TW202313220A - 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種開合式遮蔽機構,主要包括一第一及一第二遮蔽板、至少一驅動馬達、一軸封裝置及兩個感測單元,其中驅動馬達透過軸封裝置的外管體及軸體分別連接第一及第二遮蔽板,並驅動第一及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換。兩個感測單元分別用以感測外管體轉動至一第一位置及一第二位置,其中外管體轉動到第一位置時第一遮蔽板操作在開啟狀態,而外管體轉動到第二位置時第一遮蔽板則操作在遮蔽狀態。透過感測單元使用可得知驅動馬達是否確實透過外管體帶動第一遮蔽板操作在遮蔽狀態,可避免發生遮蔽板未操作在預設狀態的情形。
Description
本發明有關於一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台,主要透過感測單元感測軸封裝置的外管體及/或軸體的轉動角度,以確認遮蔽板是否正確操作在遮蔽狀態及開啟狀態。
化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備,並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。
沉積設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤,其中晶圓承載盤位於腔體內,並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例,腔體內需要設置一靶材,其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時,可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內,分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓,並透過晶圓承載盤加熱承載的晶圓。
腔體內的惰性氣體因為高壓電場的作用,形成離子化的惰性氣體,離子化的惰性氣體會受到靶材上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子受到晶圓承載盤上的偏壓吸引,並沉積在加熱的晶圓的表面,以在晶圓的表面形成薄膜。
在經過一段時間的使用後,腔體的內表面會形成沉積薄膜,因此需要週期性的清潔腔體,以避免沉積薄膜在製程中掉落,進而汙染晶圓。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他汙染物,因此同樣需要週期性的清潔靶材。一般而言,通常會透過預燒(burn-in)製程,以電漿離子撞擊腔體內的靶材,以去除靶材表面的氧化物或其他汙染物。
在進行上述清潔腔體及靶材時,需要將腔體內的晶圓承載盤及晶圓取出,或者隔離晶圓承載盤,以避免清潔過程中汙染晶圓承載盤及晶圓。
一般而言,薄膜沉積機台在經過一段時間的使用後,通常需要進行清潔,以去除腔室內沉積的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清潔的過程中產生的微粒會汙染承載盤,因此需要隔離承載盤及汙染物。本發明提出一種開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台,主要透過驅動裝置帶動兩個遮蔽板朝相反方向擺動,使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。
在清潔反應腔體時,驅動裝置帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互靠近,使得兩個遮蔽板相靠近並遮擋容置空間內的承載盤,以避免清潔過程中使用的電漿或產生的污染接觸承載盤及/或其承載的基板。在進行沉積製程時,驅動裝置帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互遠離,以對反應腔體內的基板進行薄膜沉積。
本發明的一目的,在於提供一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台,主要包括一反應腔體、一承載盤及一開合式遮蔽機構。開合式遮蔽機構包括一驅動裝置、兩個遮蔽板、兩個第一感測單元及兩個第一感測單元,其中驅動裝置連接並驅動兩個遮蔽板分別朝相反方向擺動,使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。
驅動裝置包括兩個驅動馬達及一軸封裝置,其中兩個驅動馬達分別透過軸封裝置的外管體及軸體帶動兩個遮蔽板轉動。兩個第一感測單元與外管體相鄰,並分別用以感測外管體轉動至一第一位置(或第一角度)及一第二位置(或第二角度)。兩個第二感測單元則與軸體相鄰,並分別用以感測軸體轉動至一第三位置(或第三角度)及一第四位置(或第四角度)。外管體轉動至第一位置,且軸體轉動至第三位置時,兩個遮蔽板操作在開啟狀態。外管體轉動至第二位置,且軸體轉動至第四位置時,兩個遮蔽板操作在遮蔽狀態。
透過第一感測單元及第二感測單元的使用,可確認外管體及軸體是否轉動至預設位置,並確認兩個遮蔽板操作在開啟狀態及遮蔽狀態。可避免兩個遮蔽板未確實操作在遮蔽狀態便進行預燒(burn-in)製程,進而汙染反應腔體。亦可避免兩個遮蔽板未確實操作在開啟狀態,便驅動承載盤位移,進而造成遮蔽板及承載盤的損傷。
為了達到上述的目的,本發明提出一種薄膜沉積機台,包括:一反應腔體,包括一容置空間;一承載盤,位於容置空間內,並用以承載至少一基板;及一開合式遮蔽機構,包括:一第一遮蔽板,位於容置空間內;一第二遮蔽板,位於容置空間內;一驅動裝置,包括:至少一驅動馬達;一軸封裝置,包括一外管體及一軸體,軸體位於外管體內,其中驅動馬達透過外管體連接第一遮蔽板,並透過軸體連接第二遮蔽板,驅動馬達分別透過外管體及軸體帶動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向擺動,使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換,其中遮蔽狀態的第一遮蔽板靠近第二遮蔽板,並遮擋承載盤,而開啟狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板之間則形成一間隔空間;及兩個第一感測單元,與外管體相鄰,兩個第一感測單元之間具有一間距,並分別用以感測外管體轉動至一第一位置及一第二位置,其中外管體轉動至第一位置時,第一遮蔽板操作在開啟狀態,而外管體轉動至第二位置時,第一遮蔽板操作在遮蔽狀態。
本發明提出一種開合式遮蔽機構,適用於一薄膜沉積機台,包括:一第一遮蔽板;一第二遮蔽板;一驅動裝置,包括:至少一驅動馬達;一軸封裝置,包括一外管體及一軸體,軸體位於外管體內,其中驅動馬達透過外管體連接第一遮蔽板,並透過軸體連接第二遮蔽板,驅動馬達分別透過外管體及軸體帶動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向擺動,使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換,其中遮蔽狀態的第一遮蔽板靠近第二遮蔽板,而開啟狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板之間則形成一間隔空間;及兩個第一感測單元,與外管體相鄰,兩個第一感測單元之間具有一間距,並分別用以感測外管體轉動至一第一位置及一第二位置,其中外管體轉動至第一位置時,第一遮蔽板操作在開啟狀態,而外管體轉動至第二位置時,第一遮蔽板操作在遮蔽狀態。
所述的薄膜沉積機台及開合式遮蔽機構,包括兩個第二感測單元與軸體相鄰,兩個第二感測單元之間具有一間距,並分別用以感測軸體轉動至一第三位置及一第四位置,其中軸體轉動至第三位置時,第二遮蔽板操作在開啟狀態,而軸體轉動至第四位置時,第二遮蔽板操作在遮蔽狀態。
所述的薄膜沉積機台及開合式遮蔽機構,包括一第一凸出單元及一第二凸出單元,第一凸出單元連接外管體,而第二凸出單元則連接軸體,其中第一凸出單元隨著外管體轉動,並以第一感測單元感測第一凸出單元,第二凸出單元隨著軸體轉動,並以第二感測單元感測第二凸出單元。
所述的薄膜沉積機台及開合式遮蔽機構,其中驅動馬達包括一第一驅動馬達及一第二驅動馬達,第一驅動馬達透過外管體連接並驅動第一遮蔽板,而第二驅動馬達則透過軸體連接並驅動第二遮蔽板。
所述的薄膜沉積機台及開合式遮蔽機構,包括兩個感測區連接反應腔體,並將兩個遮蔽板位置感測單元分別設置在兩個感測區,分別用以感測進入感測區的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
薄膜沉積機台及所述的開合式遮蔽機構,其中第一驅動馬達透過一傳動單元連接並帶動外管體轉動。
請參閱圖1,為本發明具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。如圖所示,薄膜沉積機台10主要包括一反應腔體110、一承載盤115及一開合式遮蔽機構100,其中反應腔體110包括一容置空間12用以容置承載盤115及部分的開合式遮蔽機構100。
承載盤115位於反應腔體110的容置空間12內,並用以承載至少一基板163。以薄膜沉積機台10為物理氣相沉積腔體為例,反應腔體110內設置一靶材161,其中靶材161面對基板163及承載盤115。例如靶材161可設置在反應腔體110的上表面,並朝向位於容置空間12內的承載盤115及/或基板163。
請配合參閱圖2及圖3,開合式遮蔽機構100包括一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153及一驅動裝置17,其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153位於容置空間12內。驅動裝置17連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153,並分別驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動,例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153以驅動裝置17為軸心同步擺動。
在本發明一實施例中,驅動裝置17連接一第一連接臂141及一第二連接臂143,並透過第一連接臂141及一第二連接臂143分別連接並驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動或轉動。
第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可為板體,其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積及形狀可為相近,例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可為半圓形的板體。當驅動裝置17帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153閉合時,第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會相互靠近形成一圓板狀的遮蔽件15,並透過遮蔽件15遮擋承載盤115及/或基板163。
本發明實施例所述的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態或第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相連接,可被定義為第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近,直到兩者之間的間距小於一門檻值,例如小於1mm,以防止第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在接觸過程中產生微粒,而汙染反應腔體110的容置空間12及/或承載盤115。
上述第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積及形狀相近,並為半圓形的板體僅為本發明一實施例,並非本發明權利範圍的限制。在實際應用時,第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以是具有不同面積及形狀的板體,亦可為方形、橢圓形或任意幾何形狀的板體,例如第一遮蔽板151的面積可大於第二遮蔽板153的面積。
在本發明一實施例中,如圖4所示,驅動裝置17包括一第一驅動馬達171、一第二驅動馬達173及一軸封裝置175,其中軸封裝置175包括一外管體1751及一軸體1753。外管體1751包括一空間1752用以容置軸體1753,其中外管體1751及軸體1753同軸設置,且外管體1751及軸體1753可相對轉動。第一驅動馬達171透過外管體1751連接第一連接臂141,並經由第一連接臂141連接並帶動第一遮蔽板151擺動。第二驅動馬達173透過軸體1753連接第二連接臂143,並經由第二連接臂143連接並帶動第二遮蔽板153擺動。
軸封裝置175可以是一般常見的軸封,主要用以隔離反應腔體110的容置空間12與外部的空間,以維持容置空間12的真空。在本發明另一實施例中,軸封裝置175可以是磁流體軸封,並包括複數個軸承、至少一永久磁鐵、至少一磁極片及至少一磁性流體。
在本發明一實施例中,如圖4所示,第一驅動馬達171透過一傳動單元1755帶動外管體1751轉動,例如傳動單元1755可為傳動帶。一般而言,可透過第一驅動馬達171轉動的角度得知外管體1751轉動的角度或位置,但第一驅動馬達171在驅動外管體1751轉動的過程中,傳動單元1755有可能會相對於第一驅動馬達171及外管體1751滑動。如此一來便無法以第一驅動馬達171轉動的角度,正確的判斷外管體1751是否轉動到預設的角度或位置,當然亦無法判斷外管體1751連接及驅動的第一遮蔽板151是否正確的操作在遮蔽狀態或開啟狀態。
為此,本發明的開合式遮蔽機構100進一步包括兩個第一感測單元131,其中兩個第一感測單元131與軸封裝置175的外管體1751相鄰。兩個第一感測單元131之間具有一間距,例如兩個第一感測單元131與外管體1751的軸心形成一夾角,並分別用以感測外管體1751是否轉動到一第一位置(或第一角度)及一第二位置(或第二角度)。
具體而言,當外管體1751轉動第一位置時,會帶動第一遮蔽板151轉動至開啟狀態,而當外管體1751轉動到第二位置時,則會帶動第一遮蔽板151轉動至遮蔽狀態。由於外管體1751與第一遮蔽板151之間基本上不會相對轉動,因此可透過兩個第一感測單元131感測到外管體1751轉動到第一位置或第二位置,確認第一遮蔽板151是否確實操作在開啟狀態或遮蔽狀態。
在本發明一實施例中,請配合參閱圖5及圖6,外管體1751上可設置一第一凸出單元135,其中第一凸出單元135朝外管體1751的徑向外側凸出,例如第一凸出單元135可以是長條狀體,並透過螺絲或焊接的方式固定在外管體1751上。當外管體1751轉動時會帶動第一凸出單元135轉動,使得第一凸出單元135與第一感測單元131干涉。
第一感測單元131包括一發射器及一接收器,其中接收器會持續接收發射器所發射的訊號。當第一凸出單元135位移或轉動至其中一個第一感測單元131的發射器與接收器之間,將會阻擋接收器接收訊號,以判斷外管體1751轉動至第一位置。相同的,當另一個第一感測單元131感測到第一凸出單元135時,則判斷外管體1751轉動至第二位置。
在本發明另一實施例中,開合式遮蔽機構100可進一步設置兩個第二感測單元133,其中兩個第二感測單元133與軸封裝置175的軸體1753相鄰。兩個第二感測單元133之間具有一間距,並分別用以感測軸體1753轉動到一第三位置(或第三角度)及一第四位置(或第四角度)。
具體而言,當軸體1753轉動第三位置時,會帶動第二遮蔽板153轉動至開啟狀態,而當軸體1753轉動到第四位置時,則會帶動第二遮蔽板153轉動至遮蔽狀態。由於軸體1753與第二遮蔽板153之間基本上不會相對轉動,因此可透過兩個第二感測單元133感測到軸體1753轉動到第三位置或第四位置,確認第二遮蔽板153是否確實轉動到開啟狀態或遮蔽狀態。
在本發明一實施例中,軸體1753上可設置一第二凸出單元137,其中第二凸出單元137沿著軸體1753的徑向凸出,並會與第二感測單元133干涉。當第二凸出單元137位移或轉動至其中一個第二感測單元133的發射器與接收器之間,將會阻擋接收器接收訊號,並判斷軸體1753轉動至第三位置。相同的,當另一個第二感測單元133感測到第二凸出單元137時,則判斷軸體1753轉動至第四位置。
在本發明上述實施例中,主要以第一驅動馬達171及第二驅動馬達173為說明實施例,其中第一驅動馬達171及第二驅動馬達173分別透過外管體1751及軸體1753驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動。
在本發明另一實施例中,如圖7所示,可使用單一個驅動馬達170透過一連動機構18連接並驅動外管體1751及軸體1753朝相反方向轉動,並經由外管體1751及軸體1753分別帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動,並在開啟狀態及遮蔽狀態之間切換。
具體而言,連動機構18包括一驅動齒輪181、一第一從動齒輪183及一第二從動齒輪185,其中驅動齒輪181嚙合第一從動齒輪183及第二從動齒輪185。第一從動齒輪183透過外管體1751及第一連接臂141連接第一遮蔽板151,而第二從動齒輪185則透過軸體1753及第二連接臂143連接第二遮蔽板153。當驅動齒輪181轉動時,第一從動齒輪183及第二從動齒輪185會朝相反方向轉動,並驅動外管體1751及軸體1753朝相反方向轉動,以帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153同步朝相反方向擺動。
在透過單一個驅動馬達170驅動外管體1751及軸體1753時,同樣可以利用第一感測單元131感測外管體1751是否確實轉動到第一位置及第二位置,並利用第二感測單元133感測軸體1753是否確實轉動到第三位置及第四位置。
具體而言,本發明的薄膜沉積機台10及/或開合式遮蔽機構100可操作在兩種狀態,分別是開啟狀態遮蔽狀態。如圖2所示,驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動,使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互遠離,並操作在開啟狀態。操作在開啟狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之間會形成一間隔空間152,使得靶材161與承載盤115及基板163之間不存在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。
而後可驅動承載盤115及基板163朝靶材161的方向靠近,並透過容置空間12內的氣體,例如惰性氣體,撞擊靶材161,以在基板163的表面沉積薄膜。
在本發明一實施例中,如圖1所示,反應腔體110的容置空間12可設置一擋件111,其中擋件111的一端連接反應腔體110,而擋件111的另一端則形成一開口112。承載盤115朝靶材161靠近時,會進入或接觸擋件111形成的開口112。反應腔體110、承載盤115及擋件111會在容置空間12內區隔出一反應空間,並在反應空間內的基板163表面沉積薄膜,可防止在反應空間外的反應腔體110及承載盤115的表面形成沉積薄膜。
此外,如圖3所示,驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動,使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近,並操作在遮蔽狀態。閉合的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可形成遮蔽件15,其中遮蔽件15會位在靶材161與承載盤115之間,並用以隔離靶材161及承載盤115。
遮蔽件15可在容置空間12內區隔一清潔空間121,其中清潔空間121與反應空間的區域部分重疊或相近。可在清潔空間121內進行預燒(burn-in)製程,以清潔靶材161及清潔空間121內的反應腔體110及/或擋件111,並去除靶材161表面的氧化物、氮化物或其他汙染物,及反應腔體110及/或擋件111表面的沉積薄膜。
在清潔薄膜沉積機台10的過程中,承載盤115及/或基板163會被遮蔽件15遮擋或隔離,以避免清潔過程中產生的物質汙染或沉積在承載盤115及/或基板163的表面。
具體而言,本發明透過第一遮蔽板151及第二遮蔽板153構成遮蔽件15,並透過第一連接臂141及第二連接臂143分別承載第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的重量,可降低第一連接臂141及第二連接臂143的負擔。
此外將遮蔽件15區分成兩個可相互連接及分離的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153,更有利於縮小開啟狀態下的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153需要的收納空間,並可簡化或調整反應腔體110的構造。
在本發明一實施例中,第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以在反應腔體110的容置空間12內操作在開啟狀態及遮蔽狀態,而不需要額外設置一個或多個儲存腔體來儲存開啟狀態的遮蔽板。例如可使得反應腔體110及/容置空間12的體積略大於原本的體積,便可使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在反應腔體110的容置空間12內開啟或閉合。
此外,可進一步在反應腔體110上設置複數個遮蔽板位置感測單元19,其中遮蔽板位置感測單元19朝向容置空間12,並用以感測第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的位置,以判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否處在開啟狀態。例如遮蔽板位置感測單元19可以是光感測單元。
在本發明一實施例中,反應腔體110可連接兩個感測區113,其中兩個感測區113的感測空間120流體連接反應腔體110的容置空間12,並於兩個感測區113上分別設置一遮蔽板位置感測單元19。當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153處在開啟狀態時,部分的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會分別進入兩個感測區113,其中感測區113上的遮蔽板位置感測單元19可用以感測第一遮蔽板151及第二遮蔽板153進入感測區113,並確認第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態。
透過本發明所述的第一感測單元131、第二感測單元133及遮蔽板位置感測單元19的設置,可判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否確實操作在開啟狀態或遮蔽狀態。以避免在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153未確實操作在遮蔽狀態便進行預燒製程,而對反應腔體110造成汙染,或者是第一遮蔽板151及第二遮蔽板153未確實操作在開啟狀態,便驅動承載盤115朝靶材161及擋件111的方向位移,而碰撞到第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。
以上所述者,僅為本發明之一較佳實施例而已,並非用來限定本發明實施之範圍,即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾,均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10:薄膜沉積機台
100:開合式遮蔽機構
110:反應腔體
111:擋件
112:開口
113:感測區
115:承載盤
12:容置空間
120:感測空間
121:清潔空間
131:第一感測單元
133:第二感測單元
135:第一凸出單元
137:第二凸出單元
141:第一連接臂
143:第二連接臂
15:遮蔽件
151:第一遮蔽板
152:間隔空間
153:第二遮蔽板
161:靶材
163:基板
17:驅動裝置
170:驅動馬達
171:第一驅動馬達
173:第二驅動馬達
175:軸封裝置
1751:外管體
1752:空間
1753:軸體
1755:傳動單元
18:連動機構
181:驅動齒輪
183:第一從動齒輪
185:第二從動齒輪
19:遮蔽板位置感測單元
[圖1]為本發明具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。
[圖2]為本發明薄膜沉積機台的開合式遮蔽機構操作在開啟狀態一實施例的立體示意圖。
[圖3]為本發明薄膜沉積機台的開合式遮蔽機構操作在遮蔽狀態一實施例的立體示意圖。
[圖4]為本發明開合式遮蔽機構的驅動裝置一實施例的立體剖面示意圖。
[圖5]為本發明開合式遮蔽機構的驅動裝置一實施例的俯視圖。
[圖6]為本發明開合式遮蔽機構的驅動裝置一實施例的立體示意圖。
[圖7]為本發明開合式遮蔽機構的連動機構一實施例的立體示意圖。
131:第一感測單元
133:第二感測單元
135:第一凸出單元
137:第二凸出單元
17:驅動裝置
171:第一驅動馬達
173:第二驅動馬達
175:軸封裝置
1751:外管體
1752:空間
1753:軸體
1755:傳動單元
Claims (10)
- 一種薄膜沉積機台,包括: 一反應腔體,包括一容置空間; 一承載盤,位於該容置空間內,並用以承載至少一基板;及 一開合式遮蔽機構,包括: 一第一遮蔽板,位於該容置空間內; 一第二遮蔽板,位於該容置空間內; 一驅動裝置,包括: 至少一驅動馬達; 一軸封裝置,包括一外管體及一軸體,該軸體位於該外管體內,其中該驅動馬達透過該外管體連接該第一遮蔽板,並透過該軸體連接該第二遮蔽板,該驅動馬達分別透過該外管體及該軸體帶動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反的方向擺動,使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換,其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板靠近該第二遮蔽板,並遮擋該承載盤,而該開啟狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板之間則形成一間隔空間;及 兩個第一感測單元,與該外管體相鄰,該兩個第一感測單元之間具有一間距,並分別用以感測該外管體轉動至一第一位置及一第二位置,其中該外管體轉動至該第一位置時,該第一遮蔽板操作在該開啟狀態,而該外管體轉動至該第二位置時,該第一遮蔽板操作在該遮蔽狀態。
- 如請求項1所述的薄膜沉積機台,包括兩個第二感測單元與該軸體相鄰,該兩個第二感測單元之間具有一間距,並分別用以感測該軸體轉動至一第三位置及一第四位置,其中該軸體轉動至該第三位置時,該第二遮蔽板操作在該開啟狀態,而該軸體轉動至該第四位置時,該第二遮蔽板操作在該遮蔽狀態。
- 如請求項2所述的薄膜沉積機台,包括一第一凸出單元及一第二凸出單元,該第一凸出單元連接該外管體,而該第二凸出單元則連接該軸體,其中該第一凸出單元隨著該外管體轉動,並以該第一感測單元感測該第一凸出單元,該第二凸出單元隨著該軸體轉動,並以該第二感測單元感測該第二凸出單元。
- 如請求項2所述的薄膜沉積機台,其中該驅動馬達包括一第一驅動馬達及一第二驅動馬達,該第一驅動馬達透過該外管體連接並驅動該第一遮蔽板,而該第二驅動馬達則透過該軸體連接並驅動該第二遮蔽板。
- 如請求項1所述的薄膜沉積機台,包括兩個感測區連接該反應腔體,並將兩個遮蔽板位置感測單元分別設置在該兩個感測區,分別用以感測進入該感測區的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
- 一種開合式遮蔽機構,適用於一薄膜沉積機台,包括: 一第一遮蔽板; 一第二遮蔽板; 一驅動裝置,包括: 至少一驅動馬達; 一軸封裝置,包括一外管體及一軸體,該軸體位於該外管體內,其中該驅動馬達透過該外管體連接該第一遮蔽板,並透過該軸體連接該第二遮蔽板,該驅動馬達分別透過該外管體及該軸體帶動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反的方向擺動,使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換,其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板靠近該第二遮蔽板,而該開啟狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板之間則形成一間隔空間;及 兩個第一感測單元,與該外管體相鄰,該兩個第一感測單元之間具有一間距,並分別用以感測該外管體轉動至一第一位置及一第二位置,其中該外管體轉動至該第一位置時,該第一遮蔽板操作在該開啟狀態,而該外管體轉動至該第二位置時,該第一遮蔽板操作在該遮蔽狀態。
- 如請求項6所述的開合式遮蔽機構,包括兩個第二感測單元與該軸體相鄰,該兩個第二感測單元之間具有一間距,並分別用以感測該軸體轉動至一第三位置及一第四位置,其中該軸體轉動至該第三位置時,該第二遮蔽板操作在該開啟狀態,而該軸體轉動至該第四位置時,該第二遮蔽板操作在該遮蔽狀態。
- 如請求項7所述的開合式遮蔽機構,包括一第一凸出單元及一第二凸出單元,該第一凸出單元連接該外管體,而該第二凸出單元則連接該軸體,其中該第一凸出單元隨著該外管體轉動,並以該第一感測單元感測該第一凸出單元,該第二凸出單元隨著該軸體轉動,並以該第二感測單元感測該第二凸出單元。
- 如請求項7所述的開合式遮蔽機構,其中該驅動馬達包括一第一驅動馬達及一第二驅動馬達,該第一驅動馬達透過該外管體連接並驅動該第一遮蔽板,而該第二驅動馬達則透過該軸體連接並驅動該第二遮蔽板。
- 如請求項9所述的開合式遮蔽機構,其中該第一驅動馬達透過一傳動單元連接並帶動該外管體轉動。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110136122A TWI788032B (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 |
US17/506,105 US11527391B1 (en) | 2021-09-28 | 2021-10-20 | Position-detectable shielding device and thin-film-deposition equipment with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110136122A TWI788032B (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI788032B TWI788032B (zh) | 2022-12-21 |
TW202313220A true TW202313220A (zh) | 2023-04-01 |
Family
ID=84426588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110136122A TWI788032B (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11527391B1 (zh) |
TW (1) | TWI788032B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI773411B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-08-01 | 天虹科技股份有限公司 | 遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備 |
TWI766741B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-06-01 | 天虹科技股份有限公司 | 開合式遮蔽構件及具有開合式遮蔽構件的薄膜沉積機台 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7008517B2 (en) * | 2002-02-20 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Shutter disk and blade for physical vapor deposition chamber |
US6669829B2 (en) * | 2002-02-20 | 2003-12-30 | Applied Materials, Inc. | Shutter disk and blade alignment sensor |
CN104781448B (zh) * | 2012-11-15 | 2018-04-03 | 应用材料公司 | 用于维护边缘排除屏蔽件的方法和*** |
EP2762607B1 (en) * | 2013-01-31 | 2018-07-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition source with adjustable electrode |
TWI650238B (zh) * | 2017-01-17 | 2019-02-11 | 行家光電股份有限公司 | 真空貼膜裝置及方法 |
US11342215B2 (en) * | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
US10851453B2 (en) * | 2018-04-11 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for shutter disk assembly detection |
-
2021
- 2021-09-28 TW TW110136122A patent/TWI788032B/zh active
- 2021-10-20 US US17/506,105 patent/US11527391B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11527391B1 (en) | 2022-12-13 |
TWI788032B (zh) | 2022-12-21 |
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