JP2002050600A

JP2002050600A - 基板処理方法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP2002050600A
Application number: JP2001142929A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Kumagai; 佳夫熊谷; Takayuki Toshima; 孝之戸島
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-05-15
Filing date: 2001-05-14
Publication date: 2002-02-15

Abstract

(57)【要約】【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶
解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及
び基板処理装置を提供することにある。【解決手段】処理槽６１内の純水にウェハＷを浸漬さ
せてリンス洗浄した後，ジクロロメタンを処理槽６１内
に供給し，純水中に浸漬させた状態からジクロロメタン
中に浸漬させた状態に置換する。その後，ウェハＷを乾
燥室６１に上昇させ，ウェハＷの表面に付着したジクロ
ロメタンを蒸発させると共に，ホットＮ_２ガスをウェハ
Ｗに吐出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板を処理する基
板処理方法及び基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では，半導体
ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を所定の薬液や純
水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハの表面に付着した
パーティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネ
ーションを除去する洗浄装置が使用されている。その中
でも洗浄液が充填された洗浄槽内に，ウェハを浸漬させ
て洗浄処理を行うウェット型の洗浄装置は広く普及して
いる。

【０００３】かかる洗浄装置は，アンモニア成分，塩酸
成分，フッ酸成分等が主体となった薬液や純水を用いて
洗浄処理を行い，最後に純水による最終リンス処理と，
乾燥処理を行うように構成されている。洗浄装置には，
前記最終リンス処理が行われる最終リンス洗浄装置と，
前記乾燥処理が行われる乾燥装置とが備えられている。

【０００４】乾燥装置には，例えばＩＰＡ蒸気乾燥法が
採用されている。このＩＰＡ蒸気乾燥法によれば，乾燥
槽内に収納されたウェハに対して，親水性の高いＩＰＡ
［イソプロピルアルコール：（ＣＨ_３）_２ＣＨＯＨ］蒸
気を供給し，ＩＰＡの揮発を利用してウェハの表面に付
着している水滴を取り除いて，ウェハを乾燥させること
ができる。

【０００５】ここで，最終リンス洗浄装置から乾燥装置
にウェハを搬送させている間に，ウェハの表面が大気雰
囲気中に曝されることになる。そうなると，ウェハの表
面に付着している水滴が自然乾燥してしまい，ウォータ
マーク（水跡）を発生させるおそれがある。また，これ
ら最終リンス洗浄装置と乾燥装置は，洗浄装置内で横一
列に並べられているため，フットプリントを要する。

【０００６】そこで，ウォータマークの低減やフットプ
リント節約等の観点から，最終リンス処理と，乾燥処理
の両方を行うように構成されたリンス・乾燥装置が従来
から知られている。このようなリンス・乾燥装置とし
て，例えば洗浄槽の純水中に浸漬されたウェハを槽内か
ら引き上げる際にＩＰＡ蒸気を供給し，水とＩＰＡの表
面張力の違いを利用したマランゴニ効果により，最終リ
ンス処理後にウェハ乾燥を行う装置が知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
ＩＰＡを利用した乾燥装置やリンス・乾燥装置によれ
ば，ＩＰＡには，レジストを溶解させる性質がある。例
えばウェハの表面に所定の回路パターンに沿ってレジス
ト膜が形成されている。このようなウェハに対してＩＰ
Ａ蒸気やＩＰＡ液を供給すると，レジスト表面が溶けて
しまい，パターン崩れが起こる可能性がある。また，メ
モリ回路等で，リーク電流を抑えるために形成されるデ
ュアルゲートが，レジストを局所的に堆積してパターニ
ングした構造を有する場合，ＩＰＡ蒸気が供給される
と，デュアルゲートの厚さが変わる。このため，回路の
動作に悪影響を及ぼすおそれがある。さらにＩＰＡに
は，アルコール成分が含まれているので，引火する危険
性がある。このため，高水準の安全対策，設備が必要と
なる。

【０００８】また，マランゴニ効果が十分に発揮される
ためには，ウェハＷを比較的ゆくっりと純水中から引き
上げなくてはならず，このため，ウェハＷの上昇に時間
を要する。さらに，前記ウェハガイドには，ウェハの周
縁部が保持される溝が複数形成されている。溝や，溝に
保持されたウェハの周縁部のような細部に渡る部分に
も，水滴が付着している。露出したウェハの表面と異な
り，溝に保持されたウェハの周縁部に対してはＩＰＡ蒸
気が供給し難く，乾燥に手間がかかる。

【０００９】従って，本発明の目的は，ウォータマーク
を発生させず，レジスト膜付きの基板をパターン崩れな
しで，安全に処理することができる，基板処理方法及び
基板処理装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明にあっては，処理槽内で少なくとも第１の処
理液と第２の処理液を用いて基板を処理する方法であっ
て，前記第１の処理液に前記基板を接触させた状態か
ら，前記第１の処理液とは比重が異なる前記第２の処理
液に前記基板を接触させた状態に置換することを特徴と
する，基板処理方法を提供する。

【００１１】この基板処理方法によれば，例えば処理槽
内に充填された第１の処理液に基板を処理液に接触させ
る。次いで，第１の処理液とは比重が異なる第２の処理
液を処理槽内に供給する。第１の処理液に基板を接触さ
せた状態から，第２の処理液に基板を接触させた状態に
置換する。従って，基板の表面に付着している第１の処
理液を外部雰囲気に接触させることなく液中で第２の処
理液に置換することができる。

【００１２】この処理方法において，前記第１の処理液
とは比重が異なる前記第２の処理液に前記基板を接触さ
せた状態に置換する際に，前記処理槽内から前記第１の
処理液を排液することが好ましい。

【００１３】例えば第１の処理液に純水が適宜用いら
れ，第２の処理液に疎水性がある溶剤が適宜用いられ
る。この場合，先ず処理槽内に充填された第１の処理液
中に基板を浸漬させて第１の処理液に接触させる。次い
で，例えば第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液
を処理槽内に供給する場合，供給された第２の処理液
は，処理槽の底部に沈む。一方，第２の処理液の供給に
合わせて例えば処理槽の上部から第１の処理液を徐々に
排液し，処理槽内に，第１の処理液層と第２の処理液層
を形成する。第２の処理液が溜まって第２の処理液層を
厚くする一方で，処理槽内から第１の処理液を追い出し
て第１の処理液層を薄くしていく。処理槽内に充填され
る液を第２の処理液に置換する。基板を第２の処理液に
浸漬させて第２の処理液に接触させる。従って，例えば
基板の表面に付着している水滴を外部雰囲気に接触させ
ることなく液中で溶剤に置換することができる。

【００１４】また，例えば第１の処理液よりも比重が軽
い第２の処理液を処理槽内に供給する場合，供給された
第２の処理液は，処理槽の上部に浮かぶ。第２の処理液
の供給に合わせて例えば処理槽の下部から第１の処理液
を徐々に排液し，第１の処理液よりも比重が重い第２の
処理液のときと同様に，処理槽内に充填される液を第２
の処理液に置換する。基板を第２の処理液に浸漬させて
第２の処理液に接触させる。従って，例えば基板の表面
に付着している水滴を外部雰囲気に接触させることなく
液中で溶剤に置換することができる。なお，何れの場合
も，処理槽内で基板を静止させて第２の処理液中に浸漬
させていたが，例えば基板を移動させ，処理槽内に供給
された第２の処理液中に通すことで，第１の処理液に基
板を接触させた状態から第２の処理液に基板を接触させ
た状態に置換しても良い。

【００１５】前記処理槽内に第１の処理液層と第２の処
理液層を形成し，前記第１の処理液層から前記第２の処
理層に基板を移動させても良い。この場合も，前述した
場合と同様に，処理槽内に充填された第１の処理液中に
基板を浸漬させて第１の処理液に接触させる。次いで，
第１の処理液と比重が異なる第２の処理液を処理槽内に
供給し，処理槽内に第１の処理液層と，基板を十分に浸
漬させることができる程度の第２の処理液層を形成す
る。その後，基板を第２の処理液層に移動させて浸漬さ
せる。これによっても，基板の表面に付着している水滴
を外部雰囲気に接触させることなく液中で溶剤に置換す
ることができる。また，第２の処理液層に浸漬させず
に，例えば基板を移動させ，処理槽内に形成された第２
の処理液層中に通すことで，第１の処理液に基板を接触
させた状態から第２の処理液に基板を接触させた状態に
置換しても良い。

【００１６】前記第１の処理液とは比重が異なる前記第
２の処理液に前記基板を接触させた状態に置換した後，
前記処理槽の上方に基板を上昇させて基板を乾燥させる
ことが好ましい。前述したように第１の処理液が純水で
あり，第２の処理液が溶剤である場合に，かかる方法に
よれば，溶剤が付着した基板を処理槽の上方に上昇させ
て基板の表面を露出させ，基板から溶剤を蒸発させる。
従って，例えばウォータマークを発生させることなく，
基板を乾燥させることができる。また，液化された溶剤
を用いるので，従来のように可燃性のある溶剤（例えば
ＩＰＡ）の蒸気を用いて基板を乾燥させるのと比較し
て，危険が少なく，高水準の安全対策，設備が不要とな
る。

【００１７】前記第１の処理液とは比重が異なる前記第
２の処理液に前記基板を接触させた状態に置換した後，
前記処理槽内を排液して基板を乾燥させても良い。かか
る方法によれば，処理槽内を排液して基板を露出させ，
処理槽内で基板から溶剤を蒸発させる。これによって
も，例えばウォータマークを発生させることなく，基板
を乾燥させることができる。

【００１８】前記基板を前記第２の処理液から分離した
後，前記基板にガスを供給することが好ましい。即ち，
先に述べたように処理槽の上方に基板を上昇させて第２
の処理液から分離した後や，処理槽内を排液して第２の
処理液から分離した後で，基板に例えばＮ_２（窒素）ガ
ス又は加熱されたＮ_２ガス等を供給する。そうすれば，
乾燥を促進することができる。

【００１９】前記処理槽の周囲を不活性雰囲気にするこ
とが好ましい。例えば溶剤の気化熱が大きいと，溶剤が
蒸発する際に基板から熱を奪い，基板の表面温度が下が
る。そうなると，雰囲気中の例えば蒸気が結露して基板
の表面に水滴が付着するおそれがある。しかしながら，
例えば処理槽の周囲（処理槽の上方等を含む）を，例え
ばＮ_２雰囲気で満たし，雰囲気中に蒸気が含まれないよ
うにすることで，溶剤蒸発時の水滴付着を防止すること
ができる。

【００２０】前記基板は，表面にレジスト膜が形成され
たものであり，前記第２の処理液は，該レジスト膜を溶
解させない性質を有することが好ましい。そうすれば，
レジスト膜付きの基板を好適に処理することができる。
また，前記第２の処理液は，不可燃性であっても良い。
そうすれば，例えば溶剤が気化しても安全を図ることが
できる。このような条件を満たす第２の処理液として，
例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）やジクロロ
メタン，ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）等の溶剤
がある。

【００２１】また，前記第２の処理液に，ＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）を混合しても良い。また，前記第
２の処理液を，加熱してもよい。このように第２の処理
液にＩＰＡを混合したり，第２の処理液を加熱すること
により，基板に接触している第１の処理液を円滑に第２
の処理液に置換することができる。

【００２２】また本発明にあっては，処理槽内で基板を
処理する装置であって，前記処理槽内で基板を保持する
保持手段と，前記処理槽内に第１の処理液を供給する第
１の処理液供給手段と，前記処理槽内に前記第１の処理
液と比重が異なる第２の処理液を供給する第２の処理液
供給手段とを備えていることを特徴とする，基板処理装
置を提供する。

【００２３】この基板処理装置において，第１の処理液
として例えば純水等が，第２の処理液として例えば疎水
性がある溶剤がそれぞれ適宜用いられる。かかる基板処
理装置によれば，保持手段により基板を保持させて処理
槽内に収納する。第１の処理液供給手段により処理槽内
に第１の処理液を供給し，第１の処理液に基板を接触さ
せる。次いで，第２の処理液供給手段により，第１の処
理液とは比重が異なる第２の処理液を処理槽内に供給
し，第１の処理液に基板を接触させた状態から，第２の
処理液に基板を接触させた状態に置換する。従って，こ
の基板処理装置は，先に説明した基板処理方法を好適に
実施することができる。また，保持手段により保持され
た基板の周縁部に付着している例えば水滴を外部雰囲気
に接触させることなく液中で溶剤に置換することができ
る。

【００２４】この基板処理装置において，前記処理槽内
から前記第１の処理液を排液する第１の処理液排液手段
と，前記処理槽内から前記第２の処理液を排液する第２
の処理液排液手段とを備えていることが好ましい。

【００２５】かかる構成によれば，基板の液接触は，液
中に基板を浸漬させることで実現する。即ち，処理槽内
に第１の処理液を充填し，第１の処理液中に基板を浸漬
させる。次いで，第２の処理液供給手段により，第１の
処理液よりも比重が重い若しくは軽い第２の処理液を処
理槽内に供給すると共に，第１の処理液排液手段により
処理槽の上部若しくは下部から第１の処理液を排液し，
処理槽内に充填される液を第２の処理液に置換する。ま
た，第２の処理液に浸漬させた後，第２の処理液排液手
段により処理槽内から第２の処理液を排液して基板を露
出させ，処理槽内で基板から溶剤を蒸発させる。

【００２６】前記保持手段は，前記処理槽内と前記処理
槽の上方との間を昇降自在であっても良い。かかる構成
によれば，基板の液接触は，液中で基板を移動させるこ
とでも実現する。即ち，処理槽内に充填される液を第２
の処理液に置換すると共に，保持手段により基板を処理
槽の上方に上昇させ，このときに第２の処理液中に基板
を通す。また，処理槽内に第１の処理液層と第２の処理
液層を形成した後に，基板を処理槽の上方に上昇させ，
このときに第２の処理層中に基板を通す。また，処理槽
内に第１の処理液層と第２の処理液層を形成した後に，
保持手段を昇降させ，基板を第２の処理液層に浸漬させ
ても良い。また，第２の処理液に基板を接触させた後，
保持手段を上昇させて基板を処理槽内から取り出す。基
板を露出させ，基板から溶剤を蒸発させる。さらに保持
手段により保持された基板の周縁部からも溶剤を蒸発さ
せるので，細部に渡る部分も容易に乾燥させることがで
きる。

【００２７】前記基板に乾燥促進用のガスを供給するガ
ス供給手段を備えても良い。また，前記第２の処理液に
ＩＰＡを混合するＩＰＡ供給手段を有していても良い。
また，前記第２の処理液を加熱する加熱手段を有してい
ても良い。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の好ましい実施の形態を説明する。図１は，第１の
実施の形態にかかるリンス・乾燥装置２１を備えた洗浄
装置１の斜視図である。この洗浄装置１は，キャリアＣ
単位での基板としてウェハＷの搬入，ウェハＷの洗浄，
ウェハＷの乾燥，キャリアＣ単位でのウェハＷの搬出ま
でを一貫して行うように構成されている。

【００２９】この洗浄装置１において，搬入・取出部２
は，洗浄前のウェハＷを２５枚収納したキャリアＣを搬
入しウェハＷを洗浄に移行させるまでの動作を行う。即
ち，搬入ステージ５に載置されたキャリアＣを移送装置
６によってローダ７へ例えば２個ずつ搬送し，このロー
ダ７でキャリアＣからウェハＷを取り出す構成になって
いる。

【００３０】洗浄乾燥処理部１０には，搬入・取出部２
側から順に，ウェハＷを搬送する搬送装置３０のウェハ
チャック３６を洗浄および乾燥するためのウェハチャッ
ク洗浄・乾燥装置１１，各種の薬液や純水等の洗浄液を
用いてウェハＷを洗浄する各ウェハ洗浄装置１２〜１
５，搬送装置３２のウェハチャック３７を洗浄および乾
燥するためのウェハチャック洗浄・乾燥装置１６，ウェ
ハ洗浄装置１７〜１９，搬送装置３３のウェハチャック
３３ａ，３３ａを洗浄および乾燥するためのウェハチャ
ック洗浄・乾燥装置２０，およびウェハ洗浄装置１２〜
１５，１７〜１９で洗浄されたウェハＷに対して，最終
リンス洗浄（リンス処理）と，乾燥処理を行うリンス・
乾燥装置２１が配列されている。さらに洗浄乾燥処理部
１０の前面側（図１における手前側）には，前述した搬
送装置３０，３１，３２，３３が配列されている。

【００３１】一般的な洗浄プロセスに従い，薬液洗浄と
リンス洗浄とが交互に行えるようにウェハ洗浄装置１
２，１４，１７，１９は薬液洗浄（薬液処理）を行うよ
うに構成され，ウェハ洗浄装置１３，１５，１８はリン
ス洗浄を行うように構成されている。一例として，ウェ
ハ洗浄装置１２では，硫酸成分を主体とした洗浄液であ
るＳＰＭ（Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ_２の混合液）を用いたＳ
ＰＭ洗浄を行って，ウェハＷの表面に付着している有機
汚染物等の不純物質を除去する。また，ウェハ洗浄装置
１４では，例えばアンモニア成分を主体とした洗浄液で
あるＡＰＭ（ＮＨ _４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏの混合液）
を用いたＳＣ１洗浄を行って，ウェハＷの表面に付着し
ている有機汚染物，パーティクル等の不純物質を除去す
る。また，ウェハ洗浄装置１７では，塩酸成分を主体と
した洗浄液であるＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏの
混合液）を用いたＳＣ２洗浄を行って，ウェハＷの表面
に付着している金属イオン等を除去する。また，ウェハ
洗浄装置１９では，フッ酸成分を主体とした洗浄液であ
るＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ_２Ｏの混合液）を用いたＤＨＦ洗浄
を行って，ウェハＷの表面に形成された酸化膜等を除去
する。また，ウェハ洗浄装置１３，１５，１８では，純
水を用いてウェハＷのリンス洗浄を行う。

【００３２】なお，以上の配列や各ウェハ洗浄装置１２
〜１５，１７〜１９での組合わせは，ウェハＷに対する
洗浄処理の種類によって任意に組み合わせることができ
る。例えば，ある洗浄装置を減じたり，逆にさらに他の
種類の薬液を用いてウェハＷを薬液洗浄するウェハ洗浄
装置を付加してもよい。

【００３３】装填・搬出部５０は，洗浄乾燥処理部１０
で洗浄，乾燥された２５枚のウェハＷをキャリアＣに装
填後キャリアＣ単位で搬出する。即ち，アンローダ５１
によって，洗浄後のウェハＷが収納されたキャリアＣ
を，移送装置（図示せず）によって，搬出部５２にまで
搬送する構成になっている。

【００３４】次に，第１の実施の形態にかかるリンス・
乾燥装置２１の構成について説明する。図２に示すよう
に，リンス・乾燥装置２１は，ウェハＷのリンス洗浄が
行われる処理槽６０と，該処理槽６０の上方に設けら
れ，ウェハＷの乾燥処理が行われる乾燥室６１と，ウェ
ハＷを保持する保持手段としてウェハガイド６２とを備
えている。

【００３５】処理槽６０は，ウェハＷを収納するのに充
分な大きさを有する箱形の内槽６３と外槽６４から構成
されている。処理槽６０には，第１の処理液として純水
（ＤＩＷ）を供給する第１の処理液供給手段として純水
供給回路６５が設けられている。

【００３６】純水供給回路６５の入口は，純水供給源
（図示せず）が接続されている。純水供給回路６５に
は，開閉弁６６，流量コントローラ６７が順次介装さ
れ，純水供給回路６５の出口は，内槽６３の下方に対を
なして配置されたジェットノズル６８，６８に接続され
ている。

【００３７】純水供給回路６５には，第２の処理液とし
て溶剤を供給する第２の処理液供給手段として溶剤供給
回路７０が接続されている。この溶剤供給回路７０の入
口は，溶剤供給源（図示せず）が接続されている。溶剤
供給回路７０には，開閉弁７１，流量コントローラ７２
が順次介装されている。

【００３８】溶剤には，純水と比重が異なり，かつ疎水
性があるものとして，例えばジクロロメタンやＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）等が用いられる。これらジ
クロロメタンやＨＭＤＳは揮発性を有するが，アルコー
ル等の可燃性成分が含まれていないため，気化しても安
全である。また，こられ溶剤には，レジスト膜を溶解さ
せない性質がある。例えばウェハＷの表面に所定の回路
パターンに沿ってレジスト膜が形成されている場合，こ
のようなウェハＷを，このジクロロメタンやＨＭＤＳ中
に浸漬させても，レジスト表面を溶かすがことなく，パ
ターン崩れ等を起こさない。

【００３９】内槽６３の底部には，開閉弁８０を介して
第１の処理液排液手段として純水ドレイン管８１が接続
され，開閉弁８２を介して第２の処理液排液手段として
溶剤ドレイン管８３が接続されている。また，外槽６４
の底部には，純水ドレイン管８４が接続され，純水ドレ
イン管８４には，三方弁８５を介して溶剤ドレイン管８
６が接続されている。従って，純水ドレイン管８１によ
り内槽６３内の純水を排液し，三方弁８５を純水ドレイ
ン管８４側に切り換えて，純水ドレイン管８４により外
槽内の純水を排液するようになっている。また，溶剤ド
レイン管８３により内槽６３内の溶剤を排液し，三方弁
８５を溶剤ドレイン管８６側に切り換えて，溶剤ドレイ
ン管８６により外槽６４内の溶剤を排液するようになっ
ている。

【００４０】乾燥室６１には，乾燥ガスとして常温のＮ
_２（窒素）ガス又はホットＮ_２ガスを供給するガス供給
手段としてＮ_２ガス供給回路９０が設けられている。

【００４１】Ｎ_２ガス供給回路９０の入口は，例えば常
温のＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給源（図示せず）が
接続されている。Ｎ_２ガス供給回路９０には，開閉弁９
１，流量コントローラ９２，Ｎ_２ガスを加熱するヒータ
９３が順次介装され，Ｎ_２ガス供給回路９０の出口は，
乾燥室６１の上方に対をなして配置されたガスノズル９
４，９４に接続されている。なお，ヒータ９３を迂回さ
せて常温のＮ_２ガスを乾燥室６１に供給できるように，
Ｎ_２ガス供給回路９０にバイパス回路９５が図示の如く
接続されている。バイパス回路９５には，開閉弁９６，
流量コントローラ９７が順次介装されている。

【００４２】乾燥室６１の側壁には，室内雰囲気を排気
するための排気管９８が接続されている。排気管９８に
は，流量調整弁９９が介装されており，排気管９８の排
気量を自在に調整にする。また，乾燥室６１の上面に形
成された搬入出口６１ａを開閉する蓋体１００が設けら
れている。この蓋体１００は，図示しない移動機構によ
り昇降及び水平方向に移動自在である。

【００４３】図３に示すように，リンス・乾燥装置２１
には，ウェハガイド６２が設けられている。ウェハガイ
ド６２は，図示しない昇降機構により，上下方向（図３
中のＺ方向）に昇降自在に構成されている。ウェハガイ
ド６２は，シャフト部１０５と，ガイド部１０６と，ガ
イド部１０６に水平姿勢で固着された３本の平行な保持
部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃとを備えている。各
保持部材１０７ａ〜ｃに，ウェハＷの周縁下部を保持す
る溝１０８が等間隔で５０箇所形成されている。従っ
て，ウェハガイド６２は，５０枚のウェハＷを等間隔で
配列させた状態で保持し，処理槽６０内と乾燥室６１と
の間で昇降させるように構成されている。

【００４４】次に，以上のように構成されたリンス・乾
燥装置２１で行われる本発明の実施の形態にかかる処理
について，洗浄装置１で行われる洗浄処理に沿って説明
する。まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されて
いないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣ
を搬入・取出部２の搬入ステージ５に複数載置する。そ
して，この搬入・取出部２によって，例えばキャリアＣ
２個分の５０枚のウェハＷをキャリアＣから取り出し，
搬送装置３０が，ウェハＷを５０枚単位で一括して把持
する。そして，それらウェハＷを搬送装置３１，３２，
３３に引きつきながら，各ウェハ洗浄装置１２〜１５，
１７〜１９に順次搬送する。こうして，ウェハＷの表面
に付着しているパーティクル等の不純物質を除去する洗
浄を行う。最後に，リンス・乾燥装置２１において，最
終リンス洗浄，乾燥処理を行い，装填・搬出部５０を介
してキャリアＣ単位で装置外に搬出する。

【００４５】ここで，リンス・乾燥装置２１の処理につ
いて，図４に示すフローチャート及び図５〜図１０に示
す第１〜第６の工程説明図に基づいて説明する。なお，
溶剤には，例えば純水よりも比重が重く，かつ疎水性が
あって純水と混合し難いジクロロメタン（液体）を例に
とって説明する。

【００４６】先ず蓋体１００が開いて搬入出口６１ａを
開放させると共に，ウェハガイド６２が乾燥室６１に上
昇する。搬送装置３３が，ウェハ洗浄装置１９でＤＨＦ
洗浄が行われたウェハＷをリンス・乾燥装置２１内に搬
入し，ウェハガイド６２に受け渡す。一方，図２に示し
たように，開閉弁６６が開き，純水供給回路６５からの
純水をジェットノズル６８を通して処理槽６０内に供給
して充填する（図５）。

【００４７】次いで，蓋体１００が閉まると共に，ウェ
ハガイド６２が下降してウェハＷを処理槽６０内に収納
する。図６に示すように，純水中にウェハＷを浸漬させ
て最終リンス洗浄を行う（図４中のＳ１）。

【００４８】最終リンス洗浄後，開閉弁６６が閉じると
共に，開閉弁７１が開き，図７に示すように，溶剤供給
回路７０によりジクロロメタンを内槽６３内に供給する
（図４中のＳ２）。ジクロロメタンは，前述したように
純水よりも比重が重いため，処理槽６０の底部に沈んで
溜まっていく。一方，ジクロロメタンの供給に合わせて
処理槽６０の上部から純水を徐々に排液し，内槽６３内
に，純水層とジクロロメタン層を形成する。ジクロロメ
タンが溜まってジクロロメタン層を厚くする一方で，内
槽６３内から純水を追い出して純水層を薄くしていく。
図８に示すように，内槽６３内に充填される液をジクロ
ロメタンに全て置換する。このように，純水中にウェハ
Ｗを浸漬させた状態からジクロロメタン中に浸漬させた
状態にする（図４中のＳ３）。従って，ウェハＷの表面
に付着している水滴を外部雰囲気（空気等）に接触させ
ることなく液中でジクロロメタンに置換することができ
る。さらにウェハガイド６２の表面や，溝１０８の内周
面及び溝１０８に保持されたウェハＷの周縁下部等の細
部に渡る部分に付着している水滴も容易にジクロロメタ
ンに置換することができる。また，Ｎ_２ガス供給回路９
０により常温のＮ_２ガス又はホットＮ_２（窒素）ガスを
供給し，乾燥室６１内を不活性雰囲気にする。また，排
気管９８を通して排気行い，乾燥室６１内を常に新鮮な
不活性雰囲気に置換しても良い。

【００４９】置換後，図９に示すように，ウェハガイド
６２を上昇させる（図４中のＳ４）。ジクロロメタン中
からウェハＷを引き上げＮ_２雰囲気に曝しながら乾燥室
６１内に導入する。ウェハＷの表面に付着したジクロロ
メタンを自然蒸発させてウェハＷを乾燥させる。さらに
図１０に示すように，常温のＮ_２ガス又はホットＮ_２ガ
スをウェハＷの表面に吐出すると良い（図４中のＳ
５）。これにより，ジクロロメタンの蒸発が進み，乾燥
を促進させることができる。乾燥後，常温のＮ_２ガス又
はホットＮ_２ガスの吐出が停止する。そして，蓋体１０
０が開き，装填・搬出部５０の移送装置が，リンス・乾
燥装置２１内からウェハＷを搬出する。

【００５０】かかるリンス・乾燥装置２１によれば，空
気に触れることなく，液中でウェハＷの表面に付着して
いる水滴をジクロロメタンに置換し，その後にジクロロ
メタンが付着したウェハＷを乾燥室６１内に収納するの
で，ウォータマークを発生させることなく，ウェハＷを
乾燥させることができる。従って，ウォータマークによ
る自然酸化膜の形成を防ぎ，ウェハＷの表面に製造され
た半導体デバイスの不具合を低減することができる。

【００５１】ジクロロメタンは，レジスト膜を溶解させ
ないので，レジスト膜付きのウェハＷを好適に乾燥する
ことができる。その結果，パターン崩れを防止し，半導
体デバイスの不具合を低減することができる。また，ジ
クロロメタンには，アルコールのような可燃性成分が含
まれておらず，さらに例えば常温の液化された状態で処
理槽６０内に供給されるので，従来のように可燃性のあ
るＩＰＡ蒸気を用いてウェハＷを乾燥させるのと比較し
て，危険が少なく，高水準の安全対策，設備が不要とな
る。

【００５２】ジクロロメタンの気化熱が大きいと，ジク
ロロメタンが蒸発する際にウェハＷから熱を奪い，ウェ
ハＷの表面温度が下がる。そうなると，雰囲気中の蒸気
が結露してウェハＷの表面に水滴が付着するおそれがあ
る。しかしながら，このリンス・乾燥装置２１によれ
ば，乾燥室６１（処理槽６０の上方）をＮ_２雰囲気で満
たし，雰囲気中に蒸気が含まれないようにすることで，
ジクロロメタン蒸発時の水滴付着を防止することができ
る。

【００５３】通常では乾燥が難しい，溝１０８の内周面
や溝１０８に保持されたウェハＷの周縁下部のような細
部に渡る部分の表面も，水滴からジクロロメタンに置換
している。このため，ウェハＷを乾燥室６１内に上昇さ
せた際には，ジクロロメタンを蒸発させ，ウェハＷの周
縁下部等を容易に乾燥させることができる。また，単に
ウェハＷをジクロロメタン中から引き上げているだけで
済むので，従来のように純水中からＩＰＡ雰囲気中にゆ
くっりとウェハＷを引き上げてマランゴニ効果により水
滴を除去する場合に比べて，ウェハＷの上昇時間を短縮
することができる。

【００５４】次に，第２の実施の形態にかかるリンス・
乾燥装置１１０について説明する。前記リンス・乾燥装
置２１は，乾燥室６１内でウェハＷにホットＮ_２ガスを
供給するように構成されている。このリンス・乾燥装置
１１０は，処理槽６０内でウェハＷにホットＮ_２ガスを
供給するように構成されている。即ち，図１１に示すよ
うに，前記ガスノズル９４，９４が，処理槽６０の上方
に対をなして配置されている。なお，ガスノズル９４，
９４の配置以外は，先に説明したリンス・乾燥装置２１
と同一の構成であるので，図２及び図１１において，同
一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符
号を付することにより，重複説明を省略する。

【００５５】かかるリンス・乾燥装置１１０の処理につ
いて，図１２に示すフローチャート及び図１３〜図１５
に示す第１〜第３の工程説明図に基づいて説明する。な
お，溶剤には，先と同様にジクロロメタンを使用する。

【００５６】先ず，ウェハＷを搬入してから図１３に示
すようにウェハＷをジクロロメタンに浸漬させるまで
は，先のリンス・乾燥装置２１と同様の工程が行われる
（図１２中のＳ１〜３）。また，ガスノズル９４，９４
からホットＮ_２ガスを吐出させて，処理槽６０の周囲を
Ｎ_２雰囲気にする。次いで，図１４に示すように，内槽
６３内からジクロロメタンを排液する（図１２中のＳ
４）。ジクロロメタンの液面が下がるにつれて，ウェハ
Ｗが露出していく。露出したウェハＷの表面に付着して
いるジクロロメタンは，自然蒸発する。図１５に示すよ
うに，内槽６３内からジクロロメタンを殆ど排液する。
また，ウェハＷにホットＮ_２ガスを供給して乾燥を促進
させても良い（図１２中のＳ５）。その後，ウェハガイ
ド６２を上昇させてウェハＷの搬出を行う。

【００５７】かかるリンス・乾燥装置１１０によれば，
前記リンス・乾燥装置２１と同様に，ウォータマークを
発生させず，レジスト膜付きの基板をパターン崩れなし
で，安全に乾燥処理することができる。また，ウェハＷ
の周縁下部等を容易に乾燥させることができる。

【００５８】次に，第３の実施の形態にかかるリンス・
乾燥装置１２０について説明する。前記リンス・乾燥装
置２１，１１０は，何れも純水よりも比重が重い溶剤を
供給するように構成されていたが，このリンス・乾燥装
置１２０は，純水よりも比重が軽い溶剤を供給するよう
に構成されている。この溶剤は，純水よりも比重が軽い
以外は，前記ジクロロメタンと同様に不可燃性であると
共に，レジスト膜を溶解させない性質を有する。

【００５９】即ち，図１６に示すように，処理槽１２１
は，内槽１２２と，外槽１２３とを備えている。処理槽
１２１の上部には，溶剤ノズル１２４，１２４が対をな
して配置されている。これら溶剤ノズル１２４，１２４
に，溶剤供給回路１２５が接続されている。溶剤供給回
路１２５の入口は，溶剤供給源（図示せず）が接続さ
れ，溶剤供給回路１２５には，開閉弁１２６，流量コン
トローラ１２７が順次介装されている。なお，処理槽１
２１の上部に溶剤ノズル１２４，１２４を設けた点を除
けば，先に説明したリンス・乾燥装置２１と同一の構成
であるので，図２及び図１６において，同一の機能及び
構成を有する構成要素については，同一符号を付するこ
とにより，重複説明を省略する。

【００６０】かかるリンス・乾燥装置１２０の処理につ
いて，図１７〜図２０に示す第１〜第４の工程説明図に
基づいて説明する。処理の流れは基本的には先のリンス
・乾燥装置２１と同様なので，先の図４に示すフローチ
ャートを使用する。

【００６１】先ず，ウェハＷを搬入してから図１７に示
すようにウェハＷを純水中に浸漬させるまでは，先のリ
ンス・乾燥装置２１と同様の工程が行われる。最終リン
ス洗浄後，開閉弁１２６が開き，図１８に示すように，
溶剤供給回路１２５により溶剤を内槽１２２内に供給す
る（図４中のＳ２）。溶剤は，前述したように純水より
も比重が軽いため，処理槽１２１の上部に浮かぶ。一
方，溶剤の供給に合わせて内槽１２２内から純水を処理
槽１２１下部の純水ドレイン管８１より徐々に排液し，
内槽１２２内に純水層と溶剤層を形成する。この場合，
単位時間当たりの溶剤の供給量と純水の排液量は同一と
することが好ましい。溶剤が溜まって溶剤層を厚くする
一方で，内槽１２２内から純水を追い出して純水層を薄
くしていく。図１９に示すように，内槽１２２内に充填
される液を溶剤に全て置換し，ウェハＷを溶剤中に浸漬
させる（図４中のＳ３）。このように，溶剤が純水の比
重よりも軽い場合でも，ウェハＷの表面に付着している
水滴を外部雰囲気に接触させることなく液中で溶剤に置
換することができる。置換後，図２０に示すように，ウ
ェハガイド６２を上昇させ（図４中のＳ４），ウェハＷ
の表面に付着した溶剤を自然蒸発させ，常温のＮ_２ガス
又はホットＮ_２ガスをウェハＷの表面に吐出する（図４
中のＳ５）。

【００６２】かかるリンス・乾燥装置１２０によれば，
前記リンス・乾燥装置２１，１１０と同様の作用・効果
を得ることができる。

【００６３】また，リンス・乾燥装置１２０では，処理
槽１２１内から純水を全て排液しなくても，溶剤中にウ
ェハＷを浸漬させることが可能である。即ち，図１９の
工程を図２１の工程に代える。図２１に示すように，溶
剤を処理槽１２１内に供給すると共に，純水を排液し，
ウェハＷ及びウェハガイド６２を十分に浸漬できる程度
に溶剤層を形成する。ウェハガイド６２を上昇させてウ
ェハＷを溶剤層中に浸漬させる。これによっても，ウェ
ハＷの表面に付着している水滴を外部雰囲気に接触させ
ることなく液中で溶剤に置換することができる。また，
ウェハＷを静止させて溶剤中に浸漬させなくても良い。
即ち，溶剤層を形成すると共に，ウェハＷを処理槽６０
内から引き上げて，このときに溶剤層中に通すことで
も，純水にウェハＷを接触させた状態から溶剤にウェハ
Ｗを接触させた状態に置換することができる。

【００６４】次に，第４の実施の形態にかかるリンス・
乾燥装置１４０について説明する。このリンス・乾燥装
置１４０は，純水よりも比重が軽い溶剤を供給すると共
に，処理槽１２１内でウェハＷに常温のＮ_２ガス又はホ
ットＮ_２ガスを供給するように構成されている。即ち，
図２２に示すように，前記ガスノズル９４，９４が，処
理槽１２１の上方に対をなして配置されている。

【００６５】かかるリンス・乾燥装置１４０の処理につ
いては，先のリンス・乾燥装置１１０で図１３〜図１５
に基づいて説明した工程と基本的に同様である。即ち，
先ず，ウェハＷを溶剤中に浸漬させた後，内槽１２２内
から溶剤を排液し，処理槽１２１内でウェハＷに常温の
Ｎ_２ガス又はホットＮ_２ガスを供給する。かかるリンス
・乾燥装置１４０によれば，前記リンス・乾燥装置２
１，１１０，１２０と同様の作用・効果を得ることがで
きる。

【００６６】なお，純水よりも比重が重く，かつ疎水性
があり，レジスト膜を溶解させない処理液として先に例
示したジクロロメタンやＨＭＤＳの他の例として，ＨＦ
Ｅ（ハイドロフルオロエーテル）がある。市販のＨＦＥ
としては，例えば住友スリーエム（株）製のＨＦＥ−７
１００が知られている。この市販のＨＦＥ（住友スリー
エム（株）製のＨＦＥ−７１００等）を，例えば先に説
明した本発明の第１の実施の形態と同様に，内槽６３内
に供給して，内槽６３内に純水層とＨＦＥ層を形成した
場合，ウェハＷの表面では，ＨＦＥと純水の界面の状態
は図２３に示すようになる。即ち，ウェハＷの表面で
は，ＨＦＥと純水の界面が下がり，ＨＦＥ側に純水が入
り込むような接触状態となる。

【００６７】仮にこのままの状態でＨＦＥを内槽６３内
にさらに供給して，ＨＦＥと純水の界面を上昇させてい
くと，内槽６３内に充填された液をＨＦＥに全て置換し
た状態においても，微少な純水がウェハＷの表面上に残
るおそれがある，即ち，図２３に示すように，ウェハＷ
の表面においてＨＦＥ側に純水が入り込むような界面の
状態となるので，ウェハＷの表面に付着していた純水が
引き込まれ，ＨＦＥに置換されずに微小な純水が残り，
ウェハＷを乾燥させた際に，純水が残った部分にウォー
ターマークなどが残る可能性がある。

【００６８】この問題を解決するためには，図２４に示
すように，ウェハＷの表面において純水側にＨＦＥが入
り込むような界面の状態として，純水がＨＦＥ側に引き
込まれ難くすることが有効であると考えられる。そこ
で，純水側にＨＦＥが入り込むような界面を形成させる
ものとして，次に，本発明の第５，６の実施の形態にか
かるリンス・乾燥装置１５０，１６０について説明す
る。

【００６９】図２５は，本発明の第５の実施の形態にか
かるリンス・乾燥装置１５０の配管系統図である。この
リンス・乾燥装置１５０では，溶剤供給回路７０に，Ｉ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するためのＩＰ
Ａ供給回路１５１が接続されている。このＩＰＡ供給回
路１５１の入口には，ＩＰＡ溶剤供給源（図示せず）が
接続されている。ＩＰＡ供給回路１５１には，開閉弁１
５２，流量コントローラ１５３が順次介装されている。
なお，ＩＰＡ供給回路１５１を設けた点を除けば，先に
説明したリンス・乾燥装置２１と同一の構成であるの
で，図２及び図２５において，同一の機能及び構成を有
する構成要素については，同一符号を付することによ
り，重複説明を省略する。

【００７０】かかるリンス・乾燥装置１５０の処理につ
いては，先のリンス・乾燥装置２１について図４及び図
５〜図１０に基づいて説明した工程と基本的に同様であ
る。但し，溶剤には，先の場合と異なり，ＨＦＥ（例え
ば住友スリーエム（株）製のＨＦＥ−７１００）を使用
する。

【００７１】先ず純水中にウェハＷを浸漬させて最終リ
ンス洗浄を行い，リンス洗浄後，溶剤供給回路７０によ
りＨＦＥを内槽６３内に供給する。その際，溶剤供給回
路７０に設けたＩＰＡ供給回路１５１からＩＰＡを適当
量供給し，ＨＦＥ中にＩＰＡを混ぜる。ＨＦＥが処理槽
６０の底部に沈んで溜まっていく一方で，処理槽６０の
上部から純水が徐々に排液され，内槽６３内に，純水層
とＨＦＥ層が形成される。

【００７２】この場合，ＨＦＥ中にＩＰＡが少量混ぜら
れていることにより，純水とＨＦＥとの界面において薄
いＩＰＡ膜ができて，ウェハＷに対する接触角（界面の
接触角）が変化し，先に図２４で説明したように，ウェ
ハＷの表面において純水側にＨＦＥが入り込むような界
面を形成できる。つまり，純水の界面が図２４のように
上側（内槽６３内の純水をＨＦＥに置換していく過程に
おいて純水とＨＦＥとの界面が移動していく方向）に傾
斜した状態となる。これにより，純水がＨＦＥ側に引き
込まれ難い状態を作ることができる。そして，内槽６３
内をＨＦＥに置換した後，ウェハＷを引き上げて乾燥さ
せる。

【００７３】このリンス・乾燥装置１５０によれば，溶
剤としてＨＦＥを使用した場合であっても，ウェハＷに
接触している純水を円滑にＨＦＥに置換でき，微小な水
滴がウェハＷの表面に残る心配がなく，ウォーターマー
クの発生を効果的に防止できる。

【００７４】次に図２６は，本発明の第６の実施の形態
にかかるリンス・乾燥装置１６０の配管系統図である。
このリンス・乾燥装置１６０では，溶剤供給回路７０
に，溶剤を加熱するためのヒータ１６１が設けてある。
なお，ヒータ１６１を設けた点を除けば，先に説明した
リンス・乾燥装置２１と同一の構成であるので，図２及
び図２６において，同一の機能及び構成を有する構成要
素については，同一符号を付することにより，重複説明
を省略する。

【００７５】かかるリンス・乾燥装置１６０の処理につ
いても，先のリンス・乾燥装置２１について図４及び図
５〜図１０に基づいて説明した工程と基本的に同様であ
る。なお，溶剤には，ＨＦＥ（例えば住友スリーエム
（株）製のＨＦＥ−７１００）を使用する。

【００７６】先ず純水中にウェハＷを浸漬させて最終リ
ンス洗浄を行い，リンス洗浄後，溶剤供給回路７０によ
りＨＦＥを内槽６３内に供給する。その際，溶剤供給回
路７０に設けたヒータ１６１によりＨＦＥを加熱する。
ＨＦＥが処理槽６０の底部に沈んで溜まっていく一方
で，処理槽６０の上部から純水が徐々に排液され，内槽
６３内に，純水層とＨＦＥ層が形成される。

【００７７】ＨＦＥが昇温されていることにより，この
場合も，ウェハＷに対する接触角（純水とＨＦＥとの界
面の接触角）が変化し，先に図２４で説明したように，
ウェハＷの表面において純水側にＨＦＥが入り込むよう
な界面が形成され，つまり，純水の界面が図２４のよう
に上側（内槽６３内の純水をＨＦＥに置換していく過程
において純水とＨＦＥとの界面が移動していく方向）に
傾斜した状態となり，純水がＨＦＥ側に引き込まれ難い
状態を作ることができる。そして，内槽６３内をＨＦＥ
に置換した後，ウェハＷを引き上げて乾燥させる。

【００７８】このリンス・乾燥装置１６０によっても，
ウェハＷに接触している純水を円滑にＨＦＥに置換で
き，溶剤としてＨＦＥを使用しても，微小な水滴がウェ
ハＷの表面に残る心配がなく，ウォーターマークの発生
を効果的に防止できる。

【００７９】なお，本発明の実施の形態をいくつか説明
したが，本発明は以上に説明した例に限らず種々の形態
を取りうるものである。例えば前記リンス・乾燥装置２
１，１１０，１５０，１６０では，処理槽６０の下部か
らジクロロメタン（純水より比重が重い溶剤）を供給し
ていたが，処理槽６０の上部から供給するようにしても
良い。さらに前記リンス・乾燥装置１２０，１４０で
は，処理槽１２１の上部から純水より比重が軽い溶剤を
供給していたが，処理槽１２１の下部から比重が軽い溶
剤を供給しても良い。また，リンス・乾燥装置２１，１
１０，１２０，１４０，１５０，１６０は，純水による
リンス洗浄だけでなく，フッ酸等の薬液を用いた薬液洗
浄も行える，いわゆるワンバス方式の装置として構成し
ても良い。そうすれば，処理槽６０内で薬液洗浄とリン
ス洗浄を連続して行うことが可能となり，フットプリン
トの節約やスループットの向上等を図ることができる。

【００８０】本発明は，複数枚の基板を一括して処理す
るバッチ式の処理だけでなく，一枚ずつ基板を処理する
枚葉式の処理の場合にも適用することができる。また，
基板が，上記ウェハＷに限定されずにＬＣＤ基板，ＣＤ
基板，プリント基板，セラミック基板等であってもよ
い。

【００８１】

【発明の効果】本発明によれば，ウォータマークを発生
させず，レジスト膜付きの基板をパターン崩れなしで，
安全に処理することができる。その結果，例えば高精度
な半導体デバイスの製造技術を実現することができ，歩
留まりを向上させることができる。

【００８２】処理槽内において，例えば基板の表面に付
着している水滴を外部雰囲気に接触させることなく液中
で第２の処理液に置換することができる。また，処理槽
の上方で基板に付着した例えば第２の処理液を蒸発さ
せ，あるいは処理槽内で基板に付着した第２の処理液を
蒸発させるので，ウォータマークを発生させることな
く，基板を乾燥させることができる。また，従来のよう
に可燃性のあるＩＰＡ蒸気を用いて基板を乾燥させるの
と比較して，危険が少なく，高水準の安全対策，設備が
不要となる。

【００８３】第２の処理液に前記基板を接触させた状態
に置換した後，基板を乾燥させることにより，第２の処
理液蒸発時の水滴付着を防止することができる。本発明
によれば，レジスト膜付きの基板を好適に例えば乾燥さ
せることができ，しかも，安全を図ることができる。

【００８４】また，保持手段により保持された基板の周
縁部に付着している例えば水滴を外部雰囲気に接触させ
ることなく液中で第２の処理液に置換することができ
る。

【００８５】また，第２の処理液としてＨＦＥを使用し
た場合であっても，微小な水滴などが基板の表面に残る
心配がなく，ウォーターマークの発生を効果的に防止で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置
を備えた洗浄装置の斜視図である。

【図２】第１の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置の
配管系統図である。

【図３】ウェハガイドの斜視図である。

【図４】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理のフロ
ーチャートである。

【図５】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理を説明
する第１の工程説明図である。

【図６】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理を説明
する第２の工程説明図である。

【図７】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理を説明
する第３の工程説明図である。

【図８】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理を説明
する第４の工程説明図である。

【図９】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理を説明
する第５の工程説明図である。

【図１０】図２のリンス・乾燥装置で行われる処理を説
明する第６の工程説明図である。

【図１１】第２の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置
の配管系統図である。

【図１２】図１１のリンス・乾燥装置で行われる処理の
フローチャートである。

【図１３】図１１のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第１の工程説明図である。

【図１４】図１１のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第２の工程説明図である。

【図１５】図１１のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第３の工程説明図である。

【図１６】第３の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置
の配管系統図である。

【図１７】図１６のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第１の工程説明図である。

【図１８】図１６のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第２の工程説明図である。

【図１９】図１６のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第３の工程説明図である。

【図２０】図１６のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する第４の工程説明図である。

【図２１】図１６のリンス・乾燥装置で行われる処理を
説明する他の第３の工程説明図である。

【図２２】第４の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置
の配管系統図である。

【図２３】第２の処理液としてＨＦＥを使用した場合の
解決課題の説明図である。

【図２４】第２の処理液としてＨＦＥを使用した場合の
解決課題を解決した場合の説明図である。

【図２５】第５の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置
の配管系統図である。

【図２６】第６の実施の形態にかかるリンス・乾燥装置
の配管系統図である。

【符号の説明】

１洗浄装置２１リンス・乾燥装置６０処理槽６１乾燥室６２ウェハガイド６５純水供給回路７０溶剤供給回路９０Ｎ_２ガス供給回路Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｂ０８Ｂ 3/02 ＣＨ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/308 ＧＦターム(参考） 3B201 AA03 AB13 AB44 BB02 BB21 BB82 BB88 BB90 BB93 BB95 BB99 CC01 CC12 5F043 BB27 EE12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理槽内で少なくとも第１の処理液と第
２の処理液を用いて基板を処理する方法であって，前記
第１の処理液に前記基板を接触させた状態から，前記第
１の処理液とは比重が異なる前記第２の処理液に前記基
板を接触させた状態に置換することを特徴とする，基板
処理方法。
【請求項２】前記第１の処理液とは比重が異なる前記
第２の処理液に前記基板を接触させた状態に置換する際
に，前記処理槽内から前記第１の処理液を排液すること
を特徴とする，請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】前記処理槽内に第１の処理液層と第２の
処理液層を形成し，前記第１の処理液層から前記第２の
処理層に基板を移動させることを特徴とする，請求項１
に記載の基板処理方法。
【請求項４】前記第１の処理液とは比重が異なる前記
第２の処理液に前記基板を接触させた状態に置換した
後，前記処理槽の上方に基板を上昇させて基板を乾燥さ
せることを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の基
板処理方法。
【請求項５】前記第１の処理液とは比重が異なる前記
第２の処理液に前記基板を接触させた状態に置換した
後，前記処理槽内を排液して基板を乾燥させることを特
徴とする，請求項１，２又は３に記載の基板処理方法。
【請求項６】前記基板を前記第２の処理液から分離し
た後，前記基板にガスを供給することを特徴とする，請
求項４又は５に記載の基板処理方法。
【請求項７】前記処理槽の周囲を不活性雰囲気にする
ことを特徴とする，請求項１，２，３，４，５又は６に
記載の基板処理方法。
【請求項８】前記基板は，表面にレジスト膜が形成さ
れたものであり，前記第２の処理液は，該レジスト膜を
溶解させない性質を有することを特徴とする，請求項
１，２，３，４，５，６又は７に記載の基板処理方法。
【請求項９】前記第２の処理液は，不可燃性であるこ
とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又
は８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】前記第２の処理液に，ＩＰＡを混合し
たことを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，
７，８又は９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】前記第２の処理液を，加熱したことを
特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８又
は９に記載の基板処理方法。
【請求項１２】処理槽内で基板を処理する装置であっ
て，前記処理槽内で基板を保持する保持手段と，前記処
理槽内に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段
と，前記処理槽内に前記第１の処理液と比重が異なる第
２の処理液を供給する第２の処理液供給手段とを備えて
いることを特徴とする，基板処理装置。
【請求項１３】前記処理槽内から前記第１の処理液を
排液する第１の処理液排液手段と，前記処理槽内から前
記第２の処理液を排液する第２の処理液排液手段とを備
えていることを特徴とする，請求項１２に記載の基板処
理装置。
【請求項１４】前記保持手段は，前記処理槽内と前記
処理槽の上方との間を昇降自在であることを特徴とす
る，請求項１２又は１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】前記基板に乾燥促進用のガスを供給す
るガス供給手段を備えていることを特徴とする，請求項
１２，１３又は１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】前記第２の処理液にＩＰＡを混合する
ＩＰＡ供給手段を備えていることを特徴とする，請求項
１２，１３，１４又は１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】前記第２の処理液を加熱する加熱手段
を備えていることを特徴とする，請求項１２，１３，１
４，１５又は１６に記載の基板処理装置。