アルミ
に対する非酸化性ガス雰囲気とするものである。
た、レジスト残渣除去装置におけるチャンバー内を、剥
離液処理の間は、アルミに対する非酸化性ガス雰囲気と
し、剥離液処理の終了後、水洗の開始までの間は、アル
ミに対する酸化性ガス雰囲気とし、水洗の間は、アルミ
に対する非酸化性ガス雰囲気とするものである。
【００１１】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、振切を、剥離液処理の終了後、水洗の開始前に半導
体ウェハを５００ｒｐｍ以上で高速回転させて行い、剥
離液を半導体ウェハから取り除くようにしたものであ
る。この発明のレジスト残渣除去方法は、また、振切時
におけるチャンバー内を、アルミに対する酸化性ガス雰
囲気とするものである。
た、振切を、剥離液処理の終了後、水洗の開始前に半導
体ウェハを５００ｒｐｍ以上で高速回転させて行い、剥
離液を半導体ウェハから取り除くようにしたものであ
る。この発明のレジスト残渣除去方法は、また、振切時
におけるチャンバー内を、アルミに対する酸化性ガス雰
囲気とするものである。
【００１２】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、剥離液処理の終了後にリンスを行うと共に、リンス
に使用する液体の温度を２０℃以下とするものである。
この発明のレジスト残渣除去方法は、また、リンス液の
供給量を、半導体ウェハ１枚当たり０．５ｌ／ｍｉｎ以
上とし、３分以内の時間でリンスを行うようにしたもの
である。
た、剥離液処理の終了後にリンスを行うと共に、リンス
に使用する液体の温度を２０℃以下とするものである。
この発明のレジスト残渣除去方法は、また、リンス液の
供給量を、半導体ウェハ１枚当たり０．５ｌ／ｍｉｎ以
上とし、３分以内の時間でリンスを行うようにしたもの
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１を図にもとづいて説明する。図１は実施の形態１
によるスプレー式レジスト残渣除去装置及び除去方法を
示す概略図である。この図において、６は処理室となる
チャンバー、７はチャンバー内に回転し得るように設け
られたカセット、８はカセット上に保持された被処理材
である半導体ウェハ、９、１０はチャンバー上方に設け
られガスを噴出する噴出口、１１、１２は各噴出口に接
続されたパイプ、１３は上記各パイプ１１、１２が接続
されたパイプ、１４は乾燥空気などの酸化性ガスの供給
源、１５は上記酸化性ガスの供給源に接続された酸化性
ガス供給用のパイプ、１６は窒素などの非酸化性ガスの
供給源、１７は上記非酸化性ガスの供給源に接続された
非酸化性ガス供給用のパイプ、１８はパイプ１３、１
５、１７に結合され、パイプ１５または１７をパイプ１
３に切換え接続する切換えバルブである。
形態１を図にもとづいて説明する。図１は実施の形態１
によるスプレー式レジスト残渣除去装置及び除去方法を
示す概略図である。この図において、６は処理室となる
チャンバー、７はチャンバー内に回転し得るように設け
られたカセット、８はカセット上に保持された被処理材
である半導体ウェハ、９、１０はチャンバー上方に設け
られガスを噴出する噴出口、１１、１２は各噴出口に接
続されたパイプ、１３は上記各パイプ１１、１２が接続
されたパイプ、１４は乾燥空気などの酸化性ガスの供給
源、１５は上記酸化性ガスの供給源に接続された酸化性
ガス供給用のパイプ、１６は窒素などの非酸化性ガスの
供給源、１７は上記非酸化性ガスの供給源に接続された
非酸化性ガス供給用のパイプ、１８はパイプ１３、１
５、１７に結合され、パイプ１５または１７をパイプ１
３に切換え接続する切換えバルブである。
【００１４】半導体ウェハ８のレジスト残渣の除去処理
は、図２に一般的な処理工程を示すように、剥離液処理
ステップ→リンスステップ→振切ステップ→水洗ステッ
プ→スピン乾燥ステップの順に進行し、各ステップはそ
れぞれ、カセット７を回転させながら、図示しないスプ
レー装置からそれぞれのステップに必要な薬液あるいは
ドライエアーを供給して周知の手法で処理を行う。な
お、リンスステップ及び振切ステップは省略されること
もある。実施の形態１は、このようなステップの進行に
対応して、チャンバー６内の雰囲気をステップ毎に制御
することを特徴とする。
は、図２に一般的な処理工程を示すように、剥離液処理
ステップ→リンスステップ→振切ステップ→水洗ステッ
プ→スピン乾燥ステップの順に進行し、各ステップはそ
れぞれ、カセット７を回転させながら、図示しないスプ
レー装置からそれぞれのステップに必要な薬液あるいは
ドライエアーを供給して周知の手法で処理を行う。な
お、リンスステップ及び振切ステップは省略されること
もある。実施の形態１は、このようなステップの進行に
対応して、チャンバー６内の雰囲気をステップ毎に制御
することを特徴とする。
【００１５】具体的には、第１ステップの剥離液処理
は、切換えバルブ１８をパイプ１６側に切換え、チャン
バー６に非酸化性ガスを供給しながらレジスト剥離液を
供給する。これによって、Ａｌ配線の細り及びＡｌ配線
に含まれているＣｕの周辺のＡｌがエッチングされるこ
とによるＣｕの析出を抑制することができる。第２ステ
ップのリンスは、第１ステップと同様に、非酸化性ガス
をチャンバー６に供給しながらリンス液を供給する。こ
れによって、リンス時のＡｌの反応を抑制することがで
きる。
は、切換えバルブ１８をパイプ１６側に切換え、チャン
バー６に非酸化性ガスを供給しながらレジスト剥離液を
供給する。これによって、Ａｌ配線の細り及びＡｌ配線
に含まれているＣｕの周辺のＡｌがエッチングされるこ
とによるＣｕの析出を抑制することができる。第２ステ
ップのリンスは、第１ステップと同様に、非酸化性ガス
をチャンバー６に供給しながらリンス液を供給する。こ
れによって、リンス時のＡｌの反応を抑制することがで
きる。
【００１６】第３ステップの振切は、チャンバー６に酸
化性ガスを供給しながら行う。このステップでは剥離液
が半導体ウェハ８から取り除かれ、半導体ウェハ８の表
面がチャンバー雰囲気に曝される。このときチャンバー
６を酸化性ガスで満たすことにより、プラグ３上のＡｌ
配線５を酸化によって不動態化させ、その後の処理ステ
ップにおける局部電池効果によるＡｌ配線５のエッチン
グを抑制する。
化性ガスを供給しながら行う。このステップでは剥離液
が半導体ウェハ８から取り除かれ、半導体ウェハ８の表
面がチャンバー雰囲気に曝される。このときチャンバー
６を酸化性ガスで満たすことにより、プラグ３上のＡｌ
配線５を酸化によって不動態化させ、その後の処理ステ
ップにおける局部電池効果によるＡｌ配線５のエッチン
グを抑制する。
【００１７】第４ステップの水洗及び第５ステップのス
ピン乾燥は、チャンバー６に非酸化性ガスを供給しなが
ら行う。これによって第１ステップと同様に、Ａｌ配線
の細り及びＡｌ配線に含まれているＣｕの周辺のＡｌが
エッチングされることによるＣｕの析出を抑制すること
ができる。なお、この実施の形態１では、数秒間程度の
短時間の処理ステップ毎にチャンバー内の雰囲気を制御
することが必要であるため、チャンバーの容積に対して
酸化性ガスと非酸化性ガスの供給流量を十分に多くする
必要がある。
ピン乾燥は、チャンバー６に非酸化性ガスを供給しなが
ら行う。これによって第１ステップと同様に、Ａｌ配線
の細り及びＡｌ配線に含まれているＣｕの周辺のＡｌが
エッチングされることによるＣｕの析出を抑制すること
ができる。なお、この実施の形態１では、数秒間程度の
短時間の処理ステップ毎にチャンバー内の雰囲気を制御
することが必要であるため、チャンバーの容積に対して
酸化性ガスと非酸化性ガスの供給流量を十分に多くする
必要がある。
【００１８】実施の形態２．次に、この発明の実施の形
態２を図にもとづいて説明する。図３は、実施の形態２
による枚葉式レジスト残渣除去装置及び除去方法を示す
概略図である。図１と同一または相当部分には同一符号
を付して説明を省略する。図１と異なるところは、半導
体ウェハ８の戴置部を周知の枚葉式戴置部１９とした点
である。レジスト残渣除去工程は、実施の形態１と同様
であるため説明を省略する。
態２を図にもとづいて説明する。図３は、実施の形態２
による枚葉式レジスト残渣除去装置及び除去方法を示す
概略図である。図１と同一または相当部分には同一符号
を付して説明を省略する。図１と異なるところは、半導
体ウェハ８の戴置部を周知の枚葉式戴置部１９とした点
である。レジスト残渣除去工程は、実施の形態１と同様
であるため説明を省略する。
【００１９】実施の形態３．次に、この発明の実施の形
態３を図にもとづいて説明する。図４は実施の形態３に
よるＤｉｐ式レジスト残渣除去装置及び除去方法を示す
概略図である。この実施の形態においては、チャンバー
が、搬送空間を形成する搬送空間チャンバー６Ａと、こ
の搬送空間チャンバー６Ａ内で剥離用、水洗用などレジ
スト残渣除去工程の各ステップ別に設けられる複数の槽
２０をそれぞれ収容した槽チャンバー６Ｂとから構成さ
れている。従って、酸化性ガスの供給源１４及び非酸化
性ガスの供給源１６からのガス供給用パイプ及び切換え
バルブ並びに噴出口もそれぞれ搬送空間チャンバー６Ａ
用と槽チャンバー６Ｂ用の２組が設けられている。図４
では噴出口、各パイプ及び切換えバルブについては、図
１と対応させた番号を付し、更にその番号に搬送空間チ
ャンバー６Ａ用のものはＡを、槽チャンバー６Ｂ用のも
のはＢを付して示している。
態３を図にもとづいて説明する。図４は実施の形態３に
よるＤｉｐ式レジスト残渣除去装置及び除去方法を示す
概略図である。この実施の形態においては、チャンバー
が、搬送空間を形成する搬送空間チャンバー６Ａと、こ
の搬送空間チャンバー６Ａ内で剥離用、水洗用などレジ
スト残渣除去工程の各ステップ別に設けられる複数の槽
２０をそれぞれ収容した槽チャンバー６Ｂとから構成さ
れている。従って、酸化性ガスの供給源１４及び非酸化
性ガスの供給源１６からのガス供給用パイプ及び切換え
バルブ並びに噴出口もそれぞれ搬送空間チャンバー６Ａ
用と槽チャンバー６Ｂ用の２組が設けられている。図４
では噴出口、各パイプ及び切換えバルブについては、図
１と対応させた番号を付し、更にその番号に搬送空間チ
ャンバー６Ａ用のものはＡを、槽チャンバー６Ｂ用のも
のはＢを付して示している。
【００２０】この実施の形態におけるレジスト残渣除去
工程は、剥離液処理ステップ→水洗ステップ→乾燥ステ
ップで行われ、剥離液処理ステップでは処理対象の半導
体ウェハが所定の槽２０に浸漬され、所定時間後に取り
出されて搬送空間チャンバー６Ａを経て次の水洗ステッ
プ用の槽２０に浸漬され、乾燥ステップに移行すること
になる。チャンバー内雰囲気は、剥離液処理ステップ→
水洗ステップの搬送空間のみが酸化性ガスとされ、その
他の各ステップは非酸化性ガスとされている。この場合
も、実施の形態１、２と同様に、数秒間程度の短時間の
処理ステップ毎に各チャンバー内の雰囲気を制御するこ
とが必要であるため、チャンバーの容積に対して酸化性
ガスと非酸化性ガスの供給流量を十分に多くする必要が
ある。
工程は、剥離液処理ステップ→水洗ステップ→乾燥ステ
ップで行われ、剥離液処理ステップでは処理対象の半導
体ウェハが所定の槽２０に浸漬され、所定時間後に取り
出されて搬送空間チャンバー６Ａを経て次の水洗ステッ
プ用の槽２０に浸漬され、乾燥ステップに移行すること
になる。チャンバー内雰囲気は、剥離液処理ステップ→
水洗ステップの搬送空間のみが酸化性ガスとされ、その
他の各ステップは非酸化性ガスとされている。この場合
も、実施の形態１、２と同様に、数秒間程度の短時間の
処理ステップ毎に各チャンバー内の雰囲気を制御するこ
とが必要であるため、チャンバーの容積に対して酸化性
ガスと非酸化性ガスの供給流量を十分に多くする必要が
ある。
【００２１】実施の形態４．次に、この発明の実施の形
態４について説明する。この実施の形態はレジスト残渣
除去のためのリンス方法に関するもので、リンスに使用
する液体（超純水、専用リンス液、または両者の併用）
の温度を２０℃以下にすることを特徴とする。このよう
な温度でリンスすることにより、リンス時におけるＡｌ
の反応を抑制することができる。また、リンス時の残留
剥離液の置換効率を高めるために、リンス液の供給量を
ウェハ１枚当たり０．５ｌ／ｍｉｎ以上に大流量化し、
３分以内の短時間でリンスを行うようにするものであ
る。このようにすることによって、リンス時のＡｌの反
応時間を短縮することができ、かつ十分な置換が行える
ものである。この実施の形態は、上記の内容を単独で実
施することにより、十分な効果を奏するが、実施の形態
１〜３の各装置あるいは処理方法と組み合わせて実施す
れば更なる特性の改善を見込むことができる。
態４について説明する。この実施の形態はレジスト残渣
除去のためのリンス方法に関するもので、リンスに使用
する液体（超純水、専用リンス液、または両者の併用）
の温度を２０℃以下にすることを特徴とする。このよう
な温度でリンスすることにより、リンス時におけるＡｌ
の反応を抑制することができる。また、リンス時の残留
剥離液の置換効率を高めるために、リンス液の供給量を
ウェハ１枚当たり０．５ｌ／ｍｉｎ以上に大流量化し、
３分以内の短時間でリンスを行うようにするものであ
る。このようにすることによって、リンス時のＡｌの反
応時間を短縮することができ、かつ十分な置換が行える
ものである。この実施の形態は、上記の内容を単独で実
施することにより、十分な効果を奏するが、実施の形態
１〜３の各装置あるいは処理方法と組み合わせて実施す
れば更なる特性の改善を見込むことができる。
【００２２】実施の形態５．次に、この発明の実施の形
態５について説明する。この実施の形態は、レジスト残
渣除去のための振切ステップを含む処理方法における振
切方法に関するもので、剥離液処理ステップの終了後、
水洗ステップ開始前に半導体ウェハを５００ｒｐｍ以上
で高速回転させて、剥離液を半導体ウェハから取り除く
ようにしたことを特徴とする。このような回転数で処理
することにより、剥離液の水洗槽への混入を軽減し、プ
ラグ上のＡｌ配線の局部的なエッチングやＡｌ配線の細
り、Ｃｕを含むＡｌ配線におけるＣｕの析出を抑制する
ことができる。
態５について説明する。この実施の形態は、レジスト残
渣除去のための振切ステップを含む処理方法における振
切方法に関するもので、剥離液処理ステップの終了後、
水洗ステップ開始前に半導体ウェハを５００ｒｐｍ以上
で高速回転させて、剥離液を半導体ウェハから取り除く
ようにしたことを特徴とする。このような回転数で処理
することにより、剥離液の水洗槽への混入を軽減し、プ
ラグ上のＡｌ配線の局部的なエッチングやＡｌ配線の細
り、Ｃｕを含むＡｌ配線におけるＣｕの析出を抑制する
ことができる。
【００２３】
【発明の効果】この発明のレジスト残渣除去装置は以上
のように構成され、半導体ウェハを収容したチャンバー
の雰囲気を半導体ウェハへの対処内容に応じて制御する
ようにしたため、半導体装置の歩留りを向上することが
できる。この発明のレジスト残渣除去方法は、剥離液処
理時に、チャンバー内をＡｌに対する非酸化性ガス雰囲
気としたため、薬液との反応によるＡｌの腐食を抑制す
ることができる。
のように構成され、半導体ウェハを収容したチャンバー
の雰囲気を半導体ウェハへの対処内容に応じて制御する
ようにしたため、半導体装置の歩留りを向上することが
できる。この発明のレジスト残渣除去方法は、剥離液処
理時に、チャンバー内をＡｌに対する非酸化性ガス雰囲
気としたため、薬液との反応によるＡｌの腐食を抑制す
ることができる。
【００２４】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、剥離液処理後、水洗開始時までのチャンバー内を、
Ａｌに対する酸化性ガス雰囲気としたため、プラグ上の
Ａｌ配線を酸化して安定化させ、後の水洗ステップでの
エッチングを防止することができる。この発明のレジス
ト残渣除去方法は、また、水洗時のチャンバー内を、Ａ
ｌに対する非酸化性ガス雰囲気としたため、Ａｌ配線の
抵抗増加の原因となるＡｌ配線の全体的なエッチング
（細り）を抑制することができる。
た、剥離液処理後、水洗開始時までのチャンバー内を、
Ａｌに対する酸化性ガス雰囲気としたため、プラグ上の
Ａｌ配線を酸化して安定化させ、後の水洗ステップでの
エッチングを防止することができる。この発明のレジス
ト残渣除去方法は、また、水洗時のチャンバー内を、Ａ
ｌに対する非酸化性ガス雰囲気としたため、Ａｌ配線の
抵抗増加の原因となるＡｌ配線の全体的なエッチング
（細り）を抑制することができる。
【００２５】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、剥離液処理後、水洗開始時までに、半導体ウェハを
５００ｒｐｍ以上で高速回転させるようにしたため、剥
離液の水洗槽への混入を軽減し、プラグ上のＡｌ配線の
局部的なエッチングやＡｌ配線の細り、Ｃｕを含むＡｌ
配線におけるＣｕの析出を抑制することができる。この
発明のレジスト残渣除去方法は、また、リンスに使用す
る液体の温度を２０℃以下としたため、リンス時におけ
るＡｌの反応を抑制することができる。
た、剥離液処理後、水洗開始時までに、半導体ウェハを
５００ｒｐｍ以上で高速回転させるようにしたため、剥
離液の水洗槽への混入を軽減し、プラグ上のＡｌ配線の
局部的なエッチングやＡｌ配線の細り、Ｃｕを含むＡｌ
配線におけるＣｕの析出を抑制することができる。この
発明のレジスト残渣除去方法は、また、リンスに使用す
る液体の温度を２０℃以下としたため、リンス時におけ
るＡｌの反応を抑制することができる。
【００２６】この発明のレジスト残渣除去方法は、ま
た、リンス液の供給量を０．５ｌ／ｍｉｎ以上とし、３
分以内の時間でリンスを行うようにしたため、リンス時
におけるＡｌの反応時間を短縮することができ、十分な
置換が行えるものである。
た、リンス液の供給量を０．５ｌ／ｍｉｎ以上とし、３
分以内の時間でリンスを行うようにしたため、リンス時
におけるＡｌの反応時間を短縮することができ、十分な
置換が行えるものである。
【図１】 この発明の実施の形態１によるレジスト残渣
除去装置及び除去方法を示す概略図である。
除去装置及び除去方法を示す概略図である。
【図２】 レジスト残渣の一般的な処理工程を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】 この発明の実施の形態２によるレジスト残渣
除去装置及び除去方法を示す概略図である。
除去装置及び除去方法を示す概略図である。
【図４】 この発明の実施の形態３によるレジスト残渣
除去装置及び除去方法を示す概略図である。
除去装置及び除去方法を示す概略図である。
【図５】 レジスト残渣除去方法におけるボーダレス配
線構造を示す略図である。
線構造を示す略図である。
６ チャンバー、 ７ カセット、 ８ 半導体ウ
ェハ、９、１０ 噴出口、 １１、１２、１３、１
５、１７ パイプ、１４ 酸化性ガスの供給源、 １
６ 非酸化性ガスの供給源、１８ 切換えバルブ、
２０ 槽。
ェハ、９、１０ 噴出口、 １１、１２、１３、１
５、１７ パイプ、１４ 酸化性ガスの供給源、 １
６ 非酸化性ガスの供給源、１８ 切換えバルブ、
２０ 槽。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA08 AA09 AA14 BB18 EA10 5F043 AA24 BB27 CC16 DD10 DD30 EE07 EE32 EE40 GG02 5F046 MA05
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する
際のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥するこ
とにより除去するようにしたレジスト残渣除去装置であ
って、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチ
ャンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処内容に
応じて制御するようにしたことを特徴とするレジスト残
渣除去装置。 - 【請求項２】 半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する
際のレジスト残渣を、スプレー式あるいは枚葉式の洗浄
方式による剥離液処理、振切、水洗及び乾燥することに
より除去するようにしたレジスト残渣除去装置であっ
て、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチャ
ンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処内容に応
じて制御するようにしたことを特徴とするレジスト残渣
除去装置。 - 【請求項３】 請求項１のレジスト残渣除去装置におい
て、剥離液処理におけるチャンバー内を、アルミに対す
る非酸化性ガス雰囲気とすることを特徴とするレジスト
残渣除去方法。 - 【請求項４】 請求項１のレジスト残渣除去装置におい
て、剥離液処理の終了後、水洗の開始までの間、チャン
バー内を、アルミに対する酸化性ガス雰囲気とすること
を特徴とするレジスト残渣除去方法。 - 【請求項５】 請求項１のレジスト残渣除去装置におい
て、水洗時におけるチャンバー内を、アルミに対する非
酸化性ガス雰囲気とすることを特徴とするレジスト残渣
除去方法。 - 【請求項６】 請求項１のレジスト残渣除去装置におけ
るチャンバー内を、剥離液処理の終了後、水洗の開始ま
での間は、アルミに対する酸化性ガス雰囲気とし、水洗
の間は、アルミに対する非酸化性ガス雰囲気とすること
を特徴とするレジスト残渣除去方法。 - 【請求項７】 請求項１のレジスト残渣除去装置におけ
るチャンバー内を、剥離液処理の間は、アルミに対する
非酸化性ガス雰囲気とし、剥離液処理の終了後、水洗の
開始までの間は、アルミに対する酸化性ガス雰囲気と
し、水洗の間は、アルミに対する非酸化性ガス雰囲気と
することを特徴とするレジスト残渣除去方法。 - 【請求項８】 請求項２のレジスト残渣除去装置におい
て、振切は、剥離液処理の終了後、水洗の開始前に半導
体ウェハを５００ｒｐｍ以上で高速回転させて行い、剥
離液を半導体ウェハから取り除くようにしたことを特徴
とするレジスト残渣除去方法。 - 【請求項９】 振切時におけるチャンバー内を、アルミ
に対する酸化性ガス雰囲気とすることを特徴とする請求
項８記載のレジスト残渣除去方法。 - 【請求項１０】 請求項１または請求項２のレジスト残
渣除去装置において、剥離液処理の終了後にリンスを行
うと共に、リンスに使用する液体の温度を２０℃以下と
することを特徴とするレジスト残渣除去方法。 - 【請求項１１】 リンス液の供給量は、半導体ウェハ１
枚当たり０．５ｌ／ｍｉｎ以上とし、３分以内の時間で
リンスを行うようにしたことを特徴とする請求項１０記
載のレジスト残渣除去方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002244A JP2000200744A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | レジスト残渣除去装置及び除去方法 |
| US09/342,536 US6358329B1 (en) | 1999-01-07 | 1999-06-29 | Resist residue removal apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002244A JP2000200744A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | レジスト残渣除去装置及び除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200744A true JP2000200744A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11523951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002244A Withdrawn JP2000200744A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | レジスト残渣除去装置及び除去方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6358329B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000200744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064079B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-06-20 | Nec Electronics Corporation | Method of removing polymer and apparatus for doing the same |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070055884A1 (en) * | 1999-05-19 | 2007-03-08 | Rhoads Geoffrey B | User control and activation of watermark enabled objects |
| JP2002075993A (ja) * | 2000-06-15 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP4678665B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| EP1347496A3 (en) * | 2002-03-12 | 2006-05-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| US7253092B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-08-07 | Nec Electronics America, Inc. | Tungsten plug corrosion prevention method using water |
| US7052992B2 (en) * | 2003-10-28 | 2006-05-30 | Nec Electronics America, Inc. | Tungsten plug corrosion prevention method using ionized air |
| US6977215B2 (en) * | 2003-10-28 | 2005-12-20 | Nec Electronics America, Inc. | Tungsten plug corrosion prevention method using gas sparged water |
| US7644512B1 (en) * | 2006-01-18 | 2010-01-12 | Akrion, Inc. | Systems and methods for drying a rotating substrate |
| US10249509B2 (en) * | 2012-11-09 | 2019-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method and system using atmospheric pressure atomic oxygen |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2528962B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法及び装置 |
| JPH0821562B2 (ja) | 1989-11-27 | 1996-03-04 | 松下電子工業株式会社 | レジスト除去方法 |
| JPH04356927A (ja) | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06181191A (ja) | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の洗浄方法 |
| US5567574A (en) * | 1995-01-10 | 1996-10-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
| US5980643A (en) * | 1998-06-18 | 1999-11-09 | Semitool, Inc. | Alkaline water-based solution for cleaning metallized microelectronic |
| US6217667B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-04-17 | Semitool, Inc. | Method for cleaning copper surfaces |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP11002244A patent/JP2000200744A/ja not_active Withdrawn
- 1999-06-29 US US09/342,536 patent/US6358329B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064079B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-06-20 | Nec Electronics Corporation | Method of removing polymer and apparatus for doing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6358329B1 (en) | 2002-03-19 |
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