JP2662365B2 - 改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置 - Google Patents

改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置

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JP2662365B2 JP6008684A JP868494A JP2662365B2 JP 2662365 B2 JP2662365 B2 JP 2662365B2 JP 6008684 A JP6008684 A JP 6008684A JP 868494 A JP868494 A JP 868494A JP 2662365 B2 JP2662365 B2 JP 2662365B2
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、大きなガラス基板を
処理するための新しい真空処理チャンバに関するもので
ある。特に、この発明は、新しい排出システムを有する
真空処理チャンバに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業は単一基板（シリコンウエ
ハ）式ないしは枚葉式の処理チャンバをしばらくの間用
いてきた。なぜなら、チャンバの容積を最小にでき、基
板の汚染が減少し、プロセスの制御性が向上するからで
あり、結果として生産性が改善される。さらに、メイダ
ン（Maydan）らの米国特許第4,951,601 号に記載されて
いるような真空システムが開発された。このシステム
は、中央の移送チャンバに接続された複数の真空処理チ
ャンバ内で連続してなされる数段階の処理ステップを可
能としたものであり、これにより、真空の環境から出る
ことなく基板上に数段階の処理ステップを施すことがで
きる。これは、さらに、基板の汚染の可能性を減少させ
る。
【０００３】近年、百万個までのアクティブな薄膜トラ
ンジスタを搭載でき、アクティブマトリックス型のテレ
ビやコンピュータディスプレイに応用される大型ガラス
基板に対する関心が高まっている。このような大型ガラ
ス基板は、一般に３５０×４５０×１ｍｍまでの大きさ
であり、その上に薄膜を蒸着（deposition）させるため
には真空処理チャンバが必要である。基礎的手法及び処
理チャンバ、例えばプラズマ増強型化学蒸着法（plasma
enhanced chemical vapor deposition ；ＰＥＣＶ
Ｄ）、物理的蒸着法（physical vapor deposition ；Ｐ
ＶＤ）、エッチチャンバ及び類似のものは、シリコンウ
エハ上に層を堆積させ、薄膜にパターンを刻むのに使用
されるものと同様である。ガラス基板上で複数の処理ス
テップを施すことができる実際のシステムは、本出願の
優先権の基礎となった出願と同時に出願され、”VACUUM
PROCESSING APPARATUS HAVING IMPROVED THROUGHPUT”
という名称のターナ（Turner）らによる米国特許出願第
０８／１０６８４号によって開示されている。
【０００４】従来の単一基板にＰＥＣＶＤを施すチャン
バにおいては、処理される基板は加熱された支持部（su
sceptor ）によって支持され、反応ガスは基板の上方に
それとほぼ平行に取り付けられたガス分散板を介してチ
ャンバに供給される。ガス分散板及び支持部は、高周波
電源（RF source ）を介して接続され、電源及び反応ま
たは先行ガスが付与されたときに、ガス分散板及び基板
の間の領域に先行ガスからプラズマが生じる。真空排出
システムによって維持されるチャンバ内のガスの流れ、
温度、及び圧力を操作することにより、プラズマ領域内
のほとんどの粒子は支持部及び基板から排出システムに
ガスによって運び出されることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、粒子は問題を
起こすため、この問題を解決するために装置に関する多
くの改良がなされてきた。それにもかかわらず、真空チ
ャンバは、壁、ガス分散板や真空処理チャンバ内に通常
設けられている他の部品に堆積した粒子や固形物を除去
するために、定期的に清掃されなければならない。
【０００６】大型ガラス基板の場合には、この問題は深
刻なものになる。なぜなら、チャンバ容積を最小にする
ために、壁と基板の間の領域がきわめて小さいからであ
る。また、膜厚の均一性及びその他の膜特性を良くする
ためには、チャンバ内における排出ガス流の状態が、チ
ャンバの基板蒸着領域を出て行くガスの速さが基板周辺
に沿ったすべての場所において実質的に均一であるよう
なものである必要がある。さらに、上述のターナらによ
って記載された真空システムにおいては、移送チャンバ
に複数の処理チャンバを接続しうる。隣接する移送チャ
ンバ内のロボットが接近可能となるように、大型ガラス
基板用の入口ポートはチャンバの一側面上に配置されて
いなければならない。基板を処理チャンバに対して出し
入れする際に基板上に直接粒子が堆積せず、また移送チ
ャンバに粒子が運び出されることがないように、粒子が
入口ポートの領域に集まらないようにすることも非常に
重要である。移送チャンバに粒子が運び出されれば、シ
ステム全体の終局的な汚染に至ることは明らかであろ
う。
【０００７】従って、大型ガラス基板を処理するための
単一基板用（枚葉式）真空チャンバの排出システムを改
良しなければならないことは明らかであり、処理チャン
バ内の粒子を迅速に除去することが絶対に必要である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、大型基板を
処理するための単一基板用の真空処理チャンバのいくつ
かの改良からなり、これにより迅速で効果的に粒子を除
去することができるようになり、定期的清掃の際にチャ
ンバに容易に接近することができるようになる。この発
明のチャンバは２個の部品、すなわち、ガラス基板のヒ
ータ兼支持部及び処理基板出し入れ用の可閉ポートを含
むチャンバ本体と、ガス分散板及び新規な真空排出シス
テムを含むふた部とを有している。
【０００９】この発明の真空排出システムは、排出ポー
ト及び真空ポンプに接続された空間チャンバを備えてい
る。この空間チャンバは、ガス分散板を完全に取り囲
み、基板周辺の上方にこれを取り囲むように配置される
ように、ふたに組込まれている。絞られた（restricte
d）通路が、空間チャンバと、ガス分散板及び処理され
る基板の間のプラズマ処理領域とに接続される。従っ
て、使用されたガス及び粒子は、処理中に、入口ポート
が配置されたチャンバ側面を含むプラズマ処理領域全体
から均一に引き抜かれうる。プラズマ処理領域上方及び
基板上方に位置する排出システムは、従って、ともにプ
ラズマ処理領域の下方に位置する基板または入口ポート
に粒子が堆積する前に、チャンバ内の粒子をプラズマ処
理領域から直接的に引き抜く。さらに、排出システムは
プラズマ処理領域に隣接しているため、ドライエッチン
グ源となるガス（dry etchant source gas）を蒸着実行
の間に定期的に導入することができ、ガス分散板及びチ
ャンバ壁を清掃するためのプラズマが生じる。このプラ
ズマは隣接する空間チャンバをきれいにする役割も果た
す。
【００１０】これに加えて、定期的に人手によってチャ
ンバを完全に清掃することが、装置の休止時間を短くし
てすばやくできるようになる。なぜなら、外界からの堆
積物や処理中に発生する粒子にさらされるチャンバの全
表面に、ヒンジによって取り付けられたふたを開けるだ
けで容易に接近することができるからである。
【００１１】
【実施例】この発明は、図１及び２を参照することによ
り、最適に記述されうる。図１、２の両方において、同
一部品には同一の数字を使用する。
【００１２】図１は、ここで使用可能なＰＥＣＶＤチャ
ンバの断面図である。チャンバ１００は２つの部品、す
なわち、ふた部１０２及び処理チャンバ本体部１０４か
ら成る。２つの部品１０２、１０４はヒンジ１０５によ
って接続されている。単一のＯリングシール１０６（図
２参照）によって、ふたが閉じられたときに、チャンバ
１０２内に真空が維持される。
【００１３】処理チャンバ本体１０４は、基板１１０の
ためのヒーター兼支持部１０７を含み、この支持部１０
７は通常の動作をするシャフト１０８によって上下に動
かされうる。ロードサイクルが開始するとき、支持部１
０７はその最低位置にある。処理されるガラス基板１１
０は、ロボット（図示せず）のブレードに支持されて、
入口ポート１１２を経てチャンバ本体１０４に入れられ
る。１組のピン１１４がガラス基板１１０をブレードか
ら１１０Ａで示される中間位置まで持ち上げ、このと
き、ロボットブレードはチャンバ本体１０４から引き出
されうる。ヒーター兼支持部１０７は、その後、処理位
置まで持ち上げられ、上方に移動する際にガラス基板１
１０を載せ、ガラス基板１１０をそれの処理位置まで運
ぶ。この位置は、特定の処理を施すために必要な場合、
１１０Ｂのような点線で示すように変動しうる。
【００１４】ふた１０２はガス分散板１２０を含んでお
り、ガス分散板１２０は、１あるいはそれ以上の処理ガ
スの源に接続され、プラズマ先行または反応ガスをプラ
ズマ／処理領域１２４に供給するために表面上に均一に
分散された複数の開口部１２２を有している。ガスは図
示した矢印１２５の方向に流れる。分散板１２０はほぼ
矩形であり、サセプタ（susceptor ）１０７及び基板１
１０と類似した形状及びサイズである。開口部１２２は
分散板１２０上に矩形、正方形または、好ましくは、正
三角形の格子状に配列される。
【００１５】この発明の排出システムは、空間（plenu
m）チャンバ１２６、プラズマ領域１２４及び空間チャ
ンバ１２６の間の排出通路１２８、及び排出路１３０か
ら成り、排出路１３０は、一定圧の真空ポンプ（図示せ
ず）に接続された圧力制御スロットルバルブ１３１に接
続されている。空間チャンバ１２６はプラズマ（処理）
領域１２４を完全に囲んでおり、チャンバ１０４の内壁
１１３及びふた１０２から形成される、非常に絞られた
（restricted）排出通路１２８によって前記領域に接続
されている。従って、ガス排出のための狭い、均一な隙
間が、基板の全周のまわりに存在することになる。
【００１６】その隙間は、基板周囲に均一に配置された
一連の開口部によって形成できる。基板及び空間チャン
バの一方の側のみからの真空ポンプ効果を打ち消す排出
の流れを提供するという目的を達成するために、もし望
ましいならば、その開口部の形状を適当なものとし、高
いガス圧力においても、基板の全周からの均一な排出を
達成することができる。チャンバ本体１０４の壁１２９
は、連続的で滑らかなテーパの付いた、排出ガスのため
の、通路１２８に至る流路を形成し、さらに、粒子がチ
ャンバ本体１０４や排出通路１２８内に堆積するのを防
止するために寄与する。
【００１７】排出通路１２８は、プラズマ（処理）領域
のまわりの単一の開口部から形成されてもよいし、チャ
ンバ本体１０４及び空間チャンバ１２６の間に均一に配
置された複数の開口部によって形成されてもよい。空間
チャンバ１２６は一般に排出通路１２８よりも大きく、
排出通路１２８を経て全周のまわりに開口しているた
め、プラズマ／処理領域１２４全体からの良好で均一な
排出が達成される。
【００１８】図２には、排出路１３０及びバルブシステ
ム１３１、１３３の好ましい実施例が示されている。排
出路１３０は、チャンバ本体１０４から機械加工され
る。アクチュエータ１３２を有し、排出路１３０に挿入
されるスロットルバルブ１３１は、空間チャンバ１２６
からの物質の流れを制御することができる。分離（isol
ation ）バルブ１３３及びそのアクチュエータ１３４
は、ガスの一方向への流れを確保している。
【００１９】この発明の排出システムを基板１１０上及
びチャンバ入口ポート１１２上に配置することにより、
粒子は基板１１０の表面上や入口ポート１１２に集まら
なくなる。そのかわりに、すべての副次的反応物（reac
tion by-products）、過剰な反応ガスや粒子は、排出路
１３０を通じて真空ポンプによって、基板１１０を横切
って引かれ、チャンバの壁１２９に沿って排出通路１２
８まで上がり、空間チャンバ１２６に至る。さらに、排
出通路１２８はプラズマ処理領域１２４に隣接している
ので、定期的なエッチ清掃プラズマ（periodic etch-cl
ean plasma）は、排出通路１２８上や空間チャンバ１２
６内に堆積している粒子を除去するのに役立ち、それに
加えて、ガス分散板１２０やチャンバ本体１０４の周壁
１２９、特に、清掃が困難な排出路１３０及びスロット
ルバルブ１３１内を清掃するのにも役立つ。さらに、チ
ャンバ１００から排出されないすべての粒子は、基板１
１０上やチャンバ本体１０４内の他の面よりも空間チャ
ンバ１２６に集まる傾向がある。空間チャンバ１２６
は、ふた１０２を開くことにより、容易に人手によって
定期的に清掃することができる。唯一のヒンジ結合され
たふた１０２が単一のＯ−リングシール１０６によって
シールされており、ポンプ作用をする絞られた（restri
cted) 通路が、ふたが閉められたときに、ふた内の部品
とチャンバ１００内の部品との間に実質的に形成される
ため、ふたは容易に開かれ、粒子を蓄積しがちなすべて
の部品には、同様に定期的な人手による清掃の際に容易
にアクセスできる。チャンバ本体１０４及び空間チャン
バ１２６の両方へのアクセスのしやすさは、チャンバ１
００の休止時間（downtime）を低減させ、さらにこのシ
ステムの経済性を向上させる。
【００２０】チャンバ１０４内に粒子や他の物質が堆積
するのを防止する他の実施例においては、循環する湯が
真空チャンバ１０４及びふた内のガス分散システムを約
７５℃まで加熱する。従って、排出路１３０、及び排出
路１３０に挿入された後のスロットルバルブ１３１も約
７５℃まで加熱され、システムないしバルブ１３１は、
外側から接続したバルブによる場合よりも清掃プラズマ
（cleaning plasma ）により近く位置しており、より効
果的な清掃が可能になる。
【００２１】連続的または多数の排出通路１２８をサセ
プタ（susceptor ）１０７周辺に対称に配置することに
より、高価で多数のポンプポート及び流路を有するシス
テムでしか得られないような多くの利点が得られる。対
称性は、排出通路１２８が比較的近くにあるときでさ
え、基板１１０を横切る対称的なガス流を生じさせる。
従って、真空チャンバ１０４のサイズを小さくすること
ができ、サセプタ１０７及び排出ガス通路１２８の間の
比較的短い距離は、イオンが有限の路程（pathlength）
を有する清掃プラズマにより容易に清掃されうる。ま
た、その対称性は、望ましい処理条件によって変動す
る、チャンバ１０４内のサセプタ１０７の位置にかかわ
りなく維持される。
【００２２】従って、この排出システムは基板及び処理
チャンバの入口ポートへの粒子の堆積を防止し、または
最小にする。この結果、基板及び真空処理システム全体
の汚染は少なくなる。排出システムをプラズマ処理領域
に隣接して配置することは、真空処理チャンバ自体への
粒子堆積の減少に寄与し、エッチ清掃プラズマ（etch-c
lean plasma ）によるチャンバ本体及び空間チャンバの
エッチ清掃（etch cleaning ）を容易にする。さらに、
大きな排出用の空間チャンバを処理チャンバに接近させ
てその全周にわたって設けることにより、チャンバから
ガス及び粒子が均一に排出される。
【００２３】この処理チャンバのさらに別の利点は、排
出システムが処理領域の上方にあるときには、処理チャ
ンバの容積を小さくすることができ、チャンバ壁を基板
周辺に近づけることができることである。従来のチャン
バにおいては、粒子が基板表面上または入口ポート領域
内に堆積することなく、ガス及び粒子が壁と処理基板と
の間を流れるように空間が設けられなければならない。
このデザインにおいては、処理領域の上方に配置される
排出用の空間チャンバは、均一で効果的な排出のために
十分大きくする。しかし、基板とチャンバ本体の壁との
間には余分なスペースはほとんどない。
【００２４】小さな処理チャンバは、コスト、例えば低
い材料及び加工コストの点、あるいはシステムの設置面
積が小さくて済み設備スペースの節約になる点でも有利
である。また、小さなチャンバは生産性の点でも有利で
ある。すなわち、ドライエッチングによる場合でも人手
で行う場合でも清掃が容易で短時間で済み、プロセスガ
スでチャンバを処理圧力まで満たすのが早く、エッチ処
理サイクルの後の排出が早いため、基板スループットを
高めることができる。
【００２５】この発明を特定の実施例について説明して
きたが、この発明の精神から逸脱することなく部品や材
料を種々に代替することが可能である。ガスを絞りこむ
（restrict）ための通路１２８や空間チャンバ１２６の
相対的な大きさは変更しうる。そのガス通路は連続的で
あってもよいし、均一の大きさの開口部がチャンバ周辺
に均一に配置された非連続的なものであってもよい。ま
た、チャンバの排出が均一になる限り、開口部の大きさ
及び（または）間隔は不均一であってもよい。空間チャ
ンバ１２６内の圧力を一定にするためには、ガスの流れ
に対して横方向の空間チャンバ１２６の寸法は、狭くさ
れたガス通路１２８の対応する横方向寸法よりも実質的
に大きくなければならない。
【００２６】反応器デザインを種々に変更することも可
能であり、それは当業者には自明であり、この発明の範
囲に含まれると意図されている。この発明の範囲は、従
って、特許請求の範囲によってのみ限定されることが意
図されている。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
及び入口ポートへの粒子の堆積が防止され、または最小
にされる。この結果、基板及び真空処理システム全体の
汚染は少なくなる。また、排出システムをプラズマ処理
領域に隣接して配置することにより、真空処理チャンバ
自体に堆積する粒子が減少し、エッチ清掃プラズマによ
るチャンバ本体及び空間チャンバのエッチ清掃が容易に
なる。さらに、大きな空間チャンバをチャンバに接近さ
せてその全周にわたって設けることにより、チャンバか
らガス及び粒子が均一に排出される。
【００２８】また、排出システムを処理領域の上方に設
けることにより、処理チャンバの容積を小さくすること
ができ、チャンバ壁を基板周辺に近づけることができ
る。
【００２９】このように処理チャンバを小さくすること
は、コスト、例えば低い材料及び加工コストの点、ある
いはシステムの設置面積が小さくて済み設備スペースの
節約になる点でも有利である。
【００３０】さらに、チャンバを小さくすることは生産
性の点でも有利である。すなわち、ドライエッチングに
よる場合でも人手で行う場合でも清掃が容易で短時間で
済み、プロセスガスでチャンバを処理圧力まで満たすの
が早く、エッチ処理サイクルの後の排出が早いため、基
板スループットを高めることができる。。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明で用いる単一基板用のＰＥＣＶＤチャ
ンバの、部分的に概要を示す断面図である。この発明の
いくつかの特徴も示されている。
【図２】この発明の真空システムの斜視図である。
【符号の説明】
１００…処理チャンバ、１０２…ふた部、１０４…処理
チャンバ本体、１０６…Ｏリングシール、１０７…支持
部、１１０…基板、１１２…入口ポート、１２０…ガス
分散板、１２２…開口部、１２４…プラズマ処理領域、
１２６…空間チャンバ、１２８…排出通路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−246829（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−136542（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−214177（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−37035（ＪＰ，Ｕ)

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ） ガス分散板及び真空排出システム
    を内部に有するふた部、 ｂ） 処理される基板の支持部を含むチャンバ本体、及
    び ｃ） 前記チャンバ本体に対して前記ふた部を閉めたと
    きに、前記ガス分散板及び前記支持部の間に形成される
    処理領域 を備えた真空処理チャンバ。
  2. 【請求項２】 前記真空排出システムが、前記ガス分散
    板を取り囲む空間チャンバ、並びに前記処理領域及び前
    記空間チャンバの間の絞られた（restricted）通路を備
    えた請求項１の真空処理チャンバ。
  3. 【請求項３】 前記絞られた通路が、前記ふた部の部分
    と前記チャンバ本体の部分との間のしまりばめ（close
    fitting ）によって形成されて前記支持部周辺のまわり
    の開口部を形成し、前記開口部は前記空間チャンバの幅
    に比べて狭くされている請求項２の真空処理チャンバ。
  4. 【請求項４】 前記絞られた通路が前記支持部周辺のま
    わりの複数の開口部から形成された請求項３の真空処理
    チャンバ。
  5. 【請求項５】 前記絞られた通路が前記支持部周辺を取
    り囲む環状の開口部から成る請求項３の真空処理チャン
    バ。
  6. 【請求項６】 前記処理ガスの生成物の排出流が前記処
    理領域の周辺のまわりで実質的に均一となって、前記空
    間チャンバの一方の側のみに沿った真空ポンプ作用の正
    味の効果を打ち消すように、前記絞られた通路の大きさ
    が前記支持部周辺のまわりで変化する請求項２の真空処
    理チャンバ。
  7. 【請求項７】 前記チャンバ本体の壁と前記ふた部の間
    に形成された通路が、前記処理領域周辺から前記絞られ
    た通路まで内方にテーパが付けられている請求項２の真
    空処理チャンバ。
  8. 【請求項８】 前記チャンバ本体が、前記ふた部と前記
    チャンバ本体とが互いに閉じられたときに、ポートを介
    して前記空間チャンバと連通する真空排出路を備えてい
    る請求項２の真空処理チャンバ。
  9. 【請求項９】 前記チャンバ本体が、前記処理領域の側
    面に前記ふた部から離れて配置された、前記基板を出し
    入れするための可閉ポートをさらに備えている請求項１
    の真空処理チャンバ。
  10. 【請求項１０】 前記チャンバ本体が、一端が真空ポン
    プに接続され、前記ふた部及び前記チャンバ本体が互い
    に閉じられたときに他端が前記真空排出システムに接続
    される真空排出路を備えている請求項１の真空処理チャ
    ンバ。
  11. 【請求項１１】 前記ふた部が、前記チャンバ本体にヒ
    ンジ結合されており、これにより前記チャンバ本体に対
    して開閉される請求項１の真空処理チャンバ。
  12. 【請求項１２】 前記ふた部と前記チャンバ本体との間
    に取り付けられた単一のＯ−リングシールをさらに備え
    た請求項１０の真空処理チャンバ。
  13. 【請求項１３】 ａ） 処理ガスの源を内部に有するふ
    たを、基板支持部及びこの上に取り付けられて前記源に
    対向する基板を含むチャンバ本体に対して閉めることに
    より、処理領域を形成し、 ｂ） 前記処理ガスを前記処理領域内に通し、 ｃ） 前記ガスと前記基板とを少なくとも部分的に反応
    させて処理残分（residue ）を形成し、さらに、 ｄ） 前記処理残分を上方に向けて前記ふた内に排出す
    る 真空チャンバ内の基板の処理方法。
  14. 【請求項１４】 前記排出ステップにおいて、前記処理
    領域と前記ふたとの間の絞られた通路に接続された空間
    チャンバを前記ふた内に設け、前記絞られた通路を通し
    て前記処理残分を引き抜く請求項１３の方法。
  15. 【請求項１５】 前記閉めるステップが、前記ふたと前
    記チャンバ本体との間に前記絞られた通路を形成する請
    求項１４の方法。
  16. 【請求項１６】 前記排出ステップにおいて、前記処理
    残分を前記空間チャンバから前記チャンバ内に形成され
    た排出路を通して引き抜く請求項１４の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009012878A1 (de) 2008-03-14 2009-09-17 Tokyo Electron Limited Schauerkopf und Substratbearbeitungsvorrichtung
DE102009013854A1 (de) 2008-03-19 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd. Schauerkopf und Substratbearbeitungsvorrichtung
KR20110030360A (ko) 2009-09-17 2011-03-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
KR20110063342A (ko) 2009-12-03 2011-06-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5695568A (en) * 1993-04-05 1997-12-09 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US5958510A (en) * 1996-01-08 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a thin polymer layer on an integrated circuit structure
US6248398B1 (en) * 1996-05-22 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US20060105494A1 (en) * 1996-07-23 2006-05-18 Karen Huang Method and apparatus for cleaning and sealing display packages
US5980638A (en) * 1997-01-30 1999-11-09 Fusion Systems Corporation Double window exhaust arrangement for wafer plasma processor
US5855675A (en) * 1997-03-03 1999-01-05 Genus, Inc. Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes
US6174377B1 (en) * 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
US6024044A (en) * 1997-10-09 2000-02-15 Applied Komatsu Technology, Inc. Dual frequency excitation of plasma for film deposition
US6105435A (en) 1997-10-24 2000-08-22 Cypress Semiconductor Corp. Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same
US6210483B1 (en) 1997-12-02 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Anti-notch thinning heater
US6086952A (en) * 1998-06-15 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of a copolymer of p-xylylene and a multivinyl silicon/oxygen comonomer
US6185370B1 (en) * 1998-09-09 2001-02-06 Tokyo Electron Limited Heating apparatus for heating an object to be processed
US6143079A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
US6362115B1 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Applied Materials, Inc. In-situ generation of p-xylyiene from liquid precursors
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6558509B2 (en) * 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
US6477980B1 (en) * 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6772827B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US6582522B2 (en) * 2000-07-21 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Emissivity-change-free pumping plate kit in a single wafer chamber
US6802906B2 (en) * 2000-07-21 2004-10-12 Applied Materials, Inc. Emissivity-change-free pumping plate kit in a single wafer chamber
US6666920B1 (en) 2000-08-09 2003-12-23 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for providing an even flow of gasses through a reaction chamber of an epitaxial reactor
US6716289B1 (en) 2000-08-09 2004-04-06 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Rigid gas collector for providing an even flow of gasses
US6325855B1 (en) 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
US6732854B2 (en) 2001-11-15 2004-05-11 Gerber Technology, Inc. Bristle bed cleaner and method
KR100979575B1 (ko) * 2002-01-17 2010-09-01 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6777352B2 (en) 2002-02-11 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing
US7832177B2 (en) 2002-03-22 2010-11-16 Electronics Packaging Solutions, Inc. Insulated glazing units
US6962834B2 (en) * 2002-03-22 2005-11-08 Stark David H Wafer-level hermetic micro-device packages
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7434712B2 (en) * 2004-07-09 2008-10-14 Blackhawk Industries Product Group Unlimited Llc Hooded holster
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20060105114A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 White John M Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs
KR100661986B1 (ko) * 2005-05-09 2006-12-27 리 빙-환 진공 또는 저압 환경에서의 기체 조작 및 이의 관찰을 위한장치
US8709162B2 (en) * 2005-08-16 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Active cooling substrate support
US20070044714A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing
US7641762B2 (en) * 2005-09-02 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber
US20070116873A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
US7645710B2 (en) 2006-03-09 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7678710B2 (en) 2006-03-09 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7837838B2 (en) 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
TWI435376B (zh) 2006-09-26 2014-04-21 Applied Materials Inc 用於缺陷鈍化之高ｋ閘極堆疊的氟電漿處理
US7776178B2 (en) * 2006-10-25 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Suspension for showerhead in process chamber
CN101205605B (zh) * 2006-12-18 2012-01-11 东京毅力科创株式会社 用于热增强和等离子体增强气相沉积的装置及操作方法
EP2109878A4 (en) * 2007-02-15 2012-03-14 Applied Materials Inc SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING A CHEMICAL UPGRADING PROCESS
US20080317973A1 (en) 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US7989040B2 (en) 2007-09-14 2011-08-02 Electronics Packaging Solutions, Inc. Insulating glass unit having multi-height internal standoffs and visible decoration
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
US8097082B2 (en) * 2008-04-28 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber
EP2324183B1 (en) * 2008-08-09 2014-06-25 Eversealed Windows, Inc. Asymmetrical flexible edge seal for vacuum insulating glass
US9175388B2 (en) * 2008-11-01 2015-11-03 Ultratech, Inc. Reaction chamber with removable liner
US9328417B2 (en) * 2008-11-01 2016-05-03 Ultratech, Inc. System and method for thin film deposition
WO2010083475A2 (en) * 2009-01-15 2010-07-22 Eversealed Windows, Inc. Filament-strung stand-off elements for maintaining pane separation in vacuum insulating glazing units
WO2010083476A2 (en) * 2009-01-15 2010-07-22 Eversealed Windows, Inc Flexible edge seal for vacuum insulating glazing unit
EP2576950A4 (en) 2010-06-02 2017-07-05 Eversealed Windows, Inc. Multi-pane glass unit having seal with adhesive and hermetic coating layer
US9328512B2 (en) 2011-05-05 2016-05-03 Eversealed Windows, Inc. Method and apparatus for an insulating glazing unit and compliant seal for an insulating glazing unit
US8826857B2 (en) * 2011-11-21 2014-09-09 Lam Research Corporation Plasma processing assemblies including hinge assemblies
US8900364B2 (en) * 2011-11-29 2014-12-02 Intermolecular, Inc. High productivity vapor processing system
EP2654070A1 (fr) 2012-04-16 2013-10-23 INDEOtec SA Réacteur plasma de type capacitif pour le dépôt de films minces
TW201401359A (zh) * 2012-04-30 2014-01-01 Applied Materials Inc 用以分隔流動樑式輸送器與半導體基板清潔環境的方法及設備
TWI517905B (zh) * 2012-09-08 2016-01-21 西凱渥資訊處理科技公司 於射頻模組製造期間關於漆霧收集之裝置及方法
US20150155187A1 (en) * 2013-12-04 2015-06-04 Lam Research Corporation Annular baffle for pumping from above a plane of the semiconductor wafer support
WO2015116244A1 (en) 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Corner spoiler for improving profile uniformity
WO2021025913A1 (en) * 2019-08-02 2021-02-11 Applied Materials, Inc. Radio frequency power return path
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US5088444A (en) * 1989-03-15 1992-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition system

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009012878A1 (de) 2008-03-14 2009-09-17 Tokyo Electron Limited Schauerkopf und Substratbearbeitungsvorrichtung
US8236106B2 (en) 2008-03-14 2012-08-07 Tokyo Electron Limited Shower head and substrate processing apparatus
DE102009012878B4 (de) * 2008-03-14 2014-04-30 Tokyo Electron Limited Schauerkopf und Substratbearbeitungsvorrichtung
DE102009013854A1 (de) 2008-03-19 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd. Schauerkopf und Substratbearbeitungsvorrichtung
DE102009013854B4 (de) 2008-03-19 2019-05-02 Tokyo Electron Ltd. Schauerkopf und Substratbearbeitungsvorrichtung
KR20110030360A (ko) 2009-09-17 2011-03-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
CN102024694A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置
KR20110063342A (ko) 2009-12-03 2011-06-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
KR20170015413A (ko) 2009-12-03 2017-02-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

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Publication number Publication date
JPH06244123A (ja) 1994-09-02
US5582866A (en) 1996-12-10

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