TWI788137B - 遮擋機構及具有遮擋機構的薄膜沉積機台 - Google Patents

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TWI788137B
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Abstract

本發明提供一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括一反應腔體、一承載盤、一遮擋機構及至少兩個光感測器,其中承載盤及部分的遮擋機構位於反應腔體的容置空間內。遮擋機構包括兩個遮擋單元及至少一驅動裝置,其中驅動裝置連接並驅動兩個遮擋單元朝相反方向擺動,使得兩個遮擋單元操作在開啟狀態及遮擋狀態。兩個遮擋單元的上表面皆設置一遮擋凸部及一感測區,其中感測區與遮擋凸部相鄰,用以阻隔汙染物沉積在感測區,以提高光感測器感測遮擋單元位置的準確性。

Description

遮擋機構及具有遮擋機構的薄膜沉積機台
本發明有關於一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,主要於遮擋單元上設置一遮擋凸部及一感測區,其中感測區與遮擋凸部相鄰,用以阻隔汙染物沉積在感測區,以提高光感測器感測遮擋單元位置的準確性。
化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備,並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。
沉積設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤,其中晶圓承載盤位於腔體內,並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例,腔體內需要設置一靶材,其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時,可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內,分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓,並透過晶圓承載盤加熱承載的晶圓。
腔體內的惰性氣體因為高壓電場的作用,形成離子化的惰性氣體,離子化的惰性氣體會受到靶材上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子受到晶圓承載盤上的偏壓吸引,並沉積在加熱的晶圓的表面,以在晶圓的表面形成薄膜。
在經過一段時間的使用後,腔體的內表面會形成沉積薄膜,因此需要週期性的清潔腔體,以避免沉積薄膜在製程中掉落,進而汙染晶圓。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他汙染物,因此同樣需要週期性的清潔靶材。一般而言,通常會透過預燒(burn-in)製程,以電漿離子撞擊腔體內的靶材,以去除靶材表面的氧化物或其他汙染物。
在進行上述清潔腔體及靶材時,需要將腔體內的晶圓承載盤及晶圓取出,或者隔離晶圓承載盤,以避免清潔過程中汙染晶圓承載盤及晶圓。
一般而言,薄膜沉積機台在經過一段時間的使用後,通常需要進行清潔,以去除腔室內沉積的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清潔的過程中產生的微粒會汙染承載盤,因此需要隔離承載盤及汙染物。本發明提出一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,主要透過驅動裝置帶動兩個遮擋板朝相反方向擺動,使得兩個遮擋板操作在一開啟狀態及一遮擋狀態。
兩個遮擋板的上表面分別設置一遮擋凸部及一感測區,其中感測區與遮擋凸部相鄰,並位於遮擋凸部的外側或內部。在清潔反應腔體時,驅動裝置會帶動兩個遮擋單元以擺動的方式相互靠近,使得兩個遮擋單元相靠近並遮擋容置空間內的承載盤,以避免清潔過程中使用的電漿或產生的污染接觸承載盤及/或其承載的基板。在進行沉積製程時,驅動裝置帶動兩個遮擋單元以擺動的方式相互遠離,並對反應腔體內的基板進行薄膜沉積。
本發明的薄膜沉積腔體包括至少兩個光感測器,用以將一感測光束投射在遮擋板的感測區,以確認兩個遮擋板確實操作在開啟狀態。然而在清潔腔體的過程中,往往會在遮擋板的感測區表面沉積薄膜,進而影響光感測器感測遮擋板位置的準確度。為此本發明進一步提出透過遮擋凸部遮擋感測區,以減少感測區在清潔過程中形成薄膜,而有利於光感測器感測遮擋板的操作狀態。
本發明的一目的,在於提供一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,主要包括一反應腔體、一承載盤及一遮擋機構。遮擋機構包括至少一驅動裝置、兩個遮擋單元及兩個距離感測單元,其中驅動裝置連接並驅動兩個遮擋單元分別朝相反方向擺動,使得兩個遮擋單元操作在一開啟狀態或一遮擋狀態。
兩個遮擋單元上皆設置一反射面,當兩個遮擋單元操作在遮擋狀態時,兩個距離感測單元產生的感測光束會分別投射在兩個遮擋單元的反射面上,並量測兩個距離感測單元與兩個遮擋單元之間的距離,以判斷兩個遮擋單元是否操作在遮擋狀態。
為了達到上述的目的,本發明提出一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括:一反應腔體,包括一容置空間;一承載盤,位於容置空間內,並包括一承載面用以承載至少一基板;一遮擋機構,包括:一第一遮擋單元,位於容置空間內,並包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中第一遮擋凸部及第一感測區位於第一遮擋單元未朝向承載盤的表面,且第一遮擋凸部與第一感測區相鄰;一第二遮擋單元,位於容置空間內,並包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中第二遮擋凸部及第二感測區位於第二 遮擋單元未朝向承載盤的表面,且第二遮擋凸部與第二感測區相鄰;至少一驅動裝置,連接第一遮擋單元及第二遮擋單元,並分別驅動第一遮擋單元及第二遮擋單元朝相反的方向擺動,使得第一遮擋單元及第二遮擋單元在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中遮擋狀態的第一遮擋單元及第二遮擋單元相互靠近,並用以遮擋承載盤,而開啟狀態的第一遮擋單元及第二遮擋單元之間則形成一間隔空間;及至少兩個光感測器,設置在反應腔體,並分別用以感測第一遮擋單元的第一感測區及第二遮擋單元的第二感測區,以判斷第一遮擋單元及第二遮擋單元是否確實操作在開啟狀態。
本發明提供一遮擋機構,包括:一第一遮擋板,包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中第一遮擋凸部及第一感測區設置在第一遮擋板的一第一上表面,且第一遮擋凸部與第一感測區相鄰;一第一連接臂,用以承載第一遮擋板;一第二遮擋板,包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中第二遮擋凸部及第二感測區設置在第二遮擋單元的一第二上表面,且第二遮擋凸部與第二感測區相鄰;一第二連接臂,用以承載第二遮擋板;及至少一驅動裝置,經由第一連接臂及第二連接臂分別驅動第一遮擋板及第二遮擋板朝相反的方向擺動,使得第一遮擋板及第二遮擋板在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中遮擋狀態的第一遮擋板及第二遮擋板相互靠近,而開啟狀態的第一遮擋板及第二遮擋板之間則形成一間隔空間。
所述的具有遮擋機構的薄膜沉積機台,其中第一遮擋單元包括一第一連接臂及一第一遮擋板,驅動裝置經由第一連接臂連接第一遮擋板,第一遮擋凸部及第一感測區位於第一遮擋板上,其中第二遮擋單元包括一 第二連接臂及一第二遮擋板,驅動裝置經由第二連接臂連接第二遮擋板,第二遮擋凸部及第二感測區位於第二遮擋板上。
所述的具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括一靶材,面對承載盤的承載面,其中第一遮擋凸部及第一感測區位於朝向靶材的第一遮擋板的一第一上表面,而第二遮擋凸部及第二感測區則位於朝向靶材的第二遮擋板的一第二上表面。
所述的具有遮擋機構的薄膜沉積機台或遮擋機構,其中遮擋狀態的第一遮擋凸部及第二遮擋凸部形成一環狀遮擋凸部,而第一感測區及第二感測區則形成一環狀感測區,環狀感測區位於環狀遮擋凸部的外側。
所述的具有遮擋機構的薄膜沉積機台或遮擋機構,其中第一遮擋凸部及第二遮擋凸部為封閉形狀的管狀凸起。
所述的具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括:一第一反射面,設置在第一連接臂上;一第二反射面,設置在第二連接臂上;一第一距離感測單元,設置在反應腔體上,並用以將一第一感測光束投射至操作在遮擋狀態的第一連接臂的第一反射面;及一第二距離感測單元,設置在反應腔體上,並用以將一第二感測光束投射至操作在遮擋狀態的第二連接臂的第二反射面。
所述的具有遮擋機構的薄膜沉積機台,其中反應腔體包括兩個感測腔室,而兩個光感測器分別設置在兩個感測腔室,並分別用以感測進入感測腔室的第一遮擋板的第一感測區及第二遮擋板的第二感測區。
10:具有遮擋機構的薄膜沉積機台
100:遮擋機構
11:反應腔體
111:擋件
112:開口
113:感測腔室
115:透光窗
12:容置空間
13:環狀遮擋凸部
130:環狀感測區
131:第一遮擋凸部
132:第一感測區
133:第二遮擋凸部
134:第二感測區
14:第一遮擋單元
141:第一連接臂
143:第一遮擋板
1431:第一上表面
145:第一反射面
15:第二遮擋單元
151:第二連接臂
153:第二遮擋板
1531:第二上表面
155:第二反射面
161:靶材
163:基板
165:承載盤
1651:承載面
17:驅動裝置
171:驅動馬達
173:軸封裝置
18:間隔空間
191:第一距離感測單元
193:第二距離感測單元
195:光感測器
L1:第一感測光束
L2:第二感測光束
[圖1]為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台操作在遮擋狀態一實施例的剖面示意圖。
[圖2]為本發明遮擋機構操作在開啟狀態一實施例的立體示意圖。
[圖3]為本發明遮擋機構操作在遮擋狀態一實施例的立體示意圖。
[圖4]為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台的部分構造一實施例的立體示意圖。
[圖5]為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台操作在開啟狀態一實施例的上方透視圖。
[圖6]為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台操作在遮擋狀態一實施例的上方俯視圖。
[圖7]為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台操作在遮擋狀態又一實施例的剖面示意圖。
[圖8]為本發明遮擋機構操作在開啟狀態又一實施例的立體示意圖。
[圖9]為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台操作在開啟狀態又一實施例的上方透視圖。
請參閱圖1,為本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台操作在遮擋狀態一實施例的側面剖面示意圖。如圖所示,具有遮擋機構的薄膜沉積機台10主要包括一反應腔體11、一承載盤165及一遮擋機構100,其中反應腔體11包括一容置空間12用以容置承載盤165及部分的遮擋機構100。
如圖1所示,承載盤165位於反應腔體11的容置空間12內,並包括一承載面1651用以承載至少一基板163。具有遮擋機構的薄膜沉積機台10為物理氣相沉積腔體時,反應腔體11內設置一靶材161,其中靶材161面對基板163及承載盤165的承載面1651。例如靶材161可設置在反應腔體11的容置空間12的上表面。
請配合參閱圖2與圖3所示,遮擋機構100包括一第一遮擋單元14、一第二遮擋單元15及一驅動裝置17,其中第一遮擋單元14及第二遮擋單元15位於容置空間12內。驅動裝置17連接第一遮擋單元14及第二遮擋單元15,並分別驅動第一遮擋單元14及第二遮擋單元15朝相反方向擺動。
如圖2與圖3所示,在本發明一實施例中,第一遮擋單元14包括一第一連接臂141及一第一遮擋板143,其中第一連接臂141用以承載第一遮擋板143。第二遮擋單元15則包括一第二連接臂151及一第二遮擋板153,其中第二連接臂151用以承載第二遮擋板153。驅動裝置17分別透過第一連接臂141及一第二連接臂151連接並帶動第一遮擋板143及第二遮擋板153朝相反方向擺動或轉動。
第一遮擋板143及第二遮擋板153可為板體,並於第一遮擋板143未朝向承載盤165的第一上表面1431設置一第一遮擋凸部131及一第一感測區132,其中第一遮擋凸部131與第一感測區132相鄰,例如第一上表面1431為第一遮擋板143朝向靶材161的表面。
如圖1、圖2與圖3所示,在本發明一實施例中,第一感測區132位於第一遮擋凸部131的外側或徑向外側,例如第一遮擋板143為半圓形板體,而第一遮擋凸部131則為近似C字形或半圓環狀的凸起。於第二遮擋板 153未朝向承載盤165的第二上表面1531設置第二遮擋凸部133及第二感測區134,例如第二上表面1531朝向靶材161,其中第二遮擋板153的構造與第一遮擋板143相近。
本發明具有遮擋機構的薄膜沉積機台10及/或遮擋機構100可操作在開啟狀態及遮擋狀態。如圖2及圖5所示,驅動裝置17驅動第一遮擋單元14及第二遮擋單元15相互遠離,並操作在開啟狀態。第一遮擋單元14及第二遮擋單元15之間會形成一間隔空間18,使得靶材161與承載盤165及基板163之間不存在第一遮擋單元14及第二遮擋單元15。而後可驅動承載盤165及基板163朝靶材161的方向靠近,並透過容置空間12內的氣體撞擊靶材161,在基板163的表面沉積薄膜。
請配合參閱圖1、圖5及圖6所示,反應腔體11包括兩個感測腔室113,其中兩個感測腔室113凸出反應腔體11。兩個感測腔室113的高度小於反應腔體11,並於兩個感測腔室113上可分別設置一光感測器195,例如光感測器195可以是距離光感測器、反射式光感測器或對照式光感測器,並包括至少一光發射單元及至少一光接收單元。
如圖1、圖2與圖5所示,第一及第二遮擋單元14/15操作在開啟狀態時,部分的第一及第二遮擋板143/153會分別進入兩個感測腔室113,而兩個光感測器195會分別用以感測第一及第二感測區132/134,並判斷第一及第二遮擋單元14/15是否確實操作在開啟狀態。例如兩個光感測器195的光發射單元分別將感測光束投射在第一及第二感測區132/134,並透過光感測器195的光接收單元接收第一及第二感測區132/134反射及/或散射的感測光束。
如圖1、圖3與圖6所示,在清潔反應腔體11及/或靶材161的過程中,汙染物或微粒會沉積在第一遮擋板143及第二遮擋板153上,造成光感測器195無法準確的感測第一遮擋板143及第二遮擋板153。為此本發明進一步提出在第一及第二遮擋板143/153朝向靶材161的表面設置第一及第二遮擋凸部131/133,並透過第一及第二遮擋凸部131/133在第一及第二遮擋板143/153上定義出第一及第二感測區132/134。第一及第二遮擋凸部131/133分別與第一及第二感測區132/134相鄰,並且第一及第二感測區132/134分別位於第一及第二遮擋凸部131/133的外側。第一及第二遮擋凸部131/133用以遮擋第一及第二感測區132/134,並避免在第一及第二感測區132/134上沉積薄膜。
如圖1、圖3、圖4、圖6及圖7所示,驅動裝置17可驅動第一遮擋單元14及第二遮擋單元15相互靠近,並操作在遮擋狀態,其中第一遮擋板143及第二遮擋板153會相互靠近並形成一圓板狀的遮擋件,以遮擋承載盤165及/或基板163。
如圖2、圖3、圖5與圖6所示,第一遮擋凸部131及第二遮擋凸部133可以是C字形或半圓環狀的凸起,當第一及第二遮擋板143/153操作在遮擋狀態時,第一及第二遮擋凸部131/133會形成一環狀遮擋凸部13,其中環狀遮擋凸部13的外側會形成一環狀感測區130。透過在第一遮擋板143及第二遮擋板153朝向靶材161的表面形成環狀遮擋凸部13,不僅有利於遮擋第一及第二感測區132/134,亦可進一步提高第一遮擋板143及第二遮擋板153的遮擋效果。
本發明實施例所述的第一遮擋單元14及第二遮擋單元15操作在遮擋狀態,可定義為第一遮擋板143及第二遮擋板153相互靠近,直到兩者之間的間距小於一門檻值,例如小於1mm,以防止第一遮擋板143及第二遮擋板153在接觸過程中產生微粒。
操作在遮擋狀態的第一遮擋單元14及第二遮擋單元15位在靶材161與承載盤165之間,並在容置空間12內區隔一清潔空間,其中清潔空間與反應空間的區域部分重疊或相近。而後可在清潔空間內進行預燒(burn-in)製程,以清潔靶材161及清潔空間內的反應腔體11及/或擋件111,並去除靶材161表面的氧化物、氮化物或其他汙染物,及反應腔體11及/或擋件111表面的沉積薄膜。
如圖7及圖8所示,第一及第二遮擋凸部131/133亦可以是多邊形管體或圓柱狀管體,例如為第一及第二遮擋凸部131/133的剖面為封閉形狀的管狀凸起,並於第一及第二遮擋凸部131/133的內部形成一第一及第二感測區132/134。
如圖9所示,第一及第二遮擋凸部131/133的剖面為非封閉形狀的凸起,例如為C字型或U字型的凸起,其中第一及第二遮擋凸部131/133可連接第一及第二遮擋板143/153的邊緣。
在本發明一實施例中,如圖1所示,反應腔體11的容置空間12可設置一擋件111,其中擋件111的一端連接反應腔體11,而擋件111的另一端則形成一開口112。承載盤165朝靶材161靠近時,反應腔體11、承載盤165及擋件111會在容置空間12內區隔出一反應空間,並在反應空間內的基板163表面沉積薄膜。
當第一遮擋板143及第二遮擋板153操作在遮擋狀態時,環狀遮擋凸部13會位於擋件111下方或外側,使得環狀遮擋凸部13內側的面積大於或等於的開口112面積,以提高遮擋的效果。
在本發明一實施例中,如圖2及圖3所示,驅動裝置17包括至少一驅動馬達171及一軸封裝置173,其中驅動馬達171透過軸封裝置173連接並驅動第一遮擋單元14及第二遮擋單元15朝相反方向擺動,軸封裝置173可以是一般常見的軸封或磁流體軸封。
如圖1、圖4及圖6所示,本發明進一步在第一連接臂141及第二連接臂151上分別設置一第一反射面145及一第二反射面155,並於反應腔體11上設置一第一距離感測單元191及一第二距離感測單元193,其中第一距離感測單元191及第二距離感測單元193可以是光學測距儀。
如圖4所示,第一距離感測單元191與第一遮擋單元14設置在反應腔體11的同一側,而第二距離感測單元193與第二遮擋單元15則設置在反應腔體11的同一側。第一及第二距離感測單元191/193分別將一第一及一第二感測光束L1/L2投射至第一及第二遮擋單元14/15的第一及第二反射面145/155上,其中第一及第二感測光束L1/L2分別垂直第一及第二反射面145/155垂直。
如圖4所示,第一距離感測單元191可由反射的第一感測光束L1量測出第一遮擋單元14與第一距離感測單元191之間的距離,而第二距離感測單元193可由反射的第二感測光束L2量測出第二遮擋單元15與第二距離感測單元193之間的距離,並由量測的距離判斷第一及第二遮擋單元14/15是否確實操作在遮擋狀態。
在本發明一實施例中,如圖5及圖6所示,反應腔體11上可分別設置一透光窗115,其中第一距離感測單元191及第二距離感測單元193分別面對兩個透光窗115。
以上所述者,僅為本發明之一較佳實施例而已,並非用來限定本發明實施之範圍,即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾,均應包括於本發明之申請專利範圍內。
100:遮擋機構
131:第一遮擋凸部
132:第一感測區
133:第二遮擋凸部
134:第二感測區
14:第一遮擋單元
141:第一連接臂
143:第一遮擋板
1431:第一上表面
15:第二遮擋單元
151:第二連接臂
153:第二遮擋板
1531:第二上表面
17:驅動裝置
171:驅動馬達
173:軸封裝置
18:間隔空間

Claims (6)

  1. 一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括:一反應腔體,包括一容置空間;一承載盤,位於該容置空間內,並包括一承載面用以承載至少一基板;一第一遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第一遮擋凸部與該第一感測區相鄰;一第二遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第二遮擋凸部與該第二感測區相鄰,其中該第一遮擋單元包括一第一連接臂及一第一遮擋板,該驅動裝置經由該第一連接臂連接該第一遮擋板,該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋板上,其中該第二遮擋單元包括一第二連接臂及一第二遮擋板,該驅動裝置經由該第二連接臂連接該第二遮擋板,該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋板上,其中該遮擋狀態的該第一遮擋凸部及該第二遮擋凸部形成一環狀遮擋凸部,而該第一感測區及該第二感測區則形成一環狀感測區,該環狀感測區位於該環狀遮擋凸部的外側;至少一驅動裝置,連接該第一遮擋單元及該第二遮擋單元,並分別驅動該第一遮擋單元及該第二遮擋單元朝相反的方向擺動,使得該第一遮擋單元及該第二遮擋單元在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中該遮擋狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元相互靠近,並用以遮擋該承載盤,而該開啟狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元之間則形成一間隔空間; 至少兩個光感測器,設置在該反應腔體,分別用以感測該第一遮擋單元的該第一感測區及該第二遮擋單元的該第二感測區,以判斷該第一遮擋單元及該第二遮擋單元是否確實操作在該開啟狀態;及一靶材,面對該承載盤的該承載面,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區位於朝向該靶材的該第一遮擋板的一第一上表面,而該第二遮擋凸部及該第二感測區則位於朝向該靶材的該第二遮擋板的一第二上表面。
  2. 一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括:一反應腔體,包括一容置空間;一承載盤,位於該容置空間內,並包括一承載面用以承載至少一基板;一第一遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第一遮擋凸部與該第一感測區相鄰;一第二遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第二遮擋凸部與該第二感測區相鄰,其中該第一遮擋單元包括一第一連接臂及一第一遮擋板,該驅動裝置經由該第一連接臂連接該第一遮擋板,該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋板上,其中該第二遮擋單元包括一第二連接臂及一第二遮擋板,該驅動裝置經由該第二連接臂連接該第二遮擋板,該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋板上,其中該第一遮擋凸部及該第二遮擋凸部為封閉形狀的管狀凸起;至少一驅動裝置,連接該第一遮擋單元及該第二遮擋單元,並分別驅動該第一遮擋單元及該第二遮擋單元朝相反的方向擺動,使得該第一遮擋單元及該第二遮擋單元在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中該遮擋狀態的該第一 遮擋單元及該第二遮擋單元相互靠近,並用以遮擋該承載盤,而該開啟狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元之間則形成一間隔空間;至少兩個光感測器,設置在該反應腔體,分別用以感測該第一遮擋單元的該第一感測區及該第二遮擋單元的該第二感測區,以判斷該第一遮擋單元及該第二遮擋單元是否確實操作在該開啟狀態;及一靶材,面對該承載盤的該承載面,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區位於朝向該靶材的該第一遮擋板的一第一上表面,而該第二遮擋凸部及該第二感測區則位於朝向該靶材的該第二遮擋板的一第二上表面。
  3. 一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括:一反應腔體,包括一容置空間;一承載盤,位於該容置空間內,並包括一承載面用以承載至少一基板;一第一遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第一遮擋凸部與該第一感測區相鄰;一第二遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第二遮擋凸部與該第二感測區相鄰,其中該第一遮擋單元包括一第一連接臂及一第一遮擋板,該驅動裝置經由該第一連接臂連接該第一遮擋板,該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋板上,其中該第二遮擋單元包括一第二連接臂及一第二遮擋板,該驅動裝置經由該第二連接臂連接該第二遮擋板,該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋板上;至少一驅動裝置,連接該第一遮擋單元及該第二遮擋單元,並分別驅動該第一遮擋單元及該第二遮擋單元朝相反的方向擺動,使得該第一遮擋單元及該第 二遮擋單元在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中該遮擋狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元相互靠近,並用以遮擋該承載盤,而該開啟狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元之間則形成一間隔空間;至少兩個光感測器,設置在該反應腔體,分別用以感測該第一遮擋單元的該第一感測區及該第二遮擋單元的該第二感測區,以判斷該第一遮擋單元及該第二遮擋單元是否確實操作在該開啟狀態;一第一反射面,設置在該第一連接臂上;一第二反射面,設置在該第二連接臂上;一第一距離感測單元,設置在該反應腔體上,並用以將一第一感測光束投射至操作在該遮擋狀態的該第一連接臂的該第一反射面;及一第二距離感測單元,設置在該反應腔體上,並用以將一第二感測光束投射至操作在該遮擋狀態的該第二連接臂的該第二反射面。
  4. 一種具有遮擋機構的薄膜沉積機台,包括:一反應腔體,包括一容置空間;一承載盤,位於該容置空間內,並包括一承載面用以承載至少一基板;一第一遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第一遮擋凸部與該第一感測區相鄰;一第二遮擋單元,位於該容置空間內,並包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋單元未朝向該承載盤的表面,且該第二遮擋凸部與該第二感測區相鄰,其中該第一遮擋單元包括一第一連接臂及一第一遮擋板,該驅動裝置經由該第一連接臂連接該第一遮擋板,該第一遮擋凸部及該第一感測區位於該第一遮擋板上,其中該第二遮擋 單元包括一第二連接臂及一第二遮擋板,該驅動裝置經由該第二連接臂連接該第二遮擋板,該第二遮擋凸部及該第二感測區位於該第二遮擋板上;至少一驅動裝置,連接該第一遮擋單元及該第二遮擋單元,並分別驅動該第一遮擋單元及該第二遮擋單元朝相反的方向擺動,使得該第一遮擋單元及該第二遮擋單元在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中該遮擋狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元相互靠近,並用以遮擋該承載盤,而該開啟狀態的該第一遮擋單元及該第二遮擋單元之間則形成一間隔空間;及至少兩個光感測器,設置在該反應腔體,分別用以感測該第一遮擋單元的該第一感測區及該第二遮擋單元的該第二感測區,以判斷該第一遮擋單元及該第二遮擋單元是否確實操作在該開啟狀態,其中該反應腔體包括兩個感測腔室,而該兩個光感測器分別設置在該兩個感測腔室,並分別用以感測進入各該感測腔室的該第一遮擋板的該第一感測區及該第二遮擋板的該第二感測區。
  5. 一種遮擋機構,包括:一第一遮擋板,包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區設置在該第一遮擋板的一第一上表面,且該第一遮擋凸部與該第一感測區相鄰;一第一連接臂,用以承載該第一遮擋板;一第二遮擋板,包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中該第二遮擋凸部及該第二感測區設置在該第二遮擋單元的一第二上表面,且該第二遮擋凸部與該第二感測區相鄰;一第二連接臂,用以承載該第二遮擋板;及至少一驅動裝置,經由該第一連接臂及該第二連接臂分別驅動該第一遮擋板及該第二遮擋板朝相反的方向擺動,使得該第一遮擋板及該第二遮擋板在一開 啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中該遮擋狀態的該第一遮擋板及該第二遮擋板相互靠近,而該開啟狀態的該第一遮擋板及該第二遮擋板之間則形成一間隔空間,其中該遮擋狀態的該第一遮擋凸部及該第二遮擋凸部形成一環狀遮擋凸部,而該第一感測區及該第二感測區則形成一環狀感測區,該環狀感測區位於該環狀遮擋凸部的外側。
  6. 一種遮擋機構,包括:一第一遮擋板,包括一第一遮擋凸部及一第一感測區,其中該第一遮擋凸部及該第一感測區設置在該第一遮擋板的一第一上表面,且該第一遮擋凸部與該第一感測區相鄰;一第一連接臂,用以承載該第一遮擋板;一第二遮擋板,包括一第二遮擋凸部及一第二感測區,其中該第二遮擋凸部及該第二感測區設置在該第二遮擋單元的一第二上表面,且該第二遮擋凸部與該第二感測區相鄰,其中該第一遮擋凸部及該第二遮擋凸部為封閉形狀的管狀凸起;一第二連接臂,用以承載該第二遮擋板;及至少一驅動裝置,經由該第一連接臂及該第二連接臂分別驅動該第一遮擋板及該第二遮擋板朝相反的方向擺動,使得該第一遮擋板及該第二遮擋板在一開啟狀態及一遮擋狀態之間切換,其中該遮擋狀態的該第一遮擋板及該第二遮擋板相互靠近,而該開啟狀態的該第一遮擋板及該第二遮擋板之間則形成一間隔空間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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