CN117063262A - 切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材、及切割膜 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供能实现常温及低温下的伸展性优异、进而常温及低温下的模量强度也优异的切割膜基材的切割膜基材用树脂组合物。解决上述课题的切割膜基材用树脂组合物包含乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、和苯乙烯系树脂(C)。

Description

切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材、及切割膜
技术领域
本发明涉及切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材、及切割膜。
背景技术
在IC(集成电路)等半导体装置的制造过程中，通常，在将形成了电路图案的半导体晶片薄膜化后，进行将半导体晶片分割成芯片单元的切割工序。在切割工序中，在半导体晶片的背面贴合具有伸缩性的晶片加工用膜(本说明书中，也称为“切割膜”)，通过切割刀片、激光等将半导体晶片分割成芯片单元。然后，通过扩张工序将切割膜扩张，由此扩大芯片彼此的间隔，将芯片小片化。在该扩张工序中，例如将配置于切割膜之下的扩张台上推，将切割膜扩张，对芯片进行分割。
然后，在拾取工序中，从切割膜仅拾取所期望的芯片，用于所期望的用途。在该拾取工序中，通常，从切割膜侧，仅将所期望的芯片用微细销上举，并拾取。
此处，作为构成切割膜的材料，已知有利用金属离子将乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物交联而得到的离子交联聚合物。例如专利文献1中记载了一种放射线固化型晶片加工用粘合胶带，其含有包含聚醚成分的抗静电树脂、和上述离子交联聚合物。专利文献2中记载了一种切割膜基材用树脂组合物，其包含：上述离子交联聚合物；乙烯、(甲基)丙烯酸、和(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚物。
另外，作为成型部件等中使用的树脂组合物，专利文献3中记载了一种离子交联聚合物/聚酰胺配合物，其包含乙烯及α,β-烯键式不饱和羧酸的共聚物的离子交联聚合物、和聚酰胺。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-210887号公报
专利文献2：日本特开2012-89732号公报
专利文献3：日本特表2000-516984号公报
发明内容
发明所要解决的课题
此处，在上述的拾取工序中，为了仅将所期望的芯片适当地拾取，芯片的周围的切割膜充分地伸展(以下，也称为“常温伸展性”)是重要的。若切割膜未充分地伸展而利用微细销将多个芯片上举，则有时产生并非拾取对象的芯片从切割膜剥离的现象。另外，若切割膜的常温伸展性低，则也有时在拾取工序中对芯片施加应力，引起芯片内的破损。若产生这些问题，则制品的成品率降低，或者制品不良增加。
然而，在专利文献1中，并没有着眼于晶片加工用粘合胶带的伸展性本身的记载。此外，在专利文献2中，虽然评价了切割膜的耐热性(例如，120℃时的伸展性)，但并未着眼于常温下的伸展性。此外，专利文献3的离子交联聚合物/聚酰胺配合物包含大量的聚酰胺，因此难以将其成型为膜状。
另外，对于切割膜基材用树脂组合物，除了前述的常温伸展性之外，还要求常温、低温下的切割膜的模量强度，也有时还进一步要求低温下的伸展性。具体而言，在切割·芯片接合一体型膜的情况下，具有于低温进行芯片和芯片接合膜的分割及扩张(扩展)的工序，要求分割所需的模量强度和扩展所需的膜的伸展性。另外，在常温时，要求用于将分割后的芯片间隙维持恒定的模量强度和在如前所述的拾取工序时所需的膜伸展性。然而，以往并未尝试同时实现常温、低温下的模量强度以及常温及低温下的伸展性。
本发明是鉴于上述课题而作出的。目的是提供能实现常温及低温下的伸展性优异、进而常温及低温下的模量强度也优异的切割膜基材的切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材、及切割膜。
用于解决课题的手段
即，本发明提供以下的切割膜基材用树脂组合物。
[1]切割膜基材用树脂组合物，其包含乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、和苯乙烯系树脂(C)。
[2]如[1]所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)为乙烯·不饱和羧酸·不饱和羧酸酯共聚物的离子交联聚合物。
[3]如[1]或[2]所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，相对于前述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的全部结构单元的量而言，前述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的来自不饱和羧酸的结构单元的量为1质量％以上30质量％以下。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的中和度为10％以上90％以下。
[5]如[1]～[4]中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，前述苯乙烯系树脂(C)为苯乙烯系弹性体。
[6]如[1]～[5]中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，前述苯乙烯系树脂(C)的含量为1质量％以上40质量％以下。
[7]如[1]～[6]中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的含量为前述聚酰胺(B)的含量与前述苯乙烯系树脂(C)的含量的合计量以上。
[8]如[1]～[7]中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，依照JIS K7210：1999而在230℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.1g/10分钟以上30g/10分钟以下。
本发明提供以下的切割膜基材及切割膜。
[9]切割膜基材，其含有至少一层包含上述[1]～[8]中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物的层。
[10]如[9]所述的切割膜基材，其中，包含前述切割膜基材用树脂组合物的层的、依照JIS K 7127：1999而于23℃测定的MD方向的25％模量及TD方向的25％模量的平均值为7MPa以上13MPa以下。
[11]如[9]或[10]所述的切割膜基材，其中，包含前述切割膜基材用树脂组合物的层的、依照JIS K 7127：1999而于-15℃测定的MD方向的10％模量及TD方向的10％模量的平均值为15MPa以上30MPa以下。
[12]切割膜，其具有上述[11]所述的切割膜基材、和被层叠于前述切割膜基材的至少一面的粘合层。
发明效果
根据本发明的切割膜基材用树脂组合物，可实现常温及低温下的伸展性优异、进而常温及低温下的模量强度也优异的切割膜基材。
具体实施方式
本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指包含“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。另外，“(甲基)丙烯酸”是将“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者包括在内而使用的表述，“(甲基)丙烯酸酯”是将“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者包括在内而使用的表述。
1.关于切割膜基材用树脂组合物
本发明的切割膜基材用树脂组合物(以下，也简称为“树脂组合物”)主要用于切割膜的基材，但该树脂组合物的用途并不限定于切割膜的基材。
如上所述，对于切割膜用的基材，不仅要求常温及低温下的模量强度，而且还要求常温及低温下的伸展性。然而，以往并未尝试同时实现这些。
对此，本申请的发明人进行了深入研究，结果确认到，根据包含乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、和苯乙烯系树脂(C)的树脂组合物，可得到兼具常温及低温下的模量强度、和常温及低温下的伸展性的切割膜基材。认为其理由如下所述。即，就以往的包含不同种类材料的树脂组合物而言，有时该树脂组合物内各材料的均匀性低。而且在制成膜的情况下，尤其是TD方向的物性存在因取向的影响而降低的倾向。与此相对，包含离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、和苯乙烯系树脂(C)的树脂组合物的相容性良好，能在不使均匀性降低的情况下维持各材料所具有的特性。以下，对树脂组合物所包含的各成分进行说明，然后对树脂组合物的物性进行说明。
<乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)>
乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)(以下，也简称为“离子交联聚合物(A)”)是乙烯·不饱和羧酸共聚物所具有的酸的一部分或全部被金属离子中和而得到的物质，具有多个乙烯·不饱和羧酸共聚物交联而成的结构。树脂组合物可以仅包含一种该离子交联聚合物(A)，也可以包含两种以上的该离子交联聚合物(A)。
成为离子交联聚合物(A)的主骨架的乙烯·不饱和羧酸系共聚物只要是乙烯与不饱和羧酸的共聚物即可，可以为例如乙烯与不饱和羧酸的共聚物(二元共聚物)，也可以为例如使乙烯、不饱和羧酸、和除它们以外的其他单体共聚而得到的共聚物(多元共聚物)。
上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物可以为嵌段共聚物，也可以为无规共聚物。另外，乙烯·不饱和羧酸系共聚物也可以为在无规聚合物、嵌段聚合物上进一步接枝聚合已知的化合物而得到的接枝共聚物等。
上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物优选为二元无规共聚物、三元无规共聚物、二元无规共聚物的接枝共聚物、或三元无规共聚物的接枝共聚物，更优选为二元无规共聚物或三元无规共聚物，进一步优选为三元无规共聚物。
成为上述乙烯·不饱和羧酸共聚物的原料的不饱和羧酸的例子包括丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙稀酸、衣康酸、衣康酸酐、富马酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐等碳原子数4～8的不饱和羧酸，它们之中，从反应性、获得容易性等观点考虑，优选为丙烯酸或甲基丙烯酸。
另外，成为上述乙烯·不饱和羧酸共聚物的原料的其他单体的例子包括(甲基)丙烯酸烷基酯等不饱和羧酸酯；丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等不饱和烃；来自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等的乙烯基酯；乙烯基硫酸、乙烯基硝酸等的氧化物；氯乙烯、氟乙烯等卤化物；含有乙烯基的伯胺化合物；含有乙烯基的仲胺化合物；一氧化碳；二氧化硫；等等。它们之中，从反应性、获得容易性等观点考虑，优选为不饱和羧酸酯或不饱和烃，更优选为不饱和羧酸酯。即，成为本发明的离子交联聚合物(A)的主骨架的乙烯·不饱和羧酸系共聚物特别优选为乙烯·不饱和羧酸·不饱和羧酸酯共聚物。
不饱和羧酸酯的例子包括在酯部位具有碳原子数为1～12的烷基的不饱和羧酸烷基酯。烷基的碳原子数更优选为1～8，进一步优选为1～4。烷基的例子包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、2-乙基己基、异辛基等。
上述不饱和羧酸烷基酯的具体例包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、马来酸二甲酯、马来酸二乙酯等。
此处，上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的具体例包括乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物；乙烯·甲基丙烯酸·丙烯酸正丁酯共聚物、乙烯·甲基丙烯酸·丙烯酸异丁酯共聚物等三元共聚物；等等。
本发明的离子交联聚合物(A)是利用金属离子将上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物中包含的羧基以任意的比例交联(中和)而得到的物质。
离子交联聚合物(A)中的来自不饱和羧酸的结构单元的量、即相对于乙烯·不饱和羧酸系共聚物的全部结构单元而言的来自不饱和羧酸的结构单元的量优选为1质量％以上30质量％以下，更优选为4质量％以上25质量％以下，进一步优选为5质量以上20质量％以下，特别优选为6质量％以上15质量％以下。若离子交联聚合物(A)中的来自不饱和羧酸的结构单元的量为4质量％以上，则模量强度、伸展性容易变得更良好。另一方面，若来自不饱和羧酸的结构单元的量为25质量％以下，则变得不易粘连，也不易产生熔接等，操作易于变得容易。
此外，离子交联聚合物(A)包含来自其他单体(例如不饱和羧酸酯)的结构单元的情况下，离子交联聚合物(A)中的来自其他单体的结构单元的量、即相对于乙烯·不饱和羧酸系共聚物的全部结构单元而言的来自其他单体的结构单元的量优选为1质量％以上20质量％以下，更优选为5质量％以上15质量％以下。若来自其他单体的结构单元的量为1质量％以上，则将树脂组合物制成切割膜的基材时的伸长率容易变得良好。另一方面，若来自其他单体的结构单元的量为20质量％以下，则在将树脂组合物制成切割膜的基材时，该基材变得不易粘连，也不易产生熔接等。
另外，离子交联聚合物(A)中，将上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的酸中和的金属离子没有特别限制，其例子包括锂离子、钠离子、钾离子、铷离子、铯离子、锌离子、镁离子、锰离子等。它们之中，从获得容易性等观点考虑，优选为镁离子、钠离子、或锌离子，更优选为钠离子或锌离子，进一步优选为锌离子。
离子交联聚合物(A)中的乙烯·不饱和羧酸系共聚物的中和度优选为10％以上90％以下，更优选为10％以上85％以下，进一步优选为15％以上82％以下。若乙烯·不饱和羧酸系共聚物的中和度为10％以上，则在将树脂组合物制成切割膜的基材时，基材表面的硬度变高。另一方面，若中和度为90％以下，则树脂组合物的加工性、成型性变得良好。所谓中和度，是金属离子的摩尔数相对于乙烯·不饱和羧酸系共聚物所具有的酸基(例如羧基)的摩尔数的比例。该中和度可利用红外吸收光谱(IR)来测定。可以通过利用红外吸收光谱测定树脂的C＝O伸缩吸收峰来对未离子化的羧基进行定量，可以通过测定经盐酸处理的树脂的C＝O伸缩吸收峰来对树脂整体的羧基进行定量。通过对两者进行测定，可求出中和度，具体而言，可以由下式算出。
中和度(％)＝(1-P1/P2)×100
P1：乙烯共聚物树脂的C＝O伸缩吸收峰高度
P2：经盐酸处理的乙烯共聚物树脂的C＝O伸缩吸收峰高度
另外，离子交联聚合物(A)的熔体流动速率(MFR)优选为0.2g/10分钟以上20.0g/10分钟以下，更优选为0.5g/10分钟以上20.0g/10分钟以下，进一步优选为0.5g/10分钟以上18.0g/10分钟以下。若离子交联聚合物(A)的熔体流动速率在前述范围内，则容易将树脂组合物成型。需要说明的是，离子交联聚合物(A)的熔体流动速率是依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在190℃、负荷2160g的条件下测定的值。
此处，相对于离子交联聚合物(A)、后述的聚酰胺(B)、及后述的苯乙烯系树脂(C)的合计100质量份而言，树脂组合物中的离子交联聚合物(A)的含量优选为30质量份以上95质量份以下，优选为40质量份以上90质量份以下，更优选为45质量份以上90质量份以下。若离子交联聚合物(A)的量为30质量份以上，则由该树脂组合物得到的基材的常温下的伸展性及低温下的伸展性变得良好。另一方面，若离子交联聚合物(A)的量为95质量份以下，则相对地，聚酰胺(B)及苯乙烯系树脂(C)的量充分地变多，由该树脂组合物得到的基材的常温及低温下的模量强度、常温及低温下的伸展性变得良好。
另外，树脂组合物中的离子交联聚合物(A)的量优选为聚酰胺(B)的量与苯乙烯系树脂(C)的量的合计以上，优选为聚酰胺(B)的量与苯乙烯系树脂(C)的量的合计的1.0倍以上10倍以下，更优选为1.0倍以上7倍以下。由此，由该树脂组合物得到的基材的常温及低温下的扩张性(扩展性)变得良好。
<聚酰胺(B)>
聚酰胺(B)为包含2个以上酰胺基的树脂即可。通常，上述的离子交联聚合物(A)存在熔点低、耐热性低的倾向，但通过将这样的离子交联聚合物(A)、与聚酰胺(B)组合，树脂组合物、进而切割膜用的基材的耐热性变得非常良好。另外，若将上述的离子交联聚合物(A)与聚酰胺(B)组合，则在将树脂组合物制成切割膜的基材时，可获得良好的模量强度、分割性。
聚酰胺(B)可以为二羧酸与二胺的缩聚物。二羧酸的例子包括草酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、1,4-环己烷二甲酸等。二胺的例子包括乙二胺、四亚甲基二胺、五亚甲基二胺、六亚甲基二胺、十亚甲基二胺、1,4-环己基二胺、间苯二甲胺等。
另外，聚酰胺(B)可以为ε-己内酰胺、ω-月桂内酰胺等环状内酰胺的开环聚合物、6-氨基己酸、9-氨基壬酸、11-氨基十一烷酸、12-氨基十二烷酸等氨基羧酸等的缩聚物，也可以为上述环状内酰胺、二羧酸与二胺的共聚物等。
聚酰胺(B)的具体例包括尼龙4、尼龙6、尼龙46、尼龙66、尼龙610、尼龙612、尼龙6T、尼龙11、尼龙12、尼龙MXD6、尼龙46、或它们的共聚物(例如，尼龙6/66、尼龙6/12、尼龙6/610、尼龙66/12、尼龙6/66/610)等。它们之中，尼龙6、尼龙6/12从低温分割性的提高及获得容易性的观点考虑是优选的。
聚酰胺(B)的熔点优选为160℃以上250℃以下，更优选为170℃以上240℃以下，进一步优选为180℃以上235℃以下。若聚酰胺(B)的熔点为160℃以上，则由树脂组合物得到的切割膜用的基材的耐热性容易变得良好。另一方面，若聚酰胺(B)的熔点为250℃以下，则树脂组合物的加工性变得良好。聚酰胺(B)的熔点可利用例如差示扫描量热计(DSC)等进行测定。
聚酰胺(B)的密度优选为1060kg/m3以上1220kg/m3以下，更优选为1080kg/m3以上1200kg/m3以下，进一步优选为1100kg/m3以上1180kg/m3以下。聚酰胺(B)的密度可依照ISO1183-3来测定。
相对于上述的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、及后述的苯乙烯系树脂(C)的合计100质量份而言，上述聚酰胺(B)的含量优选为5质量份以上且小于40质量份，优选为5质量份以上35质量份以下，更优选为5质量份以上30质量份以下。若聚酰胺(B)的量为5质量份以上，则由该树脂组合物得到的基材的耐热性和低温模量强度变得良好。另一方面，若聚酰胺(B)的量小于40质量份，则树脂组合物的成型性变得良好。
<苯乙烯系树脂(C)>
苯乙烯系树脂(C)只要是至少具有苯乙烯作为结构单元的树脂即可，可以为苯乙烯的均聚物，也可以为苯乙烯与其他单体的聚合物。苯乙烯系树脂(C)的例子包括苯乙烯系弹性体、作为丙烯腈与苯乙烯的共聚物的ABS系树脂、聚苯乙烯等。它们之中，优选为苯乙烯系弹性体。所谓苯乙烯系弹性体，是指于室温时为橡胶弹性体的苯乙烯系聚合物。
上述苯乙烯系弹性体的例子包括：包含由苯乙烯嵌段(苯乙烯聚合物)形成的硬链段和由亚烷基嵌段形成的软链段的嵌段共聚物、或其氢化物；苯乙烯与亚烷基的无规共聚物、或其氢化物；或者对该苯乙烯系弹性体进行酸改性而得到的酸改性苯乙烯系弹性体等。
上述嵌段共聚物中的苯乙烯嵌段为2个以上的苯乙烯聚合而成的部位即可，亚烷基嵌段为2个以上的烯烃聚合而成的部位即可。亚烷基嵌段可以为一种烯烃的均聚物，也可以为两种以上的烯烃的共聚物。
上述嵌段共聚物的例子包括苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SB)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物(SI)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)。
如上述那样，苯乙烯系弹性体可以为上述嵌段共聚物的氢化物。该氢化物中，可以是苯乙烯嵌段及亚烷基嵌段这两者被氢化，也可以是仅苯乙烯嵌段或亚烷基嵌段中的任一者被氢化，此外，也可以是仅苯乙烯嵌段及亚烷基嵌段的一部分被氢化。
上述嵌段共聚物的氢化物的具体例包括作为苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SB)的氢化物的苯乙烯-乙烯·丁烯嵌段共聚物(SEB)、作为苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)的氢化物的苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、作为苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)的氢化物的苯乙烯-乙烯·丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)等。
如上述那样，苯乙烯系弹性体的例子也包括苯乙烯与亚烷基的无规共聚物。其例子包括苯乙烯-丁二烯无规共聚物、苯乙烯-异戊二烯无规共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯无规共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯无规共聚物、苯乙烯-异丁烯无规共聚物、苯乙烯-乙烯-异戊二烯无规共聚物等。
如上述那样，苯乙烯系弹性体可以为上述无规共聚物的氢化物。其例子包括苯乙烯-丁二烯无规共聚物的氢化物(HSBR)等。
后述的未经酸改性的苯乙烯系弹性体中，上述之中，优选为氢化物，更优选为苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)及苯乙烯-乙烯·丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)，从能够使由树脂组合物得到的切割膜用的基材的低温伸展性、常温伸展性良好这样的观点考虑，苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)是特别优选的。
另一方面，如上述那样，苯乙烯系弹性体可以为利用不饱和羧酸、其衍生物对由上述嵌段共聚物或无规聚合物、或者它们的氢化物形成的弹性体进行接枝改性而得到的酸改性苯乙烯系弹性体。该酸改性苯乙烯系弹性体可以是利用一种不饱和羧酸或其衍生物对上述嵌段共聚物或无规聚合物、或者它们的氢化物进行接枝改性而得到的，也可以是利用两种以上的不饱和羧酸或其衍生物对上述嵌段共聚物或无规聚合物、或者它们的氢化物进行接枝改性而得到的。
与上述嵌段共聚物、无规共聚物等进行接枝聚合的不饱和羧酸的例子包括(甲基)丙烯酸、2-乙基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。另一方面，与苯乙烯系弹性体进行接枝聚合的不饱和羧酸衍生物的例子包括：马来酸酐、邻苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸酐；马来酸单甲酯、马来酸单乙酯等酸酯；酰胺；酰卤化物；等等。它们之中，马来酸或马来酸酐从与苯乙烯系弹性体的反应性的观点等考虑是优选的。
上述酸改性苯乙烯系弹性体可通过使上述嵌段共聚物、无规共聚物等在自由基引发剂的存在下与不饱和羧酸或其衍生物进行接枝聚合而得到。自由基引发剂只要是可用于聚烯烃的接枝反应的自由基引发剂即可，可以使用已知的化合物。
上述酸改性苯乙烯系弹性体的酸值优选大于0mgCH3ONa/g且小于20mgCH3ONa/g，更优选大于0mgCH3ONa/g且小于11mgCH3ONa/g，进一步优选为0.5mgCH3ONa/g以上11mgCH3ONa/g以下。若酸改性苯乙烯系弹性体的酸值为该范围，则低温、常温时的伸展性容易变得良好。
此外，苯乙烯系树脂(C)的例子也包括ABS系树脂。ABS系树脂是包含来自丙烯腈的结构单元及来自苯乙烯的结构单元的树脂，其例子包括利用共混法、接枝法、或者接枝·共混法等各种制造方法合成的橡胶增强苯乙烯系聚合物。ABS树脂的具体例包括在聚丁二烯、苯乙烯·丁二烯橡胶、乙烯·丙烯·二烯橡胶等橡胶成分上接枝聚合苯乙烯及丙烯腈、以及根据需要使用的甲基丙烯酸甲酯、α-甲基苯乙烯、亚乙基双马来酰亚胺、马来酰亚胺等其他单体而得到的树脂。
另外，苯乙烯系树脂(C)的例子也包括主要使苯乙烯聚合而得到的聚苯乙烯。聚苯乙烯的例子中，除了利用悬浮聚合法、连续聚合法等制造方法合成的一般用聚苯乙烯之外，还包括在丁二烯橡胶等橡胶成分上接枝聚合苯乙烯而得到的耐冲击性聚苯乙烯等。
在苯乙烯系树脂(C)为任意树脂的情况下，其熔体流动速率均优选为0.1g/10分钟～100g/10分钟，更优选为0.5g/10分钟～50g/10分钟。上述熔体流动速率是依照JIS K7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在230℃、2160g负荷的条件下测定的值。
在苯乙烯系树脂(C)为任意树脂的情况下，从能够使所得到的切割膜用的基材的低温伸展性、常温伸展性良好这样的观点考虑，其Tanδ峰温度均优选为-60℃以上，更优选为-20℃以上，进一步优选为-10℃以上，特别优选为0℃以上。上述Tanδ峰温度是在依照JISK 6394(相当于ISO 4664-1：2005)的动态粘弹性试验(温度依赖测定10Hz)中显示出峰值的温度。
相对于上述的离子交联聚合物(A)、上述的聚酰胺(B)、及苯乙烯系树脂(C)的合计100质量份而言，苯乙烯系树脂(C)的量优选为1质量份以上40质量份以下，更优选为2质量份以上40质量份以下，进一步优选为3质量份以上35质量份以下。若苯乙烯系树脂(C)的量为1质量份以上，则由该树脂组合物得到的基材的常温伸展性及低温伸展性变得良好。另一方面，若苯乙烯系树脂(C)的量为40质量份以下，则树脂组合物的膜成型性变得良好。
本发明的树脂组合物中，在将树脂组合物的树脂成分的总质量设为100质量％的情况下，乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)及苯乙烯系树脂(C)的合计含有率优选为80质量％～100质量％，更优选为85质量％～100质量％，进一步优选为90质量％～100质量％，进一步更优选大于95质量％且为100质量％以下，特别优选为98质量％～100质量％，尤其优选为99质量％～100质量％以下。
<其他聚合物及添加剂>
树脂组合物可以在不损害本发明的效果的范围内根据需要包含其他聚合物、各种添加剂、抗静电剂、紫外线吸收剂、填充材料等。
其他聚合物的例子包括聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃。相对于离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、及苯乙烯系树脂(C)的合计100质量份而言，树脂组合物中的其他聚合物的量优选为20质量份以下。
另一方面，添加剂的例子包括抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、颜料、染料、润滑剂、抗粘连剂、防霉剂、抗菌剂、阻燃剂、阻燃助剂、交联剂、交联助剂、发泡剂、发泡助剂、纤维增强材料等。
另外，抗静电剂的例子包括低分子型抗静电剂、高分子型抗静电剂，但优选为高分子型抗静电剂。高分子型抗静电剂的例子包括在分子内具有磺酸盐的乙烯基共聚物、烷基磺酸盐、烷基苯磺酸盐、甜菜碱等。另外，高分子型抗静电剂的其他例子也包括聚醚、聚酰胺弹性体、聚酯弹性体、聚醚酰胺、或聚醚酯酰胺的无机质子酸的盐等。作为无机质子酸的盐，可举出碱金属盐、碱土金属盐、锌盐、或铵盐。
紫外线吸收剂的例子包括二苯甲酮系、苯甲酸酯系、苯并***系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等。
填充材料的例子包括二氧化硅、粘土、碳酸钙、硫酸钡、玻璃珠、滑石等。
添加剂、抗静电剂、紫外线吸收剂、填充材料的量可根据其种类而适宜地选择。
<树脂组合物的制造法方法及树脂组合物的物性>
本发明的树脂组合物的制造方法没有特别限制，只要是能将离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、及苯乙烯系树脂(C)、进一步根据需要使用的其他聚合物、添加剂等混合的方法即可，没有特别限制。例如，可以将全部成分干混后进行熔融混炼，也可以先对一部分成分进行混炼后加入后面的成分。
上述混炼后的树脂组合物的形状没有特别限制，例如可以为粒料状等，也可以加工成长条状或单片状的片状。
上述树脂组合物的依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在230℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率优选为0.1g/10分钟以上30g/10分钟以下，更优选为0.2g/10分钟以上15g/10分钟以下，进一步优选为0.5g/10分钟以上10g/10分钟以下，进一步优选为1.0g/10分钟以上7g/10分钟以下。若树脂组合物的熔体流动速率为该范围，则由该树脂组合物得到的基材的常温及低温下的模量强度、以及常温及低温下的伸展性容易变得良好。
2.切割膜基材
切割基材为具有至少一层包含上述树脂组合物的层的基材即可。该切割膜基材由于具有包含上述树脂组合物的层，因此在常温及低温下发挥优异的模量强度、伸展性。该切割膜基材适合用作切割膜的基材，但并不限定于该用途。
该切割膜基材的构成没有特别限定，可以仅具有一层包含上述树脂组合物的层，也可以具有2层以上的包含上述树脂组合物的层。此外，也可以根据需要层叠其他树脂层。
切割膜基材的例子包括：仅由包含上述树脂组合物的层形成的单层结构的层叠体；由包含上述树脂组合物的层及其他树脂层这2个层形成的双层结构的层叠体；由包含上述树脂组合物的层/其他树脂层/包含上述树脂组合物的层这3个层形成的三层结构的层叠体；等等。另外，切割膜基材也可以除上述以外还进一步含有包含粘合剂的层、粘合片材等。
此处，包含上述树脂组合物的层可以为仅由上述树脂组合物形成的层，也可以为包含上述树脂组合物、和在不损害本发明的目的及效果的范围内的其他成分的层，但从切割膜基材的伸展性、模量强度的观点考虑，为实质上由上述树脂组合物形成的层是优选的。
包含上述树脂组合物的层的厚度没有特别限制，但从使切割膜基材的强度、模量强度、伸展性等良好这样的观点考虑，优选为50μm以上200μm以下，更优选为60μm以上180μm以下。
另外，包含树脂组合物的层的于23℃测定的MD方向(Machi ne Direction(纵向))的25％模量及TD方向(Transverse Directio n(横向))的25％模量的平均值优选为7MPa以上13MPa以下，更优选为8MPa以上12MPa以下。若23℃时的25％模量的平均值为该范围，则常温下的切割膜基材的伸展性容易变得良好。上述25％模量为：准备与包含上述树脂组合物的层同样的组成的、厚度为100μm、TD方向长度为10mm、MD方向长度为180mm的膜，依照JIS K7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)而利用作为测定装置的岛津台式精密万能试验机AG-X针对该膜测定的值。试验速度设定为300mm/分钟。
另一方面，包含树脂组合物的层的于-15℃测定的MD方向的10％模量及TD方向的10％模量的平均值优选为15MPa以上30MPa以下，更优选为17MPa以上27MPa以下。若-15℃时的10％模量的平均值为该范围，则低温下的切割膜基材的分割性和伸展性容易变得良好。上述10％模量为：准备与包含上述树脂组合物的层同样的组成的、厚度为100μm、TD方向长度为10mm、MD方向长度为180mm的膜，依照JIS K 7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)而利用作为测定装置的岛津台式精密万能试验机AG-X针对该膜测定的值。试验速度设定为500mm/分钟。
对于包含树脂组合物的层而言，优选MD方向的300％模量及TD方向的300％模量于23℃均可测定。若23℃时的MD方向的300％模量和23℃时的TD方向的300％模量均可测定，则在拾取工序中，不易对芯片施加应力，不易引起芯片内的破损。上述300％模量为：准备与包含上述树脂组合物的层同样的组成的、厚度为100μm、TD方向长度为10mm、MD方向长度为180mm的膜，依照JIS K 7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)而利用作为测定装置的岛津台式精密万能试验机AG-X针对该膜测定的值。试验速度设定为300mm/分钟。
对于包含树脂组合物的层而言，优选MD方向的200％模量及TD方向的200％模量于-15℃均可测定。若-15℃时的MD方向的200％模量和-15℃时的TD方向的200％模量均可测定，则在于低温进行芯片和芯片接合膜的分割及扩张(扩展)的工序中，容易良好地实施分割及扩张(扩展)。上述200％模量为：准备与包含上述树脂组合物的层同样的组成的、厚度为100μm、TD方向长度为10mm、MD方向长度为180mm的膜，依照JIS K 7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)而利用作为测定装置的岛津台式精密万能试验机AG-X针对该膜测定的值。试验速度设定为500mm/分钟。
另一方面，其他树脂层的例子包括包含直链状低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯·α烯烃共聚物、聚丙烯、乙烯·不饱和羧酸共聚物或其离子交联聚合物、乙烯·不饱和羧酸·不饱和羧酸烷基酯三元共聚物或其离子交联聚合物、乙烯·不饱和羧酸烷基酯共聚物、乙烯·乙烯基酯共聚物、乙烯·不饱和羧酸烷基酯·一氧化碳共聚物、它们的不饱和羧酸接枝物、聚氯乙烯等的层。其他树脂层可以仅包含一种上述树脂，也可以包含两种以上的上述树脂。
其他树脂层的厚度没有特别限制，但从不损害包含上述树脂组合物的层的模量强度、伸展性这样的观点考虑，优选为10μm以上100μm以下，更优选为15μm以上80μm以下。
此处，关于切割膜基材整体的厚度，考虑到作为切割膜的构成构件来使用时，从保持切割时的框架的观点考虑优选为50μm以上，从扩张性(扩展性)的观点考虑优选为200μm以下。
上述切割膜基材表面可以进行各种处理，例如可以实施电晕处理等。此外，也可以进行电子射线照射。
上述切割膜基材的制造方法没有特别限制，可以利用已知的成型法来制造。例如，在制造仅由包含上述树脂组合物的层形成的切割膜基材的情况下，利用以往已知的T模流延成型法、T模压轧成型法、吹胀成型法、挤出层压法、压延成型法等将上述树脂组合物等成型即可。
另一方面，在切割膜基材为包含上述树脂组合物的层与其他树脂层的层叠体的情况下，利用共挤出层压法等将上述树脂组合物和其他树脂成型即可。另外，也可以分别独立地制作包含上述树脂组合物的层和其他树脂层，利用粘接剂、粘接片材等将它们贴合。粘接剂、粘接片材的材料的例子包括各种乙烯共聚物、或者它们的不饱和羧酸接枝物等。另外，在切割膜基材为包含上述树脂组合物的层与其他树脂层的层叠体的情况下，也可以先形成包含上述树脂组合物的层及其他树脂层中任一者，在这一个层上，利用T模膜成型机、挤出涂覆成型机等形成另一个层，从而层叠。
3.切割膜
本发明的切割膜具备上述的切割膜基材、和被层叠于其至少一面的粘合层即可，也可以根据需要包含其他构成。需要说明的是，在上述的切割膜基材由多层形成的情况下，优选切割膜基材中的包含树脂组合物的层与粘合层层叠。
构成粘合层的粘合剂可以为通常的切割膜的粘合层用的粘合剂。粘合剂的例子包括：橡胶系、丙烯酸系、有机硅系、聚乙烯基醚系的粘合剂；放射线固化型粘合剂；加热发泡型粘合剂等。其中，考虑到切割膜从半导体晶片的剥离性时，粘合层优选包含放射线固化型粘合剂，更优选包含紫外线固化型粘合剂。
紫外线固化型粘合剂通常包含能进行自由基聚合的自由基聚合性化合物(为单体、低聚物、或聚合物均可)、和光聚合引发剂，根据需要包含交联剂、赋粘剂、填充剂、抗老化剂、着色剂等添加剂等。
自由基聚合性化合物的例子包括：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯等(甲基)丙烯酸烷基酯的单体或低聚物；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的单体或低聚物；上述(甲基)丙烯酸烷基酯及/或(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、与其他单体(例如(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟基甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等)的共聚单体或低聚物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇形成的酯单体、以及其低聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰脲酸酯、2-羟基乙基双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等异氰脲酸酯等。
光聚合引发剂的具体例包括：苯偶姻甲基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻烷基醚类；α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮类；聚乙烯基二苯甲酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类。
交联剂的例子包括多异氰酸酯化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、聚胺、含有羧基的聚合物等。
上述粘合层的厚度可根据粘合剂的种类而适宜地选择，优选为3～100μm，进一步优选为3～50μm。
另外，切割膜的粘合层可以被隔膜保护。若粘合层被隔膜保护，则能够保持粘合层的表面平滑。另外，切割膜的操作、搬运变得容易，并且还能在隔膜上进行标签加工。该隔膜在使用切割膜时被剥离。
隔膜可以为纸、或聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂膜等。另外，对于隔膜的与粘合层相接的面，为了提高从粘合层的剥离性，可以根据需要实施有机硅处理、氟处理等脱模处理。隔膜的厚度通常为10～200μm，优选为25～100μm左右。
上述切割膜的制造方法没有特别限制，例如，可以利用已知的方法在上述的切割基材上涂布粘合剂从而制造。此时，粘合剂的涂布可以利用凹版辊涂布机、逆转辊涂布机、吻式辊涂布机、浸入辊涂机、棒式涂布机、刮刀式涂布机、喷涂机等进行。另外，也可以在剥离片材上涂布粘合剂而形成粘合层，将该粘合层转印至切割膜基材，将切割膜基材与粘合层层叠。另外，也可以通过共挤出等而同时形成切割膜基材和粘合层。
实施例
以下，参照实施例对本发明进行说明。本发明的范围不由实施例限定性地解释。
[材料的准备]
各成分使用了以下的成分。
<乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)>
IO：乙烯·甲基丙烯酸·丙烯酸丁酯共聚物的离子交联聚合物(来自乙烯的结构单元的含量：80质量％，来自甲基丙烯酸的结构单元的含量：10质量％，来自丙烯酸丁酯的结构单元的含量：10质量％，中和度：70％锌，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在190℃、2160g负荷的条件下测定的MFR：1g/10分钟)
<聚酰胺(B)>
PA：尼龙6(宇部兴产公司制，1022B(商品名)，熔点：215°C～225℃，密度：1140kg/m3)
<苯乙烯系树脂(C)>
·苯乙烯系树脂1：SEBS(苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(旭化成化学公司制，S.O.E.S1611(商品名)，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在230℃、2160g负荷的条件下测定的MFR：12.0g/10分钟，Tanδ峰温度：9℃)
·苯乙烯系树脂2：HSBR(苯乙烯·丁二烯无规共聚物的氢化物(JSR公司制，DYNARON 1320P(商品名)，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在230℃、2160g负荷的条件下测定的MFR：3.5g/10分钟，Tanδ峰温度：-15℃)
·苯乙烯系树脂3：SEBS(苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(旭化成化学公司制，Tuftec H1041(商品名)，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在230℃、2160g负荷的条件下测定的MFR：5.0g/10分钟，Tanδ峰温度：-45℃)
·苯乙烯系树脂4：酸改性SEBS(马来酸酐改性苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(旭化成化学公司制，Tuftec M1913(商品名)，酸值：10mgCH3ONa/g，依照JIS K 7210：1999(相当于IS O 1133：1997)而在230℃、2160g负荷的条件下测定的MFR：5.0g/10分钟，Tanδ峰温度：-40℃)
·苯乙烯系树脂5：SEPS(苯乙烯-乙烯·丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY公司制，SEPTON 2002，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在230℃、2160g负荷的条件下测定的MF R：70.0g/10分钟)
<其他>
·EMAA：乙烯·甲基丙烯酸系共聚物(来自乙烯的结构单元的含量：91质量％，来自甲基丙烯酸的结构单元的含量：9质量％，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)而在190℃、2160g负荷的条件下测定的MFR：3g/10分钟)
·TPU：热塑性聚氨酯弹性体(TOSOH公司制，MIRACTRAN P485RSUI(商品名))
[实施例1～13及比较例1～7]
以表1所示的比例(质量比)将乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、及苯乙烯系树脂(C)干混。接下来，将经干混的混合物投入至30mmφ双螺杆挤出机的树脂投入口，以230℃的模温度进行熔融混炼，得到切割膜基材用树脂组合物。对于所得到的切割膜基材用树脂组合物，依照JIS K 7210：1999(相当于ISO 1133：1997)，在230℃(仅比较例1为190℃)、2160g负荷的条件下测定MFR。将结果示于表1。
[评价]
使用40mmφT模膜成型机，以230℃的加工温度将所得到的切割膜基材用树脂组合物成型，制作100μm厚的T模膜。将所得到的T模膜作为切割膜基材，利用下述的方法进行评价。将结果示于表1。
(1)常温模量强度
将上述切割膜基材裁切成10mm宽×180mm长的长条状。依照JIS K 7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)，使用岛津台式精密万能试验机AG-X作为测定装置，针对试样(切割膜基材)的MD方向(Machine Direction)及TD方向(Transverse Direction)分别于23℃测定25％模量。卡盘间距离设定为100mm，试验速度设定为300mm/分钟。
将通过上述试验得到的MD方向的25％模量及TD方向的25％模量平均，根据以下的基准对切割膜基材的常温模量强度进行评价。
A(良好)：8MPa以上12MPa以下
B(略微良好)：7MPa以上且小于8MPa，或者，大于12MPa且为13MPa以下
C(不良)：小于7MPa或者大于13MPa
(2)低温模量强度
将上述切割膜基材裁切成10mm宽×180mm长的长条状。依照JIS K 7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)，使用岛津台式精密万能试验机AG-X作为测定装置，针对试样(切割膜基材)的MD方向及TD方向分别于-15℃测定10％模量。卡盘间距离设定为100mm，试验速度设定为500mm/分钟。
将通过上述试验得到的MD方向的10％模量及TD方向的10％模量平均，根据以下的基准对切割膜基材的低温模量强度进行评价。
A(良好)：17MPa以上28MPa以下
B(略微良好)：15MPa以上且小于17MPa，或者，大于28MP a且为30MPa以下
C(不良)：小于15MPa或者大于30MPa
(3)常温伸展性
将上述切割膜基材裁切成10mm宽×180mm长的长条状。依照JIS K 7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)，使用岛津台式精密万能试验机AG-X作为测定装置，针对测定对象的MD方向及TD方向分别于23℃测定300％模量。
对于所得到的测定结果，按以下的基准对切割膜基材的常温伸展性进行评价。
A(良好)：能于23℃测定300％模量
C(不良)：在测定中切割膜基材断裂，不能于23℃测定300％模量
(4)低温伸展性
将切割膜基材裁切成10mm宽×180mm长的长条状。依照JIS K7127：1999(相当于ISO 527-3：1995)，使用岛津台式精密万能试验机AG-X作为测定装置，针对测定对象的MD方向、TD方向分别于-15℃测定200％模量。
对于所得到的测定结果，按以下的基准对切割膜基材的低温伸展性进行评价。
A(良好)：能于-15℃测定200％模量
C(不良)：在测定中切割膜基材断裂，不能于-15℃测定200％模量
[表1]
由表1可知，使用了包含乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)、聚酰胺(B)、和苯乙烯系树脂(C)的实施例1～13的切割膜基材用树脂组合物的切割膜基材的常温模量强度、低温模量强度、常温伸展性、及低温伸展性优异。
与此相对，不包含聚酰胺(B)及苯乙烯系树脂(C)的比较例1中，常温伸展性低。另外，不包含聚酰胺(B)的比较例2中，低温模量强度低。此外，不包含苯乙烯系树脂(C)的比较例3中，常温伸展性及低温伸展性这两者低。此外，不包含乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的比较例4～7中，常温伸展性及低温伸展性这两者也低。
由以上的结果可以确认，根据本发明的切割膜基材用树脂组合物，能够实现常温模量强度、低温模量强度、常温伸展性、及低温伸展性优异的切割膜基材。
本申请主张基于2021年3月18日提出申请的日本特愿2021-44998号的优先权。该申请说明书所记载的内容全部并入本申请说明书中。
产业上的可利用性
根据本发明的切割膜基材用树脂组合物，可实现常温及低温下的伸展性优异、进而常温及低温下的模量强度也优异的切割膜基材。因此，在半导体装置的制造领域中非常有用。

Claims (12)

1.切割膜基材用树脂组合物，其包含：
乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)，
聚酰胺(B)，和
苯乙烯系树脂(C)。
2.如权利要求1所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)为乙烯·不饱和羧酸·不饱和羧酸酯共聚物的离子交联聚合物。
3.如权利要求1或2所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，相对于所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的全部结构单元的量而言，所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的来自不饱和羧酸的结构单元的量为1质量％以上30质量％以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的中和度为10％以上90％以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，所述苯乙烯系树脂(C)为苯乙烯系弹性体。
6.如权利要求1～5中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，所述苯乙烯系树脂(C)的含量为1质量％以上40质量％以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离子交联聚合物(A)的含量为所述聚酰胺(B)的含量与所述苯乙烯系树脂(C)的含量的合计量以上。
8.如权利要求1～7中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物，其中，依照JIS K 7210：1999而在230℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.1g/10分钟以上30g/10分钟以下。
9.切割膜基材，其具有至少一层包含权利要求1～8中任一项所述的切割膜基材用树脂组合物的层。
10.如权利要求9所述的切割膜基材，其中，包含所述切割膜基材用树脂组合物的层的、依照JIS K 7127：1999而于23℃测定的MD方向的25％模量及TD方向的25％模量的平均值为7MPa以上13MPa以下。
11.如权利要求9或10所述的切割膜基材，其中，包含所述切割膜基材用树脂组合物的层的、依照JIS K 7127：1999而于-15℃测定的MD方向的10％模量及TD方向的10％模量的平均值为15MP a以上30MPa以下。
12.切割膜，其具有：
权利要求11所述的切割膜基材，和
被层叠于所述切割膜基材的至少一面的粘合层。
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JP2011210887A (ja) 2010-03-29 2011-10-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型ウエハ加工用粘着テープ
JP5666875B2 (ja) 2010-10-21 2015-02-12 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
JP6554708B2 (ja) * 2015-11-20 2019-08-07 三井・ダウポリケミカル株式会社 ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
CN110178203B (zh) * 2016-12-27 2023-05-23 三井—陶氏聚合化学株式会社 切割膜基材及切割膜
KR102483810B1 (ko) * 2018-08-08 2023-01-03 미츠이·다우 폴리케미칼 가부시키가이샤 다이싱 필름 기재용 수지 조성물, 다이싱 필름 기재 및 다이싱 필름

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