TW202122626A - 用於改進基板上的邊緣薄膜厚度均勻性的處理套件 - Google Patents

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Abstract

此處提供在基板處理腔室中使用的處理套件之實施例。在某些實施例中，一種在基板處理腔室中使用的處理套件，包括環狀主體，配置成環繞基板支撐件，且具有上部部分、下部部分及穿過上部部分及下部部分的中心開口，其中上部部分包括耦合至上部凸緣的側壁，上部凸緣界定環狀主體的外部直徑，其中上部部分包括通過側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中上部部分包括一或更多加熱元件；及護罩，佈置於環狀主體四周，其中護罩包括流體連接至複數個第一孔洞的排放通口。

Description

用於改進基板上的邊緣薄膜厚度均勻性的處理套件
本揭露案的實施例大致關於基板處理裝備，且更具體而言，關於在基板處理裝備中使用的處理套件。
沉積腔室通常用以在基板上形成的特徵上沉積材料層。原子層沉積（ALD）及化學氣相沉積（CVD）為用於沉積材料層的沉積技術。ALD處理的一個範例包括依序引入氣體的脈衝。舉例而言，依序引入氣體的脈衝的一個循環可含有第一反應物氣體的脈衝，隨後為清潔氣體及/或抽取排空的脈衝，隨後為第二反應物氣體的脈衝，且隨後為清潔氣體及/或抽取排空的脈衝。依序引入第一反應物及第二反應物的分開的脈衝可導致在基板的表面上反應的單層交替的自我限制吸收，且因此對各個循環形成材料的單層。循環可反覆至沉積的材料的所欲厚度。在第一反應物氣體的脈衝及第二反應物氣體的脈衝之間的清潔氣體及/或抽取排空的脈衝供以作為減少歸因於在腔室中剩下過量的反應物的反應物的氣相反應的可能性。
然而，發明人已觀察到在某些沉積處理期間，於待處理的基板的周圍區域處的溫度非均勻性導致橫跨基板沉積的材料的非均勻厚度。
因此，發明人已提供在沉積腔室中使用的改進的處理套件。
此處提供在基板處理腔室中使用的處理套件之實施例。在某些實施例中，一種在基板處理腔室中使用的處理套件，包括環狀主體，配置成環繞基板支撐件，且具有上部部分、下部部分及穿過上部部分及下部部分的中心開口，其中上部部分包括耦合至上部凸緣的側壁，上部凸緣界定環狀主體的外部直徑，其中上部部分包括通過側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中上部部分包括一或更多加熱元件；及護罩，佈置於環狀主體四周，其中護罩包括流體連接至複數個第一孔洞的排放通口。
在某些實施例中，一種在基板處理腔室中使用的處理套件，包括環狀主體，配置成環繞基板支撐件，且具有上部部分、下部部分及穿過上部部分及下部部分的一中心開口，其中上部部分包括通過上部部分的側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中上部部分包括或更多加熱元件；及護罩，佈置於環狀主體四周且可移除地耦合至環狀主體，其中護罩包括流體連接至複數個第一孔洞的排放通口，且其中環狀主體及護罩兩者包括切口，以容納通過的基板。
在某些實施例中，一種處理腔室，包括腔室主體，界定處理空間，其中腔室主體包括蓋；基板支撐件，佈置於處理空間中；環狀主體，佈置於基板支撐件四周，且具有上部部分、下部部分及穿過上部部分及下部部分的中心開口，其中環狀主體包括通過環狀主體的側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中上部部分包括一或更多加熱元件，其中一或更多加熱元件包含以下至少一者：在環狀主體四周軸對稱地佈置的複數個加熱器棒或在耦合至上部部分的環中佈置的電阻加熱器；護罩，佈置於環狀主體四周且可移除地耦合至環狀主體，其中護罩包括流體連接至複數個第一孔洞的排放通口；及噴淋頭，佈置於處理空間中相對於基板支撐件，且在環狀主體的上部表面上。
以下說明本揭露案的其他及進一步實施例。
此處提供在基板處理腔室中使用的處理套件的實施例。在某些實施例中，處理套件包括佈置於且靠近基板支撐件的邊緣四周的襯墊，以減少或避免在腔室部件上非所欲的沉積，同時引導流動從處理空間至抽取通口。襯墊耦合至一或更多加熱元件，以有利地加熱襯墊，以減少基板的邊緣區域及襯墊之間的溫度差，以改進在待處理的基板上的溫度均勻性。在某些實施例中，一或更多加熱元件獨立地可控制，以有利地控制接近基板的邊緣區域的溫度輪廓。
用於併入此處所述的教示之適合的處理腔室之範例包括從美國加州聖克拉拉市的應用材料公司可取得的高介電常數（即，高k）及金屬ALD沉積腔室，而從應用材料公司或其他製造商可取得的其他腔室亦可獲益。以下處理腔室的說明提供用於解釋及範例目的，且不應考量為限制本揭露案的範疇。
第1圖根據本揭露案的某些實施例，為基板處理腔室（處理腔室100）的概要視圖。處理腔室100包括腔室主體102及蓋組件104，具有在腔室主體102之中且於蓋組件104下方界定的處理空間106。在腔室主體102中的狹縫閥提供機械手臂（未顯示）的進出，以傳輸且撤回基板進出處理腔室100，例如200、300、450mm或類似的半導體晶圓、玻璃基板或類似者。
基板支撐件108在處理腔室100中的基板接收表面上支撐基板。基板支撐件108固定至舉升馬達，用於抬升及降低基板支撐件108及當佈置於基板支撐件108上時的基板。連接至舉升馬達的舉升板122固定於處理腔室100中，以抬升及降低通過基板支撐件108可移動地佈置的舉升銷。舉升銷在基板支撐件108的表面上抬升及降低基板。基板支撐件108可包括真空夾盤（未顯示）、靜電夾盤（未顯示）或夾具環（未顯示），用於在處理期間將基板緊固至基板支撐件108。
基板支撐件108的溫度可調整以控制基板的溫度。舉例而言，基板支撐件108可使用嵌入式加熱元件來加熱，例如電阻加熱器，或可使用輻射熱來加熱，例如配置成提供熱能量至基板支撐件108的加熱燈。
在某些實施例中，邊緣環116可佈置於基板支撐件108的周圍邊緣頂部。邊緣環116包括中心開口，經尺寸調整以暴露基板支撐件108的支撐表面。邊緣環116可進一步包括裙襬或向下延伸的環狀唇部，以保護基板支撐件108的側。
在某些實施例中，襯墊114沿著腔室主體102的內部壁（例如，一或更多側壁）佈置，以在操作期間保護腔室主體102遠離腐蝕性氣體或材料的沉積。襯墊114包括耦合至加熱器功率源130的一或更多加熱元件（見第2A及2B圖）。加熱器功率源130可為單一功率源或耦合至一或更多加熱元件之分別一者的複數功率源。在某些實施例中，護罩136佈置於襯墊114四周，以保護腔室主體102遠離腐蝕性氣體或材料的沉積。在某些實施例中，襯墊114及護罩136界定抽取空間124。襯墊114包括複數個開口，以將抽取空間124流體耦合至處理空間106。在此等實施例中，抽取空間124進一步流體耦合至抽取通口126，以透過耦合至抽取通口126的真空幫浦促進從處理腔室100排空氣體且維持處理腔室100內部預定的壓力或壓力範圍。
氣體傳輸系統118耦合至蓋組件104以提供例如處理氣體及/或清洗氣體的氣體通過噴淋頭110至處理空間106。噴淋頭110佈置於蓋組件104中，通常相對於基板支撐件108，且包括複數個氣體分配孔洞，以提供處理氣體至處理空間106。
暴露至處理空間且隨著時間遭受定期保養及/或替換的處理腔室100的部件在此處稱為處理套件。處理套件包括但非限於襯墊114、護罩136及邊緣環116。
在圖示處理操作中，基板藉由機械手臂（未顯示）通過狹縫閥120傳輸至處理腔室100。基板通過舉升銷及機械手臂的合作定位於基板支撐件108上。基板支撐件108抬升基板至緊密相對於噴淋頭110的下部表面中。第一氣流可藉由氣體傳輸系統118與第二氣流一起或依序（例如，以脈衝）注入處理空間106中。第一氣流可含有來自清洗氣源的清洗氣體的連續流及來自反應物氣源的反應物氣體的脈衝，或可含有來自反應物氣源的反應物氣體的脈衝及來自清洗氣源的清洗氣體的脈衝。第二氣流可含有來自清洗氣源的清洗氣體的連續流及來自反應物氣源的反應物氣體的脈衝，或可含有來自反應物氣源的反應物氣體的脈衝及來自清洗氣源的清洗氣體的脈衝。氣體接著沉積於基板的表面上。多餘的氣體、副產物及類似者流動通過抽取空間124至抽取通口126，且接著從處理腔室100排放。
第2A圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的部分概要側剖面視圖，包括以上所述的襯墊114。在某些實施例中，襯墊114及護罩136子組件具有與腔室主體102及蓋組件104最小的接觸，以最小化至腔室主體102及蓋組件104的熱損失。在某些實施例中，襯墊114及護罩136兩者與腔室主體102分隔開來。舉例而言，第一間隙佈置於護罩136及腔室主體102之間。在某些實施例中，第一間隙為約30 mil至約50 mil。在某些實施例中，第二間隙佈置於環狀主體220的外部側壁及蓋組件104之間。在某些實施例中，第二間隙為約30 mil至約50 mil。在某些實施例中，第三間隙佈置於環狀主體220的下部表面及腔室主體102之間。在某些實施例中，第三間隙為約30 mil至約50 mil。
襯墊114包括佈置於基板支撐件108四周的環狀主體220。在某些實施例中，環狀主體220以具有至少約200 W/mK的導熱性的材料製成。在某些實施例中，環狀主體220以鋁製成，舉例而言，鋁6061或鋁6063。在某些實施例中，環狀主體220包括上部部分210、下部部分214、及穿過上部部分210及下部部分214的中心開口216。在某些實施例中，上部部分210的外部側壁包括環狀凹槽278，而與護罩136一起形成佈置於護罩136的內部表面及環狀凹槽278的表面之間的第一氣室238。在某些實施例中，藉由環狀凹槽278界定的表面包括側壁230。在某些實施例中，上部凸緣228從環狀主體220的上部部分210的頂部徑向向外延伸以放置於蓋組件104上。上部凸緣228界定環狀主體220的外部直徑。在某些實施例中，側壁230包含實質上垂直的第一部分及向上且徑向向外延伸的第二部分。在某些實施例中，環狀主體220包括通過環狀主體220的側壁230佈置的複數個第一孔洞218。複數個第一孔洞218配置成促進從處理空間106至抽取通口126的流動。
在某些實施例中，上部部分210的內部表面212具有輪廓，此輪廓相對應至噴淋頭110的外部表面224的輪廓。在某些實施例中，於上部部分210的內部表面212及噴淋頭110的外部表面224之間具有間隙，以減少襯墊114及噴淋頭110之間的熱耦合。在某些實施例中，抽取空間124包括第一氣室238及第二氣室240。第二氣室240藉由護罩136及下部部分214的側壁界定，以下關於第4圖更詳細說明。
在某些實施例中，上部部分210包括一或更多開口232，以容納一或更多加熱元件。在某些實施例中，如第2A圖中所顯示，一或更多加熱元件包括一或更多加熱器棒206，以加熱環狀主體220。在某些實施例中，加熱器棒206軸對稱地佈置於環狀主體220四周。在某些實施例中，加熱器棒206之各者可提供約75瓦至約125瓦的功率。在某些實施例中，環狀主體220可加熱至高達攝氏300度。加熱器棒206可個別控制或可串聯連接。在某些實施例中，加熱器棒206從上部凸緣228的外部側壁徑向向內延伸。在某些實施例中，複數個加熱器棒206實質上水平延伸至上部部分210中。
在某些實施例中，蓋組件104包括一或更多O形環溝槽208，以容納在蓋組件104及環狀主體220之間的界面處的一或更多O形環。在某些實施例中，噴淋頭110包括一或更多O形環溝槽204，以容納在噴淋頭110及環狀主體220之間的界面處的一或更多O形環。
第2B圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的部分概要側剖面視圖。在某些實施例中，如第2B圖中所顯示，襯墊114包括可移除地耦合至環狀主體220的上部部分210的環280。環280包括一或更多加熱元件222，以加熱襯墊114。在某些實施例中，環280可移除地耦合至上部部分210的上部凸緣228的上部表面。在某些實施例中，一或更多加熱元件222為嵌入環280中的電阻加熱器。在某些實施例中，一或更多加熱元件222為佈置於環280中的複數個加熱器棒。環280有利地促進環280及加熱器棒的移除及維修，而無須移除整個襯墊114。
在某些實施例中，差動抽取線254從O形環溝槽204的對之間通過環狀主體220延伸至O形環溝槽208的對。差動抽取線254配置成促進差動抽取，以確保在O形環溝槽204的對及O形環溝槽208的對之間捕捉的任何處理氣體或副產物排放至抽取通口126。在某些實施例中，差動抽取線254從O形環204的對之間徑向向外延伸至O形環208的對之間。
第3圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的概要頂部視圖。在某些實施例中，複數個加熱器棒206在不同的角度位置處安排於襯墊114的四周，以加熱襯墊114。在某些實施例中，複數個加熱器棒206包括八個加熱器棒。在某些實施例中，箭頭302A-H描繪在襯墊114四周的複數個加熱器棒206的相對應位置。儘管第3圖描繪八個加熱器棒的位置，可使用更多或更少的加熱器棒206。在某些實施例中，複數個加熱器棒206軸對稱地安排在環狀主體220的上部凸緣228中。在某些實施例中，複數個加熱器棒軸對稱地安排在環280中。
第4圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理套件的等距頂部視圖。在某些實施例中，環狀主體220的下部部分214包括下部凸緣402及上部凸緣404及佈置於下部凸緣402及上部凸緣404之間的側壁408。在某些實施例中，側壁408包括切口410，以容納通過的基板。在某些實施例中，下部部分214包括一或更多耦合表面414，具有配置成可移除地將襯墊114耦合至護罩136的特徵。在某些實施例中，一或更多耦合表面414與下部凸緣402的外部表面及上部凸緣404的外部表面共平面。在某些實施例中，一或更多耦合表面414包括插槽418，以容納護罩136的凸鍵（見第5圖）。在某些實施例中，插槽418為L形的。在某些實施例中，一或更多耦合表面414包括佈置於下部部分214的相對側上的兩個耦合表面。在某些實施例中，切口410在鄰接一或更多耦合表面414之間延伸。在某些實施例中，上部凸緣404包括從上部凸緣404的外部表面徑向向內延伸的凹槽412。在某些實施例中，凹槽412佈置於上部凸緣404的相對側上。凹槽412配置成引導從上部部分210至下部部分214的流動。
在某些實施例中，環狀主體220包括從環狀主體220的上部表面424延伸的複數個對齊銷420。在某些實施例中，複數個對齊銷420包括三個銷。在某些實施例中，上部凸緣228包括從上部凸緣228徑向向外延伸的複數個耳部422。
第5圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理套件的護罩136的等距頂部視圖。護罩136可以與襯墊114相同類型的材料製成。在某些實施例中，護罩136以與襯墊114相同的材料製成，或以與襯墊114具有類似的熱膨脹係數的材料製成，以當護罩136及襯墊114加熱或冷卻時減少或避免其之間的機械應力。在某些實施例中，護罩136包括佈置於護罩的內部表面502上的一或更多凸鍵504，且配置成進入環狀主體220的相對應插槽418，以可移除地將護罩136耦合至襯墊114。一或更多凸鍵504可與護罩136一起形成，或者緊固、結合或耦合至護罩136。在某些實施例中，護罩136對一或更多凸鍵504之各者包括緊固件開口508。一或更多凸鍵504之各者可透過緊固件而緊固至護罩136，緊固件從護罩136的外部表面512延伸通過緊固件開口508且至一或更多凸鍵504之各者中。在某些實施例中，護罩136包括切口506以容納通過的基板。在某些實施例中，切口506具有類似於環狀主體220的切口410的尺寸。在某些實施例中，護罩136包括排放通口510。在某些實施例中，排放通口510相對於切口506佈置。
在某些實施例中，上部部分210及護罩136界定第一氣室238。在某些實施例中，護罩136的內部表面502、上部部分310的側壁230及下部部分314的上部凸緣404界定第一氣室238。第一氣室238流體耦合至複數個第一孔洞218。在某些實施例中，複數個第一孔洞218的尺寸變化，使得遠離抽取通口126佈置的第一孔洞大於靠近抽取通口126佈置的第一孔洞，以有利地以均勻的方式排空處理空間106。
在某些實施例中，下部部分214及護罩136界定第二氣室240。在某些實施例中，護罩136的內部表面502及下部部分214的側壁408在上部凸緣404及下部凸緣402之間界定第二氣室240。上部凸緣404的凹槽412在第一氣室238及第二氣室240之間提供開口，以引導從第一氣室238至第二氣室240的流動。在某些實施例中，上部凸緣404的凹槽412包含兩個凹槽412。在某些實施例中，凹槽412佈置於上部凸緣404的相對側上。在操作中，來自處理空間106的流動引導通過複數個第一孔洞218至第一氣室238中，從第一氣室238通過凹槽412且至第二氣室240中，且從第二氣室240通過排放通口510且至抽取通口126中。在某些實施例中，排放通口510有利地在鄰接凹槽412之間實質上等距佈置，以均勻的方式引導從凹槽412至排放通口510的流動。
第6圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理套件的側正視圖。如第6圖中所顯示，護罩136可移除地耦合至環狀主體220。在某些實施例中，當耦合至環狀主體220時，護罩136抵靠環狀主體220的上部部分210的下部表面。在某些實施例中，且護罩136的外部表面512與上部部分210的外部表面602共平面。在某些實施例中，複數個對齊銷610從上部凸緣228的下部表面延伸。在某些實施例中，複數個對齊銷610配置成延伸至佈置於蓋組件104中的插槽中，以將環狀主體220與蓋組件104對齊。在某些實施例中，複數個對齊銷610的各個銷從複數個耳部422的相對應耳部的下部表面延伸。
第7圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的部分等距頂部視圖。在某些實施例中，上部部分210的複數個耳部422配置成延伸至相對應至複數個耳部422的溝槽702中，以將環狀主體220對齊至蓋組件104。在某些實施例中，複數個耳部422軸對稱地安排，使得環狀主體220僅在一個定向中可與蓋組件104對齊。在某些實施例中，複數個對齊銷420從上部凸緣228延伸，且配置成與形成於噴淋頭110中的特徵704界接，以將環狀主體220對齊至噴淋頭110。在某些實施例中，特徵704為從噴淋頭110的外部表面徑向向內延伸的凹槽。在某些實施例中，蓋組件104在與上部部分210的一或更多開口232相對應的位置處包括一或更多插槽706，以容納一或更多加熱元件（例如，加熱器棒206）。在某些實施例中，一或更多開口232從上部凸緣228的外部側壁徑向向內延伸。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:蓋組件 106:處理空間 108:基板支撐件 110:噴淋頭 114:襯墊 116:邊緣環 118:氣體傳輸系統 120:狹縫閥 122:舉升板 124:抽取空間 126:抽取通口 130:加熱器功率源 136:護罩 204:O形環溝槽 206:加熱器棒 208:O形環溝槽 210:上部部分 212:內部表面 214:下部部分 216:中心開口 218:第一孔洞 220:環狀主體 222:加熱元件 224:外部表面 228:上部凸緣 230:側壁 232:開口 238:氣室 240:氣室 254:抽取線 278:環狀凹槽 280:環 302A-H:箭頭 402:凸緣 404:凸緣 408:側壁 410:切口 412:凹槽 414:耦合表面 418:插槽 420:銷 422:耳部 424:表面 502:表面 504:凸鍵 506:切口 508:開口 510:排放通口 512:外部表面 602:外部表面 610:對齊銷 702:溝槽 704:特徵 706:插槽
以上簡要概述且以下更詳細討論的本揭露案的實施例可藉由參考隨附圖式中描繪的本揭露案的圖示實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本揭露案的通常實施例，且因此不考量為範疇之限制，因為本揭露案認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的概要側剖面視圖。
第2A圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的部分概要側剖面視圖。
第2B圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的部分概要側剖面視圖。
第3圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的概要頂部視圖。
第4圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理套件的等距頂部視圖。
第5圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理套件的等距頂部視圖。
第6圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理套件的側正視圖。
第7圖根據本揭露案的某些實施例，描繪處理腔室的部分等距頂部視圖。
為了促進理解，已盡可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製，且為了清楚可能簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:處理腔室
102:腔室主體
104:蓋組件
106:處理空間
108:基板支撐件
110:噴淋頭
114:襯墊
116:邊緣環
118:氣體傳輸系統
120:狹縫閥
122:舉升板
124:抽取空間
126:抽取通口
130:加熱器功率源
136:護罩

Claims (20)

  1. 一種在一基板處理腔室中使用的處理套件，包含： 一環狀主體，配置成環繞一基板支撐件，且具有一上部部分、一下部部分及穿過該上部部分及該下部部分的一中心開口，其中該上部部分包括耦合至一上部凸緣的側壁，該上部凸緣界定該環狀主體的一外部直徑，其中該上部部分包括通過該等側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中該上部部分包括一或更多加熱元件；及 一護罩，佈置於該環狀主體四周，其中該護罩包括流體連接至該複數個第一孔洞的一排放通口。
  2. 如請求項1所述之處理套件，其中該護罩包括一凸鍵，配置成進入該環狀主體中的一插槽，以可疑除地將該護罩耦合至該環狀主體。
  3. 如請求項1所述之處理套件，其中該一或更多加熱元件包含複數個加熱器棒，佈置於該環狀主體四周在不同的角度位置處以加熱該環狀主體，其中該複數個加熱器棒之各個棒獨立地可控制。
  4. 如請求項3所述之處理套件，其中該複數個加熱器棒在該上部部分的該上部凸緣中軸對稱地安排。
  5. 如請求項3所述之處理套件，其中該複數個加熱器棒包括八個加熱器棒。
  6. 如請求項3所述之處理套件，其中該環狀主體包括耦合至該上部部分的該上部凸緣的一環，且其中該複數個加熱器棒佈置於該環中。
  7. 如請求項1所述之處理套件，其中該環狀主體包括耦合至該上部部分的一環，且其中該環包括一電阻加熱器，以加熱該環狀主體。
  8. 如請求項1至7任一項所述之處理套件，其中該上部部分的該上部凸緣包括從該上部凸緣徑向向外延伸的複數個耳部，以將該環狀主體對齊至一蓋組件。
  9. 如請求項1至7任一項所述之處理套件，其中該上部凸緣包括從該上部凸緣的一上部表面延伸的複數個銷，以將該環狀主體對齊至一噴淋頭。
  10. 一種在一基板處理腔室中使用的處理套件，包含： 一環狀主體，配置成環繞一基板支撐件，且具有一上部部分、一下部部分及穿過該上部部分及該下部部分的一中心開口，其中該上部部分包括通過該上部部分的側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中該上部部分包括一或更多加熱元件；及 一護罩，佈置於該環狀主體四周且可移除地耦合至該環狀主體，其中該護罩包括流體連接至該複數個第一孔洞的一排放通口，且其中該環狀主體及該護罩兩者包括一切口，以容納通過的一基板。
  11. 如請求項10所述之處理套件，其中該上部部分的一外部側壁包括一環狀凹槽，以在該護罩的一內部表面及藉由該環狀凹槽界定的表面之間界定一第一氣室。
  12. 如請求項11所述之處理套件，其中該下部部分包括一下部凸緣及一上部凸緣及佈置於該下部凸緣及該上部凸緣之間的一側壁，其中該護罩的該內部表面及該下部部分的該側壁之間界定一第二氣室，該第二氣室透過佈置於該下部部分的相對側上的一凹槽流體耦合至該第一氣室。
  13. 如請求項10所述之處理套件，其中該一或更多加熱元件包含佈置於該上部部分中且在該環狀主體四周的複數個加熱器棒，以加熱該環狀主體。
  14. 如請求項10所述之處理套件，其中該環狀主體包括耦合至該上部部分的一環，且其中該一或更多加熱元件包含以下至少一者：佈置於該環中的一電阻加熱器或佈置於該環中的複數個加熱器棒。
  15. 如請求項10至14任一項所述之處理套件，其中該環狀主體及該護罩以鋁製成。
  16. 一種處理腔室，包含： 一腔室主體，界定一處理空間，其中該腔室主體包括一蓋； 一基板支撐件，佈置於該處理空間中； 一環狀主體，佈置於該基板支撐件四周，且具有一上部部分、一下部部分及穿過該上部部分及該下部部分的一中心開口，其中該環狀主體包括通過該環狀主體的側壁佈置的複數個第一孔洞，且其中該上部部分包括一或更多加熱元件，其中該一或更多加熱元件包含以下至少一者：在該環狀主體四周軸對稱地佈置的複數個加熱器棒或在耦合至該上部部分的一環中佈置的一電阻加熱器；及 一護罩，佈置於該環狀主體四周且可移除地耦合至該環狀主體，其中該護罩包括流體連接至該複數個第一孔洞的一排放通口；及 一噴淋頭，佈置於該處理空間中相對於該基板支撐件，且在該環狀主體的一上部表面上。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，其中該複數個加熱器棒從該上部部分的一外部側壁徑向向內延伸。
  18. 如請求項16所述之處理腔室，其中該複數個加熱器棒佈置於耦合至該上部部分的該環中。
  19. 如請求項16至18任一項所述之處理腔室，進一步包含一抽取通口，其中該上部部分及該護罩界定一第一氣室，其中該下部部分及該護罩界定一第二氣室，且該第一氣室透過該第二氣室流體耦合至該抽取通口。
  20. 如請求項16至18任一項所述之處理腔室，其中該上部部分的一內部表面具有一輪廓，該輪廓相對應至該噴淋頭的一外部表面的一輪廓。
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