TW202025610A - 具有多供應電壓之低壓差調節器(ldo)之調節/旁路自動化 - Google Patents

具有多供應電壓之低壓差調節器(ldo)之調節/旁路自動化 Download PDF

Info

Publication number
TW202025610A
TW202025610A TW108132427A TW108132427A TW202025610A TW 202025610 A TW202025610 A TW 202025610A TW 108132427 A TW108132427 A TW 108132427A TW 108132427 A TW108132427 A TW 108132427A TW 202025610 A TW202025610 A TW 202025610A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ldo
coupled
bypass
transistor
gate
Prior art date
Application number
TW108132427A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI720609B (zh
Inventor
岳珺 鄭
弘閔 鄭
林建志
Original Assignee
美商高通公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商高通公司 filed Critical 美商高通公司
Publication of TW202025610A publication Critical patent/TW202025610A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI720609B publication Critical patent/TWI720609B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45674—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one current mirror

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

本發明揭示具有多供應電壓之低壓差調節器(LDO)之調節/旁路自動化。在一些實施方案中，一LDO包括：一電阻器；一傳輸電晶體，其具有一源極、一閘極及一汲極以輸出一電壓Vout，該源極耦接至一供應電壓，該閘極耦接至一運算跨導放大器(OTA)之一輸出，且該汲極耦接至該電阻器之一第一端；一回饋開關，其具有一汲極、一閘極及一源極，該汲極耦接至該電阻器之一第二端，該源極耦接至該OTA之一負輸入；及一下拉電晶體，其具有一汲極、一閘極及一源極，該源極耦接至接地，且該汲極耦接至該OTA之該負輸入，其中該下拉電晶體之該閘極及該回饋開關之該閘極經組態以接收一旁路信號。

Description

具有多供應電壓之低壓差調節器(LDO)之調節/旁路自動化
本發明之態樣大體上係關於半導體電路中之功率調節，且更特定言之，係關於具有多供應電壓之低壓差調節器(LDO)之調節/旁路自動化。
隨著半導體技術發展，諸多系統單晶片(SoC)可在更低電壓供應(例如1.8V)下操作，產生更低總功耗。然而，仍需要支援在更高電壓供應(例如5V、3.3V等)下操作之舊式裝置。因此，本領域中存在提供更加靈活且高效之LDO的需要以允許先進製程SoC支援舊式裝置。
以下呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對此等實施方案之基本理解。此概述並非為所有涵蓋之實施方案的廣泛綜述，且不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施方案之範疇。此概述之唯一目的為以簡化形式呈現一或多個實施例之一些概念，作為稍後所呈現的更為具體之實施方式的序言。
在一些實施方案中，一種低壓差調節器(LDO)包括：一第一電阻器，其具有一第一端及一第二端；及一p型傳輸電晶體，其具有一源極、一閘極及一汲極以輸出一電壓Vout，該源極耦接至一供應電壓，該閘極耦接至一運算跨導放大器(OTA)之一輸出，且該汲極耦接至該第一電阻器之該第一端。該LDO進一步包括一p型回饋開關，其具有一汲極、一閘極及一源極，該汲極耦接至該第一電阻器之該第二端，該源極耦接至該OTA之一正輸入。該LDO進一步包括一n型下拉電晶體，其具有一汲極、一閘極及一源極，該源極耦接至接地，該閘極耦接至該p型回饋電晶體之該閘極，且該汲極耦接至該OTA之該負輸入，其中該n型下拉電晶體之該閘極及該p型回饋開關之該閘極經組態以接收一旁路信號。
在一些實施方案中，該LDO進一步包括一第二電阻器，其具有一第一端及一第二端。該第二端耦接至接地且該第一端耦接至該第一電阻器之該第二端。
在一些實施方案中，當該供應電壓在大約1.8V下時確證該旁路信號。可在該供應電壓在3.3V或5.0V下時撤銷確證該旁路信號。當確證該旁路信號時該LDO進入一旁路模式。另一方面，當撤銷確證該旁路信號時該LDO進入一調節模式。
在一些實施方案中，當該LDO通電時該LDO藉由預設在該調節模式中操作。
為實現前述及相關目的，一或多個實施例包括在下文中充分描述且特別地在申請專利範圍中所指出之特徵。以下描述及隨附圖式詳細闡述一或多個實施例之某些說明性態樣。然而，此等態樣僅指示可供各種實施例之原理採用的各種方式中之少數方式，且描述實施例意欲包括所有此類態樣及其等效物。
優先權主張
本專利申請案主張2018年9月20日申請之標題為「具有多供應電壓之LDO之調節/旁路自動化」之申請案第16/136,305號之優先權，該申請案已轉讓給其受讓人且特此以引用的方式明確地併入本文中。
下文結合隨附圖示所闡述之詳細描述意欲作為對各種組態之描述，且不意欲表示可於其中實踐本文中所描述之概念的唯一組態。出於提供對各種概念的透徹理解之目的，該詳細描述包括具體細節。然而，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的係可在無此等具體細節之情況下實踐此等概念。在一些情形中，熟知結構及組件係以方塊圖形式展示，以便避免混淆此類概念。
先進技術節點中之系統單晶片(SoC)設計需要與多個輸入/輸出(I/O)電壓供應(包括舊式裝置中之更高電壓)介接。針對各種I/O供應之均一通電序列為功率管理單元(PMU)縮短產品研發時間之必有特徵。在I/O電壓供應在與其在SoC中約相同的情況下與舊式產品或旁路I/O電壓供應介接時需要調節器(典型的係低壓差調節器(LDO))以降低I/O電壓供應。換言之，普通模式(亦稱為調節模式)及旁路模式在如圖1中概念地說明之當今SoC設計中係需要的。
圖1為系統單晶片(SoC)中之低壓差調節器(LDO)之一個實施方案100的概念圖。箭頭140之左側上說明三個使用案例110至130。在使用案例110中，客戶A表示在5V下操作之舊式裝置。在使用案例120中，客戶B表示在3.3V下操作之另一舊式裝置。在使用案例130中，客戶C表示在1.8V下操作之裝置。在當前實例中，SoC在1.8V下操作。因此，為支援客戶A，SoC需要將I/O電壓供應由5V轉換至1.8V之LDO 112。同樣地，為支援客戶B，SoC需要將I/O電壓供應由3.3V轉換至1.8V之LDO 122。由於客戶C已在1.8V下操作(此與SoC相同)，故SoC並不需要任何電壓調節器來支援客戶C。換言之，SoC可在支援客戶C時使LDO旁通(亦稱為旁路模式)。為增強SoC之靈活性及變通性，LDO 112及122以及使用案例130中所表示之旁路模式經組合成LDO，該LDO在一些實施方案中支援多個供應電壓且在調節模式與旁路模式之間自動切換。
在一些先進技術節點中，高電壓(HV)裝置用來與舊式高I/O供應電壓介接。雖然HV裝置之汲極源極電壓(Vds)範圍增大，但閘極源極電壓(Vgs)仍受限(例如Vgs在28 nm節點中必須等於或低於1.8V)。出於可靠性目的，即使I/O供應電壓在更高位準(例如5 V、3.3 V)下或在圖1中所展示之實例中在1.8V下，內部邏輯位準亦必須為1.8V。
圖2中展示一種習知SoC設計200。供應偵測器210用於偵測自客戶裝置A、B或C接收到之電壓供應之電壓位準，且隨後發送出邏輯信號以基於偵測到之電壓供應在調節模式或旁路模式(如由連接二極體之p型電晶體225表示)中組態LDO 220。然而，供應偵測器210中之邏輯電路212典型地需要來自LDO 220之輸出之1.8V電壓供應以便通電且正確地運作。但在啟動時，LDO 220之輸出可能不在1.8V下。此可在SoC設計200之通電序列中引起雞與蛋問題。
圖2中之SoC設計200的另一問題為可靠性問題。若LDO 220起初因5V或3.3V下之I/O供應電壓而處於旁路模式，則連接二極體之p型電晶體225之Vgs可超出1.8V。電晶體225上之此較高Vgs可對電晶體225施加過多壓力且隨後在SoC 200之使用壽命中導致可靠性問題。舉例而言，經過長期時間之使用後電晶體225可最終破損，導致LDO 220之故障發生。
圖3展示用於SoC中之一個習知LDO 320之詳細電路實施方案。LDO 320包括一對n型電晶體321及322、偏壓電晶體325、一對p型電晶體323及324、傳輸電晶體(亦稱為傳輸開關) 326、n型電晶體327、開關328、一對輸出電阻器329a及329b、輸出電容器332及電容器331。在一些實施方案中，LDO 320之前述電晶體均為HV裝置。電晶體321及322分別經組態為負及正輸入電晶體。電晶體321及322中之每一者之源極耦接至偏壓電晶體325之汲極。偏壓電晶體325之源極耦接至接地。輸入電晶體321及322之汲極分別耦接至電晶體323及324之汲極。電晶體323及324之閘極與電晶體323之汲極耦接在一起。電晶體323及324之源極耦接至來自SoC外部之裝置之電壓供應VddH。就舊式裝置(例如，圖1中之客戶A或客戶B)而言，電壓供應VddH可在5V或3.3V下。就低功率裝置(例如客戶C)而言，電壓供應VddH可在1.8V下。電晶體324並聯耦接至電容器331。電晶體324之汲極耦接至傳輸電晶體326之閘極及電晶體327之汲極。電晶體327之源極耦接至接地。電晶體327之閘極自電壓比較器接收旁路信號301。傳輸電晶體326之源極耦接至電壓供應VddH且傳輸電晶體326之汲極耦接至輸出電阻器329a及輸出電容器332。輸出電阻器329a及329b串聯耦接於電晶體326與接地之間，而輸出電容器332並聯耦接至輸出電阻器329a及329b。
開關328耦接於傳輸電晶體326之閘極與電晶體324之汲極之間以在調節或旁路模式之間切換。然而，如上文所論述，在先進製程節點(例如28nm或以上)中，由於可靠性問題，故無法將3.3V/0V電壓施加至開關328。圖4展示用以說明在通電時可導致可靠性問題之潛在「故障」之波形圖400。如圖4中所展示，在功率斜升期間在旁路信號及vdd18中存在故障410。此故障410可在傳輸電晶體326中引起可靠性問題。具體而言，若供應電壓VddH在5V或3.3V下且旁路信號在1.8V下，則隨後傳輸電晶體326之源極閘極電壓(Vsg)將超過1.8V，導致可靠性不合格。因此，需要LDO以處理如上文所論述之通電序列問題及可靠性問題。此新穎LDO之一些實施方案在本文中揭示。
在一些實施方案中，LDO可在通電事件期間使用於1.8V I/O電壓傳遞之調節或旁路雙模式功能自動化，以支援5V或3.3V下之舊式I/O電壓(分別例如圖1中之客戶A及B)，以及諸多當前裝置所需之1.8V I/O電壓(例如圖1中之客戶C)。LDO可在旁路信號處於邏輯「0」時使用閉合環路操作進入調節模式，且LDO可在旁路信號處於邏輯「1」時使用斷開環路選項進入旁路模式。在一些實施方案中，旁路信號為1.8V邏輯信號且其可來自在來自LDO之1.8V下運行之比較器。就此而言，LDO及比較器處置旁路信號存在「雞與蛋」問題。本文中所揭示之新穎LDO之一些實施方案可緩解此「雞與蛋」問題，同時解決上文所論述之可靠性及通電序列問題。
圖5A說明LDO 520之實施方案且圖5B說明併入有圖5A中之LDO 520的SoC 500之一個實施方案。
參考圖5A，LDO 520包括一對n型電晶體521及522、偏壓電晶體525、一對p型電晶體523及524、傳輸電晶體(亦稱為傳輸開關) 526、一對輸出電阻器529a及529b、輸出電容器532以及電容器531。在一些實施方案中，LDO 520之前述電晶體均為HV裝置。電晶體521及522分別經組態為負及正輸入電晶體。電晶體521及522中之每一者之源極耦接至偏壓電晶體525之汲極。偏壓電晶體525之源極耦接至接地。輸入電晶體521及522之汲極分別耦接至電晶體523及524之汲極。電晶體523及524之閘極與電晶體523之汲極耦接在一起。電晶體523及524之源極耦接至來自SoC外部之裝置之電壓供應VddH。就舊式裝置(例如，圖1中之客戶A或客戶B)而言，電壓供應VddH可在5V或3.3V下。就低功率裝置(例如客戶C)而言，電壓供應VddH可在1.8V下。電晶體521至525共同經組態為運算跨導放大器(OTA)，其中電晶體521及522之閘極分別充當OTA之負及正輸入。電晶體524之汲極可經組態為OTA之輸出。
在一些實施方案中，電晶體524並聯耦接至電容器531。電晶體524之汲極耦接至傳輸電晶體526之閘極。傳輸電晶體526之源極耦接至電壓供應VddH且傳輸電晶體526之汲極耦接至輸出電阻器529a及輸出電容器532。輸出電阻器529a及529b串聯耦接於傳輸電晶體526與接地之間，而輸出電容器532並聯耦接至輸出電阻器529a及529b。
在一些實施方案中，再添加至少兩個電晶體542及544至輸出電阻器529a與電晶體521之閘極之間的回饋路徑(亦即OTA之負輸入端)。電晶體542可稱為回饋開關或回饋電晶體，而電晶體544可稱為下拉開關或下拉電晶體。參考圖5A，電晶體542為p型電晶體，其具有閘極、源極及汲極。電晶體544為n型電晶體，其具有閘極、源極及汲極。電晶體542及544兩者之閘極耦接在一起以接收旁路信號501。電晶體544之源極耦接至接地。電晶體544之汲極耦接至電晶體521之閘極。電晶體542之源極及本體耦接在一起，其進一步耦接至電晶體521之閘極。電晶體542之汲極耦接至輸出電阻器529a與輸出電阻器529b之間的節點。
LDO 520可在供應電壓VddH在1.8V下時進入旁路模式，或在供應電壓VddH在5V或3.3V下時進入調節模式。在一些實施方案中，LDO 520經組態以回應於旁路信號501而進入旁路模式或調節模式中之一者。當旁路信號501處於邏輯「0」時，接通電晶體542以閉合回饋迴路，從而在傳輸電晶體526之汲極處產生1.8V之輸出。因此，LDO 520進入調節模式。在旁路信號501處於邏輯「1」時，關斷電晶體542以斷開(或中斷)回饋迴路，且接通電晶體544以將電晶體521之閘極下拉至接地。因此，LDO 520進入旁路模式。
LDO 520可與在SoC中之若干基礎結構區塊共同作用來支援需要不同電壓供應之客戶裝置。圖5B中展示具有LDO 520及其他基礎結構區塊之SoC 500的一個實施方案。參考圖5B，SoC 500包括旁路比較器510、能隙參考產生器512、電阻分壓器514、V至IR (V2IR)區塊516、OK偵測器518及LDO 520。
在一些實施方案中，來自SoC 500外部之客戶裝置之電壓供應VddH經輸入至能隙參考產生器512、電阻分壓器514、V2IR區塊516及LDO 520。如上文所論述，電壓供應可針對舊式客戶裝置而在5 V或3.3V下，或針對當前客戶裝置而在1.8V下。能隙參考產生器512經組態以輸出在約1.23V下之能隙電壓vbg。當電壓供應VddH可用時信號vbg保持實質上恆定在約1.23V下。信號vbg隨後經輸入至V2IR 516及LDO 520。電阻分壓器514經組態以使用約0.3之比率分割接收到之電壓供應VddH以產生信號vddhdiv，若VddH在5V、3.3V或1.8V下，則信號vddhdiv可分別在約1.5V、0.99V或0.54V下。使用V2IR 516內之電阻器單晶片之組合，V2IR 516經組態以將vbg轉換成IR電流，該等IR電流轉譯為三個電壓信號，即，在約1.23V下之v1p23、在約0.9V下之v0p9及在約0.74V下之v0p74。在VddH及vbg兩者均可用時此等三個電壓信號亦係實質上恆定的。信號v0p9隨後經輸入至Ok偵測器518，且信號v0p74經輸入至旁路比較器510之正輸入端。旁路比較器510之負輸入端自電阻分壓器514接收vddhdiv。旁路比較器510輸出旁路信號501。LDO 520亦自能隙參考產生器512接收vbg (其在約1.23V下)。LDO 520進一步自輸出旁路比較器510接收旁路信號501。如上文參考圖5A所論述，LDO 520產生約1.8V之輸出電壓vdd18。LDO 520向Ok偵測器518及旁路比較器510兩者提供1.8V之輸出電壓。Ok偵測器518偵測v0p9電壓位準且確證ok_mbg信號，該信號經輸入至旁路比較器510之啟用輸入端。旁路比較器510在確證ok_mbg時比較vddhdiv與v0p74且因此輸出旁路信號501。
圖6中展示SoC 500之一個例示性通電序列。在SoC 500之冷啟動期間，外部電壓供應VddH在內部電壓準備好電壓偵測或轉換之前首先斜升。ok_mbg及旁路501之預設設定處於邏輯「0」且LDO 520起初在閉合迴路模式(亦即調節模式)中操作。換言之，當LDO 520通電時旁路信號501起初經撤銷確證且LDO 520藉由預設在調節模式中操作。能隙電壓vbg緩慢斜升且經導出之內部參考電壓(亦即來自V2IR 516之v1p23、v0p9及v0p74)在vbg之後以類似緩慢斜升出現。來自LDO 520之輸出(亦即vdd18)追蹤此等三個參考且vdd18保持在來自輸入vbg之1.8V下。由於ok_mbg由藉由vdd18來供電的Ok偵測器518產生，故ok_mbg之電壓位準追蹤vdd18。在ok_mbg達到邏輯「1」之臨限電壓位準時，內部電壓參考(亦即在1.23V下之v1p23、在0.9V下之v0p9及在0.74V下之v0p74)斜升且就緒，且因此旁路比較器510開始偵測VddH電壓位準且取得對旁路信號501之控制。此時，若電壓供應VddH在1.8V下，則旁路信號501將經確證，且將LDO 520之回饋節點(亦即圖5A中與輸入電晶體521之閘極耦接之節點)下拉至接地，亦即0V，此中斷回饋迴路且使1.8V旁通至LDO 520之輸出，亦即vdd18。另一方面，若電壓供應VddH在3.3V或5V下，則撤銷確證旁路信號501且LDO 520持續將LDO 520之輸出(亦即vdd18)調節為1.8V。此自動化可解決上文所論述之需要高I/O電壓(例如3.3V或5V)之針對舊式客戶裝置使用HV/1.8V裝置之可靠性問題。
除了解決可靠性問題之外，LDO 520之架構亦提供以下優勢。首先，LDO 520之架構不限於三個外部電力供應電壓。可在其中添加更多臨限電壓以偵測更多外部電力供應電壓。此外，在一些實施方案中外部供應電壓範圍可更寬泛(例如，2.1V至5V / 1.8V)，且若將低臨限值設定成約0.59V且LDO傳輸電晶體(例如圖5A中之電晶體526)之飽和電壓Vdsat在300mV下，則可產生1.8V內部電源供應。此向客戶提供更高靈活性。此外，內部供應電壓亦為靈活的，此係因為其可取決於內部電路規格經調節至高於或低於1.8V。
圖7展示操作圖5A中所展示之LDO 520之一個例示性方法之流程圖。該方法在方塊710處開始，其中LDO 520接收旁路信號(例如圖5A中之旁路信號501)。隨後該方法轉移至方塊720以判定旁路信號是否經確證。若旁路信號經確證，則該方法轉移至方塊730，其中在LDO 520中之回饋節點與輸出電阻器之間的回饋開關(例如回饋開關542)關斷。隨後該方法轉移至方塊740，其中將回饋節點下拉至接地以斷開(或中斷) LDO 520內之回饋迴路。換言之，在確證旁路信號時LDO 520進入旁路模式。
若判定旁路信號並未在方塊720處經確證，則隨後該方法轉移至方塊750。在方塊750處，接通回饋開關以閉合LDO 520中之回饋迴路以使得LDO 520產生經調節輸出電壓，例如經調節之1.8V。換言之，在撤銷確證旁路信號時LDO 520進入調節模式。
提供本發明之先前描述以使熟習此項技術者能夠製作或使用本發明。熟習此項技術者將易於理解對本發明之各種修改，且本文所定義之一般原理可在不背離本發明之精神或範疇的情況下應用於其他變體。因此，本發明並不意欲限於本文中所描述之實例，而應符合與本文中所揭示之原理及新穎特徵相一致的最廣泛範疇。
100:實施方案 110:使用案例 112:低壓差調節器(LDO) 120:使用案例 122:低壓差調節器(LDO) 130:使用案例 140:箭頭 200:SoC設計 210:供應偵測器 212:邏輯電路 220:低壓差調節器(LDO) 225:p型電晶體 301:旁路信號 320:低壓差調節器(LDO) 321:n型電晶體 322:n型電晶體 323:p型電晶體 324:p型電晶體 325:偏壓電晶體 326:傳輸電晶體 327:n型電晶體 328:開關 329a:輸出電阻器 329b:輸出電阻器 331:電容器 332:輸出電容器 400:波形圖 410:故障 500:系統單晶片(SoC) 501:旁路信號 510:旁路比較器 512:能隙參考產生器 514:電阻分壓器 516:V2IR區塊 518:OK偵測器 520:低壓差調節器(LDO) 521:n型電晶體 522:n型電晶體 523:p型電晶體 524:p型電晶體 525:偏壓電晶體 526:傳輸電晶體 529a:輸出電阻器 529b:輸出電阻器 531:電容器 532:輸出電容器 542:電晶體 544:電晶體 710:方塊 720:方塊 730:方塊 740:方塊 750:方塊 ok_mbg:信號 v0p74:電壓信號 v0p9:電壓信號 v1p23:電壓信號 vbg:信號 vdd18:輸出電壓 vddhdiv:信號 VddH:電壓供應
圖1為系統單晶片(SoC)中之低壓差調節器(LDO)之一個實施方案的概念圖。
圖2說明SoC中之習知LDO。
圖3展示一個習知LDO之詳細電路實施方案。
圖4展示用以說明可在通電時導致可靠性問題之潛在「故障」之波形圖。
圖5A展示LDO之一個實施方案。
圖5B展示SoC之一個實施方案。
圖6展示圖5B中所展示之SoC之一個例示性通電序列。
圖7展示操作圖5A中所展示之LDO 520之一個例示性方法。
501:旁路信號
520:低壓差調節器(LDO)
521:n型電晶體
522:n型電晶體
523:p型電晶體
524:p型電晶體
525:偏壓電晶體
526:傳輸電晶體
529a:輸出電阻器
529b:輸出電阻器
531:電容器
532:輸出電容器
542:電晶體
544:電晶體
VddH:電壓供應

Claims (23)

  1. 一種低壓差調節器(LDO)，其包含： 一第一電阻器，其具有一第一端及一第二端； 一傳輸電晶體，其具有一源極、一閘極及一汲極以輸出一電壓Vout，該源極耦接至一供應電壓，該閘極耦接至一運算跨導放大器(OTA)之一輸出，且該汲極耦接至該第一電阻器之該第一端； 一回饋開關，其具有一汲極、一閘極及一源極，該汲極耦接至該第一電阻器之該第二端，該源極耦接至該OTA之一負輸入；及 一下拉電晶體，其具有一汲極、一閘極及一源極，該源極耦接至接地，該閘極耦接至該回饋電晶體之該閘極，且該汲極耦接至該OTA之該負輸入，其中該下拉電晶體之該閘極及該回饋開關之該閘極經組態以接收一旁路信號。
  2. 如請求項1之LDO，其進一步包含： 一第二電阻器，其具有一第一端及一第二端，該第二端耦接至接地且該第一端耦接至該第一電阻器之該第二端。
  3. 如請求項1之LDO，其中當該供應電壓在大約1.8V下時確證該旁路信號。
  4. 如請求項3之LDO，其中當確證該旁路信號時該LDO進入一旁路模式。
  5. 如請求項4之LDO，其中，回應於正確證之該旁路信號，該下拉電晶體將該OTA之該負輸入下拉至接地。
  6. 如請求項1之LDO，其中當該供應電壓在大約3.3V或5.0V下時撤銷確證該旁路信號。
  7. 如請求項6之LDO，其中當撤銷確證該旁路信號時該LDO進入一調節模式。
  8. 如請求項7之LDO，其中，回應於正撤銷確證之該旁路信號，閉合該回饋開關以使得該傳輸電晶體輸出在大約1.8V下之一經調節電壓。
  9. 如請求項1之LDO，其中該供應電壓在大約5V至1.8V範圍內。
  10. 如請求項1之LDO，其中該回饋開關包含一第一p型電晶體，該下拉電晶體為一n型電晶體，且該傳輸電晶體為一第二p型電晶體。
  11. 一種操作一低壓差調節器(LDO)之方法，其包含： 回應於正確證之一旁路信號， 關斷一回饋節點與一輸出電阻器之間的一回饋開關，且 將該回饋節點下拉至接地以斷開該LDO之一回饋迴路；及 回應於正撤銷確證之一旁路信號， 接通該回饋開關以閉合該回饋迴路以使得該LDO在該LDO之一輸出節點處產生一經調節輸出電壓。
  12. 如請求項11之方法，其中當斷開該回饋迴路時該LDO在旁路模式中操作。
  13. 如請求項11之方法，其中當閉合該回饋迴路時該LDO在一經調節模式中操作。
  14. 如請求項11之方法，其進一步包含： 向該LDO提供一供應電壓，其中當該供應電壓在約1.8V下時確證該旁路信號，且當該供應電壓在約3.3V或約5V下時撤銷確證該旁路信號。
  15. 如請求項13之方法，其進一步包含： 當使該LDO通電時藉由預設來撤銷確證該旁路信號。
  16. 如請求項13之方法，其進一步包含： 接通一供應電壓節點與該LDO之該輸出節點之間的一傳輸電晶體以輸出該供應電壓作為該輸出電壓。
  17. 一種低壓差調節器(LDO)，其包含： 構件，其用於回應於一旁路信號之確證而斷開該LDO內之一回饋迴路；及 構件，其用於旁路調節該LDO且在該LDO之一輸出節點處向該LDO輸出一供應電壓。
  18. 如請求項17之LDO，其進一步包含： 構件，其用於回應於該旁路信號之撤銷確證而閉合該LDO內之該回饋迴路；及 構件，其用於調節該供應電壓以在該LDO之該輸出節點處產生低於該供應電壓的一預定電壓。
  19. 如請求項18之LDO，其中當斷開該回饋迴路時該LDO在一旁路模式中操作。
  20. 如請求項18之LDO，其中當閉合該回饋迴路時該LDO在一經調節模式中操作。
  21. 如請求項20之LDO，其中當該LDO通電時該LDO藉由預設在該經調節模式中操作。
  22. 如請求項18之LDO，其中當該供應電壓在約1.8V下時確證該旁路信號，且當該供應電壓在約3.3V或約5V下時撤銷確證該旁路信號。
  23. 如請求項22之LDO，其中該預定電壓在約1.8V下。
TW108132427A 2018-09-20 2019-09-09 低壓差調節器(ldo) TWI720609B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/136,305 US10444780B1 (en) 2018-09-20 2018-09-20 Regulation/bypass automation for LDO with multiple supply voltages
US16/136,305 2018-09-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202025610A true TW202025610A (zh) 2020-07-01
TWI720609B TWI720609B (zh) 2021-03-01

Family

ID=67809689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108132427A TWI720609B (zh) 2018-09-20 2019-09-09 低壓差調節器(ldo)

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10444780B1 (zh)
EP (1) EP3853685A1 (zh)
CN (1) CN112714897B (zh)
TW (1) TWI720609B (zh)
WO (1) WO2020060701A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11409311B2 (en) 2020-11-30 2022-08-09 Richwave Technology Corp. Voltage regulator has a characteristic of fast activation

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10591938B1 (en) 2018-10-16 2020-03-17 Qualcomm Incorporated PMOS-output LDO with full spectrum PSR
US10545523B1 (en) 2018-10-25 2020-01-28 Qualcomm Incorporated Adaptive gate-biased field effect transistor for low-dropout regulator
US11372436B2 (en) 2019-10-14 2022-06-28 Qualcomm Incorporated Simultaneous low quiescent current and high performance LDO using single input stage and multiple output stages
EP3812872B1 (en) * 2019-10-25 2023-06-14 Nxp B.V. A system comprising a low drop-out regulator
US11112813B2 (en) * 2019-11-28 2021-09-07 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Distributed low-dropout voltage regulator (LDO) with uniform power delivery
US11169554B2 (en) * 2020-03-24 2021-11-09 Cirrus Logic, Inc. Voltage regulator circuitry
GB2601331B (en) * 2020-11-26 2023-02-15 Agile Analog Ltd Low dropout regulator

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5631598A (en) 1995-06-07 1997-05-20 Analog Devices, Inc. Frequency compensation for a low drop-out regulator
JP3394133B2 (ja) 1996-06-12 2003-04-07 沖電気工業株式会社 昇圧回路
US6046577A (en) 1997-01-02 2000-04-04 Texas Instruments Incorporated Low-dropout voltage regulator incorporating a current efficient transient response boost circuit
US6147550A (en) 1998-01-23 2000-11-14 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for reliably determining subthreshold current densities in transconducting cells
US6188211B1 (en) 1998-05-13 2001-02-13 Texas Instruments Incorporated Current-efficient low-drop-out voltage regulator with improved load regulation and frequency response
US6259238B1 (en) * 1999-12-23 2001-07-10 Texas Instruments Incorporated Brokaw transconductance operational transconductance amplifier-based micropower low drop out voltage regulator having counterphase compensation
US6188212B1 (en) 2000-04-28 2001-02-13 Burr-Brown Corporation Low dropout voltage regulator circuit including gate offset servo circuit powered by charge pump
US6359427B1 (en) 2000-08-04 2002-03-19 Maxim Integrated Products, Inc. Linear regulators with low dropout and high line regulation
US6522111B2 (en) 2001-01-26 2003-02-18 Linfinity Microelectronics Linear voltage regulator using adaptive biasing
DE10119858A1 (de) 2001-04-24 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Spannungsregler
US6586917B1 (en) 2001-10-19 2003-07-01 National Semiconductor Corporation Battery charger shunt regulator with dual feedback control
US6791390B2 (en) 2002-05-28 2004-09-14 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Method of forming a voltage regulator semiconductor device having feedback and structure therefor
US6617832B1 (en) 2002-06-03 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Low ripple scalable DC-to-DC converter circuit
ATE386969T1 (de) 2002-07-05 2008-03-15 Dialog Semiconductor Gmbh Regelungseinrichtung mit kleiner verlustspannung, mit grossem lastbereich und schneller innerer regelschleife
US6690144B1 (en) 2002-08-09 2004-02-10 Motorola, Inc. Open loop inductor current control system and method
EP1439444A1 (en) 2003-01-16 2004-07-21 Dialog Semiconductor GmbH Low drop out voltage regulator having a cascode structure
TWI233543B (en) * 2003-10-01 2005-06-01 Mediatek Inc Fast-disabled voltage regulator circuit with low-noise feedback loop
CN100367142C (zh) * 2003-10-21 2008-02-06 联发科技股份有限公司 可快速终止工作的低噪声稳压电路
US6975099B2 (en) 2004-02-27 2005-12-13 Texas Instruments Incorporated Efficient frequency compensation for linear voltage regulators
US7135912B2 (en) 2004-03-22 2006-11-14 Texas Instruments Incorporated Methods and systems for decoupling the stabilization of two loops
US7095257B2 (en) 2004-05-07 2006-08-22 Sige Semiconductor (U.S.), Corp. Fast low drop out (LDO) PFET regulator circuit
JP4463635B2 (ja) 2004-07-20 2010-05-19 株式会社リコー スイッチングレギュレータ、スイッチングレギュレータを使用した電源回路及びスイッチングレギュレータを使用した二次電池の充電回路
US7148670B2 (en) 2005-01-18 2006-12-12 Micrel, Inc. Dual mode buck regulator with improved transition between LDO and PWM operation
US7218082B2 (en) 2005-01-21 2007-05-15 Linear Technology Corporation Compensation technique providing stability over broad range of output capacitor values
US7327125B2 (en) 2005-02-17 2008-02-05 Qualcomm Incorporated Power supply circuit having voltage control loop and current control loop
JP4546320B2 (ja) 2005-04-19 2010-09-15 株式会社リコー 定電圧電源回路及び定電圧電源回路の制御方法
JP2006318327A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 差動増幅回路およびシリーズレギュレータ
TWI307002B (en) 2005-12-15 2009-03-01 Realtek Semiconductor Corp Bandgap voltage generating circuit and relevant device using the same
JP4804975B2 (ja) 2006-03-22 2011-11-02 エルピーダメモリ株式会社 基準電位発生回路及びそれを備えた半導体記憶装置
US7504814B2 (en) 2006-09-18 2009-03-17 Analog Integrations Corporation Current generating apparatus and feedback-controlled system utilizing the current generating apparatus
US8294441B2 (en) 2006-11-13 2012-10-23 Decicon, Inc. Fast low dropout voltage regulator circuit
TWI325676B (en) 2007-03-03 2010-06-01 Richtek Technology Corp Method and circuit for reducing switching ringing in switching regulator
US7598716B2 (en) 2007-06-07 2009-10-06 Freescale Semiconductor, Inc. Low pass filter low drop-out voltage regulator
EP2165407B1 (en) 2007-07-06 2020-07-29 Advanced Analogic Technologies Incorporated Boost and up-down switching regulator with synchronous freewheeling mosfet
CN101398694A (zh) * 2007-09-30 2009-04-01 Nxp股份有限公司 具有快速过电压响应的无电容低压差稳压器
CN101419477B (zh) 2007-10-22 2013-04-03 三星电子株式会社 提供多输出电压的可控低压差线性稳压电路
US7633280B2 (en) * 2008-01-11 2009-12-15 Texas Instruments Incorporated Low drop voltage regulator with instant load regulation and method
US8072196B1 (en) * 2008-01-15 2011-12-06 National Semiconductor Corporation System and method for providing a dynamically configured low drop out regulator with zero quiescent current and fast transient response
US7777475B2 (en) 2008-01-29 2010-08-17 International Business Machines Corporation Power supply insensitive PTAT voltage generator
US7548051B1 (en) 2008-02-21 2009-06-16 Mediatek Inc. Low drop out voltage regulator
US7893677B2 (en) 2008-03-28 2011-02-22 Monolithic Power Systems, Inc. Method and apparatus for synchronous boost voltage regulators with active negative current modulation
TWI397793B (zh) * 2008-04-11 2013-06-01 System General Corp 低壓降穩壓器
US7768351B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Texas Instruments Incorporated Variable gain current input amplifier and method
TWI357204B (en) * 2008-09-25 2012-01-21 Advanced Analog Technology Inc A low drop out regulator with over-current protect
TW201013355A (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Advanced Analog Technology Inc Low drop out regulator with fast current limit
US7710090B1 (en) 2009-02-17 2010-05-04 Freescale Semiconductor, Inc. Series regulator with fold-back over current protection circuit
US7893670B2 (en) 2009-02-20 2011-02-22 Standard Microsystems Corporation Frequency compensation scheme for stabilizing the LDO using external NPN in HV domain
KR20100138146A (ko) 2009-06-24 2010-12-31 삼성전자주식회사 고효율의 차지 펌프
CN102597900A (zh) 2009-07-16 2012-07-18 意法爱立信有限公司 低压降调节器
DE102009041217B4 (de) 2009-09-11 2021-11-11 Austriamicrosystems Ag Spannungswandler und Verfahren zur Spannungswandlung
US8598854B2 (en) 2009-10-20 2013-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LDO regulators for integrated applications
US8248150B2 (en) 2009-12-29 2012-08-21 Texas Instruments Incorporated Passive bootstrapped charge pump for NMOS power device based regulators
EP2405318A1 (en) * 2010-07-06 2012-01-11 ST-Ericsson SA Power-supply circuit
US9954436B2 (en) * 2010-09-29 2018-04-24 Qorvo Us, Inc. Single μC-buckboost converter with multiple regulated supply outputs
US8841893B2 (en) 2010-12-16 2014-09-23 International Business Machines Corporation Dual-loop voltage regulator architecture with high DC accuracy and fast response time
US20120187897A1 (en) 2011-01-24 2012-07-26 Intersil Americas Inc. Battery charger for use with low voltage energy harvesting device
CN102857097B (zh) 2011-06-30 2019-05-17 意法半导体研发(深圳)有限公司 高效率升压转换器
US8624568B2 (en) * 2011-09-30 2014-01-07 Texas Instruments Incorporated Low noise voltage regulator and method with fast settling and low-power consumption
US8810224B2 (en) 2011-10-21 2014-08-19 Qualcomm Incorporated System and method to regulate voltage
US8716993B2 (en) * 2011-11-08 2014-05-06 Semiconductor Components Industries, Llc Low dropout voltage regulator including a bias control circuit
US20130221940A1 (en) 2012-02-24 2013-08-29 Shouli Yan Linear regulator
US9588530B2 (en) 2012-07-06 2017-03-07 Nxp Usa, Inc. Voltage regulator circuit and method therefor
JP5898589B2 (ja) 2012-08-10 2016-04-06 株式会社東芝 Ｄｃ−ｄｃコンバータの制御回路およびｄｃ−ｄｃコンバータ
US9213382B2 (en) 2012-09-12 2015-12-15 Intel Corporation Linear voltage regulator based on-die grid
US8981739B2 (en) 2012-09-26 2015-03-17 Nxp B.V. Low power low dropout linear voltage regulator
US10013003B2 (en) 2012-11-16 2018-07-03 Linear Technology Corporation Feed forward current mode switching regulator with improved transient response
US9274534B2 (en) 2012-12-21 2016-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Feed-forward compensation for low-dropout voltage regulator
US10698432B2 (en) 2013-03-13 2020-06-30 Intel Corporation Dual loop digital low drop regulator and current sharing control apparatus for distributable voltage regulators
US20140266103A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Qualcomm Incorporated Digitally assisted regulation for an integrated capless low-dropout (ldo) voltage regulator
TWI494735B (zh) 2013-04-15 2015-08-01 Novatek Microelectronics Corp 補償模組及電壓調整器
US9223329B2 (en) 2013-04-18 2015-12-29 Stmicroelectronics S.R.L. Low drop out voltage regulator with operational transconductance amplifier and related method of generating a regulated voltage
WO2014177901A1 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Freescale Semiconductor, Inc. A low drop-out voltage regulator and a method of providing a regulated voltage
US9543826B2 (en) 2013-06-21 2017-01-10 Anpec Electronics Corporation Audible noise avoiding circuit and DC-DC boost converter having the same
TWI496400B (zh) 2013-07-29 2015-08-11 Anpec Electronics Corp 電壓轉換電路與使用其的電子系統
EP2849020B1 (en) * 2013-09-13 2019-01-23 Dialog Semiconductor GmbH A dual mode low dropout voltage regulator
US10958176B2 (en) 2013-10-14 2021-03-23 Texas Instruments Incorporated Systems and methods of CCM primary-side regulation
US9408258B2 (en) 2013-10-24 2016-08-02 Osram Sylvania Inc. Power line communication for lighting systems
US9535439B2 (en) 2013-11-08 2017-01-03 Texas Instruments Incorporated LDO current limit control with sense and control transistors
US9239584B2 (en) 2013-11-19 2016-01-19 Tower Semiconductor Ltd. Self-adjustable current source control circuit for linear regulators
US9639133B2 (en) 2013-12-16 2017-05-02 Intel Corporation Accurate power-on detector
KR20150075803A (ko) * 2013-12-26 2015-07-06 삼성전기주식회사 바이패스 모드를 갖는 전압 레귤레이터
US9645591B2 (en) 2014-01-09 2017-05-09 Qualcomm Incorporated Charge sharing linear voltage regulator
US9753474B2 (en) 2014-01-14 2017-09-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Low-power low-dropout voltage regulators with high power supply rejection and fast settling performance
US9312824B2 (en) 2014-01-14 2016-04-12 Intel Deutschland Gmbh Low noise low-dropout regulator
US9383618B2 (en) * 2014-02-05 2016-07-05 Intersil Americas LLC Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators
US11095216B2 (en) 2014-05-30 2021-08-17 Qualcomm Incorporated On-chip dual-supply multi-mode CMOS regulators
US9454168B2 (en) * 2014-06-16 2016-09-27 Linear Technology Corporation LDO regulator powered by its regulated output voltage for high PSRR
CN105446404B (zh) * 2014-08-19 2017-08-08 无锡华润上华半导体有限公司 低压差线性稳压器电路、芯片和电子设备
US9983607B2 (en) 2014-11-04 2018-05-29 Microchip Technology Incorporated Capacitor-less low drop-out (LDO) regulator
ITUB20151005A1 (it) 2015-05-27 2016-11-27 St Microelectronics Srl Regolatore di tensione con migliorate caratteristiche elettriche e corrispondente metodo di controllo
US9753472B2 (en) * 2015-08-14 2017-09-05 Qualcomm Incorporated LDO life extension circuitry
US20170052552A1 (en) 2015-08-21 2017-02-23 Qualcomm Incorporated Single ldo for multiple voltage domains
JP2017085725A (ja) 2015-10-26 2017-05-18 ローム株式会社 降圧ｄｃ／ｄｃコンバータおよびその制御回路、車載用電源装置
US9588541B1 (en) 2015-10-30 2017-03-07 Qualcomm Incorporated Dual loop regulator circuit
CN106959721B (zh) * 2016-01-11 2018-07-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 低压差线性稳压器
DE102016200390B4 (de) 2016-01-14 2018-04-12 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Spannungsregler mit Bypass-Modus und entsprechendes Verfahren
US10126766B2 (en) 2016-01-26 2018-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Low dropout voltage (LDO) regulator including a dual loop circuit and an application processor and a user device including the same
US9684325B1 (en) 2016-01-28 2017-06-20 Qualcomm Incorporated Low dropout voltage regulator with improved power supply rejection
JP2017134743A (ja) 2016-01-29 2017-08-03 株式会社東芝 レギュレータ回路
US9740225B1 (en) 2016-02-24 2017-08-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Low dropout regulator with replica feedback frequency compensation
US9778672B1 (en) 2016-03-31 2017-10-03 Qualcomm Incorporated Gate boosted low drop regulator
US9886048B2 (en) 2016-05-04 2018-02-06 Qualcomm Incorporated Headroom control in regulator systems
US10175706B2 (en) 2016-06-17 2019-01-08 Qualcomm Incorporated Compensated low dropout with high power supply rejection ratio and short circuit protection
US10078342B2 (en) 2016-06-24 2018-09-18 International Business Machines Corporation Low dropout voltage regulator with variable load compensation
US9946283B1 (en) 2016-10-18 2018-04-17 Qualcomm Incorporated Fast transient response low-dropout (LDO) regulator
DE102017201705B4 (de) 2017-02-02 2019-03-14 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Spannungsregler mit Ausgangskondensatormessung
US10013005B1 (en) 2017-08-31 2018-07-03 Xilinx, Inc. Low voltage regulator
US10338620B2 (en) 2017-11-15 2019-07-02 Infineon Technologies Ag Feedback circuit for regulation loops
CN108445950B (zh) 2018-04-20 2020-08-14 华中科技大学 一种多输出ldo电路以及基于ldo的多电压输出方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11409311B2 (en) 2020-11-30 2022-08-09 Richwave Technology Corp. Voltage regulator has a characteristic of fast activation
TWI787681B (zh) * 2020-11-30 2022-12-21 立積電子股份有限公司 電壓調節器

Also Published As

Publication number Publication date
US10444780B1 (en) 2019-10-15
CN112714897A (zh) 2021-04-27
EP3853685A1 (en) 2021-07-28
WO2020060701A1 (en) 2020-03-26
CN112714897B (zh) 2022-08-30
TWI720609B (zh) 2021-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI720609B (zh) 低壓差調節器(ldo)
US8575903B2 (en) Voltage regulator that can operate with or without an external power transistor
EP2952996B1 (en) A current sink stage for LDO
US10281943B1 (en) Low dropout regulator with a controlled startup
US20190235551A1 (en) Low Drop out Regulator Compatible with Type C USB Standard
US11177729B2 (en) Adaptive and efficient standby power supply scheme for next generation low power automotive systems
US7821242B2 (en) Constant voltage circuit and method of controlling ouput voltage of constant voltage circuit
US9817426B2 (en) Low quiescent current voltage regulator with high load-current capability
US6828834B2 (en) Power-on management for voltage down-converter
US20150077076A1 (en) Dual Mode Low Dropout Voltage Regulator
US10691189B2 (en) Line-voltage detection method, power controller and power supply with brown-out protection and brown-in mechanism
US11435768B2 (en) N-channel input pair voltage regulator with soft start and current limitation circuitry
US9601987B2 (en) Power supply apparatus
CN114424139B (zh) 用于ldo的前置稳压器
JP6297758B1 (ja) 自己検出型逆電流保護スイッチ
US6310497B1 (en) Power supply loss detector method and apparatus
TWI751883B (zh) 電源箝制電路
US20230308004A1 (en) Current regulator system
US6097225A (en) Mixed signal circuit with analog circuits producing valid reference signals
US6919758B1 (en) Controller for FET pass device
CN116225115A (zh) 欠压保护电路
JP2022172851A (ja) スイッチング電源回路