JP2005026615A - ステージ装置及び露光装置、計測方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ステージの直交度を迅速に精度良く計測できるステージ装置を提供する。
【解決手段】 基板ステージPSTは、XY平面に沿って移動可能であり、XY平面内での基準座標系であるXY座標系に対する直交度を計測するための計測用マーク2が形成された基準部材1を備えている。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板ステージPSTは、XY平面に沿って移動可能であり、XY平面内での基準座標系であるXY座標系に対する直交度を計測するための計測用マーク2が形成された基準部材1を備えている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、ステージ装置及び露光装置、計測方法に関するものである。
液晶表示デバイスや半導体デバイス等のマイクロデバイスは、成膜処理、露光処理、及びエッチング処理等の所定のプロセス処理を複数回繰り返し、基板上に複数のパターンを積層することで製造されるが、露光処理においては、マスクに形成されているパターンを感光性の基板上に転写する露光装置が用いられる。露光装置は、マスクを支持して2次元移動するマスクステージと、基板を支持して2次元移動する基板ステージとを有し、マスク上に形成されたパターンをマスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投影光学系を介して基板に転写するものである。
露光処理においては、先に基板に形成されているパターンに対して次に積層すべきパターンの像を精度良く重ね合わせる必要があるため、基板上のショット領域と次層のパターンを有するマスクとの2次元方向の位置合わせ処理であるアライメント処理が行われる(下記特許文献1参照)。また、加熱を伴うプロセス処理により基板が伸縮し、初期状態から変形する場合があり、これにより先に基板に形成されているパターンに対して次に積層すべきパターンの像が位置ずれを起こす場合があるため、投影光学系の光学特性調整を行うことでパターンの像の位置ずれを補正するキャリブレーション処理が行われる(下記特許文献2参照)。
また、先に基板に形成されているパターンに対して次に積層すべきパターンの像が位置ずれを起こす他の要因として、ステージの直交度が挙げられる。そのため、直交度の計測を定期的に行い、直交度を補正する必要がある。従来における直交度の計測では、まず、基板上の例えば四隅の所定位置にマスクに形成されているマークが露光され、その後現像処理が行われる。次いで、そのマークを露光したときの状態に対して基板が90°回転された状態で次のマークが重ね合わせられるように露光され、その後現像処理が行われる。そして、先に基板に形成されたマークと次層に形成されたマークとの相対位置の計測結果に基づいて直交度が求められていた。
特開平5−21314号公報
特開平9−139340号公報
ところが、上述したような手順による直交度の計測方法では、基板に対する露光処理及び現像処理を少なくとも2回ずつ行う必要があるため、作業性が低く、スループット向上の妨げになっていた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ステージの直交度を迅速に精度良く計測できるステージ装置及びこのステージ装置を備えた露光装置、並びに直交度を計測する計測方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図1〜図16に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のステージ装置(PST)は、所定の平面(XY平面)に沿って移動可能なステージ装置において、平面(XY平面)内での基準座標系(XY座標系)に対する直交度を計測するための計測用マーク(2)が形成された基準部材(1)を備えたことを特徴とする。
本発明の露光装置(EX)は、マスクステージ(MST)に支持されたマスク(M)のパターンを基板ステージ(PST)に支持された基板(P)に露光する露光装置において、マスクステージ(MST)及び基板ステージ(PST)の少なくともいずれか一方は、上記記載のステージ装置により構成されていることを特徴とする。
本発明の計測方法は、所定の平面(XY平面)に沿って移動可能なステージ装置(PST)の平面(XY平面)内での基準座標系(XY座標系)に対する直交度を計測する計測方法において、ステージ装置(PST)上に直交度を計測するための計測用マーク(2)が形成された基準部材(1)を設け、計測用マーク(2)の位置情報を計測し、該計測結果に基づいて直交度を求めることを特徴とする。
本発明のステージ装置(PST)は、所定の平面(XY平面)に沿って移動可能なステージ装置において、平面(XY平面)内での基準座標系(XY座標系)に対する直交度を計測するための計測用マーク(2)が形成された基準部材(1)を備えたことを特徴とする。
本発明の露光装置(EX)は、マスクステージ(MST)に支持されたマスク(M)のパターンを基板ステージ(PST)に支持された基板(P)に露光する露光装置において、マスクステージ(MST)及び基板ステージ(PST)の少なくともいずれか一方は、上記記載のステージ装置により構成されていることを特徴とする。
本発明の計測方法は、所定の平面(XY平面)に沿って移動可能なステージ装置(PST)の平面(XY平面)内での基準座標系(XY座標系)に対する直交度を計測する計測方法において、ステージ装置(PST)上に直交度を計測するための計測用マーク(2)が形成された基準部材(1)を設け、計測用マーク(2)の位置情報を計測し、該計測結果に基づいて直交度を求めることを特徴とする。
ここで、直交度とは、XY平面内での基準座標系(XY座標系)に対する誤差量であって、移動するステージ装置のX軸(あるいはY軸)に対するずれ角θをいう。
本発明によれば、直交度を計測するための計測用マークが形成された基準部材を設けたので、従来のように露光及び現像処理などをすることなく、基準部材に形成された計測用マークを使ってステージ装置の直交度を迅速に精度良く計測することができる。そして、計測した直交度情報に基づいてステージ装置の移動を補正することで、基板に転写されるパターン像の劣化を防止でき、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
以下、本発明のステージ装置及び露光装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明のステージ装置を備えた露光装置の第1実施形態を示す概略構成図である。
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンを基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、マスクステージMSTの位置情報を計測するステージ計測装置を構成するレーザ干渉計41と、基板ステージPSTの位置情報を計測するステージ計測装置を構成するレーザ干渉計43と、基板ステージPST上に設けられ、直交度を計測するための計測用マーク2が形成された基準部材1と、基準部材1上の計測用マーク2及び基板P上に設けられたアライメントマークを計測するマーク計測装置10と、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTと、制御装置CONTに接続した記憶装置MRYとを備えている。
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンを基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、マスクステージMSTの位置情報を計測するステージ計測装置を構成するレーザ干渉計41と、基板ステージPSTの位置情報を計測するステージ計測装置を構成するレーザ干渉計43と、基板ステージPST上に設けられ、直交度を計測するための計測用マーク2が形成された基準部材1と、基準部材1上の計測用マーク2及び基板P上に設けられたアライメントマークを計測するマーク計測装置10と、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTと、制御装置CONTに接続した記憶装置MRYとを備えている。
本実施形態では、露光装置として基板上にマスクMのパターン全体を同時に転写する一括型露光装置(所謂ステッパ)を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と垂直な方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向に垂直な方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわり方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。また、ここでいう「基板」はガラスプレートあるいはウエハ上にフォトレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、光源、光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV)などが用いられる。
マスクステージ(ステージ装置)MSTは、マスクMを支持するものであって、XY平面(所定の平面)に沿って2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。マスクステージMSTは、例えば真空吸着によりマスクMを保持する。マスクステージMSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。マスクステージ駆動装置MSTDは制御装置CONTにより制御される。マスクステージMSTには移動鏡40が設けられ、移動鏡40に対向する位置にはレーザ干渉計41が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計41によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計41の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行う。
投影光学系PLは、複数の光学素子(レンズ)で構成されており、これら光学素子は鏡筒で支持されている。投影光学系PLは、投影倍率が例えば1/4あるいは1/5の縮小系であってもよいし、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは光学特性(結像特性)の補正を行う結像特性制御装置PLCを有している。この結像特性制御装置PLCは、例えば投影光学系PLを構成する一部のレンズ群の間隔調整機構や一部のレンズ群のレンズ室内の気体圧力調整機構を有しており、これら調整を行うことにより、投影光学系PLの投影倍率、歪曲収差等の光学特性の補正を行う。結像特性制御装置PLCは制御装置CONTにより制御される。
基板ステージ(ステージ装置)PSTは、基板Pを支持するものであって、XY平面(所定の平面)に沿って2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。更に、基板ステージPSTはZ軸方向に移動可能であるとともに、θX、θY方向にも移動可能であり、支持した基板Pのレベリング制御を行うことができる。基板ステージPSTはリニアモータ等を備える基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。基板ステージPST上には移動鏡42が設けられている。また、移動鏡42に対向する位置にはレーザ干渉計43が設けられている。
図2は基板ステージPSTの平面図である。移動鏡42は、X軸に垂直な反射面を有するX移動鏡42X及びY軸に垂直な反射面を有するY移動鏡42Yにより構成されている。レーザ干渉計43は、X軸に沿ってX移動鏡42Xに測長ビームを照射するXレーザ干渉計43X及びY軸に沿ってY移動鏡42Yに測長ビーム照射するYレーザ干渉計43Yにより構成されている。レーザ干渉計43X、43Yは移動鏡42X、42Yの反射面に向けて測長ビームを照射し、その反射光を受光して基準面に対する相対変位を計測することにより、基板ステージPSTのX軸方向及びY軸方向における位置(X座標、Y座標)を計測する。また、X軸用及びY軸用の一方について2個のレーザ干渉計を並列配置することにより、これら2つの計測値の差から基板ステージPSTのθZ方向の回転角が計測される。更に、X軸用(Y軸用)のレーザ干渉計43X(43Y)がZ軸方向に並ぶ2つの光軸の測長ビームを照射することにより、これら2つの計測値の差から基板ステージPSTのθY(θX)方向の回転角が計測される。これらレーザ干渉計43による基板ステージPSTのX座標、Y座標及び回転角などの位置情報の計測結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは位置情報をモニタしつつ基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTの位置を制御する。なお、マスクステージMSTにも複数のレーザ干渉計を有するシステムを搭載可能であり、マスクステージMST(マスクM)のX座標、Y座標及び回転角等の位置情報が計測され、これら計測結果は制御装置CONTへ出力される。
基板ステージPST上面のうち基板Pが保持される以外の所定位置には、基板ステージPSTのXY平面内での基準座標系(XY座標系)に対する直交度を計測するための計測用マーク2を有する基準部材1が設けられている。本実施形態において、基準部材1は基板ステージPSTの+X側端部においてY軸方向に関して略中央部に設けられ、Xレーザ干渉計43Xのほぼ測定軸上に配置された構成となっている。基準部材1は平面視矩形状であって例えば石英やセラミックスなど熱膨張係数の小さい材料により形成されている。基準部材1の表面(上面)1Aは平坦面であり、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面とZ軸方向に関して略同じ位置(高さ)になるように設けられている。また、基準部材1の表面1AとXY平面とはほぼ平行となっている。なお、基準部材1の平面視の大きさは例えば100mm×180mm程度である。
ここで、直交度とは、XY平面内での基準座標系(XY座標系)に対する誤差量であって、移動するステージ装置のX軸(あるいはY軸)に対するずれ角θをいう。直交度誤差の発生は、例えばレーザ干渉計43による位置計測に使う移動鏡42の反射面が前記基準座標系に対してずれていたり、あるいは環境変動(温度変動)やステージ移動時に衝撃が作用すること等に起因する。制御装置CONTは、レーザ干渉計43の計測結果をモニタしつつ基板ステージPSTを移動するため、例えばX移動鏡42Xの反射面が基準座標系のY軸(真のY軸)に対してθずれていると、基板ステージPSTは真のY軸に沿って移動せずに、真のY軸に対してθずれた状態で移動する。このように、ステージ装置のX軸移動方向とY軸移動方向とが垂直にならずに、垂直(90°)に対してずれるずれ角θを直交度という。
図3は計測用マーク2を備えた基準部材1の拡大図である。図3において、計測用マーク2は、基準部材1の表面1Aにおいて、X軸方向に関して所定間隔で複数並んで設けられた第1のマーク群2Aと、X軸方向と直交するY軸方向に関して所定間隔で複数並んで設けられた第2のマーク群2Bとを備えている。本実施形態において、計測用マーク2のそれぞれは十字型であり、第1のマーク群2Aは5つのマークにより構成され、第2のマーク群2Bは7つのマークにより構成されている。そして、第1のマーク群2Aの中央部と第2のマーク群2Bの中央部とが交差するように、その配列も十字状となっている。この複数の計測用マーク2の基準部材1上での位置情報(配列情報)は、設計値として記憶装置MRY(あるいは制御装置CONT)に予め記憶されている。つまり、記憶装置MRYは、基準部材1上での所定位置(基準位置)Oに対する計測用マーク2それぞれの位置情報を予め記憶している。
なお、マーク形状としては十字型に限らず、例えばボックス型等でもよい。あるいは回折格子であってもよい。また、マーク群の数も任意に設定可能であり、第1、第2のマーク群2A、2Bのそれぞれは少なくとも2つずつ(全部で4つ)あればよい。なお、1つのマークは例えば400μm×400μm程度の大きさである。
図1に戻って、露光装置EXは、投影光学系PLと並んで設けられたマーク計測装置(基板アライメント装置)10を備えている。マーク計測装置10は矩形状の計測領域10A(図3参照)を備えており、例えばハロゲンランプから射出される波長550〜750nm程度の計測光を、基準部材1上の計測用マーク2に照射し、基準部材1の表面1Aと共役な面に配置される指標マークの像と、計測領域10A内にある計測用マーク2の像とを撮像素子(CCD)で検出する。
ところで、マーク計測装置10は、オフ・アクシス(Off−Axis)方式の基板アライメント装置を兼ねている。基板アライメント装置(マーク計測装置)10は、計測光を基板P上に設けられているアライメントマークに照射し、基板Pの表面と共役な面に配置される指標マークの像と、計測領域10A内にあるアライメントマークの像とを撮像素子(CCD)で検出する。基板P上のアライメントマークはマスクMに形成されているマークを投影光学系PLを介して転写することで形成される。制御装置CONTは、基板アライメント装置10を用いて、マスクMのパターン像と基板Pのショット領域とをアライメントした後、マスクMのパターン像を基板P上の各ショット領域に逐次転写する。
また、露光装置EXは、基板ステージPSTに支持されている基板Pの表面(被露光面)のZ軸方向における位置を計測するフォーカス検出系45を備えている。フォーカス位置検出系45は、基板Pの表面に対して斜め方向から複数のスリットを介してスリット光を照射する送光系45Aと、基板Pの表面で反射した反射光をそれぞれ受光する受光系45Bとを備えており、基板Pの表面での反射光から得られる検出信号に基づいて、投影光学系PLの結像面に対する基板Pの表面のZ軸方向における高さ位置を求める。フォーカス検出系45の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはフォーカス検出系45の検出結果に基づいて、基板Pの表面を投影光学系PLの焦点深度内に合わせ込む焦点合わせ動作を行う。
次に、基板ステージPSTの直交度を計測する手順について説明する。
制御装置CONTは、基板ステージPSTを移動し、マーク計測装置10の計測領域10A内に計測用マーク2を配置する。ここで、上述したように、記憶装置MRYには基準部材1での所定位置Oに対する計測用マーク2の位置情報が予め記憶されており、制御装置CONTは、記憶装置MRYに記憶されている計測用マーク2の位置情報に基づいて、基板ステージPSTを移動してマーク計測装置10の計測領域10A内に計測用マーク2を配置し、計測用マーク2を計測する。
制御装置CONTは、基板ステージPSTを移動し、マーク計測装置10の計測領域10A内に計測用マーク2を配置する。ここで、上述したように、記憶装置MRYには基準部材1での所定位置Oに対する計測用マーク2の位置情報が予め記憶されており、制御装置CONTは、記憶装置MRYに記憶されている計測用マーク2の位置情報に基づいて、基板ステージPSTを移動してマーク計測装置10の計測領域10A内に計測用マーク2を配置し、計測用マーク2を計測する。
このとき、マーク計測装置10は、計測用マーク2のXY方向の位置を正確に計測することを目的として、マーク計測装置10を構成する光学系(アライメント光学系)の焦点に対して計測対象である計測用マーク2を合わせ込む焦点合わせ(以下、適宜「アライメントAF」と称する)を行う。このアライメントAFは、アライメント光学系(撮像素子)の視野内(計測領域10A内)に計測用マーク2を配置した後、この計測用マーク2が形成された箇所を実際に光電検出することにより上記焦点合わせを行う。
マーク計測装置10による計測用マーク2に対する計測動作と並行して、制御装置CONTはレーザ干渉計43を使ってこのときの基板ステージPSTのXY平面内での位置情報を計測する。制御装置CONTは、マーク計測装置10のマーク計測結果と、レーザ干渉計43のステージ位置計測結果とに基づいて、計測用マーク2のXY座標系での位置情報(X座標及びY座標)を求める。そして、制御装置CONTは、基板ステージPSTを移動しつつ複数の計測用マーク2のそれぞれについてマーク計測装置10による計測動作を順次行い、複数の計測用マーク2それぞれの位置情報を求める。
ここで、基板ステージPSTに直交度θがある場合、マーク計測装置10が第2のマーク群2Bを計測する際に、基板ステージPST(ひいては基準部材1)は、図4に示す矢印YG方向に移動する。そのため、マーク計測装置10は、図5の模式図に示す状態で計測用マーク2の位置を計測することになる。
制御装置CONTは、計測したマーク位置情報に基づいて、角度θ(すなわち直交度)を求める。ここで、制御装置CONTは、複数の計測用マーク2それぞれの位置(配列)を例えば最小自乗法等を用いて直線近似し、正負を反転することで直交度θを求めることができる。制御装置CONTは、求めた直交度θに基づいて、露光処理時における基板ステージPSTの移動を補正する補正量を求める。求めた補正量情報は記憶装置MRYに記憶される。
以上のようにして直交度θ及び補正量を求めた後(あるいは前に)、制御装置CONTは、マスクM及び基板Pのアライメント処理を行う。そして、制御装置CONTは、前記求めた補正量に基づいて基板ステージPSTの移動を補正しつつ露光処理を行う。これにより、基板ステージPSTは真のY軸(X軸)に沿って移動される。なお、露光時において基板ステージPSTの移動を補正する際には、レーザ干渉計43の出力値(位置情報)を補正し、この補正後の位置情報に基づいて基板ステージPSTを移動してもよいし、レーザ干渉計43の出力値を補正せずに、基板ステージ駆動装置PSTDの駆動量を補正するようにしてもよい。あるいは、レーザ干渉計43の出力値及び基板ステージ駆動装置PSTDの駆動量の双方を補正するようにしてもよい。
以上説明したように、基板ステージPST上に、直交度を計測するための計測用マーク2が形成された基準部材1を設けたので、基準部材1に形成された計測用マーク2を使って基板ステージPSTの直交度を迅速に精度良く計測することができる。したがって、直交度の誤差に起因するパターンの歪みや基板上に複数のパターンを積層する際のパターンの重ね合わせ誤差の発生等の不都合を抑え、所望の性能を有するデバイスを効率良く製造することができる。
そして、直交度計測を迅速に行うことができるので、スループットを低下させることなく、計測装置10、43による計測動作を例えば1ロット毎、1日毎(あるいは1週間毎、1ヶ月毎)といったように、所定時間間隔毎に実行することができる。
ところで、基準部材1上に計測用マーク2を形成する際、製造誤差等により計測用マーク2が所望位置に形成されず、例えば第1のマーク群2Aと第2のマーク群2Bとが直交しない状況が生じる可能性がある。その場合、計測用マーク2が形成された基準部材1を基板ステージPST上に取り付ける前に、例えば光波干渉式座標測定機等のマーク配列を高精度に測定可能な測定装置を使って、基準部材1上での基準位置Oに対する計測用マーク2の位置情報を予め測定し、所望位置に対する計測用マーク2の位置誤差情報を求め、この位置誤差情報を記憶装置MRYに予め記憶させておくことができる。そして、制御装置CONTは、前記記憶された位置誤差情報(製造誤差情報)に基づいて、計測装置10、43を使って計測した直交度θを補正することができる。この場合、第1のマーク群2Aと第2のマーク群2Bとは直交していなくても、基板ステージPSTの直交度θを計測することができる。
なお、基板ステージPSTに対して基準部材1がθZ方向に位置ずれした状態で取り付けられる場合が考えられるが、基準部材1上において第1のマーク群2Aと第2のマーク群2Bとが直交して配列されていれば、このマーク群の計測結果に基づく直交度情報に基づいて基板P上にパターンを露光することにより、基板P上に露光されるパターンは基板Pに対してθZ方向に回転するだけであって、パターンの重ね合わせ誤差が生じたりパターンが歪むといった不都合は生じない。
また、基準部材1の表面1AとXY平面とが平行になっていない状態で、すなわち基準部材1がθX方向あるいはθY方向に回転(傾斜)した状態で、マーク計測装置10によるマーク計測動作が行われると、第1のマーク群2Aと第2のマーク群2Bとの配列が見かけ上、直交しない計測結果を得る状況が生じる。このとき、制御装置CONTは、基準部材1の傾斜に基づく計測誤差を補正することができる。
以下、基準部材1の傾斜に基づく計測誤差の補正手順について説明する。まず、制御装置CONTは、上述した実施形態同様、基板ステージPSTを移動しつつ複数の計測用マーク2のそれぞれをマーク計測装置10で計測する。このとき、制御装置CONTは、上述したアライメントAFをするためのアライメントAF機構を使って、各計測用マーク2をマーク計測装置10で計測したときのその計測用マーク2のZ軸方向に関する位置情報を求める。制御装置CONTは、マーク計測装置10で計測した複数の計測用マーク2のXY方向における位置情報と、その計測用マーク2のZ軸方向における位置情報とに基づいて、基準部材1の表面1AのθX及びθY方向に関する回転量(角度)を求めることができる。
例えば、基準部材1の表面1AのθX方向に関する回転量をη、θY方向に関する回転量をφとしたときの回転後の座標(測定座標)を(X’、Y’、Z’)、回転がないときの座標を(X、Y、Z)とした場合、
なお、上記実施形態において、複数の計測用マーク2の全てをマーク計測装置10を使って計測する必要はない。例えばX軸方向に複数並んで設けられた第1のマーク群2Aのうちから少なくとも2つのマークを計測し、Y軸方向に複数並んで設けられた第2のマーク群2Bのうちから少なくとも2つのマークを計測することにより、直交度情報を計測することができる。計測するマークの数を低減することにより、処理時間(計測時間)を短縮することができる。なお、複数並んで設けられた第1のマーク群(あるいは第2のマーク群)のうち、互いに最も離れた2つのマークのそれぞれを計測することで、直交度情報をより高精度に計測することができる。
なお、上記実施形態では、基板ステージPSTの直交度を計測する場合を例にして説明したが、計測用マーク2を有する基準部材1をマスクステージMSTに設け、上述した手順と同様の手順でマスクステージMSTの直交度を計測することができる。
なお、上記基準部材1に設けられた計測用マーク2を、基板Pをアライメントする際やベースライン計測する際に用いる基準マーク(フィデューシャルマーク)として使ってもよい。もちろん、上記計測用マーク2を有する基準部材1と、フィデューシャルマークを有する基準部材とを別々に設けてもよい。
なお、図2に示す実施形態において、マーク計測装置10は基板ステージPSTの+X側端部においてY軸方向に関して略中央部に設けられ、Xレーザ干渉計43Xのほぼ測定軸上に配置された構成となっているが、Yレーザ干渉計43Yの測定軸に配置されていない構成となっている。そこで、X軸方向に関してマーク計測装置10とほぼ同じ位置にYレーザ干渉計を別に設け、このYレーザ干渉計の測定軸上にマーク計測装置10が配置されるようにし、このYレーザ干渉計の計測結果を直交度計測に用いるようにしてもよい。こうすることによりアッベ誤差を低減できる。
なお、上記実施形態において、基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。また、ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニットと電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。基板ステージPSTの移動により発生する反力は、特開平8−166475号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。マスクステージMSTの移動により発生する反力は、特開平8−330224号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
以下、図6〜図12を参照しながら、計測用マーク2の配列の他の例について説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分についてはその説明を簡略もしくは省略する。図6において、X軸方向に複数並んで設けられた第1のマーク群2Aと、Y軸方向に複数並んで設けられた第2のマーク群2Bとは、その端部どうしが交差するように配置されており、全体としてその配列がL字状となっている。図6に示す例では、第1のマーク群2Aは6つのマークにより構成され、第2のマーク群2Bは7つのマークにより構成されている。このような計測用マーク2であっても直交度を計測することができる。なお、その配列がL字状である場合には、図7に示すように、計測用マーク2を、X軸及びY軸方向のそれぞれに2つずつ(全部で3つ)配置することで、直交度を計測することができる。図8において、計測用マーク2は格子状に複数設けられている。図8に示す例では、計測用マーク2は7行5列設けられており、第1のマーク群2Aが7組設けられ、第2のマーク群2Bが5組設けられた構成となっている。この計測用マーク2を備えた基準部材1によれば、複数の第1、第2のマーク群のうち任意の第1、第2のマーク群の組み合わせを使って直交度情報を計測し、計測した複数の直交度情報の例えば平均値を、基板ステージPSTの直交度情報とすることができる。
複数の計測用マーク2は互いに分離している必要はなく、図9に示すようにその一部が連続していてもよい。図9に示す例では、ラインパターンが交差する計測点2TがX軸方向に複数(6点)並んで設けられて第1のマーク群2Aを構成しており、Y軸方向に関しても計測点2Tが複数(7点)並んで設けられて第2のマーク群2Bを構成している。
第1のマーク群2A及び第2のマーク群2Bを1つの基準部材1に設けることにより、基板ステージPSTに対する取り付け誤差に起因する直交度計測精度の低下を防止できるので好ましいが、図10に示すように、第1のマーク群2Aを第1の基準部材1Xに形成し、第2のマーク群2Bを第1の基準部材1Xとは別の第2の基準部材1Yに設けるようにしてもよい。この場合、基板ステージPSTに対する取り付け誤差に起因する第1、第2の基準部材1X、1Yの相対位置変化を防止するために、石英やセラミックス等の熱膨張係数の低いベース部材1Bに対して第1、第2の基準部材1X、1Yを取り付け、これのベース部材1Bを基板ステージPSTに取り付けることで、第1、第2の基準部材1X、1Yの相対位置変化の発生を抑えることができる。
上記各実施形態において、基準部材1は平面視矩形状であったが、図11に示すように例えば平面視L字状など、基板ステージPST上の設置可能スペースに応じた形状であってもよく、またその設置位置も任意に設定可能である。あるいは図12に示すように、ステージ位置計測に用いる移動鏡42の上面に計測用マーク2を設ける構成であってもよい。なおこの場合、X移動鏡42XとY移動鏡42Yとは互いに連続した部材(同一部材)であることが好ましい。
なお、上記各実施形態において、第1(第2)のマーク群のうち互いに最も離れた位置どうしのマーク間の距離が大きいほうが、すなわち基準部材1が大きくマーク測定範囲がより大きいほうが、直交度をより高精度に計測することができる。一方で、基準部材1が大きすぎると熱などの影響により基準部材1自体の変形が大きくなり、それに伴って計測用マーク2の位置変動が大きくなるので、基準部材1の周辺環境などに応じてその大きさや材質を決定することが好ましい。
次に、本発明の第2実施形態として、基準部材1を備えた基板ステージPSTを走査型露光装置に適用した例について説明する。図13は走査型露光装置の一例を示す概略斜視図であって、複数並んだ投影光学系を有する走査型露光装置(所謂マルチレンズスキャン型露光装置)の一例を示す図である。
図13に示す露光装置EXにおいて、投影光学系PLは複数(7つ)の投影光学モジュールPLa〜PLgにより構成され、この投影光学系PL(PLa〜PLg)に対してマスクMと基板PとをX軸方向に同期移動しつつマスクMを露光光ELで照明することにより、マスクMのパターン像が基板Pに露光される。また、照明光学系ILは、投影光学モジュールPLa〜PLgに対応して複数(7つ)設けられた照明系モジュールを備えている。投影光学モジュールPLa〜PLgのそれぞれは定盤150に支持されており、定盤150は不図示のコラム(支持構造体)にキネマティックに支持されている。複数の投影光学モジュールPLa〜PLgのうち投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgがY軸方向に並んで配置され、投影光学モジュールPLb、PLd、PLfがY軸方向に並んで配置されている。また、Y軸方向に並んだ投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgと、Y軸方向に並んだ投影光学モジュールPLb、PLd、PLfとはX軸方向において対向するように配置されており、全体で千鳥状に配置されている。定盤150の中央部には開口部150Aが形成されており、この開口部150Aにより投影光学モジュールPLa〜PLgそれぞれの露光光ELの光路が確保されている。基板P上での投影光学モジュールPLa〜PLgの投影領域50a〜50gのそれぞれは、所定形状(台形形状)に設定され、投影領域50a、50c、50e、50gと、投影領域50b、50d、50fとが、X軸方向に対向して配置されている。さらに、投影領域50a〜50gは、隣り合う投影領域の端部どうしがY軸方向に重なり合うように並列配置される。
図13に示す露光装置EXにおいて、投影光学系PLは複数(7つ)の投影光学モジュールPLa〜PLgにより構成され、この投影光学系PL(PLa〜PLg)に対してマスクMと基板PとをX軸方向に同期移動しつつマスクMを露光光ELで照明することにより、マスクMのパターン像が基板Pに露光される。また、照明光学系ILは、投影光学モジュールPLa〜PLgに対応して複数(7つ)設けられた照明系モジュールを備えている。投影光学モジュールPLa〜PLgのそれぞれは定盤150に支持されており、定盤150は不図示のコラム(支持構造体)にキネマティックに支持されている。複数の投影光学モジュールPLa〜PLgのうち投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgがY軸方向に並んで配置され、投影光学モジュールPLb、PLd、PLfがY軸方向に並んで配置されている。また、Y軸方向に並んだ投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgと、Y軸方向に並んだ投影光学モジュールPLb、PLd、PLfとはX軸方向において対向するように配置されており、全体で千鳥状に配置されている。定盤150の中央部には開口部150Aが形成されており、この開口部150Aにより投影光学モジュールPLa〜PLgそれぞれの露光光ELの光路が確保されている。基板P上での投影光学モジュールPLa〜PLgの投影領域50a〜50gのそれぞれは、所定形状(台形形状)に設定され、投影領域50a、50c、50e、50gと、投影領域50b、50d、50fとが、X軸方向に対向して配置されている。さらに、投影領域50a〜50gは、隣り合う投影領域の端部どうしがY軸方向に重なり合うように並列配置される。
マスクステージMST上のX軸及びY軸方向のそれぞれの端縁には、直交する方向に移動鏡32a、32bがそれぞれ設置されている。X移動鏡32aにはXレーザ干渉計Mx1、Mx2が対向して配置され、Y移動鏡32bにはYレーザ干渉計My1が対向して配置されている。基板ステージPST上のX軸方向及びY軸方向のそれぞれの端縁には、直交する方向に移動鏡34a、34bがそれぞれ設置されている。Y軸方向に延在するX移動鏡34aには、複数、本実施形態では2つのXレーザ干渉計Px1、Px2が対向して配置されている。また、X軸方向に延在するY移動鏡34bには、複数、本実施形態では3つのYレーザ干渉計Py1、Py2、Py3が対向して配置されている。ここで、複数のレーザ干渉計Py1〜Py3のそれぞれは、X軸方向に沿って等間隔に並べで配置されている。制御装置CONTは、基板ステージPSTのY軸方向における位置を検出する際、基板ステージPSTの移動に応じて、すなわち、基板Pを支持する基板ステージPSTのX軸方向における位置に応じて、複数のレーザ干渉計Py1〜Py3のうち位置検出に用いるレーザ干渉計を切り替えるようになっている。
本実施形態において、基板ステージPST上の基準部材1に設けられた計測用マーク2を計測するためのマーク計測装置は、2列に配置されている投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgと、投影光学モジュールPLb、PLd、PLfとの間で基板Pに対向するように設けられたマーク検出系AL(AL1〜AL6)により構成されている。マーク検出系AL(AL1〜AL6)は、基板P上に設けられた複数の基板アライメントマークに応じて設けられており、Y軸方向に複数並んで配置されている。
また、2列に配置されている投影光学系PLa、PLc、PLe、PLgと、投影光学系PLb、PLd、PLfとの間には、基板Pに対向し、この基板PのZ軸方向における位置を検出する基板側オートフォーカス検出系(AF検出系)60と、マスクMに対向し、このマスクMのZ軸方向における位置を検出するマスク側オートフォーカス検出系70とが設けられている。基板側AF検出系60及びマスク側AF検出系70のそれぞれも、Y軸方向に複数並んで配置されている。ここで、複数のマーク検出系AL、基板側AF検出系60、及びマスク側AF検出系70は、ハウジングHに支持されてユニット化されている。以下の説明において、ハウジングHに支持されたAF検出系60、70、及びマーク検出系ALを、適宜「アライメントユニットU」と称する。
図14はアライメントユニットUの斜視図である。また、図15はアライメントユニットUのうちマーク検出系AL、及び基板側AF検出系60と、基板Pとの位置関係を説明するための図である。図14に示すように、マーク検出系AL(AL1〜AL6)は、非走査方向であるY軸方向に複数、本実施形態では6つ並んで配置されている。一方、基板Pには、図15に示すように、アライメント処理に用いられる複数のアライメントマーク(基板アライメントマーク)m1〜m6が設けられている。本実施形態において、基板P上にはY軸方向に6つ並んだアライメントマークm1〜m6がX軸方向の6箇所に間隔をおいて形成されており、全部で36個のアライメントマークが形成されている。そして、マーク検出系AL1〜AL6は、複数のアライメントマークm1〜m6に応じて設けられている。マーク検出系AL1〜AL6はアライメントマークm1〜m6のそれぞれに対向した状態で、これらアライメントマークm1〜m6のそれぞれに対する計測動作を同時に行うことができるようになっている。
マーク検出系AL1〜AL6のX軸方向両側には、複数の基板側AF検出系60(60a〜60g)が設けられている。本実施形態において、基板側AF検出系は60a〜60gの7つ設けられている。基板側AF検出系60a〜60gは、基板ステージPSTに支持された基板Pに対向する位置に設けられており、基板Pの露光面に直交する方向、すなわちZ軸方向における位置をそれぞれ検出する。また、アライメントユニットUには、複数のマスク側AF検出系70(70a〜70d)が設けられている。本実施形態において、マスク側AF検出系は70a〜70dの4つ設けられている。マスク側AF検出系70a〜70dは、マスクステージMSTに支持されたマスクMに対向する位置に設けられており、マスクMのパターン形成面に直交する方向、すなわちZ軸方向における位置をそれぞれ検出する。
また、本実施形態におけるマーク検出系ALはオフアクシス方式であり、アライメント処理を行うに際し、マスクMとマーク検出系ALとの相対位置であるベースライン量が計測される。図13に示すように、マスクMにはベースライン計測用のマーク(マスク側AISマーク)90が設けられており、基板ステージPSTにはベースライン計測用のマーク(基板側AISマーク)91を有する基準部材92が設けられている。
そして、上述した第1実施形態同様、基板ステージPSTを移動するとともに、基板ステージPSTの位置情報をレーザ干渉計Px1、Px2、Py1〜Py3を使って計測しつつ、複数のマーク検出系AL1〜AL6のうち任意のマーク検出系を使って基準部材1上の複数の計測用マーク2のそれぞれを計測する。ここで、アッベ誤差を低減するために、複数のマーク検出系AL1〜AL6のうち、レーザ干渉計Px1、PX2のほぼ計測軸上に配置されているマーク検出系AL3やAL4を使ってマーク位置計測することが好ましい。
なお、上記各実施形態では、露光装置としてパターンを投影光学系を介して基板に露光する投影露光装置を例にして説明したが、ミラーを用いたミラープロジェクション型露光装置にも本発明を適用可能である。更に、本発明の適用は露光装置の一部を構成するステージ装置に限定されず、所定の平面(XY平面)に沿って2次元移動可能な全てのステージ装置に対して適用可能である。
上記各実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイスは、図16に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板(ウエハ、ガラスプレート)を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板に露光し、この露光した基板を現像する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
1…基準部材、2…計測用マーク、2A…第1のマーク群、
2B…第2のマーク群、10…マーク計測装置(計測装置)、
43…レーザ干渉計(ステージ計測装置、計測装置)、
AL1〜AL6…マーク検出系(マーク計測装置)、CONT…制御装置、
EX…露光装置、MST…マスクステージ(ステージ装置)、
MRY…記憶装置、PST…基板ステージ(ステージ装置)
2B…第2のマーク群、10…マーク計測装置(計測装置)、
43…レーザ干渉計(ステージ計測装置、計測装置)、
AL1〜AL6…マーク検出系(マーク計測装置)、CONT…制御装置、
EX…露光装置、MST…マスクステージ(ステージ装置)、
MRY…記憶装置、PST…基板ステージ(ステージ装置)
Claims (13)
- 所定の平面に沿って移動可能なステージ装置において、
前記平面内での基準座標系に対する直交度を計測するための計測用マークが形成された基準部材を備えたことを特徴とするステージ装置。 - 前記計測用マークは、第1の方向に複数並んで設けられた第1のマーク群と、前記第1の方向と略直交する第2の方向に複数並んで設けられた第2のマーク群とを有することを特徴とする請求項1記載のステージ装置。
- マスクステージに支持されたマスクのパターンを基板ステージに支持された基板に露光する露光装置において、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくともいずれか一方は、請求項1又は請求項2記載のステージ装置により構成されていることを特徴とする露光装置。 - 前記計測用マークの位置情報を計測する計測装置と、
前記計測装置の計測結果に基づいて前記直交度を求める制御装置とを備えたことを特徴とする請求項3記載の露光装置。 - 前記計測装置は、前記計測用マークを計測するマーク計測装置と、
前記ステージ装置の位置情報を計測するステージ計測装置とを含むことを特徴とする請求項4記載の露光装置。 - 前記ステージ装置を移動しつつ前記計測装置の計測動作を行うことを特徴とする請求項4又は5記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記求めた直交度に基づいて、前記ステージ装置の移動を補正する補正量を求めることを特徴とする請求項4〜6のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記基準部材上での所定位置に対する前記計測用マークの位置情報を予め記憶しており、該位置情報に基づいて前記直交度を補正することを特徴とする請求項4〜7のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記計測装置の計測動作を所定時間間隔毎に実行することを特徴とする請求項4〜8のいずれか一項記載の露光装置。
- 所定の平面に沿って移動可能なステージ装置の前記平面内での基準座標系に対する直交度を計測する計測方法において、
前記ステージ装置上に前記直交度を計測するための計測用マークが形成された基準部材を設け、前記計測用マークの位置情報を計測し、該計測結果に基づいて前記直交度を求めることを特徴とする計測方法。 - 前記ステージ装置を移動するとともに、該ステージ装置の位置情報を計測しつつ前記計測用マークを計測し、該計測結果のそれぞれに基づいて前記直交度を求めることを特徴とする請求項10記載の計測方法。
- 前記基準部材上での所定位置に対する前記計測用マークの位置情報を予め求め、該位置情報に基づいて前記直交度を補正することを特徴とする請求項10又は11記載の計測方法。
- 前記計測用マークは、第1の方向に計測点が複数並んで設けられた第1のマーク群と、前記第1の方向と略直交する第2の方向に計測点が複数並んで設けられた第2のマーク群とを有することを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項記載の計測方法。
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2003
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