TWI773411B - 遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，主要包括一反應腔體、一承載盤及一遮蔽裝置，其中部分遮蔽裝置及承載盤位於反應腔體內。遮蔽裝置包括兩個遮蔽板及一驅動裝置，其中驅動裝置連接並驅動兩個遮蔽板朝相反方向擺動。兩個遮蔽板分別包括一彼此面對的側面，其中兩個側面分別設置一凹部及一凸部。在進行沉積製程時，驅動裝置帶動兩個遮蔽板相互遠離，並切換到開啟狀態。在進行清潔製程時，驅動裝置帶動兩個遮蔽板相互靠近，切換為遮蔽狀態，其中一個遮蔽板的凸部會進入另一個遮蔽板的凹部，並可有效的遮蔽承載盤。

Description

遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備
本發明有關於一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，主要透過遮蔽裝置完整的遮擋承載盤，以避免在清潔處理腔室的過程中汙染承載盤。
化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備，並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。
沉積設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤，其中晶圓承載盤位於腔體內，並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例，腔體內需要設置一靶材，其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時，可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內，分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓，並透過晶圓承載盤加熱承載的晶圓。
腔體內的惰性氣體因為高壓電場的作用，形成離子化的惰性氣體，離子化的惰性氣體會受到靶材上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子受到晶圓承載盤上的偏壓吸引，並沉積在加熱的晶圓的表面，以在晶圓的表面形成薄膜。
在經過一段時間的使用後，腔體的內表面會形成沉積薄膜，因此需要週期性的清潔腔體，以避免沉積薄膜在製程中掉落，進而汙染晶圓。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他汙染物，因此同樣需要週期性的清潔靶材。一般而言，通常會透過預燒(burn-in)製程，以電漿離子撞擊腔體內的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他汙染物。
在進行上述清潔腔體及靶材時，需要將腔體內的晶圓承載盤及晶圓取出，或者隔離晶圓承載盤，以避免清潔過程中汙染晶圓承載盤及晶圓。
一般而言，薄膜沉積設備在經過一段時間的使用後，通常需要進行清潔，以去除腔室內沉積的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清潔的過程中產生的微粒會汙染承載盤，因此需要隔離承載盤及汙染物。本發明提出一種遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，主要透過驅動裝置帶動兩個遮蔽板朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。操作在遮蔽狀態的遮蔽板可完整的遮蔽承載盤，以有效避免清潔腔體或靶材時產生的微粒汙染承載盤。
本發明的一目的，在於提供一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，主要包括一反應腔體、一承載盤及一遮蔽裝置。遮蔽裝置包括一驅動裝置及兩個遮蔽板，其中驅動裝置連接並驅動兩個遮蔽板分別朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。
兩個遮蔽板分別包括一側面，其中兩個遮蔽板的側面相面對，並於兩個遮蔽板相面對的側面上分別設置至少一凹部及至少一凸部。在清潔 反應腔體時，驅動裝置帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互靠近，其中一個遮蔽板的側面上的凸部會進入另一個遮蔽板的側面上的凹部，並在兩遮蔽板之間形成一重疊區域，使得兩個遮蔽板構成一個完整的遮蔽構件。在進行沉積製程時，驅動裝置帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互遠離，並可對反應腔體內的基板進行薄膜沉積。
本發明的一目的，在於提供一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，主要透過兩個遮蔽板構成一個完整的遮蔽件，可縮小收納遮蔽板需要的空間。在本發明一實施例中，兩個遮蔽板可以在反應腔體的容置空間內進行相反方向的擺動，其中兩個遮蔽板可以在反應腔體的容置空間內操作在開啟狀態或遮蔽狀態，可簡化反應腔體的構造及縮小反應腔體的體積。
本發明的一目的，在於提供一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，其中驅動裝置透過兩個連接臂分別連接及承載兩個遮蔽板，以降低連接臂的負重。此外亦可進一步使用厚度較大的遮蔽板，以防止遮蔽板在清潔薄膜沉積設備時發生高溫變形，並有利於提高遮蔽板遮擋承載盤的效果。
為了達到上述的目的，本發明提出一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，包括：一反應腔體，包括一容置空間：一承載盤，位於容置空間內，並用以承載至少一基板；及一遮蔽裝置，包括：一第一遮蔽板，位於容置空間內，並包括一第一內側面，其中第一內側面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，位於容置空間內，並包括一第二內側面，其中第二內側面包括至少一凹部，第一內側面的凸部對應第二內側面的凹部；及一驅動裝置，連接第一遮蔽板及第二遮蔽板，並分別驅動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之 間切換，其中遮蔽狀態的第一遮蔽板的第一內側面及第二遮蔽板的第二內側面會相互靠近，而第一內側面上的凸部則會進入第二內側面上的凹部，並以第一遮蔽板及第二遮蔽板遮擋承載盤。
本發明提出一種遮蔽裝置，適用於一薄膜沉積設備，包括：一第一遮蔽板，包括一第一內側面，其中第一內側面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，包括一第二內側面，其中第二內側面包括至少一凹部，第一內側面的凸部對應第二內側面的凹部；及一驅動裝置，連接第一遮蔽板及第二遮蔽板，並分別驅動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中遮蔽狀態的第一遮蔽板的第一內側面及第二遮蔽板的第二內側面會相互靠近，而第一內側面上的凸部則會進入第二內側面上的凹部。
所述的薄膜沉積設備及遮蔽裝置，其中驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，驅動馬達透過軸封裝置連接第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的薄膜沉積設備及遮蔽裝置，其中軸封裝置包括一外管體及一軸體，外管體包括一空間用以容置軸體，驅動馬達透過外管體連接第一遮蔽板，透過軸體連接第二遮蔽板，並同步驅動軸體及外管體朝相反的方向轉動。
所述的薄膜沉積設備及遮蔽裝置，包括兩個感測區連接反應腔體，兩個感測區分別包括一感測空間流體連接容置空間，兩個感測區的厚度小於反應腔體，其中兩個感測區分別設置至少一位置感測單元，用以感測進入感測空間的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的薄膜沉積設備及遮蔽裝置，包括至少一位置感測單元設置於反應腔體，並用以感測第一遮蔽板及第二遮蔽板的位置。
所述的薄膜沉積設備及遮蔽裝置，其中第一遮蔽板的面積大於第二遮蔽板的面積。
10:薄膜沉積設備
100:遮蔽裝置
11:反應腔體
111:擋件
112:開口
113:感測區
12:容置空間
120:感測空間
121:清潔空間
13:承載盤
141:第一連接臂
143:第二連接臂
15:遮蔽件
151:第一遮蔽板
1511:第一內側面
1513:第一外側面
1515:凸部
152:間隔空間
153:第二遮蔽板
1531:第二內側面
1533:第二外側面
1535:凹部
154:間隙
161:靶材
163:基板
17:驅動裝置
171:驅動馬達
173:軸封裝置
1731:外管體
1732:空間
1733:軸體
19:位置感測單元
[圖1]為本發明具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。
[圖2]為本發明薄膜沉積設備的遮蔽裝置操作在開啟狀態一實施例的立體示意圖。
[圖3]為本發明薄膜沉積設備的遮蔽裝置操作在遮蔽狀態一實施例的立體示意圖。
[圖4]為本發明遮蔽裝置未操作在遮蔽狀態一實施例的部分放大剖面示意圖。
[圖5]為本發明遮蔽裝置操作在遮蔽狀態一實施例的部分放大剖面示意圖。
[圖6]為本發明遮蔽裝置未操作在遮蔽狀態又一實施例的部分放大剖面示意圖。
[圖7]為本發明遮蔽裝置的驅動裝置一實施例的立體剖面示意圖。
[圖8]為本發明具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備操作在開啟狀態一實施例的俯視圖。
[圖9]為本發明具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備操作在遮蔽狀態一實施例的俯視圖。
[圖10]為本發明具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備操作在開啟狀態又一實施例的俯視圖。
請參閱圖1，為本發明具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。如圖所示，薄膜沉積設備10主要包括一反應腔體11、一承載盤13及一遮蔽裝置100，其中反應腔體11包括一容置空間12用以容置承載盤13及部分的遮蔽裝置100。
承載盤13位於反應腔體11的容置空間12內，並用以承載至少一基板163。以薄膜沉積設備10為物理氣相沉積腔體為例，反應腔體11內設置一靶材161，其中靶材161面對基板163及承載盤13。例如靶材161可設置在反應腔體11的上表面，並朝向位於容置空間12內的承載盤13及/或基板163。
請配合參閱圖2及圖3，遮蔽裝置100包括一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153及一驅動裝置17，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153位於容置空間12內。驅動裝置17連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，並分別驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153以驅動裝置17為軸心同步擺動。
在本發明一實施例中，驅動裝置17連接一第一連接臂141及一第二連接臂143，並透過第一連接臂141及一第二連接臂143分別連接第一遮蔽 板151及第二遮蔽板153，其中驅動裝置17分別透過第一連接臂141及一第二連接臂143帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動或轉動。
第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可為板體，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積及形狀可為相近，例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可為半圓形的板體。當驅動裝置17帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153閉合時，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會相互靠近並形成一圓板狀的遮蔽件15，並透過遮蔽件15遮擋承載盤13及/或基板163。
第一遮蔽板151包括一第一內側面1511及至少一第一外側面1513，而第二遮蔽板153則包括一第二內側面1531及至少一第二外側面1533，其中第一遮蔽板151的第一內側面1511面對第二遮蔽板153的第二內側面1531。
第一遮蔽板151的第一內側面1511包括至少一凸部1515，而第二遮蔽板153的第二內側面1531包括至少一凹部1535。第一內側面1511的凸部1515對應第二內側面1531的凹部1535，其中凸部1515的體積略小於凹部1535。如圖4所示，凸部1515位於第一遮蔽板151的第一內側面1511的中間位置，而凹部1535則位於第二遮蔽板153的第二內側面1531的中間位置。如圖6所示，凸部1515位於第一遮蔽板151的第一內側面1511的上方位置，而凹部1535亦位於第二遮蔽板153的第二內側面1531的上方位置。
如圖5所示，本發明實施例所述的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態，可被定義為第一遮蔽板151的第一內側面1511及第二遮蔽板153的第二內側面1531相互靠近，其中操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板 151的第一內側面1511與第二遮蔽板153的第二內側面1531之間形成一間隙154。
此外第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，第一內側面1511的凸部1515會進入第二內側面1531的凹部1535內，其中凸部1515與凹部1535之間亦會存在間隙154。
第一內側面1511及第二內側面1531之間的間隙154距小於一門檻值，例如小於1mm。具體而言，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153並不會直接接觸，第一遮蔽板151的凸部1515與第二遮蔽板153的凹部1535亦不會直接接觸，以防止第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在接觸過程中產生微粒，而汙染反應腔體11的容置空間12及/或承載盤13。
以第一遮蔽板151及第二遮蔽板153為半圓形的板體為例，第一遮蔽板151的第一內側面1511及第二遮蔽板153的第二內側面1531為一直線的側邊，第一遮蔽板151的第一外側面1513及第二遮蔽板153的第二外側面1533及一半圓形或弧形的側邊。
上述第一遮蔽板151的第一內側面1511及第二遮蔽板153的第二內側面1531為直線的側邊僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制。在實際應用時，上述第一遮蔽板151的第一內側面1511及第二遮蔽板153的第二內側面1531亦可以是對應的曲線或鋸齒狀側邊。
此外第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積及形狀相近，並為半圓形的板體僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制。在實際應用時，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以是具有不同面積及形狀的板 體，亦可為方形、橢圓形或任意幾何形狀的板體，例如第一遮蔽板151的面積可大於第二遮蔽板153的面積。
在本發明一實施例中，如圖7所示，驅動裝置17包括至少一驅動馬達171及一軸封裝置173，其中驅動馬達171透過軸封裝置173連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驅動馬達171位於反應腔體11的容置空間12外，而軸封裝置173則穿過並設置在反應腔體11，其中部分的軸封裝置173位於反應腔體11的容置空間12內。
軸封裝置173包括一外管體1731及一軸體1733。外管體1731包括一空間1732用以容置軸體1733，其中外管體1731及軸體1733同軸設置，且外管體1731及軸體1733可相對轉動。外管體1731連接第一連接臂141，並經由第一連接臂141連接並帶動第一遮蔽板151擺動。軸體1733連接第二連接臂143，並經由第二連接臂143連接並帶動第二遮蔽板153擺動。在本發明另一實施例中，軸封裝置173可以是磁流體軸封。
在本發明一實施例中，如圖7所示，驅動馬達171的數量可為兩個，兩個驅動馬達171分別連接軸封裝置173的外管體1731及軸體1733，並分別驅動外管體1731及軸體1733朝相反方向同步轉動，以透過外管體1731及軸體1733分別帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝不同方向擺動。
在本發明另一實施例中，驅動馬達171的數量可為一個，並透過一連動機構經由第一連接臂141及第二連接臂143分別連接及驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向同步擺動。
具體而言，本發明的薄膜沉積設備10及/或遮蔽裝置100可操作在兩種狀態，分別是開啟狀態及遮蔽狀態。如圖2及圖9所示，驅動裝置17可 驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互遠離，並操作在開啟狀態。操作在開啟狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之間會形成一間隔空間152，使得靶材161與承載盤13及基板163之間不存在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。
而後可驅動承載盤13及基板163朝靶材161的方向靠近，並透過容置空間12內的氣體，例如惰性氣體，撞擊靶材161，以在基板163的表面沉積薄膜。
在本發明一實施例中，如圖1所示，反應腔體11的容置空間12可設置一擋件111，其中擋件111的一端連接反應腔體11，而擋件111的另一端則形成一開口112。承載盤13朝靶材161靠近時，會進入或接觸擋件111形成的開口112。反應腔體11、承載盤13及擋件111會在容置空間12內區隔出一反應空間，並在反應空間內的基板163表面沉積薄膜，防止在反應空間外的反應腔體11及承載盤13的表面形成沉積薄膜。
此外，如圖3及圖9所示，驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近，並操作在遮蔽狀態。閉合的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可形成遮蔽件15，其中遮蔽件15會位在靶材161與承載盤13之間，並用以遮蔽承載盤13以隔離靶材161及承載盤13。
遮蔽件15可在容置空間12內區隔一清潔空間121，其中清潔空間121與反應空間的區域部分重疊或相近。可在清潔空間121內進行預燒(burn-in)製程，以清潔靶材161及清潔空間121內的反應腔體11及/或擋件 111，並去除靶材161表面的氧化物、氮化物或其他汙染物，及反應腔體11及/或擋件111表面的沉積薄膜。
在清潔薄膜沉積設備10的過程中，承載盤13及/或基板163會被遮蔽件15遮擋或隔離，以避免清潔過程中產生的物質汙染或沉積在承載盤13及/或基板163的表面。
具體而言，本發明透過第一遮蔽板151及第二遮蔽板153構成遮蔽件15，並透過第一連接臂141及第二連接臂143分別承載第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的重量，可降低第一連接臂141及第二連接臂143的負擔。
此外，亦可進一步增加第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的厚度或重量，以避免第一及第二遮蔽板151/153在清潔薄膜沉積設備10的過程中發生高溫變形，可防止清潔過程中的電漿或汙染通過變形的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153接觸下方的承載盤13或基板163。
將遮蔽件15區分成兩個可相互連接及分離的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，更有利於縮小開啟狀態下的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153需要的收納空間，並可簡化或調整反應腔體11的構造。
在本發明一實施例中，如圖8及圖9所示，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以在反應腔體11的容置空間12內操作在開啟狀態及遮蔽狀態，而不需要額外設置一個或多個儲存腔體來儲存開啟狀態的遮蔽板。例如可使得反應腔體11及/容置空間12的體積略大於原本的體積，便可使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在反應腔體11的容置空間12內開啟或閉合。
在本發明一實施例中，可進一步在反應腔體11上設置複數個位置感測單元19，其中位置感測單元19朝向容置空間12，並用以感測第一遮蔽 板151及第二遮蔽板153的位置，以判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否處在開啟狀態。例如位置感測單元19可以是光感測單元。
在實際應用時，可調整位置感測單元19的位置，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153開啟到特定角度後才會被位置感測單元19所感測。而後承載盤13才能朝靶材161的方向靠近，以避免承載盤13、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153發生碰撞。
在實際應用時可依據薄膜沉積設備10上其他機構或動線的配置，調整遮蔽裝置100在反應腔體11的位置。以反應腔體11的容置空間12為四方體為例，如圖8及圖9所示，遮蔽裝置100的驅動裝置17可設置在反應腔體11及/或容置空間12的側邊。如圖10所示，遮蔽裝置100的驅動裝置17亦可設置在反應腔體11/或容置空間12的角落，以利於在反應腔11的側邊設置基板進料口及抽氣管線等機構。
在本發明一實施例中，反應腔體11可連接兩個感測區113，其中感測區113凸出反應腔體11的側表面，且感測區113的厚度小於反應腔體11。兩個感測區113分別包括一感測空間120，且感測區113的感測空間120流體連接反應腔體11的容置空間12，其中感測空間120的厚度或高度小於容置空間12。當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態時，部分的第一遮蔽板151及部分的第二遮蔽板153會分別進入流體連接容置空間12的兩個感測空間120，其中位於感測空間120內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積小於位於容置空間12內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積。
如圖10所示，兩個感測區113分別設置在反應腔體11相鄰的兩個側邊，並於兩個感測區113上分別設置至少一位置感測單元19，分別用以感測進入感測空間120的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。
以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10:薄膜沉積設備
100:遮蔽裝置
11:反應腔體
111:擋件
112:開口
12:容置空間
121:清潔空間
13:承載盤
141:第一連接臂
143:第二連接臂
15:遮蔽件
151:第一遮蔽板
153:第二遮蔽板
161:靶材
163:基板
17:驅動裝置

Claims (6)

  1. 一種具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，包括：一反應腔體，包括一容置空間；一承載盤，位於該容置空間內，並用以承載至少一基板；及一遮蔽裝置，包括：一第一遮蔽板，位於該容置空間內，並包括一第一內側面，其中該第一內側面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，位於該容置空間內，並包括一第二內側面，其中該第二內側面包括至少一凹部，該第一內側面的該凸部對應該第二內側面的該凹部；及一驅動裝置，連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，並分別驅動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板的該第一內側面及該第二遮蔽板的該第二內側面會相互靠近，而該第一內側面上的該凸部則會進入該第二內側面上的該凹部，並以該第一遮蔽板及該第二遮蔽板遮擋該承載盤，其中該驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，該驅動馬達透過該軸封裝置連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，其中該軸封裝置包括一外管體及一軸體，該外管體包括一空間用以容置該軸體，該驅動馬達透過該外管體連接該第一遮蔽板，透過該軸體連接該第二遮蔽板，並同步驅動該軸體及該外管體朝相反的方向轉動。
  2. 如請求項1所述的具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，包括兩個感測區連接該反應腔體，該兩個感測區分別包括一感測空間流體連接該容置空間，該兩個感測區的厚度小於該反應腔體，其中該兩個感測區分別設置至少一位置感測單元，用以感測進入該感測空間的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  3. 如請求項1所述的具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，包括至少一位置感測單元設置於該反應腔體，並用以感測該第一遮蔽板及該第二遮蔽板的位置。
  4. 如請求項1所述的具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備，其中該第一遮蔽板的面積大於該第二遮蔽板的面積。
  5. 一種遮蔽裝置，適用於一薄膜沉積設備，包括：一第一遮蔽板，包括一第一內側面，其中該第一內側面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，包括一第二內側面，其中該第二內側面包括至少一凹部，該第一內側面的該凸部對應該第二內側面的該凹部；及一驅動裝置，連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，並分別驅動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板的該第一內側面及該第二遮蔽板的該第二內側面會相互靠近，而該第一內側面上的該凸部則會進入該第二內側面上的該凹部，其中該驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，該驅動馬達透過該軸封裝置連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，其中該軸封裝置包括一外管體及一軸體，該外管體包括一空間用以容置該軸體，該驅動馬達透過該外管體連接該第一遮蔽板，透過該軸體連接該第二遮蔽板，並同步驅動該軸體及該外管體朝相反的方向轉動。
  6. 如請求項5所述的遮蔽裝置，其中該第一遮蔽板的面積大於該第二遮蔽板的面積。
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