TW201819672A - 原子層成長裝置及原子層成長方法 - Google Patents

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松本竜弥
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Abstract

[課題]提供一種能夠提升形成於基板上之薄膜的膜質之原子層成長裝置。[解決手段]一種原子層成長裝置，其係包含：成膜容器11，其係進行成膜處理；平台14，其係可上下移動且設置於成膜容器11內，並保持基板100；平台停止器17，其係停止平台14的上昇，並藉由與平台14接觸而劃分出進行前述成膜處理的成膜空間S與進行搬送前述基板100的搬送空間；周緣部平台防黏材15，其係被覆平台14的周緣部；及平台停止器防黏材24，其係設置於平台停止器17上。

Description

原子層成長裝置及原子層成長方法
本發明係關於在基板上形成薄膜的原子層成長裝置及原子層成長方法。
原子層成長技術係作為均勻形成薄膜的技術而廣為人知，其係交互地供給構成可形成薄膜之元素的氣體至基板上，並以原子層作為單位在基板上成形薄膜。又，與CVD（Chemical-Vapor-Deposition，CVD）法相比，原子層成長方法之階差被覆性及膜厚控制性優異。
若藉由原子層成長方法來重複形成薄膜，則成膜容器的內部也會附著薄膜。接著，若附著於成膜容器內部的薄膜厚度增加，則堆積之薄膜會剝離，而其中的一部分成為粒子。因此，必須定期的將附著於成膜容器內部的薄膜去除。
舉例來說，日本特開2006-351655號公報（專利文獻1）揭示一種處理方法及氣相成長裝置，其係使用防黏板，並將堆積於腔室內壁的堆積物以非晶質膜被覆。
又，舉例來說，日本特開2009-62579號公報（專利文獻2）揭示於成膜容器內***防黏板，來延長濕蝕刻的周期。
又，舉例來說，日本特開2012-52221號公報（專利文獻3）揭示設置防黏板並供給惰性氣體，以控制成膜。
又，舉例來說，日本特開2001-316797號公報（專利文獻4）揭示一種成膜裝置，其係將防黏部件安裝於基板載體，且該防黏部件係用於防止朝向基板載體表面之膜的附著。
又，舉例來說，日本特開2014-133927號公報（專利文獻5）揭示一種電漿處理裝置，其係於處理室內設置防黏板，並防止絕緣物附著於基板上以外的部分。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2006-351655號公報 [專利文獻2]日本專利特開2009-62579號公報 [專利文獻3]日本專利特開2012-52221號公報 [專利文獻4]日本專利特開2001-316797號公報 [專利文獻5]日本專利特開2014-133927號公報
[發明所欲解決之課題] 以原子層成長方法成膜的情況下，因為所使用的原料（例如TMA：Tri-Methyl-Aluminum）氣體係容易擴散，故容易侵入成膜容器內的微細間隙而形成膜。舉例來說，於具有由平台停止部與平台所劃分出的成膜室及搬送室之原子層成長裝置中，在上述劃分之部分產生間隙，而成為容易產生粒子的位置。也就是說，侵入如此微細間隙的原料氣體成為膜及粉，而成為粒子的主因。
特別是，在對應於大型玻璃基板之大面積型的原子層成長裝置中，若基板變得越大則平台也變得越大，而平台變得越大則平台的平坦度亦隨之下降。結果，在上述劃分部分的間隙增大，更顯著地產生粒子。
其他的課題與新穎的特徵係能夠從本說明書的記載及添附圖式而明白。
[用於解決課題之手段] 一實施形態的原子層成長裝置，其係包含：成膜容器，其係於基板進行成膜處理；平台，其係可上下移動且設置於前述成膜容器內，並保持前述基板；平台停止器，其係停止前述平台的上昇，並藉由與前述平台接觸而劃分出進行前述成膜處理的成膜空間與進行搬送前述基板的搬送空間。而且，還包含：第一平台防黏材，其係被覆前述平台的周緣部；平台停止器防黏材，其係設置於前述平台停止器上。
又，一實施形態的原子層成長方法，其係包含：（a）基板載置步驟，其係使基板被載置在設於成膜容器內的平台上；（b）原料氣體吸附步驟，其係在前述（a）步驟之後，從設於前述成膜容器之氣體導入部導入原料氣體至前述成膜容器內，並使前述原料氣體吸附於前述基板上；（c）原料氣體排出步驟，在前述（b）步驟之後，從前述氣體導入部將吹掃氣體導入前述成膜容器內，並將前述原料氣體排出至前述成膜容器外。而且，還包含：（d）薄膜形成步驟，在前述（c）步驟之後，從前述氣體導入部將反應氣體導入前述成膜容器內，並將前述反應氣體供給至前述基板上，以於前述基板的表面形成所欲之薄膜；（e）反應氣體排出步驟，在前述（d）步驟之後，從前述氣體導入部將吹掃氣體導入前述成膜容器內，並將前述反應氣體排出至前述成膜容器外；及在前述（b）~（e）步驟的進行期間使惰性氣體流動至前述成膜容器內。
[發明的效果] 根據上述一實施形態，能夠抑制成膜容器內粒子的產生，且能夠提升形成於基板上之薄膜的膜質。
＜原子層成長裝置的構成＞ 參照圖1，說明本實施形態中原子層成長裝置10的構成。
圖1係顯示本實施形態中原子層成長裝置構造的一例之概略構成圖。
本實施形態中電漿原子層成長裝置10係交互地供給原料氣體與反應氣體於基板100，並以原子層單位在基板100上形成薄膜。此時，為了提高反應性，能夠加熱基板100。在本實施形態中，使用TMA（Tri-Methyl-Aluminum）作為原料氣體，且為了提高成膜處理時的反應活性，而使電漿產生。在本實施形態中，為了產生電漿，雖然使用平行平板電極，但不限於此種方式。
設置於原子層成長裝置10的成膜容器（亦稱為腔室）11係在內部相對於基板100進行成膜處理的容器，且具備注射器21、排氣法蘭31、平板電極12、成為平板電極12之對向電極且保持基板100的平台14、及高頻率電源18。
平行電極12係被配置成與平台14對向，且其隔出成膜空間S並設於基板100的上方，並藉由配置於平行電極12側方的絕緣支撐體41而被支撐。絕緣支撐體41係藉由頂板支撐部47支撐。接著，在保持絕緣支撐體41的頂板支撐部47之周緣部具備有用於被覆頂板支撐部47及絕緣支撐體41的上部絕緣防黏材43。
又，朝平板電極12之平台14方向露出之面的端部係相當於平板電極12的端部，且在平板電極12露出部分的下側面係設置具有導電性的板狀平板電極防黏材13。
平台14係保持基板100，並具備加熱器，且能夠調整基板100的溫度至所欲溫度。舉例來說，於進行原子層成長處理之情況下，將基板100加熱至50~200℃。接著，於進行成膜處理時，將成膜容器11維持在真空。接著，高頻率電源18係藉由將特定頻率的高頻率電流供給至平板電極12，而能夠在平板電極12與平台14間產生電漿。
又，平台14係具備可上下移動的機構，進行成膜處理時，在上昇至最高的位置處進行處理。接著，於平台14上，亦可包含具有導電性的基座（Susceptor）。此時，將基板100保持在基座上，並藉由高頻率電源18供給特定頻率的高頻率電流至平板電極12，而在平板電極12與基座間產生電漿。
接著，針對導入原料氣體、反應氣體及吹掃氣體之氣體導入部20進行說明。氣體導入部20係依據處理流程來將原料氣體、反應氣體及吹掃氣體供給至成膜容器11內。又，注射器21係被安裝於成膜容器11之氣體導入側開口部25，且其係以注射器防黏材22從成膜容器11的內側***氣體導入側開口部25並圍繞氣體導入側開口部25的方式而被安裝。
接著，針對排氣部30進行說明。排氣部30係依據處理流程來將原料氣體、反應氣體及吹掃氣體從成膜容器11排氣。排氣法蘭31係安裝於成膜容器11的氣體排氣側開口部33，且其係以排氣防黏材32從成膜容器11的內側***氣體排氣側開口部33並圍繞氣體排氣側開口部33的方式而被安裝。接著，被導入至成膜容器11的氣體係依據處理流程，而產生從氣體導入部20朝向排氣部30之氣體流動。於以下，將沿著此氣體流動方向的方向作為側面方向來說明。
接著，使用圖2~圖4，針對平台14及平台14周邊的詳細構造進行說明。
圖2係顯示圖1所示之原子層成長裝置中惰性氣體供給流路的一例之局部擴大剖面圖；圖3係顯示在圖1所示之原子層成長裝置中氣體導入側開口部經切割後構造的一例之局部擴大剖面圖；圖4係顯示圖3所示之氣體導入側開口部附近構造的一例之局部擴大剖面圖。再者，在從與氣體流動方向平行之注射器21的保持面來看的情況下，圖2亦可為平台停止器17周邊的擴大圖。
平台停止器17係以與成膜容器11內四個側壁的內壁11A接觸的方式來設置的部件，且其係停止平台14的上昇，並藉由與平台14接觸而於成膜容器11內劃分出進行成膜處理的成膜空間S與進行搬送基板100之圖1所示的搬送空間T。
接著，平台14係如圖2所示，其係較保持基板100之保持面的高度還要低的部分，且其係具有平台周緣部14A及保持基板100的平台基板保持部14B，其中平台周緣部14A係與平台停止器17內接之平台14的周緣部。接著，於平台周緣部14A的頂面，具備有周緣部平台防黏材（第一平台防黏材）15，且於平台基板保持部14B的側方向部分具備有側部平台防黏材（第二平台防黏材）16。
即，周緣部平台防黏材15係被覆平台14中的平台周緣部14A，且另一方面，側部平台防黏材16係被覆平台14中的平台基板保持部14B之側部。
又，於平台停止器17上，設置有被覆平台停止器17的平台停止器防黏材24。接著，平台停止器防黏材24係由平台停止器防黏材外周部（第一平台停止器防黏材）24A，被覆位於平台停止器17上方之成膜容器11側方（側壁）的內壁11A；平台停止器防黏材中部（第二平台停止器防黏材）24B，係被覆平台停止器17的頂面；及平台停止器防黏材內周部（第三平台停止器防黏材）24C，係被覆平台停止器17之基板側的側面方向（側部）所構成。
於本實施型態，針對平台停止器防黏材24中，平台停止器防黏材外周部24A、平台停止器防黏材中部24B及平台停止器防黏材內周部24C係一體成形的情況進行說明。然而，平台停止器防黏材外周部24A、平台停止器防黏材中部24B及平台停止器防黏材內周部24C並非一定要一體成形，亦可各自分開形成，且藉由彼此接合而各自形成。
再者，針對平台停止器防黏材24中的平台停止器防黏材外周部24A，若以別種方式說明其構成，則平台停止器防黏材外周部24A係沿著以平面視角來看為四邊形之成膜容器11的四個側壁的各自內壁11A而被配置。也就是說，平台停止器防黏材外周部24A係由沿著成膜容器11各自內壁11A而配置之四個板狀部件G而成（參照圖2）。接著，四個板狀部件G係各自與其相鄰的板狀部件G們接觸。且較佳係，四個板狀部件G係各自於相鄰的板狀部件G之間不具有空間。藉此，能夠抑制由原子層成長裝置10在基板100上形成薄膜時所用之原料氣體及反應氣體進入板狀部件G之間的間隙，並抑制於此間隙形成薄膜。
藉此，四個板狀部件G較佳係一體成形，使得相鄰的板狀部件G之間不具有空間。
又，於平台14中，被覆其側部的側部平台防黏材（第二平台防黏材）16係設置於平台14與平台停止器防黏材內周部24C之間的位置。
藉由上述，在本實施型態的原子層成長裝置10中，平台14及平台14的周圍（周緣部）係由側部平台防黏材16、周緣部平台防黏材15及平台停止器17所包覆，且更進一步，沿著平台停止器17的頂面及成膜容器11的四個側面之內壁11A來配置平台停止器防黏材24。
此處，針對本實施形態之課題的詳細內容進行說明。
在使用原子層成長方法的成膜處理中，在各自的步驟進行時，暫時等待氣體的擴散而接著導入反應劑之氣體。此時，因為所使用之原料氣體（例如TMA）容易擴散，故原料氣體容易侵入成膜容器內的微細間隙之間而形成膜。舉例來說，原料氣體及反應氣體侵入設置於成膜容器內之平台14及其周圍部件所形成的微細間隙，且於此微細間隙形成薄膜。接著，此薄膜成為粒子的主要原因，並產生使形成於基板100上的薄膜特性劣化的課題。特別是，在對應於大型玻璃基板之大面積型的原子層成長裝置中，若被處理之基板100變得越大則平台14也變得越大，而平台14變得越大則平台的平坦度14亦隨之下降。藉此，在由平台14與平台停止器17接觸所造成之劃分部分的間隙增大，更顯著地產生粒子。
再者，成膜裝置中，舉例來說，在CVD裝置中，藉由乾蝕刻來去除腔室內多餘的膜。即，不暴露腔室，而是藉由使洗淨氣體（例如NF3 等）流動來形成電漿，並去除多餘的膜。
然而，在原子層成長裝置所使用之鋁膜（Al2 O3 ）若欲實施乾蝕刻，則需在高溫處理（例如800℃），故增加成本。
又，利用電漿而形成絕緣膜的原子層成長裝置中，因為膜的堆積而使被劃分之部分絕緣化，在平台14與平台停止器17之間所流動之高頻率電流量係隨著重複成膜而變化，而產生成膜再現性下降的問題。又，因為流經平台14的高頻率電流集中在平台停止器17的附近，若存在間隙及凹凸，則在該部分亦容易產生電弧（Arcing）。藉此，必須極力降低成為電弧來源之防黏板的接縫及螺絲。
又，若原子層成長裝置增大，因為增加一定的防黏板枚數，亦產生維護所需時間增加的問題。暴露於原料氣體及反應氣體之平台停止器的面係成為平板電極面、基板側的側方向面及平台面（平台14的保持面）等三面，若於各自的面被覆防黏板，則防黏板的數量變得很可觀。
又，雖然成膜容器11的維修係先打開成膜容器11的頂板42，再從成膜容器11的上方將手伸進成膜空間S以進行作業，但因為維修時朝向防黏板的通道較差，故平台停止器17的側方向面（側面）及平台面之作業性顯著地下降。
因此，在原子層成長裝置中，係要求該平台停止器17附近的防黏板的構造具有下述功能：抑制於防黏板表面以外的部分成膜，以及容易拆卸防黏板。
在本實施形態的原子層成長裝置10中，平台14與平台14的周圍（周緣部）係由側部平台防黏材16、周緣部平台防黏材15及平台停止器17被覆。再者，於平台停止器17中，其頂面係由平台停止器防黏材24被覆。再者，平台停止器防黏材24係沿著成膜容器11的四個側面之內壁11A來配置。
又，本實施形態的原子層成長裝置10係在成膜容器11的內壁11A與平台停止器防黏材24之間，具有可供給惰性氣體的間隙。
再者，於平台停止器17中，由平台停止器防黏材外周部24A與成膜容器11之間的間隙形成上部惰性氣體供給流路（第一惰性氣體供給流路）64A，且形成上部惰性氣體供給口（第一惰性氣體供給口）63，其係供給惰性氣體至上部惰性氣體供給流路64A。又，於平台停止器17中，由平台停止器防黏材內周部24C與平台停止器17之間的間隙、及由周緣部平台防黏材15與平台停止器防黏材內周部24C之間的間隙形成下部惰性氣體供給流路（第二惰性氣體供給流路）67，且形成下部惰性氣體供給口（第二惰性氣體供給口）66，其係供給惰性氣體至下部惰性氣體供給流路67。
接著，於成膜容器11形成惰性氣體供給流路62A，其係將惰性氣體供給至上部惰性氣體供給口63及下部惰性氣體供給口66，且同樣地，於平台停止器17形成與惰性氣體供給流路62A連通之惰性氣體供給流路62B，其係將惰性氣體供給至上部惰性氣體供給口63及下部惰性氣體供給口66。又，於成膜容器11中，形成惰性氣體供給部61，其係供給惰性氣體至惰性氣體供給流路62A。
又，於平台停止器17中，由平台停止器防黏材中部24B與平台停止器17頂面之間的間隙形成中部惰性氣體供給流路（第三惰性氣體供給流路）70，且形成中部惰性氣體供給口（第三惰性氣體供給口）69，其係供給惰性氣體至中惰性氣體供給流路70。
再者，平台停止器17係可與成膜容器11一體成形，或藉由螺絲等將平台停止器17固定於成膜容器11。
又，上部惰性氣體供給口63係如後述之圖5所示，其係在平台停止器17頂面的周圍，沿著整個圓周而形成複數個上部惰性氣體供給口，或者在整個圓周連續形成上部惰性氣體供給口。同樣地，下部惰性氣體供給口66亦沿著平台停止器17基板側之側面的整個圓周形成複數個下部惰性氣體供給口，或者在整個圓周連續形成下部惰性氣體供給口。同樣地，中部惰性氣體供給口69亦沿著平台停止器17頂面的整個圓周形成複數個中部惰性氣體供給口，或者在整個圓周連續形成中部惰性氣體供給口。
此處，如圖2所示，透過上部惰性氣體供給流路64A所供給之惰性氣體係從上部惰性氣體排出口65，通過由平台停止器防黏材外周部24A與上部絕緣防黏材43的側方向面（側面）之間的間隙所形成之上部惰性氣體供給流路64B，而供給至成膜空間S。
接著，針對成膜容器11內各部分的尺寸之一例進行說明。
構成上部惰性氣體供給流路64A之平台停止器防黏材外周部24A與成膜容器11之間隙大小（距離a）較佳為0.1mm以上，且30mm以下。藉由使距離a較小，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入上部惰性氣體供給流路64A的內側，且能夠抑制於成膜容器11及平台停止器17成膜。
然而，於距離a過小的情況下，就加工精度而言，成膜容器11與平台停止器防黏材24具有干涉的可能性。特別是在對應於大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，於未進行平台停止器防黏材24之分割的情況下，此現象變得更顯著。因此，在對應於370mm x 470mm 尺寸之玻璃基板的原子層成長裝置10中，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離a為3mm。
又，平台停止器防黏材外周部24A的頂面與平台停止器防黏材中部24B的頂面之垂直方向距離（距離b）的大小較佳係在10mm以上。藉由使距離b較大，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入上部惰性氣體供給流路64A的內側，且能夠抑制於成膜容器11及平台停止器17成膜。於距離b過小的情況下，原料氣體及反應氣體進入上部惰性氣體供給流路64A的內側，並產生膜。因此，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離b為100mm。
又，構成上部惰性氣體供給流路64B之平台停止器防黏材外周部24A與上部絕緣防黏材43側方向面（側部）之間隙大小（距離f）較佳為1mm以上，且50mm以下。藉由使距離f較小，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入上部惰性氣體供給流路64B的內側，且能夠抑制於成膜容器11及平台停止器17成膜。然而，於距離f過小的情況下，就加工精度而言，平台停止器防黏材外周部24A與上部絕緣防黏材43具有干涉的可能性。特別是在對應於大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，於未進行平台停止器防黏材24之分割的情況下，此現象變得更顯著。因此，在對應於370mm x 470mm 尺寸之大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離f為3mm。
又，上部絕緣防黏材43側方向部分的底面與頂面之距離大小（距離g）較佳為1mm以上，且300mm以下。藉由使距離g較大，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入上部惰性氣體供給流路64B的內側，且能夠抑制於成膜容器11及平台停止器17成膜。在本實施形態中距離g為50mm。
再者，從下部惰性氣體供給流路67所供給之惰性氣體係從下部惰性氣體排出口68供給至成膜空間S。
此時，構成下部惰性氣體供給流路67之平台停止器防黏材內周部24C與平台停止器17之間的間隙大小（距離c）較佳為0.1mm以上，且30mm以下。藉由使距離c較小，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入下部惰性氣體供給流路67的內側，且能夠抑制於平台停止器17成膜。然而，於距離c過小的情況下，就加工精度而言，平台停止器防黏材內周部24C與平台停止器17具有干涉的可能性。特別是在對應於大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，於未進行平台停止器防黏材24之分割的情況下，此現象變得更顯著。因此，在對應於370mm x 470mm 尺寸之大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離c為3mm。
又，構成下部惰性氣體供給流路67之平台停止器防黏材內周部24C與周緣部平台防黏材15之間的間隙大小（距離d）較佳為0.1mm以上，且30mm以下。藉由使距離d較小，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入下部惰性氣體供給流路67的內側，且能夠抑制於平台停止器17成膜。然而，於距離d過小的情況下，就加工精度而言，平台停止器防黏材內周部24C與周緣部平台防黏材15具有干涉的可能性。特別是在對應於大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，於未進行平台停止器防黏材24之分割的情況下，此現象變得更顯著。因此，在對應於370mm x 470mm 尺寸之大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離d為3mm。
又，構成下部惰性氣體供給流路67之平台停止器防黏材內周部24C的壁厚度（距離h）較佳係1mm以上，且100mm以下。藉由使距離h較大，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入下部惰性氣體供給流路67的內側，且能夠抑制於平台停止器17成膜。然而，於距離h過大的情況下，平台停止器防黏材中部24B的重量增加，且維護性下降。因此，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離h為20mm。
又，雖然構成中部惰性氣體供給流路70之平台停止器防黏材中部24B與平台停止器17的頂面係內接的，但亦可嘗試使平台停止器防黏材中部24B的底面成為粗面（例如Ra（算數平均粗度） = 1~6μm）。藉由此粗面形狀能夠確保中部惰性氣體供給流路70能使氣體流動。也就是說，因為固定平台停止器防黏材中部24B與平台停止器17之固定螺絲54的螺絲孔56（參照後述圖5）係成為中部惰性氣體排出口71，故惰性氣體的一部分係透過上述螺絲孔56而供給至成膜空間S。藉此，變得能夠減輕在固定螺絲54的成膜。
又，固定螺絲54與平台停止器防黏材外周部24A成膜空間側端面之水平最短距離（距離e）較佳係0.1mm以上，且50mm以下。因為螺絲部容易成為電弧來源及粒子來源，故距離e較佳係遠離成膜空間S。然而，於距離e過小的情況下，螺絲固定的作業性變得困難，且維護性下降。因此，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離e為20mm。
又，中部惰性氣體供給口69與固定螺絲54之水平最短距離（距離i）較佳係100mm以下，在本實施形態中為10mm。藉由使距離i較小，能夠優先地將惰性氣體供給至固定螺絲54的上述螺絲孔56，而能夠抑制朝向中部惰性氣體排出口71內面的成膜。
再者，於平台停止器17中，形成與上部惰性氣體供給口63、下部惰性氣體供給口66、中部惰性氣體供給口69連通之惰性氣體供給流路62B，且惰性氣體供給流路62B的終端係與設置於成膜容器11的惰性氣體供給流路62A連通。惰性氣體供給流路62A、惰性氣體供給流路62B係於成膜容器11及平台停止器17設置貫通孔，並藉由使例如O型環被挾持在兩個供給流路之間，而能夠供給惰性氣體。惰性氣體供給流路62A的另一端側係與設置於成膜容器11的惰性氣體供給部61連接。
在從與氣體流動方向平行之成膜容器11的側面來看的情況下，圖3係平台停止器17及注射器21周邊之擴大圖。在層流流動之原子層成長裝置10中，因為在成膜容器11的側面方向（側壁）具有氣體導入部20及圖1所示之排氣部30，故在成膜容器11的導入部側與排氣部側，有必要於平台停止器防黏材外周部24A設置開口部（防黏材開口部51）。
此處，針對設置於成膜容器11外壁的注射器21及排氣法蘭31進行說明。
設置於氣體導入側的注射器21係如圖3及圖4所示般，具備有開口部（第一開口部）21A，且以調整成膜容器11的氣體導入側開口部25及開口部21A之位置的方式來配置。又，作為注射器21防黏材的注射器防黏材22係藉由注射器21而位於成膜容器11的內側，且被***並安裝於氣體導入側開口部25。
另一方面，如圖1所示，設置於氣體排氣側之排氣法蘭31係具備開口部（第二開口部）31A，且以調整成膜容器11的氣體排氣側開口部33及開口部31A之位置的方式來配置。又，作為排氣法蘭31防黏材的排氣防黏材32係藉由排氣法蘭31而位於成膜容器11的內側，且被***並安裝於氣體排氣側開口部33。
接著，注射器防黏材22及排氣防黏材32各自係於成膜容器11的內側具有較氣體導入側開口部25及氣體排氣側開口部33還大的法蘭（如圖3所示之注射器防黏材法蘭22A及圖1所示之排氣防黏材法蘭32A）。
再者，如圖3所示，平台停止器防黏材外周部24A係在單一位置或複數位置設置防黏材開口部51，且防黏材開口部51係可***並安裝注射器防黏材22及排氣防黏材32，且具有各注射器防黏材22及排氣防黏材32的上述法蘭係大於防黏材開口部51。
也就是說，注射器防黏材22的防黏材開口部27係具有與氣體導入側開口部25相同的大小，且可將注射器防黏材22從成膜容器11側***並安裝。
接著，注射器防黏材22係於成膜容器11側，具有大於氣體導入側開口部25與防黏材開口部27之尺寸的注射器防黏材法蘭22A。
又，防黏材開口部51係具有大於如圖4所示之注射器防黏材法蘭22A外徑0.1mm以上的尺寸，且其較佳係具有大於注射器防黏材法蘭22A壁厚度0.1mm以上的凹洞51A，其中凹洞51A係可收納注射器防黏材法蘭22A。且此係法蘭陷入的部分，藉此，無限制地抑制由平台停止器防黏材外周部24A及注射器防黏材法蘭22A所造成之凹凸，且作為其結果，能夠維持原料氣體及反應氣體的均勻供給。
此處，如圖4所示，平台停止器防黏材外周部24A與注射器防黏材22的間隙係具有用於供給惰性氣體之氣體導入部惰性氣體供給口72的構成。又，平台停止器防黏材外周部24A、注射器防黏材22與注射器防黏材法蘭22A之間隙係具有氣體導入部惰性氣體供給流路73的構成。再者，平台停止器防黏材外周部24A與注射器防黏材法蘭22A的間隙係具有氣體導入部惰性氣體排出口74的構成。
再者，如圖4所示之平台停止器防黏材外周部24A與注射器防黏材22的間隙尺寸（距離j）及平台停止器防黏材外周部24A與注射器防黏材法蘭22A的間隙尺寸（距離k、距離l）較佳係0.1mm以上，且10mm以下。藉由使距離j、距離k及距離l較小，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入氣體導入部惰性氣體供給流路73的內側，且能夠抑制於成膜容器11及平台停止器17成膜。然而，在本實施形態中，因為上部惰性氣體供給流路64A的流路寬度為3mm，故在距離j、距離k及距離l過小的情況下，惰性氣體在氣體導入部惰性氣體供給流路73的氣體供給量下降。因此，必須具有適當的值，例如在本實施形態中距離j、距離k及距離l為1mm。
又，在注射器防黏材法蘭22A的內面與平台停止器防黏材外周部24A的內壁面各自形成螺絲孔，並在彼此之間配置固定螺絲55，且一邊確保在彼此內面的間隙，一邊將注射器防黏材22配置於防黏材開口部51。注射器防黏材法蘭22A與平台停止器防黏材外周部24A的距離係能夠例如藉由在螺絲部分所利用之1mm的墊片（shim）而調整。
再者，針對圖1所示之排氣部30，可說是與氣體導入部20相同。氣體導入側開口部25係可設置複數個，舉例來說，若是在兩個位置具有氣體導入側開口部25及在兩個位置具有氣體排氣側開口部33的原子層成長裝置10，則在四個位置具有圖4所示之防黏材開口部51。
接著，針對平台14、平台停止器防黏材24與成膜容器11間的位置關係、以及平台停止器防黏材24中各供給口進行說明。圖5係顯示圖1所示之原子層成長裝置中成膜容器一部分與平台停止器及平台停止器防黏材的關係之一例之擴大斜視圖；圖6係顯示圖1所示之原子層成長裝置中成膜容器與平台及平台停止器防黏材的位置關係之一例之擴大平面圖。
如圖5所示，平台停止器防黏材24係於上部側及下部側形成開口，且如圖2及圖3所示般，於上部側的開口附近配置平板電極12。另一方面，於下部側的開口附近配置平台14。接著，如圖6所示，以平面視角來看，平台停止器防黏材24係在被配置成將平台14圍繞的同時，沿著成膜容器11側壁的內壁11A配置。再者，在成膜容器11的氣體導入側開口部25配置注射器防黏材22，另一方面，在氣體排氣側開口部33配置排氣防黏材32。
如圖5所示，從上部惰性氣體供給口63、下部惰性氣體供給口66及中部惰性氣體供給口69被供給之惰性氣體較佳係從各自的整個圓周傾注供給。各供給口中的傾注孔徑較佳係在直徑1~3mm的範圍內，亦可為1mm左右。傾注孔的間距較佳係在10~200mm，在本實施形態中係為100mm。又，可於平台停止器17設置貫通孔來達成傾注，亦可各別形成傾注板並安裝於平台停止器17。在圖5所示之構造中，雖然在一個位置設置惰性氣體供給部61，但亦可在複數位置設置惰性氣體供給部61。
又，雖然期望不要將平台停止器17分割，但在處理邊長在1m前後的基板之大面積型原子層成長裝置10中，平台停止器17亦可成為分割構造。此時，舉例來說，在對應於730mm x 920mm之大面積玻璃基板的原子層成長裝置10中，雖然可將平台停止器17二分割或四分割，但進行分割時，較佳係不一一針對平台停止器防黏材外周部24A、平台停止器防黏材中部24B及平台停止器防黏材內周部24C進行分割，而是以圖5的切割面（二分割或四分割）進行分割。藉此，能夠將分割所產生之截面積保留在最小限度，且作為此結果，能夠抑制原料氣體及反應氣體進入切割面。又，亦能夠抑制維護性的下降。
又，較佳係於平台停止器防黏材外周部24A設置用於***吊環的母螺紋絲錐57。在平台停止器防黏材24未進行分割時，或即使在分割後，例如於平台停止器防黏材24形成不鏽鋼等的情況下，其重量變大且手工作業變得困難。此時，因為平台停止器防黏材24有可能必須利用橋式起重機，故藉由將吊環***母螺紋絲錐57，並透過吊環進行懸掛，而能夠搬送平台停止器防黏材24。
根據本實施形態的原子層成長裝置10，藉由與平台14的接觸，而能夠抑制成膜及粉產生在用於劃分成膜空間S與搬送空間T之平台停止器17附近。
也就是說，藉由設置相對於平台14的側部平台防黏材16與周緣部平台防黏材15，並藉由於平台周緣部14A一部分的上方配置平台停止器17，且於平台停止器17上設置平台停止器防黏材24，而能夠藉由防黏材而被覆位於平台14及平台停止器17附近之形成於各部件及部件之間的間隙。
藉此，能夠降低於上述間隙形成薄膜，並產生粉附著的情形。特別是，雖然因為原子層成長裝置10所使用之TMA等原料氣體的擴散性強而容易侵入成膜容器11內的間隙，但因為藉由側部平台防黏材16、周緣部平台防黏材15及平台停止器防黏材24等防黏材來被覆間隙，而能夠防止原料氣體侵入間隙。結果，能夠抑制由薄膜及粉等而形成之粒子的產生。
因此，能夠抑制成膜容器11內粒子的產生，並能夠提升形成於基板100上之薄膜的膜質。
同時，因為能夠容易地進行平台停止器防黏材24的拆卸，故能夠提升成膜容器11及各防黏材的維護作業性。
又，與以經分割的組件來形成平台停止器防黏材24的情況相比，因為藉由使平台停止器防黏材外周部24A、平台停止器防黏材中部24B及平台停止器防黏材內周部24C一體成形來作為平台停止器防黏材24的情況係不會在平台停止器防黏材24本身形成間隙，故能夠更進一步降低粒子的產生。
然而，平台停止器防黏材24亦可以可分割的組件來形成。也就是說，在處理邊長在1m前後的基板之大面積型原子層成長裝置10中，平台停止器防黏材24亦能夠成為可分割的構造。於此情況下，如上述般，不一一針對平台停止器防黏材外周部24A、平台停止器防黏材中部24B及平台停止器防黏材內周部24C進行分割，而是以圖5的切割面（二分割或四分割）進行分割。如此一來，藉由不將平台停止器防黏材24一體成形而是以可分割組件來形成，而能夠更容易的進行在成膜容器11的拆卸。
又，藉由在平台停止器17形成惰性氣體供給流路62B，於成膜處理時，能夠使惰性氣體各自在平台停止器防黏材24與周緣部平台防黏材15之間隙、平台停止器防黏材24與成膜容器11之間隙、平台停止器17與平台停止器防黏材24之間隙流動。
藉此，能夠阻止原料氣體侵入由各部件所形成之上述各間隙，並能夠抑制在平台14、平台停止器17及上述各間隙的成膜。結果，能夠降低成膜容器11的維護頻率並能夠提升原子層成長裝置10的工作效率。
＜原子層成方法＞ 接著，針對使用原子層成長裝置10之形成薄膜的處理順序（原子層成長方法）進行說明。
圖7係顯示實施形態中原子層成長方法的一例之流程圖；圖8（a）~（d）係顯示按照圖7所示流程之薄膜形成順序的一例之基板剖面圖。
首先，在設置於圖1所示之成膜容器11內的平台14上載置基板100。
接著，原料氣體供給部將原料氣體供給至成膜容器11的內部（如圖7所示之步驟s1）。具體而言，將原料氣體供給至圖1所示之成膜容器11的氣體導入部20（步驟s1）。原料氣體係例如TMA，且供給至成膜容器11的內部。原料氣體係例如供給至成膜容器11的內部0.1秒。如圖8（a）所示般，藉由步驟s1將原料氣體110供給至成膜容器11的內部，且使原料氣體110吸附於基板100上，並形成吸附層102。
又，在步驟s1中，亦將來自圖2所示之惰性氣體供給部61的氮氣等惰性氣體F供給至圖1所示之成膜容器11的內部。在本實施形態中，不僅在步驟s1供給惰性氣體，包含在後述之步驟s2~s4中，亦經常將惰性氣體F供給至成膜容器11的內部。藉此，因為將惰性氣體供給至平台停止器17的周圍、成膜容器11的內壁11A、及平台周緣部14A等平台14的周圍，而能夠阻止原料氣體110侵入由各部件所形成之間隙。結果，變得能夠抑制上述間隙及成膜容器11內壁11A的成膜。
接著，停止原料氣體110的供給，並從氣體導入部20供給吹掃氣體（圖7所示之步驟s2）。吹掃氣體係供給至成膜容器11的內部。原料氣體110係從成膜容器11的排氣部30排出至成膜容器11的外部。
上述吹掃氣體係例如供給至成膜容器11的內部0.1秒。接著，排氣部30係將成膜容器11內部的原料氣體110及吹掃氣體112排出。排氣部30係例如將成膜容器11內部的原料氣體110及吹掃氣體112排出2秒。如圖8（b）所示，藉由步驟s2，供給吹掃氣體112至成膜容器11的內部，並將未吸附於基板100上的原料氣體110從成膜容器11吹掃出去。此時，亦從惰性氣體供給部61供給惰性氣體F。
接著，將反應氣體供給至成膜容器11的內部（圖7所示之步驟s3）。具體而言，透過氣體導入部20來供給反應氣體（步驟s3）。反應氣體係通過氣體導入部20的通路，而被供給至成膜容器11的內部。反應氣體係例如供給至成膜容器11的內部1秒。如圖8（c）所示，藉由步驟s3，將反應氣體114供給至成膜容器11的內部，並於基板100的表面形成所欲薄膜層104。再者，作為薄膜層104的一例，其係有機EL的保護膜。又，即使在步驟s3中，亦從惰性氣體供給部61供給惰性氣體F。
接著，停止反應氣體的供給，並將吹掃氣體供給至氣體導入部20（圖7所示之步驟s4）。吹掃氣體112係被供給至成膜容器11的內部。吹掃氣體112係從排氣部30排出至成膜容器11的外部。吹掃氣體係例如供給至成膜容器11的內部0.1秒。排氣部30係將成膜容器11內部的反應氣體114及吹掃氣體112排出至成膜容器11外。如圖8（d）所示般，藉由步驟s4，將吹掃氣體112供給至成膜容器11的內部，並將反應氣體114從成膜容器11吹掃出去。此時，亦從惰性氣體供給部61供給惰性氣體F。
藉由以上所說明之步驟s1~s4，於基板100上形成一原子層的薄膜層104。以下，藉由重複特定次數的步驟s1~s4，能夠形成所欲膜厚的薄膜層104。
如以上般，在本實施形態的原子層成長裝置10中，此成膜處理中（上述步驟s1~s4之間），從惰性氣體供給部61供給惰性氣體F至成膜容器11內。
具體而言，透過形成在用於阻止如圖2所示平台14上昇的平台停止器17之惰性氣體供給流路62B，將惰性氣體F導入成膜容器11內，並將惰性氣體F供給至平台14的側部周邊。
詳細而言，透過從惰性氣體供給流路62B分歧之上部惰性氣體供給流路（第一惰性氣體供給流路）64A，來供給惰性氣體F至配置於平台停止器17上的平台停止器防黏材24與成膜容器11側壁的內壁11A之間的間隙I。又，透過由平台停止器防黏材內周部24C與平台停止器17之間的間隙、及周緣部平台防黏材15與平台停止器防黏材內周部24C之間的間隙所形成之下部惰性氣體供給流路（第二惰性氣體供給流路）67，來供給惰性氣體F至平台14的側部周邊。再者，透過由平台停止器防黏材中部24B與平台停止器17之間的間隙、以及平台停止器防黏材中部24B與平台停止器17頂面之間的間隙所形成之中部惰性氣體供給流路（第三惰性氣體供給流路）70，來供給惰性氣體F。
藉由上述，在本實施形態的原子層成長方法中，在成膜處理期間，能夠使惰性氣體F各自在平台停止器防黏材24與周緣部平台防黏材15之間隙、平台停止器防黏材24與成膜容器11之間隙、及平台停止器17與平台停止器防黏材24之間隙持續流動。
藉此，在成膜處理期間，能夠經常在成膜容器11內維持一定的壓力。雖然當成膜容器11內的壓力變動時容易產生粒子而使形成於基板100上之薄膜的膜質變差，但在本實施形態的原子層成長方法中，因為在成膜處理期間使惰性氣體F持續流動，故能夠維持成膜容器11內的壓力在一定的值而能夠降低粒子的產生。
結果，能夠提升形成於基板100上之薄膜的膜質。
又，藉由使惰性氣體F流動至上述各間隙，能夠阻止原料氣體110及反應氣體114侵入上述各間隙，而能夠抑制平台停止器17及各間隙的成膜。
此處，使用本實施形態所示之原子層成長裝置10，並針對在370mm x 470mm 之大面積玻璃基板形成AlON薄膜進行評價後的結果進行說明。原子層成長裝置10的各種數值係如以下所示。
距離a：3mm、距離b：100mm、距離c：3mm、距離d：3mm、距離e：20mm、距離f：3mm、距離g：50mm、距離h：20mm、距離i：10mm、距離j：1mm、距離k：1mm、距離l：1mm、傾注孔徑：1mm、傾注孔間距：100mm、惰性氣體流量：2000sccm。
又，使用TMA作為液體原料（原料氣體、Al來源），使用氧氣電漿及氮氣電漿作為反應氣體。按照圖7所示之順序進行成膜。成膜容器11內的壓力為100Pa，從上部惰性氣體供給流路64A、64B及下部惰性氣體供給流路67供給作為惰性氣體F之氮氣2000sccm，並在成膜步驟中，經常供給惰性氣體F。
實施成膜處理並使成膜容器11內部的膜厚成為20μm後，並未在平台停止器17上觀察到成膜及粉的產生。藉由使用非為分割構造的平台停止器防黏材24，雖然重量較重，但因為能夠在一次的作業中藉由橋式起重機而容易地拆卸，故能夠顯著地提升維護性。
以上，雖然基於本發明人們所完成之發明的實施形態進行具體說明，但本發明並不限於前述實施形態，只要在不脫離本發明概念之範圍下，亦能夠有各種的變化。
舉例來說，在前述的實施形態中所說明過的原子層成長裝置10亦可使用電漿進行成膜處理，亦可不使用電漿進行成膜處理。
又，在上述實施形態中，雖然使用有機EL的保護膜之情形作為形成於基板100上之薄膜的一例進行說明，但上述薄膜亦可例如為MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的柵極絕緣膜等。
10‧‧‧原子層成長裝置
11‧‧‧成膜容器
11A‧‧‧內壁
12‧‧‧平板電極
13‧‧‧平板電極防黏材
14‧‧‧平台
14A‧‧‧平台周緣部
14B‧‧‧平台基板保持部
15‧‧‧周緣部平台防黏材（第一平台防黏材）
16‧‧‧側部平台防黏材（第二平台防黏材）
17‧‧‧平台停止器
18‧‧‧高頻率電源
20‧‧‧氣體導入部
21‧‧‧注射器
21A‧‧‧開口部（第一開口部）
22‧‧‧注射器防黏材
22A‧‧‧注射器防黏材法蘭
24‧‧‧平台停止器防黏材
24A‧‧‧平台停止器防黏材外周部（第一平台停止器防黏材）
24B‧‧‧平台停止器防黏材中部（第二平台停止器防黏材）
24C‧‧‧平台停止器防黏材內周部（第三平台停止器防黏材）
25‧‧‧氣體導入側開口部
27‧‧‧防黏材開口部
30‧‧‧排氣部
31‧‧‧排氣法蘭
31A‧‧‧開口部（第二開口部）
32‧‧‧排氣防黏材
32A‧‧‧排氣防黏材法蘭
33‧‧‧氣體排氣側開口部
41‧‧‧絕緣支撐體
42‧‧‧頂板
43‧‧‧上部絕緣防黏材
47‧‧‧頂板支撐部
51‧‧‧防黏材開口部
51A‧‧‧凹洞
54、55‧‧‧固定螺絲
56‧‧‧螺絲孔
57‧‧‧母螺紋絲錐
61‧‧‧惰性氣體供給部
62A、62B‧‧‧惰性氣體供給流路
63‧‧‧上部惰性氣體供給口（第一惰性氣體供給口）
64A‧‧‧上部惰性氣體供給流路（第一惰性氣體供給流路）
64B‧‧‧上部惰性氣體供給流路（第一惰性氣體供給流路）
65‧‧‧上部惰性氣體排出口
66‧‧‧下部惰性氣體供給口（第二惰性氣體供給口）
67‧‧‧下部惰性氣體供給流路（第二惰性氣體供給流路）
68‧‧‧下部惰性氣體排出口
69‧‧‧中部惰性氣體供給口（第三惰性氣體供給口）
70‧‧‧中部惰性氣體供給流路（第三惰性氣體供給流路）
71‧‧‧中部惰性氣體排出口
72‧‧‧氣體導入部惰性氣體供給口
73‧‧‧氣體導入部惰性氣體供給流路
74‧‧‧氣體導入部惰性氣體排出口
100‧‧‧基板
102‧‧‧吸附層
104‧‧‧薄膜層
110‧‧‧原料氣體
112‧‧‧吹掃氣體
114‧‧‧反應氣體
s1~s4‧‧‧步驟
a~l‧‧‧距離
S‧‧‧成膜空間
T‧‧‧搬送空間
G‧‧‧板狀部件
I‧‧‧間隙
F‧‧‧惰性氣體
[圖1] 圖1係顯示實施形態中原子層成長裝置構造的一例之概略構成圖。 [圖2] 圖2係顯示圖1所示之原子層成長裝置中惰性氣體供給流路的一例之局部擴大剖面圖。 [圖3] 圖3係顯示在圖1所示之原子層成長裝置中氣體導入側開口部經切割後構造的一例之局部擴大剖面圖。 [圖4] 圖4係顯示圖3所示之氣體導入側開口部附近構造的一例之局部擴大剖面圖。 [圖5] 圖5係顯示圖1所示之原子層成長裝置中成膜容器一部分與平台停止器及平台停止器防黏材的關係之一例之擴大斜視圖。 [圖6] 圖6係顯示圖1所示之原子層成長裝置中成膜容器與平台及平台停止器防黏材的位置關係之一例之擴大平面圖。 [圖7] 圖7係顯示實施形態中原子層成長方法的一例之流程圖。 [圖8] 圖8（a）~（d）係顯示按照圖7所示流程之薄膜形成順序的一例之基板剖面圖。

Claims (19)

  1. 一種原子層成長裝置，其係包含： 成膜容器，其係於基板進行成膜處理； 平台，其係可上下移動且設置於前述成膜容器內，並保持前述基板； 平台停止器，其係停止前述平台的上昇，並藉由與前述平台接觸而劃分出進行前述成膜處理的成膜空間與進行搬送前述基板的搬送空間； 第一平台防黏材，其係被覆前述平台的周緣部；及 平台停止器防黏材，其係設置於前述平台停止器上。
  2. 如請求項1所述之原子層成長裝置，其中，前述平台停止器防黏材係具有： 第一平台停止器防黏材，其係被覆位於前述平台停止器上方之前述成膜容器側壁的內面； 第二平台停止器防黏材，其係被覆前述平台停止器的頂面；及 第三平台停止器防黏材，其係被覆前述平台停止器之基板側的側面。
  3. 如請求項2所述之原子層成長裝置，其中，前述第一、第二及第三平台停止器防黏材係一體成形。
  4. 如請求項2所述之原子層成長裝置，其中，還設有：第二平台防黏材，其係位於前述平台與前述第三平台停止器防黏材之間，且被覆前述平台的側部。
  5. 如請求項1所述之原子層成長裝置，其中，前述平台停止器防黏材係具備第一平台停止器防黏材，其係沿著以平面視角來看為四邊形之前述成膜容器的四個內壁而被配置，且前述第一平台停止器防黏材係由各自沿著前述內壁而配置之四個板狀部件而成；且四個前述板狀部件係各自與其相鄰的前述板狀部件們接觸。
  6. 如請求項5所述之原子層成長裝置，其中，於相鄰前述板狀部件間，構成前述第一平台停止器防黏材的四個前述板狀部件之間係各自不具有空間。
  7. 如請求項5所述之原子層成長裝置，其中，於前述成膜空間的前述內壁與前述平台停止器防黏材之間，具有可供給惰性氣體的間隙。
  8. 如請求項2所述之原子層成長裝置，其中，前述平台停止器係具備： 第一惰性氣體供給口，其係供給惰性氣體至第一惰性氣體供給流路，且前述第一惰性氣體供給流路係由前述第一平台停止器防黏材與前述成膜容器之間的間隙所形成； 第二惰性氣體供給口，其係供給惰性氣體至第二惰性氣體供給流路，且前述第二惰性氣體供給流路係由前述第三平台停止器防黏材與前述平台停止器之間的間隙、及前述第三平台停止器防黏材與前述第一平台防黏材的間隙所形成；其中， 前述平台停止器及前述成膜容器係具備惰性氣體供給流路，其係將前述惰性氣體供給至前述第一惰性氣體供給口及前述第二惰性氣體供給口；及 前述成膜容器係具備惰性氣體供給部，其係供給前述惰性氣體至前述惰性氣體供給流路。
  9. 如請求項2所述之原子層成長裝置，其中，前述平台停止器係具備： 第三惰性氣體供給口，其係供給惰性氣體至第三惰性氣體供給流路，且前述第三惰性氣體供給流路係由前述第二平台停止器防黏材與前述平台停止器的頂面之間的間隙所形成。
  10. 如請求項8所述之原子層成長裝置，其中，在前述平台停止器頂面的周圍，沿著整個圓周形成複數個前述第一惰性氣體供給口，或者在整個圓周連續形成前述第一惰性氣體供給口。
  11. 如請求項8所述之原子層成長裝置，其中，沿著前述平台停止器基板側之側面的整個圓周形成複數個前述第二惰性氣體供給口，或者在整個圓周連續形成前述第二惰性氣體供給口。
  12. 如請求項9所述之原子層成長裝置，其中，沿著前述平台停止器頂面的整個圓周形成複數個前述第三惰性氣體供給口，或者在整個圓周連續形成前述第三惰性氣體供給口。
  13. 如請求項1所述之原子層成長裝置，還具備： 注射器，其係具有第一開口部，且調整前述成膜容器的氣體導入側開口部與前述第一開口部之位置，並設於前述成膜容器的外壁； 注射器防黏材，其係藉由前述注射器而位於前述成膜容器的內側，且***並被安裝於前述氣體導入側開口部； 排氣法蘭，其係具有第二開口部，且調整前述成膜容器的氣體排出側開口部與前述第二開口部之位置，並設於前述成膜容器的外壁； 排氣防黏材，其係藉由前述排氣法蘭而位於前述成膜容器的內側，且***並被安裝於前述氣體排氣側開口部；及 前述注射器防黏材及前述排氣防黏材係各自於前述成膜容器的內側具有比前述氣體導入側開口部及前述氣體排氣側開口部還大的法蘭。
  14. 如請求項13所述之原子層成長裝置，其中，前述第一平台停止器防黏材在單一位置或複數位置設置防黏材開口部，且前述防黏材開口部係可***並安裝前述注射器防黏材及前述排氣防黏材。
  15. 如請求項1所述之原子層成長裝置，還具備： 平板電極，其係與前述平台對向而設置； 絕緣支撐體，其係在前述平板電極的側方支撐前述平板電極； 絕緣防黏材，其係在保持前述絕緣支撐體之頂板支撐部的周緣部，將前述頂板支撐部及前述絕緣支撐體被覆。
  16. 一種原子層成長方法，其係包含： （a）基板載置步驟，其係使基板被載置在設於成膜容器內的平台上； （b）原料氣體吸附步驟，其係在前述（a）步驟之後，從設於前述成膜容器之氣體導入部導入原料氣體至前述成膜容器內，並使前述原料氣體吸附於前述基板上； （c）原料氣體排出步驟，在前述（b）步驟之後，從前述氣體導入部將吹掃氣體導入前述成膜容器內，並將前述原料氣體排出至前述成膜容器外； （d）薄膜形成步驟，在前述（c）步驟之後，從前述氣體導入部將反應氣體導入前述成膜容器內，並將前述反應氣體供給至前述基板上，以於前述基板的表面形成所欲之薄膜； （e）反應氣體排出步驟，在前述（d）步驟之後，從前述氣體導入部將吹掃氣體導入前述成膜容器內，並將前述反應氣體排出至前述成膜容器外；及 在前述（b）~（e）步驟的進行期間使惰性氣體流動至前述成膜容器內。
  17. 如請求項16所述之原子層成長方法，其中，藉由第一惰性氣體供給流路將惰性氣體供給至平台停止器防黏材與前述成膜容器的內壁之間隙，其中，前述平台停止器防黏材係配置在用於停止前述平台上昇之平台停止器上，且前述第一惰性氣體供給流路係從形成於前述平台停止器之惰性氣體供給流路所分歧而來的。
  18. 如請求項17所述之原子層成長方法，其中，藉由前述惰性氣體供給流路中的第二惰性氣體供給流路將前述惰性氣體供給至前述平台的側部。
  19. 如請求項18所述之原子層成長方法，其中，藉由第三惰性氣體供給流路將惰性氣體供給至平台停止器防黏材與前述平台停止器之間隙，且前述第三惰性氣體供給流路係從前述惰性氣體供給流路所分歧而來的。
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