TW202018033A - 切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於製造兼具較高強度與較高熱收縮性之切割膜之切割膜基材用樹脂組成物。本發明提供一種切割膜基材用樹脂組成物、以及使用該樹脂組成物之切割膜用基材及切割膜，該切割膜基材用樹脂組成物含有：乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)30質量份以上且90質量份以下、及乙烯系共聚合體(B)10質量份以上且70質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)，且JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點未滿50℃。

Description

切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜
本發明係關於一種切割膜基材用樹脂組成物、以及使用其之切割膜基材及切割膜。
於積體電路(IC，Integrated Circuit)等半導體裝置之製造過程中，一般而言，將形成有電路圖案之半導體晶圓薄膜化後，進行用於將半導體晶圓分割成晶片單元之切割步驟。於切割步驟中，將具有伸縮性之晶圓加工用膜(稱為切割膜或切割帶)貼合於半導體晶圓之背面後，藉由切割刀或雷射光等將半導體晶圓分割成晶片單元。然後，於下一擴張步驟(亦稱為延伸步驟)中，藉由使與切斷之晶圓對應之切割帶擴張，而小片化為晶片。
於延伸步驟中，例如藉由將設置於切割膜之下之擴張台頂起而使切割膜擴張(延伸)。此時，為了分割晶片，重要的是於擴張台之整個面上切割膜均勻地擴張。又，由於在擴張台之周緣部施加於切割膜之應力大於擴張台之中心部，故而擴張步驟後之切割膜中之與擴張台周緣部對應之部分產生鬆弛。此種鬆弛會使分割之晶片之間隔變得不均勻，進而可能成為後續步驟中之製品不良之原因。
作為消除切割膜之鬆弛之手段，已知有熱收縮步驟，即，藉由對膜之鬆弛部分吹送實際溫度約80~100℃之熱風進行加 熱而使之收縮，恢復成原先之狀態(例如，參照專利文獻1)。為了實施該步驟，切割膜需要於80℃左右之溫度下具有較高之熱收縮性。
又，近年來備受矚目之切割方法有隱形切割(註冊商標)法。於該方法中，藉由雷射光於晶圓之內部而非表面形成龜裂，於在低溫(約-15℃~0℃)下實施之下一擴張步驟中，利用切割膜之應力分割晶圓。藉此，可抑制切割步驟中之半導體製品之損耗，從而提高產率。作為此處所使用之切割膜，要求兼具能夠耐受晶圓之分割所需之應力的強度、及用以於熱收縮步驟中消除於晶圓分割時可能產生之鬆弛的熱收縮性。
作為切割膜所使用之切割膜用基材，已知有：含有使具有羧基之化合物藉由陽離子交聯所得之離子聚合物、及含辛烯之共聚合體的切割膜基材(專利文獻2)；具有包含JIS K7206所規定之菲卡軟化點為80℃以上之熱塑性樹脂之最下層、及包含JIS K7206所規定之菲卡軟化點為50℃以上且未滿80℃之熱塑性樹脂之其他層的切割膜基材(專利文獻3)；及包含JIS K7206所規定之菲卡軟化點為50℃以上且未滿90℃之熱塑性樹脂的切割膜基材(專利文獻4)。
又，於專利文獻5中揭示有一種切割膜，其作為適於進行隱形切割(註冊商標)之擴張性優異之切割膜，於-10℃下之初始彈性模數為200MPa以上且380MPa以下，Tan δ(損失彈性模數/儲存彈性模數)為0.080以上且0.3以下。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平9-007976公報
[專利文獻2]日本專利特開2000-345129號公報
[專利文獻3]日本專利特開2009-231700號公報
[專利文獻4]日本專利特開2011-216508號公報
[專利文獻5]日本專利特開2015-185591號公報
於專利文獻1中，作為能夠藉由熱收縮步驟去除鬆弛之切割膜，例如記載有具有包含熔點為71℃之離子聚合物(使丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等聚合而成之三元聚合體之離子聚合物)與乙烯-乙酸乙烯酯共聚合體之摻合物所形成層之切割膜。但，對於切割膜之擴張性或強度等切割膜所需之基本性能無任何記載。
於專利文獻2中，作為切割膜用基材之具體例，記載有含有乙烯/甲基丙烯酸/丙烯酸酯之三元共聚合體等離子聚合物、及含辛烯之共聚合體之切割膜用基材。但，無關於切割膜之熱收縮性之記載。
根據本發明者等人之研究，認為具有包含菲卡軟化點為80℃以上之熱塑性樹脂之層的專利文獻3之切割膜基材、或包含菲卡軟化點為50℃以上且未滿90℃之熱塑性樹脂的專利文獻4之切割膜基材於80℃下之熱收縮性較低，難以藉由熱收縮步驟使鬆弛恢復成原先之狀態。
又，於專利文獻5中記載有具有包含乙烯-α-烯烴共聚合體、或乙烯-α-烯烴共聚合體之離子聚合物之基材的切割膜。 但，並無關於如下切割膜用基材之記載，該切割膜用基材含有包含乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯等三元以上之多元共聚合體之離子聚合物或三元以上之多元共聚合體與乙烯系共聚合體之樹脂組成物。
本發明係鑒於上述習知技術所存在之問題點而完成者，其課題在於提供一種用於製造兼具較高強度與較高熱收縮性之切割膜之切割膜基材用樹脂組成物。進而，本發明之課題在於提供一種使用本發明之切割膜基材用樹脂組成物之切割膜基材及切割膜。
即，根據本發明，提供以下所示之切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜。
[1]一種切割膜基材用樹脂組成物，其含有：乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)30質量份以上且90質量份以下、及乙烯系共聚合體(B)10質量份以上且70質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)，且JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點未滿50℃。
[2]如[1]記載之切割膜基材用樹脂組成物，其中上述乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)之JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點為25℃以上且60℃以下。
[3]如[1]或[2]記載之切割膜基材用樹脂組成物，其中上述乙烯系共聚合體(B)係JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點為50℃以下之樹脂、或不具有上述菲卡軟化點之樹脂。
[4]如[1]至[3]中任一項記載之切割膜基材用樹脂組成物，其中 上述乙烯系共聚合體(B)係自乙烯-α-烯烴共聚合體及乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體所組成之群組選擇之至少一種。
[5]如[1]至[4]中任一項記載之切割膜基材用樹脂組成物，其中藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下所測定之上述乙烯系共聚合體(B)之熔融流動速率(MFR)為0.2g/10分鐘~30.0g/10分鐘。
[6]如[1]至[5]中任一項記載之切割膜基材用樹脂組成物，其中藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下所測定之上述切割膜基材用樹脂組成物之熔融流動速率(MFR)為0.1g/10分鐘~50g/10分鐘。
[7]一種切割膜基材，其含有至少一層包含如[1]至[6]中任一項記載之切割膜基材用樹脂組成物之層。
[8]如[7]記載之切割膜基材，其含有：包含如[1]至[6]中任一項記載之切割膜基材用樹脂組成物之第1樹脂層、及積層於上述第1樹脂層之包含樹脂(C)之第2樹脂層。
[9]如[8]記載之切割膜基材，其中上述樹脂(C)係自乙烯-不飽和羧酸系共聚合體及上述乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之離子聚合物所組成之群組選擇之至少1種。
[10]一種切割膜，其特徵在於具有：如[7]至[9]中任一項記載之切割膜基材、及積層於上述切割膜基材之至少一面之黏著層。
本發明提供一種用於製造兼具較高強度與較高熱收縮性之切割膜之切割膜基材用樹脂組成物、以及使用其之切割膜基材及切割膜。
1‧‧‧第1樹脂層
2‧‧‧第2樹脂層
10‧‧‧切割膜基材
11‧‧‧黏著層
20‧‧‧切割膜
圖1A係表示本發明之切割膜基材之一實施形態之剖面圖。
圖1B係表示本發明之切割膜基材之一實施形態之剖面圖。
圖2A係表示本發明之切割膜之一實施形態之剖面圖。
圖2B係表示本發明之切割膜之一實施形態之剖面圖。
以下，對於本發明之切割膜基材用樹脂組成物詳細地進行說明，且亦對切割膜基材及切割膜進行詳細描述。
再者，於本說明書中，表示數值範圍之「~」之記法係包括數值範圍之下限值與上限值之值之含義。
又，「(甲基)丙烯酸」係包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」雙方所使用之記法，「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」雙方所使用之記法。
於半導體晶圓之製造過程中，切割膜需要於80℃附近之溫度下具有較高之熱收縮性，以利用膜之熱收縮來消除擴張(延伸)步驟後之切割膜之鬆弛(恢復成原先之狀態)。於本發明中，藉由使用如下樹脂組成物製造切割膜基材，可製造兼具較高強度與較高熱收縮性之切割膜，該樹脂組成物包含乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)30質量份以上且90質量份以下、及乙烯系共聚合體(B)10質量份以上且70質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)。其機制雖不明確，但可如下所示般考慮。
已知藉由對聚烯烴系樹脂調配乙烯系共聚合體而提 高其熱收縮性。但，若使用包含聚烯烴系樹脂與乙烯系共聚合體之樹脂組成物製造膜，則該膜之強度及擴張性作為切割膜並不充分。另一方面，於本發明中，藉由使用乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物及乙烯系共聚合體製造菲卡軟化點未滿50℃之樹脂組成物，可獲得於不使源於離子聚合物之離子交聯結構之膜強度或擴張性(分割性)大幅度降低之情況下提高了熱收縮性之切割膜。
本發明之切割膜可較佳地用於不僅實施將半導體晶圓分割成晶片單元之切割步驟與擴張步驟、且實施熱收縮步驟之半導體元件之製造方法。特別是本發明之切割膜由於兼具較高強度與較高熱收縮性，故而可較佳地用於採用在擴張步驟中對切割膜施加比習知法(刀片切割法或雷射剝蝕法等)大之應力之隱形切割(註冊商標)法之製造方法。藉由使用本發明之切割膜，能夠使分割後之晶片之間隔變得均勻，減少其後之步驟中之製品不良，從而可以較高之產率製造半導體裝置。
以下，列舉作為例示之實施形態進行本發明之說明，但本發明並不限定於以下之實施形態。
1.切割膜基材用樹脂組成物
本發明之第1樣態係切割膜基材用樹脂組成物。切割膜基材用樹脂組成物含有：乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)30質量份以上且90質量份以下、及乙烯系共聚合體(B)10質量份以上且70質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)。
1-1.樹脂(A)
作為樹脂(A)所使用之乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(以下，亦簡稱為「離子聚合物(A)」)係乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之羧基之一部分或全部經金屬(離子)中和所得者。於本發明中，將共聚合體之酸基之至少一部分經金屬(離子)中和者稱為「離子聚合物」，將共聚合體之酸基未經金屬(離子)中和者稱為「共聚合體」。
構成上述離子聚合物(A)之乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體係使乙烯與不飽和羧酸與不飽和羧酸酯共聚而成之至少三元之共聚合體，亦可為進而與第4共聚合成分共聚而成之四元以上之多元共聚合體。再者，可單獨使用一種乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體，亦可併用兩種以上之乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體。
作為構成乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之不飽和羧酸，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、伊康酸、伊康酸酐、反丁烯二酸、丁烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等碳數4~8之不飽和羧酸等。特佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
作為構成乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之不飽和羧酸酯，較佳為不飽和羧酸烷基酯。烷基酯之烷基部位之碳數較佳為1~12，更佳為1~8，進而較佳為1~4。作為烷基部位之例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、2-乙基己基、異辛基等。作為不飽和羧酸烷基酯之具體例，可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、 丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯。
當乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體為四元以上之多元共聚合體時，亦可包含形成多元共聚合體之單體(第4共聚合成分)。作為第4共聚合成分，可列舉：不飽和烴(例如，丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、乙烯基硫酸或乙烯基硝酸等之氧化物、鹵素化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基之一級/二級胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等。
共聚合體之形態可為嵌段共聚合體、無規共聚合體、接枝共聚合體中之任意者，亦可為三元共聚合體、四元以上之多元共聚合體中之任意者。其中，就可工業獲取之方面而言，較佳為三元無規共聚合體、或三元無規共聚合體之接枝共聚合體，更佳為三元無規共聚合體。
作為乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之具體例，可列舉：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸丁酯共聚合體等三元共聚合體。
將構成乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之構成單位之總量設為100質量%時，乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體中之來自不飽和羧酸之構成單位之含有比率較佳為4質量%以上且20質量%以下，更佳為5質量%以上且15質量%以下。將構成乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之構成單位之總量設為100質量%時，乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體中之來 自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率較佳為1質量%以上且20質量%以下，更佳為5質量%以上且18質量%以下，特佳為5質量%以上且17質量%以下。就膜之擴張性之觀點而言，來自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率較佳為1質量%以上，較佳為5質量%以上。又，就防止黏連及融合之觀點而言，來自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率較佳為20質量%以下，更佳為18質量%以下，特佳為17質量%以下。
於本發明中，作為樹脂(A)所使用之離子聚合物(A)較佳為上述乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體中所含之羧基經金屬離子以任意比例交聯(中和)所得者。作為酸基之中和所使用之金屬離子，可列舉：鋰離子、鈉離子、鉀離子、銣離子、銫離子、鋅離子、鎂離子、錳離子等金屬離子。該等金屬離子之中，就工業化製品之易獲取性而言，較佳為鎂離子、鈉離子及鋅離子，更佳為鈉離子及鋅離子，特佳為鋅離子。
金屬離子可單獨使用一種，或亦可併用兩種以上。
離子聚合物(A)中之乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之中和度(以下，亦稱為「離子聚合物(A)之中和度」)無特別限定，較佳為10%~100%，更佳為30%~100%。若中和度為上述範圍內，則使膜強度或分割性提高，故而較佳。
再者，離子聚合物(A)之中和度係經金屬離子中和之羧基相對於乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體中所含之全部羧基之莫耳數之比例(莫耳%)。
作為乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)，可使用上市之市售品。作為市售品，例如可列舉： Dow-Mitsui Polychemicals股份有限公司製造之Himilan(註冊商標)系列等。
乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯之離子聚合物(A)之熔融流動速率(MFR)較佳為0.2g/10分鐘~20.0g/10分鐘之範圍，更佳為0.5g/10分鐘~20.0g/10分鐘，進而較佳為0.5g/10分鐘~18.0g/10分鐘。若熔融流動速率為上述範圍內，則於成形膜時有利。
再者，MFR係藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下進行測定所得之值。
進而，乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯之離子聚合物(A)之菲卡軟化點較佳為25℃以上且60℃以下，更佳為35℃以上且60℃以下。若離子聚合物(A)之菲卡軟化點為上述範圍內，則容易將樹脂組成物之菲卡軟化點調整為未滿50℃。
再者，菲卡軟化點係依據JIS K7206-1999所規定之A50法進行測定所得之值。
本發明之切割膜基材用樹脂組成物中之樹脂(A)之含量相對於樹脂(A)及下述樹脂(B)之合計100質量份，為30質量份以上且90質量份以下，較佳為40質量份以上且90質量份以下，更佳為50質量份以上且70質量份以下。若樹脂(A)之含量為30質量份以上，則可獲得作為切割膜之充分之強度，若為90質量份以下，則可提高熱收縮率。
1-2.樹脂(B)
作為樹脂(B)所使用之乙烯系共聚合體(B)(以下，亦簡稱為「共聚合體(B)」)係乙烯與其他單體之共聚合體，其種類無特別限定。 但，重要的是，與上述離子聚合物(A)一起製備樹脂組成物時，將如使該組成物之菲卡軟化點未滿50℃之離子聚合物(A)與共聚合體(B)加以組合。就此種觀點而言，共聚合體(B)較佳為菲卡軟化點為50℃以下之樹脂、或不具有菲卡軟化點之樹脂。又，於共聚合體(B)具有菲卡軟化點之情形時，就加工性之觀點而言，較佳為菲卡軟化點為25℃以上。
再者，菲卡軟化點係依據JIS K7206-1999所規定之A50法進行測定所得之值。
作為本發明中所使用之乙烯系共聚合體(B)之一例，可列舉：乙烯-α-烯烴共聚合體、乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體、乙烯-乙烯酯共聚合體等，較佳為乙烯-a烯烴共聚合體、及乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體。
乙烯-α-烯烴共聚合體係乙烯與α-烯烴之共聚合體。該共聚合體中可僅包含1種α-烯烴，亦可包含2種以上。α-烯烴之具體例包括：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3,3-二甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。其中，就易獲取性而言，較佳為丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、及1-辛烯。再者，乙烯-α-烯烴共聚合體可為無規共聚合體，亦可為嵌段共聚合體，較佳為無規共聚合體。
乙烯-α-烯烴共聚合體中所含之來自乙烯之構成單位之含有比例無特別限定，較佳為超過50mol%且95mol%以下，更佳為70mol%以上且94mol%以下。乙烯-α-烯烴共聚合體中所含之來自α-烯烴之構成單位(以下，亦記為「α-烯烴單元」)之比例較佳為5mol%以上且未滿50mol%，更佳為6mol%以上且30mol%以 下。此種乙烯-α-烯烴共聚合體對於確保收縮性有利。
作為乙烯-α-烯烴共聚合體，較佳為密度為895kg/m3以下、特別是860~890kg/m3者。
乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體係乙烯與不飽和羧酸酯之共聚合體。該共聚合體中可僅包含1種不飽和羧酸酯構成單位，亦可包含2種以上。作為構成不飽和羧酸酯構成單元之不飽和羧酸，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、伊康酸、伊康酸酐、反丁烯二酸、丁烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等碳數4~8之不飽和羧酸等。特佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
進而，作為乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體中所含之不飽和羧酸酯構成單位，較佳為不飽和羧酸烷基酯。烷基酯之烷基部位之碳數較佳為1~12，更佳為1~8，進而較佳為1~4。作為烷基部位之例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、2-乙基己基、異辛基等。作為不飽和羧酸烷基酯之具體例，可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯。
將構成乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體之構成單位之總量設為100質量%時，乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體中之來自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率較佳為5質量%以上且40質量%以下，更佳為7質量%以上且40質量%以下，特佳為8質量%以上且40質量%以下。若來自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率為上述上限值以下，則就膜加工性之觀點而言較佳。又，若來自不飽和羧 酸酯之構成單位之含有比率為上述下限值以上，則就收縮性之觀點而言較佳。
乙烯系共聚合體(B)之熔融流動速率(MFR)較佳為0.2g/10分鐘~30.0g/10分鐘之範圍，更佳為0.5g/10分鐘~25.0g/10分鐘。若熔融流動速率為上述範圍內，則於成形樹脂組成物時有利。
再者，MFR係藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下進行測定所得之值。
進而，乙烯系共聚合體(B)之熔點較佳為30℃以上且100℃以下，更佳為30℃以上且80℃以下。
再者，熔點係依據JIS-K7121(1987年)藉由示差掃描熱量計(DSC)進行測定所得之熔解溫度。
切割膜基材用樹脂組成物中之樹脂(B)之含量相對於樹脂(A)及樹脂(B)之合計100質量份，為10質量份以上且未滿70質量份，較佳為10質量份以上且60質量份以下，更佳為20質量份以上且50質量份以下。若樹脂(B)之含量為10質量份以上，則發揮由樹脂(B)產生之熱收縮率提高效果，若未滿70質量份，則切割膜基材之強度變得不充分之擔憂較低。
1-3.其他聚合體及添加劑
亦可於切割膜基材用樹脂組成物中在無損本發明之效果之範圍內視需要添加其他聚合體或各種添加劑。作為其他聚合體之例，可列舉：聚醯胺、聚胺基甲酸酯、二元共聚合體之離子聚合物等。此種其他聚合體相對於樹脂(A)及樹脂(B)之合計100質量份，可以例如20質量份以下之比例進行調配。作為添加劑之一例，可列舉： 抗靜電劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、滑劑、抗黏連劑、抗靜電劑、防黴劑、抗菌劑、難燃劑、難燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、無機填充劑、纖維強化材料等。
1-4.樹脂組成物之物性
本發明之樹脂組成物之JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點未滿50℃，較佳為25℃以上且未滿50℃。若樹脂組成物之菲卡軟化點未滿50℃，則熱收縮率提高，若為25℃以上，則可將樹脂組成物加工成膜狀。
本發明之樹脂組成物於190℃、2160g負載下所測定之熔融流動速率(MFR)較佳為0.1g/10分鐘~50g/10分鐘，更佳為0.5g/10分鐘~20g/10分鐘。
再者，MFR係藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下進行測定所得之值。
樹脂組成物之中和度無特別限定，較佳為10%~85%，進而較佳為15%~82%。若樹脂組成物之中和度為10%以上，則可進一步提高晶片分割性，藉由為85%以下，膜之成形性優異。樹脂組成物之中和度基本上取決於離子聚合物(A)之中和度及其含量，可藉由下述式進行計算。
(樹脂組成物之中和度)=(離子聚合物(A)之中和度)×(樹脂組成物中之離子聚合物(A)之比例)
因此，於離子聚合物(A)之中和度較低之情形時，使其含量略多，或於離子聚合物(A)之中和度較高之情形時，使其含量略少， 藉此可調整樹脂組成物之中和度。
進而，本發明之樹脂組成物於加工成厚度100μm之膜時於80℃下之熱收縮率較佳為6%以上，更佳為7%以上。若於80℃下之熱收縮率為6%以上，則可較佳地用於製造能夠藉由熱收縮步驟消除鬆弛之切割膜。熱收縮率之上限無特別限定，就熱收縮後之後續步驟(拾取步驟)中之不良率降低之觀點而言，較佳為20%以下。
再者，於本案中，於80℃下之熱收縮率係藉由以下方法進行測定所得之值。
將樹脂組成物膜切斷成厚度100μm、寬度方向25mm×長度方向150mm，標記出間隔100mm之標線，而作為試片樣品。將其放置於撒有澱粉之玻璃板之上，於80℃之加熱板上加熱2分鐘，測定膜上之標線於加熱後之間隔，根據以下之式計算收縮率(%)。
收縮率(%)=100mm-收縮後之標線之間隔距離(mm)/100mm×100
1-5.樹脂組成物之製造方法
切割膜基材用樹脂組成物可藉由將樹脂(A)及樹脂(B)、進而視需要之其他聚合體或添加劑等加以混合而獲得。如上所述，由於本發明之樹脂組成物之JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點未滿50℃，故而以樹脂組成物之菲卡軟化點未滿50℃之方式，選擇樹脂(A)、樹脂(B)及根據所需之添加劑之種類或量。
樹脂組成物之製造方法無特別限定，例如可藉由將所有成分乾摻後進行熔融混練而獲得。
2.切割膜基材
本發明之第2樣態係含有至少一層包含上述切割膜基材用樹脂組成物之層之切割膜基材。圖1A及1B係表示本發明之切割膜基材10之一實施形態之剖面圖。圖1A係僅含有包含上述切割膜基材用樹脂組成物之第1樹脂層1之單層切割膜基材，圖1B係由包含上述切割膜基材用樹脂組成物之第1樹脂層1、與包含其他樹脂或樹脂組成物之第2樹脂層2積層所得之多層切割膜基材。
本發明之切割膜基材之強度較佳為25%模數為5MPa以上且15MPa以下之範圍，更佳為6MPa以上且12MPa以下。若25%模數為5MPa以上，則作為切割膜基材之晶片分割性(強度)優異，若為15MPa以下，則擴張性優異。
本發明中之模數係依據JIS K 7127-1999，對於切割膜基材之機械軸方向(MD方向，Machine Direction)及正交方向(TD方向，Transverse Direction)，於試驗速度：500mm/min、試片：寬10mm×長200mm、夾具間隔：100mm之條件下，作為伸長距離25%或50%時之膜強度(25%模數或50%模數)進行測定所得之值。
本發明之切割膜基材於80℃下之熱收縮率較佳為6%以上且20%以下之範圍，更佳為7%以上。若於80℃下之熱收縮率為6%以上，則作為切割膜基材之熱收縮特性(鬆弛之消除)優異，若為20%以下，則熱收縮後之後續步驟(拾取步驟)中之不良率降低優異。
再者，於本案中，於80℃下之熱收縮率係藉由以下方法進行測定所得之值。
將切割膜基材切斷成厚度100μm、寬度方向25mm×長度方向 150mm，標記出間隔100mm之標線，而作為試片樣品。將其放置於撒有澱粉之玻璃板之上，於80℃之加熱板上加熱2分鐘，測定膜上之標線於加熱後之間隔，根據以下之式計算收縮率(%)。
收縮率(%)=100mm-收縮後之標線之間隔距離(mm)/100mm×100
2-1.第1樹脂層
第1樹脂層係包含上述切割膜基材用樹脂組成物，即，含有乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)30質量份以上且90質量份以下及乙烯系共聚合體(B)10質量份以上且70質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)、且JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點未滿50℃的切割膜基材用樹脂組成物之層。又，第1樹脂層亦可為由上述切割膜基材用樹脂組成物構成之層。此種樹脂組成物層之強度與熱收縮率之平衡性優異。
於切割膜基材為單層構成之情形時，較佳為成為原料之樹脂組成物中之離子聚合物(A)之含量為70質量份以上且90質量份以下、乙烯系共聚合體(B)之含量為10質量份以上且30質量份以下，更佳為離子聚合物(A)之含量為80質量份以上且90質量份以下、乙烯系共聚合體(B)之含量為10質量份以上且20質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)。如此，藉由使用離子聚合物(A)之比率較高之樹脂組成物，即便為單層，亦可達成作為切割膜基材所需之強度。
另一方面，於切割膜基材為多層構成之情形時，成為第1樹脂層之原料之樹脂組成物只要為上述本發明之樹脂組成物， 則離子聚合物(A)與共聚合體(B)之比率無特別限定，只要離子聚合物(A)之含量為30質量份以上且90質量份以下、乙烯系共聚合體(B)之含量為10質量份以上且70質量份以下即可。
2-2.第2樹脂層
第2樹脂層係包含樹脂(C)之層或由樹脂(C)構成之層，樹脂(C)只要為與構成第1樹脂層之樹脂組成物之接著性較高之樹脂，則無特別限定。藉由將包含樹脂(C)(或由樹脂(C)構成)之第2樹脂層與第1樹脂層積層，能夠於不產生層間剝離之問題之情況下，提高切割膜基材之強度，且維持切割膜所需之晶片分割性與擴張性之平衡。
<樹脂C>
本發明中之樹脂(C)較佳為自乙烯-不飽和羧酸系共聚合體(以下，亦簡稱為「共聚合體(C)」)及上述乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之離子聚合物(以下，亦簡稱為「離子聚合物(C)」)所組成之群組選擇之至少1種。作為樹脂(C)所使用之乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之離子聚合物係上述乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之羧基之一部分或全部經金屬(離子)中和所得者。
再者，如下述詳細說明般，樹脂(C)亦可為與構成第1樹脂層之樹脂組成物中所含之樹脂(A)或樹脂(B)同樣之樹脂。
上述共聚合體(C)、或構成其離子聚合物(C)之乙烯-不飽和羧酸系共聚合體係使乙烯與不飽和羧酸共聚而成之至少二元之共聚合體，亦可為進而與第3共聚合成分共聚而成之三元以上 之多元共聚合體。再者，可單獨使用一種乙烯-不飽和羧酸系共聚合體，亦可併用兩種以上之乙烯-不飽和羧酸系共聚合體。
作為構成乙烯-不飽和羧酸二元共聚合體之不飽和羧酸，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、伊康酸、伊康酸酐、反丁烯二酸、丁烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等碳數4~8之不飽和羧酸等。特佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
於乙烯-不飽和羧酸系共聚合體(C)為三元以上之多元共聚合體時，亦可包含形成多元共聚合體之單體(第3共聚合成分)。作為第3共聚合成分，可列舉：不飽和羧酸酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯)、不飽和烴(例如，丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、乙烯基硫酸或乙烯基硝酸等之氧化物、鹵素化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基之一級/二級胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作為該等共聚合成分，較佳為不飽和羧酸酯。
例如，於乙烯-不飽和羧酸系共聚合體(C)為三元共聚合體之情形時，可較佳地列舉：乙烯與不飽和羧酸與不飽和羧酸酯之三元共聚合體、乙烯與不飽和羧酸與不飽和烴之三元共聚合體等。
作為不飽和羧酸酯，較佳為不飽和羧酸烷基酯，烷基酯之烷基部位之碳數較佳為1~12，更佳為1~8，進而較佳為1~4。作為烷基部位之例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、 正丁基、異丁基、第二丁基、2-乙基己基、異辛基等。
作為不飽和羧酸酯之具體例，可列舉：烷基部位之碳數為1~12之不飽和羧酸烷基酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯等丙烯酸烷基酯，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯等甲基丙烯酸烷基酯，順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等順丁烯二酸烷基酯)等。
於不飽和羧酸烷基酯之中，更佳為烷基部位之碳數為1~4之(甲基)丙烯酸烷基酯。
共聚合體之形態可為嵌段共聚合體、無規共聚合體、接枝共聚合體中之任意者，亦可為二元共聚合體、三元以上之多元共聚合體中之任意者。其中，就可工業獲取之方面而言，較佳為二元無規共聚合體、三元無規共聚合體、二元無規共聚合體之接枝共聚合體或三元無規共聚合體之接枝共聚合體，更佳為二元無規共聚合體或三元無規共聚合體。
作為乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之具體例，可列舉：乙烯-丙烯酸共聚合體、乙烯-甲基丙烯酸共聚合體等二元共聚合體、乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚合體等三元共聚合體。又，亦可使用作為乙烯-不飽和羧酸系共聚合體上市之市售品，例如可使用Dow-Mitsui Polychemicals公司製造之Nucrel Series(註冊商標)等。
乙烯-不飽和羧酸系共聚合體中之不飽和羧酸之共聚合比(質量比)較佳為4質量%~20質量%，更佳為5質量%~15質量%。乙烯-不飽和羧酸系共聚合體中之不飽和羧酸酯之共聚合比 (質量比)較佳為1質量%~20質量%，更佳為5質量%~18質量%。就擴張性之觀點而言，來自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率較佳為1質量%以上，較佳為5質量%以上。又，就防止黏連及融合之觀點而言，來自不飽和羧酸酯之構成單位之含有比率較佳為20質量%以下，更佳為18質量%以下。
於本發明中，作為樹脂(C)所使用之離子聚合物(C)較佳為上述乙烯-不飽和羧酸系共聚合體中所含之羧基經金屬離子以任意比例交聯(中和)所得者。作為酸基之中和所使用之金屬離子，可列舉：鋰離子、鈉離子、鉀離子、銣離子、銫離子、鋅離子、鎂離子、錳離子等金屬離子。該等金屬離子之中，就工業化製品之易獲取性而言，較佳為鎂離子、鈉離子及鋅離子，更佳為鈉離子及鋅離子，特佳為鋅離子。
金屬離子可單獨使用一種，或亦可併用兩種以上。
離子聚合物(C)中之乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之中和度較佳為10%~85%，進而較佳為15%~82%。若中和度為10%以上，則可進一步提高晶片分割性，藉由為85%以下，膜之加工性或成形性優異。
再者，中和度係經金屬離子中和之羧基相對於乙烯-不飽和羧酸系共聚合體中所含之全部羧基之莫耳數之比例(莫耳%)。
樹脂(C)之熔融流動速率(MFR)較佳為0.2g/10分鐘~20.0g/10分鐘之範圍，更佳為0.5g/10分鐘~20.0g/10分鐘，進而較佳為0.5g/10分鐘~18.0g/10分鐘。若熔融流動速率為上述範圍內，則於膜成形時有利。
再者，MFR係藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載 2160g下進行測定所得之值。
樹脂(C)較佳為菲卡軟化點為50℃以上且100℃以下。藉由在包含菲卡軟化點未滿50℃之樹脂組成物之第1樹脂層積層菲卡軟化點較高之樹脂作為第2樹脂層，可提高切割膜基材之強度或耐熱性。
再者，菲卡軟化點係依據JIS K7206-1999所規定之A50法進行測定所得之值。
<其他聚合體及添加劑>
亦可於構成第2樹脂層之樹脂(C)中在無損本發明之效果之範圍內視需要添加各種添加劑或其他樹脂。作為上述添加劑之一例，可列舉：抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、滑劑、抗黏連劑、抗靜電劑、防黴劑、抗菌劑、難燃劑、難燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、無機填充劑、纖維強化材等。就防止熱融合之觀點而言，亦可少量添加上述添加劑。
2-3.層構成
本發明之切割膜基材存在僅包含上述第1樹脂層1之單層構成者(圖1A)、以及包含上述第1樹脂層1及上述第2樹脂層2之多層構成者(圖1B)。多層構成之切割膜基材只要包含上述兩層，則其層構成無特別限定，就防止層間剝離之觀點而言，較理想為第1樹脂層與第2樹脂層直接積層。
多層構成之切割膜基材亦可為成為3層以上之多層構成。例如，可為於積層數層使用構成第1樹脂層之樹脂組成物所 成形之片材後設置第2樹脂層之構成，亦可為由兩層第1樹脂層夾持第2樹脂層之構成。又，亦可為不僅有第1樹脂層與第2樹脂層、且積層有其他樹脂層之構成。
作為構成與本發明之切割膜基材積層之其他樹脂層的樹脂之代表例，可列舉：選自直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-α-烯烴共聚合體、聚丙烯、及乙烯-乙烯酯共聚合體中之單體或包含任意數種之摻合物。
又，積層之其他樹脂層可為功能性層(例如，黏著片材等)，亦可為聚烯烴膜(或片材)、聚氯乙烯膜(或片材)等基材。上述基材可為具有單層或多層之任意構造者。於本發明中，包括該等基材在內稱為「切割膜基材」。
亦可對切割膜基材表面實施例如電暈放電處理等公知之表面處理，以提高切割膜基材表面之接著力。
又，就提高耐熱性之觀點而言，亦可對第1樹脂層、第2樹脂層或其他樹脂層、或者切割膜基材視需要進行電子束照射。
2-4.切割膜基材之製造方法
作為單層之切割膜基材之製造方法，可列舉：藉由公知方法將切割膜用樹脂組成物加工成膜狀之方法。將樹脂組成物加工成膜狀之方法無特別限定，例如可藉由習知公知之T字壓鑄成形法、T字壓軋成形法、吹脹成形法、擠出層壓法、壓延成形法等各種成形方法製造膜。
作為多層切割膜基材之製造方法，可列舉：將構成第1樹脂層之樹脂組成物及構成第2樹脂層之樹脂(C)分別藉由公知之 方法加工成膜狀，並進行積層之方法。將樹脂組成物或樹脂加工成膜狀之方法無特別限定，例如可藉由習知公知之T字壓鑄成形法、T字壓軋成形法、吹脹成形法、擠出層壓法、壓延成形法等各種成形方法製造膜。
又，多層之切割膜基材可藉由對構成第1樹脂層之樹脂組成物、及構成第2樹脂層之樹脂(C)進行例如共擠出層壓而製造。
例如，於藉由T字模膜成形機或擠出塗佈成形機等將構成第1樹脂層之樹脂組成物積層於成為第2樹脂層之樹脂(C)之膜之表面之情形時，為了提高與第2樹脂層之接著性，可藉由共擠出塗佈成形機經由接著性樹脂層而形成。關於此種接著性樹脂，作為代表例，可列舉選自上述各種乙烯共聚合體、或該等之不飽和羧酸接枝物中之單體或包含任意數種之摻合物。
又，作為本發明之切割膜基材之成形例，可列舉如下方法，即，使用T字模膜成形機或擠出塗佈成形機，藉由使構成第1樹脂層之樹脂組成物熱接著於成為第2樹脂層之樹脂(C)之膜之表面而形成多層體。
再者，雖記載的是在成為第2樹脂層之樹脂(C)之膜上形成包含成為第1樹脂層之樹脂組成物之層之方法，但亦可與之相反地，藉由在成為第1樹脂層之樹脂組成物之膜上由成為第2樹脂層之樹脂(C)形成層，或於其他樹脂層之上設置第1樹脂或第2樹脂層之方法而製造本發明之切割膜基材。
切割膜基材之厚度無特別限定，若考慮用作切割膜之構成部件，則就切割時之框架保持之觀點而言，較佳為65μm以上， 就擴張性之觀點而言，較佳為200μm以下。又，構成多層之切割膜基材之各樹脂層之厚度只要其等之合計不超過切割膜基材之上述厚度則無特別限定，較佳為第1樹脂層、第2樹脂層均為30μm以上且100μm以下，第1樹脂層與第2樹脂層之厚度之比較佳為30/70~70/30。
3.切割膜
本發明之第3樣態係具備上述本發明之切割膜基材、及積層於其至少一面之黏著層之切割膜。圖2A及圖2B係表示本發明之切割膜20之一實施形態之剖面圖。圖2A所示之切割膜20具有僅包含第1樹脂層1之切割膜基材10、及設置於其表面之黏著層11，圖2B所示之切割膜20具有包含第1樹脂層1及第2樹脂層2之切割膜基材10、及設置於其表面之黏著層11。
切割膜較佳為於最表層形成有黏著層之構成。黏著層配置於切割膜基材之表面。可經由該黏著層將切割膜貼附於半導體晶圓，進行半導體晶圓之切割。再者，於圖2B中，將黏著層11配置於包含本發明之切割膜基材用樹脂組成物之第1樹脂層1之上，但本發明並不限定於此種構成。黏著層11亦可配置於第2樹脂層2(或其他樹脂層)之上。
<黏著層>
本發明之切割膜係具備本發明之切割膜基材、及設置於切割膜基材之單面之黏著層者，於黏著層貼合固定成為切割加工之對象之半導體晶圓。黏著層之厚度亦取決於黏著劑之種類，較佳為3~100 μm，進而較佳為3~50μm。
作為構成黏著層之黏著劑，可使用習知公知之黏著劑。黏著劑之例包括：橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚系黏著劑；輻射硬化型黏著劑；加熱發泡型黏著劑等。其中，若考慮切割膜自半導體晶圓之剝離性等，則黏著層較佳為包含紫外線硬化型黏著劑。
可構成黏著層之丙烯酸系黏著劑之例包括：(甲基)丙烯酸酯之均聚合體、及(甲基)丙烯酸酯與共聚合性單體之共聚合體。(甲基)丙烯酸酯之具體例包括：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯等(甲基)丙烯酸烷基酯，(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯、(甲基)丙烯酸羥基己酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
與(甲基)丙烯酸酯之共聚合性單體之具體例包括：(甲基)丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸酐、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥基甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等)、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
可構成黏著層之紫外線硬化型黏著劑無特別限定，含有上述丙烯酸系黏著劑、紫外線硬化成分(能夠於丙烯酸系黏著劑之聚合物側鏈加成碳-碳雙鍵之成分)、及光聚合起始劑。進而，亦可於紫外線硬化型接著劑中視需要添加交聯劑、黏著賦予劑、填充劑、抗老化劑、著色劑等添加劑等。
紫外線硬化型黏著劑中所含之紫外線硬化成分係例 如於分子中具有碳-碳雙鍵，且能夠藉由自由基聚合而硬化之單體、低聚物或聚合物。紫外線硬化成分之具體例包括：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇之酯或其低聚物；氰尿酸2-丙烯基二-3-丁烯基酯、異氰尿酸2-羥乙基雙(2-丙烯醯氧基乙基)酯、異氰尿酸三(2-丙烯醯氧基乙基)酯、異氰尿酸三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯等異氰尿酸酯等。
紫外線硬化型黏著劑中所含之光聚合起始劑之具體例包括：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚類，α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類，苯偶醯二甲基縮酮等芳香族縮酮類，聚乙烯二苯甲酮、氯9-氧硫
Figure 108128323-A0101-12-0028-10
、十二烷基9-氧硫
Figure 108128323-A0101-12-0028-11
、二甲基9-氧硫
Figure 108128323-A0101-12-0028-12
、二乙基9-氧硫
Figure 108128323-A0101-12-0028-13
等9-氧硫
Figure 108128323-A0101-12-0028-14
類等。
紫外線硬化型黏著劑中所含之交聯劑之例包括：聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚胺、含羧基之聚合物等。
較佳為於本發明之切割膜之黏著層之表面貼附隔離膜。藉由貼附隔離膜，可保持黏著層之表面平滑。又，使半導體製造用膜之操作或搬運變得容易，且亦可於隔離膜上進行標記加工。
隔離膜可為紙、或聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之合成樹脂膜等。又，亦可對隔離膜之與黏著層相接之面視需要實施聚矽氧處理或氟處理等脫模處理以提高自黏著層之剝離性。隔離膜之厚度通常為10~200μm左右，較佳為25~100μm左右。
<切割膜之製造方法>
於製造本發明之切割膜時，可使用如下方法，即，使用公知之方法例如凹版輥式塗佈機、逆輥塗佈機、接觸輥塗佈機、浸漬輥塗機、棒式塗佈機、刮刀塗佈機、噴霧塗佈機等將黏著劑直接塗佈於切割膜基材之方法，或者藉由上述公知之方法將黏著劑塗佈於剝離片材上設置黏著層後，貼合於切割膜基材之表面層而轉印黏著層之方法等。
又，藉由將本發明之樹脂組成物、及構成黏著層之材料共擠出(共擠出成形法)，可獲得作為本發明之切割膜基材與黏著層之積層體之切割膜。進而藉由在所獲得之積層體之基材(第1樹脂層)側設置第2樹脂層，亦可製造具有包含第1樹脂層及第2樹脂層之切割膜基材之切割膜。
又，亦可對黏著劑組成物之層視需要實施加熱交聯而使之成為黏著層。
進而，亦可於黏著層之表面上貼附隔離膜。
[實施例]
其次，基於實施例詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
1.樹脂(A)
作為樹脂(A)，準備下述表1所記載之乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體或乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之鋅(Zn)離子中和離子聚合物(以下，稱為「離子聚合物」)。
[表1]
Figure 108128323-A0101-12-0030-1
2.樹脂(B)
作為樹脂(B)，準備下述表2所示之乙烯系共聚合體。
Figure 108128323-A0101-12-0030-2
表1及表2之菲卡軟化溫度係依據JIS K7206-1999所規定之A50法進行測定所得之值。
表2中之MFR(熔融流動速率)係依據JIS K7210-1999，於190℃、2160g負載下進行測定所得之值。
表2中之熔點係藉由DSC法進行測定所得之值。
3.樹脂(C)
作為樹脂(C)，準備離子聚合物1(IO-1)(與作為樹脂(A)所使用者相同)(參照上述表1)。
(實施例1)
將表3所示之比例(質量%)之樹脂(A)及樹脂(B)乾摻。繼而，將乾摻之混合物投入至40mmΦ單軸擠出機之樹脂投入口，於模嘴溫度200℃下進行熔融混練，藉此獲得第1樹脂層用之樹脂組成物。
使用2種2層40mmΦT字模膜成形機將所獲得之第1樹脂層用之樹脂組成物、及第2樹脂層用之樹脂(C)投入至各自之擠出機，於加工溫度240℃之條件下成形，從而製作100μm厚之2種2層T字模膜。所製作之具有雙層構造之100μm厚之積層膜中之第1層與第2層之厚度比設為60/40。
(實施例2~8及12~14、比較例1~3、5及10)
將樹脂(A)與樹脂(B)之種類及量如表3或表4所示進行變更，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作第1樹脂層用之樹脂組成物。繼而，將第1樹脂層及第2樹脂層之厚度如表3或表4所示進行變更，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作包含第1樹脂層及第2樹脂層之積層膜。
(實施例9~11、比較例4及6~9)
將樹脂(A)與樹脂(B)之種類及量如表3或表4所示進行變更，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作第1樹脂層用之樹脂組成物。繼而，於不使用樹脂(C)之情況下，使用所製作之樹脂組成物， 以與實施例1同樣之方式製作100μm厚之1層T字模膜。
關於上述實施例及比較例中所獲得之第1樹脂層用之樹脂組成物及膜，藉由下述方法進行評價。評價結果示於表3或表4。
(1)樹脂組成物之中和度
中和度係根據樹脂(A)之中和度與其含量而計算。
(2)樹脂組成物之MFR
MFR係依據JIS K7210-1999，於190℃、2160g負載下進行測定。
(3)樹脂組成物之菲卡軟化溫度
菲卡軟化溫度係依據JIS K7206-1999所規定之A50法進行測定。
(4)80℃收縮率
將樹脂組成物於厚度100μm之膜上進行成形，切斷成寬度方向25mm×長度方向150mm，標記出間隔100mm之標線，而作為試片樣品。於玻璃板之上撒上用以防止膜附著之澱粉(Nikka股份有限公司製造，Nikkari powder)，於其上放置試片樣品，於加壓成形機之加熱板上於80℃下加熱2分鐘。測定膜上之標線於加熱後之間隔，根據以下之式計算收縮率(%)。
收縮率(%)=100mm-收縮後之標線之間隔距離(mm)/100 mm×100
(5)拉伸試驗(模數)
將切割膜基材裁斷成10mm寬之短條狀，而作為測定對象。依據JIS K7127，於試片：寬10mm×長200mm、夾具間隔：100mm之條件下，分別對測定對象之MD方向、TD方向各方向上之伸長距離25%及50%時之膜強度(25%模數及50%模數)進行測定。再者，試驗速度設為500mm/分鐘。
[表3]
Figure 108128323-A0101-12-0034-3
[表4]
Figure 108128323-A0101-12-0035-4
關於使用含有乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體(三元共聚合體)之離子聚合物即樹脂(A)30質量份以上且90質量份以下及乙烯系共聚合體即樹脂(B)10質量份以上且70質量份以下、且菲卡軟化點未滿50℃之樹脂組成物所製作之實施例之切割膜基材，其熱(80℃)收縮性與強度兩者均優異。另一方面，使用二元共聚合體之離子聚合物所得之比較例1之樹脂組成物之菲卡軟化點超過50℃。使用此種樹脂組成物所製作之切割膜基材之熱收縮率較低。使用雖含有樹脂(A)與樹脂(B)、但菲卡軟化點超過50℃之比較例2及3之樹脂組成物所製作之切割膜基材亦與比較例1同樣地，熱收縮率較低。
使用含有70質量份以上且90質量份以下之樹脂(A)及30質量份以上且10質量份以下之樹脂(B)、且菲卡軟化點未滿50℃之樹脂組成物所獲得之實施例9~11之切割膜基材雖為單層，但同時發揮充分之強度與熱收縮性。
含有超過90質量份之量之樹脂(A)及未滿10質量份之樹脂(B)之比較例4及5之樹脂組成物之菲卡軟化點超過50℃。使用此種樹脂組成物所製作之切割膜基材雖強度較高，但熱收縮率較低。同樣地，使用離子聚合物作為第1樹脂層之比較例6~10之切割膜基材亦雖顯示較高之強度，但熱收縮率較低。特別是比較例7中所使用之離子聚合物2雖菲卡軟化點未滿50℃，但熱收縮率較低。
根據該等結果可知，為了獲得兼具較高強度與較高熱收縮率之切割膜基材，重要的是成為原料之樹脂組成物中之乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物即樹脂(A)之含量 為30質量份以上且90質量份以下，乙烯系共聚合體即樹脂(B)之含量為10質量份以上且70質量份以下，且菲卡軟化點未滿50℃。
本申請案主張基於2018年8月8日申請之日本專利特願2018-149562之優先權。該申請說明書所記載之內容全部被引用至本案說明書。
(產業上之可利用性)
本發明之切割膜可較佳地用於不僅實施將半導體晶圓分割成晶片單元之切割步驟與擴張步驟、且實施熱收縮步驟之半導體元件之製造方法。特別是本發明之切割膜由於兼具較高強度與較高熱收縮性，故而可較佳地用於採用在擴張步驟中對切割膜施加比習知法(刀片切割法或雷射剝蝕法等)大之應力之隱形切割(註冊商標)法之製造方法。藉由使用本發明之切割膜，能夠使分割後之晶片之間隔變得均勻，減少其後之步驟中之製品不良，從而可以較高之產率製造半導體裝置。
1‧‧‧第1樹脂層
2‧‧‧第2樹脂層
10‧‧‧切割膜基材

Claims (10)

  1. 一種切割膜基材用樹脂組成物，其含有：乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)30質量份以上且90質量份以下、及
    乙烯系共聚合體(B)10質量份以上且70質量份以下(其中，將成分(A)與成分(B)之合計設為100質量份)，且
    JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點未滿50℃。
  2. 如請求項1之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯共聚合體之離子聚合物(A)之JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點為25℃以上且60℃以下。
  3. 如請求項1之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯系共聚合體(B)係JIS K7206-1999所規定之菲卡軟化點為50℃以下之樹脂、或不具有上述菲卡軟化點之樹脂。
  4. 如請求項1之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯系共聚合體(B)係自乙烯-α-烯烴共聚合體及乙烯-不飽和羧酸酯共聚合體所構成之群組選擇之至少一種。
  5. 如請求項1之切割膜基材用樹脂組成物，其中，藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下所測定之上述乙烯系共聚合體(B)之熔融流動速率(MFR)為0.2g/10分鐘~30.0g/10分鐘。
  6. 如請求項1之切割膜基材用樹脂組成物，其中，藉由依據JIS K7210-1999之方法於190℃、負載2160g下所測定之上述切割膜基材用樹脂組成物之熔融流動速率(MFR)為0.1g/10分鐘~50g/10分鐘。
  7. 一種切割膜基材，其含有至少一層包含請求項1之切割膜基材用樹脂組成物之層。
  8. 如請求項7之切割膜基材，其含有：包含請求項1之切割膜基材用樹脂組成物之第1樹脂層、及
    積層於上述第1樹脂層之包含樹脂(C)之第2樹脂層。
  9. 如請求項8之切割膜基材，其中，上述樹脂(C)係自乙烯-不飽和羧酸系共聚合體及上述乙烯-不飽和羧酸系共聚合體之離子聚合物所構成之群組選擇之至少1種。
  10. 一種切割膜，其特徵在於具有：請求項7至9中任一項之切割膜基材、及
    積層於上述切割膜基材之至少一面之黏著層。
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