TW202309677A - 曝光裝置及測量系統 - Google Patents

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加藤正紀
水野恭志
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日商尼康股份有限公司
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Abstract

為提高FO-WLP之配線圖案形成中之處理量，曝光裝置包括：基板載台，載置複數個基板（WF）；以及複數個第1投影模組，分別包括空間光調變器，將使於上述複數個基板之各基板上配置有複數個之半導體晶片間連接之配線圖案，投影至上述複數個基板上；並且上述複數個第1投影模組對不同基板大致同時地投影各自之上述配線圖案。

Description

曝光裝置及測量系統
本發明係關於曝光裝置及測量系統。
近年來，已知稱為FO-WLP（Fan Out Wafer Level Package，扇出型晶圓級封裝）、FO-PLP（Fan Out Plate Level Package，扇出型方片級封裝）之半導體裝置之封裝。
例如，於FO-WLP之製造中，藉由將複數個半導體晶片排列於晶圓狀之支持基板上，利用樹脂等成模材料來固定而形成假晶圓，使用曝光裝置來形成將半導體晶片之焊墊彼此連接之再配線層。
期望提高FO-WLP及FO-PLP之再配線層之形成中之處理量（例如專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-081281號公報
根據揭示之形態，提供一種曝光裝置，其包括：基板載台，載置複數個基板；以及複數個第1投影模組，分別包括空間光調變器，將使於上述複數個基板之各基板上配置有複數個之半導體晶片間連接之配線圖案，投影至上述複數個基板上；並且上述複數個第1投影模組對不同基板大致同時地投影各自之上述配線圖案。
此外，可將後述實施方式之構成進行適當改良，又，亦可使至少一部分替代為其他構成物。進而，對其配置並無特別限定之構成要件並不限定於實施方式所揭示之配置，可配置於能夠達成其功能之位置。
《第1實施方式》 基於圖1～圖16，對第1實施方式之曝光裝置進行說明。此外，以後之說明中，於單獨記載為基板P之情形時，表示矩形狀之基板，晶圓狀之基板記載為晶圓WF。又，將載置於後述基板載台30上之基板P或者晶圓WF之法線方向設為Z軸方向，將在與其正交之面內，相對於空間光調變器（SLM：Spatial Light Modulator）而對基板P或晶圓WF進行相對掃描之方向設為X軸方向，將與Z軸及X軸正交之方向設為Y軸方向，且將繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉（傾斜）方向分別設為θx、θy及θz方向來進行說明。空間光調變器之例子可列舉：液晶元件、數位鏡裝置（數位微鏡裝置，DMD（Digital Micromirror Device））、磁光學空間光調變器（MOSLM：Magneto Optic Spatial Light Modulator）等。第1實施方式之曝光裝置EX包括DMD 204作為空間光調變器，亦可包括其他空間光調變器。
圖1係表示包括一實施方式之曝光裝置EX的FO-WLP及FO-PLP之配線圖案形成系統500之概要的俯視圖。圖2係概略性表示曝光裝置EX之構成的立體圖。
配線圖案形成系統500係用以形成配線圖案之系統，上述配線圖案將如圖3（A）所示之配置於晶圓WF上之半導體晶片（以下記載為晶片）間、或者如圖3（B）所示之配置於基板P上之晶片間連接。
本實施方式中，形成將於晶圓WF或基板P上配置有複數個之晶片之套組（以兩點鏈線表示）分別所包含之晶片C1與晶片C2之間連接之配線圖案。此外，本實施方式中，各套組中所包含之晶片之數量為2個，但並不限定於此，亦可為3個以上。
以下，對形成將配置於晶圓WF上之晶片間連接之配線圖案之情形進行說明。
如圖1所示，配線圖案形成系統500包括：塗佈機顯影器裝置CD、及曝光裝置EX。
塗佈機顯影器裝置CD於晶圓WF上塗佈感光性之抗蝕劑。塗佈有抗蝕劑之晶圓WF搬入至可儲存複數片晶圓WF之緩衝部PB中。緩衝部PB兼為晶圓WF之交接埠。
更詳細而言，緩衝部PB包括搬入部及搬出部。自塗佈機顯影器裝置CD朝向搬入部逐片地搬入塗佈有抗蝕劑之晶圓WF。塗佈有抗蝕劑之晶圓WF自塗佈機顯影器裝置CD，以既定時間間隔逐片地搬入至搬入部，但由於在後述之托盤TR上彙集搭載複數片，故而搬入部作為積存晶圓WF之緩衝器來發揮功能。
又，搬出部作為將曝光後之晶圓WF搬出至塗佈機顯影器裝置CD時之緩衝器來發揮功能。塗佈機顯影器裝置CD只能將曝光後之晶圓WF逐片取出。因此，將搭載有複數片曝光後之晶圓WF的托盤TR放置於搬出部。藉此，塗佈機顯影器裝置CD可自托盤TR上逐片取出曝光後之晶圓WF。
曝光裝置EX包括本體部1及基板交換部2。於基板交換部2，如圖1所示，設置有機器人RB。機器人RB將放置於緩衝部PB上之晶圓WF於1片托盤TR上排列複數片。
如圖1及圖2所示，本第1實施方式中，可於後述之基板載台30R、30L上，載置4片×3行之晶圓WF。本第1實施方式之托盤TR係可於基板載台30R、30L上依序載置4片×1行之晶圓WF的格子狀之托盤。此外，托盤TR亦可為可於基板載台30R、30L之整面上一次載置晶圓WF之托盤（即，可載置4片×3行之晶圓WF之托盤）。
又，如圖2所示，基板交換部2包括交換臂20R、20L。交換臂20R進行晶圓WF（更具體而言，載置有複數個晶圓WF之托盤TR）於基板載台30R之基板保持具PH上之搬入・搬出，交換臂20L進行晶圓WF於基板載台30L之基板保持具PH上之搬入・搬出。此外，以後之說明中，於無需將交換臂20R、20L特別加以區別之情形時，記載為交換臂20。又，於圖2以外，省略基板保持具PH之圖示。
此外，通常，交換臂20R、20L配置用以搬入托盤TR之搬入臂以及用以搬出托盤TR之搬出臂之2個。藉此，可將托盤TR高速交換。搬入晶圓WF時，基板交換銷10支持格子狀之托盤TR。若基板交換銷10下降，則托盤TR下沉至形成於基板載台30上之未圖示之槽內，晶圓WF由基板載台30上之基板保持具PH所吸附、保持。此外，於如圖2所示，在托盤TR上載置1行基板之情形時，於基板載台30R、30L上根據載置各托盤TR之位置，來變更基板載台30R、30L之位置或者交換臂20R、20L之位置。
其次，對本體部1進行說明。圖4係用以對配置於本體部1所包括之光學定盤110上之模組進行說明之圖。如圖4所示，於動態地支持於柱100上之光學定盤110上，配置有複數個投影系統210、自動聚焦系統AF、對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C。
圖5（A）係表示投影系統210之光學系統之圖。投影系統210包含：照明模組220、及投影模組200。照明模組220包括：準直透鏡201、複眼透鏡202、主聚光透鏡203、及DMD 204等。
自光源LS（參照圖2）射出之雷射光藉由傳輸光纖FB而被輸入投影模組200。雷射光經過準直透鏡201、複眼透鏡202、主聚光透鏡203，大致均勻地對DMD 204進行照明。
圖5（B）係概略性表示DMD 204之圖，圖5（C）表示電源關閉之情形時之DMD 204。此外，圖5（B）～圖5（E）中，將處於開啟狀態之鏡子以影線表示。
DMD 204包括複數個可進行反射角變更控制之微鏡204a。各微鏡204a藉由繞Y軸傾斜而成為開啟狀態。圖5（D）中，示出僅將中央之微鏡204a設為開啟狀態，且其他之微鏡204a設為中性之狀態（不開啟亦不關閉之狀態）之情形。又，各微鏡204a藉由繞X軸傾斜而成為關閉狀態。圖5（E）中，示出僅將中央之微鏡204a設為關閉狀態，且其他之微鏡204a設為中性之狀態之情形。DMD 204藉由將各微鏡204a之開啟狀態以及關閉狀態進行切換，而生成將晶片間連接之配線之曝光圖案（以後，記載為配線圖案）。
由關閉狀態之鏡子所反射之照明光如圖5（A）所示，由關閉光吸收板205所吸收。投影模組200具有用於將DMD 204之1像素以既定之大小來投影之倍率，藉由透過透鏡之Z軸驅動來對焦，且驅動一部分透鏡，可將倍率稍微加以修正。又，DMD 204自身可藉由對搭載有DMD 204之X、Y、θ載台（未圖示）進行控制，而於X軸方向、Y軸方向及θz方向上驅動，例如對與基板載台30之目標值相對之偏差程度進行修正。
此外，由於將DMD 204作為空間光調變器之一例來進行說明，故而作為反射雷射光之反射型來進行說明，但空間光調變器亦可為穿透雷射光之穿透型，亦可為繞射雷射光之繞射型。空間光調變器可將雷射光於空間上、且於時間上進行調變。
回到圖4，自動聚焦系統AF係以隔著投影系統210之方式來配置。藉此，不論晶圓WF之掃描方向，皆可於形成將配置於晶圓WF上之晶片間連接之配線圖案的曝光動作之前，利用自動聚焦系統AF來進行測量。
圖6係投影系統210附近之放大圖。如圖6所示，於投影模組200附近，設置有用以測量基板載台30之位置之固定鏡54。
又，如圖6所示，於基板載台30上設置有對準裝置60。對準裝置60包括：基準標記60a、以及二維攝像元件60e等。對準裝置60用於測量及校正各種模組之位置，亦用於對配置於光學定盤110上之對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C進行校正。
各模組之位置之測量・校正藉由利用投影模組200，將校正用之DMD圖案投影至對準裝置60之基準標記60a上，測量基準標記60a與DMD圖案之相對位置，來測量各模組之位置。
又，對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C之校正可藉由以對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C測量對準裝置60之基準標記60a來進行。即，可藉由以對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C測量對準裝置60之基準標記60a，來求出對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C之位置。進而，可使用基準標記60a，來求出與模組之位置之相對位置。
又，於基板載台30上，設置有用於測量基板載台30之位置的移動鏡MR、DM馬達70等。
對準系統ALG-R及ALG-L分別以對準裝置60之基準標記60a為基準，來對吸附於基板保持具PH上之各晶圓WF上之晶片之位置或者所配線之晶片之焊墊之位置進行測量。更具體而言，對準系統ALG_R、ALG_L係以基準標記60a為基準，基於各晶片之設計位置來測量各晶片之位置。測量結果輸出至後述資料製作裝置300。
此處，對各晶片之位置之測量進行說明。
圖7（A）係表示所有晶片配置於設計上之位置（以下記載為設計位置）之狀態之晶圓WF的概略圖。如圖7（A）所示，利用曝光裝置EX來曝光（形成）將晶片C1與晶片C2連接之配線圖案WL。此處，FO-WLP中，於晶圓WF上利用樹脂等成模材料來固定晶片，因此如圖7（B）所示，各個晶片之位置相對於設計位置而偏離。於該情形時，若使用表示將位於設計位置之晶片間連接之配線圖案的資料（以後記載為設計值資料）來控制DMD 204曝光配線圖案，則存在配線圖案自焊墊之位置偏離而產生連接不良或短路之可能性。
因此，本實施方式中，利用對準系統ALG_R或ALG_L，來測量於晶圓WF上配置有複數個之晶片之套組分別所包含之晶片之位置。資料製作裝置300基於由對準系統ALG_R或ALG_L所取得之測量結果，來製作對設計值資料之一部分加以修正之配線圖案資料。
對準系統ALG_R及ALG_L包括複數個測量顯微鏡61a及61b。
（測量顯微鏡61a及61b之配置例） 此處，對於對準系統ALG_R及ALG_L所包括之複數個測量顯微鏡61a及61b之配置進行說明。圖8係表示測量顯微鏡61a及61b之配置例之圖。圖8中，將測量顯微鏡61a及61b之透鏡作為測量顯微鏡61a及61b來圖示。如圖8所示，對在基板載台30上配置有4行×3列之晶圓WF之情形進行說明。於Y軸方向上，晶圓WF以間隔L1來排列，於X軸方向上，晶圓WF以間隔L2來排列。
複數個測量顯微鏡中，第1測量顯微鏡61a係以可大致同時地測量不同晶圓WF上之晶片之位置之方式來配置。
複數個第1測量顯微鏡61a係以可大致同時地測量不同之晶圓WF上之半導體晶片之位置之方式來配置。本實施方式中，複數個第1測量顯微鏡61a係與複數個晶圓WF之每一個對應而設置。具體而言，第1測量顯微鏡61a配置為4行×3列之矩陣狀。
於Y軸方向上相鄰之第1測量顯微鏡61a彼此之間隔D5a大致等於在Y軸方向上排列晶圓WF之間隔L1，於X軸方向上相鄰之第1測量顯微鏡61a彼此之間隔D6a大致等於在X軸方向上排列晶圓WF之間隔L2。如上所述，藉由配置第1測量顯微鏡61a，可大致同時地測量配置於12片晶圓WF之每一片上之晶片之位置。
本實施方式中，對準系統ALG_R及ALG_L另包括與複數個第1測量顯微鏡61a之每一個對應而設置之複數個第2測量顯微鏡61b。複數個第2測量顯微鏡61b分別在與對應之第1測量顯微鏡61a所測量之晶圓WF相同之晶圓WF中，與對應之第1測量顯微鏡61a大致同時地測量與對應之第1測量顯微鏡61a所測量之區域不同之區域。
圖8之例中，第2測量顯微鏡61b對於複數個第1測量顯微鏡61a之每一個，各設置4個。各第2測量顯微鏡61b配置於自對應之第1測量顯微鏡61a起，偏離測量區域MR1a之Y軸方向上之寬度W MR之整數倍的位置。即，圖8中，於第1測量顯微鏡61a、以及與第1測量顯微鏡61a對應而設置之第2測量顯微鏡61b中，與最接近於第1測量顯微鏡61a之第2測量顯微鏡61b之間隔Dmab1大致等於W MR（W MR之1倍）。與第二接近於第1測量顯微鏡61a之第2測量顯微鏡61b之間隔Dmab2大致等於W MR之2倍。又，測量區域MR1a之Y軸方向上之寬度W MR大致等於晶圓WF之直徑d1之整數分之1（圖8中為5分之1）。
圖8之例中，由於可藉由1次掃描來測量12片晶圓WF上之晶片之位置，因此，例如與利用1個測量顯微鏡61來測量12片晶圓WF上之晶片之位置的情形相比較，可縮短晶片之位置測量所花費的時間。更詳細而言，圖8之例中，可以利用1個測量顯微鏡61來測量12片晶圓WF上之晶片之位置的情形時之時間之60分之1之時間，來測量12片晶圓WF上之晶片之位置。因此，可提高配線圖案之形成中之處理量。此外，所謂配線圖案之形成中之處理量，係指配線圖案之形成之處理中之處理量，配線圖案之形成之處理包括：晶片位置之測量處理、晶圓WF之位置之測量處理、以及配線圖案之形成處理。
對準系統ALG_C係於曝光開始前，以對準裝置60之基準標記60a為基準，對載置於基板載台30之基板保持具上之晶圓WF之位置進行測量。基於對準系統ALG_C之測量結果，檢測出晶圓WF相對於基板載台30之位置偏離，變更曝光開始位置等。
此外，對準系統ALG_C係於曝光開始前，以對準裝置60之基準標記60a（參照圖8）為基準，對載置於基板載台30之基板保持具PH上之晶圓WF之位置進行測量，若基板載台30與晶圓WF之位置關係不變化，則亦可省略利用對準系統ALG_C之測量。又，於載置於基板保持具PH上之各晶圓WF之X、Y、θ、倍率稍微產生偏離之情形時，只要利用對準系統ALG_C來測量當前之晶圓WF之狀態，藉由變更搭載有DMD 204之X、Y、θ平台之狀態、以及透鏡之倍率，來對與利用對準系統ALG_R、ALG_L來測量之晶圓WF之狀態（用於製作配線圖案資料之晶圓WF之狀態）的差分進行修正即可。藉此，無需進行配線圖案資料之重寫，可順利地推進至曝光。
本實施方式中，對準系統ALG_C包括複數個測量顯微鏡65。複數個測量顯微鏡65分別大致同時地測量不同基板之位置。
（測量顯微鏡65之配置） 圖9表示對準系統ALG_C所包括之複數個測量顯微鏡65之配置例。如圖9所示，本實施方式中，複數個測量顯微鏡65係以與複數個晶圓WF分別對應之方式來設置。即，複數個測量顯微鏡65配置為4行×3列之矩陣狀。於Y軸方向上相鄰之測量顯微鏡65彼此之間隔D3大致等於在Y軸方向上排列晶圓WF之間隔L1，於X軸方向上相鄰之測量顯微鏡65彼此之間隔D4大致等於在X軸方向上排列晶圓WF之間隔L2。
以上述方式配置之複數個測量顯微鏡65分別藉由基板載台30移動，而如由虛線箭頭所示般，相對於晶圓WF而相對移動，測量對應之晶圓WF之4處。藉此，可算出載置於基板保持具PH上之晶圓WF之X軸方向偏移（X）、Y軸方向偏移（Y）、旋轉（Rot）、X軸方向倍率（X_Mag）、Y軸方向倍率（Y_Mag）、正交度（Oth）之6個參數。
對準系統ALG_C中，以與複數個晶圓WF之每一個對應之方式設置有複數個測量顯微鏡65，因此例如與利用1個測量顯微鏡65來測量晶圓WF之位置之情形相比較，可以短時間來測量所有晶圓WF之位置。
圖10係表示本實施方式之曝光裝置EX之控制系統600之方塊圖。如圖10所示，控制系統600包括：資料製作裝置300、第1記憶裝置310R、第2記憶裝置310L及曝光控制裝置400。
資料製作裝置300自對準系統ALG_R及ALG_L接收在載置於基板載台30之基板保持具上之晶圓WF上設置之各晶片之位置或者各晶片之焊墊之位置之測量結果。資料製作裝置300基於各晶片之位置之測量結果來決定將晶片間連接之配線圖案，於生成所決定之配線圖案時製作用於控制DMD 204之控制資料。本實施方式中，利用對準系統ALG_R或ALG_L來測量於晶圓WF上配置有複數個之晶片之套組分別所包含之晶片之位置。資料製作裝置300基於由對準系統ALG_R或ALG_L所取得之測量結果，來製作將設計值資料之一部分加以修正之配線圖案資料。
所製作之配線圖案資料記憶於第1記憶裝置310R或第2記憶裝置310L中。第1記憶裝置310R及第2記憶裝置310L例如為SSD（Solid State Drive，固態硬碟）。
第1記憶裝置310R記憶如下之配線圖案資料，其於對載置於基板載台30R上之晶圓WF進行曝光時用於控制DMD 204。第2記憶裝置310L記憶如下之配線圖案資料，其於對載置於基板載台30L上之晶圓WF進行曝光時用於控制DMD 204。記憶於第1記憶裝置310R或第2記憶裝置310L中之配線圖案資料傳送至曝光控制裝置400。
曝光控制裝置400控制投影模組200，於晶圓WF上曝光配線圖案。更詳細而言，曝光控制裝置400藉由複數個投影模組200，對不同之晶圓WF大致同時地曝光各自之配線圖案。
因此，本實施方式中，以複數個投影模組200各自之投影區域位於不同之晶圓WF上之方式，來配置複數個投影模組200。以下，對投影區域之配置例、以及用以實現其之投影模組200之配置進行說明。
（配置例1） 圖11（A）表示投影模組200投影配線圖案之投影區域之配置例1。圖11（A）中，將投影模組200以虛線來表示，將投影模組200對晶圓WF投影配線圖案之投影區域PR1以實線來表示。又，圖11（A）中，將藉由基板載台30之1次掃描來曝光配線圖案之區域R1以兩點鏈線來表示。以後之圖中亦同樣。此外，所謂1次掃描，係指使基板載台30自+X側向-X側移動既定距離、或者自-X側向+X側移動既定距離。以後，將基板載台30藉由1次掃描來移動之距離記載為掃描距離。
如圖11（A）所示，晶圓WF於Y軸方向（非掃描方向）上以間隔L1來配置，且於X軸方向（掃描方向）上以間隔L2來配置。晶圓WF之直徑為d1。
如圖11（A）所示，配置例1中，以於Y軸方向上相鄰之投影區域PR1彼此之間隔D1大致等於在Y軸方向上配置晶圓WF之間隔L1（D1＝L1）之方式配置有投影區域PR1。圖11（A）所示之投影區域PR1之配置可藉由例如於Y軸方向上，以與間隔L1大致相等之間隔D1來配置投影模組200而實現。
圖11（B）係對如圖11（A）般配置有投影區域PR1之情形時的配線圖案之形成（曝光）進行說明之圖。圖11（B）中，將投影區域PR1相對於晶圓WF之相對移動以虛線箭頭來表示。又，於右端記載有基板載台30之掃描次數。
配置例1中，各投影模組200藉由1次掃描，於4個晶圓WF上投影、曝光配線圖案。
如圖11（A）所示，藉由1次掃描，利用各投影模組200來曝光之區域R1之Y軸方向（非掃描方向）上之寬度為W1，晶圓WF之直徑d1為W1之8倍。於該情形時，可藉由8次掃描，於所有晶圓WF上形成配線圖案。
圖11（A）及圖11（B）之例中，於僅設置有1個投影模組200之情形時，為了於所有晶圓WF上形成配線圖案，需要24次掃描。另一方面，如上所述根據配置例1，可藉由8次掃描來於所有晶圓WF上曝光配線圖案，因此可縮短配線圖案之形成所花費之時間。
（配置例2） 圖12（A）係對投影模組200之投影區域之配置例2進行說明之圖。
圖12（A）所示之配置例2中，複數個投影模組200之投影區域PR1配置為2列×3行之矩陣狀。於Y軸方向上相鄰之投影區域PR1彼此之間隔為D1，於X軸方向上相鄰之投影區域PR1彼此之間隔為D2。Y軸方向上之間隔D1大致等於在Y軸方向上配置晶圓WF之間隔L1（D1＝L1），X軸方向上之間隔D2大致等於在X軸方向上配置晶圓WF之間隔L2之2倍（D2＝2×L2）。圖12（A）所示之投影區域PR1之配置例如可藉由於Y軸方向上以與間隔L1大致相等之間隔D1來配置投影模組200，且於X軸方向上以與間隔L2之2倍大致相等之間隔D2來配置投影模組200而實現。
圖12（B）係對如圖12（A）般配置有投影區域PR1之情形時的配線圖案之形成進行說明之圖。如圖12（A）所示，考慮如下情形：藉由1次掃描，利用各投影模組200來曝光之區域R1之Y軸方向（非掃描方向）上之寬度為W1，且晶圓WF之直徑d1大致等於W1之8倍。於該情形時，可藉由8次掃描而於所有晶圓WF上形成配線圖案。
配置例2中，於X軸方向上亦排列有複數個投影模組200，因此較配置例1之情形而言，基板載台30之掃描距離變短（配置例1之掃描距離之2分之1）。因此，可較配置例1而言，縮短配線圖案之形成所需之時間。
（配置例3） 圖13（A）表示複數個投影模組200之投影區域之配置例3。
圖13（A）所示之配置例3中，複數個投影模組200係以與各晶圓WF對應之方式配置為4行×3列之矩陣狀。於Y軸方向上相鄰之投影區域PR1彼此之間隔為D1，且於X軸方向上相鄰之投影區域PR1彼此之間隔為D2。Y軸方向上之間隔D1大致等於在Y軸方向上配置晶圓WF之間隔L1，X軸方向上之間隔D2大致等於在X軸方向上配置晶圓WF之間隔L2。圖13（A）所示之投影區域PR1之配置可藉由在Y軸方向上以與間隔L1大致相等之間隔D1來配置投影模組200，且在X軸方向上以與間隔L2大致相等之間隔D2來配置投影模組200。
圖13（B）係對如圖13（A）般配置有投影區域PR1之情形時的配線圖案之形成進行說明之圖。如圖13（A）所示，藉由1次掃描，由各投影模組200來曝光之區域R1之Y軸方向（非掃描方向）上之寬度為W1，且晶圓WF之直徑d1大致等於W1之8倍。於該情形時，可藉由8次掃描，於所有晶圓WF上形成配線圖案。
配置例3中，於X軸方向上，以與晶圓WF之配置間隔L1大致相等之間隔D2而配置有投影區域PR1。藉此，可使基板載台30之掃描距離進而短於配置例2（配置例2之掃描距離之2分之1），因此可以較圖12（A）所示之配置例2更短之時間，於所有晶圓WF上形成配線圖案。換言之，由於將複數個投影模組200各自所對應之晶圓WF曝光，故而可以與將1片晶圓WF曝光之情形相同之時間，來將12片晶圓WF曝光。
又，配置例3中，與圖11（A）或圖12（A）所示之配置例相比較，可使曝光裝置600小型化，進而可提高處理量。以下，對其原因進行說明。
如圖9所示，於曝光開始前測量晶圓WF之位置，來決定用以對各晶圓WF之位置偏離進行修正之修正值。此時，如圖11（A）或圖12（B）所示，於藉由1次掃描曝光，各投影模組200將複數個晶圓WF曝光之情形時，當將不同之晶圓WF曝光時，必須基於與晶圓WF對應之修正值來進行光學性修正。因此，例如，於所曝光之晶圓WF每次變化時，需要基於修正值來變更搭載於DMD 204上之X、Y、θ平台之狀態以及透鏡之倍率。另一方面，若如圖13（A）所示，決定各投影模組200負責曝光之晶圓WF，則修正值不改變，因此不需要變更搭載有DMD 204之X、Y、θ平台之狀態以及透鏡之倍率。因此，不需要將晶圓WF彼此之間隔，設為考慮到藉由修正值之切換而引起之DMD 204之X、Y、θ平台之驅動時間或透鏡倍率之變更時間的間隔，從而帶來曝光裝置600之小型化或處理量之提高。
（配置例4） 圖14（A）表示複數個投影模組200之投影區域之配置例4。圖14（A）所示之配置例4中，作為複數個投影模組200，設置有複數個第1投影模組200a、以及與複數個第1投影模組200a分別對應而設置之複數個第2投影模組200b。
複數個第1投影模組200a之投影區域PR1a對不同基板大致同時地投影各自之配線圖案。第1投影模組200a之投影區域PR1a中，於Y軸方向上相鄰之投影區域PR1a彼此之間隔為D1a，間隔D1a大致等於在Y軸方向上配置晶圓WF之間隔L1。圖14（A）所示之投影區域PR1a之配置例如可藉由將第1投影模組200a於Y軸方向上，以與間隔L1大致相等之間隔D1a來配置而實現。
複數個第2投影模組200b對與對應之第1投影模組200a投影配線圖案之晶圓WF相同之晶圓WF，與對應之第1投影模組200a大致同時地投影各自之配線圖案。
各第2投影模組200b之投影區域PR1b配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a起，偏離晶圓WF之直徑d1之整數分之1的位置。圖14（A）之例中，第2投影模組200b之投影區域PR1b配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a起，偏離約d1/2之位置。換言之，投影區域PR1a與投影區域PR1b之間隔Dab大致等於晶圓WF之直徑d1之整數分之1（圖14（A）中為2分之1）。圖14（A）所示之投影區域PR1b之配置例如可藉由將各第2投影模組200b於Y軸方向上，配置於自對應之第1投影模組200a起偏離晶圓WF之直徑d1之整數分之1的位置而實現。
圖14（B）係對如圖14（A）般配置有投影區域PR1a及投影區域PR1b之情形時的配線圖案之形成進行說明之圖。如圖14（B）所示，藉由1次掃描，利用第1投影模組200a來曝光之區域R1a以及利用第2投影模組200b來曝光之區域R1b之Y軸方向（非掃描方向）上之寬度為W1，晶圓WF之直徑d1大致等於W1之8倍。於該情形時，可藉由4次掃描而於所有晶圓WF上形成配線圖案。
如上所述，配置例4中，可藉由4次掃描而於所有晶圓WF上形成配線圖案，可以較圖11（A）所示之配置例1更短之時間來於所有晶圓WF上形成配線圖案。
（配置例5） 圖15（A）係對投影模組200之投影區域之配置例5進行說明之圖，圖15（B）係用以對第1投影模組200a及第2投影模組200b之配置進行說明之圖。
圖15（A）所示之配置例5中，與配置例4同樣，作為複數個投影模組200，設置有複數個第1投影模組200a、以及與複數個第1投影模組200a分別對應而設置之第2投影模組200b。
如圖15（A）所示，第1投影模組200a之投影區域PR1a中，於Y軸方向上相鄰之投影區域PR1a彼此之間隔為D1a，間隔D1a大致等於在Y軸方向上配置晶圓WF之間隔L1。圖15（A）所示之投影區域PR1a之配置例如可藉由將第1投影模組200a於Y軸方向上，以與間隔L1大致相等之間隔D1a來配置而實現。
複數個第2投影模組200b在與對應之第1投影模組200a投影配線圖案之晶圓WF相同之晶圓WF上，與第1投影模組200a大致同時地投影配線圖案。各第2投影模組200b之投影區域PR1b係於Y軸方向上，配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a，偏離晶圓WF之直徑整數分之1（圖15（A）中為8分之1）的位置。換言之，投影區域PR1a與投影區域PR1b之間隔Dab（參照圖15（B））大致等於晶圓WF之直徑d1之整數分之1（圖15（B）中，Dab＝d1/8）。圖15（A）所示之投影區域PR1b之配置例如可藉由將各第2投影模組200b於Y軸方向上，配置於自對應之第1投影模組200a偏離晶圓WF之直徑d1之8分之1的位置而實現。此時，於無法將第1投影模組200a及第2投影模組200b於Y軸方向上重複配置之情形時，如圖15（B）所示，只要以將第1投影模組200a及第2投影模組200b於X軸方向上重複之方式來配置即可。
圖15（C）係對如圖15（A）般配置有投影區域PR1a及投影區域PR1b之情形時的配線圖案之形成進行說明之圖。如圖15（A）所示，藉由1次掃描，利用第1投影模組200a及第2投影模組200b來分別曝光之區域R1a及R1b之Y軸方向（非掃描方向）上之寬度為W1，晶圓WF之直徑d1為W1之8倍。於該情形時，配置例5中，可藉由4次掃描而於所有晶圓WF上形成配線圖案。
即便如上所述，如配置例5般配置投影區域PR1a及PR1b，亦與配置例4同樣，可以較配置例1之情形更短之時間，於所有晶圓WF上形成配線圖案。
（配置例6） 圖16（A）係表示投影模組200之投影區域之配置例6之圖，圖16（B）係用以對第1投影模組200a及第2投影模組200b之配置進行說明之圖。
圖16（B）所示之配置例6中，第1投影模組200a及第2投影模組200b不僅於Y軸方向上，而且於X軸方向上亦設置有複數個。即，複數個第1投影模組200a設置為2行×3列之矩陣狀，複數個第2投影模組200b設置為2行×3列之矩陣狀。
如圖16（A）所示，複數個第1投影模組200a之投影區域PR1a係以於Y軸方向上相鄰之投影區域PR1a之間隔D1a成為與配置晶圓WF之間隔L1相同之方式來配置。又，投影區域PR1a係以於X軸方向上相鄰之投影區域PR1a之間隔D2a成為間隔L2之2倍之方式來配置。圖16（A）所示之投影區域PR1b之配置可藉由將第2投影模組200b，以與間隔L1大致相等之間隔D1a來配置於Y軸方向上，且以與間隔L2大致相等之間隔D2a來配置於X軸方向上而實現。
各第2投影模組200b之投影區域PR1b係以成為自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a起，於Y軸方向上偏離晶圓WF之直徑d1之整數分之1的位置之方式來配置。圖16（A）之例中，投影區域PR1b配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a起偏離約d1/8之位置。圖16（A）所示之投影區域PR1b之配置例如與配置例5之情形同樣，可藉由將各第2投影模組200b於Y軸方向上，配置於自對應之第1投影模組200a起偏離晶圓WF之直徑d1之8分之1的位置而實現。此時，於無法將第1投影模組200a及第2投影模組200b於Y軸方向上重複配置之情形時，如圖16（B）所示，只要以將第1投影模組200a及第2投影模組200b於X軸方向上重複之方式來配置即可。
圖16（C）係對如圖16（A）般配置有投影區域PR1a及投影區域PR1b之情形時的配線圖案之形成進行說明之圖。如圖16（A）所示，藉由1次掃描，由第1投影模組200a及第2投影模組200b來曝光之區域R1a及R1b之Y軸方向（非掃描方向）上之寬度為W1，晶圓WF之直徑d1大致等於W1之8倍。於該情形時，可藉由4次掃描，於所有晶圓WF上形成配線圖案。
又，配置例6中，於X軸方向上亦排列有複數個第1投影模組200a及第2投影模組200b，因此1次掃描中之掃描距離較配置例5之情形更短。因此，可以較圖15（A）所示之配置例5更短之時間，於所有晶圓WF上形成配線圖案。
如以上所詳細說明，本第1實施方式之曝光裝置EX包括：基板載台30；形成配線圖案之複數個DMD 204，上述配線圖案將在載置於基板載台30上之複數個晶圓WF之各晶圓WF上配置有複數個半導體晶片之套組分別所包含之半導體晶片（C1、C2）間連接；以及複數個投影模組200或200a，將由複數個DMD 204所形成之配線圖案投影至複數個晶圓WF上；並且複數個投影模組200或200a對不同之晶圓WF，大致同時地投影各自之配線圖案。藉此，與由1個投影模組來形成配線圖案之情形相比較，可縮短配線圖案之形成所花費之時間。
又，上述配置例4～6中，進而設置與複數個第1投影模組200a之每一個對應而設置之複數個第2投影模組200b，複數個第2投影模組200b在與對應之第1投影模組200a投影配線圖案之晶圓WF相同之晶圓WF上，與對應之第1投影模組200a大致同時地投影各自之上述配線圖案。藉此，較僅設置複數個投影模組200或者複數個第1投影模組200a之情形而言，可縮短配線圖案之形成所花費之時間。
又，本第1實施方式中，複數個晶圓WF在與掃描基板載台30之掃描方向（X軸方向）正交之非掃描方向（Y軸方向）上，以間隔L1來配置，且於配置例1～3中，投影模組200或者200a之投影區域PR1中，於非掃描方向上鄰接之投影區域PR1彼此之間隔D2大致等於間隔L1之整數倍（配置例1～3中為1倍）。又，配置例4～6中，第1投影模組200a之投影區域PR1a中，於非掃描方向上鄰接之投影區域PR1a彼此之間隔D1a大致等於間隔L1之整數倍（配置例4～6中為1倍）。藉此，與由1個投影模組200來形成配線圖案之情形相比較，可縮短配線圖案之形成所花費之時間。
又，本第1實施方式中，複數個晶圓WF以間隔L2來配置於掃描基板載台30之掃描方向（X軸方向）上，於配置例2及4中，掃描方向上之投影模組200之投影區域PR1彼此之間隔D2大致等於間隔L2之整數倍（配置例2中為2倍，配置例4中為1倍）。藉此，與將投影模組200於X軸方向上不配置複數個之情形相比較，可縮短基板載台30之掃描距離，亦可進而縮短配線圖案之形成所花費之時間。又，配置例6中，掃描方向上之投影區域PR1a彼此之間隔D2a大致等於間隔L2之整數倍（配置例6中為2倍）。藉此，與將第1投影模組200a於X軸方向上不配置複數個之情形相比較，可縮短基板載台30之掃描距離，因此可進而縮短配線圖案之形成所花費之時間。
又，第1本實施方式之配置例4～6中，於非掃描方向上，第2投影模組200b之投影區域PR1b配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a起，偏離間隔L1之整數分之1（配置例4中為2分之1，配置例5及6中為8分之1）的位置。藉此，可於各晶圓WF上高效率地形成配線圖案。
又，本第1實施方式中，曝光裝置EX包括對複數個晶圓WF各自之位置進行測量之複數個測量顯微鏡65，複數個測量顯微鏡65分別大致同時地測量不同之晶圓WF之位置。藉此，與利用1個測量顯微鏡65來測量晶圓WF之位置之情形相比較，可縮短晶圓WF之位置之測量所花費之時間。
又，本第1實施方式中，於非掃描方向上鄰接之測量顯微鏡65彼此之間隔D3大致等於在非掃描方向上配置晶圓WF之間隔L1，於掃描方向上鄰接之測量顯微鏡65彼此之間隔D4大致等於在掃描方向上配置晶圓WF之間隔L2。藉此，複數個測量顯微鏡65可大致同時地測量各晶圓WF之預先決定之測量點，可高效率地測量各晶圓WF之位置。
又，本第1實施方式中，曝光裝置EX包括複數個第1測量顯微鏡61a，其測量半導體晶片之套組分別所包含之晶片之位置，複數個第1測量顯微鏡61a大致同時地測量不同晶圓上之晶片之位置。進而，曝光裝置EX包括與複數個第1測量顯微鏡61a分別對應而設置之複數個第2測量顯微鏡61b，複數個第2測量顯微鏡61b係在與對應之第1測量顯微鏡61a所測量之晶圓WF相同之晶圓WF中，與對應之第1測量顯微鏡61a大致同時地測量與對應之第1測量顯微鏡61a所測量之區域不同之區域。藉此，與利用1個測量顯微鏡來測量晶片之位置的情形相比較，可縮短晶片之位置之測量所花費之時間。
又，本第1實施方式中，第1測量顯微鏡61a中，於掃描方向上鄰接之第1測量顯微鏡61a彼此之間隔與複數個晶圓WF於掃描方向上配置之間隔L1大致相等，第1測量顯微鏡61a中，於非掃描方向上鄰接之第1測量顯微鏡61a彼此之間隔與複數個晶圓WF於非掃描方向上配置之間隔L2大致相等。藉此，可高效率地測量晶片之位置。
又，本第1實施方式中，第1測量顯微鏡61a之測量區域MR1a及第2測量顯微鏡61b之測量區域MR1b之非掃描方向上之寬度W MR大致等於非掃描方向上之晶圓WF之長度（直徑d1）之整數分之1。藉此，可高效率地測量晶片之位置。
此外，上述第1實施方式中，於非掃描方向上，將第2投影模組200b之投影區域PR1b配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a偏離之位置，但並不限定於此。例如，亦可於掃描方向上，將第2投影模組200b之投影區域PR1b配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1a偏離之位置。於該情形時，較佳為將第2投影模組200b之投影區域PR1b，配置於在X軸方向上偏離晶圓WF所配置之間隔L2之整數分之1的位置。藉此，可於各晶圓WF上高效率地形成配線圖案。
又，上述第1實施方式中，相對於1個第1測量顯微鏡61a而配置4個第2測量顯微鏡61b，但並不限定於此，與1個第1測量顯微鏡61a對應而設置之第2測量顯微鏡61b之數量可為1～3，亦可為5以上。又，亦可省略第2測量顯微鏡61b。
（變形例） 此外，資料製作裝置300亦可不製作配線圖案資料，而製作將DMD 204之驅動量以及透鏡致動器之驅動量加以規定之驅動資料。即，DMD 204亦可藉由使用設計值資料來生成配線圖案，變更DMD 204之驅動量以及透鏡致動器之驅動量，從而將投影至晶圓WF上之配線圖案之投影像之位置加以變更，使形成於晶圓WF上之配線圖案之形狀變化。此外，亦可藉由光學性地修正配線圖案之像，來變更配線圖案之形狀。
此外，上述第1實施方式及變形例中，亦可使測量顯微鏡61、第1測量顯微鏡61a、第2測量顯微鏡61b可於Y軸方向上移動。藉此，於各晶片之大小不同之情形、或彙集有複數個晶片之套組之間隔不同之情形時，亦可同時地測量晶片之位置。
進而，上述第1實施方式及變形例中，亦可使複數個投影模組200、200a、200b可於Y軸方向上移動。藉此，亦可應對無法藉由光學系統或DMD 204之偏離或旋轉來修正之大載置誤差。
又，上述實施方式中，藉由調整投影模組200、200a及200b之物理位置，來調整投影區域PR1、PR1a及PR1b之位置，但並不限定於此。例如，亦可光學性地調整投影區域PR1、PR1a及PR1b之位置。
《第2實施方式》 於晶圓WF上貼附晶片之步驟係於利用曝光裝置EX來形成配線圖案之前進行，因此資料製作裝置300亦可使用藉由對各晶片相對於晶圓WF之位置進行檢查之檢查步驟而取得之測量資料，來製作配線圖案資料或者驅動資料。
圖17係表示第2實施方式之配線圖案形成系統500A之概要的俯視圖。第2實施方式之配線圖案形成系統500A包括對晶圓WF上之晶片之位置進行測量之晶片測量站CMS。
晶片測量站CMS包括複數個測量顯微鏡，複數個測量顯微鏡大致同時地測量不同晶圓WF上之半導體晶片之位置。
（測量顯微鏡之配置例1） 此處，對複數個測量顯微鏡之配置進行說明。圖18（A）係表示測量顯微鏡之配置例1之圖。圖18（A）所示之配置例中，設置複數個測量顯微鏡68，且測量顯微鏡68以間隔D8排列於Y軸方向上。此處，晶片測量站CMS中，於晶圓WF以間隔L8排列於Y軸方向上之情形時，藉由使間隔D8與間隔L8大致相等，則複數個測量顯微鏡68可大致同時地測量不同晶圓WF上之晶片之位置。
（測量顯微鏡之配置例2） 圖18（B）係表示測量顯微鏡之配置例2之圖。圖18（B）之配置例中，作為測量顯微鏡，設置有複數個第1測量顯微鏡68a、以及複數個第2測量顯微鏡68b。第1測量顯微鏡68a係於Y軸方向上，以與晶圓WF所排列之間隔L8大致相等之間隔D8來排列。
複數個第2測量顯微鏡68b係與複數個第1測量顯微鏡68a分別對應而設置。各第2測量顯微鏡68b在與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之晶圓WF相同之晶圓WF中，與第1測量顯微鏡68a大致同時地測量與第1測量顯微鏡68a所測量之區域不同之區域。
圖18（B）之例中，相對於1個第1測量顯微鏡68a，設置有4個第2測量顯微鏡68b。若將第1測量顯微鏡68a之測量區域MR1a及第2測量顯微鏡68b之測量區域MR1b之於Y軸方向上之寬度設為W MR，則各第2測量顯微鏡68b與對應之第1測量顯微鏡68a之間隔成為W MR之整數倍。例如，第1測量顯微鏡68a、與最接近於第1測量顯微鏡68a之第2測量顯微鏡68b之間隔Dmab1等於W MR（W MR之1倍），第1測量顯微鏡68a、與第二接近於第1測量顯微鏡68a之第2測量顯微鏡68b之間隔Dmab2等於W MR之2倍。
藉由如圖18（B）所示來配置第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b，可將1個晶圓WF上之晶片之位置之測量所花費之時間，縮短至利用1個測量顯微鏡68來測量1個晶圓WF之情形時所花費之時間之N分之1。此外，N為相對於1個晶圓WF而配置之第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之總數。
此外，測量顯微鏡68之根數、第1測量顯微鏡68a之根數、及第2測量顯微鏡68b之根數、或於晶片測量站CMS中一次測量之晶圓數等依存於晶片測量站CMS之處理能力。因此，例如於相對於複數個測量顯微鏡68而設置之處理裝置為1個，且該處理裝置之處理能力不充分之情形時，亦可相對於1根測量顯微鏡68而設置1個處理裝置，且設置複數對之測量顯微鏡68與處理裝置。或者，於相對於複數個第1測量顯微鏡68a以及複數個第2測量顯微鏡68b而設置之處理裝置為1個，且該處理裝置之處理能力不充分之情形時，例如亦可相對於對1個晶圓WF設置之第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之套組而設置1個處理裝置，且將第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之套組、與處理裝置之組合設置複數個。又，例如於相對於對1個晶圓WF置之第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之套組而設置1個處理裝置之情形時，且於該處理裝置之處理能力不充分之情形時，亦可相對於第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之每一個而設置處理裝置。
回到圖17，晶片之位置之測量結果發送至資料製作裝置300。資料製作裝置300基於自晶片測量站CMS接收之晶片位置之測量結果，來製作配線圖案資料（亦可為驅動資料）。此外，資料製作裝置300所製作之配線圖案資料記憶於如下記憶裝置中，其與記憶有用於對當前曝光中之基板之曝光進行控制的配線圖案資料之記憶裝置不同。即，於用於對當前曝光中之晶圓WF之曝光進行控制的配線圖案資料記憶於第1記憶裝置310R中之情形時，資料製作裝置300將所製作之配線圖案資料記憶（傳送）於第2記憶裝置310L中。此外，於配線圖案資料之製作花費時間之情形時，可於利用塗佈機顯影器裝置CD來塗佈抗蝕劑之過程中進行配線圖案資料之製作、傳送，因此有效的是如本實施方式般具有2個記憶裝置，如有必要，亦可將記憶裝置之數量擴張為3個以上。
第2實施方式之曝光裝置EX-A中，本體部1A包括1個基板載台30。此外，第2實施方式中，利用晶片測量站CMS來測量晶片位置，因此可省略對準系統ALG_L及ALG_R。
晶片位置之測量結束之晶圓WF於利用塗佈機顯影器裝置CD來塗佈感光性之抗蝕劑後，向緩衝部PB搬入。放置於緩衝部PB上之晶圓WF藉由設置於基板交換部2A上之機器人RB，而於1片托盤TR上排列複數片（第2實施方式中為4片×3行），搬入至本體部1A中，載置於基板載台30之基板保持具上。
對準系統ALG_C測量各晶圓WF相對於基板保持具之位置，對曝光開始位置等進行修正。對準系統ALG_C之構成與第1實施方式之對準系統ALG_C相同，故而省略詳細之說明。
此外，於在基板保持具上載置晶圓WF時，使晶圓WF繞Z軸而旋轉等，於晶片之位置自資料製作裝置300所製作之配線圖案資料之位置偏離之情形時，若使用該配線圖案資料來形成配線，則存在晶片間未正確連接之顧慮。
於該情形時，資料製作裝置300只要藉由如第1實施方式之變形例所說明般，製作驅動資料，以晶片間連接之方式來修正配線圖案之形狀即可。例如，資料製作裝置300基於相對於由晶片測量站CMS所測量之各晶圓WF之位置而言的晶片之位置，自利用對準系統ALG_C來測量之各晶圓WF之位置，檢測出自配線圖案資料之位置起之各晶片之位置偏離。資料製作裝置300基於該偏離來製作驅動資料。藉此，於在基板保持具上載置晶圓WF時，晶圓WF繞Z軸而旋轉等之情形時，亦無需重寫配線圖案資料，因此可順利地過渡至曝光，形成將晶片間連接之配線。此外，亦可基於各晶片之位置偏離，來光學性地修正配線圖案之像。於該情形時，亦無需重寫配線圖案資料，因此可順利地過渡至曝光，形成將晶片間連接之配線。
此外，對準系統ALG_C亦可於晶圓WF之位置測量中，使用晶片之對準標記。
本第2實施方式中，晶片測量站CMS包括複數個測量顯微鏡68或68a，其對半導體晶片之套組分別所包含之晶片之位置進行測量，上述半導體晶片於配置於晶片測量站CMS中之複數個晶圓WF之各晶圓WF上配置複數個。配置例1中，複數個測量顯微鏡68大致同時地測量不同晶圓WF上之晶片之位置。又，配置例2中，複數個第1測量顯微鏡68a大致同時地測量不同晶圓WF上之晶片之位置。藉此，與利用1個測量顯微鏡68來測量晶片之位置之情形相比較，可縮短晶片之位置之測量所花費之時間。
又，本第2實施方式中，配置例1中，複數個測量顯微鏡68中的於非掃描方向上鄰接之測量顯微鏡68彼此之間隔D8大致等於在非掃描方向上配置複數個晶圓WF之間隔L8。又，配置例2中，複數個第1測量顯微鏡68a中的於非掃描方向上鄰接之第1測量顯微鏡68a彼此之間隔大致等於在非掃描方向上配置複數個晶圓WF之間隔L8。藉此，可高效率地測量晶片之位置。
又，本第2實施方式之配置例2中，晶片測量站CMS另包括與複數個第1測量顯微鏡68a分別對應而設置之複數個第2測量顯微鏡68b，複數個第2測量顯微鏡68b分別在與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之晶圓WF相同之晶圓WF中，與對應之第1測量顯微鏡68a大致同時地測量與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之測量區域MR1a不同之測量區域MR1b。藉此，較僅利用複數個第1測量顯微鏡68來測量晶片之位置之情形而言，可以更短之時間來測量晶片之位置。
又，本第2實施方式中，第1測量顯微鏡61a之測量區域MR1a以及第2測量顯微鏡61b之測量區域MR1b之非掃描方向上之寬度W MR大致等於非掃描方向上之晶圓WF之長度（直徑d1）之整數分之1。藉此，可高效率地測量晶片之位置。
此外，於第2實施方式中，亦可使複數個測量顯微鏡68、複數個第1測量顯微鏡68a、以及複數個第2測量顯微鏡68b可於Y軸方向上移動。藉此，於各晶片之大小不同之情形、或彙集有複數個晶片之套組之間隔不同之情形時，亦可同時地測量晶片之位置。
此外，上述第1實施方式中，亦可與圖18（A）之測量顯微鏡68同樣，將對準系統ALG_R及ALG_L所包括之測量顯微鏡61僅配置1行。又，例如，亦可與圖18（B）之第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b同樣，將第1測量顯微鏡61a及第2測量顯微鏡61b僅配置1行。
《第3實施方式》 亦可將晶圓WF貼附於基礎基板B上，於晶片測量站CMS中測量各晶片相對於基礎基板B之位置。
圖19係表示第3實施方式之配線圖案形成系統500B之概要的俯視圖。第3實施方式之配線圖案形成系統500B包括：將配置有晶片之晶圓WF於基礎基板B上貼附複數片之晶圓配置裝置WA、晶片測量站CMS、及曝光裝置EX-B。晶圓配置裝置WA係相對於基礎基板B而言之晶圓WF之位置不變更者。
利用晶圓配置裝置WA來貼附有複數片之晶圓WF之基礎基板B搬入至晶片測量站CMS中。
晶片測量站CMS包括：複數個第1測量顯微鏡68a、以及與複數個第1測量顯微鏡68a之每一個對應而設置之複數個第2測量顯微鏡68b。複數個第1測量顯微鏡68a大致同時地測量不同晶圓WF上之晶片相對於基礎基板B之位置。又，複數個第2測量顯微鏡68b分別在與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之晶圓WF相同之晶圓WF中，與對應之第1測量顯微鏡68a大致同時地測量與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之測量區域MR1a不同之測量區域MR1b。
圖20係表示第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之配置例的圖。複數個第1測量顯微鏡68a以及複數個第2測量顯微鏡68b分別以與第1實施方式中之對準系統ALG_L及ALG_R之第1測量顯微鏡61a以及複數個第2測量顯微鏡61b相同之方式來配置（參照圖8）。
若簡單說明，則複數個第1測量顯微鏡68a係以與複數個晶圓WF之每一個對應之方式，設置為4行×3列之矩陣狀。於Y軸方向上相鄰之第1測量顯微鏡68a彼此之間隔D5a大致等於在Y軸方向上排列晶圓WF之間隔L1，於X軸方向上相鄰之第1測量顯微鏡68a彼此之間隔D6a大致等於在X軸方向上排列晶圓WF之間隔L2。
複數個第2測量顯微鏡68b相對於對應之第1測量顯微鏡68a，以4個為單位來設置。各第2測量顯微鏡68b配置於自對應之第1測量顯微鏡68a，偏離測量區域MR1a之Y軸方向上之寬度W MR之整數倍的位置。即，圖20中，第1測量顯微鏡68a、和與第1測量顯微鏡68a對應而設置之第2測量顯微鏡68b中的最接近第1測量顯微鏡68a之第2測量顯微鏡68b的間隔Dmab1大致等於W MR（W MR之1倍），第1測量顯微鏡68a、與第二接近於第1測量顯微鏡68a之第2測量顯微鏡68b的間隔Dmab2大致等於W MR之2倍。又，測量區域MR1a之Y軸方向上之寬度W MR大致等於晶圓WF之直徑d1之整數分之1。
藉此，關於藉由1次掃描而載置於基礎基板B上之複數個晶圓WF，可測量晶片之位置，因此可縮短晶片位置之測量所花費之時間。
資料製作裝置300基於自晶片測量站CMS接收之晶片位置之測量結果，來製作配線圖案資料（亦可為驅動資料）。此外，資料製作裝置300所製作之配線圖案資料記憶於如下之記憶裝置中，其與記憶有用於對當前曝光中之基礎基板B上之晶圓WF之曝光進行控制的配線圖案資料之記憶裝置不同。即，於用於對當前曝光中之基礎基板B上之晶圓WF之曝光進行控制之配線圖案資料記憶於第1記憶裝置310R中之情形時，資料製作裝置300將所製作之配線圖案資料記憶（傳送）於第2記憶裝置310L中。
晶片位置之測量結束之晶圓WF連同基礎基板B一起搬入至塗佈機顯影器裝置CD中，塗佈感光性之抗蝕劑後，搬入至基板交換部2B之埠PT。然後，晶圓WF連同基礎基板B一起載置於基板載台30之基板保持具上。
其後之處理與第2實施方式相同，因此省略詳細之說明。第3實施方式中，可使用載置・固定有晶圓WF之基礎基板B之位置來對整體進行管理、曝光。例如，只要於對準時亦可進行對基礎基板B之對準測量及修正即可。即，由於晶圓WF載置・固定於基礎基板B上，故而於基礎基板B載置於基板載台30之基板保持具上時，不需要進行對每個晶圓WF/每個晶片之對準，只要可進行基礎基板B之對準即可。此外，晶圓配置裝置WA於基礎基板B上貼附晶圓WF，但亦可於托盤TR上直接載置・固定晶圓WF。
根據第3實施方式，晶片測量站CMS包括對半導體晶片之套組分別所包含之晶片之位置進行測量之複數個第1測量顯微鏡68a，複數個第1測量顯微鏡68a大致同時地測量不同晶圓上之晶片之位置。又，晶片測量站CMS另包括與複數個第1測量顯微鏡68a分別對應而設置之複數個第2測量顯微鏡68b，複數個第2測量顯微鏡68b分別在與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之晶圓WF相同之晶圓WF中，與對應之第1測量顯微鏡68a大致同時地測量與對應之第1測量顯微鏡68a所測量之測量區域MR1a不同之測量區域MR1b。藉此，與利用1個測量顯微鏡來測量晶片之位置之情形、以及僅設置複數個第1測量顯微鏡68a之情形相比較，可縮短晶片之位置之測量所花費之時間。
又，本第3實施方式中，第1測量顯微鏡68a中的於掃描方向上鄰接之第1測量顯微鏡68a彼此之間隔與複數個晶圓WF於掃描方向上配置之間隔L1大致相等，第1測量顯微鏡68a中的於非掃描方向上鄰接之第1測量顯微鏡68a彼此之間隔與複數個晶圓WF於非掃描方向上配置之間隔L2大致相等。藉此，可高效率地測量晶片之位置。
又，本第3實施方式中，第1測量顯微鏡68a之測量區域MR1a以及第2測量顯微鏡68b之測量區域MR1b之於非掃描方向上之寬度W MR大致等於非掃描方向上之晶圓WF之長度（直徑d1）之整數分之1。藉此，可高效率地測量晶片之位置。
此外，第3實施方式中，亦可使第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b可於Y軸方向上移動。藉此，於各晶片之大小不同之情形、或彙集有複數個晶片之套組之間隔不同之情形時，亦可同時地測量晶片之位置。
（變形例） 第3實施方式中，晶圓配置裝置WA與晶片測量站CMS設為不同之裝置，但並不限定於該構成。第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b亦可利用晶圓配置裝置WA，自貼附於基礎基板B上之晶圓WF開始測量晶片位置。換言之，於複數個晶圓WF向基礎基板B之貼附動作之同時，利用第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b來進行測量動作。此外，第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b亦可於1片晶圓WF貼附於基礎基板B上之後，開始測量動作，亦可於複數片之晶圓WF貼附於基礎基板B上之後，開始測量動作。此外，第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b亦可於晶圓WF載置於基礎基板B上之時點，暫時中斷測量動作。其原因在於，防止將晶圓WF載置於基礎基板B上時所產生之振動對第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b之測量結果帶來影響。
此外，第3實施方式中，晶片測量站CMS亦可如第2實施方式之圖18（A）所示，僅包括大致同時地測量不同晶圓上之晶片之位置的複數個測量顯微鏡68。又，第1測量顯微鏡68a及第2測量顯微鏡68b亦可不配置為矩陣狀，亦可如第2實施方式之圖18（B）所示，僅配置1行。
上述第1～第3實施方式中，於Y軸方向上，將複數個第1投影模組200a之投影區域PR1a，以與在Y軸方向上排列晶圓WF之間隔L1大致相等之間隔來配置，且將複數個第2投影模組200b之投影區域PR1b，配置於自對應之第1投影模組200a之投影區域PR1b起偏離晶圓WF之直徑之整數分之1的位置，但並不限定於此。
圖21（A）～圖21（C）係對第1投影模組200a與第2投影模組200b之配置進行說明之圖。例如，如圖21（A）所示，於投影區域PR1a及PR1b之於Y軸方向上之寬度為W1之情形時，亦可將投影區域PR1b配置於自投影區域PR1b起偏離投影區域PR1a之寬度W1之整數倍（圖21（A）中，Dab＝2×W1）的位置。
又，例如，如圖21（B）所示，於投影區域PR1a及PR1b之Y軸方向上之寬度為W1之情形時，亦可將於Y軸方向上鄰接之投影區域PR1a彼此之間隔D1a設為寬度W1之2倍（2W1）之整數倍（圖21（B）中，D1a＝2W1×2），且將投影區域PR1b配置於自投影區域PR1b偏離寬度W1之位置。
又，例如，如圖21（C）所示，於投影區域PR1a及PR1b之Y軸方向上之寬度為W1之情形時，亦可將於Y軸方向上鄰接之投影區域PR1a彼此之間隔D1a設為寬度W1之4倍（4W1）之整數倍（圖21（B）中，D1a＝4W1×2），且將投影區域PR1b配置於自投影區域PR1b起偏離寬度W1之整數倍（圖21（B），Dab＝W1×2）的位置。
關於複數個投影模組200之配置數、配置方法，並不限定於上述第1～第3實施方式及其變形例，只要以可於所需之時間內於所有晶圓WF上形成配線圖案之方式來適當變更即可。
此外，上述第1～第3實施方式及其變形例中，對將複數個晶圓狀之基板載置於基板載台30上之情形進行說明，但亦可將矩形狀之基板於基板載台30上載置複數個。
又，第1～第3實施方式及其變形例亦可應用於形成圖3（B）所示之將基板P上之晶片間連接之配線圖案。
此外，上述第1～第3實施方式及其變形例中，如圖22（A）所示，以將複數個晶圓WF中最鄰接之晶圓WF彼此之中心連結之線LN1及LN2與基板載台30之掃描方向（X軸方向）以及與掃描方向正交之非掃描方向（Y軸方向）分別大致平行之方式，來配置複數個晶圓WF，但並不限定於此。
例如，如圖22（B）所示，亦可以將複數個晶圓WF中最鄰接之晶圓WF彼此之中心連結之線LN3及LN4與基板載台30之掃描方向（X軸方向）或者非掃描方向（Y軸方向）交叉之方式來配置晶圓WF。此時，例如，亦可以與排列於Y軸方向上之複數個晶圓WF之+Y端部和-Y端部之最大距離L3之整數分之1之間隔（例如，圖22（B）中為L3/3）大致相等之間隔D1a，來排列第1投影模組200a及第2投影模組200b。
複數個投影模組200、200a、200b係基於由複數個測量顯微鏡61a、61b、68、68a、68b所得之測量結果，以及複數個測量顯微鏡61a、61b、68、68a、68b與複數個投影模組200、200a、200b之對應關係，將配線圖案投影至複數個基板P（晶圓WF）上。此外，根據複數個測量顯微鏡之配置與複數個投影模組之配置，來決定複數個測量顯微鏡與複數個投影模組之對應關係，基於所決定之對應關係，可使複數個測量顯微鏡之測量結果適當地反映至由複數個投影模組來投影之配線圖案上。 例如，於利用圖8所示之配置為4行×3列之測量顯微鏡61a來進行測量，且利用圖11（A）所示之於3列中各配置1個之投影模組200來投影配線圖案之情形時，圖8中，配置於自上起第1列之4個測量顯微鏡61a與圖11（A）中，配置於自上起第1列之1個投影模組200對應；圖8中，配置於自上起第2列之4個測量顯微鏡61a與圖11（A）中，配置於自上起第2列之1個投影模組200對應；圖8中，配置於自上起第3列之4個測量顯微鏡61a與圖11（A）中，配置於自上起第3列之1個投影模組200對應。 例如，於利用圖8所示之配置為4行×15列之測量顯微鏡61a、61b來進行測量，利用圖14（A）所示之於6列中各配置1個之投影模組200a、200b來投影配線圖案之情形時，圖8中，配置於自上起第1～3列之12個測量顯微鏡61a、61b與圖14（A）中，配置於自上起第1列之1個投影模組200a對應；圖8中，配置於自上起第3～5列之12個測量顯微鏡61a、61b與圖14（A）中，配置於自上起第2列之1個投影模組200b對應；圖8中，配置於自上起第6～8行之12個測量顯微鏡61a、61b與圖14（A）中，配置於自上起第3列之1個投影模組200a對應；圖8中，配置於自上起第8～10行之12個測量顯微鏡61a、61b與圖14（A）中，配置於自上起第4行之1個投影模組200b對應；圖8中，配置於自上起第11～13列之12個測量顯微鏡61a、61b與圖14（A）中，配置於自上起第5列之1個投影模組200a對應；圖8中，配置於自上起第13～15列之12個測量顯微鏡61a、61b與圖14（A）中，配置於自上起第6列之1個投影模組200b對應。 複數個測量顯微鏡與複數個投影模組之對應關係例如係藉由上述第1～第3實施方式及其變形例中所說明的複數個測量顯微鏡之配置以及複數個投影模組之配置來適當決定。
上述實施方式係本發明之較佳實施例。但，並不限定於此，可於不脫離本發明之主旨之範圍內中實施各種變形。
1、1A:本體部 2、2A、2B:基板交換部 10:基板交換銷 20R、20L:交換臂 30、30L、30R:基板載台 54:固定鏡 60:對準裝置 60a:基準標記 60e:二維攝像元件 61:測量顯微鏡 61a:第1測量顯微鏡 61b:第2測量顯微鏡 65:測量顯微鏡 68:測量顯微鏡 68a:第1測量顯微鏡 68b:第2測量顯微鏡 70:DM馬達 100:柱 110:光學定盤 200:投影模組 200a:第1投影模組 200b:第2投影模組 201:準直透鏡 202:複眼透鏡 203:主聚光透鏡 204:DMD 204a:微鏡 205:關閉光吸收板 210:投影系統 220:照明模組 300:資料製作裝置 310R:第1記憶裝置 310L:第2記憶裝置 400:曝光控制裝置 500、500A、500B:配線圖案形成系統 600:控制系統 AF:自動聚焦系統 ALG_C、ALG_L、ALG_R:對準系統 B:基礎基板 C1、C2:半導體晶片 CD:塗佈機顯影器裝置 CMS:晶片測量站 D1～D4、D8、D1a、D2a、D5a、D6a、Dab、Dmab1、Dmab2、L1、L2、L8:間隔 d1:直徑 EX、EX-A、EX-B:曝光裝置 FB:傳輸光纖 L3:距離 LN1～LN4:線 LS:光源 MR:移動鏡 MR1a、MR1b:測量區域 P:基板 PB:緩衝部 PH:基板保持具 PR1、PR1a、PR1b:投影區域 PT:埠 R1、R1a、R1b:區域 RB:機器人 TR:托盤 W1:寬度 WA:晶圓配置裝置 WF:晶圓 WL:配線圖案 W MR:寬度
[圖1]係表示包括第1實施方式之曝光裝置的FO-WLP之配線圖案形成系統之概要的俯視圖。 [圖2]係概略性表示第1實施方式之曝光裝置之構成之立體圖。 [圖3（A）]及[圖3（B）]係用以對由配線圖案形成系統所形成之配線圖案進行說明之圖。 [圖4]係用以對配置於光學定盤上之模組進行說明之圖。 [圖5（A）]係表示照明・投影模組之光學系統之圖，[圖5（B）]係概略性表示DMD之圖，[圖5（C）]係表示電源關閉之情形時之DMD之圖，[圖5（D）]係用以對開啟狀態之鏡子進行說明之圖，[圖5（E）]係用以對關閉狀態之鏡子進行說明之圖。 [圖6]係投影系統附近之放大圖。 [圖7（A）]係表示所有晶片配置於設計位置之狀態之晶圓WF的概略圖，[圖7（B）]係表示自設計位置偏離而配置有晶片之晶圓WF之概略圖。 [圖8]係表示對晶片之位置進行測量之測量顯微鏡之配置例的圖。 [圖9]表示對基板之位置進行測量之測量顯微鏡之配置例。 [圖10]係表示本實施方式之曝光裝置之控制系統之方塊圖。 [圖11（A）]係表示投影模組投影配線圖案之投影區域之配置例1之圖，[圖11（B）]係用以對如圖11（A）般配置有投影區域之情形時之配線圖案之形成進行說明之圖。 [圖12（A）]係表示投影模組之投影區域之配置例2之圖，[圖12（B）]係對如圖12（A）般配置有投影區域之情形時之配線圖案之形成進行說明之圖。 [圖13（A）]係表示複數個投影模組之投影區域之配置例3之圖，[圖13（B）]係對如圖13（A）般配置有投影區域之情形時之配線圖案之形成進行說明之圖。 [圖14（A）]係表示複數個投影模組之投影區域之配置例4之圖，[圖14（B）]係對如圖14（A）般配置有投影區域之情形時之配線圖案之形成進行說明之圖。 [圖15（A）]係表示投影模組之投影區域之配置例5之圖，[圖15（B）]係用以對投影模組中所包含之第1投影模組及第2投影模組之配置進行說明之圖，[圖15（C）]係對如圖15（A）般配置有投影區域之情形時之配線圖案之形成進行說明之圖。 [圖16（A）]係表示投影模組之投影區域之配置例6之圖，[圖16（B）]係用以對投影模組中所包含之第1投影模組及第2投影模組之配置進行說明之圖，[圖16（C）]係對如圖16（A）般配置有投影區域之情形時之配線圖案之形成進行說明之圖。 [圖17]係表示第2實施方式之配線圖案形成系統之概要之俯視圖。 [圖18（A）]係表示第2實施方式之晶片測量站之測量顯微鏡之配置例1之圖，[圖18（B）]係表示測量顯微鏡之配置例2之圖。 [圖19]係表示第3實施方式之配線圖案形成系統之概要之俯視圖。 [圖20]係表示第3實施方式之晶片測量站之測量顯微鏡之配置例之圖。 [圖21（A）]～[圖21（C）]係對第1投影模組及第2投影模組之配置進行說明之圖。 [圖22（A）]及[圖22（B）]係對晶圓之配置進行說明之圖。
200:投影模組
d1:直徑
D1、L1、L2:間隔
PR1:投影區域
R1:區域
W1:寬度
WF:晶圓

Claims (29)

  1. 一種曝光裝置，包括： 基板載台，載置複數個基板；以及 複數個第1投影模組，分別包括空間光調變器，將使於上述複數個基板之各基板上配置有複數個之半導體晶片間連接之配線圖案，投影至上述複數個基板上；並且 上述複數個第1投影模組對不同基板大致同時地投影各自之上述配線圖案。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其中 包括複數個第2投影模組； 上述複數個第2投影模組對不同基板大致同時地投影各自之上述配線圖案， 上述複數個基板分別藉由上述複數個第1投影模組中之1個投影模組以及上述複數個第2投影模組中之1個投影模組，來大致同時地投影上述配線圖案。
  3. 如請求項1或2之曝光裝置，其中 上述複數個基板在與掃描上述基板載台之掃描方向正交之非掃描方向上，以第1間隔來配置；並且 上述複數個第1投影模組之第1投影區域中，於上述非掃描方向上鄰接之上述第1投影區域彼此之間隔大致等於上述第1間隔之整數倍。
  4. 如請求項1至3中任一項之曝光裝置，其中 上述複數個基板於掃描上述基板載台之掃描方向上，以第2間隔來配置；並且 上述複數個第1投影模組之第1投影區域中，於上述掃描方向上鄰接之上述第1投影區域彼此之間隔大致等於上述第2間隔之整數倍。
  5. 如請求項2之曝光裝置，其中 在與掃描上述基板載台之掃描方向正交之非掃描方向上，上述複數個第2投影模組中的上述1個投影模組之第2投影區域之位置為自上述第1投影模組中的上述1個投影模組之第1投影區域起，偏離上述非掃描方向上之上述基板之長度之整數分之1的位置。
  6. 如請求項2或5之曝光裝置，其中 於掃描上述基板載台之掃描方向上，上述複數個第2投影模組中的上述1個投影模組之第2投影區域之位置為自上述第1投影模組中的上述1個投影模組之第1投影區域起，偏離上述掃描方向上之上述基板之長度之整數分之1的位置。
  7. 如請求項4之曝光裝置，其中 上述複數個第1投影模組於掃描曝光之期間，分別對2個以上之基板投影上述配線圖案。
  8. 如請求項1至7中任一項之曝光裝置，其中 包括對上述複數個基板各自之位置進行測量之複數個基板位置測量裝置；並且 上述複數個基板位置測量裝置分別大致同時地測量不同基板之位置。
  9. 如請求項8之曝光裝置，其中 上述複數個基板位置測量裝置中，於掃描上述基板載台之掃描方向上鄰接之基板位置測量裝置彼此之間隔大致等於上述複數個基板於上述掃描方向上所配置之第1間隔；並且 上述複數個基板位置測量裝置中，在與掃描上述基板載台之掃描方向正交之非掃描方向上鄰接之基板位置測量裝置彼此之間隔大致等於上述複數個基板於上述非掃描方向上所配置之第2間隔。
  10. 如請求項1至9中任一項之曝光裝置，其中 包括對上述半導體晶片之位置進行測量之複數個第1測量裝置；並且 上述複數個第1測量裝置大致同時地測量不同基板上之上述半導體晶片之位置。
  11. 如請求項10之曝光裝置，其中 上述複數個第1測量裝置中，於掃描上述複數個基板之掃描方向上鄰接之上述第1測量裝置彼此之間隔大致等於上述複數個基板於上述掃描方向上所配置之第1間隔；並且 上述複數個第1測量裝置中，在與上述掃描方向正交之非掃描方向上鄰接之上述第1測量裝置彼此之間隔大致等於上述複數個基板於上述非掃描方向上所配置之第2間隔。
  12. 如請求項10或11之曝光裝置，其中 包括複數個第2測量裝置； 上述複數個第2測量裝置大致同時地測量不同基板上之上述半導體晶片之位置；並且 上述複數個基板分別利用上述複數個第1測量裝置中之1個測量裝置以及上述複數個第2測量裝置中之1個測量裝置，來大致同時地測量上述各個基板之不同區域。
  13. 如請求項12之曝光裝置，其中 上述第1測量裝置所測量之區域以及上述第2測量裝置所測量之區域的在與掃描上述複數個基板之掃描方向正交之非掃描方向上的寬度大致等於上述非掃描方向上之上述基板之長度之整數分之1。
  14. 如請求項1至13中任一項之曝光裝置，其中 將上述複數個基板中最鄰接之基板彼此之中心連結之線係與上述基板載台之掃描方向或者與上述掃描方向正交之非掃描方向大致平行。
  15. 如請求項1至13中任一項之曝光裝置，其中 將上述複數個基板中最鄰接之基板彼此之中心連結之線係與上述基板載台之掃描方向或者與上述掃描方向正交之非掃描方向交叉。
  16. 如請求項1至15中任一項之曝光裝置，其中 上述複數個第1投影模組可在與掃描上述基板載台之掃描方向正交之非掃描方向上，於曝光區域中移動。
  17. 如請求項10至13中任一項之曝光裝置，其中 上述複數個第1測量裝置可在與掃描上述基板載台之掃描方向正交之非掃描方向上移動。
  18. 一種測量系統，包括： 複數個第1測量裝置，對在載置於基板載台、托盤或基礎基板上之複數個基板之各基板上配置有複數個的半導體晶片之位置進行測量；並且 上述複數個第1測量裝置大致同時地測量不同基板上之上述半導體晶片之位置。
  19. 如請求項18之測量系統，其中 上述複數個第1測量裝置中，於掃描上述複數個基板之掃描方向上鄰接之上述第1測量裝置彼此之間隔大致等於在上述掃描方向上配置上述複數個基板之第1間隔。
  20. 如請求項18或19之測量系統，其中 上述複數個第1測量裝置中，在與掃描上述複數個基板之掃描方向正交之非掃描方向上鄰接之上述第1測量裝置彼此之間隔大致等於在上述非掃描方向上配置上述複數個基板之間隔。
  21. 如請求項18至20中任一項之測量系統，其中 包括複數個第2測量裝置； 上述複數個第2測量裝置大致同時地測量不同基板上之上述半導體晶片之位置；並且 上述複數個基板分別利用上述複數個第1測量裝置中之1個測量裝置以及上述複數個第2測量裝置中之1個測量裝置，來大致同時地測量上述各個基板之不同區域。
  22. 如請求項21之測量系統，其中 上述第1測量裝置所測量之區域以及上述第2測量裝置所測量之區域的在與掃描上述複數個基板之掃描方向正交之非掃描方向上的寬度為上述非掃描方向上之上述基板之長度之整數分之1。
  23. 一種曝光裝置，包括： 基板載台，載置1片基板；以及 複數個投影模組，分別包括空間光調變器，將使於上述1片基板上配置有複數個之半導體晶片間連接之配線圖案投影至上述1片基板上；並且 上述複數個投影模組對不同之上述半導體晶片間大致同時地投影各自之上述配線圖案。
  24. 如請求項23之曝光裝置，其中 包括測量上述半導體晶片之位置之複數個測量裝置；並且 上述複數個測量裝置大致同時地測量不同之上述半導體晶片之位置。
  25. 一種曝光裝置，包括： 載置複數個基板之基板載台；以及 複數個投影模組；並且 上述複數個投影模組基於由對上述複數個基板進行測量之複數個測量裝置所獲得之測量結果、以及上述複數個測量裝置與上述複數個投影模組之對應關係，將使於上述複數個基板之各基板上配置有複數個之半導體晶片間連接之配線圖案，投影至上述複數個基板上。
  26. 如請求項25之曝光裝置，其中 上述基板載台於掃描方向上被掃描； 上述複數個投影模組以1列1個之方式，在與上述掃描方向正交之非掃描方向配置i列（i為2以上之整數）； 上述複數個測量裝置以1列j個（j為2以上之整數）之方式配置i列；並且 上述對應關係係配置於第i列之j個上述測量裝置與配置於第i列之1個上述投影模組對應之對應關係。
  27. 如請求項25或26之曝光裝置，其中 包括資料製作裝置，製作與上述複數個基板之各個基板之配線圖案對應之圖案資料；並且 上述複數個投影模組分別包括空間光調變器，其基於上述圖案資料而生成上述各個基板之配線圖案。
  28. 一種曝光裝置，其係形成用以將設置於基板上之複數個半導體晶片相互連接之配線圖案者，其包括： 第1測量裝置，對設置於第1基板上之複數個第1晶片進行測量； 第2測量裝置，對設置於與上述第1基板不同之第2基板上之複數個第2晶片進行測量； 基板載台，排列載置上述第1基板及上述第2基板； 第1投影系統，向載置於上述基板載台上之上述第1基板上投影用以將上述複數個第1晶片相互連接之第1配線圖案；以及 第2投影系統，向載置於上述基板載台上之上述第2基板上投影用以將上述複數個第2晶片相互連接之第2配線圖案； 上述第1投影系統基於上述第1測量裝置之測量結果而投影上述第1配線圖案；並且 上述第2投影系統基於上述第2測量裝置之測量結果而投影上述第2配線圖案。
  29. 如請求項28之曝光裝置，其中 包括資料製作裝置，製作與上述第1配線圖案對應之第1圖案資料以及與上述第2配線圖案對應之第2圖案資料； 上述第1投影系統包括基於上述第1圖案資料而生成上述第1配線圖案之第1空間光調變器； 上述第2投影系統包括基於上述第2圖案資料而生成上述第2配線圖案之第2空間光調變器；並且 上述資料製作裝置基於上述第1測量裝置之測量結果而製作上述第1圖案資料，且基於上述第2測量裝置之測量結果而製作上述第2圖案資料。
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