TW202349482A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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山本滋
秋山剛志
藤井大樹
枝光建治
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。基板處理裝置具備：處理槽，其儲存處理液；腔室，其包圍處理槽；溶劑蒸汽噴嘴，其對腔室內供給溶劑蒸汽；洗淨液噴嘴，其供給洗淨液；及控制部。控制部於預先設定之期間，進行使基板浸漬於儲存於處理槽之處理液之浸漬處理，並進行使用自溶劑蒸汽噴嘴供給之溶劑蒸汽，使由處理液處理且自上述處理槽提起之基板乾燥之乾燥處理。控制部進行藉由自洗淨液噴嘴對腔室內供給洗淨液，使處理槽浸漬於儲存於腔室之洗淨液，而洗淨包含處理槽之外壁之腔室內之腔室洗淨處理。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種用於處理基板之基板處理裝置及基板處理方法。基板列舉例如半導體基板、FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)用之基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、及太陽電池用基板等。FPD列舉例如液晶顯示裝置、有機EL(electroluminescence：電致發光)顯示裝置等。
基板處理裝置具備：處理槽，其儲存純水等處理液；腔室，其包圍處理槽；升降機，其保持基板；氮噴嘴，其將氮氣供給至腔室內；溶劑噴嘴，其將異丙醇(IPA：Isopropyl Alcohol)之蒸汽供給至腔室內；及排氣泵，其將腔室內排氣且減壓(例如，參照日本：專利特開2015-070148號公報)。
基板處理裝置例如以下述般動作(例如，參照日本：專利特開2015-070148號公報)。升降機使基板浸漬於處理槽內之處理液。之後，藉由自溶劑噴嘴供給IPA之蒸汽，而將腔室內設為IPA之蒸汽之環境氣體。之後，升降機自處理槽內之處理液取出基板，使基板移動至腔室內之乾燥位置。之後，排氣泵將腔室內減壓。藉此，附著於基板之IPA等活躍揮發，將基板乾燥處理。之後，停止排氣泵，且自氮噴嘴供給氮氣，藉此使腔室內返回至大氣壓。
於日本：專利特開2008-251779號公報，揭示有一種具備儲存「酸性藥液」或「鹼性藥液」之藥液槽、與收納藥液槽之腔室之基板處理裝置之中和洗淨裝置。中和洗淨裝置具備純水噴嘴、循環噴嘴及循環配管。循環配管連接於循環噴嘴。純水噴嘴及循環噴嘴分別面向腔室之內壁與藥液槽之外壁之間設置。中和洗淨裝置使純水經由純水噴嘴儲存於腔室之內部，之後，使經由循環配管儲存於腔室之內部之純水循環。藉此，附著於藥液槽之外壁之藥液成分藉由純水之流動而自附著面游離。
於日本：專利特開2010-093097號公報中，揭示有藉由使用手握噴頭對腔室內供給純水，而沖洗去除稀鹽酸之蒸汽之凝結成分。
於日本：專利特開2018-056155號公報中，揭示有將基板之表面進行疏水化處理之步驟。又，於日本：專利特開2008-004874號公報中，揭示有即使於減壓後之溶劑環境氣體下亦可自腔室排出處理液之基板處理裝置。
[發明所欲解決之問題]
然而，先前之基板處理裝置有以下問題。因裝置之使用而於腔室內之下部(包含處理槽之外壁)蓄積顆粒而被污染。若污染腔室內之下部，則有例如供給氮氣時氮氣捲起腔室內之下部之顆粒，使該等顆粒附著於基板之問題。
本發明係鑑於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可防止顆粒附著於基板之基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題之技術手段]
本發明為達成此種目的，而取得以下之構成。即，本發明之基板處理裝置具備：處理槽，其儲存處理液；腔室，其包圍上述處理槽；溶劑蒸汽噴嘴，其對上述腔室內供給溶劑蒸汽；洗淨液噴嘴，其對上述腔室內供給洗淨液；及控制部；且上述控制部於預先設定之期間，進行使基板浸漬於儲存於上述處理槽之上述處理液之浸漬處理，並進行使用自上述溶劑蒸汽噴嘴供給之上述溶劑蒸汽，使由上述處理液處理自上述處理槽提起之上述基板乾燥之乾燥處理；上述控制部進行自上述洗淨液噴嘴對上述腔室內供給上述洗淨液，使上述處理槽浸漬於儲存於上述腔室之上述洗淨液，藉此洗淨包含上述處理槽之外壁之上述腔室內之腔室洗淨處理。
根據本發明之基板處理裝置，進行藉由自洗淨液噴嘴對腔室內供給洗淨液，使處理槽浸漬於儲存於腔室之洗淨液，而洗淨包含處理槽之外壁之腔室內之腔室洗淨處理。藉此，不僅處理槽之外壁，亦可洗淨附著於腔室內之側壁及底壁之顆粒。因此，可防止腔室內之下部之顆粒捲起且附著於基板。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述控制部於進行上述浸漬處理之後進行上述腔室洗淨處理，上述控制部於進行上述腔室洗淨處理之後進行上述乾燥處理。藉此，可於一連串基板處理之中途，進行腔室內之洗淨處理。
又，上述基板處理裝置較佳為進而具備對上述腔室內供給防水劑蒸汽之防水劑蒸汽噴嘴，且上述控制部於進行上述浸漬處理之後，進行為將上述基板設為防水性，而自上述防水劑蒸汽噴嘴對上述腔室內供給上述防水劑蒸汽之防水劑蒸汽供給處理，上述控制部於進行上述防水劑蒸汽供給處理之後進行上述腔室洗淨處理。
用於將基板設為防水性之防水劑蒸汽供給處理產生較多源自防水劑之顆粒。該等顆粒蓄積於腔室內之下部。且，有腔室內之下部之顆粒被捲起，該等顆粒附著於基板之問題。根據本發明，可於一連串基板處理之中途，進行腔室內之洗淨處理。因此，可防止腔室內之下部之顆粒(包含源自防水劑之顆粒)被捲起且附著於基板。
又，上述基板處理裝置較佳為進而具備將上述腔室內排氣之排氣泵，上述洗淨液噴嘴設置於上述腔室內之下部，對上述腔室內供給上述洗淨液，且上述控制部於藉由上述排氣泵將上述腔室內減壓之狀態下，進行上述腔室洗淨處理。
藉此，於由排氣泵將腔室內減壓之狀態下，可進行腔室內之洗淨處理。又，有一面對處理槽供給洗淨液一面自處理槽溢出洗淨液，使洗淨液儲存於腔室內之情形。於腔室內減壓之狀態下，有容易自儲存於處理槽之洗淨液產生霧，而產生之霧容易附著於基板之問題。又，有附著之霧對基板造成不良影響之可能性。根據本發明，因可自設置於腔室之下部之洗淨液噴嘴直接供給至腔室內，故洗淨液可自基板分離。因此，可抑制產生之霧附著於基板。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述排氣泵通過設置於上述處理槽之側方之上述腔室之側壁之排氣口，將上述腔室內排氣，上述控制部於一面藉由上述排氣泵將上述腔室內排氣一面將上述腔室內減壓之狀態下，進行上述腔室洗淨處理。即使自洗淨液產生霧，亦可藉由排氣泵自排氣口排出霧。
又，上述基板處理裝置較佳為進而具備：屏蔽板，其為設置於上述處理槽之外側壁與上述腔室之內側壁之間，於上述腔室內之上部與上述腔室內之下部之間遮蔽環境氣體者，且具有使自上述處理槽溢出之處理液流通於上述腔室內之下部之開口。藉由具備屏蔽板，即使自儲存於腔室之洗淨液產生霧，亦可抑制霧自腔室之下部通向上部。又，可抑制捲起之顆粒自腔室之下部通向上部。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述洗淨液噴嘴設置於上述腔室內之底部，即俯視下與上述處理槽重疊之位置。藉此，可於處理槽之背面隱藏洗淨液噴嘴。又，因可自腔室上部之基板進而分離，故即使產生霧，亦可抑制其附著於基板。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述控制部於上述溶劑蒸汽自上述溶劑蒸汽噴嘴供給至上述腔室內時，進行上述腔室洗淨處理。因可與將溶劑蒸汽供給至腔室內之處理並行，進行腔室洗淨處理，故可有效地處理基板。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述控制部於藉由上述排氣泵將上述腔室減壓之狀態下，進行自設置於上述腔室之排出口排出上述洗淨液之排出處理，上述控制部將上述腔室洗淨處理與上述排出處理重複預先設定之次數。越重複腔室洗淨處理，越可良好地將腔室內洗淨。
又，上述基板處理裝置較佳為進而具備對上述腔室內供給惰性氣體之惰性氣體噴嘴，且上述控制部於進行上述乾燥處理之後，自上述惰性氣體噴嘴對上述腔室內供給惰性氣體，藉此使減壓狀態之上述腔室內返回至大氣壓。藉由進行腔室內之洗淨處理，可減少由惰性氣體捲起之顆粒。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述洗淨液噴嘴以面向上述處理槽之外壁之姿勢配置，上述控制部於藉由上述排氣泵將上述腔室減壓之狀態下，一面將上述洗淨液與上述處理槽之外壁接觸一面自上述洗淨液噴嘴對上述腔室內供給上述洗淨液。
因腔室內之底面液體流動相對頻繁，故於腔室內之底面相對不易蓄積顆粒。然而，例如處理槽之外壁為即使附著懸浮之顆粒，液體亦不易流動之部分，故蓄積顆粒。因一面與該部分接觸洗淨液一面使洗淨液儲存於腔室內，故容易去除附著於處理槽之外壁之顆粒。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為進而具備以與上述洗淨液噴嘴之向上之噴出口對向之方式，設置於上述腔室內之底部之噴嘴蓋，且上述噴嘴蓋具備頂壁、與形成有連接於上述頂壁且通過上述洗淨液之孔部之複數個側壁。可一面抑制霧之擴散一面使洗淨液儲存於腔室內。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述洗淨液噴嘴設置於上述處理槽內之底部，對上述處理槽內供給上述洗淨液，上述控制部於上述腔室內為大氣壓之狀態下，進行腔室洗淨處理，該處理一面自上述洗淨液噴嘴對上述處理槽內供給上述洗淨液一面使自上述處理槽溢出之上述洗淨液儲存於上述腔室，進而使上述處理槽浸漬於儲存於上述腔室之上述洗淨液藉此洗淨包含上述處理槽之外壁之上述腔室。藉此，於腔室內為大氣壓之狀態下，可進行腔室內之洗淨處理。又，因亦對處理槽供給洗淨液，故可並行進行處理槽之洗淨處理與腔室內之洗淨處理。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述控制部於每次對預先設定之片數或預先設定之批數之基板進行包含上述浸漬處理及上述乾燥處理之一連串基板處理時，於連續之2個上述一連串基板處理之間，進行上述腔室洗淨處理。於每次對預先設定之片數或預先設定之批數之基板進行一連串基板處理時，可於連續之2個一連串基板處理之間，進行腔室內之洗淨處理。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述洗淨液噴嘴設置於上述處理槽內之底部，對上述處理槽內供給上述洗淨液，且上述控制部於上述腔室內為大氣壓之狀態下，自上述洗淨液噴嘴對上述處理槽內供給上述洗淨液，且使自上述處理槽溢出之上述洗淨液儲存於上述腔室。可同時洗淨處理槽及腔室。
又，本發明之基板處理方法係具備儲存處理液之處理槽、與包圍上述處理槽之腔室之基板處理裝置之基板處理方法，其具備：浸漬步驟，其於預先設定之期間，使基板浸漬於儲存於上述處理槽之上述處理液；乾燥步驟，其使用自上述溶劑蒸汽噴嘴供給之上述溶劑蒸汽，使由上述處理液處理自上述處理槽提起之上述基板乾燥；及腔室洗淨步驟，其藉由自上述洗淨液噴嘴對上述腔室內供給上述洗淨液，使上述處理槽浸漬於儲存於上述腔室之上述洗淨液而洗淨包含上述處理槽之外壁之上述腔室。 [發明之效果]
根據本發明之基板處理裝置及基板處理方法，可防止顆粒附著於基板。
[實施例1]
以下，參照圖式說明本發明之實施例1。圖1係實施例1之基板處理裝置之概略構成圖。
(1)基板處理裝置1之構成 參照圖1。基板處理裝置1具備儲存處理液之處理槽2、包圍處理槽2之腔室3、及升降機4。處理槽2構成為可收納設為立起姿勢(鉛直姿勢)之複數片基板W。處理槽2與腔室3之底面分離配置。
升降機4具備：保持構件4A，其保持以立起姿勢等間隔排列於Y方向之複數片基板W；及升降機構4B，其使保持構件4A於上下方向(Z方向)上升降。升降機構4B具備例如電動馬達或氣缸。升降機構4B使基板W於處於腔室3之上方之「待機位置H1」、處理槽2之上方即腔室3內之「乾燥位置H2」、及處理槽2之內部之「處理位置H3」之間升降。
於處理槽2內之底部，設置對處理槽2內供給處理液之2根噴出管5。各噴出管5沿排列有複數片基板W之Y方向(紙面之前後方向)直線狀形成。各噴出管5具有排列於Y方向之複數個噴出口。
於各噴出管5，連接有處理液配管7之前端。處理液配管7之基端連接於處理液供給源9。處理液供給源9將純水作為處理液輸送至處理液配管7。作為純水，使用例如去離子水(DIW：Deionized Water)。於處理液配管7，設置有開關閥V1。開關閥V1進行純水之供給及其停止。具體而言，若開關閥V1成為打開狀態，則自2根噴出管5對處理槽2供給純水。又，若開關閥V1成為關閉狀態，則停止供給來自2根噴出管5之純水。
又，於2根噴出管5與開關閥V1之間之處理液配管7，連接有第2處理液配管11之前端。第2處理液配管11之基端連接於第2處理液供給源13。第2處理液供給源13將由純水(例如DIW)稀釋之異丙醇液(即，異丙醇與純水之混合液)作為第2處理液，輸送至第2處理液配管11。另，以下將由純水稀釋之異丙醇液稱為「稀釋IPA液」。於第2處理液配管11，設置有開關閥V2。開關閥V2進行稀釋IPA液之供給及其停止。2根噴出管5構成為，可藉由2個開關閥V1、V2，選擇性供給純水與稀釋IPA液。
於處理槽2之底部，設置有將處理槽2內之處理液釋放至腔室3內之底面之QDR(Quick Dump Rinser：高效率沖洗器)閥(開關閥)14。若將QDR閥14設為打開狀態，則處理槽2內之處理液急速釋放至腔室3內之底面。若將QDR閥14設為關閉狀態，則可於處理槽2儲存處理液。
於腔室3之底部，設置2根洗淨液噴嘴16。2根洗淨液噴嘴16設置於俯視下與處理槽2重疊之位置。另，亦可以於俯視下，2根洗淨液噴嘴16之整體與處理槽2重疊之方式設置。2根洗淨液噴嘴16對腔室3內直接供給洗淨液。各洗淨液噴嘴16與噴出管5同樣構成。即，各洗淨液噴嘴16係沿Y方向直線狀形成之管。各洗淨液噴嘴16具有排列於Y方向之複數個噴出口。
於2根洗淨液噴嘴16，連接有洗淨液配管18之前端。洗淨液配管18之基端連接於洗淨液供給源20。洗淨液供給源20將純水、稀釋IPA液、或由純水(例如DIW)稀釋之過氧化氫水(以下，稱為「稀釋H 2O 2液」)作為洗淨液，供給至洗淨液配管18。於洗淨液配管18，設置有開關閥V3。開關閥V3進行洗淨液之供給及其停止。
腔室3收納處理槽2。腔室3具備於其上表面開關自如之上部蓋23。於腔室3內，設置2根惰性氣體噴嘴25、2根溶劑蒸汽噴嘴27及2根防水劑蒸汽噴嘴29。於上部蓋23與處理槽2之間，依序自上配置2根惰性氣體噴嘴25、2根溶劑蒸汽噴嘴27及2根防水劑蒸汽噴嘴29。
6根噴嘴25、27、29以沿Y方向延伸之方式直線狀形成。2根惰性氣體噴嘴25為噴出惰性氣體，而分別具有沿Y方向排列之複數個噴出口(無圖示)。同樣，4根噴嘴27、29亦具有複數個噴出口。
2根惰性氣體噴嘴25分別對腔室3內供給惰性氣體。於各惰性氣體噴嘴25，連接供給管31之前端。供給管31之基端連接於惰性氣體供給源33。惰性氣體供給源33將例如氮氣作為惰性氣體輸送至供給管31。於供給管31，設置開關閥V4。開關閥V4進行惰性氣體之供給及其停止。
2根溶劑蒸汽噴嘴27分別對腔室3內供給溶劑蒸汽。於各溶劑蒸汽噴嘴27，連接供給管35之前端。供給管35之基端連接於溶劑蒸汽供給源37。溶劑蒸汽供給源37將例如異丙醇蒸汽(以下稱為「IPA蒸汽」)作為溶劑蒸汽，輸送至供給管35。溶劑蒸汽藉由加熱器將液體之溶劑蒸發而產生。溶劑蒸汽亦可包含惰性氣體(氮氣)作為載體氣體。於供給管35，設置開關閥V5。開關閥V5進行溶劑蒸汽之供給及其停止。
2根防水劑蒸汽噴嘴29分別對腔室3內供給防水劑蒸汽。於各防水劑蒸汽噴嘴29，連接供給管39之前端。供給管39之基端連接於防水劑蒸汽供給源41。防水劑蒸汽供給源41將防水劑蒸汽輸送至供給管39。防水劑蒸汽藉由加熱器將液體之防水劑蒸發而產生。防水劑蒸汽亦可包含惰性氣體(氮氣)作為載體氣體。於供給管39，設置開關閥V6。開關閥V6進行防水劑蒸汽之供給及其停止。
防水劑(矽烷化劑)係使矽自身及包含矽之化合物疏水化之矽系防水劑、或使金屬自身及包含金屬之化合物疏水化之金屬系防水劑。防水劑較佳為於由與IPA等親水性有機溶媒具有相溶解性之溶媒稀釋之狀態下使用。
金屬系防水劑包含例如具有疏水基之胺、及有機矽化合物中之至少一個。
矽系防水劑為例如矽烷偶聯劑。矽烷偶聯劑包含例如HMDS(hexamethyldisilazane：六甲基二矽氮烷)、TMS(tetramethylsilane：四甲基矽烷)、氟化烷基氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系防水劑中之至少一個。
於腔室3之側壁，設置有排氣口43。排氣口43配置為與處理槽2之外側面2A對向之高度。換言之，排氣口43配置為稍後敘述之屏蔽板63與處理槽2之下表面2B之間之高度。藉此，可一面於低於排氣口43之位置儲存例如洗淨液，一面自排氣口43將腔室3內之氣體排氣。於排氣口43，連接排氣管45。於排氣管45，自排氣口43側依序設置開關閥V7及排氣泵47。排氣泵47將腔室3內之氣體排氣，且使腔室3內減壓。
進而，於腔室3之底壁，設置排出口49。於排出口49，連接排出管51之上端。排出管51之下端連接於排液貯槽53之上部外壁。於排出管51，設置開關閥V8。開關閥V8於將腔室3內之處理液或洗淨液等輸送至排液貯槽53時使用。排液貯槽53係儲存自腔室3內排出之處理液之容器。於排液貯槽53，連接有排氣管55。於排氣管55，自排液貯槽53側依序設置開關閥V9及排氣泵57。
又，於排液貯槽53，連接氣體配管59及排出管61。於氣體配管59，設置開關閥V11。又，於排出管61，設置開關閥V12。氣體配管59將惰性氣體(例如氮氣)或外氣輸送至排液貯槽53。開關閥V11進行惰性氣體等之供給及其停止。排出管61排出排液貯槽53內之處理液等。
排液貯槽53於適當之時序排出處理液等。於排出儲存於排液貯槽53之處理液之情形時，於例如關閉開關閥V8、V9、V12之狀態下，打開開關閥V11，使排液貯槽53內返回至大氣壓。之後，於關閉開關閥V8、V9之狀態下，打開開關閥V11、V12排出排液貯槽53內之處理液等。
又，腔室3具備屏蔽板63。屏蔽板63遍及處理槽2之外側面2A之整周設置於處理槽2之上緣(或開口2C)稍下方。換言之，屏蔽板63設置於處理槽2之外側壁與腔室3之內側壁之間。屏蔽板63於腔室3內之上部(上部空間)與腔室3內之下部(下部空間)之間遮蔽環境氣體。屏蔽板63具有使自處理槽2溢出之處理液流通至腔室3內之下部之間隙G1、G2(開口)。即，屏蔽板63於與處理槽2之外側壁之間具有間隙G1，且於與腔室3之內側壁之間具有間隙G2。另，可視需要，不設置間隙G1、G2中之一者。屏蔽板63亦可安裝於處理槽2之外側壁或腔室3之內側壁。
於腔室3，設置測定腔室3內之壓力之壓力感測器PS1。又，於排液貯槽53，設置測定排液貯槽53內之壓力之壓力感測器PS2。進而，於腔室3，設置檢測儲存於腔室3內之例如洗淨液之液面之高度之液面感測器LS。將由壓力感測器PS1、PS2測定之壓力值、及由液面感測器LS檢測出之液面高度之值發送至稍後敘述之控制部81。
基板處理裝置1具備控制部81與記憶部(無圖示)。控制部81控制基板處理裝置1之各構成。控制部81具備例如中央運算處理裝置(CPU：Central Processing Unit)等1個或複數個處理器。記憶部具備例如ROM(Read-Only Memory：唯讀記憶體)、RAM(Random-Access Memory：隨機存取記憶體)、及硬碟中之至少1個。記憶部記憶控制基板處理裝置1之各構成所需之電腦程式。
另，基板處理裝置1具備2根洗淨液噴嘴16。該點而言，基板處理裝置1亦可具備1根或3根以上之洗淨液噴嘴16。2根噴出管5、2根惰性氣體噴嘴25、2根溶劑蒸汽噴嘴27及2根防水劑蒸汽噴嘴29亦同樣。
(2)基板處理裝置1之動作 接著，參照圖2、圖3，且說明基板處理裝置1之動作。另，於圖2中，省略升降機4之圖示。另，於圖2中，符號「VAC」表示排氣泵47等之排氣動作。於圖3中，將稀釋IPA液記為「dIPA液」。
[步驟S01]第1浸漬處理(對腔室搬入基板) 於處理槽2內，儲存純水作為處理液。純水自噴出管5供給。首先，移動上部蓋23開啟腔室3之上表面開口。升降機4使由保持構件4A保持之基板W自待機位置H1下降至處理位置H3。即，升降機4於預先設定之時間，使基板W整體浸漬於儲存於處理槽2之純水。藉由使基板W浸漬於純水，而洗淨基板W。於基板W浸漬於純水之後，移動上部蓋23蓋住腔室3之上表面開口。
[步驟S02]氮氣之供給 之後，打開開關閥V4，將氮氣自惰性氣體噴嘴25供給至腔室3內。進而，一面使排氣泵47作動一面打開開關閥V7，藉此通過排氣口43及排氣管45，將腔室3內之氣體排氣。藉此，腔室3內成為低於大氣壓之壓力之減壓狀態。
[步驟S03]第1之IPA蒸汽之供給(形成IPA蒸汽之環境氣體) 使利用排氣泵47等之腔室3內之排氣繼續。關閉開關閥V4，停止供給來自惰性氣體噴嘴25之氮氣。進而，為了將腔室3內設為IPA蒸汽之環境氣體，故打開開關閥V5，自溶劑蒸汽噴嘴27對腔室3內供給IPA蒸汽。
[步驟S04]第1之IPA蒸汽之供給(IPA置換) 使排氣泵47停止，且關閉開關閥V7。腔室3內為減壓之狀態。又，繼續供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。於此種狀態下，升降機4一面自處理槽2之純水提起基板W，一面使基板W自處理位置H3上升至乾燥位置H2。若基板W曝露於IPA蒸汽，則附著於基板W之純水被置換為IPA。另，當防水劑與水接觸時防水劑之效力下降。然而，可藉由進行IPA置換，而防止效力下降。
[步驟S05]第1之IPA蒸汽之供給(來自處理槽之處理液之釋放) 腔室3內為減壓之狀態。又，繼續供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。於此種狀態下，打開QDR閥14，自處理槽2內對腔室3內之底面急速釋放純水。之後，於處理槽2內變空之後，關閉QDR閥14。
[步驟S06]防水劑蒸汽之供給 藉由一面使排氣泵47作動一面打開開關閥V7，而將腔室3內之氣體排氣。藉此，將腔室3內減壓。又，關閉開關閥V5，停止自溶劑蒸汽噴嘴27供給溶劑蒸汽。進而，打開開關閥V6，將防水劑蒸汽自防水劑蒸汽噴嘴29供給至腔室3內。此時，基板W藉由升降機4，於2根防水劑蒸汽噴嘴29之間上下移動。藉此，對基板W整體均一地供給防水劑蒸汽。藉此，將附著於基板W之IPA置換為防水劑。藉由防水劑，將基板W之表面改質。
[步驟S07]第2之IPA蒸汽之供給 藉由排氣泵47等繼續腔室3內之排氣。關閉開關閥V6，停止供給來自防水劑蒸汽噴嘴29之防水劑蒸汽。又，打開開關閥V5，自溶劑蒸汽噴嘴27供給IPA蒸汽。自步驟S07(本步驟)至步驟S11進行IPA蒸汽之供給(IPA蒸汽之清洗)。藉此，將腔室3內之環境氣體自防水劑蒸汽置換為IPA蒸汽。進而，若基板W曝露於IPA蒸汽，則液化後之IPA附著於基板W。藉此，一面將附著於基板W之表面之防水劑置換為IPA，一面藉由IPA自基板W沖洗源自防水劑之顆粒、及有機物。源自防水劑之顆粒(異物)藉由例如水分與防水劑直接接觸而產生。
[步驟S08]第2之IPA蒸汽之供給、與處理液向腔室外之排出 使利用排氣泵47等之腔室3內之排氣繼續。又，繼續供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。於此種狀態下，為洗淨腔室，而將儲存於腔室3之底部之純水排出至腔室3之外部。
具體進行說明。於圖1中，例如於排液貯槽53內之壓力值P2高於腔室3內之壓力值P1之情形時若打開開關閥V8，則產生自排液貯槽53向腔室3之逆向之流動。因此，無法將腔室3內之純水排出至排液貯槽53。因此，首先，於3個開關閥V8、V11、V12關閉之狀態下，打開開關閥V9，且將排氣泵57作動，將排液貯槽53內排氣。
腔室3內之壓力值P1藉由壓力感測器PS1測定。又，排液貯槽53內之壓力值P2藉由壓力感測器PS2測定。排氣泵57以排液貯槽53內之壓力值P2低於腔室3內之壓力值P1之方式，將排液貯槽53內排氣。於排液貯槽53內之壓力值P2低於腔室3內之壓力值P1之後，打開開關閥V8，藉此可將腔室3內之純水排出至排液貯槽53。
另，腔室3內之壓力值P1可藉由排氣泵47控制排氣之流量而進行。又，腔室3內之壓力值P1可藉由開關閥V7控制通過排氣管45之氣體之流量而進行。又，排液貯槽53之壓力值P2可藉由排氣泵57控制排氣之流量而進行。又，排液貯槽53之壓力值P2亦可藉由開關閥V9控制通過排氣管55之氣體之流量而進行。
[步驟S09]第2之IPA蒸汽之供給、與處理液向腔室外之排出之停止 使利用排氣泵47等之腔室3內之排氣繼續。又，繼續供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。若腔室3內變空，則關閉開關閥V8。
[步驟S10]第2之IPA蒸汽之供給、與腔室內之洗淨處理 控制部81於藉由排氣泵47將腔室3減壓之狀態下，將純水(洗淨液)自洗淨液噴嘴16供給至腔室3內，使處理槽2浸漬於儲存於腔室3之純水藉此洗淨包含處理槽2之外壁之腔室3內。
具體進行說明。使利用排氣泵47等之腔室3內之排氣繼續。又，繼續供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。於此種狀態下，藉由打開開關閥V3，而自洗淨液噴嘴16對腔室3內供給純水(洗淨液)。若液面感測器LS檢測純水之液面到達排氣口43稍下之高度，則關閉開關閥V3，藉此停止供給來自洗淨液噴嘴16之純水。
於預先設定之期間，使處理槽2之外壁浸漬。可藉由儲存於腔室3內之下部之純水，洗淨腔室3內之下部(處理槽2之外側面2A及下表面2B、以及腔室3之內側面3A)。
此處，說明藉由洗淨液噴嘴16，對腔室3直接供給純水(洗淨液)之效果。為對腔室3內之下部供給純水(洗淨液)，而有一面自噴出管5對處理槽2供給純水，一面將自處理槽2溢出之純水輸送至腔室3之下部之方法。於該情形時，如圖4A所示，於低於大氣壓之減壓下，自儲存於處理槽2之純水產生之霧容易附著於基板W。若霧附著於基板W，則由於霧之水分與防水劑直接接觸，而有使防水劑之效力降低，此外產生顆粒(異物)之虞。因此，於基板W附著霧並非較佳。
因此，於腔室3之底部設置有洗淨液噴嘴16。藉此，即使於腔室3儲存純水，純水之水面至基板W亦較分離，故即使產生霧，亦可抑制霧附著於基板W(參照圖4B)。又，藉由屏蔽板63，妨礙霧移動至腔室3之上部。又，腔室3內藉由排氣泵47排氣。因此，霧自排氣口43排氣。又，於腔室3之上部中，自溶劑蒸汽噴嘴27供給IPA蒸汽，藉由排氣泵47排氣。因此，於屏蔽板63之間隙G1、G2產生向下之氣流，可妨礙霧移動至腔室3之上部。
[步驟S11]第2之IPA蒸汽之供給、與洗淨液向腔室外之排出 控制部81於藉由排氣泵47將腔室3減壓之狀態下，進行自設置於腔室3之底壁之排出口49排出純水(洗淨液)之排出處理。即，使利用排氣泵47等之腔室3內之排氣繼續。又，繼續供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。於此種狀態下，打開開關閥V8，將腔室3內之純水排出至排液貯槽53。此時，藉由排氣泵57，排液貯槽53內之壓力值P2低於腔室3內之壓力值P1。若腔室3內變空，則關閉開關閥V8。
又，可將2個步驟S10、S11重複預先設定之次數(1次或2次以上)。即，交替進行步驟S10與步驟S11。另，亦可為，步驟S10、S11分別僅進行1次，步驟S10、S11不重複進行。
[步驟S12]處理槽之洗淨(供給氮氣) 使排氣泵47停止，且關閉開關閥V7。又，關閉開關閥V5，停止供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。進而，打開開關閥V4，自惰性氣體噴嘴25供給氮氣。藉此，腔室3內自減壓狀態返回至大氣壓。
[步驟S13]處理槽之洗淨(洗淨液之供給) 繼續供給來自惰性氣體噴嘴25之氮氣。於此種狀態下，打開開關閥V1，將純水作為洗淨液自噴出管5供給至處理槽2內。藉由儲存於處理槽2之純水，洗淨處理槽2內。另，於使處理槽2內儲存純水時，亦可使自噴出管5供給至處理槽2內之純水自處理槽2溢出。
[步驟S14]處理槽之洗淨(洗淨液之排出) 繼續供給來自惰性氣體噴嘴25之氮氣。於此種狀態下，打開QDR閥14，將純水自處理槽2內急速釋放至腔室3內之底面。又，打開開關閥V8，將儲存於腔室3內之底部之純水(洗淨液)排出至排液貯槽53。於處理槽2內變空之後，關閉QDR閥14。又，於腔室3內變空之後，關閉開關閥V8。
[步驟S15]第2浸漬處理 繼續供給來自惰性氣體噴嘴25之氮氣。於此種狀態下，打開開關閥V2，自噴出管5對處理槽2內供給稀釋IPA液。若於處理槽2儲存預先設定之量之稀釋IPA液，則升降機4藉由使基板W自乾燥位置H2下降至處理位置H3，而於預先設定之期間，使基板W浸漬於處理槽2之稀釋IPA液。藉此，進而洗淨基板W。於供給稀釋IPA液之後關閉開關閥V2。
[步驟S16]第3之IPA蒸汽之供給(乾燥處理) 藉由一面使排氣泵47作動一面打開開關閥V7，而將腔室3內之氣體排氣。藉此，將腔室3內減壓。又，打開開關閥V5，自溶劑蒸汽噴嘴27供給IPA蒸汽。且，於腔室3內成為IPA蒸汽之環境氣體之後，升降機4一面自處理槽2之稀釋IPA液取出基板W，一面使基板W自處理位置H3上升至乾燥位置H2。藉此，將附著於基板W之稀釋IPA液置換為IPA。
於使利用排氣泵47等之腔室3內之排氣繼續之狀態下，關閉開關閥V5並停止供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。藉由停止IPA蒸汽之供給，且將腔室3內減壓，而使附著於基板W之IPA活躍地揮發並將基板W進行乾燥處理。另，如圖3之符號NS所示，於停止IPA蒸汽之供給之後，亦可自惰性氣體噴嘴25供給氮氣。
[步驟S17]氮氣之供給 使排氣泵47停止，且關閉開關閥V7。又，打開開關閥V4，自惰性氣體噴嘴25供給氮氣。藉此，腔室3內自減壓狀態返回至大氣壓。
另，於腔室3內被污染之情形時，若於腔室3內為大氣壓之狀態下供給氮氣，則腔室3內之下部之顆粒捲起，儘管設置有屏蔽板63，通過間隙G1、G2之顆粒亦附著於基板W。藉由進行腔室3之洗淨處理，可減少由氮氣捲起之顆粒，其結果，可防止顆粒附著於基板。
[步驟S18]來自腔室之基板之搬出 移動上部蓋23開啟腔室3之上表面開口。升降機4使保持構件4A所保持之基板W自乾燥位置H2上升至待機位置H1。上升至待機位置H1之基板W藉由無圖示之搬送機器人，移動至下一個目的地。
另，於步驟S10、S11中，腔室3之洗淨處理與洗淨液之排出處理與第2之IPA蒸汽之供給處理並行進行。該點而言，亦可於步驟S07～S11之第2之IPA蒸汽之供給處理之後，進行步驟S10、S11之腔室3之洗淨處理與洗淨液之排出處理。可藉由並行進行，而效率較佳地進行一連串基板處理。
即，控制部81於將溶劑蒸汽自溶劑蒸汽噴嘴27供給至腔室3內時(步驟S10、S11)，進行腔室洗淨處理。因可與將溶劑蒸汽供給至腔室3內之處理並行，進行腔室洗淨處理，故可有效地處理基板W。
根據本實施例，自洗淨液噴嘴16對腔室3內供給洗淨液，使處理槽2浸漬於儲存於腔室3之洗淨液，藉此進行洗淨包含處理槽2之外壁之腔室3內之腔室洗淨處理。藉此，不僅處理槽2之外壁(包含外側面2A與下表面2B)，亦可洗淨附著於腔室3內之側壁及底壁之顆粒。因此，可防止腔室3內之下部之顆粒捲起附著於基板W。
又，基板處理裝置1進而具備對腔室3內供給防水劑蒸汽之防水劑蒸汽噴嘴29。控制部81於進行浸漬處理(步驟S01)之後，進行為將基板W設為防水性，而自2根防水劑蒸汽噴嘴29對腔室3內供給防水劑蒸汽之防水劑蒸汽供給處理(步驟S06)。控制部81於進行防水劑蒸汽供給處理之後進行腔室洗淨處理(步驟S10)。
藉此，可於一連串基板處理(步驟S01～S18)之中途，進行腔室3之洗淨處理。又，用於將基板W設為防水性之防水劑蒸汽供給處理(步驟S06)產生較多源自防水劑之顆粒。該等顆粒蓄積於腔室3內之下部。且，有腔室3內之下部之顆粒捲起，該等顆粒附著於基板W之問題。根據本實施例，可於一連串基板處理之中途，進行腔室3之洗淨處理。因此，可防止腔室3內之下部之顆粒(包含源自防水劑之顆粒)捲起附著於基板W。
又，基板處理裝置1進而具備將腔室3內排氣之排氣泵47。洗淨液噴嘴16設置於腔室3內之下部，對腔室3內供給洗淨液。控制部81於藉由排氣泵47將腔室3內減壓之狀態下，進行腔室洗淨處理。
藉此，可於一面由排氣泵47將腔室3內排氣一面將腔室3減壓之狀態下，進行腔室3之洗淨處理。又，有一面對處理槽2供給洗淨液一面使洗淨液自處理槽2溢出，於腔室3內儲存洗淨液之情形。於該情形時，將腔室3減壓之狀態下，有容易自儲存於處理槽2之洗淨液產生霧，而產生之霧容易附著於基板W之問題。例如，若霧之水分與附著於基板W之防水劑直接接觸，則有防水劑之效力降低之可能性。又，有若水分與防水劑直接接觸，則產生顆粒之情形。又，有成為其他顆粒附著之原因之情形。根據本實施例，因可自設置於腔室3之下部之洗淨液噴嘴16直接供給至腔室3內，故洗淨液可與基板W分離。因此，可抑制產生之霧附著於基板。
又，排氣泵47通過處理槽2之側方之腔室3之側壁所設置之排氣口43，將腔室3內排氣。控制部81於一面藉由排氣泵47將腔室3內排氣一面將腔室3內減壓之狀態下，進行腔室洗淨處理。即使自洗淨液產生霧，亦可藉由排氣泵47自排氣口43排出霧。
又，基板處理裝置1具備設置於處理槽2之外側壁與腔室3之內側壁之間，於腔室3內之上部與腔室3內之下部之間遮蔽環境氣體之屏蔽板63。屏蔽板63具有使自處理槽2溢出之處理液流通至腔室3內之下部之間隙(開口)G1、G2。藉由具備屏蔽板63，即使自儲存於腔室3之洗淨液產生霧，亦可抑制霧自腔室3之下部通向上部。又，可抑制捲起之顆粒自腔室3之下部通向上部。
又，洗淨液噴嘴16設置於腔室3內之底部，即俯視下與處理槽2重疊之位置。藉此，可於處理槽2之背面隱藏洗淨液噴嘴16。又，因可自腔室3上部之基板W進而分離，故即使產生霧，亦可抑制其附著於基板W。
又，控制部81於藉由排氣泵47將腔室3減壓之狀態下，進行自設置於腔室3之排出口49排出洗淨液之排出處理。控制部81將腔室洗淨處理(步驟S10)與排出處理(步驟S11)重複預先設定之次數。越重複腔室洗淨處理，越可將腔室3內良好地洗淨。
又，基板處理裝置1進而具備對腔室3內供給惰性氣體之惰性氣體噴嘴25。控制部81於進行乾燥處理(步驟S16)之後，藉由自惰性氣體噴嘴25對腔室3內供給惰性氣體，而使減壓狀態之腔室3內返回至大氣壓(步驟S17)。因進行腔室3之洗淨處理，故可減少由惰性氣體捲起之顆粒。 [實施例2]
接著，參照圖式說明本發明之實施例2。另，省略與實施例1重複之說明。實施例1中，於圖2之步驟S01～S18所示之一連串基板處理之中途，與第2之IPA蒸汽之供給(步驟S07～S11)並行，於將腔室3內減壓之狀態下，進行腔室3之洗淨。該點而言，實施例2中，與處理槽2之洗淨(步驟S28～S31)並行，於腔室3內成為大氣壓之狀態下，進行腔室3之洗淨。
圖5係實施例2之基板處理裝置1之概略構成圖。圖5所示之基板處理裝置1與圖1所示之實施例1之基板處理裝置1不同，未設置有在腔室3之底部設置之洗淨液噴嘴16等。除此以外之構成與實施例1之基板處理裝置1相同。另，噴出管5相當於本發明之洗淨液噴嘴。
(3)基板處理裝置1之動作 接著，參照圖6、圖7，且說明基板處理裝置1之動作。另，因圖6所示之步驟S21～S27、S32～S35與圖2所示之實施例1之步驟S01～S07、S15～S18相同，故省略該等詳細之說明。另，於步驟S27中，充分進行IPA蒸汽之供給。
升降機4使基板W浸漬於儲存於處理槽2內之純水(步驟S21)。之後，於上部蓋23關閉之狀態下，自惰性氣體噴嘴25供給氮氣(步驟S22)。之後，自溶劑蒸汽噴嘴27供給IPA蒸汽(步驟S23)。之後，升降機4自處理槽2取出基板W，將基板W曝露於IPA蒸汽之環境氣體(步驟S24)。之後，打開QDR閥14將處理槽2內之純水釋放至腔室3之下表面(步驟S25)。
之後，自防水劑蒸汽噴嘴29供給防水劑蒸汽，將基板W設為防水性(步驟S26)。之後，自溶劑蒸汽噴嘴27供給IPA蒸汽，藉由IPA蒸汽沖洗附著於基板W之表面之防水劑及源自防水劑之顆粒等(步驟S27)。另，步驟S22、S23、S26、S27藉由排氣泵47將腔室3內排氣予以減壓。又，於步驟S22～S27中，腔室3內為減壓狀態。
[步驟S28]處理槽之洗淨(供給氮氣)及處理液之排出 使排氣泵47停止，且關閉開關閥V7。又，關閉開關閥V5，停止供給來自溶劑蒸汽噴嘴27之IPA蒸汽。進而，打開開關閥V4，自惰性氣體噴嘴25供給氮氣。藉此，腔室3內自減壓狀態返回至大氣壓。
於腔室3內返回至大氣壓之後，打開開關閥V8將儲存於腔室3內之純水(處理液)排出至排液貯槽53。若排出所有儲存於腔室3內之純水，即若液面感測器LS檢測出腔室3內變空，則關閉開關閥V8。
[步驟S29]處理槽之洗淨(洗淨液向處理槽之供給) 之後，繼續供給來自惰性氣體噴嘴25之氮氣。腔室3內為大氣壓之狀態。於此種狀態下，打開開關閥V1，將純水作為洗淨液自噴出管5供給至處理槽2內。純水儲存於處理槽2。
[步驟S30]處理槽之洗淨(洗淨液向腔室之供給、腔室內之洗淨) 之後，一面自噴出管5供給純水，一面使自處理槽2之開口2C溢出之純水儲存於腔室3。另，於處理槽2之側方，設置屏蔽板63。屏蔽板63之間隙G1、G2使自處理槽2溢出之純水流通至腔室3內之下部。儲存純水直至處理槽2之開口部2C之稍下，具體而言，屏蔽板63之稍下之位置為止。若液面感測器LS檢測出已成為預先設定之液面高度之情況，則關閉開關閥V1停止供給來自噴出管5之純水。且，將於處理槽2及腔室3儲存純水之狀態保持預先設定之時間。
[步驟S31]處理槽之洗淨(洗淨液之排出) 之後，繼續供給來自惰性氣體噴嘴25之氮氣。打開開關閥V8，將儲存於腔室3內之純水排出至排液貯槽53。進而，打開QDR閥14，自處理槽2內對腔室3內之底面釋放純水。處理槽2內之純水亦經由排出管51排出至排液貯槽53。於處理槽2內變空之後，關閉QDR閥14。又，於腔室3內變空之後，關閉開關閥V8。另，為保持處理槽2之清淨度，亦可最初將腔室3內之純水排出至排液貯槽53，之後，將處理槽2內之純水排出至排液貯槽53。
又，可將3個步驟S29～S31重複預先設定之次數(1次或2次以上)。將步驟S29、S30之處理槽2及腔室3之洗淨處理、與步驟S31之排出處理重複預先設定之次數。另，步驟S29～S31亦可分別僅進行1次，不重複進行步驟S29～S31。
之後，自噴出管5對處理槽2內供給稀釋IPA液，使基板W浸漬於儲存於處理槽2之稀釋IPA液(步驟S32)。之後，使用自溶劑蒸汽噴嘴27供給之IPA蒸汽，使由稀釋IPA液處理之基板W乾燥(步驟S33)。之後，供給氮氣使腔室3內返回至大氣壓(步驟S34)。之後，自腔室3取出基板W，使其移動至下一個目的地(步驟S35)。
根據本實施例，噴出管5設置於處理槽2內之底部。噴出管5對處理槽2內供給洗淨液，經由處理槽2對腔室3內供給洗淨液。控制部81於腔室3內為大氣壓之狀態下，進行腔室洗淨處理，該處理自噴出管5對處理槽2內供給洗淨液，且使自處理槽2溢出之洗淨液儲存於腔室3，進而使處理槽2浸漬於儲存於腔室3之洗淨液藉此洗淨包含處理槽2之外壁之腔室3。藉此，於腔室3內為大氣壓之狀態下，可進行腔室3之洗淨處理。因此，可防止腔室3內之下部之顆粒捲起附著於基板W。又，因亦對處理槽2供給洗淨液，故可並行進行處理槽2之洗淨處理與腔室3之洗淨處理。
另，於步驟S29～S31中，洗淨液向處理槽2之供給、洗淨液向腔室3之供給(腔室3之洗淨)及洗淨液之排出與處理槽2之洗淨並行進行。此點而言，亦可於處理槽2之洗淨之前後，進行洗淨液向腔室3之供給(腔室3之洗淨)等。可藉由並行進行，而效率較佳地進行一連串基板處理。 [實施例3]
接著，參照圖式說明本發明之實施例3。另，省略與實施例1、2重複之說明。於實施例1中，於圖2之步驟S01～S18所示之一連串基板處理之中途，進行腔室3之洗淨。此點而言，於實施例3中，於連續之2個一連串基板處理之間，進行腔室3之洗淨。
實施例3之基板處理裝置1之構成與圖5所示之實施例2之基板處理裝置1之構成相同。
(4)基板處理裝置1之動作 接著，參照圖8～圖10，且說明基板處理裝置1之動作。圖8係用於說明實施例3之基板處理裝置之動作之圖。圖9係顯示實施例3之基板處理裝置之動作(一連串基板處理)之時序圖。圖10係顯示實施例3之基板處理裝置之動作(腔室3之洗淨)之時序圖。
於本實施例中，腔室3之洗淨處理於規定之一連串基板處理(圖9之步驟S41～S54)、與接著之一連串基板處理(圖9之步驟S41～S54)之間進行。又，腔室3之洗淨處理於每次對預先設定之片數或預先設定之批數之基板W進行包含浸漬步驟(步驟S41)及乾燥處理(步驟S52)之一連串基板處理(步驟S41～S54)時進行。
按批單位進行基板W之處理。例如，將用於搬送基板W之載體所收納之25片基板W作為1批處理。
於圖9所示之一連串基板處理中，因圖9所示之步驟S41～S54與圖3所示之實施例1之步驟S01～S07、S13～S18、及圖7所示之實施例2之步驟S28相同，故省略該等說明。另，於步驟S47中，充分進行IPA蒸汽之供給。
接著，說明本實施例之腔室3之洗淨處理。參照圖8、圖10。控制部81將例如進行一連串基板處理之基板W之片數進行計數。且，於進行規定(例如第5次)之一連串基板處理時，將進行了一連串基板處理之基板W之片數設為預先設定之片數以上。此時，控制部81於其規定(第5次)之一連串基板處理與下一次(第6次)一連串基板處理之間，進行腔室3之洗淨處理。另，重設基板W之片數之計數(成為0片)。批數之情形亦同樣。即，控制部81將進行一連串基板處理之批數進行計數。且，於進行規定(例如第5次)之一連串基板處理時，進行了一連串基板處理之批數成為預先設定之批數以上。此時，控制部81於其規定(第5次)之一連串基板處理與下一次(第6次)一連串基板處理之間，進行腔室3之洗淨處理。
[步驟S61]洗淨之準備 腔室3內成為大氣壓之狀態。另，於步驟S61至步驟S65之間，腔室3內為大氣壓之狀態。又，於步驟S61中，腔室3內為不預先儲存處理液等變空之狀態。
[步驟S62]洗淨液之供給 之後，於關閉QDR閥14及開關閥V7、V8之狀態下，打開開關閥V2，將例如稀釋IPA液作為洗淨液自噴出管5供給至處理槽2。進而，自處理槽2之開口2C溢出稀釋IPA液，將自處理槽2溢出之稀釋IPA液儲存於腔室3。且，若液面感測器LS檢測出腔室3內之稀釋IPA液成為預先設定之液面高度，則關閉開關閥V2停止稀釋IPA液之供給。之後，將於處理槽2及腔室3儲存稀釋IPA液之狀態保持預先設定之時間。於本實施例中，作為洗淨液供給稀釋IPA液，但此點而言，亦可為稀釋H 2O 2液或純水。
[步驟S63]洗淨液之排出 之後，打開開關閥V8，將儲存於腔室3內之稀釋IPA液排出至排液貯槽53。進而，打開QDR閥14，將稀釋IPA液自處理槽2內釋放至腔室3內之底面。處理槽2內之稀釋IPA液亦經由排出管51排出至排液貯槽53。於處理槽2內變空之後，關閉QDR閥14。又，於腔室3內變空之後，關閉開關閥V8。
可將該等步驟S62、S63重複預先設定之次數(1次或複數次)。另，亦可視需要，各進行1次步驟S62、S63，不重複進行步驟S62、63。
[步驟S64]清洗液之供給 於步驟S63之後，於關閉QDR閥14及開關閥V7、V8之狀態下，打開開關閥V1，將例如純水作為清洗液自噴出管5供給至處理槽2。進而，自處理槽2之開口2C溢出純水，使自處理槽2溢出之純水儲存於腔室3。且，若液面感測器LS檢測出腔室3內之純水成為預先設定之液面高度，則關閉開關閥V1停止純水之供給。之後，將於處理槽2及腔室3儲存純水之狀態保持預先設定之時間。
[步驟S65]清洗液之排出 之後，打開開關閥V8，將儲存於腔室3內之純水排出至排液貯槽53。進而，打開QDR閥14，將純水自處理槽2內釋放至腔室3內之底面。處理槽2內之純水亦經由排出管51排出至排液貯槽53。於處理槽2內變空之後，關閉QDR閥14。又，於腔室3內變空之後，關閉開關閥V8。
可將該等步驟S64、S65重複預先設定之次數(1次或複數次)。另，亦可視需要，各進行1次步驟S64、S65，不重複進行步驟S64、S65。
於進行步驟S61～S65之腔室3之洗淨處理之後，進行接著之一連串基板處理(S41～S54)。
根據本實施例，控制部81於每次對預先設定之片數或預先設定之批數之基板W進行包含浸漬及乾燥處理之一連串基板處理時，於連續之2個一連串基板處理之間，進行腔室洗淨處理。於每次對預先設定之片數或預先設定之批數之基板W進行一連串基板處理時，可於連續之2個一連串基板處理之間，進行腔室3之洗淨處理。因此，可防止腔室3內之下部之顆粒捲起附著於基板W。
又，噴出管5設置於處理槽2內之底部，對處理槽2內供給洗淨液。控制部81於腔室3內為大氣壓之狀態下，自噴出管5對處理槽2內供給洗淨液，且使自處理槽2溢出之洗淨液儲存於腔室3，進而使處理槽2浸漬於儲存於腔室3之洗淨液，藉此洗淨包含處理槽2之外壁之腔室3內。藉此，可同時洗淨處理槽2及腔室3。
本發明並非限定於上述實施形態，可如下述般變形實施。
(1)於上述實施例3中，於步驟S62中自噴出管5供給稀釋IPA液作為洗淨液。於使用純水作為洗淨液之情形時，亦可省略步驟S64、S65。
(2)於上述實施例1、2中，於連續之2個一連串基板處理之間，未進行腔室3之洗淨處理。該點而言，於各個實施例1、2之中，除於一連串基板處理之中途進行腔室3之洗淨處理以外，亦可如實施例3般，於連續之2個一連串基板處理之間，進行腔室3之洗淨處理。
即，於圖8、圖10中，一連串基板處理(步驟S41～S54)可置換為一連串基板處理(圖2、圖3所示之步驟S01～S18)。又，一連串基板處理(步驟S41～S54)亦可置換為一連串基板處理(圖6、圖7所示之步驟S21～S35)。
(3)於上述實施例2、3中，洗淨液僅自噴出管5供給(參照圖5)。該點而言，可於腔室3之底部，設置有圖1所示之洗淨液噴嘴16。於供給洗淨液(例如純水)時，亦可自噴出管5及洗淨液噴嘴16分別對處理槽2及腔室3供給洗淨液。藉此，可縮短供給洗淨液之時間。
又，於實施例3中，亦可自噴出管5及洗淨液噴嘴16分別對處理槽2及腔室3供給清洗液。
(4)於上述實施例1及變化例(2)、(3)中，洗淨液噴嘴16於無遮擋之狀態下，對腔室3內供給洗淨液(例如純水)。該點而言，如圖11所示，可以與洗淨液噴嘴16之向上之噴出口16A對向之方式，於腔室3內之底部，設置覆蓋洗淨液噴嘴16之噴嘴蓋71。噴嘴蓋71亦可安裝於腔室3內之底部。
噴嘴蓋71將其下表面開口，為箱狀之構件。噴嘴蓋71具備頂壁71A、與連接於頂壁71A之複數片(例如2片或4片)側壁71B。於頂壁71A，未形成孔部71C，但於側壁71B，形成有通過洗淨液之孔部71C。側壁71B以向Y方向延伸之方式形成於長邊。孔部71C之面積大於噴出口16A。
洗淨液噴嘴16之噴出口16A為例如向上，且向上噴出之洗淨液被頂壁71A遮蔽，但自側壁71B之孔部71C對噴嘴蓋71之外部供給洗淨液。於將腔室3內減壓時，洗淨液噴嘴16容易成為霧之產生源。因此，使噴嘴蓋71與洗淨液噴嘴16之噴出口16A對向。因此，即使於洗淨液噴嘴16附近產生霧，亦可由噴嘴蓋71保持，一面抑制霧之擴散一面使洗淨液儲存於腔室3內。又，因洗淨液自側壁71B之孔部71C通過，故可抑制洗淨液之流勢。
另，亦可以不妨礙於腔室3之底面流動之方式，於噴嘴蓋71、與腔室3之底面之間，形成有間隙G3。
(5)於上述實施例1及各變化例(2)～(4)中，2根洗淨液噴嘴16分別設置於腔室3內之底部，即俯視下與處理槽2重疊之位置。該點而言，2根洗淨液噴嘴16分別如圖12所示，可設置於腔室3之下部之角落。設置於角落之洗淨液噴嘴16亦可面向橫向形成噴出口。因此，自洗淨液噴嘴16橫向噴出洗淨液。
(6)於上述實施例1及各變化例(2)～(4)中，2根洗淨液噴嘴16分別設置於腔室3之底部或腔室3內之底面。該點而言，如圖13所示，2根洗淨液噴嘴16可分別與腔室3內之底面分離設置。又，2根洗淨液噴嘴16可分別設置於屏蔽板63靠下位置，即腔室3內之底面靠上位置之腔室3之內側壁。即，2根洗淨液噴嘴16亦可分別設置於腔室3內之下部。另，各洗淨液噴嘴16以面向處理槽2之外壁之姿勢配置。
又，控制部81於藉由排氣泵將腔室3減壓之狀態下，可一面使處理槽2之外壁接觸洗淨液一面自洗淨液噴嘴16對腔室3內供給洗淨液。因於腔室3內之底面流動液體，故於腔室3內之底面，較不易蓄積顆粒。然而，例如處理槽2之外壁為即使附著了懸浮之顆粒，液體亦不易流動之部分，故蓄積顆粒。因一面使該部分接觸洗淨液一面使腔室3內儲存洗淨液，故容易去除附著於處理槽2之外壁之顆粒。
(7)於上述各實施例及各變化例中，基板處理裝置1具備2個排氣泵47、57。該點而言，基板處理裝置1可不具備例如排氣泵57。即，排氣泵47亦可經由排氣管45將腔室3內排氣且經由排氣管55將排液貯槽53內排氣。
例如開關閥V7構成為可控制通過排氣管45之氣體之流量。又，開關閥V9構成為可控制通過排氣管55之氣體之流量。且，控制部81藉由操作2個開關閥V7、V9，而控制通過2個排氣管45、55之氣體之流量。藉此，使排液貯槽53內之壓力值P2小於腔室3內之壓力值P1。
(8)於上述各實施例及各變化例中，說明腔室3內之下部之顆粒之捲起於供給氮氣使腔室3內返回至大氣壓時產生(步驟S17、S34、S53)。該點而言，例如步驟S12、S28、S48等亦有產生顆粒之捲起之可能性。
(9)於上述各實施例及各變化例中，例如於圖2所示之步驟S06中，供給防水劑之蒸汽將基板W設為防水性。該點而言，於無需將基板W設為防水性之情形時，亦可省略供給防水劑之蒸汽之步驟S06及與此關聯之步驟。圖6之步驟S26及圖9之步驟S46亦同樣。
本發明於不脫離其思想或本質之範圍內可由其他具體之形式實施，因此，作為顯示發明範圍者，並非以上之說明，而應參照附加之技術方案。
1:基板處理裝置 2:處理槽 2A:外側面 2B:下表面 2C:開口 3:腔室 3A:內側面 4:升降機 4A:保持構件 4B:升降機構 5:噴出管 7:處理液配管 9:處理液供給源 11:第2處理液配管 13:第2處理液供給源 14:QDR閥 16:洗淨液噴嘴 16A:噴出口 18:洗淨液配管 20:洗淨液供給源 23:上部蓋 25:惰性氣體噴嘴 27:溶劑蒸汽噴嘴 29:防水劑蒸汽噴嘴 31:供給管 33:惰性氣體供給源 35:供給管 37:溶劑蒸汽供給源 39:供給管 41:防水劑蒸汽供給源 43:排氣口 45:排氣管 47:排氣泵 49:排出口 51:排出管 53:排液貯槽 55:排氣管 57:排氣泵 59:氣體配管 61:排出管 63:屏蔽板 71:噴嘴蓋 71A:頂壁 71B:側壁 71C:孔部 81:控制部 G1:間隙 G2:間隙 G3:間隙 H1:待機位置 H2:乾燥位置 H3:處理位置 LS:液面感測器 NS:符號 PS1:壓力感測器 PS2:壓力感測器 S01~S18:步驟 S21~S35:步驟 S41~S54:步驟 S61~S65:步驟 V1:開關閥 V2:開關閥 V3:開關閥 V4:開關閥 V5:開關閥 V6:開關閥 V7:開關閥 V8:開關閥 V9:開關閥 V11:開關閥 V12:開關閥 VAC:排氣動作 W:基板
雖為說明發明而圖示有認為當前較佳之若干形態，但應理解發明並非限定於圖示般之構成及方策者。 圖1係實施例1之基板處理裝置之概略構成圖。 圖2係用於說明實施例1之基板處理裝置之動作之圖。 圖3係顯示實施例1之基板處理裝置之動作之時序圖。 圖4A係用於說明霧之問題之圖，圖4B係用於說明基板處理裝置之效果之圖。 圖5係實施例2之基板處理裝置之概略構成圖。 圖6係用於說明實施例2之基板處理裝置之動作之圖。 圖7係用於說明實施例2之基板處理裝置之動作之時序圖。 圖8係用於說明實施例3之基板處理裝置之動作之圖。 圖9係顯示實施例3之基板處理裝置之動作(一連串基板處理)之時序圖。 圖10係顯示實施例3之基板處理裝置之動作(腔室內之洗淨)之時序圖。 圖11係顯示變化例之具備噴嘴蓋之腔室之圖。 圖12係顯示變化例之具備2根洗淨液噴嘴之腔室之圖。 圖13係顯示變化例之具備2根洗淨液噴嘴之腔室之圖。
1:基板處理裝置
2:處理槽
2A:外側面
2B:下表面
2C:開口
3:腔室
3A:內側面
4:升降機
4A:保持構件
4B:升降機構
5:噴出管
7:處理液配管
9:處理液供給源
11:第2處理液配管
13:第2處理液供給源
14:QDR閥
16:洗淨液噴嘴
18:洗淨液配管
20:洗淨液供給源
23:上部蓋
25:惰性氣體噴嘴
27:溶劑蒸汽噴嘴
29:防水劑蒸汽噴嘴
31:供給管
33:惰性氣體供給源
35:供給管
37:溶劑蒸汽供給源
39:供給管
41:防水劑蒸汽供給源
43:排氣口
45:排氣管
47:排氣泵
49:排出口
51:排出管
53:排液貯槽
55:排氣管
57:排氣泵
59:氣體配管
61:排出管
63:屏蔽板
81:控制部
G1:間隙
G2:間隙
H1:待機位置
H2:乾燥位置
H3:處理位置
LS:液面感測器
PS1:壓力感測器
PS2:壓力感測器
V1:開關閥
V2:開關閥
V3:開關閥
V4:開關閥
V5:開關閥
V6:開關閥
V7:開關閥
V8:開關閥
V9:開關閥
V11:開關閥
V12:開關閥
W:基板

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 處理槽，其儲存處理液； 腔室，其包圍上述處理槽； 溶劑蒸汽噴嘴，其對上述腔室內供給溶劑蒸汽； 洗淨液噴嘴，其對上述腔室內供給洗淨液；及 控制部；且 上述控制部於預先設定之期間，進行使基板浸漬於儲存於上述處理槽之上述處理液之浸漬處理，並進行使用自上述溶劑蒸汽噴嘴供給之上述溶劑蒸汽，使由上述處理液處理自上述處理槽提起之上述基板乾燥之乾燥處理； 上述控制部進行自上述洗淨液噴嘴對上述腔室內供給上述洗淨液，使上述處理槽浸漬於儲存於上述腔室之上述洗淨液，藉此洗淨包含上述處理槽之外壁之上述腔室內之腔室洗淨處理。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述控制部於進行上述浸漬處理之後進行上述腔室洗淨處理，且 上述控制部於進行上述腔室洗淨處理之後進行上述乾燥處理。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其進而具備 對上述腔室內供給防水劑蒸汽之防水劑蒸汽噴嘴，且 上述控制部於進行上述浸漬處理之後，進行為將上述基板設為防水性，而自上述防水劑蒸汽噴嘴對上述腔室內供給上述防水劑蒸汽之防水劑蒸汽供給處理， 上述控制部於進行上述防水劑蒸汽供給處理之後進行上述腔室洗淨處理。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其進而具備 將上述腔室內排氣之排氣泵，且 上述洗淨液噴嘴設置於上述腔室內之下部，對上述腔室內供給上述洗淨液， 上述控制部於藉由上述排氣泵將上述腔室內減壓之狀態下，進行上述腔室洗淨處理。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述排氣泵通過上述處理槽之側方之上述腔室之側壁所設置之排氣口，將上述腔室內排氣， 上述控制部於一面藉由上述排氣泵將上述腔室內排氣一面將上述腔室內減壓之狀態下，進行上述腔室洗淨處理。
  6. 如請求項4之基板處理裝置，其進而具備 屏蔽板，其為設置於上述處理槽之外側壁與上述腔室之內側壁之間，於上述腔室內之上部與上述腔室內之下部之間遮蔽環境氣體之上述屏蔽板，且具有使自上述處理槽溢出之處理液流通至上述腔室內之下部之開口。
  7. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述洗淨液噴嘴設置於上述腔室內之底部，且俯視下與上述處理槽重疊之位置。
  8. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述控制部於上述溶劑蒸汽自上述溶劑蒸汽噴嘴供給至上述腔室內時，進行上述腔室洗淨處理。
  9. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述控制部於藉由上述排氣泵將上述腔室減壓之狀態下，進行自設置於上述腔室之排出口排出上述洗淨液之排出處理， 上述控制部將上述腔室洗淨處理與上述排出處理重複預先設定之次數。
  10. 如請求項4之基板處理裝置，其進而具備 對上述腔室內供給惰性氣體之惰性氣體噴嘴，且 上述控制部於進行上述乾燥處理之後，自上述惰性氣體噴嘴對上述腔室內供給惰性氣體，藉此將減壓狀態之上述腔室內返回至大氣壓。
  11. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述洗淨液噴嘴以面向上述處理槽之外壁之姿勢配置， 上述控制部於藉由上述排氣泵將上述腔室減壓之狀態下，一面將上述洗淨液與上述處理槽之外壁接觸一面自上述洗淨液噴嘴對上述腔室內供給上述洗淨液。
  12. 如請求項4之基板處理裝置，其進而具備 以與上述洗淨液噴嘴之向上之噴出口對向之方式，設置於上述腔室內之底部之噴嘴蓋，且 上述噴嘴蓋具備頂壁、與形成有連接於上述頂壁且通過上述洗淨液之孔部之複數個側壁。
  13. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中 上述洗淨液噴嘴設置於上述處理槽內之底部，對上述處理槽內供給上述洗淨液， 上述控制部於上述腔室內為大氣壓之狀態下，進行腔室洗淨處理，其一面自上述洗淨液噴嘴對上述處理槽內供給上述洗淨液一面使自上述處理槽溢出之上述洗淨液儲存於上述腔室，進而使上述處理槽浸漬於儲存於上述腔室之上述洗淨液藉此洗淨包含上述處理槽之外壁之上述腔室。
  14. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述控制部於每次對預先設定之張數或預先設定之批數之基板進行包含上述浸漬處理及上述乾燥處理之一連串基板處理時，於連續之2個上述一連串基板處理之間，進行上述腔室洗淨處理。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中 上述洗淨液噴嘴設置於上述處理槽內之底部，對上述處理槽內供給上述洗淨液，且 上述控制部於上述腔室內為大氣壓之狀態下，自上述洗淨液噴嘴對上述處理槽內供給上述洗淨液，且使自上述處理槽溢出之上述洗淨液儲存於上述腔室。
  16. 一種基板處理方法，其係基板處理裝置之基板處理方法，且該基板處理裝置具備： 處理槽，其儲存處理液；及 腔室，其包圍上述處理槽；且該基板處理方法之特徵在於具備： 浸漬步驟，其於預先設定之期間，使基板浸漬於儲存於上述處理槽之上述處理液； 乾燥步驟，其使用自溶劑蒸汽噴嘴供給之溶劑蒸汽，使由上述處理液處理自上述處理槽提起之上述基板乾燥；及 腔室洗淨處理，其藉由自洗淨液噴嘴對上述腔室內供給洗淨液，使上述處理槽浸漬於儲存於上述腔室之上述洗淨液而洗淨包含上述處理槽之外壁之上述腔室。
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