TWI808849B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠將腔室的內部從經減壓的狀態適當地加壓至常壓狀態的基板處理方法以及基板處理裝置。本發明是有關於一種基板處理方法以及基板處理裝置。基板處理方法包括第一減壓步驟、第一加壓步驟以及第一常壓步驟。在第一減壓步驟中，腔室（3）的內部處於經減壓的狀態（D），將第一氣體（G1）供給至腔室（3）內的基板（W）。第一氣體（G1）包含有機溶劑。第一加壓步驟是在第一減壓步驟之後執行。在第一加壓步驟中，將混合氣體（K）供給至腔室（3）內的基板（W），腔室（3）的內部從經減壓的狀態（D）被加壓至常壓狀態（J）。混合氣體（K）包含有機溶劑與惰性氣體。第一常壓步驟是在第一加壓步驟之後執行。在第一常壓步驟中，腔室（3）的內部保持為常壓狀態（J），進行排液處理以及基板處理中的至少任一種。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置

本發明是有關於一種基板處理方法以及基板處理裝置。基板例如是半導體晶片、液晶顯示器用基板、有機電致發光（Electroluminescence，EL）用基板、平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用基板、光顯示器用基板、磁片用基板、光碟用基板、光磁片用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板。

日本專利特開2018-56155公報公開了一種對收容在腔室內的基板進行處理的基板處理方法。基板處理方法包括第一步驟、第二步驟及乾燥步驟。第一步驟中，在腔室的內部經減壓的狀態（decompressed state）下，將疏水劑的蒸氣供給至基板。第二步驟中，在腔室的內部經減壓的狀態下，將有機溶劑的蒸氣供給至基板。乾燥步驟中，在腔室的內部經減壓的狀態下，將惰性氣體供給至基板。

此處，在第一步驟以及第二步驟中，基板不會被乾燥。在乾燥步驟中，基板受到乾燥。

基板處理方法中，為了將腔室的內部設為經減壓的狀態而使用排氣泵。排氣泵將腔室內的氣體排出至腔室外。排氣泵在第一步驟、第二步驟與乾燥步驟中運轉。

在乾燥步驟之後，腔室3的內部從經減壓的狀態被加壓至常壓狀態（atmospheric pressure state）。為了將腔室3內從經減壓的狀態加壓至常壓狀態，執行以下的動作A、動作B。 動作A：停止排氣泵的運轉。 動作B：將惰性氣體供給至腔室內。

[發明所要解決的問題] 日本專利特開2018-56155公報並未公開：在第一步驟之後且乾燥步驟之前，將腔室的內部從經減壓的狀態加壓至常壓狀態。日本專利特開2018-56155公報並未公開：在對基板的處理開始後且基板受到乾燥之前，將腔室的內部從經減壓的狀態加壓至常壓狀態。

本發明是有鑑於此種狀況而完成，其目的在於提供一種能夠將腔室的內部從經減壓的狀態適當地加壓至常壓狀態的基板處理方法以及基板處理裝置。 [解決問題的技術手段]

本發明人等為了解決所述問題進行了專心研究，結果獲得如下所述的見解。例如，為了在第一步驟之後且第二步驟之前進行排液處理，有時較佳為在第一步驟之後且第二步驟之前，腔室的內部為常壓狀態。例如，為了提高第二步驟中的基板處理的品質，有時較佳為在第二步驟中，腔室的內部為常壓狀態。因此，本發明人等研討了在第一步驟之後且第二步驟之前，將腔室的內部從經減壓的狀態加壓至常壓狀態。例如，本發明人等研討了在第一步驟之後且第二步驟之前執行追加步驟。追加步驟包含所述的動作A、動作B。

但是，本發明人等發現追加步驟存在新的問題。新的問題在於，在追加步驟中，基板被曝露於惰性氣體而受到乾燥。追加步驟是在第一步驟之後且第二步驟之前執行。若在第一步驟之後且第二步驟之前基板受到乾燥，則有可能在第二步驟中無法適當地處理基板。有可能難以維持第二步驟中的基板處理的品質。第二步驟中的基板處理的品質有可能下降。

本發明是基於這些見解，藉由進一步專心研討而獲得，採用如下所述的結構。即，本發明是一種基板處理方法，一次處理收容在一個腔室內的多個基板，所述基板處理方法包括：第一減壓步驟，在所述腔室的內部經減壓的狀態下，將包含有機溶劑的第一氣體供給至所述腔室內的所述基板；第一加壓步驟，在所述第一減壓步驟之後，將包含有機溶劑與惰性氣體的混合氣體供給至所述腔室內的所述基板，且將所述腔室的內部從經減壓的狀態加壓至常壓狀態；以及第一常壓步驟，在所述第一加壓步驟之後，將所述腔室的內部保持為常壓狀態，且進行排液處理以及基板處理中的至少任一種。

基板處理方法是一次處理收容在一個腔室的多個基板。基板處理方法包括第一減壓步驟、第一加壓步驟以及第一常壓步驟。第一減壓步驟、第一加壓步驟與第一常壓步驟是依此順序來執行。

在第一減壓步驟中，腔室的內部處於經減壓的狀態。在第一減壓步驟中，將第一氣體供給至腔室內的基板。第一氣體包含有機溶劑。第一氣體的有機溶劑附著於基板而潤濕基板。因此，在第一減壓步驟中，基板不會被乾燥。

在第一加壓步驟中，腔室的內部從經減壓的狀態被加壓至常壓狀態。在第一加壓步驟中，將混合氣體供給至腔室內的基板。混合氣體包含有機溶劑與惰性氣體。混合氣體的惰性氣體將腔室的內部從經減壓的狀態迅速加壓至常壓狀態。混合氣體的有機溶劑附著於基板而潤濕基板。因此，在第一加壓步驟中，不會使基板乾燥，而腔室的內部迅速成為常壓狀態。在第一加壓步驟中，基板不會被乾燥。因而，在第一減壓步驟之後且第一常壓步驟之前，基板不會被乾燥。

在第一常壓步驟中，腔室的內部保持為常壓狀態。在第一常壓步驟中，進行排液處理以及基板處理中的至少任一種。當在第一常壓步驟中進行排液處理時，容易進行第一常壓步驟的排液處理。這是因為，腔室的內部被保持為常壓狀態。更詳細而言，這是因為，當腔室的內部處於常壓狀態時，腔室內的氣體的壓力接近腔室外的氣體的壓力。當在第一常壓步驟中進行基板處理時，能以適當的品質來進行第一常壓步驟的基板處理。這是因為，在第一加壓步驟中，基板不會被乾燥。這是因為，在第一減壓步驟之後且第一常壓步驟之前，基板不會被乾燥。

如上所述，基板處理方法能夠將腔室的內部從經減壓的狀態適當地加壓至常壓狀態。具體而言，基板處理方法不會使基板乾燥，而能夠將腔室的內部從經減壓的狀態迅速加壓至常壓狀態。因此，在腔室的內部成為常壓狀態之後，第一常壓步驟得以較佳地執行。

所述的基板處理方法中，較佳為所述混合氣體包含所述有機溶劑的氣體以及所述有機溶劑的液體中的至少任一種。在混合氣體包含有機溶劑的氣體的情況下，混合氣體中的有機溶劑的氣體在基板的表面結露，在基板的表面變為有機溶劑的液體。在混合氣體包含有機溶劑的液體的情況下，混合氣體中的有機溶劑的液體附著於基板的表面。無論是在混合氣體包含有機溶劑的氣體的情況下，還是在混合氣體包含有機溶劑的液體的情況下，來源於混合氣體的有機溶劑均能較佳地潤濕基板。因而，混合氣體較佳地防止基板被乾燥。

所述的基板處理方法中，較佳為在所述第一加壓步驟中，生成所述混合氣體，且將所生成的所述混合氣體藉由第一噴出部而供給至所述腔室內。在第一加壓步驟中，供給至腔室內的惰性氣體伴隨有機溶劑。在第一加壓步驟中，供給至腔室內的惰性氣體未從有機溶劑中分離。在第一加壓步驟中，惰性氣體與有機溶劑並非被獨立地供給至腔室內。因此，在第一加壓步驟中，更切實地防止基板的乾燥。

所述的基板處理方法中，較佳為在所述第一加壓步驟中，進而在所述腔室內使所述基板上下移動或擺動。在第一加壓步驟中，來源於混合氣體的有機溶劑更均勻地附著於整個基板。

所述的基板處理方法中，較佳為還包括：第一浸漬步驟，在所述第一減壓步驟之前，將所述基板浸漬於貯存在處理槽內的第一液中，所述處理槽被設置在所述腔室內，所述第一常壓步驟還包括將所述第一液排出至所述腔室外的第一排液步驟。第一常壓步驟包含第一排液步驟。在第一常壓步驟中，腔室的內部保持為常壓狀態。因此，在第一排液步驟中，腔室的內部保持為常壓狀態。因此，在第一排液步驟中，容易將腔室內的第一液排出至腔室的外部。

另外，第一排液步驟的處理相當於第一常壓步驟的排液處理。因而，容易進行第一常壓步驟的排液處理。

所述的基板處理方法中，較佳為在所述第一排液步驟中，將與所述腔室以及所述處理槽中的任一者連通連接的排液管向所述腔室外的大氣開放，通過所述排液管來將所述第一液排出至所述腔室外。在第一排液步驟中，排液管向腔室外的大氣開放。如上所述，在第一排液步驟中，腔室的內部處於常壓狀態。因而，在第一排液步驟中，容易通過排液管來將腔室內的第一液排出至腔室外。

此處，腔室內的第一液例如包含貯存在處理槽內的第一液。在排液管與處理槽連通連接的情況下，貯存在處理槽內的第一液通過排液管而排出至腔室外。腔室內的第一液例如包含從處理槽放出並積留在腔室內的第一液。在排液管與腔室連通連接的情況下，積留在腔室內的第一液通過排液管而排出至腔室外。

所述的基板處理方法中，較佳為在所述第一減壓步驟中，在所述腔室的內部經減壓的狀態下，將所述基板從所述第一液中提取到所述處理槽的上方。在第一減壓步驟中，直至基板從處理槽內的第一液中被提起時為止，處理槽貯存第一液。此處，在第一減壓步驟中，當基板從處理槽內的第一液中被提起時，腔室的內部處於已減壓的狀態。直至腔室的內部成為經減壓的狀態為止，處理槽貯存第一液。只要腔室的內部處於經減壓的狀態，便難以從腔室的內部向腔室的外部排出第一液。但是，第一加壓步驟是在第一減壓步驟之後且第一排液步驟之前執行。因此，容易執行第一排液步驟。這樣，在直至腔室的內部成為經減壓的狀態為止，處理槽貯存第一液的情況下，第一加壓步驟顯著有用。

所述的基板處理方法中，較佳為還包括：第一氣氛形成步驟，在所述第一減壓步驟之前，在將所述基板浸漬於所述第一液的狀態下，在所述腔室內形成所述第一氣體的氣氛。在第一減壓步驟中，自基板從處理槽內的第一液中被提起時開始，基板便曝露於第一氣體的氣氛中。因而，第一減壓步驟中的基板處理的品質得以較佳地提高。

所述的基板處理方法中，較佳為所述第一常壓步驟還包括在所述第一排液步驟之後將所述第二液供給至所述處理槽的供給步驟。供給步驟是在第一排液步驟之後執行。因此，在腔室內的第一液被排出至腔室外之後，將第二液供給至處理槽。因而，容易在供給步驟中將第二液供給至處理槽。供給步驟包含在第一常壓步驟中。因此，在供給步驟中，腔室的內部處於常壓狀態。因而，更容易在供給步驟中將第二液供給至處理槽。其結果，容易在供給步驟中使第二液貯存於處理槽中。藉由第一排液步驟與供給步驟的組合，容易在處理槽中從第一液置換為第二液。

所述的基板處理方法中，較佳為所述第一常壓步驟還包括將所述基板浸漬於貯存在所述處理槽內的所述第二液中的第二浸漬步驟。如上所述，在第一減壓步驟之後且第一常壓步驟之前，基板不會被乾燥。第一常壓步驟包含第二浸漬步驟。因而，在第二浸漬步驟中，基板以適當的品質受到處理。

另外，第二浸漬步驟的處理相當於第一常壓步驟的基板處理。因而，第一常壓步驟的基板處理是以適當的品質來進行。其結果，在第一常壓步驟中，可較佳地進行排液處理以及基板處理。

所述的基板處理方法中，較佳為從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述腔室內的氣氛包含有機溶劑。從第一加壓步驟直至基板被浸漬於第二液中為止，腔室內的氣氛中所含的有機溶劑潤濕基板。因而，從第一加壓步驟直至第二浸漬步驟為止，基板不會被乾燥。在第一減壓步驟之後且第二浸漬步驟之前，基板不會被乾燥。因此，在第二浸漬步驟中，基板以適當的品質受到處理。

所述的基板處理方法中，較佳為從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述混合氣體進而被供給至所述腔室內的所述基板。因此，從第一加壓步驟直至基板被浸漬於處理槽內的第二液中為止，腔室內的氣氛較佳地包含有機溶劑。

所述的基板處理方法中，較佳為在第二浸漬步驟中，進而將所述第二液排出至所述腔室外。第二浸漬步驟包含在第一常壓步驟中。因此，在第二浸漬步驟中，腔室的內部處於常壓狀態。因而，在第二浸漬步驟中，容易將腔室內的第二液排出至腔室外。

另外，在第二浸漬步驟中將第二液排出至腔室外相當於第一常壓步驟的排液處理。因而，容易進行第一常壓步驟的排液處理。

所述的基板處理方法中，較佳為在所述第二浸漬步驟中，所述第二液從所述處理槽溢出，且將從所述處理槽溢出的所述第二液排出至所述腔室外。在第二浸漬步驟中，容易將處理槽的第二液保持為潔淨。因而，第二浸漬步驟中的基板處理的品質較佳地提高。

所述的基板處理方法中，較佳為在所述第二浸漬步驟中，將與所述腔室以及所述處理槽中的任一者連通連接的排液管向所述腔室外的大氣開放，通過所述排液管來將所述第二液排出至所述腔室外。在第二浸漬步驟中，排液管向腔室外的大氣開放。如上所述，在第二浸漬步驟中，腔室的內部處於常壓狀態。因而，在第二浸漬步驟中，容易通過排液管來將腔室內的第二液排出至腔室外。

此處，腔室內的第二液例如包含貯存在處理槽內的第二液。在排液管與處理槽連通連接的情況下，貯存在處理槽內的第二液通過排液管而排出至腔室外。腔室內的第二液例如包含從處理槽放出並積留在腔室內的第二液。在排液管與腔室連通連接的情況下，積留在腔室內的第二液通過排液管而排出至腔室外。

所述的基板處理方法中，較佳為還包括：第二減壓步驟，在所述第一常壓步驟之後，在所述腔室的內部經減壓的狀態下，將所述基板浸漬於貯存在處理槽內的第二液中，所述處理槽被設置在所述腔室內。如上所述，在第一加壓步驟中，基板不會被乾燥。進而，在第一常壓步驟中，腔室的內部保持為常壓狀態。因此，在第一常壓步驟中，基板難以被乾燥。在第一常壓步驟之後，執行第二減壓步驟。因而，在第一減壓步驟之後且第二減壓步驟之前，基板難以被乾燥。因此，在第二減壓步驟中，容易以適當的品質來處理基板。

所述的基板處理方法中，較佳為從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述腔室內的氣氛包含有機溶劑。從第一加壓步驟直至基板被浸漬於第二液中為止，腔室內的氣氛中所含的有機溶劑潤濕基板。因而，從第一加壓步驟直至第二減壓步驟為止，基板不會被乾燥。在第一減壓步驟之後且第二減壓步驟之前，基板不會被乾燥。因此，第二減壓步驟中，基板以適當的品質受到處理。

所述的基板處理方法中，較佳為從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述混合氣體進而被供給至所述腔室內的所述基板。因此，從第一加壓步驟直至基板被浸漬於處理槽內的第二液中為止，腔室內的氣氛較佳地包含有機溶劑。

本發明是一種基板處理裝置，包括：腔室，收容多個基板；減壓單元，對所述腔室的內部進行減壓；第一供給單元，將包含有機溶劑的第一氣體供給至所述腔室內的所述基板；第二供給單元，將包含有機溶劑與惰性氣體的混合氣體供給至所述腔室內的所述基板；以及控制部，控制所述減壓單元、所述第一供給單元與所述第二供給單元，使它們執行第一減壓處理與第一加壓處理，在所述第一減壓處理中，所述減壓單元對所述腔室的內部進行減壓，且所述第一供給單元將所述第一氣體供給至所述基板，在所述第一加壓處理中，所述減壓單元不對所述腔室的內部進行減壓，且所述第二供給單元將所述混合氣體供給至所述基板。

控制部構成為，執行第一減壓處理與第一加壓處理。在第一減壓處理中，減壓單元對腔室的內部進行減壓。因此，在第一減壓處理中，腔室的內部處於經減壓的狀態。在第一減壓處理中，第一供給單元將第一氣體供給至腔室內的基板。第一氣體包含有機溶劑。第一氣體的有機溶劑附著於基板而潤濕基板。因此，在第一減壓步驟中，基板不會被乾燥。在第一加壓處理中，減壓單元不對腔室的內部進行減壓。在第一加壓處理中，第二供給單元將混合氣體供給至基板。混合氣體包含有機溶劑與惰性氣體。混合氣體的惰性氣體使腔室內的氣體的壓力迅速上升。混合氣體的有機溶劑附著於基板而潤濕基板。因此，在第一加壓處理中，基板不會被乾燥。在第一加壓處理中，不會使基板乾燥，而腔室的內部從經減壓的狀態迅速被加壓至常壓狀態。

如上所述，基板處理裝置能夠將腔室的內部從經減壓的狀態適當地加壓至常壓狀態。具體而言，基板處理裝置不會使基板乾燥，而能夠將腔室的內部從經減壓的狀態迅速加壓至常壓狀態。因此，即便在第一加壓處理之後對基板進行追加處理的情況下，也容易以適當的品質來進行追加處理。

以下，參照附圖來說明本發明的基板處理方法以及基板處理裝置。

＜1.第一實施方式＞ ＜1-1.基板處理裝置的概要＞ 圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置1的內部的正面圖。基板處理裝置1對基板W進行處理。基板處理裝置1所進行的處理包含乾燥處理。基板處理裝置1所進行的處理也可進而包含清洗處理。基板處理裝置1被分類為批次式。基板處理裝置1一次處理多片基板W。

基板W例如為半導體晶片、液晶顯示器用基板、有機電致發光（Electroluminescence，EL）用基板、平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用基板、光顯示器用基板、磁片用基板、光碟用基板、光磁片用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板。

基板W具有薄薄的平板形狀。基板W正視具有大致圓形狀。

基板W具有表面。基板W的表面包含矽氧化膜、多晶矽膜、矽氮化膜以及金屬膜中的至少任一種。

雖未圖示，但基板W具有圖案。圖案形成在基板W的表面。圖案具有凹凸形狀。將形成圖案的基板W的表面稱作圖案形成面。

基板處理裝置1包括腔室3。腔室3收容多個基板W。腔室3一次收容多個基板W。基板W被配置在腔室3的內部。具體而言，腔室3是劃分出空間5的容器。空間5相當於腔室3的內部。基板W被配置在空間5內。

腔室3是可開閉地構成。當腔室3打開時，空間5開放。當腔室3打開時，腔室3允許基板W在空間5與腔室3的外部之間移動。當腔室3關閉時，空間5被密閉。即，腔室3是可密閉地構成。

基板處理裝置1包括處理槽11。處理槽11被設置在腔室3內。處理槽11貯存處理液。處理槽11朝上方開放。

具體而言，處理槽11具有開口12a與排出口12b。開口12a被配置在處理槽11的上部。排出口12b被配置在處理槽11的底部。

基板處理裝置1包括保持部13。保持部13被設置在腔室3內。保持部13一次保持多個基板W。保持部13將各基板W保持為大致垂直姿勢。當保持部13保持基板W時，基板W的圖案形成面為大致鉛垂。當保持部13保持多個基板W時，多個基板W沿方向X排列成一列。方向X為水平。方向X相對於基板W的圖案形成面而大致垂直。

圖1除了方向X以外，還表示方向Y與方向Z。方向Y為水平。方向Y垂直於方向X。方向Z為鉛垂。方向Z垂直於方向X。方向Z垂直於方向Y。將方向Z適當地稱作鉛垂方向Z。

基板處理裝置1包括升降機構15。升降機構15使保持部13升降。升降機構15例如使保持部13沿鉛垂方向Z移動。當升降機構15使保持部13升降時，由保持部13所保持的基板W與保持部13一體地升降。

升降機構15使基板W移動至第一位置P1與第二位置P2。當基板W在第一位置P1與第二位置P2之間移動時，基板W通過開口12a。圖1中，以實線來表示處於第一位置P1的基板W。圖1中，以虛線來表示處於第二位置P2的基板W。第一位置P1位於腔室3內。第一位置P1位於處理槽11的上方。當基板W位於第一位置P1時，整個基板W不與處理槽11內的處理液接觸。第二位置P2位於腔室3內。第二位置P2位於第一位置P1的下方。第二位置P2位於處理槽11內。當基板W位於第二位置P2時，整個基板W被浸漬於處理槽11內的處理液中。

基板處理裝置1包括供給單元21、供給單元31、供給單元41、供給單元61。供給單元21將惰性氣體供給至腔室3。供給單元31將處理氣體供給至腔室3。供給單元41將混合氣體至腔室3。供給單元61將第一液以及第二液供給至處理槽11。

當基板W處於第一位置P1時，供給單元21將惰性氣體供給至基板W。當基板W處於第一位置P1時，供給單元31將處理氣體供給至基板W。當基板W處於第一位置P1時，供給單元41將混合氣體供給至基板W。

供給單元31為本發明中的第一供給單元的示例。供給單元41為本發明中的第二供給單元的示例。

供給單元21所供給的惰性氣體例如為氮氣。

對供給單元31所供給的處理氣體進行說明。處理氣體包含有機溶劑。處理氣體包含有機溶劑的氣體。例如，有機溶劑的氣體為有機溶劑的蒸氣。例如，處理氣體中的有機溶劑的濃度高。例如，處理氣體實質上僅包含有機溶劑的氣體。例如，處理氣體實質上不含水（水蒸氣）。較佳為處理氣體的有機溶劑具有親水性。例如，處理氣體的有機溶劑為異丙醇（Iso Propyl Alcohol，IPA）。

對供給單元41所供給的混合氣體進行說明。混合氣體包含有機溶劑與惰性氣體。混合氣體為有機溶劑與惰性氣體的混合物。混合氣體的有機溶劑例如為異丙醇（IPA）。混合氣體的惰性氣體例如為氮氣。

第一實施方式中，混合氣體包含有機溶劑的液體。即，混合氣體的有機溶劑為液相。混合氣體中的有機溶劑例如為有機溶劑的液滴或有機溶劑的液霧中的至少任一種。

對供給單元61所供給的第一液進行說明。例如，第一液為沖洗液。例如，第一液為純水（去離子水（De Ionized Water，DIW））。

對供給單元61所供給的第二液進行說明。第二液為被稀釋的有機溶劑。第二液例如是藉由純水而稀釋的有機溶劑。第二液例如是純水與有機溶劑的混合液。第二液的有機溶劑例如為異丙醇（IPA）。

例示供給單元21的結構。供給單元21具有噴出部22。噴出部22被設置在腔室3內。噴出部22配置在比處理槽11高的位置。噴出部22在方向Y上配置在位於第一位置P1的基板W的兩側。噴出部22將惰性氣體噴出至腔室3內。噴出部22包含管狀構件。管狀構件沿方向X延伸。管狀構件具有多個噴出口（未圖示）。多個噴出口沿方向X排列。噴出部22從多個噴出口吹出惰性氣體。

供給單元21包括配管23與閥24。配管23連接於噴出部22。配管23進而連接於供給源25。供給源25貯存惰性氣體。閥24被設於配管23。當閥24打開時，惰性氣體通過配管23而從供給源25流至噴出部22。當閥24打開時，噴出部22噴出惰性氣體。當閥24關閉時，惰性氣體不通過配管23從供給源25流至噴出部22。當閥24關閉時，噴出部22不噴出惰性氣體。

例示供給單元31的結構。供給單元31具有噴出部32。噴出部32被設置在腔室3內。噴出部32配置在比處理槽11高的位置。噴出部32在方向Y上配置在位於第一位置P1的基板W的兩側。噴出部32將處理氣體噴出至腔室3內。噴出部32例如具有與噴出部22的結構類似的結構。

供給單元31包括配管33與閥34。配管33連接於噴出部32。配管33進而連接於供給源35。供給源35貯存處理氣體。閥34被設於配管33。閥34控制噴出部32對處理氣體的噴出。

供給源35也可進一步生成處理氣體。儘管省略圖示，但供給源35例如包括貯槽與加熱器。貯槽與配管33連通連接。貯槽貯存有機溶劑的液體。加熱器對貯槽內的有機溶劑的液體進行加熱。在貯槽內中，有機溶劑的液體氣化而成為有機溶劑的蒸氣。即，在貯槽內生成處理氣體。

例示供給單元41的結構。供給單元41具有噴出部42。噴出部42被設置在腔室3內。噴出部42配置在比處理槽11高的位置。噴出部42在方向Y上配置在位於第一位置P1的基板W的兩側。噴出部42將混合氣體噴出至腔室3內。噴出部42包含多個（例如二十個）雙流體噴嘴。多個雙流體噴嘴沿方向X排列成兩列。各雙流體噴嘴將有機溶劑的液體與惰性氣體予以混合而生成混合氣體。例如，各雙流體噴嘴生成有機溶劑的液滴以及有機溶劑的液霧中的至少任一種。各雙流體噴嘴具有一個噴出口（未圖示）。各雙流體噴嘴從噴出口噴出混合氣體。各雙流體噴嘴從噴出口吹出有機溶劑與惰性氣體這兩者。各雙流體噴嘴從噴出口同時吹出有機溶劑與惰性氣體這兩者。各雙流體噴嘴並不獨立地吹出有機溶劑與惰性氣體。各雙流體噴嘴將有機溶劑的液滴以及有機溶劑的液霧中的至少任一種與惰性氣體一同予以噴射。

噴出部42為本發明中的第一噴出部的示例。

供給單元41包括配管43、配管47與閥44、閥48。配管43、配管47分別連接於噴出部42。配管43進而連接於供給源45。供給源45貯存有機溶劑的液體。閥44被設於配管43。閥44控制有機溶劑對噴出部42的供給。配管47進而連接於供給源49。供給源49貯存惰性氣體。閥48被設於配管47。閥48控制惰性氣體對噴出部42的供給。當閥44、閥48同時打開時，噴出部42噴出混合氣體。

例示供給單元61的結構。供給單元61具有噴出部62。噴出部62被設置在腔室3內。噴出部62被設置在處理槽11內。噴出部62將第一液以及第二液噴出至處理槽11。

供給單元61包括配管63與閥64。配管63連接於噴出部62。配管63進而連接於供給源65。供給源65貯存第一液。閥64被設於配管63。閥64控制噴出部62對第一液的噴出。同樣地，供給單元61包括配管67與閥68。配管67連接於噴出部62。配管67進而連接於供給源69。供給源69貯存第二液。閥68被設於配管67。閥68控制噴出部62對第二液的噴出。

基板處理裝置1包括減壓單元81。減壓單元81對腔室3的內部進行減壓。具體而言，減壓單元81將腔室3內的氣體排出至腔室3的外部。此處，當減壓單元81對腔室3的內部進行減壓時，腔室3內的氣體的壓力既可持續減少，也可不持續減少。當減壓單元81對腔室3的內部進行減壓時，腔室3內的氣體的壓力例如也可維持為規定的負壓範圍內。

例示減壓單元81的結構。減壓單元81包含配管82與排氣泵83。配管82以及排氣泵83被設在腔室3的外部。配管82與腔室3連通連接。排氣泵83被設於配管82。排氣泵83例如為真空泵。當減壓單元81運轉時，排氣泵83經由配管82來將腔室3內的氣體排出至腔室3的外部。當減壓單元81停止運轉時，排氣泵83不將腔室3內的氣體排出至腔室3的外部。

基板處理裝置1具有壓力感測器89。壓力感測器89被設置在腔室3內。壓力感測器89檢測腔室3內的氣體的壓力。

基板處理裝置1包括排液單元95。排液單元95將腔室3內的處理液排出至腔室3的外部。第一實施方式中，排液單元95將處理槽11內的處理液排出至腔室3的外部。排液單元95包括配管96與排放閥97。配管96與處理槽11連通連接。配管96具有第一端與第二端。配管96的第一端位於腔室3內。配管96的第一端與處理槽11連通連接。配管96的第一端連接於排出口12b。配管96從處理槽11朝下方延伸。配管96貫穿腔室3，從腔室3的內部延伸至腔室3的外部。配管96的第二端位於腔室3外。配管96的第二端向腔室3外的大氣開放。排放閥97被設於配管96。排放閥97對配管96進行開閉。當排放閥97打開時，配管96向腔室3的外部開放。當排放閥97打開時，處理槽11的內部通過配管96而向腔室3的外部開放。當排放閥97打開時，排液單元95允許處理槽11內的處理液通過配管96流出至腔室3的外部。當排放閥97關閉時，處理槽11的內部與腔室3的外部阻斷。當排放閥97關閉時，排液單元95允許處理槽11貯存處理液。

配管96為本發明中的排液管的示例。

圖2是基板處理裝置1的控制方塊圖。基板處理裝置1包括控制部101。控制部101對基板處理裝置1的各元件進行控制。具體而言，控制部101控制升降機構15。控制部101控制供給單元21、供給單元31、供給單元41、供給單元61。控制部101控制閥24、閥34、閥44、閥48、閥64、閥68。控制部101控制減壓單元81。控制部101控制排氣泵83。控制部101獲取壓力感測器89的檢測結果。控制部101控制排液單元95。控制部101控制排放閥97。

控制部101是藉由執行各種處理的中央運算處理裝置（中央處理器（Central Processing Unit，CPU））、作為運算處理的作業區域的隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）以及固定磁片等的儲存媒體等來實現。控制部101具有預先保存在儲存媒體中的各種資訊。控制部101所具有的資訊例如是用於對基板處理裝置1進行控制的處理資訊。處理資訊也被稱作處理程式庫。

處理資訊包含基準值。基準值與腔室3內的氣體的壓力相關。基準值是在基板處理方法的執行前預先設定。

＜1-2.基板處理裝置的動作例＞ 在與基板處理裝置1不同的裝置（未圖示）中，對基板W進行濕式蝕刻處理。濕式蝕刻處理例如是對基板W供給蝕刻液的處理。隨後，基板W被搬送至基板處理裝置1。腔室3打開。多個基板W進入腔室3內。保持部13接納多個基板W。在腔室3收容有基板W的狀態下，腔室3關閉。

在腔室3關閉的狀態下，基板處理裝置1對基板W執行基板處理方法。基板處理方法是一次處理收容在腔室3內的多個基板W。以下例示具體的基板處理方法。

圖3是表示第一實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。基板處理方法包括第一浸漬步驟、第一減壓步驟、第一加壓步驟、判定步驟、第一排液步驟、第二減壓步驟以及乾燥步驟。第一浸漬步驟、第一減壓步驟、第一加壓步驟、判定步驟、第一排液步驟、第二減壓步驟以及乾燥步驟是依此次序來執行。

圖4A是示意性地表示第一浸漬步驟中的基板處理裝置1的圖。圖4B是示意性地表示第一減壓步驟中的基板處理裝置1的圖。圖4C是示意性地表示第一加壓步驟中的基板處理裝置1的圖。圖4D是示意性地表示第一排液步驟中的基板處理裝置1的圖。圖4E是示意性地表示第二減壓步驟中的基板處理裝置1的圖。圖4A至圖4E分別簡潔地表示基板處理裝置1。例如，圖4A至圖4E分別省略了保持部13以及升降機構15的圖示。以下的說明中，基板處理裝置1的各元件藉由控制部101的控制來運行。

步驟S1：第一浸漬步驟 參照圖4A。處理槽11貯存從供給單元61供給的第一液L1。升降機構15使基板W移動到第二位置P2。基板W被浸漬於處理槽11內的第一液L1中。

步驟S2：第一減壓步驟（第一減壓處理） 參照圖4B。供給單元31將處理氣體供給至腔室3內。本說明書中，將在第一減壓步驟中供給至腔室3的處理氣體適當地稱作「第一氣體G1」。減壓單元81運轉。即，減壓單元81對腔室3的內部進行減壓。圖4B中的「VAC」表示減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部成為經減壓的狀態（decompressed state）D。當腔室的內部處於經減壓的狀態D時，腔室3內的氣體的壓力為負壓。在腔室3內形成第一氣體G1的氣氛。升降機構15使基板W從第二位置P2移動至第一位置P1。基板W從處理槽11內的第一液L1中被提起。在腔室3的內部經減壓的狀態D下，供給單元31將第一氣體G1供給至腔室3內的基板W。

基板W被曝露於第一氣體G1。第一氣體G1中所含的有機溶劑的氣體在基板W的表面結露。即，第一氣體G1中所含的有機溶劑的氣體在基板W的表面變為有機溶劑的液體。來源於第一氣體G1的有機溶劑的液體附著於基板W上而潤濕基板W。因此，基板W不會被乾燥。來源於第一氣體G1的有機溶劑去除基板W上的第一液L1。由於腔室3的內部處於經減壓的狀態D，因此在基板W上從第一液L1迅速置換為來源於第一氣體G1的有機溶劑。來源於第一氣體G1的有機溶劑覆蓋基板W的表面。

第一減壓步驟的處理為本發明中的第一減壓處理的示例。

步驟S3：第一加壓步驟（第一加壓處理） 參照圖4C。基板W位於第一位置P1。減壓單元81停止運轉。即，減壓單元81不對腔室3的內部進行減壓。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。具體而言，供給單元41生成混合氣體K，且將所生成的混合氣體K藉由噴出部42而供給至腔室3內。由此，腔室3的內部從經減壓的狀態D被加壓至常壓狀態J。具體而言，混合氣體K的惰性氣體將腔室3的內部從經減壓的狀態D迅速加壓至常壓狀態J。換言之，混合氣體K的惰性氣體使腔室3內的氣體的壓力迅速上升。這是因為，惰性氣體難以冷凝。

腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。基板W接受混合氣體K的有機溶劑。具體而言，混合氣體K中所含的有機溶劑的液體附著於基板W而潤濕基板W。混合氣體K中的有機溶劑的液體覆蓋基板W的表面。因此，基板W不會被乾燥。不會使基板W乾燥，而腔室3的內部成為常壓狀態（atmospheric pressure state）J。

對常壓狀態J進行說明。腔室3的內部為常壓狀態J是指：腔室3內的氣體的壓力為常壓。常壓並非特定的一個值，而是以兩個不同的值來規定的範圍。常壓比腔室3的內部處於經減壓的狀態D時的腔室3內的氣體的壓力高。常壓接近腔室3外部的氣體的壓力。例如，常壓與腔室3外部的氣體的壓力實質上相等。例如，常壓包含標準大氣壓（一大氣壓，101325 Pa）。

在第一加壓步驟中，升降機構15也可使基板W靜止在第一位置P1。或者，在第一加壓步驟中，升降機構15也可使基板W上下移動。例如，升降機構15也可在第一位置P1附近使基板W上下移動。例如，升降機構15也可使基板W沿鉛垂方向Z上下移動。或者，升降機構15也可進而包括使基板W擺動的未圖示的機構。升降機構15也可藉由所述機構來使基板W擺動。在基板W上下移動或擺動的情況下，整個基板W較佳地接受混合氣體K。在基板W上下移動或擺動的情況下，混合氣體K的有機溶劑更均勻地附著於基板W的整個表面。

第一加壓步驟的處理為本發明中的第一加壓處理的示例。

步驟S4：判定步驟 控制部101基於壓力感測器89的檢測結果來判定腔室3的內部是否已成為常壓狀態J。例如，控制部101基於壓力感測器89的檢測結果來獲取腔室3內的氣體的壓力的測量值。控制部101對測量值與基準值進行比較。當測量值小於基準值時，控制部101不判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J。當測量值為基準值以上時，控制部101判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J。若控制部101不判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J，則返回步驟S3，繼續第一加壓步驟。若控制部101判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J，則結束第一加壓步驟，前進至步驟S5。

步驟S5：第一排液步驟 ＜第一常壓步驟＞ 參照圖4D。基板W位於第一位置P1。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。減壓單元81處於停止中。腔室3的內部保持為常壓狀態J。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。排液單元95將腔室3內的第一液L1排出至腔室3外。具體而言，排放閥97將配管96向腔室3外的大氣開放。貯存在處理槽11內的第一液L1通過配管96而排出至腔室3外。這樣，第一液L1通過配管96而從腔室3的內部流出至腔室3的外部。

第一實施方式的第一排液步驟包含在本發明的第一常壓步驟中。

步驟S6：第二減壓步驟 參照圖4E。供給單元41供給混合氣體K。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。排放閥97關閉。供給單元61將第二液L2供給至處理槽11。處理槽11貯存第二液L2。升降機構15使基板W從第一位置P1移動至第二位置P2。基板W被浸漬在處理槽11內的第二液L2中。減壓單元81開始運轉。腔室3的內部從常壓狀態J成為經減壓的狀態D。

步驟S7：乾燥步驟 省略乾燥步驟的圖示。升降機構15使基板W從第二位置P2移動至第一位置P1。基板W從處理槽11內的第二液L2被提起。基板W位於第一位置P1。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元21將惰性氣體供給至基板W。惰性氣體去除基板W上的第二液L2。藉由從基板W去除第二液L2，從而基板W被乾燥。

在乾燥步驟之後，腔室3的內部受到加壓。例如，供給單元21供給惰性氣體，且減壓單元81停止運轉。由此，腔室3的內部從經減壓的狀態D成為常壓狀態J。

在腔室3成為常壓狀態J之後，腔室3開放。並且，腔室3內的基板W被搬出至腔室3外。

＜1-3.第一實施方式的效果＞ 基板處理方法包括第一減壓步驟與第一加壓步驟。在第一減壓步驟中，腔室3的內部處於經減壓的狀態，且將第一氣體G1供給至腔室3內的基板W。第一氣體G1包含有機溶劑。因此，在第一減壓步驟中，基板W不會被乾燥。第一加壓步驟是在第一減壓步驟之後執行。在第一加壓步驟中，將混合氣體K供給至腔室3內的基板W，且腔室3的內部從經減壓的狀態D被加壓至常壓狀態J。混合氣體K包含有機溶劑與惰性氣體。因此，在第一加壓步驟中，能夠將腔室3的內部從經減壓的狀態D適當地加壓至常壓狀態J。具體而言，在第一加壓步驟中，不會使腔室3內的基板W乾燥，而能夠將腔室3的內部從經減壓的狀態D迅速加壓至常壓狀態J。在第一加壓步驟中，基板W不會被乾燥。

基板處理方法包括第一排液步驟。第一排液步驟是在第一加壓步驟之後執行。在第一排液步驟中，腔室3的內部保持為常壓狀態J，且進行排液處理。當腔室3的內部處於常壓狀態J時，腔室3內的氣體的壓力接近腔室3外的氣體的壓力。因此，容易進行第一排液步驟中的排液處理。因而，第一排液步驟得以較佳地執行。

混合氣體K包含有機溶劑的液體。混合氣體K中的有機溶劑的液體附著於基板W的表面而較佳地潤濕基板W。因而，混合氣體K較佳地防止基板W被乾燥。

在第一加壓步驟中，生成混合氣體K，且將所生成的混合氣體K藉由噴出部42而供給至腔室3內。換言之，在第一加壓步驟中，混合氣體K並非在腔室3內生成。在第一加壓步驟中，惰性氣體與有機溶劑並非被獨立地供給至腔室3。因此，在第一加壓步驟中，供給至腔室3內的惰性氣體伴隨有機溶劑。在第一加壓步驟中，供給至腔室3內的惰性氣體未從有機溶劑分離。因此，基板W並非僅接受惰性氣體。基板W與惰性氣體一同接受有機溶劑。因而，在第一加壓步驟中，更切實地防止基板W的乾燥。例如，第一加壓步驟較佳地防止基板W具有被乾燥的部分。例如，在第一加壓步驟中，不僅基板W的整體性的乾燥，而且基板W的部分性的乾燥也得以較佳地防止。例如，在第一加壓步驟中，不僅基板W的整體性的乾燥，而且基板W的局部性的乾燥也得以較佳地防止。

基板處理方法還包括第一浸漬步驟。第一浸漬步驟是在第一減壓步驟之前執行。在第一浸漬步驟中，基板W被浸漬於貯存在處理槽11內的第一液L1中。處理槽11被設置在腔室3內。在第一排液步驟中，第一液L1被排出至腔室3外。如上所述，在第一排液步驟中，腔室3的內部保持為常壓狀態J。因而，在第一排液步驟中，容易將腔室3內的第一液L1排出至腔室3的外部。

在第一排液步驟中，配管96向腔室3外的大氣開放。配管96與處理槽11連通連接。如上所述，在第一排液步驟中，腔室3的內部處於常壓狀態J。因此，在第一排液步驟中，藉由第一液L1的自重，第一液L1通過配管96而從腔室3的內部流至腔室3的外部。在第一排液步驟中，第一液L1通過配管96而從腔室3的內部自然地流至腔室3的外部。在第一排液步驟中，不需要將第一液L1從腔室3的內部強制送至腔室3的外部。因而，在第一排液步驟中，容易通過配管96來將腔室3內的第一液L1排出至腔室3外。

基板處理方法包括第二減壓步驟。在第二減壓步驟中，腔室3的內部處於經減壓的狀態，且基板W被浸漬於貯存在處理槽11內的第二液L2中。如上所述，在第一加壓步驟中，基板W不會被乾燥。進而，在第一排液步驟中，腔室3的內部保持為常壓狀態J。因此，在第一排液步驟中，基板W難以被乾燥。第二減壓步驟是在第一排液步驟之後執行。因而，從第一加壓步驟直至第一排液步驟為止，基板W難以被乾燥。在第一減壓步驟之後且第二減壓步驟之前，基板W難以被乾燥。因此，在第二減壓步驟中，容易以適當的品質來處理基板W。

從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛包含有機溶劑。因此，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於第二液L2中為止，腔室3內的氣氛中所含的有機溶劑潤濕基板W。因而，從第一加壓步驟直至第二減壓步驟為止，基板W不會被乾燥。在第一減壓步驟之後且第二減壓步驟之前，基板W不會被乾燥。因此，在第二減壓步驟中，基板W以適當的品質受到處理。

從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11的第二液L2中為止，混合氣體K進而被供給至腔室3內的基板W。因此，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛較佳地包含有機溶劑。

基板處理裝置1包括腔室3、供給單元31、供給單元41、減壓單元81以及控制部101。腔室3收容多個基板W。供給單元31將第一氣體G1供給至腔室3內的基板W。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。減壓單元81對腔室3的內部進行減壓。控制部101控制供給單元31、供給單元41與減壓單元81，使它們執行第一減壓處理與第一加壓處理。在第一減壓處理中，減壓單元81對腔室3的內部進行減壓，且供給單元31將第一氣體G1供給至基板W。第一加壓處理是在第一減壓處理之後執行。在第一加壓處理中，減壓單元81不對腔室3的內部進行減壓，且供給單元41將混合氣體K供給至基板W。因此，第一加壓處理不會使基板W乾燥。第一加壓處理不會使基板W乾燥，而將腔室3的內部從經減壓的狀態D迅速加壓至常壓狀態J。因而，基板處理裝置1能夠將腔室3的內部從經減壓的狀態D適當地加壓至常壓狀態J。因此，在第一加壓處理之後，第二減壓步驟中的基板處理得以較佳地執行。

＜2.第二實施方式＞ 參照附圖來說明第二實施方式。另外，對於與第一實施方式相同的結構標注相同的符號，從而省略詳細說明。

＜2-1.基板處理裝置的概要＞ 圖5是表示第二實施方式的基板處理裝置1的內部的正面圖。

如上所述，混合氣體K包含有機溶劑與惰性氣體。第二實施方式中，混合氣體K包含有機溶劑的氣體。即，混合氣體K的有機溶劑為氣相。例如，混合氣體K中的有機溶劑的氣體為有機溶劑的蒸氣。例如，混合氣體K包含有機溶劑的蒸氣與惰性氣體。例如，混合氣體K的有機溶劑為異丙醇。例如，混合氣體K的惰性氣體為氮氣。

例示供給單元41的結構。供給單元41具有噴出部52。噴出部52被設置在腔室3內。噴出部52配置在比處理槽11高的位置。噴出部52在方向Y上配置在位於第一位置P1的基板W的兩側。噴出部52將混合氣體K噴出至腔室3內。噴出部52例如具有與噴出部22的結構類似的結構。

噴出部52為本發明中的第一噴出部的示例。

供給單元41包括配管53與閥54。配管53連接於噴出部52。配管53進而連接於供給源55。供給源55貯存混合氣體K。閥54被設於配管53。閥54控制噴出部52對混合氣體K的噴出。

供給源55也可進一步生成混合氣體K。儘管省略圖示，但供給源55例如包括貯槽與加熱器。貯槽與配管53連通連接。貯槽貯存有機溶劑的液體。貯槽進而貯存惰性氣體。加熱器對貯槽內的有機溶劑的液體進行加熱。在貯槽內中，有機溶劑的液體氣化而成為有機溶劑的蒸氣。在貯槽內，有機溶劑的蒸氣與惰性氣體經混合而成為混合氣體K。即，在貯槽內，生成混合氣體K。

第二實施方式中，供給單元61不供給第一液L1。因此，第二實施方式中，供給單元61不包括配管63、閥64與供給源65。

儘管省略圖示，但控制部101控制閥54。

＜2-2.基板處理裝置的動作例＞ 圖6是表示第二實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。基板處理方法包含步驟S11至步驟S15。基板處理方法包括第一減壓步驟、第一加壓步驟、判定步驟、第二浸漬步驟以及乾燥步驟。第一減壓步驟、第一加壓步驟、判定步驟、第二浸漬步驟以及乾燥步驟是依此次序來執行。

圖7A是示意性地表示第一減壓步驟中的基板處理裝置1的圖。圖7B是示意性地表示第一加壓步驟中的基板處理裝置1的圖。圖7C是示意性地表示第二浸漬步驟中的基板處理裝置1的圖。圖7D是示意性地表示乾燥步驟中的基板處理裝置1的圖。圖7A至圖7D分別簡潔地表示基板處理裝置1。

步驟S11：第一減壓步驟（第一減壓處理） 參照圖7A。基板W位於第一位置P1。減壓單元81對腔室3的內部進行減壓。腔室3的內部成為經減壓的狀態D。在腔室3的內部經減壓的狀態D下，供給單元31將第一氣體G1供給至腔室3內的基板W。基板W接受來源於第一氣體G1的有機溶劑。基板W不會被乾燥。

第一減壓步驟的處理為本發明中的第一減壓處理的示例。

步驟S12：第一加壓步驟（第一加壓處理） 參照圖7B。第二實施方式的第一加壓步驟與第一實施方式的第一加壓步驟實質上相同。總之，基板W位於第一位置P1。減壓單元81停止運轉，不對腔室3的內部進行減壓。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。具體而言，供給單元41生成混合氣體K，且將所生成的混合氣體K藉由噴出部52而供給至腔室3內。由此，腔室3的內部從經減壓的狀態D被加壓至常壓狀態J。

腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。基板W接受混合氣體K的有機溶劑。具體而言，混合氣體K中所含的有機溶劑的氣體在基板W的表面結露。即，混合氣體K中的有機溶劑的氣體在基板W的表面變為有機溶劑的液體。來源於混合氣體K的有機溶劑的液體附著於基板W上而潤濕基板W。來源於混合氣體K的有機溶劑的液體覆蓋基板W的表面。因此，基板W不會被乾燥。不會使基板W乾燥，而腔室3的內部成為常壓狀態J。

在第一加壓步驟中，升降機構15也可使基板W靜止在第一位置P1。或者，在第一加壓步驟中，升降機構15也可使基板W上下移動。例如，升降機構15也可在第一位置P1附近使基板W上下移動。例如，升降機構15也可使基板W沿鉛垂方向Z上下移動。或者，升降機構15也可進而包括使基板W擺動的未圖示的機構。升降機構15也可藉由所述機構來使基板W擺動。在基板W上下移動或擺動的情況下，整個基板W較佳地接受混合氣體K。在基板W上下移動或擺動的情況下，來源於混合氣體K的有機溶劑更均勻地附著於基板W的整個表面。

第一加壓步驟的處理為本發明中的第一加壓處理的示例。

步驟S13：判定步驟 控制部101基於壓力感測器89的檢測結果來判定腔室3的內部是否已成為常壓狀態J。若控制部101未判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J，則返回步驟S12，繼續第一加壓步驟。若控制部101判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J，則結束第一加壓步驟，前進至步驟S14。

步驟S14：第二浸漬步驟 ＜第一常壓步驟＞ 參照圖7C。減壓單元81處於停止中。腔室3的內部保持為常壓狀態J。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。供給單元41停止混合氣體K的供給。處理槽11貯存從供給單元61供給的第二液L2。升降機構15使基板W從第一位置P1移動至第二位置P2。基板W被浸漬在處理槽11內的第二液L2中。

第二實施方式的第二浸漬步驟包含在本發明的第一常壓步驟中。

步驟S15：乾燥步驟 參照圖7D。升降機構15使基板W從第二位置P2移動至第一位置P1。基板W從處理槽11內的第二液L2被提起。基板W位於第一位置P1。減壓單元81開始運轉，對腔室3的內部進行減壓。腔室3的內部從常壓狀態J成為經減壓的狀態D。供給單元21將惰性氣體N供給至基板W。惰性氣體去除基板W上的第二液L2。基板W被乾燥。

＜2-3.第二實施方式的效果＞ 藉由第二實施方式，起到與第一實施方式同樣的效果。例如，藉由第二實施方式的基板處理方法，也能夠將腔室3的內部從經減壓的狀態D適當地加壓至常壓狀態J。進而，根據第二實施方式，起到以下的效果。

混合氣體K包含有機溶劑的氣體。混合氣體K中的有機溶劑的氣體在基板W的表面結露，在基板W的表面變為有機溶劑的液體。來源於混合氣體K的有機溶劑較佳地潤濕基板W。因而，混合氣體K較佳地防止基板W被乾燥。

基板處理方法包括第二浸漬步驟。在第二浸漬步驟中，腔室3的內部保持為常壓狀態J，且基板W被浸漬於貯存在處理槽11內的第二液L2中。第二浸漬步驟是在第一加壓步驟之後執行。在第一加壓步驟中，基板不會被乾燥。因此，在第一減壓步驟之後且第二浸漬步驟之前，基板W不會被乾燥。因而，在第二浸漬步驟中，基板W以適當的品質受到處理。

從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛包含有機溶劑。因此，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛中所含的有機溶劑潤濕基板W。因而，從第一加壓步驟直至第二浸漬步驟為止，基板W不會被乾燥。在第一減壓步驟之後且第二浸漬步驟之前，基板W不會被乾燥。因此，在第二浸漬步驟中，基板W以適當的品質受到處理。

另外，在第二實施方式的第二浸漬步驟中，混合氣體K未被供給至腔室3內，但腔室3內的氣氛包含有機溶劑。其理由如下。在第一加壓步驟中，在腔室3內形成混合氣體K的氣氛。在第二浸漬步驟中，腔室3的內部未受到減壓。因此，在第二浸漬步驟中，混合氣體K的氣氛殘留在腔室3內。因而，在第二浸漬步驟中，腔室3的氣氛也包含混合氣體K的有機溶劑。

＜3.第三實施方式＞ 參照附圖來說明第三實施方式。另外，對於與第一實施方式相同的結構標注相同的符號，從而省略詳細說明。

＜3-1.基板處理裝置的概要＞ 圖8是表示第三實施方式的基板處理裝置1的內部的正面圖。基板處理裝置1包括供給單元71。供給單元71將疏水劑供給至腔室3。當基板W處於第一位置P1時，供給單元71將疏水劑供給至基板W。

對供給單元71所供給的疏水劑進行說明。疏水劑使基板W的表面疏水化。疏水劑將基板W的表面改性為疏水性。疏水劑使基板W的表面與水的接觸角變大。疏水劑在基板W的表面形成疏水膜。基板W的表面利用疏水劑而塗覆。疏水劑也被稱作表面改性劑。疏水劑也被稱作防水劑。

疏水劑例如包含矽系疏水劑以及金屬系疏水劑中的至少任一種。矽系疏水劑是使矽疏水化。矽系疏水劑是使包含矽的化合物疏水化。矽系疏水劑例如為矽烷偶聯劑。矽烷偶聯劑例如包含六甲基二矽氮烷（Hexamethyl Disilazane，HMDS）、四甲基矽烷（Tetramethylsilane，TMS）、氟烷基氯矽烷（fluorinated alkyl chlorosilane）、烷基二矽氮烷（alkyl disilazane）以及非氯系疏水劑中的至少一種。非氯系疏水劑例如包含二甲基矽烷基二甲胺（dimethylsilyl dimethylamine）、二甲基矽烷基二乙胺（dimethylsilyl diethylamine）、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷（tetramethyl disilazane）、雙(二甲氨基)二甲基矽烷（bis(dimethyl amino)dimethylsiloxane）、N,N-二甲氨基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲胺（N-(trimethylsilyl)dimethylamine）以及有機矽烷（organosilane）化合物中的至少一種。金屬系疏水劑是使金屬疏水化。金屬系疏水劑是使包含金屬的化合物疏水化。金屬系疏水劑例如包含具有疏水基的胺以及有機矽化合物中的至少一種。

疏水劑也可進而包含溶劑。例如，溶劑也可對矽系疏水劑以及金屬系疏水劑中的至少任一種進行稀釋。較佳為溶劑與有機溶劑具有相溶解性。溶劑例如包含異丙醇（Iso Propyl Alcohol，IPA）、丙二醇單甲醚乙酸酯（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate，PGMEA）中的至少任一種。

疏水劑包含疏水劑的氣體以及疏水劑的液體中的至少任一種。供給單元71供給疏水劑的氣體以及疏水劑的液體中的至少任一種。例如，疏水劑的氣體為疏水劑的蒸氣。

例示供給單元71的結構。供給單元71具有噴出部72。噴出部72被設置在腔室3內。噴出部72配置在比處理槽11高的位置。噴出部72在方向Y上配置在位於第一位置P1的基板W的兩側。噴出部72將疏水劑噴出至腔室3內。噴出部72例如具有與噴出部22的結構類似的結構。

供給單元71包括配管73與閥74。配管73連接於噴出部72。配管73進而連接於供給源75。供給源75貯存疏水劑。閥74被設於配管73。閥74控制噴出部72對疏水劑的噴出。

基板處理裝置1包括洩流單元（dump unit）91。洩流單元91放出處理槽11內的處理液。腔室3接受從處理槽11放出的處理液。從處理槽11放出的處理液積留在腔室3的底部。洩流單元91包括洩流閥92。洩流閥92被設置在腔室3的內部。洩流閥92被安裝在處理槽11的底部。洩流閥92與排出口12b連通連接。當洩流閥92打開時，洩流單元91允許處理液通過洩流閥92而從處理槽11的內部流落到處理槽11的外部。當洩流閥92關閉時，洩流單元91允許處理槽11貯存處理液。

排液單元95將腔室3內的處理液排出至腔室3的外部。第三實施方式中，排液單元95將積留在腔室3的底部的處理液排出至腔室3的外部。排液單元95除了排放閥97以外，還包括配管99。配管99被設在腔室3的外部。配管99與腔室3連通連接。配管99具有第一端與第二端。配管99的第一端與腔室3連通連接。配管99的第一端連接於腔室3的底部。配管99從腔室3朝下方延伸。配管99的第二端向腔室3外的大氣開放。排放閥97被設於配管99。排放閥97對配管99進行開閉。當排放閥97打開時，配管99向腔室3的外部開放。當排放閥97打開時，腔室3的內部通過配管99而向腔室3的外部開放。當排放閥97打開時，排液單元95允許腔室3內的處理液通過配管99而流至腔室3的外部。當排放閥97關閉時，腔室3的內部與腔室3的外部阻斷。當排放閥97關閉時，排液單元95允許腔室3的內部成為經減壓的狀態D。

配管99為本發明中的排液管的示例。

儘管省略圖示，但控制部101控制供給單元71。控制部101控制閥74。控制部101控制洩流單元91。控制部101控制洩流閥92。

＜3-2.基板處理裝置的動作例＞ 圖9、圖10是分別表示第三實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。基板處理方法包含步驟S21至步驟S38。步驟S21至步驟S27是依此次序來執行。步驟S28至步驟S29是在步驟S27之後且步驟S30之前執行。步驟S30至步驟S38是依此次序來執行。

圖11A至圖11E、圖12A至圖12E、圖13A至圖13E、圖14A至圖14B是分別示意性地表示步驟S21至步驟S30、步驟S32至步驟S38中的基板處理裝置1的圖。圖11A至圖11E等分別簡潔地表示基板處理裝置1。

步驟S21：第一供給步驟 參照圖11A。基板W位於第一位置P1。腔室3的內部處於常壓狀態J。供給單元61將第一液L1供給至處理槽11。洩流閥92被關閉。處理槽11貯存第一液L1。隨後，供給單元61停止第一液L1的供給。

步驟S22：第一浸漬步驟 參照圖11B。腔室3的內部處於常壓狀態J。升降機構15使基板W從第一位置P1移動至第二位置P2。基板W被浸漬於處理槽11內的第一液L1中。

步驟S23：氣氛形成步驟 參照圖11C。基板W位於第二位置P2，且被浸漬於處理槽11內的第一液L1中。供給單元21將惰性氣體N供給至腔室3內。減壓單元81開始運轉。排放閥97被關閉。腔室3的內部從常壓狀態J成為經減壓的狀態D。在將基板W浸漬於第一液L1中的狀態下，在腔室3內形成惰性氣體N的氣氛。

步驟S24：氣氛形成步驟（第一氣氛形成步驟） 參照圖11D。基板W位於第二位置P2，且被浸漬於處理槽11內的第一液L1中。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元21停止惰性氣體N的供給。供給單元31將第一氣體G1供給至腔室3內。在將基板浸漬於第一液L1中的狀態下，在腔室3內形成第一氣體G1的氣氛。

步驟S24的氣氛形成步驟為本發明中的第一氣氛形成步驟的示例。

步驟S25：第一氣體處理步驟（第一減壓步驟） 參照圖11E。減壓單元81正處於運轉中。即，減壓單元81對腔室3的內部進行減壓。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元31將第一氣體G1供給至腔室3內。升降機構15使基板W從第二位置P2移動至第一位置P1。在腔室3的內部經減壓的狀態D下，基板W從處理槽11內的第一液L1中被提起至處理槽11的上方。供給單元31將第一氣體G1供給至基板W。基板W接受來源於第一氣體G1的有機溶劑。來源於第一氣體G1的有機溶劑去除基板W上的第一液L1。來源於第一氣體G1的有機溶劑的液體覆蓋基板W的表面。

第一氣體處理步驟為本發明中的第一減壓步驟的示例。第一氣體處理步驟的處理為本發明中的第一減壓處理的示例。

步驟S26：洩流步驟 參照圖12A。基板W位於第一位置P1。供給單元31將第一氣體G1供給至腔室3內的基板W。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。洩流閥92打開。洩流單元91將第一液L1從處理槽11予以放出。排放閥97被關閉。第一液L1積留在腔室3的底部。

步驟S27：疏水處理步驟 參照圖12B。基板W位於第一位置P1。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元31停止第一氣體G1的供給。供給單元71將疏水劑H供給至腔室3內的基板W。疏水劑H附著於基板W。在基板W上，從來源於第一氣體G1的有機溶劑置換為疏水劑H。疏水劑H覆蓋基板W的表面。疏水劑H使基板W疏水化。

基板W上的疏水劑H的一部分變為疏水膜。疏水膜形成在基板W的表面。基板W上的疏水劑H的另一部分成為疏水劑H的未反應成分。疏水劑H的未反應成分未發生反應，而就此殘留在基板W上。疏水劑H的未反應成分也被稱作疏水劑H的殘留成分或者疏水劑H的剩餘成分。進而，基板W上的疏水劑H的另一部分有時會變為顆粒。顆粒也被稱作異物。來源於疏水劑H的顆粒例如是因疏水劑H與有機溶劑接觸而生成。來源於疏水劑H的顆粒例如是因疏水劑H與基板W接觸而生成。進而，疏水劑H的未反應成分有時會成為來源於疏水劑H的顆粒。

隨後，供給單元71停止疏水劑H的供給。

步驟S28：第二氣體處理步驟（第一減壓步驟/第一減壓處理） 參照圖12C。基板W位於第一位置P1。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元31將處理氣體供給至腔室3內的基板W。本說明書中，將在第二氣體處理步驟中供給至腔室3的處理氣體適當地稱作「第二氣體G2」。基板W接受來源於第二氣體G2的有機溶劑。來源於第二氣體G2的有機溶劑去除基板W上的未反應的疏水劑H。來源於第二氣體G2的有機溶劑去除基板W上的來源於疏水劑H的顆粒。來源於第二氣體G2的有機溶劑的液體覆蓋基板W的表面。隨後，供給單元31停止第二氣體G2的供給。

步驟S29：散布步驟（第一減壓步驟/第一減壓處理） 參照圖12D。基板W位於第一位置P1。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。基板W接受混合氣體K的有機溶劑。混合氣體K的有機溶劑去除基板W上的未反應的疏水劑H。混合氣體K的有機溶劑去除基板W上的來源於疏水劑H的顆粒。來源於混合氣體K的有機溶劑的液體覆蓋基板W的表面。

在散布步驟中，升降機構15也可使基板W靜止在第一位置P1。或者，在散布步驟中，升降機構15也可使基板W上下移動。例如，升降機構15也可在第一位置P1附近使基板W上下移動。例如，升降機構15也可使基板W沿鉛垂方向Z上下移動。或者，升降機構15也可進而包括使基板W擺動的未圖示的機構。升降機構15也可藉由所述機構來使基板W擺動。在基板W上下移動或擺動的情況下，整個基板W較佳地接受混合氣體K。在基板W上下移動或擺動的情況下，混合氣體K的有機溶劑更均勻地附著於基板W的整個表面。

此處，第二氣體處理步驟與散布步驟也可依照任意的順序來執行。例如，也可在第二氣體處理步驟之前執行散布步驟。例如，也可在第二氣體處理步驟之後執行散布步驟。例如，散布步驟也可與第二氣體處理步驟同時執行。

第二氣體處理步驟為本發明中的第一減壓步驟的示例。第二氣體處理步驟的處理為本發明中的第一減壓處理的示例。散布步驟為本發明中的第一減壓步驟的示例。散布步驟的處理為本發明中的第一減壓處理的示例。

步驟S30：第一加壓步驟（第一加壓處理） 參照圖12E。第三實施方式的第一加壓步驟與第一實施方式的第一加壓步驟實質上相同。總之，基板W位於第一位置P1。減壓單元81停止運轉，不對腔室3的內部進行減壓。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。由此，腔室3的內部從經減壓的狀態D被加壓至常壓狀態J。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。基板W接受混合氣體K的有機溶劑。因此，基板W不會被乾燥。

在第一加壓步驟中，升降機構15也可使基板W靜止在第一位置P1。或者，在第一加壓步驟中，升降機構15也可使基板W上下移動或擺動。

第一加壓步驟的處理為本發明中的第一加壓處理的示例。

步驟S31：判定步驟 控制部101基於壓力感測器89的檢測結果來判定腔室3的內部是否已成為常壓狀態J。若控制部101未判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J，則返回步驟S30，繼續第一加壓步驟。若控制部101判定為腔室3的內部已成為常壓狀態J，則結束第一加壓步驟，前進至步驟S32。

步驟S32：第一排液步驟 ＜第一常壓步驟＞ 參照圖13A。基板W位於第一位置P1。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。減壓單元81處於停止中。腔室3的內部保持為常壓狀態J。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。排液單元95將腔室3內的第一液L1排出至腔室3外。具體而言，排放閥97將配管99向腔室3外的大氣開放。積留在腔室3底部的第一液L1通過配管99而排出至腔室3外。這樣，第一液L1通過配管99而從腔室3的內部流至腔室3的外部。

第三實施方式的第一排液步驟包含在本發明的第一常壓步驟中。

步驟S33：第二供給步驟 ＜第一常壓步驟＞ 參照圖13B。基板W位於第一位置P1。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。減壓單元81處於停止中。腔室3的內部保持為常壓狀態J。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。洩流閥92關閉。供給單元61將第二液L2供給至處理槽11。處理槽11貯存第二液L2。

第二供給步驟為本發明中的供給步驟的示例。第二供給步驟包含在本發明的第一常壓步驟中。

步驟S34：第二浸漬步驟 ＜第一常壓步驟＞ 參照圖13C。供給單元41將混合氣體K供給至腔室3內的基板W。減壓單元81處於停止中。腔室3的內部保持為常壓狀態J。腔室3內的氣氛包含混合氣體K的有機溶劑。升降機構15使基板W從第一位置P1移動至第二位置P2。基板W被浸漬在處理槽11內的第二液L2中。第二液L2對基板W進行清洗。例如，第二液L2去除基板W上的未反應的疏水劑H。例如，第二液L2去除基板W上的來源於疏水劑H的顆粒。

排液單元95將腔室3內的第二液L2排出至腔室3外。排液單元95將從處理槽11溢出的第二液L2排出至腔室3外。具體而言，供給單元61持續向處理槽11供給第二液L2。洩流閥92關閉。第二液L2從處理槽11的開口12a溢出。當第二液L2從處理槽11溢出時，從基板W被去除的疏水劑H也從處理槽11溢出。當第二液L2從處理槽11溢出時，從基板W被去除的來源於疏水劑H的顆粒也從處理槽11溢出。從處理槽11溢出的第二液L2積留在腔室3的底部。排放閥97打開。配管99向腔室3外的大氣開放。積留在腔室3底部的第二液L2通過配管99而流至腔室3外。

第三實施方式的第二浸漬步驟包含在本發明的第一常壓步驟中。

步驟S35：氣氛形成步驟 參照圖13D。基板W位於第二位置P2，且被浸漬在處理槽11內的第二液L2中。供給單元61停止第二液L2的供給。排放閥97關閉。供給單元41停止混合氣體K的供給。供給單元31將處理氣體供給至腔室3內。本說明書中，將在第二浸漬步驟之後供給至腔室3的處理氣體適當地稱作「第三氣體G3」。減壓單元81開始運轉。腔室3的內部從常壓狀態J成為經減壓的狀態D。在腔室3內形成第三氣體G3的氣氛。

步驟S36：第三氣體處理步驟 參照圖13E。供給單元31將第三氣體G3供給至腔室3內。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。升降機構15使基板W從第二位置P2移動至第一位置P1。基板W從處理槽11內的第二液L2被提起。供給單元31將第三氣體G3供給至基板W。基板W接受來源於第三氣體G3的有機溶劑。來源於第三氣體G3的有機溶劑去除基板W上的第二液L2。來源於第三氣體G3的有機溶劑的液體覆蓋基板W的表面。

步驟S37：乾燥步驟 參照圖14A。基板W位於第一位置P1。減壓單元81正處於運轉中。腔室3的內部保持為經減壓的狀態D。供給單元31停止第三氣體G3的供給。供給單元21供給惰性氣體N。惰性氣體N去除基板W上的有機溶劑。基板W被乾燥。

步驟S38：第二加壓步驟 參照圖14B。基板W位於第一位置P1。供給單元21供給惰性氣體N。減壓單元81停止運轉。腔室3的內部從經減壓的狀態D被加壓至常壓狀態J。

＜3-3.第三實施方式的效果＞ 藉由第三實施方式，起到與第一實施方式同樣的效果。例如，藉由第三實施方式的基板處理方法，也能夠將腔室3的內部從經減壓的狀態D適當地加壓至常壓狀態J。進而，根據第三實施方式，起到以下的效果。

如上所述，第一氣體處理步驟（S25）為本發明中的第一減壓步驟的示例。在第一氣體處理步驟中，在腔室3的內部經減壓的狀態D下，基板W從第一液L1被提起至處理槽11的上方。因此，在第一氣體處理步驟中，直至基板W從處理槽11內的第一液L1中被提起時為止，處理槽11貯存第一液L1。此處，在第一氣體處理步驟中，當基板W從處理槽11內的第一液L1中被提起時，腔室3的內部處於已經減壓的狀態D。直至腔室3的內部成為經減壓的狀態D為止，處理槽11貯存第一液L1。只要腔室3的內部處於經減壓的狀態D，便難以從腔室3的內部將第一液L1排出至腔室3的外部。但是，第一加壓步驟是在第一氣體處理步驟之後且第一排液步驟之前執行。因此，容易執行第一排液步驟。這樣，在直至腔室3的內部成為經減壓的狀態D為止，處理槽11貯存第一液L1的情況下，第一加壓步驟顯著有用。

基板處理方法包括步驟S24的氣氛形成步驟。此處，將步驟S24的氣氛形成步驟稱作第一氣氛形成步驟。第一氣氛形成步驟是在第一氣體處理步驟（S25）之前執行。在第一氣氛形成步驟中，基板W被浸漬於第一液L1中，且在腔室3內形成第一氣體G1的氣氛。因此，在第一氣體處理步驟中，從基板W從處理槽11內的第一液L1中被提起時開始，基板W便曝露於第一氣體G1的氣氛中。因而，第一氣體處理步驟中的基板處理的品質得以較佳地提高。

基板處理方法包括第二供給步驟（S33）。第二供給步驟是在第一排液步驟之後執行。在第二供給步驟中，腔室3的內部保持為常壓狀態J，且將第二液L2供給至處理槽11。因此，在腔室3內的第一液L1被排出至腔室3外之後，將第二液L2供給至處理槽11。因而，容易在第二供給步驟中將第二液L2供給至處理槽11。進而，在第二供給步驟中，腔室3的內部處於常壓狀態J。因而，更容易在第二供給步驟中將第二液L2供給至處理槽11。其結果，容易在第二供給步驟中使第二液L2貯存於處理槽11中。藉由第一排液步驟與第二供給步驟的組合，容易在處理槽11中從第一液L1置換為第二液L2。

在第一加壓步驟（S30）之後，執行第二浸漬步驟（S34）。在第二浸漬步驟中，基板W被浸漬於處理槽11的第二液L2中。從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11的第二液L2中為止，混合氣體K進而被供給至腔室3內的基板W。因此，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛較佳地包含有機溶劑。因而，從第一加壓步驟直至第二浸漬步驟為止，基板W不會被乾燥。在第一減壓步驟之後且第二浸漬步驟之前，基板W不會被乾燥。因此，在第二浸漬步驟中，基板W以適當的品質受到處理。

在第二浸漬步驟中，進而，第二液L2被排出至腔室3外。在第二浸漬步驟中，腔室3的內部處於常壓狀態J。因而，在第二浸漬步驟中，容易將腔室3內的第二液L2排出至腔室3外。

在第二浸漬步驟中，第二液L2從處理槽11溢出，且從處理槽11溢出的第二液L2被排出至腔室3外。因此，在第二浸漬步驟中，容易將處理槽11內的第二液L2保持為潔淨。因而，第二浸漬步驟中的基板處理的品質較佳地提高。

在第二浸漬步驟中，配管99向腔室3外的大氣開放。配管99與腔室3連通連接。如上所述，在第二浸漬步驟中，腔室3的內部處於常壓狀態J。因此，在第二浸漬步驟中，藉由第二液L2的自重，第二液L2通過配管99而從腔室3的內部流至腔室3的外部。在第二浸漬步驟中，第二液L2通過配管99而從腔室3的內部自然流至腔室3的外部。在第二浸漬步驟中，不需要將第二液L2從腔室3的內部強制送至腔室3的外部。因而，在第二浸漬步驟中，容易通過配管99而將腔室3內的第二液L2排出至腔室3外。

本發明並不限於第一實施方式至第三實施方式，而能夠像下述那樣進行變形實施。

（1）第一實施方式、第三實施方式中，混合氣體K包含有機溶劑的液體。第二實施方式中，混合氣體K包含有機溶劑的氣體。但並不限於此。混合氣體K也可包含有機溶劑的氣體以及有機溶劑的液體中的至少任一種。藉由本變形實施方式，來源於混合氣體K的有機溶劑也較佳地潤濕基板W。因而，混合氣體K較佳地防止基板W被乾燥。

（2）第一實施方式至第三實施方式中，混合氣體K包含有機溶劑。此處，混合氣體K中所含的有機溶劑也可為被稀釋的有機溶劑。例如，混合氣體K中所含的有機溶劑是藉由純水而稀釋的有機溶劑。

或者，混合氣體K中所含的有機溶劑也可為未被稀釋的有機溶劑。例如，混合氣體K中所含的有機溶劑實質上僅包含有機溶劑的液體。例如，混合氣體K中所含的有機溶劑為有機溶劑的原液。例如，混合氣體K中所含的有機溶劑實質上不含水。

（3）第一實施方式至第三實施方式中，例示了將混合氣體K供給至腔室3內的期間。但並不限於此。也可變更將混合氣體K供給至腔室3內的期間。

第一實施方式中，從第一加壓步驟（S3）直至第二減壓步驟（S6）為止，將混合氣體K供給至腔室3內。但並不限於此。例如，也可從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，將混合氣體K供給至腔室3內。也可在基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中之後，停止混合氣體K的供給。根據本變形實施方式，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。

第二實施方式的第二浸漬步驟（S14）中，未將混合氣體K供給至腔室3內。但並不限於此。例如也可在第二浸漬步驟（S14）中將混合氣體K供給至腔室3。根據本變形實施方式，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。從第一加壓步驟直至第二浸漬步驟為止，腔室3內的氣氛較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。

或者，也可從第一加壓步驟（S12）直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，將混合氣體K供給至腔室3內。也可在基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中之後，停止混合氣體K的供給。藉由本變形實施方式，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛也較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。

第三實施方式中，從第一加壓步驟（S30）直至第二浸漬步驟（S34）為止，將混合氣體K供給至腔室3內。但並不限於此。例如也可從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，將混合氣體K供給至腔室3內。也可在基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中之後，停止混合氣體K的供給。根據本變形實施方式，從第一加壓步驟直至基板W被浸漬於處理槽11內的第二液L2中為止，腔室3內的氣氛較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。

或者，也可在第一加壓步驟（S30）之後停止混合氣體K的供給。即，在第一排液步驟（S32）、第二供給步驟（S33）與第二浸漬步驟（S34）中，也可不將混合氣體K供給至腔室3內。藉由本變形實施方式，從第一加壓步驟直至第二浸漬步驟為止，腔室3內的氣氛也較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。在本變形實施方式的情況下，在第一加壓步驟中，在腔室3內形成混合氣體K的氣氛。在第一排液步驟、第二供給步驟與第二浸漬步驟中，腔室3的內部未受到減壓。在第一排液步驟、第二供給步驟與第二浸漬步驟中，腔室3內的氣體未排出至腔室3的外部。因此，在第一加壓步驟之後，直至第二浸漬步驟為止，混合氣體K的氣氛仍殘留在腔室3內。因而，藉由本變形實施方式，從第一加壓步驟直至第二浸漬步驟為止，腔室3內的氣氛也較佳地包含混合氣體K的有機溶劑。

（4）第一實施方式中，排液單元95的配管96與處理槽11連通連接。第一實施方式的第一排液步驟（S5）中，處理槽11內的第一液L1通過配管96而排出至腔室3外。但並不限於此。例如，配管96也可與腔室3連通連接。例如，配管96也可變更為與第三實施方式的配管99類似的結構。例如，在第一實施方式的第一排液步驟中，積留在腔室3內的第一液L1也可通過配管96而排出至腔室3外。

（5）第三實施方式中，排液單元95的配管99與腔室3連通連接。第三實施方式的第一排液步驟（S32）中，積留在腔室3內的第一液L1通過配管99而排出至腔室3外。第三實施方式的第二浸漬步驟（S34）中，積留在腔室3內的第二液L2通過配管99而排出至腔室3外。但並不限於此。例如，配管99也可與處理槽11連通連接。例如，配管99也可變更為與第一實施方式的配管96類似的結構。例如，在第三實施方式的第一排液步驟中，處理槽11內的第一液L1也可通過配管99而排出至腔室3外。例如，在第三實施方式的第二浸漬步驟中，處理槽11內的第二液L2也可通過配管99而排出至腔室3外。

（6）第一實施方式、第三實施方式中，作為供給至處理槽11的第一液L1，例示了沖洗液以及純水。但並不限於此。例如，第一液L1也可為被稀釋的有機溶劑。例如，第一液L1也可為藉由純水而稀釋的有機溶劑。

（7）第一實施方式至第三實施方式中，作為供給至處理槽11的第二液L2，例示了被稀釋的有機溶劑。但並不限於此。例如，第二液L2也可為沖洗液。例如，第二液L2也可為純水。

（8）第一實施方式至第三實施方式中，例示了供給單元21、供給單元31、供給單元41、供給單元61、供給單元71的結構。但並不限於此。也可適當變更供給單元21、供給單元31、供給單元41、供給單元61、供給單元71的結構。

第一實施方式至第三實施方式中，惰性氣體N、第一氣體G1、混合氣體K、疏水劑H是從互不相同的噴出部22、噴出部32、噴出部42、噴出部52、噴出部72噴出。但並不限於此。惰性氣體N、第一氣體G1、混合氣體K以及疏水劑H中的至少兩種也可從相同的噴出部噴出。

供給單元61將所生成的第二液L2供給至處理槽11。但並不限於此。供給單元61也可在處理槽11內生成第二液L2。例如，供給單元61也可將未被稀釋的有機溶劑與純水獨立地供給至處理槽11。

在第三實施方式的散布步驟（S29）中，混合氣體K被散布至腔室3內的基板W。但並不限於此。例如，在散布步驟中，也可將第三液散布至腔室3內的基板W。例如，在散布步驟中，第三液也可不伴隨惰性氣體而散布。例如，在散布步驟中，第三液也可藉由噴淋頭噴嘴來散布。此處，第三液例如包含有機溶劑的液體。

（9）對於第一實施方式至第三實施方式以及所述（1）至（8）中說明的各變形實施方式，也可進一步將各結構置換為其他變形實施方式的結構或者組合至其他變形實施方式的結構等，從而進行適當變更。

本發明可不脫離其思想或本質而以其他的具體形態來實施，因此，作為表示發明範圍的內容，應參照附加的申請專利範圍而非以上的說明。

1:基板處理裝置 3:腔室 5:空間 11:處理槽 12a:開口 12b:排出口 13:保持部 15:升降機構 21、61、71:供給單元 22、32、62、72:噴出部 23、33、43、47、53、63、67、73、82:配管 24、34、44、48、54、64、68、74:閥 25、35、45、49、55、65、69、75:供給源 31:供給單元（第一供給單元） 41:供給單元（第二供給單元） 42:噴出部（第一噴出部） 52:噴出部（第一噴出部） 81:減壓單元 83:排氣泵 89:壓力感測器 91:洩流單元 92:洩流閥 95:排液單元 96、99:配管（排液管） 97:排放閥 101:控制部 D:經減壓的狀態 G1:第一氣體 G2:第二氣體 G3:第三氣體 H:疏水劑 J:常壓狀態 K:混合氣體 L1:第一液 L2:第二液 N:惰性氣體 P1:第一位置 P2:第二位置 S1～S7、S11～S15、S21～S29、S30～S38:步驟 W:基板 X、Y、Z:方向

為了說明發明，圖示了當前認為較佳的若干個形態，但應理解的是，發明並不限定於圖示般的結構以及對策。 圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置的內部的正面圖。 圖2是基板處理裝置的控制方塊圖。 圖3是表示第一實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。 圖4A至圖4E是分別示意性地表示進行第一實施方式的基板處理方法的基板處理裝置的圖。 圖5是表示第二實施方式的基板處理裝置的內部的正面圖。 圖6是表示第二實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。 圖7A至圖7D是分別示意性地表示進行第二實施方式的基板處理方法的基板處理裝置的圖。 圖8是表示第三實施方式的基板處理裝置的內部的正面圖。 圖9是表示第三實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。 圖10是表示第三實施方式的基板處理方法的流程的流程圖。 圖11A至圖11E是分別示意性地表示進行第三實施方式的基板處理方法的基板處理裝置的圖。 圖12A至圖12E是分別示意性地表示進行第三實施方式的基板處理方法的基板處理裝置的圖。 圖13A至圖13E是分別示意性地表示進行第三實施方式的基板處理方法的基板處理裝置的圖。 圖14A至圖14B是分別示意性地表示進行第三實施方式的基板處理方法的基板處理裝置的圖。

S1~S7:步驟

Claims (20)

1. 一種基板處理方法，一次處理收容在一個腔室內的多個基板，所述基板處理方法包括： 第一減壓步驟，在所述腔室的內部經減壓的狀態下，將包含有機溶劑的第一氣體供給至所述腔室內的所述基板； 第一加壓步驟，在所述第一減壓步驟之後，將包含有機溶劑與惰性氣體的混合氣體供給至所述腔室內的所述基板，且將所述腔室的內部從經減壓的狀態加壓至常壓狀態；以及 第一常壓步驟，在所述第一加壓步驟之後，將所述腔室的內部保持為常壓狀態，且進行排液處理以及基板處理中的至少任一種。
2. 如請求項1所述的基板處理方法，其中 所述混合氣體包含所述有機溶劑的氣體以及所述有機溶劑的液體中的至少任一種。
3. 如請求項1所述的基板處理方法，其中 在所述第一加壓步驟中，生成所述混合氣體，且將所生成的所述混合氣體藉由第一噴出部而供給至所述腔室內。
4. 如請求項1所述的基板處理方法，其中 在所述第一加壓步驟中，進而在所述腔室內使所述基板上下移動或擺動。
5. 如請求項1所述的基板處理方法，還包括： 第一浸漬步驟，在所述第一減壓步驟之前，將所述基板浸漬於貯存在處理槽內的第一液中，所述處理槽被設置在所述腔室內， 所述第一常壓步驟還包括 將所述第一液排出至所述腔室外的第一排液步驟。
6. 如請求項5所述的基板處理方法，其中 在所述第一排液步驟中，將與所述腔室以及所述處理槽中的任一者連通連接的排液管向所述腔室外的大氣開放，通過所述排液管來將所述第一液排出至所述腔室外。
7. 如請求項5所述的基板處理方法，其中 在所述第一減壓步驟中，在所述腔室的內部經減壓的狀態下，將所述基板從所述第一液中提取到所述處理槽的上方。
8. 如請求項7所述的基板處理方法，還包括： 第一氣氛形成步驟，在所述第一減壓步驟之前，在將所述基板浸漬於所述第一液的狀態下，在所述腔室內形成所述第一氣體的氣氛。
9. 如請求項5所述的基板處理方法，其中 所述第一常壓步驟還包括 在所述第一排液步驟之後將第二液供給至所述處理槽的供給步驟。
10. 如請求項9所述的基板處理方法，其中 所述第一常壓步驟還包括 將所述基板浸漬於貯存在所述處理槽內的所述第二液中的第二浸漬步驟。
11. 如請求項10所述的基板處理方法，其中 從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述腔室內的氣氛包含有機溶劑。
12. 如請求項11所述的基板處理方法，其中 從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述混合氣體進而被供給至所述腔室內的所述基板。
13. 如請求項10所述的基板處理方法，其中 在第二浸漬步驟中，進而將所述第二液排出至所述腔室外。
14. 如請求項1所述的基板處理方法，其中 所述第一常壓步驟還包括 將所述基板浸漬於貯存在處理槽內的第二液中的第二浸漬步驟，所述處理槽被設置在所述腔室內。
15. 如請求項14所述的基板處理方法，其中 在所述第二浸漬步驟中，進而將所述第二液排出至所述腔室外。
16. 如請求項15所述的基板處理方法，其中 在所述第二浸漬步驟中，所述第二液從所述處理槽溢出，且將從所述處理槽溢出的所述第二液排出至所述腔室外。
17. 如請求項15所述的基板處理方法，其中 在所述第二浸漬步驟中，將與所述腔室以及所述處理槽中的任一者連通連接的排液管向所述腔室外的大氣開放，通過所述排液管來將所述第二液排出至所述腔室外。
18. 如請求項1所述的基板處理方法，還包括： 第二減壓步驟，在所述第一常壓步驟之後，在所述腔室的內部經減壓的狀態下，將所述基板浸漬於貯存在處理槽內的第二液中，所述處理槽被設置在所述腔室內。
19. 如請求項18所述的基板處理方法，其中 從所述第一加壓步驟直至所述基板被浸漬於所述第二液中為止，所述腔室內的氣氛包含有機溶劑。
20. 一種基板處理裝置，包括： 腔室，收容多個基板； 減壓單元，對所述腔室的內部進行減壓； 第一供給單元，將包含有機溶劑的第一氣體供給至所述腔室內的所述基板； 第二供給單元，將包含有機溶劑與惰性氣體的混合氣體供給至所述腔室內的所述基板；以及 控制部，控制所述減壓單元、所述第一供給單元與所述第二供給單元，使它們執行第一減壓處理與第一加壓處理， 在所述第一減壓處理中，所述減壓單元對所述腔室的內部進行減壓，且所述第一供給單元將所述第一氣體供給至所述基板， 在所述第一加壓處理中，所述減壓單元不對所述腔室的內部進行減壓，且所述第二供給單元將所述混合氣體供給至所述基板。

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