KR20230168124A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20230168124A
KR20230168124A KR1020230053500A KR20230053500A KR20230168124A KR 20230168124 A KR20230168124 A KR 20230168124A KR 1020230053500 A KR1020230053500 A KR 1020230053500A KR 20230053500 A KR20230053500 A KR 20230053500A KR 20230168124 A KR20230168124 A KR 20230168124A
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시게루 야마모토
다카시 아키야마
다이키 후지이
겐지 에다미츠
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 기판 처리 장치는, 처리액을 저류하는 처리조와, 처리조를 둘러싸는 챔버, 챔버 내에 용제 증기를 공급하는 용제 증기 노즐과, 세정액을 공급하는 세정액 노즐과, 제어부를 구비한다. 제어부는, 미리 설정된 기간, 처리조에 저류된 처리액에 기판을 침지시키는 침지 처리를 실시하고, 용제 증기 노즐로부터 공급된 용제 증기를 사용하여, 처리액으로 처리되어 상기 처리조로부터 끌어올려진 기판을 건조시키는 건조 처리를 실시한다. 제어부는, 세정액 노즐로부터 챔버 내에 세정액을 공급하고, 챔버에 저류된 세정액에 처리조를 침지시킴으로써, 처리조의 외벽을 포함하는 챔버 내를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 기판은, 예를 들어, 반도체 기판, FPD (Flat Panel Display) 용의 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등을 들 수 있다. FPD 는, 예를 들어, 액정 표시 장치, 유기 EL (electroluminescence) 표시 장치 등을 들 수 있다.
기판 처리 장치는, 순수 등의 처리액을 저류하는 처리조와, 처리조를 둘러싸는 챔버와, 기판을 유지하는 리프터와, 질소 가스를 챔버 내에 공급하는 질소 노즐과, 이소프로필알코올 (IPA) 의 증기를 챔버 내에 공급하는 용제 노즐과, 챔버 내를 배기시켜 감압시키는 배기 펌프를 구비한다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2015-070148호 참조).
기판 처리 장치는, 예를 들어, 다음과 같이 동작한다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2015-070148호 참조). 리프터는, 처리조 내의 처리액에 기판을 침지시킨다. 그 후, 용제 노즐로부터 IPA 의 증기가 공급됨으로써, 챔버 내를 IPA 의 증기의 분위기로 한다. 그 후, 리프터는, 처리조 내의 처리액으로부터 기판을 꺼내어, 챔버 내의 건조 위치로 기판을 이동시킨다. 그 후, 배기 펌프는, 챔버 내를 감압시킨다. 이로써, 기판에 부착되는 IPA 등이 활발하게 휘발되어, 기판이 건조 처리된다. 그 후, 배기 펌프를 정지시킴과 함께, 질소 노즐로부터 질소 가스를 공급함으로써, 챔버 내를 대기압으로 되돌린다.
일본 공개특허공보 2008-251779호에는,「산성 약액」또는「알칼리성 약액」을 저류하는 약액조와, 약액조를 수용하는 챔버를 구비한 기판 처리 장치의 중화 세정 장치가 개시되어 있다. 중화 세정 장치는, 순수 노즐, 순환 노즐 및 순환 배관을 구비한다. 순환 배관은, 순환 노즐에 접속된다. 순수 노즐 및 순환 노즐은 각각 챔버의 내벽과 약액조의 외벽 사이를 향하여 설치된다. 중화 세정 장치는, 순수 노즐을 통하여 챔버의 내부에 순수를 저류시키고, 그 후, 순환 배관을 통하여 챔버의 내부에 저류된 순수를 순환시킨다. 이로써, 약액조의 외벽에 부착된 약액 성분은, 순수의 흐름에 의해 부착면으로부터 유리된다.
일본 공개특허공보 2010-093097호에는, 핸드 샤워를 사용하여 챔버 내에 순수를 공급함으로써, 희염산의 증기의 응결분 (分) 을 씻어내어 제거하는 것이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2018-056155호에는, 기판의 표면을 소수화 처리하는 공정이 개시되어 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-004874호에는, 감압된 용제 분위기하여도 챔버로부터 처리액을 배출할 수 있는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
그러나, 종래의 기판 처리 장치는 다음의 문제가 있다. 장치의 사용에 의해 챔버 내의 하부 (처리조의 외벽을 포함한다) 에 파티클이 축적되어 오염된다. 챔버 내의 하부가 오염되면, 예를 들어 질소 가스를 공급할 때에 질소 가스가 챔버 내의 하부의 파티클을 휘몰아쳐 올려, 그 파티클이 기판에 부착되는 문제가 있다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취한다. 즉, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 처리액을 저류하는 처리조와, 상기 처리조를 둘러싸는 챔버와, 상기 챔버 내에 용제 증기를 공급하는 용제 증기 노즐과, 상기 챔버 내에 세정액을 공급하는 세정액 노즐과, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 미리 설정된 기간, 상기 처리조에 저류된 상기 처리액에 기판을 침지시키는 침지 처리를 실시하고, 상기 용제 증기 노즐로부터 공급된 상기 용제 증기를 사용하여, 상기 처리액으로 처리되어 상기 처리조로부터 끌어올려진 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 실시하고, 상기 제어부는, 상기 세정액 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하고, 상기 챔버에 저류된 상기 세정액에 상기 처리조를 침지시킴으로써, 상기 처리조의 외벽을 포함하는 상기 챔버 내를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시하는 것이다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 세정액 노즐로부터 챔버 내에 세정액을 공급하고, 챔버에 저류된 세정액에 처리조를 침지시킴으로써, 처리조의 외벽을 포함하는 챔버 내를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시한다. 이로써, 처리조의 외벽 뿐만 아니라 챔버 내의 측벽 및 바닥벽에 부착된 파티클을 세정할 수 있다. 그 때문에, 챔버 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 침지 처리를 실시한 후에 상기 챔버 세정 처리를 실시하고, 상기 제어부는, 상기 챔버 세정 처리를 실시한 후에 상기 건조 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 일련의 기판 처리의 도중에 챔버 내의 세정 처리를 실시할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치는, 상기 챔버 내에 발수제 증기를 공급하는 발수제 증기 노즐을 추가로 구비하고, 상기 제어부는, 상기 침지 처리를 실시한 후, 상기 기판을 발수성으로 하기 위해, 상기 발수제 증기 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 발수제 증기를 공급하는 발수제 증기 공급 처리를 실시하고, 상기 제어부는, 상기 발수제 증기 공급 처리를 실시한 후에 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것이 바람직하다.
기판을 발수성으로 하기 위한 발수제 증기 공급 처리는, 발수제 유래의 파티클을 많이 발생시킨다. 이 파티클이 챔버 내의 하부에 축적된다. 그리고, 챔버 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가, 그 파티클이 기판에 부착되는 문제가 있다. 본 발명에 의하면, 일련의 기판 처리의 도중에 챔버 내의 세정 처리를 실시할 수 있다. 그 때문에, 챔버 내의 하부의 파티클 (발수제 유래의 파티클을 포함한다) 이 휘몰아쳐 올라가 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치는, 상기 챔버 내를 배기시키는 배기 펌프를 추가로 구비하고, 상기 세정액 노즐은, 상기 챔버 내의 하부에 형성되고, 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하고, 상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버 내를 감압시킨 상태에서, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것이 바람직하다.
이로써, 배기 펌프로 챔버 내를 감압시킨 상태에서, 챔버 내의 세정 처리를 실시할 수 있다. 또, 처리조에 세정액을 공급하면서 처리조로부터 세정액을 흘러넘치게 하여, 챔버 내에 세정액을 저류시키는 경우가 있는 것으로 한다. 챔버 내가 감압된 상태에서는, 처리조에 저류된 세정액으로부터 미스트가 발생하기 쉽고, 발생한 미스트가 기판에 부착되기 쉬워지는 문제가 있다. 또, 부착된 미스트가 기판에 악영향을 줄 가능성이 있다. 본 발명에 의하면, 챔버의 하부에 형성된 세정액 노즐로부터 챔버 내에 직접 공급할 수 있기 때문에, 세정액을 기판으로부터 떼어놓을 수 있다. 그 때문에, 발생한 미스트가 기판에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 배기 펌프는, 상기 처리조의 측방의 상기 챔버의 측벽에 형성된 배기구를 통하여, 상기 챔버 내를 배기시키고, 상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버 내를 배기시키면서 상기 챔버 내를 감압시킨 상태에서, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 세정액으로부터 미스트가 발생해도, 배기 펌프에 의해 배기구로부터 미스트를 배출할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치는, 상기 처리조의 외측벽과 상기 챔버의 내측벽 사이에 형성되고, 상기 챔버 내의 상부와 상기 챔버 내의 하부 사이에서 분위기를 차폐하는 실드판으로서, 상기 처리조로부터 흘러넘친 처리액을 상기 챔버 내의 하부에 유통시키는 개구를 갖는 상기 실드판을 추가로 구비하고 있는 것이 바람직하다. 실드판을 구비함으로써, 챔버에 저류된 세정액으로부터 미스트가 발생해도, 챔버의 하부에서 상부로 미스트가 향하는 것을 억제할 수 있다. 또, 휘몰아쳐 올라가는 파티클이 챔버의 하부에서 상부를 향하는 것을 억제할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 노즐은, 상기 챔버 내의 바닥부로서, 평면에서 봤을 때에 상기 처리조와 중첩되는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 처리조의 뒤에 세정액 노즐을 숨길 수 있다. 또, 챔버 상부의 기판으로부터 보다 떼어놓을 수 있으므로, 미스트가 발생해도, 기판에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 용제 증기 노즐로부터 상기 용제 증기가 상기 챔버 내에 공급되고 있을 때에, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 용제 증기를 챔버 내에 공급하는 처리와 병행하여, 챔버 세정 처리를 실시할 수 있으므로, 효율적으로 기판을 처리할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버를 감압시킨 상태에서, 상기 챔버에 형성된 배출구로부터 상기 세정액을 배출하는 배출 처리를 실시하고, 상기 제어부는, 상기 챔버 세정 처리와 상기 배출 처리를 미리 설정된 횟수 반복하는 것이 바람직하다. 챔버 세정 처리를 반복할수록, 챔버 내를 양호하게 세정할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치는, 상기 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐을 추가로 구비하고, 상기 제어부는, 상기 건조 처리를 실시한 후, 상기 불활성 가스 노즐로부터 상기 챔버 내에 불활성 가스를 공급함으로써, 감압 상태의 상기 챔버 내를 대기압으로 되돌리는 것이 바람직하다. 챔버 내의 세정 처리가 실시됨으로써, 불활성 가스에 의해 휘몰아쳐 올라가는 파티클을 저감시킬 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 노즐은, 상기 처리조의 외벽을 향하는 자세로 배치되어 있고, 상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버를 감압시킨 상태에서, 상기 처리조의 외벽에 상기 세정액을 맞히면서 상기 세정액 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하는 것이 바람직하다.
챔버 내의 바닥면은 비교적으로 액이 흐르므로, 챔버 내의 바닥면에는, 파티클이 비교적 축적되기 어렵다. 그러나, 예를 들어 처리조의 외벽은, 부유한 파티클이 부착되어도 액이 흐르기 어려운 부분이므로, 파티클이 축적된다. 그 부분에 세정액을 맞히면서 챔버 내에 세정액을 저류시키므로, 처리조의 외벽에 부착된 파티클을 제거하기 쉽다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 노즐의 상향의 토출구에 대향하도록, 상기 챔버 내의 바닥부에 형성된 노즐 커버를 추가로 구비하고, 상기 노즐 커버는, 천정벽과, 상기 천정벽에 접속됨과 함께 상기 세정액을 통과시키는 구멍부가 형성된 복수의 측벽을 구비하는 것이 바람직하다. 미스트의 확산을 억제하면서 챔버 내에 세정액을 저류시킬 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 노즐은, 상기 처리조 내의 바닥부에 형성되고, 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급하고, 상기 제어부는, 상기 챔버 내가 대기압인 상태에서, 상기 세정액 노즐로부터 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급하면서 상기 처리조로부터 흘러넘친 상기 세정액을 상기 챔버에 저류시키고, 또한, 상기 챔버에 저류된 상기 세정액에 상기 처리조를 침지시킴으로써 상기 처리조의 외벽을 포함하는 상기 챔버를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 챔버 내가 대기압인 상태에 있어서, 챔버 내의 세정 처리를 실시할 수 있다. 또, 처리조에도 세정액이 공급되므로, 처리조의 세정 처리와 챔버 내의 세정 처리를 병행하여 실시할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 미리 설정된 장수 또는 미리 설정된 로트수의 기판에 대하여 상기 침지 처리 및 상기 건조 처리를 포함하는 일련의 기판 처리를 실시할 때마다, 연속되는 2 개의 상기 일련의 기판 처리의 사이에 있어서, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 미리 설정된 장수 또는 미리 설정된 로트수의 기판에 대하여 일련의 기판 처리를 실시할 때마다, 연속되는 2 개의 일련의 기판 처리의 사이에 있어서, 챔버 내의 세정 처리를 실시할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 노즐은, 상기 처리조 내의 바닥부에 형성되고, 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급하고, 상기 제어부는, 상기 챔버 내가 대기압인 상태에서, 상기 세정액 노즐로부터 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급함과 함께, 상기 처리조로부터 흘러넘친 상기 세정액을 상기 챔버에 저류시키는 것이 바람직하다. 처리조 및 챔버를 동시에 세정할 수 있다.
또, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, 처리액을 저류하는 처리조와, 상기 처리조를 둘러싸는 챔버를 구비한 기판 처리 장치의 기판 처리 방법으로서, 미리 설정된 기간, 상기 처리조에 저류된 상기 처리액에 기판을 침지시키는 침지 공정과, 상기 용제 증기 노즐로부터 공급된 상기 용제 증기를 사용하여, 상기 처리액으로 처리되어 상기 처리조로부터 끌어올려진 상기 기판을 건조시키는 건조 공정과, 상기 세정액 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하고, 상기 챔버에 저류된 상기 세정액에 상기 처리조를 침지시킴으로써 상기 처리조의 외벽을 포함하는 상기 챔버를 세정하는 챔버 세정 공정을 구비하고 있는 것이다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
발명을 설명하기 위해 현재의 바람직하다고 생각되는 몇 가지의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 바와 같은 구성 및 방책에 한정되는 것은 아님을 이해하였으면 한다.
도 1 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2 는, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 4A 는, 미스트의 문제를 설명하기 위한 도면이고, 도 4B 는, 기판 처리 장치 (1) 의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 는, 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 6 은, 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은, 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 8 은, 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 는, 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치의 동작 (일련의 기판 처리) 을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 10 은, 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치의 동작 (챔버 내의 세정) 을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 11 은, 변형예에 관련된 노즐 커버를 구비한 챔버를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 변형예에 관련된 2 개의 세정액 노즐을 구비한 챔버를 나타내는 도면이다.
도 13 은, 변형예에 관련된 2 개의 세정액 노즐을 구비한 챔버를 나타내는 도면이다.
실시예 1
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1 을 설명한다. 도 1 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
(1) 기판 처리 장치 (1) 의 구성
도 1 을 참조한다. 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액을 저류하는 처리조 (2) 와, 처리조 (2) 를 둘러싸는 챔버 (3) 와, 리프터 (4) 를 구비한다. 처리조 (2) 는, 기립 자세 (연직 자세) 로 된 복수 장의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 처리조 (2) 는, 챔버 (3) 의 바닥면으로부터 떨어져 배치된다.
리프터 (4) 는, 기립 자세로 Y 방향으로 등간격으로 나열된 복수 장의 기판 (W) 을 유지하는 유지 부재 (4A) 와, 유지 부재 (4A) 를 상하 방향 (Z 방향) 으로 승강시키는 승강 기구 (4B) 를 구비한다. 승강 기구 (4B) 는, 예를 들어 전동 모터 또는 에어 실린더를 구비한다. 승강 기구 (4B) 는, 챔버 (3) 의 상방에 해당하는「대기 위치 (H1)」와, 처리조 (2) 의 상방으로서 챔버 (3) 내의「건조 위치 (H2)」와, 처리조 (2) 의 내부의「처리 위치 (H3)」의 사이에서, 기판 (W) 을 승강시킨다.
처리조 (2) 내의 바닥부에는, 처리조 (2) 내에 처리액을 공급하는 2 개의 분출관 (5) 이 형성된다. 각 분출관 (5) 은, 복수 장의 기판 (W) 이 정렬되는 Y 방향 (지면의 안쪽 앞쪽 방향) 을 따라 직선상으로 형성된다. 각 분출관 (5) 은, Y 방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖는다.
각 분출관 (5) 에는, 처리액 배관 (7) 의 선단이 접속된다. 처리액 배관 (7) 의 기단은, 처리액 공급원 (9) 에 접속된다. 처리액 공급원 (9) 은, 처리액으로서 순수를 처리액 배관 (7) 에 보낸다. 순수로서, 예를 들어 탈이온수 (DIW : Deionized Water) 가 사용된다. 처리액 배관 (7) 에는, 개폐 밸브 (V1) 가 형성된다. 개폐 밸브 (V1) 는, 순수의 공급 및 그 정지를 실시한다. 구체적으로는, 개폐 밸브 (V1) 가 개방 상태가 되면, 2 개의 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 에 순수가 공급된다. 또, 개폐 밸브 (V1) 가 폐쇄 상태가 되면, 2 개의 분출관 (5) 으로부터의 순수의 공급이 정지된다.
또, 2 개의 분출관 (5) 과 개폐 밸브 (V1) 사이의 처리액 배관 (7) 에는, 제 2 처리액 배관 (11) 의 선단이 접속된다. 제 2 처리액 배관 (11) 의 기단은, 제 2 처리액 공급원 (13) 에 접속된다. 제 2 처리액 공급원 (13) 은, 제 2 처리액으로서, 순수 (예를 들어 DIW) 로 희석된 이소프로필알코올액 (즉, 이소프로필알코올과 순수의 혼합액) 을 제 2 처리액 배관 (11) 에 보낸다. 또한, 순수로 희석된 이소프로필알코올액은, 이하,「희석 IPA 액」이라고 부른다. 제 2 처리액 배관 (11) 에는, 개폐 밸브 (V2) 가 형성되어 있다. 개폐 밸브 (V2) 는, 희석 IPA 액의 공급 및 그 정지를 실시한다. 2 개의 분출관 (5) 은, 2 개의 개폐 밸브 (V1, V2) 에 의해, 순수와 희석 IPA 액을 선택적으로 공급할 수 있도록 구성된다.
처리조 (2) 의 바닥부에는, 처리조 (2) 내의 처리액을 챔버 (3) 내의 바닥면으로 방출하는 QDR 밸브 (개폐 밸브) (14) 가 형성되어 있다. QDR 밸브 (14) 를 개방 상태로 하면, 처리조 (2) 내의 처리액이 챔버 (3) 내의 바닥면으로 급속 방출된다. QDR 밸브 (14) 를 폐쇄 상태로 하면, 처리조 (2) 에 처리액을 저류할 수 있다.
챔버 (3) 의 바닥부에는, 2 개의 세정액 노즐 (16) 이 형성된다. 2 개의 세정액 노즐 (16) 은, 평면에서 봤을 때에 처리조 (2) 와 중첩되는 위치에 형성된다. 또한, 평면에서 봤을 때에 2 개의 세정액 노즐 (16) 의 전체가 처리조 (2) 와 중첩되도록 형성되어도 된다. 2 개의 세정액 노즐 (16) 은, 챔버 (3) 내에 세정액을 직접 공급한다. 각 세정액 노즐 (16) 은, 분출관 (5) 과 동일하게 구성된다. 즉, 각 세정액 노즐 (16) 은, Y 방향을 따라 직선상으로 형성된 관이다. 각 세정액 노즐 (16) 은, Y 방향으로 나열되는 복수의 토출구를 갖는다.
2 개의 세정액 노즐 (16) 에는, 세정액 배관 (18) 의 선단이 접속된다. 세정액 배관 (18) 의 기단은, 세정액 공급원 (20) 에 접속된다. 세정액 공급원 (20) 은, 세정액으로서, 순수, 희석 IPA 액 또는, 순수 (예를 들어 DIW) 로 희석된 과산화수소수 (이하,「희석 H2O2 액」이라고 부른다) 를 세정액 배관 (18) 에 공급한다. 세정액 배관 (18) 에는, 개폐 밸브 (V3) 가 형성된다. 개폐 밸브 (V3) 는, 세정액의 공급 및 그 정지를 실시한다.
챔버 (3) 는, 처리조 (2) 를 수용한다. 챔버 (3) 는, 그 상면에 자유롭게 개폐할 수 있는 상부 커버 (23) 를 구비하고 있다. 챔버 (3) 내에는, 2 개의 불활성 가스 노즐 (25), 2 개의 용제 증기 노즐 (27) 및 2 개의 발수제 증기 노즐 (29) 이 형성된다. 상부 커버 (23) 와 처리조 (2) 사이에는, 2 개의 불활성 가스 노즐 (25), 2 개의 용제 증기 노즐 (27) 및 2 개의 발수제 증기 노즐 (29) 이, 이 차례로 위에서부터 배치된다.
6 개의 노즐 (25, 27, 29) 은, Y 방향을 따라 연장되도록 직선상으로 형성된다. 2 개의 불활성 가스 노즐 (25) 은 각각 불활성 가스를 토출하기 위해, Y 방향을 따라 나열되는 복수의 토출구 (도시하지 않음) 를 갖는다. 동일하게, 4 개의 노즐 (27, 29) 도 복수의 토출구를 갖는다.
2 개의 불활성 가스 노즐 (25) 은 각각 챔버 (3) 내에 불활성 가스를 공급한다. 각 불활성 가스 노즐 (25) 에는, 공급관 (31) 의 선단이 접속된다. 공급관 (31) 의 기단은, 불활성 가스 공급원 (33) 에 접속된다. 불활성 가스 공급원 (33) 은, 불활성 가스로서 예를 들어 질소 가스를 공급관 (31) 에 보낸다. 공급관 (31) 에는, 개폐 밸브 (V4) 가 형성된다. 개폐 밸브 (V4) 는, 불활성 가스의 공급 및 그 정지를 실시한다.
2 개의 용제 증기 노즐 (27) 은 각각 챔버 (3) 내에 용제 증기를 공급한다. 각 용제 증기 노즐 (27) 에는, 공급관 (35) 의 선단이 접속된다. 공급관 (35) 의 기단은, 용제 증기 공급원 (37) 에 접속된다. 용제 증기 공급원 (37) 은, 용제 증기로서 예를 들어 이소프로필알코올 증기 (이하「IPA 증기」라고 부른다) 를 공급관 (35) 에 보낸다. 용제 증기는, 히터에 의해 액체의 용제를 증발시켜 생성된다. 용제 증기는, 캐리어 가스로서 불활성 가스 (질소 가스) 를 포함하고 있어도 된다. 공급관 (35) 에는, 개폐 밸브 (V5) 가 형성된다. 개폐 밸브 (V5) 는, 용제 증기의 공급 및 그 정지를 실시한다.
2 개의 발수제 증기 노즐 (29) 은 각각 챔버 (3) 내에 발수제 증기를 공급한다. 각 발수제 증기 노즐 (29) 에는, 공급관 (39) 의 선단이 접속된다. 공급관 (39) 의 기단은, 발수제 증기 공급원 (41) 에 접속된다. 발수제 증기 공급원 (41) 은, 발수제 증기를 공급관 (39) 에 보낸다. 발수제 증기는, 히터에 의해 액체의 발수제를 증발시켜 생성된다. 발수제 증기는, 캐리어 가스로서 불활성 가스 (질소 가스) 를 포함하고 있어도 된다. 공급관 (39) 에는, 개폐 밸브 (V6) 가 형성된다. 개폐 밸브 (V6) 는, 발수제 증기의 공급 및 그 정지를 실시한다.
발수제 (실릴화제) 는, 실리콘 자체 및 실리콘을 포함하는 화합물을 소수화시키는 실리콘계 발수제, 또는 금속 자체 및 금속을 포함하는 화합물을 소수화시키는 메탈계 발수제이다. 발수제는, IPA 등의 친수성 유기 용매와 상용해성이 있는 용매로 희석시킨 상태에서 사용하는 것이 바람직하다.
메탈계 발수제는, 예를 들어, 소수기를 갖는 아민, 및 유기 실리콘 화합물 중 적어도 1 개를 포함한다.
실리콘계 발수제는, 예를 들어, 실란 커플링제이다. 실란 커플링제는, 예를 들어, HMDS (헥사메틸디실라잔), TMS (테트라메틸실란), 불소화알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비클로로계 발수제 중 적어도 1 개를 포함한다.
챔버 (3) 의 측벽에는, 배기구 (43) 가 형성되어 있다. 배기구 (43) 는, 처리조 (2) 의 외측면 (2A) 에 대향하는 높이에 배치된다. 바꿔 말하면, 배기구 (43) 는, 후술하는 실드판 (63) 과 처리조 (2) 의 하면 (2B) 사이의 높이에 배치된다. 이로써, 배기구 (43) 보다 낮은 위치에서 예를 들어 세정액을 저류시키면서, 챔버 (3) 내의 기체를 배기구 (43) 로부터 배기시킬 수 있다. 배기구 (43) 에는, 배기관 (45) 이 접속된다. 배기관 (45) 에는, 배기구 (43) 측에서부터 차례대로, 개폐 밸브 (V7) 및 배기 펌프 (47) 가 형성된다. 배기 펌프 (47) 는, 챔버 (3) 내의 기체를 배기시켜, 챔버 (3) 내를 감압시킨다.
또한, 챔버 (3) 의 바닥벽에는, 배출구 (49) 가 형성된다. 배출구 (49) 에는, 배출관 (51) 의 상단이 접속된다. 배출관 (51) 의 하단은, 배액 탱크 (53) 의 상부 외벽에 접속된다. 배출관 (51) 에는, 개폐 밸브 (V8) 가 형성된다. 개폐 밸브 (V8) 는, 챔버 (3) 내의 처리액 또는 세정액 등을 배액 탱크 (53) 에 보낼 때에 사용된다. 배액 탱크 (53) 는, 챔버 (3) 내로부터 배출된 처리액을 저류하는 용기이다. 배액 탱크 (53) 에는, 배기관 (55) 이 접속되어 있다. 배기관 (55) 에는, 배액 탱크 (53) 측에서부터 차례대로 개폐 밸브 (V9) 및 배기 펌프 (57) 가 형성된다.
또, 배액 탱크 (53) 에는, 기체 배관 (59) 및 배출관 (61) 이 접속된다. 기체 배관 (59) 에는, 개폐 밸브 (V11) 가 형성된다. 또, 배출관 (61) 에는, 개폐 밸브 (V12) 가 형성된다. 기체 배관 (59) 은, 불활성 가스 (예를 들어 질소 가스) 또는 외기를 배액 탱크 (53) 에 보낸다. 개폐 밸브 (V11) 는, 불활성 가스 등의 공급 및 그 정지를 실시한다. 배출관 (61) 은, 배액 탱크 (53) 내의 처리액 등을 배출한다.
배액 탱크 (53) 는, 적당한 타이밍에서 처리액 등을 배출한다. 배액 탱크 (53) 에 저류된 처리액을 배출하는 경우, 예를 들어, 개폐 밸브 (V8, V9, V12) 를 폐쇄한 상태에서, 개폐 밸브 (V11) 를 개방하여 배액 탱크 (53) 내를 대기압으로 되돌린다. 그 후, 개폐 밸브 (V8, V9) 를 폐쇄한 상태에서, 개폐 밸브 (V11, V12) 를 개방하여 배액 탱크 (53) 내의 처리액 등을 배출한다.
또, 챔버 (3) 는, 실드판 (63) 을 구비한다. 실드판 (63) 은, 처리조 (2) 의 상측 가장자리 (또는 개구 (2C)) 로부터 약간 하방에, 처리조 (2) 의 외측면 (2A) 의 전체 둘레에 걸쳐서 형성된다. 바꿔 말하면, 실드판 (63) 은, 처리조 (2) 의 외측벽과 챔버 (3) 의 내측벽 사이에 형성된다. 실드판 (63) 은, 챔버 (3) 내의 상부 (상부 공간) 와 챔버 (3) 내의 하부 (하부 공간) 사이에서 분위기를 차폐한다. 실드판 (63) 은, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 처리액을 챔버 (3) 내의 하부에 유통시키는 간극 (G1, G2) (개구) 을 갖는다. 즉, 실드판 (63) 은, 처리조 (2) 의 외측벽과의 사이에 간극 (G1) 을 가짐과 함께, 챔버 (3) 의 내측벽과의 사이에 간극 (G2) 을 갖는다. 또한, 필요에 따라, 간극 (G1, G2) 중 일방은 형성되어 있지 않아도 된다. 실드판 (63) 은, 처리조 (2) 의 외측벽 또는 챔버 (3) 의 내측벽에 장착되어 있어도 된다.
챔버 (3) 에는, 챔버 (3) 내의 압력을 측정하는 압력 센서 (PS1) 가 형성된다. 또, 배액 탱크 (53) 에는, 배액 탱크 (53) 내의 압력을 측정하는 압력 센서 (PS2) 가 형성된다. 또한, 챔버 (3) 에는, 챔버 (3) 내에 저류된 예를 들어 세정액의 액면의 높이를 검출하는 액면 센서 (LS) 가 형성된다. 압력 센서 (PS1, PS2) 로 측정된 압력값, 및 액면 센서 (LS) 로 검출된 액면 높이의 값은, 후술하는 제어부 (81) 에 송신된다.
기판 처리 장치 (1) 는, 제어부 (81) 와 기억부 (도시하지 않음) 를 구비하고 있다. 제어부 (81) 는, 기판 처리 장치 (1) 의 각 구성을 제어한다. 제어부 (81) 는, 예를 들어 중앙 연산 처리 장치 (CPU) 등의 1 개 또는 복수의 프로세서를 구비한다. 기억부는, 예를 들어, ROM (Read-Only Memory), RAM (Random-Access Memory), 및 하드 디스크 중 적어도 1 개를 구비하고 있다. 기억부는, 기판 처리 장치 (1) 의 각 구성을 제어하기 위해 필요한 컴퓨터 프로그램을 기억한다.
또한, 기판 처리 장치 (1) 는, 2 개의 세정액 노즐 (16) 을 구비하고 있다. 이 점에 대해, 기판 처리 장치 (1) 는, 1 개 또는 3 개 이상의 세정액 노즐 (16) 을 구비하고 있어도 된다. 2 개의 분출관 (5), 2 개의 불활성 가스 노즐 (25), 2 개의 용제 증기 노즐 (27) 및 2 개의 발수제 증기 노즐 (29) 도 동일하다.
(2) 기판 처리 장치 (1) 의 동작
다음으로, 도 2, 도 3 을 참조하면서, 기판 처리 장치 (1) 의 동작을 설명한다. 또한, 도 2 에 있어서, 리프터 (4) 의 도시를 생략한다. 또한, 도 2 에 있어서, 배기 펌프 (47) 등에 의한 배기 동작을 부호「VAC」로 나타낸다. 도 3 에 있어서, 희석 IPA 액을「dIPA 액」으로 기재한다.
〔스텝 S01〕제 1 침지 처리 (챔버로의 기판의 반입)
처리조 (2) 내에는, 처리액으로서 순수가 저류되어 있다. 순수는, 분출관 (5) 으로부터 공급된다. 먼저, 상부 커버 (23) 가 이동되어 챔버 (3) 의 상면 개구가 해방된다. 리프터 (4) 는, 유지 부재 (4A) 로 유지된 기판 (W) 을 대기 위치 (H1) 에서 처리 위치 (H3) 로 하강시킨다. 즉, 리프터 (4) 는, 미리 설정된 시간, 처리조 (2) 에 저류된 순수에 기판 (W) 전체를 침지시킨다. 기판 (W) 을 순수에 침지시킴으로써, 기판 (W) 은 세정된다. 기판 (W) 이 순수에 침지된 후, 상부 커버 (23) 가 이동되어 챔버 (3) 의 상면 개구가 막힌다.
〔스텝 S02〕질소 가스의 공급
그 후, 개폐 밸브 (V4) 를 개방하여, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 질소를 챔버 (3) 내에 공급한다. 또한, 배기 펌프 (47) 를 작동시키면서 개폐 밸브 (V7) 를 개방함으로써, 배기구 (43) 및 배기관 (45) 을 통하여, 챔버 (3) 내의 기체가 배기된다. 이로써, 챔버 (3) 내가 대기압보다 낮은 압력인 감압 상태가 된다.
〔스텝 S03〕제 1 IPA 증기의 공급 (IPA 증기의 분위기의 형성)
배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기가 계속된다. 개폐 밸브 (V4) 를 폐쇄하여, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터의 질소 가스의 공급을 정지시킨다. 또한, 챔버 (3) 내를 IPA 증기의 분위기로 하기 위해, 개폐 밸브 (V5) 를 개방하여, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 IPA 증기를 챔버 (3) 내에 공급한다.
〔스텝 S04〕제 1 IPA 증기의 공급 (IPA 치환)
배기 펌프 (47) 를 정지시킴과 함께, 개폐 밸브 (V7) 를 폐쇄한다. 챔버 (3) 내는 감압된 상태이다. 또, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급은 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, 리프터 (4) 는, 처리조 (2) 의 순수로부터 기판 (W) 을 끌어올리면서, 처리 위치 (H3) 에서 건조 위치 (H2) 로 기판 (W) 을 상승시킨다. 기판 (W) 이 IPA 증기에 노출되면, 기판 (W) 에 부착된 순수가 IPA 로 치환된다. 또한, 발수제와 물이 접촉하면 발수제의 효력이 떨어진다. 그러나, IPA 치환을 실시함으로써, 효력이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
〔스텝 S05〕제 1 IPA 증기의 공급 (처리조로부터의 처리액의 방출)
챔버 (3) 내는 감압된 상태이다. 또, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급은 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, QDR 밸브 (14) 를 개방하여, 처리조 (2) 내로부터 챔버 (3) 내의 바닥면으로 순수를 급속 방출한다. 그 후, 처리조 (2) 내가 비워진 후, QDR 밸브 (14) 는 폐쇄된다.
〔스텝 S06〕발수제 증기의 공급
배기 펌프 (47) 를 작동시키면서 개폐 밸브 (V7) 를 개방함으로써, 챔버 (3) 내의 기체가 배기된다. 이로써, 챔버 (3) 내가 감압된다. 또, 개폐 밸브 (V5) 를 폐쇄하여, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 용제 증기의 공급을 정지시킨다. 또한, 개폐 밸브 (V6) 를 개방하여, 발수제 증기 노즐 (29) 로부터 챔버 (3) 내에 발수제 증기를 공급한다. 이 때, 기판 (W) 은, 리프터 (4) 에 의해, 2 개의 발수제 증기 노즐 (29) 의 사이에서 상하동된다. 이로써, 기판 (W) 전체에 균일하게 발수제 증기를 공급한다. 이로써, 기판 (W) 에 부착된 IPA 를 발수제로 치환시킨다. 발수제에 의해, 기판 (W) 의 표면은 개질된다.
〔스텝 S07〕제 2 IPA 증기의 공급
배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기가 계속된다. 개폐 밸브 (V6) 를 폐쇄하여, 발수제 증기 노즐 (29) 로부터의 발수제 증기의 공급을 정지시킨다. 또, 개폐 밸브 (V5) 를 개방하여, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 IPA 증기를 공급한다. IPA 증기의 공급 (IPA 증기에 의한 린스) 은, 스텝 S07 (본 스텝) 에서 스텝 S11 까지 실시된다. 이로써, 챔버 (3) 내의 분위기가 발수제 증기에서 IPA 증기로 치환된다. 또한, 기판 (W) 이 IPA 증기에 노출되면, 기판 (W) 에 액화된 IPA 가 부착된다. 이로써, 기판 (W) 의 표면에 부착된 발수제가 IPA 로 치환되면서, 발수제 유래의 파티클, 및 유기물이 기판 (W) 으로부터 IPA 에 의해 씻어내어진다. 발수제 유래의 파티클 (이물질) 은, 예를 들어, 수분과 발수제가 직접 접촉됨으로써 발생한다.
〔스텝 S08〕제 2 IPA 증기의 공급과, 챔버 밖으로의 처리액의 배출
배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기가 계속된다. 또, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급이 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, 챔버 세정을 위해, 챔버 (3) 의 바닥부에 저류하는 순수를 챔버 (3) 의 외부로 배출한다.
구체적으로 설명한다. 도 1 에 있어서, 예를 들어, 배액 탱크 (53) 내의 압력값 P2 가 챔버 (3) 내의 압력값 P1 보다 높은 경우에 개폐 밸브 (V8) 를 개방하면, 배액 탱크 (53) 에서 챔버 (3) 를 향하는 역방향의 흐름이 발생한다. 그 때문에, 챔버 (3) 내의 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출할 수 없다. 그래서, 먼저, 3 개의 개폐 밸브 (V8, V11, 12) 가 폐쇄된 상태에 있어서, 개폐 밸브 (V9) 를 개방함과 함께, 배기 펌프 (57) 를 작동시켜, 배액 탱크 (53) 내를 배기시킨다.
챔버 (3) 내의 압력값 P1 은, 압력 센서 (PS1) 에 의해 측정된다. 또, 배액 탱크 (53) 내의 압력값 P2 는, 압력 센서 (PS2) 에 의해 측정된다. 배기 펌프 (57) 는, 배액 탱크 (53) 내의 압력값 P2 가 챔버 (3) 내의 압력값 P1 보다 낮아지도록, 배액 탱크 (53) 내를 배기시킨다. 배액 탱크 (53) 내의 압력값 P2 가 챔버 (3) 내의 압력값 P1 보다 낮아진 후에 개폐 밸브 (V8) 를 개방함으로써, 챔버 (3) 내의 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출할 수 있다.
또한, 챔버 (3) 내의 압력값 P1 은, 배기 펌프 (47) 가 배기의 유량을 제어함으로써 실시해도 된다. 또, 챔버 (3) 내의 압력값 P1 은, 개폐 밸브 (V7) 가 배기관 (45) 을 통과하는 기체의 유량을 제어함으로써 실시해도 된다. 또, 배액 탱크 (53) 의 압력값 P2 는, 배기 펌프 (57) 가 배기의 유량을 제어함으로써 실시해도 된다. 또, 배액 탱크 (53) 의 압력값 P2 는, 개폐 밸브 (V9) 가 배기관 (55) 을 통과하는 기체의 유량을 제어함으로써 실시해도 된다.
〔스텝 S09〕제 2 IPA 증기의 공급과, 챔버 밖으로의 처리액 배출의 정지
배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기가 계속된다. 또, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급이 계속된다. 챔버 (3) 내가 비워지면, 개폐 밸브 (V8) 를 폐쇄한다.
〔스텝 S10〕제 2 IPA 증기의 공급과, 챔버 내의 세정 처리
제어부 (81) 는, 배기 펌프 (47) 에 의해 챔버 (3) 를 감압시킨 상태에서, 세정액 노즐 (16) 로부터 챔버 (3) 내에 순수 (세정액) 를 공급하고, 챔버 (3) 에 저류된 순수에 처리조 (2) 를 침지시킴으로써 처리조 (2) 의 외벽을 포함하는 챔버 (3) 내를 세정한다.
구체적으로 설명한다. 배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기가 계속된다. 또, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급이 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, 개폐 밸브 (V3) 를 개방함으로써, 세정액 노즐 (16) 로부터 챔버 (3) 내에 순수 (세정액) 를 공급한다. 액면 센서 (LS) 가 배기구 (43) 보다 조금 아래의 높이에 순수의 액면이 도달한 것을 검출하면, 개폐 밸브 (V3) 를 폐쇄함으로써, 세정액 노즐 (16) 로부터의 순수의 공급을 정지시킨다.
미리 설정된 기간, 처리조 (2) 의 외벽을 침지시킨다. 챔버 (3) 내의 하부에 저류된 순수에 의해, 챔버 (3) 내의 하부 (처리조 (2) 의 외측면 (2A) 및 하면 (2B), 그리고 챔버 (3) 의 내측면 (3A)) 를 세정할 수 있다.
여기서, 세정액 노즐 (16) 에 의해, 챔버 (3) 에 순수 (세정액) 를 직접 공급하는 것의 효과를 설명한다. 챔버 (3) 내의 하부에 순수 (세정액) 를 공급하기 위해, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 에 순수를 공급하면서, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 순수를 챔버 (3) 의 하부에 보내는 방법이 있다. 이 경우, 도 4A 에 나타내는 바와 같이, 대기압보다 낮은 감압하에 있어서, 처리조 (2) 에 저류되는 순수로부터 발생한 미스트가 기판 (W) 에 부착되기 쉽다. 미스트가 기판 (W) 에 부착되면, 미스트의 수분이 발수제와 직접 접촉함으로써, 발수제의 효력을 저하시키고, 또, 파티클 (이물질) 을 발생시킬 우려가 있다. 그 때문에, 기판 (W) 에 미스트가 부착되는 것은 바람직하지 않다.
그래서, 챔버 (3) 의 바닥부에 세정액 노즐 (16) 을 형성하고 있다. 이로써, 챔버 (3) 에 순수를 저류시켜도, 순수의 수면에서 기판 (W) 까지 비교적 떨어져 있으므로, 미스트가 발생해도, 미스트가 기판 (W) 에 부착되는 것을 억제할 수 있다 (도 4B 참조). 또, 실드판 (63) 에 의해, 미스트가 챔버 (3) 의 상부로 이동하는 것을 방해한다. 또, 챔버 (3) 내는, 배기 펌프 (47) 에 의해 배기되고 있다. 그 때문에, 미스트가 배기구 (43) 로부터 배기된다. 또, 챔버 (3) 의 상부에서는, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 IPA 증기가 공급되고 있고, 배기 펌프 (47) 에 의해 배기되고 있다. 그 때문에, 실드판 (63) 의 간극 (G1, G2) 에 하향의 기류가 발생하여, 미스트가 챔버 (3) 의 상부로 이동하는 것을 방해할 수 있다.
〔스텝 S11〕제 2 IPA 증기의 공급과, 챔버 밖으로의 세정액의 배출
제어부 (81) 는, 배기 펌프 (47) 에 의해 챔버 (3) 를 감압시킨 상태에서, 챔버 (3) 의 바닥벽에 형성된 배출구 (49) 로부터 순수 (세정액) 를 배출하는 배출 처리를 실시한다. 즉, 배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기가 계속된다. 또, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급이 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, 개폐 밸브 (V8) 를 개방하여, 챔버 (3) 내의 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 이 때, 배기 펌프 (57) 에 의해, 배액 탱크 (53) 내의 압력값 P2 는, 챔버 (3) 내의 압력값 P1 보다 낮아져 있다. 챔버 (3) 내가 비워지면, 개폐 밸브 (V8) 는 폐쇄된다.
또, 2 개의 스텝 S10, S11 은, 미리 설정된 횟수 (1 회 또는 2 회 이상) 반복되어도 된다. 즉, 스텝 S10 과 스텝 S11 이 교대로 실시된다. 또한, 스텝 S10, S11 은 각각 1 회만 실시하고, 스텝 S10, S11 은 반복하여 실시되지 않아도 된다.
〔스텝 S12〕처리조의 세정 (질소 가스 공급)
배기 펌프 (47) 를 정지시킴과 함께, 개폐 밸브 (V7) 를 폐쇄한다. 또, 개폐 밸브 (V5) 를 폐쇄하여, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급을 정지시킨다. 또한, 개폐 밸브 (V4) 를 개방하여, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 질소 가스를 공급한다. 이로써, 챔버 (3) 내를 감압 상태에서 대기압으로 되돌린다.
〔스텝 S13〕처리조의 세정 (세정액의 공급)
불활성 가스 노즐 (25) 로부터의 질소 가스의 공급이 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, 개폐 밸브 (V1) 를 개방하여, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 세정액으로서 순수를 공급한다. 처리조 (2) 에 저류된 순수에 의해, 처리조 (2) 내가 세정된다. 또한, 처리조 (2) 내에 순수를 저류시킬 때에, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 공급된 순수를, 처리조 (2) 로부터 흘러넘치게 해도 된다.
〔스텝 S14〕처리조의 세정 (세정액의 배출)
불활성 가스 노즐 (25) 로부터의 질소 가스의 공급이 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, QDR 밸브 (14) 를 개방하여, 처리조 (2) 내로부터 챔버 (3) 내의 바닥면으로 순수를 급속 방출한다. 또, 개폐 밸브 (V8) 를 개방하여, 챔버 (3) 내의 바닥부에 저류하는 순수 (세정액) 를 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 처리조 (2) 내가 비워진 후, QDR 밸브 (14) 는 폐쇄된다. 또, 챔버 (3) 내가 비워진 후, 개폐 밸브 (V8) 는 폐쇄된다.
〔스텝 S15〕제 2 침지 처리
불활성 가스 노즐 (25) 로부터의 질소 가스의 공급이 계속된다. 이와 같은 상태에 있어서, 개폐 밸브 (V2) 를 개방하여, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 희석 IPA 액이 공급된다. 처리조 (2) 에 미리 설정된 양의 희석 IPA 액이 저류되면, 리프터 (4) 는, 건조 위치 (H2) 에서 처리 위치 (H3) 로 기판 (W) 을 하강시킴으로써, 미리 설정된 기간, 처리조의 희석 IPA 액에 기판 (W) 을 침지시킨다. 이로써, 기판 (W) 을 추가로 세정한다. 희석 IPA 액의 공급 후에는, 개폐 밸브 (V2) 를 폐쇄한다.
〔스텝 S16〕제 3 IPA 증기의 공급 (건조 처리)
배기 펌프 (47) 를 작동시키면서 개폐 밸브 (V7) 를 개방함으로써, 챔버 (3) 내의 기체가 배기된다. 이로써, 챔버 (3) 내가 감압된다. 또, 개폐 밸브 (V5) 를 개방하여, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 IPA 증기를 공급한다. 그리고, 챔버 (3) 내가 IPA 증기의 분위기가 된 후, 리프터 (4) 는, 처리조 (2) 의 희석 IPA 액으로부터 기판 (W) 을 꺼내면서, 처리 위치 (H3) 에서 건조 위치 (H2) 로 기판 (W) 을 상승시킨다. 이로써, 기판 (W) 에 부착된 희석 IPA 액이 IPA 로 치환된다.
배기 펌프 (47) 등에 의한 챔버 (3) 내의 배기를 계속시킨 상태에서, 개폐 밸브 (V5) 를 폐쇄하여 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급을 정지시킨다. IPA 증기의 공급이 정지되고, 또한 챔버 (3) 내가 감압되어 있음으로써, 기판 (W) 에 부착된 IPA 가 활발하게 휘발되어 기판 (W) 이 건조 처리된다. 또한, 도 3 의 부호 NS 에 나타내는 바와 같이, IPA 증기의 공급이 정지된 후, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 질소 가스를 공급해도 된다.
〔스텝 S17〕질소의 공급
배기 펌프 (47) 를 정지시킴과 함께, 개폐 밸브 (V7) 를 폐쇄한다. 또, 개폐 밸브 (V4) 를 개방하여, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 질소 가스를 공급한다. 이로써, 챔버 (3) 내를 감압 상태에서 대기압으로 되돌린다.
또한, 챔버 (3) 내가 오염되어 있는 경우, 챔버 (3) 내가 대기압인 상태에서 질소 가스를 공급하면, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가, 실드판 (63) 이 형성되어 있음에도 불구하고, 간극 (G1, G2) 을 통과한 파티클이 기판 (W) 에 부착되는 경우가 있었다. 챔버 (3) 의 세정 처리가 실시됨으로써, 질소 가스에 의해 휘몰아쳐 올라가는 파티클을 저감시킬 수 있고, 그 결과, 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
〔스텝 S18〕챔버로부터의 기판의 반출
상부 커버 (23) 가 이동되어 챔버 (3) 의 상면 개구가 해방된다. 리프터 (4) 는, 유지 부재 (4A) 로 유지된 기판 (W) 을 건조 위치 (H2) 에서 대기 위치 (H1) 로 상승시킨다. 대기 위치 (H1) 로 상승된 기판 (W) 은, 도시되지 않은 반송 로봇에 의해, 다음의 목적지로 이동된다.
또한, 스텝 S10, S11 에 있어서, 챔버 (3) 의 세정 처리와 세정액의 배출 처리는, 제 2 IPA 증기의 공급 처리와 병행으로 실시되고 있었다. 이 점에 대해, 스텝 S07 ∼ S11 의 제 2 IPA 증기의 공급 처리의 후, 스텝 S10, S11 의 챔버 (3) 의 세정 처리와 세정액의 배출 처리를 실시해도 된다. 병렬로 실시함으로써, 일련의 기판 처리를 효율적으로 실시할 수 있다.
즉, 제어부 (81) 는, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 용제 증기가 챔버 (3) 내에 공급되고 있을 때에 (스텝 S10, S11), 챔버 세정 처리를 실시한다. 용제 증기를 챔버 (3) 내에 공급하는 처리와 병행하여, 챔버 세정 처리를 실시할 수 있으므로, 효율적으로 기판 (W) 을 처리할 수 있다.
본 실시예에 의하면, 세정액 노즐 (16) 로부터 챔버 (3) 내에 세정액을 공급하고, 챔버 (3) 에 저류된 세정액에 처리조 (2) 를 침지시킴으로써, 처리조 (2) 의 외벽을 포함하는 챔버 (3) 내를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시한다. 이로써, 처리조 (2) 의 외벽 (외측면 (2A) 과 하면 (2B) 을 포함한다) 뿐만 아니라 챔버 (3) 내의 측벽 및 바닥벽에 부착된 파티클을 세정할 수 있다. 그 때문에, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가 기판 (W) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 챔버 (3) 내에 발수제 증기를 공급하는 발수제 증기 노즐 (29) 을 추가로 구비한다. 제어부 (81) 는, 침지 처리 (스텝 S01) 를 실시한 후, 기판 (W) 을 발수성으로 하기 위해, 2 개의 발수제 증기 노즐 (29) 로부터 챔버 (3) 내에 발수제 증기를 공급하는 발수제 증기 공급 처리를 실시한다 (스텝 S06). 제어부 (81) 는, 발수제 증기 공급 처리를 실시한 후에 챔버 세정 처리를 실시한다 (스텝 S10).
이로써, 일련의 기판 처리 (스텝 S01 ∼ S18) 의 도중에 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시할 수 있다. 또, 기판 (W) 을 발수성으로 하기 위한 발수제 증기 공급 처리 (스텝 S06) 는, 발수제 유래의 파티클을 많이 발생시킨다. 이 파티클이 챔버 (3) 내의 하부에 축적된다. 그리고, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가, 그 파티클이 기판 (W) 에 부착되는 문제가 있다. 본 실시예에 의하면, 일련의 기판 처리의 도중에 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시할 수 있다. 그 때문에, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클 (발수제 유래의 파티클을 포함한다) 이 휘몰아쳐 올라가 기판 (W) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 챔버 (3) 내를 배기시키는 배기 펌프 (47) 를 추가로 구비한다. 세정액 노즐 (16) 은, 챔버 (3) 내의 하부에 형성되고, 챔버 (3) 내에 세정액을 공급한다. 제어부 (81) 는, 배기 펌프 (47) 에 의해 챔버 (3) 내를 감압시킨 상태에서, 챔버 세정 처리를 실시한다.
이로써, 배기 펌프 (47) 로 챔버 (3) 내를 배기시키면서 챔버 (3) 가 감압된 상태에서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시할 수 있다. 또, 처리조 (2) 에 세정액을 공급하면서 처리조 (2) 로부터 세정액을 흘러넘치게 하여, 챔버 (3) 내에 세정액을 저류시키는 경우가 있는 것으로 한다. 이 경우, 챔버 (3) 가 감압된 상태에 있어서, 처리조 (2) 에 저류된 세정액으로부터 미스트가 발생하기 쉽고, 발생한 미스트가 기판 (W) 에 부착되기 쉬워지는 문제가 있다. 예를 들어, 미스트의 수분이 기판 (W) 에 부착된 발수제에 직접 닿으면, 발수제의 효력이 저하되어 버릴 가능성이 있다. 또, 수분이 발수제에 직접 닿으면, 파티클이 발생하는 경우가 있다. 또, 그 밖의 파티클 부착의 원인이 되는 경우가 있다. 본 실시예에 의하면, 챔버 (3) 의 하부에 형성된 세정액 노즐 (16) 로부터 챔버 (3) 내에 직접 공급할 수 있기 때문에, 세정액을 기판 (W) 으로부터 떼어놓을 수 있다. 그 때문에, 발생한 미스트가 기판에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또, 배기 펌프 (47) 는, 처리조 (2) 의 측방의 챔버 (3) 의 측벽에 형성된 배기구 (43) 를 통하여, 챔버 (3) 내를 배기시킨다. 제어부 (81) 는, 배기 펌프 (47) 에 의해 챔버 (3) 내를 배기시키면서 챔버 (3) 내를 감압시킨 상태에서, 챔버 세정 처리를 실시한다. 세정액으로부터 미스트가 발생해도, 배기 펌프 (47) 에 의해 배기구 (43) 로부터 미스트를 배출할 수 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 처리조 (2) 의 외측벽과 챔버 (3) 의 내측벽 사이에 형성되고, 챔버 (3) 내의 상부와 챔버 (3) 내의 하부 사이에서 분위기를 차폐하는 실드판 (63) 을 구비하고 있다. 실드판 (63) 은, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 처리액을 챔버 (3) 내의 하부에 유통시키는 간극 (개구) (G1, G2) 을 갖는다. 실드판 (63) 을 구비함으로써, 챔버 (3) 에 저류한 세정액으로부터 미스트가 발생해도, 챔버 (3) 의 하부에서 상부로 미스트가 향하는 것을 억제할 수 있다. 또, 휘몰아쳐 올라가는 파티클이 챔버 (3) 의 하부에서 상부로 향하는 것을 억제할 수 있다.
또, 세정액 노즐 (16) 은, 챔버 (3) 내의 바닥부로서, 평면에서 봤을 때에 처리조 (2) 와 중첩되는 위치에 형성되어 있다. 이로써, 처리조 (2) 의 뒤에 세정액 노즐 (16) 을 숨길 수 있다. 또, 챔버 (3) 상부의 기판 (W) 으로부터 보다 떼어놓을 수 있으므로, 미스트가 발생해도, 기판 (W) 에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또, 제어부 (81) 는, 배기 펌프 (47) 에 의해 챔버 (3) 를 감압시킨 상태에서, 챔버 (3) 에 형성된 배출구 (49) 로부터 세정액을 배출하는 배출 처리를 실시한다. 제어부 (81) 는, 챔버 세정 처리 (스텝 S10) 와 배출 처리 (스텝 S11) 를 미리 설정된 횟수 반복한다. 챔버 세정 처리를 반복할수록, 챔버 (3) 내를 양호하게 세정할 수 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 챔버 (3) 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐 (25) 을 추가로 구비한다. 제어부 (81) 는, 건조 처리 (스텝 S16) 를 실시한 후, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 챔버 (3) 내에 불활성 가스를 공급함으로써, 감압 상태의 챔버 (3) 내를 대기압으로 되돌린다 (스텝 S17). 챔버 (3) 의 세정 처리가 실시되므로, 불활성 가스에 의해 휘몰아쳐 올라가는 파티클을 저감시킬 수 있다.
실시예 2
다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2 를 설명한다. 또한, 실시예 1 과 중복되는 설명은 생략한다. 실시예 1 에서는, 도 2 의 스텝 S01 ∼ S18 에 나타내는 일련의 기판 처리의 도중에, 제 2 IPA 증기의 공급 (스텝 S07 ∼ S11) 과 병행하여, 챔버 (3) 내가 감압된 상태에서, 챔버 (3) 의 세정을 실시하였다. 이 점에 대해, 실시예 2 에서는, 처리조 (2) 의 세정 (스텝 S28 ∼ S31) 과 병행하여, 챔버 (3) 내가 대기압으로 되어 있는 상태에서, 챔버 (3) 의 세정을 실시한다.
도 5 는, 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성도이다. 도 5 에 나타내는 기판 처리 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 실시예 1 의 기판 처리 장치 (1) 와 달리, 챔버 (3) 의 바닥부에 형성된 세정액 노즐 (16) 등이 형성되어 있지 않다. 이 이외의 구성은, 실시예 1 의 기판 처리 장치 (1) 와 동일하다. 또한, 분출관 (5) 은, 본 발명의 세정액 노즐에 상당한다.
(3) 기판 처리 장치 (1) 의 동작
다음으로, 도 6, 도 7 을 참조하면서, 기판 처리 장치 (1) 의 동작을 설명한다. 또한, 도 6 에 나타내는 스텝 S21 ∼ S27, S32 ∼ S35 는, 도 2 에 나타내는 실시예 1 의 스텝 S01 ∼ S07, S15 ∼ S18 과 동일하므로, 이것들의 상세한 설명은 생략한다. 또한, 스텝 S27 에서는, IPA 증기의 공급이 충분히 실시된다.
리프터 (4) 는, 처리조 (2) 내에 저류된 순수에 기판 (W) 을 침지시킨다 (스텝 S21). 그 후, 상부 커버 (23) 가 닫힌 상태에서, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 질소 가스를 공급한다 (스텝 S22). 그 후, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 IPA 증기를 공급한다 (스텝 S23). 그 후, 리프터 (4) 는, 처리조 (2) 로부터 기판 (W) 을 꺼내어, IPA 증기의 분위기에 기판 (W) 을 노출시킨다 (스텝 S24). 그 후, QDR 밸브 (14) 를 개방하여 처리조 (2) 내의 순수를 챔버 (3) 의 하면으로 방출한다 (스텝 S25).
그 후, 발수제 증기 노즐 (29) 로부터 발수제 증기를 공급하여, 기판 (W) 을 발수성으로 한다 (스텝 S26). 그 후, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 IPA 증기를 공급하여, 기판 (W) 의 표면에 부착된 발수제 및 발수제 유래의 파티클 등을 IPA 증기에 의해 씻어낸다 (스텝 S27). 또한, 스텝 S22, S23, S26, S27 은, 배기 펌프 (47) 에 의해 챔버 (3) 내가 배기되어 감압된다. 또, 스텝 S22 ∼ S27 에 있어서, 챔버 (3) 내는 감압 상태이다.
〔스텝 S28〕처리조의 세정 (질소 가스 공급) 및 처리액의 배출
배기 펌프 (47) 를 정지시킴과 함께, 개폐 밸브 (V7) 를 폐쇄한다. 또, 개폐 밸브 (V5) 를 폐쇄하여, 용제 증기 노즐 (27) 로부터의 IPA 증기의 공급을 정지시킨다. 또한, 개폐 밸브 (V4) 를 개방하여, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터 질소 가스를 공급한다. 이로써, 챔버 (3) 내를 감압 상태에서 대기압으로 되돌린다.
챔버 (3) 내를 대기압으로 되돌린 후, 개폐 밸브 (V8) 를 개방하여 챔버 (3) 내에 저류되는 순수 (처리액) 를 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 챔버 (3) 내에 저류된 순수를 전부 배출하면, 즉, 챔버 (3) 내가 비워진 것을 액면 센서 (LS) 가 검출하면, 개폐 밸브 (V8) 를 폐쇄한다.
〔스텝 S29〕처리조의 세정 (처리조에 대한 세정액의 공급)
그 후, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터의 질소 가스의 공급이 계속된다. 챔버 (3) 내는, 대기압의 상태이다. 이와 같은 상태에 있어서, 개폐 밸브 (V1) 를 개방하여, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 세정액으로서 순수를 공급한다. 순수는 처리조 (2) 에 저류된다.
〔스텝 S30〕처리조의 세정 (챔버에 대한 세정액의 공급, 챔버 내의 세정)
그 후, 분출관 (5) 으로부터 순수를 공급하면서, 처리조 (2) 의 개구 (2C) 로부터 흘러넘친 순수를 챔버 (3) 에 저류시킨다. 또한, 처리조 (2) 의 측방에는, 실드판 (63) 이 형성된다. 실드판 (63) 의 간극 (G1, G2) 은, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 순수를 챔버 (3) 내의 하부에 유통시킨다. 처리조 (2) 의 개구 (2C) 의 조금 아래, 구체적으로는, 실드판 (63) 의 조금 아래의 위치까지 순수를 저류한다. 미리 설정된 액면 높이가 된 것을 액면 센서 (LS) 가 검출하면, 개폐 밸브 (V1) 를 폐쇄하여 분출관 (5) 으로부터의 순수의 공급을 정지시킨다. 그리고, 처리조 (2) 및 챔버 (3) 에 순수가 저류된 상태를 미리 설정된 시간, 유지한다.
〔스텝 S31〕처리조의 세정 (세정액의 배출)
그 후, 불활성 가스 노즐 (25) 로부터의 질소 가스의 공급이 계속된다. 개폐 밸브 (V8) 를 개방하여, 챔버 (3) 내에 저류된 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 또한, QDR 밸브 (14) 를 개방하여, 처리조 (2) 내로부터 챔버 (3) 내의 바닥면으로 순수를 방출한다. 처리조 (2) 내의 순수도 배출관 (51) 을 통하여 배액 탱크 (53) 에 배출된다. 처리조 (2) 내가 비워진 후, QDR 밸브 (14) 는 폐쇄된다. 또, 챔버 (3) 내가 비워진 후, 개폐 밸브 (V8) 는 폐쇄된다. 또한, 처리조 (2) 의 청정도를 유지하기 위해, 맨 처음에, 챔버 (3) 내의 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출하고, 그 후, 처리조 (2) 내의 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출해도 된다.
또, 3 개의 스텝 S29 ∼ S31 은, 미리 설정된 횟수 (1 회 또는 2 회 이상) 반복되어도 된다. 스텝 S29, S30 의 처리조 (2) 및 챔버 (3) 의 세정 처리와 스텝 S31 의 배출 처리를 미리 설정된 횟수 반복한다. 또한, 스텝 S29 ∼ S31 은 각각 1 회만 실시하고, 스텝 S29 ∼ S31 은 반복하여 실시되지 않아도 된다.
그 후, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 희석 IPA 액을 공급시키고, 처리조 (2) 에 저류된 희석 IPA 액에 기판 (W) 을 침지시킨다 (스텝 S32). 그 후, 용제 증기 노즐 (27) 로부터 공급된 IPA 증기를 사용하여, 순수로 처리된 기판 (W) 을 건조시킨다 (스텝 S33). 그 후, 질소 가스를 공급하여 챔버 (3) 내를 대기압으로 되돌린다 (스텝 S34). 그 후, 기판 (W) 을 챔버 (3) 로부터 꺼내어, 다음의 목적지로 이동시킨다 (스텝 S35).
본 실시예에 의하면, 분출관 (5) 은, 처리조 (2) 내의 바닥부에 형성된다. 분출관 (5) 은, 처리조 (2) 내에 세정액을 공급하고, 처리조 (2) 를 통하여 챔버 (3) 내에 세정액을 공급한다. 제어부 (81) 는, 챔버 (3) 내가 대기압인 상태에서, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 세정액을 공급함과 함께, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 세정액을 챔버 (3) 에 저류시키고, 또한, 챔버 (3) 에 저류된 세정액에 처리조 (2) 를 침지시킴으로써 처리조 (2) 의 외벽을 포함하는 챔버 (3) 를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시한다. 이로써, 챔버 (3) 내가 대기압인 상태에 있어서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시할 수 있다. 그 때문에, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가 기판 (W) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또, 처리조 (2) 에도 세정액이 공급되므로, 처리조 (2) 의 세정 처리와 챔버 (3) 의 세정 처리를 병행하여 실시할 수 있다.
또한, 스텝 S29 ∼ S31 에 있어서, 처리조 (2) 에 대한 세정액의 공급, 챔버 (3) 에 대한 세정액의 공급 (챔버 (3) 의 세정) 및 세정액의 배출은, 처리조 (2) 의 세정과 병렬로 실시하고 있었다. 이 점에 대해, 처리조 (2) 의 세정의 전후에 챔버 (3) 에 대한 세정액의 공급 (챔버 (3) 의 세정) 등을 실시해도 된다. 병렬로 실시함으로써, 일련의 기판 처리를 효율적으로 실시할 수 있다.
실시예 3
다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 3 을 설명한다. 또한, 실시예 1, 2 와 중복되는 설명은 생략한다. 실시예 1 에서는, 도 2 의 스텝 S01 ∼ S18 에 나타내는 일련의 기판 처리의 도중에 챔버 (3) 의 세정을 실시하였다. 이 점에 대해, 실시예 3 에서는, 연속되는 2 개의 일련의 기판 처리의 사이에서, 챔버 (3) 의 세정을 실시한다.
실시예 3 의 기판 처리 장치 (1) 의 구성은, 도 5 에 나타내는 실시예 2 의 기판 처리 장치 (1) 의 구성과 동일하다.
(4) 기판 처리 장치 (1) 의 동작
다음으로, 도 8 ∼ 도 10 을 참조하면서, 기판 처리 장치 (1) 의 동작을 설명한다. 도 8 은, 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 9 는, 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치의 동작 (일련의 기판 처리) 을 나타내는 타이밍 차트이다. 도 10 은, 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치의 동작 (챔버 (3) 의 세정) 을 나타내는 타이밍 차트이다.
본 실시예에 있어서, 챔버 (3) 의 세정 처리는, 소정의 일련의 기판 처리 (도 9 의 스텝 S41 ∼ S54) 와, 다음의 일련의 기판 처리 (도 9 의 스텝 S41 ∼ S54) 사이에 실시된다. 또, 챔버 (3) 의 세정 처리는, 미리 설정된 장수 또는 미리 설정된 로트수의 기판 (W) 에 대하여 침지 (스텝 S41) 및 건조 처리 (스텝 S52) 를 포함하는 일련의 기판 처리 (스텝 S41 ∼ S54) 를 실시할 때마다 실시된다.
기판 (W) 의 처리는, 로트 단위로 실시된다. 예를 들어, 기판 (W) 을 반송하기 위한 캐리어에 수용되는 25 장의 기판 (W) 은, 1 로트로서 취급된다.
도 9 에 나타내는 일련의 기판 처리에 있어서, 도 9 에 나타내는 스텝 S41 ∼ S54 는, 도 3 에 나타내는 실시예 1 의 스텝 S01 ∼ S07, S13 ∼ S18 및, 도 7 에 나타내는 실시예 2 의 스텝 S28 과 동일하므로, 이것들의 설명은 생략한다. 또한, 스텝 S47 에서는, IPA 증기의 공급이 충분히 실시된다.
다음으로, 본 실시예의 챔버 (3) 의 세정 처리를 설명한다. 도 8, 도 10 을 참조한다. 제어부 (81) 는, 예를 들어, 일련의 기판 처리를 실시한 기판 (W) 의 장수를 카운트한다. 그리고, 소정 (예를 들어 5 회째) 의 일련의 기판 처리를 실시하였을 때에, 일련의 기판 처리를 실시한 기판 (W) 의 장수가 미리 설정된 장수 이상이 된 것으로 한다. 이 때, 제어부 (81) 는, 그 소정 (5 회째) 의 일련의 기판 처리와 다음 (6 회째) 의 일련의 기판 처리 사이에서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시한다. 또한, 기판 (W) 의 장수의 카운트수는 리셋된다 (0 장이 된다). 로트수의 경우에도 동일하다. 즉, 제어부 (81) 는, 일련의 기판 처리를 실시한 로트수를 카운트한다. 그리고, 소정 (예를 들어 5 회째) 의 일련의 기판 처리를 실시하였을 때에, 일련의 기판 처리를 실시한 로트수가 미리 설정된 로트수 이상이 된 것으로 한다. 이 때, 제어부 (81) 는, 그 소정 (5 회째) 의 일련의 기판 처리와 다음 (6 회째) 의 일련의 기판 처리 사이에서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시한다.
〔스텝 S61〕세정의 준비
챔버 (3) 내는, 대기압의 상태로 되어 있다. 또한, 스텝 S61 에서 스텝 S65 까지의 동안에는, 챔버 (3) 내는 대기압의 상태이다. 또, 스텝 S61 에 있어서, 챔버 (3) 내는, 처리액 등이 저류되어 있지 않고 비워진 상태이다.
〔스텝 S62〕세정액의 공급
그 후, QDR 밸브 (14) 및 개폐 밸브 (V7, V8) 가 폐쇄된 상태에서, 개폐 밸브 (V2) 를 개방하여, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 에 세정액으로서 예를 들어 희석 IPA 액을 공급한다. 또한, 처리조 (2) 의 개구 (2C) 로부터 희석 IPA 액을 흘러넘치게 하여, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 희석 IPA 액을 챔버에 저류한다. 그리고, 챔버 (3) 내의 희석 IPA 액이 미리 설정된 액면 높이가 된 것을 액면 센서 (LS) 가 검출하면, 개폐 밸브 (V2) 를 폐쇄하여 희석 IPA 액의 공급을 정지시킨다. 그 후, 처리조 (2) 및 챔버 (3) 에 희석 IPA 액이 저류된 상태를 미리 설정된 시간, 유지한다. 본 실시예에서는, 세정액으로서 희석 IPA 액이 공급되지만, 이 점에 대해, 희석 H2O2 액 또는 순수여도 된다.
〔스텝 S63〕세정액의 배출
그 후, 개폐 밸브 (V8) 를 개방하여, 챔버 (3) 내에 저류된 희석 IPA 액을 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 또한, QDR 밸브 (14) 를 개방하여, 처리조 (2) 내로부터 챔버 (3) 내의 바닥면으로 희석 IPA 액을 방출한다. 처리조 (2) 내의 희석 IPA 액도 배출관 (51) 을 통하여 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 처리조 (2) 내가 비워진 후, QDR 밸브 (14) 는 폐쇄된다. 또, 챔버 (3) 내가 비워진 후, 개폐 밸브 (V8) 는 폐쇄된다.
이들 스텝 S62, S63 은, 미리 설정된 횟수 (1 회 또는 복수 회) 반복되어도 된다. 또한, 필요에 따라, 스텝 S62, S63 을 1 회씩 실시하고, 스텝 S62, S63 의 반복을 실시하지 않아도 된다.
〔스텝 S64〕린스액의 공급
스텝 S63 의 후, QDR 밸브 (14) 및 개폐 밸브 (V7, V8) 가 폐쇄된 상태에서, 개폐 밸브 (V1) 를 개방하여, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 에 린스액으로서 예를 들어 순수를 공급한다. 또한, 처리조 (2) 의 개구 (2C) 로부터 순수를 흘러넘치게 하여, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 순수를 챔버 (3) 에 저류시킨다. 그리고, 챔버 (3) 내의 순수가 미리 설정된 액면 높이가 된 것을 액면 센서 (LS) 가 검출하면, 개폐 밸브 (V1) 를 폐쇄하여 순수의 공급을 정지시킨다. 그 후, 처리조 (2) 및 챔버 (3) 에 순수가 저류된 상태를 미리 설정된 시간, 유지한다.
〔스텝 S65〕린스액의 배출
그 후, 개폐 밸브 (V8) 를 개방하여, 챔버 (3) 내에 저류된 순수를 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 또한, QDR 밸브 (14) 를 개방하여, 처리조 (2) 내로부터 챔버 (3) 내의 바닥면으로 순수를 방출한다. 처리조 (2) 내의 순수도 배출관 (51) 을 통하여 배액 탱크 (53) 에 배출한다. 처리조 (2) 내가 비워진 후, QDR 밸브 (14) 는 폐쇄된다. 또, 챔버 (3) 내가 비워진 후, 개폐 밸브 (V8) 는 폐쇄된다.
이들 스텝 S64, S65 는, 미리 설정된 횟수 (1 회 또는 복수 회) 반복되어도 된다. 또한, 필요에 따라, 스텝 S64, S65 를 1 회씩 실시하고, 스텝 S64, S65 의 반복을 실시하지 않아도 된다.
스텝 S61 ∼ S65 의 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시한 후, 다음의 일련의 기판 처리 (S41 ∼ S54) 가 실시된다.
본 실시예에 의하면, 제어부 (81) 는, 미리 설정된 장수 또는 미리 설정된 로트수의 기판 (W) 에 대하여 침지 및 건조 처리를 포함하는 일련의 기판 처리를 실시할 때마다, 연속되는 2 개의 일련의 기판 처리의 사이에 있어서, 챔버 세정 처리를 실시한다. 미리 설정된 장수 또는 미리 설정된 로트수의 기판 (W) 에 대하여 일련의 기판 처리를 실시할 때마다, 연속되는 2 개의 일련의 기판 처리의 사이에 있어서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시할 수 있다. 그 때문에, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가 기판 (W) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또, 분출관 (5) 은, 처리조 (2) 내의 바닥부에 형성되고, 처리조 (2) 내에 세정액을 공급한다. 제어부 (81) 는, 챔버 (3) 내가 대기압인 상태에서, 분출관 (5) 으로부터 처리조 (2) 내에 세정액을 공급함과 함께, 처리조 (2) 로부터 흘러넘친 세정액을 챔버 (3) 에 저류시키고, 또한, 챔버 (3) 에 저류된 세정액에 처리조 (2) 를 침지시킴으로써, 처리조 (2) 의 외벽을 포함하는 챔버 (3) 내를 세정한다. 이로써, 처리조 (2) 및 챔버 (3) 를 동시에 세정할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시형태에 한정되지는 않으며, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 상기 서술한 실시예 3 에서는, 스텝 S62 에서 분출관 (5) 으로부터 세정액으로서 희석 IPA 액을 공급하고 있었다. 세정액으로서 순수를 사용하는 경우, 스텝 S64, S65 를 생략해도 된다.
(2) 상기 서술한 실시예 1, 2 에서는, 연속되는 2 개의 일련의 기판 처리의 사이에서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시하고 있지 않다. 이 점에 대해, 실시예 1, 2 의 각각에 있어서, 일련의 기판 처리의 도중에 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시하는 것에 추가하여, 실시예 3 과 같이, 연속되는 2 개의 일련의 기판 처리의 사이에서, 챔버 (3) 의 세정 처리를 실시해도 된다.
즉, 도 8, 도 10 에 있어서, 일련의 기판 처리 (스텝 S41 ∼ S54) 는, 일련의 기판 처리 (도 2, 도 3 에 나타내는 스텝 S01 ∼ S18) 로 치환되어도 된다. 또, 일련의 기판 처리 (스텝 S41 ∼ S54) 는, 일련의 기판 처리 (도 6, 도 7 에 나타내는 스텝 S21 ∼ S35) 로 치환되어도 된다.
(3) 상기 서술한 실시예 2, 3 에서는, 세정액은, 분출관 (5) 만으로부터 공급되었다 (도 5 참조). 이 점에 대해, 챔버 (3) 의 바닥부에는, 도 1 에 나타내는 세정액 노즐 (16) 이 형성되어도 된다. 세정액 (예를 들어 순수) 을 공급할 때, 분출관 (5) 및 세정액 노즐 (16) 로부터 처리조 (2) 및 챔버 (3) 에 세정액을 각각 공급해도 된다. 이로써, 세정액을 공급하는 시간을 단축시킬 수 있다.
또, 실시예 3 에 있어서, 분출관 (5) 및 세정액 노즐 (16) 로부터 처리조 (2) 및 챔버 (3) 에 린스액을 각각 공급해도 된다.
(4) 상기 서술한 실시예 1 및 변형예 (2), (3) 에서는, 세정액 노즐 (16) 은, 차단하는 것이 없는 상태에서, 챔버 (3) 내에 세정액 (예를 들어 순수) 이 공급되었다. 이 점에 대해, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 세정액 노즐 (16) 의 상향의 토출구 (16A) 에 대향하도록, 챔버 (3) 내의 바닥부에는, 세정액 노즐 (16) 을 덮는 노즐 커버 (71) 가 형성되어도 된다. 노즐 커버 (71) 는, 챔버 (3) 내의 바닥부에 장착되어 있어도 된다.
노즐 커버 (71) 는, 그 하면이 개구되어 있고, 박스상의 부재이다. 노즐 커버 (71) 는, 천정벽 (71A) 과, 천정벽 (71A) 에 접속되는 복수 (예를 들어 2 장 또는 4 장) 의 측벽 (71B) 을 구비한다. 천정벽 (71A) 에는, 구멍부 (71C) 가 형성되어 있지 않지만, 측벽 (71B) 에는, 세정액을 통과시키는 구멍부 (71C) 가 형성되어 있다. 측벽 (71B) 은, Y 방향으로 연장되도록 길이 방향으로 형성된다. 구멍부 (71C) 의 면적은, 토출구 (16A) 보다 크다.
세정액 노즐 (16) 의 토출구는 예를 들어 상향이며, 상향으로 토출된 세정액은, 천정벽 (71A) 으로 차폐되지만, 측벽 (71B) 의 구멍부 (71C) 로부터 노즐 커버 (71) 의 외부에 세정액이 공급된다. 챔버 (3) 내가 감압되었을 때에, 세정액 노즐 (16) 은, 미스트의 발생원이 되기 쉽다. 그 때문에, 세정액 노즐 (16) 의 토출구 (16A) 에 노즐 커버 (71) 를 대향시킨다. 그 때문에, 세정액 노즐 (16) 부근에서 미스트가 발생해도, 노즐 커버 (71) 에서 유지할 수 있어, 미스트의 확산을 억제하면서 챔버 (3) 내에 세정액을 저류시킬 수 있다. 또, 측벽 (71B) 의 구멍부 (71C) 로부터 세정액이 통과되므로, 세정액의 흐름의 기세를 억제할 수 있다.
또한, 챔버 (3) 의 바닥면에서 흐름을 방해하지 않도록, 노즐 커버 (71) 와 챔버 (3) 의 바닥면 사이에는, 간극 (G3) 이 형성되어 있어도 된다.
(5) 상기 서술한 실시예 1 및 각 변형예 (2) ∼ (4) 에서는, 2 개의 세정액 노즐 (16) 은 각각 챔버 (3) 내의 바닥부로서, 평면에서 봤을 때에 처리조 (2) 와 중첩되는 위치에 형성되어 있었다. 이 점에 대해, 2 개의 세정액 노즐 (16) 은 각각 도 12 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (3) 의 하부의 코너에 형성되어도 된다. 코너에 형성된 세정액 노즐 (16) 은, 횡방향을 향하여 토출구가 형성되어도 된다. 그 때문에, 세정액 노즐 (16) 로부터 옆을 향하여 세정액이 토출된다.
(6) 상기 서술한 실시예 1 및 각 변형예 (2) ∼ (4) 에서는, 2 개의 세정액 노즐 (16) 은 각각 챔버 (3) 의 바닥부 또는 챔버 (3) 내의 바닥면에 형성되었다. 이 점에 대해, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 세정액 노즐 (16) 은 각각 챔버 (3) 내의 바닥면으로부터 떨어져 형성되어도 된다. 또, 2 개의 세정액 노즐 (16) 은 각각 실드판 (63) 보다 하위치로서, 챔버 (3) 내의 바닥면보다 상위치의 챔버 (3) 의 내측벽에 형성되어도 된다. 즉, 2 개의 세정액 노즐 (16) 은 각각 챔버 (3) 내의 하부에 형성되어도 된다. 또한, 각 세정액 노즐 (16) 은, 처리조 (2) 의 외벽을 향하는 자세로 배치된다.
또, 제어부 (81) 는, 배기 펌프에 의해 챔버 (3) 를 감압시킨 상태에서, 처리조 (2) 의 외벽에 세정액을 맞히면서 세정액 노즐 (16) 로부터 챔버 (3) 내에 세정액을 공급해도 된다. 챔버 (3) 내의 바닥면에 액이 흐르므로, 챔버 (3) 내의 바닥면에는, 파티클이 비교적 축적되기 어렵다. 그러나, 예를 들어 처리조 (2) 의 외벽은, 부유한 파티클이 부착되어도 액이 흐르기 어려운 부분이므로, 파티클이 축적된다. 그 부분에 세정액을 맞히면서 챔버 (3) 내에 세정액을 저류시키므로, 처리조 (2) 의 외벽에 부착된 파티클을 제거하기 쉽다.
(7) 상기 서술한 각 실시예 및 각 변형예에서는, 기판 처리 장치 (1) 는, 2 개의 배기 펌프 (47, 57) 를 구비하고 있었다. 이 점에 대해, 기판 처리 장치 (1) 는, 예를 들어 배기 펌프 (57) 를 구비하지 않아도 된다. 즉, 배기 펌프 (47) 는, 배기관 (45) 을 통하여 챔버 (3) 내를 배기시킴과 함께 배기관 (55) 을 통하여 배액 탱크 (53) 내를 배기시켜도 된다.
예를 들어 개폐 밸브 (V7) 는, 배기관 (45) 을 통과하는 기체의 유량을 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 개폐 밸브 (V9) 는, 배기관 (55) 을 통과하는 기체의 유량을 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고, 제어부 (81) 는, 2 개의 개폐 밸브 (V7, V9) 를 조작함으로써, 2 개의 배기관 (45, 55) 을 통과하는 기체의 유량을 제어한다. 이로써, 배액 탱크 (53) 내의 압력값 P2 를 챔버 (3) 내의 압력값 P1 보다 작게 한다.
(8) 상기 서술한 각 실시예 및 각 변형예에서는, 챔버 (3) 내의 하부의 파티클이 휘몰아쳐 올라가는 것은, 질소 가스를 공급하여 챔버 (3) 내를 대기압으로 되돌릴 때에 발생한다고 설명하였다 (스텝 S17, S34, S53). 이 점에 대해, 예를 들어, 스텝 S12, S28, S48 등에서도 파티클이 휘몰아쳐 올라가는 것이 발생할 가능성이 있다.
(9) 상기 서술한 각 실시예 및 각 변형예에서는, 예를 들어 도 2 에 나타내는 스텝 S06 에 있어서, 발수제의 증기를 공급하여 기판 (W) 을 발수성으로 하였다. 이 점에 대해, 기판 (W) 을 발수성으로 할 필요가 없는 경우에는, 발수제의 증기를 공급하는 스텝 S06 및 이것에 관련된 스텝을 생략해도 된다. 도 6 의 스텝 S26 및 도 9 의 스텝 S46 도 동일하다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있으며, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 클레임을 참조해야 한다.
1 : 기판 처리 장치
2 : 처리조
3 : 챔버
5 : 분출관
14 : QDR 밸브
16 : 세정액 노즐
25 : 불활성 가스 노즐
27 : 용제 증기 노즐
29 : 발수제 증기 노즐
43 : 배기구
47 : 배기 펌프
63 : 실드판
G1, G2 : 간극

Claims (16)

  1. 처리액을 저류하는 처리조와,
    상기 처리조를 둘러싸는 챔버와,
    상기 챔버 내에 용제 증기를 공급하는 용제 증기 노즐과,
    상기 챔버 내에 세정액을 공급하는 세정액 노즐과,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 미리 설정된 기간, 상기 처리조에 저류된 상기 처리액에 기판을 침지시키는 침지 처리를 실시하고, 상기 용제 증기 노즐로부터 공급된 상기 용제 증기를 사용하여, 상기 처리액으로 처리되어 상기 처리조로부터 끌어올려진 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 실시하고,
    상기 제어부는, 상기 세정액 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하고, 상기 챔버에 저류된 상기 세정액에 상기 처리조를 침지시킴으로써, 상기 처리조의 외벽을 포함하는 상기 챔버 내를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 침지 처리를 실시한 후에 상기 챔버 세정 처리를 실시하고,
    상기 제어부는, 상기 챔버 세정 처리를 실시한 후에 상기 건조 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 발수제 증기를 공급하는 발수제 증기 노즐을 추가로 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 침지 처리를 실시한 후, 상기 기판을 발수성으로 하기 위해, 상기 발수제 증기 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 발수제 증기를 공급하는 발수제 증기 공급 처리를 실시하고,
    상기 제어부는, 상기 발수제 증기 공급 처리를 실시한 후에 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버 내를 배기시키는 배기 펌프를 추가로 구비하고,
    상기 세정액 노즐은, 상기 챔버 내의 하부에 형성되고, 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하고,
    상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버 내를 감압시킨 상태에서, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 배기 펌프는, 상기 처리조의 측방의 상기 챔버의 측벽에 형성된 배기구를 통하여, 상기 챔버 내를 배기시키고,
    상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버 내를 배기시키면서 상기 챔버 내를 감압시킨 상태에서, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 처리조의 외측벽과 상기 챔버의 내측벽 사이에 형성되고, 상기 챔버 내의 상부와 상기 챔버 내의 하부 사이에서 분위기를 차폐하는 실드판으로서, 상기 처리조로부터 흘러넘친 처리액을 상기 챔버 내의 하부에 유통시키는 개구를 갖는 상기 실드판을 추가로 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은, 상기 챔버 내의 바닥부로서, 평면에서 봤을 때에 상기 처리조와 중첩되는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 용제 증기 노즐로부터 상기 용제 증기가 상기 챔버 내에 공급되고 있을 때에, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버를 감압시킨 상태에서, 상기 챔버에 형성된 배출구로부터 상기 세정액을 배출하는 배출 처리를 실시하고,
    상기 제어부는, 상기 챔버 세정 처리와 상기 배출 처리를 미리 설정된 횟수 반복하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐을 추가로 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 건조 처리를 실시한 후, 상기 불활성 가스 노즐로부터 상기 챔버 내에 불활성 가스를 공급함으로써, 감압 상태의 상기 챔버 내를 대기압으로 되돌리는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은, 상기 처리조의 외벽을 향하는 자세로 배치되어 있고,
    상기 제어부는, 상기 배기 펌프에 의해 상기 챔버를 감압시킨 상태에서, 상기 처리조의 외벽에 상기 세정액을 맞히면서 상기 세정액 노즐로부터 상기 챔버 내에 상기 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐의 상향의 토출구에 대향하도록, 상기 챔버 내의 바닥부에 형성된 노즐 커버를 추가로 구비하고,
    상기 노즐 커버는, 천정벽과, 상기 천정벽에 접속됨과 함께 상기 세정액을 통과시키는 구멍부가 형성된 복수의 측벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은, 상기 처리조 내의 바닥부에 형성되고, 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급하고,
    상기 제어부는, 상기 챔버 내가 대기압인 상태에서, 상기 세정액 노즐로부터 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급하면서 상기 처리조로부터 흘러넘친 상기 세정액을 상기 챔버에 저류시키고, 또한, 상기 챔버에 저류된 상기 세정액에 상기 처리조를 침지시킴으로써 상기 처리조의 외벽을 포함하는 상기 챔버를 세정하는 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 미리 설정된 장수 또는 미리 설정된 로트수의 기판에 대하여 상기 침지 처리 및 상기 건조 처리를 포함하는 일련의 기판 처리를 실시할 때마다, 연속되는 2 개의 상기 일련의 기판 처리의 사이에 있어서, 상기 챔버 세정 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은, 상기 처리조 내의 바닥부에 형성되고, 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급하고,
    상기 제어부는, 상기 챔버 내가 대기압인 상태에서, 상기 세정액 노즐로부터 상기 처리조 내에 상기 세정액을 공급함과 함께, 상기 처리조로부터 흘러넘친 상기 세정액을 상기 챔버에 저류시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 처리액을 저류하는 처리조와,
    상기 처리조를 둘러싸는 챔버를 구비한 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서,
    미리 설정된 기간, 상기 처리조에 저류된 상기 처리액에 기판을 침지시키는 침지 공정과,
    용제 증기 노즐로부터 공급된 용제 증기를 사용하여, 상기 처리액으로 처리되어 상기 처리조로부터 끌어올려진 상기 기판을 건조시키는 건조 공정과,
    세정액 노즐로부터 상기 챔버 내에 세정액을 공급하고, 상기 챔버에 저류된 상기 세정액에 상기 처리조를 침지시킴으로써 상기 처리조의 외벽을 포함하는 상기 챔버를 세정하는 챔버 세정 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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