TW201807071A - 感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜 - Google Patents
感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201807071A TW201807071A TW106127832A TW106127832A TW201807071A TW 201807071 A TW201807071 A TW 201807071A TW 106127832 A TW106127832 A TW 106127832A TW 106127832 A TW106127832 A TW 106127832A TW 201807071 A TW201807071 A TW 201807071A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- cured film
- weight
- group
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
- G03F7/021—Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0212—Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the diazo resins or the polymeric diazonium compounds
- G03F7/0217—Polyurethanes; Epoxy resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
- G03F7/2055—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser for the production of printing plates; Exposure of liquid photohardening compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本發明係關於一種感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜。除習知矽氧烷聚合物及1,2-二疊氮醌化合物以外,所述感光性樹脂組合物另外包含熱酸產生劑,且所述二疊氮醌化合物之重氮基萘醌基團(DNQ)與所述矽氧烷聚合物之間的氫鍵可以利用由所述熱酸產生劑產生之酸來裂解,即使在固化膜製備期間不執行光褪色處理。因此,當使用所述感光性樹脂組合物時,可以有效地提供具有較高透射率及較高解析度的固化膜,且對製程設備無任何限制。另外,當由所述熱酸產生劑產生之酸基為具有-5或更低之pKa值的強酸時,可以使所述固化膜之透射率增加最大化。
Description
本發明係關於一種感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜。特定而言,本發明係關於一種正型感光性樹脂組合物(即使省略光褪色處理,可以自其提供具有較高透射率及較高解析度之有機膜)及一種自其製備且用於液晶顯示器或有機EL顯示器之固化膜。
一般而言,透明的平坦化膜出於絕緣之目的形成於薄膜電晶體(TFT)基板上以防止液晶顯示器或有機EL顯示器中的透明電極與資料線之間接觸。經由在資料線附近置放透明的像素電極,可以增加面板之孔隙比且可以獲得高亮度/解析度。為了形成此類透明的平坦化膜,採用數個處理步驟來賦予特定圖案輪廓,且正型感光性樹脂組合物由於需要的處理步驟較少而廣泛用於此方法中。特定言之,含有矽氧烷聚合物之正型感光性樹脂組合物熟知為具有高耐熱性、高透明度及低介電常數的材料。
然而,當包含矽氧烷聚合物之習知正型感光性樹脂組合物用於製造固化膜時,在曝光處理及顯影處理之後且在硬烘烤處理之前需要光褪色處理。若在無光褪色處理之情
況下執行硬烘烤處理,則不移除作為正型感光性樹脂組合物之最重要組分之一的二疊氮醌化合物與矽氧烷聚合物之間的氫鍵,且獲得淡紅色有機膜而非透明的有機膜。因此,透射率(特定言之,約400nm至600nm波長範圍內之透射率)劣化。
因此,在施加正型感光性樹脂組合物之製程設備中必不可少地需要光褪色設備。然而,由於使用光引發劑而非二疊氮醌化合物作為感光劑之負型固化膜之製造製程中未安裝用於光褪色處理之設備,因此在將正型感光性樹脂組合物施加至用於製造負型固化膜之製程設備之情況下應另外安裝用於光褪色處理之設備。
因此,本發明之目標為提供一種即使省略光褪色處理可以提供具有較高透射率及較高解析度之有機膜的正型感光性樹脂組合物,及一種自其製備且用於液晶顯示器或有機EL顯示器的固化膜。
根據本發明之一個態樣,提供一種感光性樹脂組合物,其包括:(A)矽氧烷聚合物;(B)1,2-二疊氮醌化合物;及(C)具有-5至-24之pKa值的熱酸產生劑。
根據本發明之另一態樣,提供一種製備固化膜之方法,其包括:在基板上塗佈感光性樹脂組合物以形成塗層;暴露塗層且使塗層顯影以形成圖案;且固化其上形成圖案之塗層,且不對塗層執行光褪色處理。
根據本發明之一另外態樣,提供一種利用以上製備方法形成之含矽固化膜。
由於本發明之感光性樹脂組合物另外包含除習知矽氧烷聚合物及二疊氮醌化合物以外之熱酸產生劑,所以二疊氮醌化合物之重氮基萘醌基團(DNQ)與矽氧烷聚合物之間的氫鍵可以利用由熱酸產生劑產生之酸來裂解,即使在固化膜之製造期間不執行光褪色處理。因此,當使用感光性樹脂組合物時,可以有效地提供具有較高透射率及較高解析度之固化膜,且不對製程設備進行任何限制。另外,當熱酸產生劑為具有-5或更低之pKa值的強酸時,由熱酸產生劑產生之酸基可以甚至進一步最大化固化膜之透射率之增加。
根據本發明之感光性樹脂組合物包括(A)矽氧烷聚合物、(B)1,2-二疊氮醌化合物及(C)熱酸產生劑,且可以視情況進一步包含(D)環氧化合物、(E)溶劑、(F)界面活性劑和/或(G)黏著輔助劑。
在下文中,將詳細解釋感光性樹脂組合物之各組分。
在本發明中,「(甲基)丙烯醯基」意謂「丙烯醯基」及/或「甲基丙烯醯基」,且「(甲基)丙烯酸酯」意謂「丙烯酸酯」及/或「甲基丙烯酸酯」。
(A)矽氧烷聚合物
矽氧烷聚合物(聚矽氧烷)包含矽烷化合物之縮合物及/或其水解產物。
在此情況下,矽烷化合物或其水解產物可以為單官能至四官能矽烷化合物。
因此,矽氧烷聚合物可以包含選自以下Q類型、T類型、D類型及M類型之矽氧烷結構單元。
-Q類型矽氧烷結構單元:包含一矽原子及相鄰四個氧原子之矽氧烷結構單元,其可以衍生自例如四官能矽烷化合物或具有四個可水解基團之矽烷化合物之水解產物。
-T類型矽氧烷結構單元:包含一矽原子及相鄰三個氧原子之矽氧烷結構單元,其可以衍生自例如三官能矽烷化合物或具有三個可水解基團之矽烷化合物之水解產物。
-D類型矽氧烷結構單元:包含一矽原子及相鄰兩個氧原子之矽氧烷結構單元(亦即線性矽氧烷結構單元),其可以衍生自例如雙官能矽烷化合物或具有兩個可水解基團之矽烷化合物之水解產物。
-M類型矽氧烷結構單元:包含一矽原子及一個相鄰氧原子之矽氧烷結構單元,其可以衍生自例如單官能矽烷化合物或具有一個可水解基團之矽烷化合物之水解產物。
舉例而言,矽氧烷聚合物(A)可以包含衍生自由下式2表示之矽烷化合物的至少一個結構單元,且矽氧烷聚合物可以為例如由下式2表示之矽烷化合物之縮合物及/或其水解產物。
[式2](R5)nSi(OR6)4-n
其中,R5為C1-12烷基、C2-10烯基或C6-15芳基,其中,在多個
R5存在於同一分子中之情況下,各R5可以相同或不同,且在R5為烷基、烯基或芳基之情況下,氫原子可以部分地或完全地經取代,且R5可以包含含有雜原子之結構單元;R6為氫、C1-6烷基、C2-6醯基或C6-15芳基,其中,在多個R6存在於同一分子中之情況下,各R6可以相同或不同,且在R6為烷基、醯基或芳基之情況下,氫原子可以部分地或完全地經取代;且n為0至3之整數。
包含含有雜原子之結構單元之R5之實例可以包含醚、酯及硫化物。
矽烷化合物可以為:四官能矽烷化合物,其中n為0;三官能矽烷化合物,其中n為1;雙官能矽烷化合物,其中n為2;及單官能矽烷化合物,其中n為3。
矽烷化合物之特定實例可以包含(例如):作為四官能矽烷化合物,四乙醯氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四苯氧基矽烷、四苯甲氧基矽烷及四丙氧基矽烷;作為三官能矽烷化合物,甲基三氯矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、五氟苯基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、d3-甲基三甲氧基矽烷、九氟丁基乙基三甲氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、乙烯基
三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、對羥基苯基三甲氧基矽烷、1-(對羥苯基)乙基三甲氧基矽烷、2-(對羥苯基)乙基三甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯基羰氧基)戊基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]丙基三甲氧基矽烷、[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷及3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸;作為雙官能矽烷化合物,二甲基二乙醯氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙胺基)丙基二甲氧基甲基矽烷、3-胺基丙基二乙氧基甲基矽烷、3-氯丙基二甲氧基甲基矽烷、3-巰基丙基二甲氧基甲基矽烷、環己基二甲氧基甲基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷及二甲氧基二對甲苯基矽烷;及作為單官能矽烷化合物,三甲基矽烷、三丁基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三丁基乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)二甲基甲氧基矽烷及(3-縮水甘油氧基丙基)二甲基乙氧基矽烷。
四官能矽烷化合物中較佳的為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷及四丁氧基矽烷;三官能矽烷化合物中較佳的為甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷及丁基三甲氧基矽烷;雙官能矽烷化合物中較佳的為二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷及二甲基二乙氧基矽烷。
此等矽烷化合物可以單獨使用或以其兩者或多於兩者之組合形式使用。
用於製備由式2表示之矽烷化合物之水解產物或其縮合物的條件不受特定限制。舉例而言,所需水解產物或縮合物可以藉由以下步驟製備:將式2之矽烷化合物稀釋於溶劑,所述溶劑諸如乙醇、2-丙醇、丙酮及乙酸丁酯中;向其中添加反應所必需的水及作為催化劑之酸(例如,鹽酸、乙酸、硝酸及其類似物)或鹼(例如,氨、三乙胺、環己胺、氫氧化四甲基銨及其類似物);及接著攪拌因此獲得之混合物以完成水解聚合反應。
藉由式2之矽烷化合物之水解聚合所獲得的縮合物(矽氧烷聚合物)之重量平均分子量較佳在500至50,000之範圍內。在此範圍內,感光性樹脂組合物在顯影劑中可以具有期望的成膜特性、溶解度及溶解速率。
可以視情況選擇用於製備之溶劑及酸或鹼催化劑的類別及其量而不加以特定限制。水解聚合可以在20℃或
更低之低溫下進行,但反應亦可以藉由加熱或回流促進。反應所需時間可以視各種條件而變化,包含矽烷單體之類別及濃度、反應溫度等。一般而言,獲得重量平均分子量為約500至50,000之縮合物所需的反應時間在15分鐘至30天之範圍內;然而,本發明中之反應時間不限於此。
矽氧烷聚合物(A)可以包含線性矽氧烷結構單元(亦即D類型矽氧烷結構單元)。線性矽氧烷結構單元可以衍生自雙官能矽烷化合物,例如由式2表示之矽烷化合物,其中n為2。特定言之,矽氧烷聚合物(A)包含衍生自式2矽烷化合物(其中n為2)之結構單元,其量以Si原子莫耳數目計為0.5莫耳%至50莫耳%,且較佳為1莫耳%至30莫耳%。在此範圍內,固化膜可以維持恆定硬度,且呈現可撓性特性,由此進一步改良對外部應力之抗裂性。
另外,矽氧烷聚合物(A)可以包含衍生自由式2表示之矽烷化合物(其中n為1)的結構單元(亦即,T類型結構單元)。較佳地,矽氧烷聚合物(A)包含衍生自由式2表示之矽烷化合物(其中n為1)的結構單元,其量比以Si原子莫耳數目計為40莫耳%至85莫耳%,更佳為50莫耳%至80莫耳%。在此量範圍內,感光性樹脂組合物可以形成具有較精確圖案輪廓之固化膜。
另外,考慮到固化膜之硬度、敏感性及保持率,矽氧烷聚合物(A)較佳包含衍生自具有芳基之矽烷化合物的結構單元。舉例而言,矽氧烷聚合物(A)可以包含衍生自具有芳基之矽烷化合物的結構單元,其量以Si原子莫耳數目計為30莫耳%至70莫耳%,且較佳為35莫耳%至50莫耳%。
在此範圍內,矽氧烷聚合物與1,2-二疊氮萘醌化合物之相容性良好,且因此可以防止敏感性過度降低同時使固化膜獲得更加有利的透明度。衍生自具有芳基作為R5之矽烷化合物之結構單元可以為衍生自式2矽烷化合物(其中n為1且R5為芳基,特定言之式2矽烷化合物,其中n為1且R5為苯基)的結構單元(亦即,T苯基類型結構單元)。
矽氧烷聚合物(A)可以包含衍生自由式2表示之矽烷化合物(其中n為0)的結構單元(亦即Q類型結構單元)。較佳地,矽氧烷聚合物(A)包含衍生自由式2表示之矽烷化合物(其中n為0)的結構單元,其量以Si原子莫耳數目計為10莫耳%至40莫耳%,且較佳為15莫耳%至35莫耳%。在此範圍內,感光性樹脂組合物可以在形成圖案期間維持其在鹼性水溶液中之溶解度在適當程度,由此防止由組合物之溶解度降低或溶解度急劇增加引起的任何缺陷。
如本文所用,術語「以Si原子莫耳數目計之莫耳%」係指特定結構單元中所含Si原子之莫耳數目相對於構成矽氧烷聚合物之所有結構單元中所含Si原子之莫耳總數目的百分比。
矽氧烷聚合物(A)中矽氧烷單元之莫耳量可以由Si-NMR、1H-NMR、13C-NMR、IR、TOF-MS、元素分析、灰分測定及其類似技術之組合量測。舉例而言,為了量測具有苯基之矽氧烷單元之莫耳量,對全部矽氧烷聚合物進行Si-NMR分析,接著分析苯基結合之Si峰面積及苯基未結合之Si峰面積,且可以因此根據其間的峰面積比計算莫耳量。
本發明之感光性樹脂組合物可以包含矽氧烷聚
合物(A),其量以不包含溶劑之固體含量計按所述組合物之總重量計為50wt%至95wt%,且較佳65wt%至90wt%。在此量範圍內,樹脂組合物可以維持其顯影性在適合水準,由此製備具有經改良之膜保持率及圖案解析度的固化膜。
(B)1,2-二疊氮醌化合物
根據本發明之感光性樹脂組合物包含1,2-二疊氮醌化合物(B)。
1,2-二疊氮醌化合物可以為光阻領域中用作感光劑的任何化合物。
1,2-二疊氮醌化合物之實例包含:酚系化合物與1,2-苯醌二疊氮-4-磺酸或1,2-苯醌二疊氮-5-磺酸之酯;酚系化合物與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸或1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸之酯;羥基經胺基取代之酚系化合物與1,2-苯醌二疊氮-4-磺酸或1,2-苯醌二疊氮-5-磺酸之磺胺;羥基經胺基取代之酚系化合物與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸或1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸之磺胺。以上化合物可以單獨使用或以兩種或多於兩種化合物及其類似物之組合形式使用。
酚系化合物之實例包含:2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮、2,3,3',4-四羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮四羥基二苯甲酮、雙(2,4-二羥基苯基)甲烷、雙(對羥苯基)甲烷、三(對羥苯基)甲烷、1,1,1-三(對羥苯基)乙烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷、2,2-雙(2,3,4-三羥基苯基)丙烷、1,1,3-參(2,5-二甲基-4-羥苯基)-3-苯基丙烷、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚、雙(2,5-二甲基-4-羥苯基)-2-羥基苯基甲烷、
3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺雙茚-5,6,7,5',6',7'-己醇、2,2,4-三甲基-7,2',4'-三羥基黃烷及其類似物。
1,2-二疊氮醌化合物之更特定實例包含:2,3,4-三羥基二苯甲酮與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸之酯、2,3,4-三羥基二苯甲酮與1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸之酯、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸之酯、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚與1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸之酯及其類似物。
以上化合物可以單獨使用或以兩種或多於兩種化合物之組合形式使用。
藉由使用前述較佳化合物,可以改良正型感光性樹脂組合物之透明度。
1,2-二疊氮醌化合物(B)可以按不包含溶劑之固體含量計的100重量份矽氧烷聚合物(A)計以1重量份至25重量份,且較佳地3重量份至15重量份範圍內之量包含於感光性樹脂組合物中。當1,2-二疊氮醌化合物以以上量範圍使用時,樹脂組合物可以更易於形成圖案,而無諸如經塗佈之膜之粗糙表面及顯影後之圖案之底部部分處之浮渣的缺陷。
(C)熱酸產生劑
熱酸產生劑係指在特定溫度下產生酸之化合物。此化合物由酸產生部分及用於阻斷酸特性之阻斷酸部分組成。若熱酸產生劑達到特定溫度,則酸產生部分及阻斷酸部分分離,以產生酸。
本發明中使用之熱酸產生劑在執行預烘烤之溫
度下不產生酸,但在執行後烘烤之溫度下產生酸。產生酸之溫度被稱作起始溫度,其可以在130℃至220℃之範圍內。
熱酸產生劑可以包含胺、第四銨、金屬、共價鍵或類似者作為阻斷酸部分,且更特定言之可以包含胺或第四銨。另外,熱酸產生劑可以包含磺酸酯、磷酸酯、羧酸酯、銻酸鹽或類似者作為酸部分。
包含作為阻斷酸部分之胺的熱酸產生劑具有可較佳溶於水及極性溶劑且甚至適用於無溶劑產物的優點。另外,包含胺之熱酸產生劑可以在廣泛範圍之溫度下產生酸,且在酸產生之後分離的胺化合物輕易地揮發,從而不存在於所施加之材料中。包含胺之例示性熱酸產生劑為TAG-2713S、TAG-2713、TAG-2172、TAG-2179、TAG-2168E、CXC-1615、CXC-1616、TAG-2722、CXC-1767、CDX-3012及其類似物(購自KING Industries)。
呈白色固體粉末之形式的包含第四銨作為阻斷酸部分的熱酸產生劑可溶於相對有限類型之溶劑中。然而,歸因於包含具有80℃至220℃範圍內之起始溫度的第四銨之各種熱酸產生劑之存在,有可能選擇性地使用具有適用於某一製程之起始溫度的熱酸產生劑。另外,由於在包含第四銨之熱酸產生劑之情況下,在酸產生之後分離的化合物殘留所施加的材料,所述熱酸產生劑主要適用於疏水性材料。包含第四銨之例示性熱酸產生劑為CXC-1612、CXC-1733、CXC-1738、TAG-2678、CXC-1614、TAG-2681、TAG-2689、TAG-2690、TAG-2700及其類似物(購自KING Industries)。
歸因於熱酸產生劑之類別之變體及上文所提及
之優點,主要且較佳使用包含胺或作為阻斷酸部分之第四銨的熱酸產生劑。
包含作為阻斷酸部分之金屬的熱酸產生劑通常包含充當催化劑之單價或二價金屬離子,且同時適用於疏水性及親水性材料。包含金屬之例示性熱酸產生劑為CXC-1613、CXC-1739、CXC-1751及其類似物(購自KING Industries)。包括某一金屬之熱酸產生劑鑒於環境及安全性用於有限領域。
在包含作為阻斷酸部分之共價鍵的熱酸產生劑之情況下,在酸產生之後分離的化合物殘留所施加材料,且因此所述熱酸產生劑主要適用於疏水性材料。一般而言,所述熱酸產生劑具有穩定結構,且然而,其可溶於相對地有限類型之溶劑。包含共價鍵之例示性熱酸產生劑為CXC-1764、CXC-1762、d TAG-2507及其類似物(購自KING Industries)。
當分離阻斷酸部分時,本發明中所使用之熱酸產生劑可以具有-5至-24之pKa值,且特定言之-10至-24之pKa值。在此情況下,pKa意謂由-logKa定義之酸解離常數,且pKa值隨酸性之增加而減小。
若由熱酸產生劑產生之酸更強,則二疊氮醌化合物之重氮基萘醌基團(DNQ)與矽氧烷聚合物之間的氫鍵可以更輕易地裂解。出於所述原因,當使用產生-5至-24,特定言之-10至-24之pKa值之強酸的熱酸產生劑時,在即使不執行光褪色處理之情況下可以形成具有較高透射率及較高解析度之固化膜。
本發明中所使用之熱酸產生劑可以為由下式1表
示之化合物:
其中R1至R4各自獨立地為氫原子或經取代或未經取代之C1-10烷基、C2-10烯基或C6-15芳基,且X-為由下式3至式6表示之所述化合物中之一者:
換言之,式1之熱酸產生劑為由經阻斷酸部分()及產生酸之部分(X-)組成之化合物。
熱酸產生劑(C)可以按不包含溶劑之固體含量計的100重量份矽氧烷聚合物(A)計以0.1重量份至10重量份,且較佳0.5重量份至5重量份之量包含於感光性樹脂組合物中。在所述量範圍內,圖案形成可以為容易的,且具有90%或更高,較佳92%或更高之較高透射率的有機膜可以藉由執行後烘烤處理且不執行光褪色處理來更輕易地獲得。
(D)環氧化合物
在本發明之感光性樹脂組合物中,另外與矽氧烷聚合物一起採用環氧化合物以便增加矽氧烷結合劑之內部密度,由此以改良自其製備之固化膜之化學抗性。
環氧化合物可以為包含至少一個環氧基之不飽
和單體的同源寡聚物或異源寡聚物。
包含至少一個環氧基之不飽和單體的實例可以包含(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸4-羥丁酯縮水甘油醚、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、(甲基)丙烯酸4,5-環氧基戊酯、(甲基)丙烯酸5,6-環氧基己酯、(甲基)丙烯酸6,7-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸2,3-環氧環戊酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己酯、丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、丙烯酸α-正丙基縮水甘油酯、丙烯酸α-正丁基縮水甘油酯、N-(4-(2,3-環氧丙氧基)-3,5-二甲苯甲基)丙烯醯胺、N-(4-(2,3-環氧丙氧基)-3,5-二甲基苯基丙基)丙烯醯胺、烯丙基縮水甘油醚、2-甲烯丙基縮水甘油醚、鄰乙烯基苯甲基縮水甘油醚、間乙烯基苯甲基縮水甘油醚、對乙烯基苯甲基縮水甘油醚或其混合物。較佳地,可以使用甲基丙烯酸縮水甘油酯。
可以利用本領域中熟知的任何習知方法來合成環氧化合物。
市售環氧化合物之實例可以包含GHP03(甲基丙烯酸縮水甘油酯均聚物,Miwon Commercial Co.,Ltd.)。
環氧化合物(D)可以進一步包含以下結構單元。
特定實例可以包含衍生自以下之任何結構單元:苯乙烯;具有烷基取代基之苯乙烯,諸如甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、三乙基苯乙烯、丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、庚基苯乙烯及辛基苯乙烯;具有鹵素之苯乙烯,諸如氟苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯及碘苯乙烯;具有烷氧基取代基之苯乙烯,諸如甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯及丙氧基苯乙烯;對
羥基-α-甲基苯乙烯、乙醯基苯乙烯;具有芳環之烯系不飽和化合物,諸如二乙烯苯、乙烯基苯酚、鄰乙烯基苯甲基甲基醚、間乙烯基苯甲基甲基醚及對乙烯基苯甲基甲基醚;不飽和羧酸酯,諸如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-氯丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、α-羥基甲基丙烯酸甲酯、α-羥基甲基丙烯酸乙酯、α-羥基甲基丙烯酸丙酯、α-羥基甲基丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇)甲醚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-苯氧基乙酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、對壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、對壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氟丙酯、(甲基)丙烯酸1,1,1,3,3,3-六氟異丙酯、(甲基)丙烯酸八氟戊酯、(甲基)丙烯酸十七氟癸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊氧基乙酯及(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯;具有N-乙烯基之三級胺,諸如N-乙烯吡咯啶酮、N-乙烯基咔唑及N-乙烯基嗎啉;不飽和醚,諸如乙烯基甲基醚及乙烯基***;不飽和醯亞胺,諸如N-苯基順丁烯二醯亞胺、N-(4-氯苯基)順丁烯二醯亞胺、N-(4-羥苯
基)順丁烯二醯亞胺及N-環己基順丁烯二醯亞胺。衍生自以上例示性化合物之結構單元可以單獨含於環氧化合物(D)中或以其兩者或多於兩者之組合形式含於其中。
為了組合物之可聚合性,苯乙烯化合物在此等實例中係較佳的。
特定言之,就化學抗性而言,更佳的係,環氧化合物(D)藉由不使用衍生自含有此等化合物之間的羧基之單體的結構單元而不含有羧基。
結構單元可以以按構成環氧化合物(D)之結構單元之莫耳總數目計以0莫耳%至70莫耳%,且較佳10莫耳%至60莫耳%之量比使用。在此量範圍內,固化膜可以具有期望的硬度。
環氧化合物(D)之重量平均分子量可以在100至30,000,且較佳1,000至15,000之範圍內。若環氧化合物之重量平均分子量為至少100,則固化膜可以具有經改良之硬度。同樣,若環氧化合物之重量平均分子量為30,000或更小,則固化膜可以具有適用於在其上進行任何平坦化步驟之均勻的厚度。重量平均分子量藉由凝膠滲透層析法(GPC,溶離液:四氫呋喃)使用聚苯乙烯標準物測定。
在本發明之感光性樹脂組合物中,環氧化合物(D)可以按不包含溶劑之固體含量計的100重量份矽氧烷聚合物(A)計以0.5重量份至50重量份,較佳1重量份至30重量份,且更佳5重量份至25重量份、5重量份至20重量份包含於感光性樹脂組合物中。在所述量範圍內,可以改良感光性樹脂組合物之敏感性。
(E)溶劑
本發明之感光性樹脂組合物可以製備為液體組合物形式,以上組分與溶劑混合於其中。溶劑可以為例如有機溶劑。
根據本發明之感光性樹脂組合物中之溶劑之量不受特定限制。舉例而言,感光性樹脂組合物可以含有一定量之溶劑,使得其固體含量以感光性樹脂組合物之總重量計範圍介於10wt%至70wt%,較佳15wt%至60wt%,且更佳20wt%至40wt%。
固體含量係指不包含溶劑之本發明樹脂組合物中所包含的所有組分。在所述量範圍內,可塗佈性可能為有利的,且可以維持合適程度之流動性。
只要本發明之溶劑能夠溶解組合物之各組分且為化學穩定的,則所述溶劑不受特定限制。溶劑之實例可以包含:醇、醚、乙二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、二乙二醇、丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、丙二醇烷基醚丙酸酯、芳族烴、酮、酯及其類似物。
溶劑之特定實例包含:甲醇、乙醇、四氫呋喃、二噁烷、甲基乙二醇乙酸***、乙基乙二醇乙酸***、乙醯乙酸乙酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇二甲醚、乙二醇二***、丙二醇二甲醚、丙二醇二***、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇單丙醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二***、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇***乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二
醇丁醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、環戊酮、環己酮、2-庚酮、γ-丁內酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、2-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮及其類似物。
在此等例示性溶劑中較佳為乙二醇烷基醚乙酸酯、二甘醇、丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯及酮。特定言之,二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二***、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇甲醚乙酸酯、2-甲氧基丙酸甲酯、γ-丁內酯及4-羥基-4-甲基-2-戊酮係較佳的。
以上化合物可以單獨使用或以其兩者或多於兩者之組合形式使用。
(F)界面活性劑
本發明之感光性樹脂組合物可以進一步包含界面活性劑以增強其可塗佈性。
界面活性劑之類別不受限制,但較佳為氟基界面活性劑、矽基界面活性劑、非離子型界面活性劑及其類似物。
界面活性劑之特定實例可以包含:氟基界面活性劑及矽基界面活性劑,諸如由Dow Corning Toray Silicon Co.,Ltd.製造之FZ-2122,由BM CHEMIE Co.,Ltd.製造之BM-1000及BM-1100,由Dai Nippon Ink Kagagu Kogyo Co.,Ltd.製造
之Megapack F-142 D、Megapack F-172、Megapack F-173及Megapack F-183,由Sumitomo 3M Ltd.製造之Florad FC-135、Florad FC-170 C、Florad FC-430及Florad FC-431,由Asahi Glass Co.,Ltd.製造之Sufron S-112、Sufron S-113、Sufron S-131、Sufron S-141、Sufron S-145、Sufron S-382、Sufron SC-101、Sufron SC-102、Sufron SC-103、Sufron SC-104、Sufron SC-105及Sufron SC-106,由Shinakida Kasei Co.,Ltd.製造之Eftop EF301、Eftop EF303及Eftop EF352,由Toray Silicon Co.,Ltd.製造之SH-28 PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428、DC-57及DC-190;非離子型界面活性劑,諸如聚氧乙烯烷基醚(包含聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚及其類似物)、聚氧乙烯芳基醚(其包含聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚及其類似物)及聚氧乙烯二烷基酯(其包含聚氧乙烯二月桂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯及其類似物);及有機矽氧烷聚合物KP341(由Shin-Etsu Kagagu Kogyo Co.,Ltd.製造)、(甲基)丙烯酸酯基共聚物Polyflow第57號及第95號(Kyoeisha Yuji Chemical Co.,Ltd.)及其類似物。其可以單獨使用或以其兩者或多於兩者之組合形式使用。
界面活性劑(F)可以按100重量份矽氧烷聚合物(A)計以使得不包含溶劑之固體含量範圍介於0.001重量份至5重量份,且較佳0.05重量份至2重量份的量包含於感光性樹脂組合物中。在所述量範圍內,可以改良組合物之可塗佈性。
(G)黏著輔助劑
本發明之感光性樹脂組合物可以另外包含黏著輔助劑以改良與基板之黏著性。
黏著輔助劑可以包含選自由以下組成之群的至少一個反應性基團:羧基、(甲基)丙烯醯基、異氰酸酯基、胺基、巰基、乙烯基及環氧基。
黏著輔助劑之類別不受特定限制,且其實例可以包含選自由以下組成之群的至少一個:三甲氧基矽基苯甲酸、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷及β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷,且較佳實例可以包含γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷或N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷,所述化合物可以增加保留率且與基板具有良好黏著性。
黏著助劑(G)可以按100重量份矽氧烷聚合物(A)計以使得不包含溶劑之固體含量範圍介於0.001重量份至5重量份、較佳0.01重量份至2重量份之量含有。在所述量範圍內,可以防止解析度劣化,且可以進一步改良塗層與基板之黏著性。
此外,僅當本發明之感光性樹脂組合物之物理特性未受到不利地影響時,其他添加組分才可以包含於其中。
本發明之感光性樹脂組合物可以用作正型感光性樹脂組合物。
特定言之,本發明之感光性樹脂組合物另外包含
除習知矽氧烷聚合物及二疊氮醌化合物以外之熱酸產生劑,且二疊氮醌化合物之重氮基萘醌基團(DNQ)與矽氧烷聚合物之間的氫鍵可以利用由熱酸產生劑產生之酸來裂解,即使在固化膜之製備期間不執行光褪色處理。因此,當使用感光性樹脂組合物時,可以有效地提供具有較高透射率及較高解析度之固化膜,且不對製程設備進行任何限制。另外,當熱酸產生劑為強酸且其pKa值為-5或更低時,由熱酸產生劑產生之酸基可以甚至進一步最大化固化膜之透射率之增加。
另外,本發明提供一種製備固化膜之方法,所述方法包括:在基板上塗佈感光性樹脂組合物以形成塗層;暴露塗層且使塗層顯影以形成圖案;且固化其上形成圖案之塗層,且不對所述塗層執行光褪色處理。
塗佈步驟可以利用旋塗法、狹縫塗佈法、滾塗法、網板印刷法、施料器方法及其類似方法以例如1μm至25μm之所需厚度進行。
接著,特定言之,基板上塗佈之感光性樹脂組合物可以在例如60℃至130℃之溫度下經歷預烘烤以移除溶劑;接著使用具有所需圖案之光罩曝露於光;且使用顯影劑,例如氫氧化四甲基銨(TMAH)溶液進行顯影,以在塗層上形成圖案。曝光可以以10mJ/cm2至200mJ/cm2之曝光率基於200nm至500nm之波長帶中365nm之波長進行。可以使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈、氬氣雷射等作為光源用於曝光(照射);且視需要亦可以使用X射線、電子射線等。
接著,在相對於經圖案化塗層不執行光褪色處理
之情況下,在例如150℃至300℃之溫度下使經圖案化塗層經歷後烘烤10分鐘至2小時,以製備所需固化膜。
對於習知正型固化膜,執行某一時段的曝光處理(例如在藉由使用諸如對準器之設備執行後烘烤處理之前),其能夠以基於365nm之波長以200mJ/cm2的曝光率發射具有200nm至450nm之波長的光,且此處理被稱作光褪色。對於習知正型固化膜,光褪色處理為主要需要的,但對於由本發明之感光性樹脂組合物製備之固化膜,可以省略光褪色處理。
因此製備之固化膜在抗熱性、透明度、介電常數、耐溶劑性、抗酸性及抗鹼性方面具有極佳物理特性。
因此,當組合物經歷熱處理或浸沒於溶劑、酸、鹼等中或與其接觸時,固化膜具有極佳透光率而無表面粗糙度。因此,固化膜可以有效地用作平坦化膜用於液晶顯示器或有機EL顯示器之TFT基板;有機EL顯示器之分隔物;半導體裝置之層間介電;光波導之核心或包覆材料等。
另外,本發明提供一種利用以上製備方法製備之含矽固化膜及包含作為保護膜之固化膜的電子部分。如上文所描述,含矽固化膜可以具有90%或更高,或92%或更高之透射率。
在下文中,將參考以下實例更詳細地描述本發明。然而,提供此等實例僅為說明本發明,且本發明之範圍不限於此。
在以下實例中,利用凝膠滲透層析法(GPC)使用聚苯乙烯標準物測定重量平均分子量。
向配備有回流冷凝器之反應器中添加40wt%苯基三甲氧基矽烷、15wt%甲基三甲氧基矽烷、20wt%四乙氧基矽烷及20wt%純水,且接著向其中添加5wt%丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA),隨後在0.1wt%草酸催化劑存在下回流且攪拌混合物7小時,且接著冷卻。之後,用PGMEA稀釋反應產物,使得固體含量為40wt%。合成具有約5,000Da至8,000Da之重量平均分子量的矽氧烷聚合物。
向配備有回流冷凝器之反應器中添加20wt%苯基三甲氧基矽烷、30wt%甲基三甲氧基矽烷、20wt%四乙氧基矽烷及15wt%純水,且接著向其中添加15wt% PGMEA,隨後在0.1wt%草酸催化劑存在下回流且攪拌混合物6小時,且接著冷卻。之後,用PGMEA稀釋反應產物,使得固體含量為30wt%。合成具有約8,000Da至13,000Da之重量平均分子量的矽氧烷聚合物。
向配備有回流冷凝器之反應器中添加20wt%苯基三甲氧基矽烷、30wt%甲基三甲氧基矽烷、20wt%四乙氧基矽烷及15wt%純水,且接著向其中添加15wt% PGMEA,隨後在0.1wt%草酸催化劑存在下回流且攪拌混合物5小時,且接著冷卻。之後,用PGMEA稀釋反應產物,使得固體含量為30wt%。合成具有約9,000Da至15,000Da之重量平均分子量的矽氧烷聚合物。
將配備有冷凝器之三頸燒瓶置放於具有自動溫度控制器之攪拌器上。將100重量份包含甲基丙烯酸縮水甘油酯之單體(100莫耳%)、10重量份2,2'-偶氮二(2-甲基丁腈)及100重量份PGMEA置於燒瓶中,且向燒瓶中饋入氮。將燒瓶加熱至80℃,同時緩慢攪拌混合物,且維持溫度5小時,以獲得具有6,000Da至10,000Da之重量平均分子量的環氧化合物。接著,向其中添加PGMEA以將其固體含量調整為20wt%。
使用以上合成實例中獲得之化合物製備以下實例及比較實例之感光性樹脂組合物。
此外,以下化合物用於實例及比較實例:
-1,2-二疊氮醌化合物:MIPHOTO TPA-517,Miwon Commercial Co.,Ltd.MIPHOTO BCF-530D,Miwon Commercial Co.,Ltd.
-熱酸產生劑:TAG-2678(-10至-24之pKa,KING Industries Co.,Ltd.)CXC-1615(-10至-24之pKa,KING Industries Co.,Ltd.)TAG-2172(0至-1之pKa,KING Industries Co.,Ltd.)
-溶劑:丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA),Chemtronics Co.,Ltd.γ-丁內酯(GBL),BASF
-界面活性劑:矽類調平界面活性劑,FZ-2122,Dow Corning Toray Silicon Co.,Ltd.
實例1:混合27.5重量份合成實例1之矽氧烷聚合物(a)之溶液、36.3重量份合成實例2之矽氧烷聚合物(b)之溶液及36.2重量份合成實例3之矽氧烷聚合物(c)之溶液,且接著均勻地混合按100重量份總矽氧烷聚合物計5.33重量份作為1,2-二疊氮醌化合物之MIPHOTO TPA-517、1.0重量份作為熱酸產生劑之TAG-2678及23.7重量份作為合成實例4之環氧化合物及1.1重量份界面活性劑。將混合物溶解於呈溶劑形式之PGMEA與GBL(按重量計PGMEA:GBL=85:15)之混合物中,使得固體含量為22wt%。將混合物攪拌1小時及30分鐘,且使用具有0.2μm孔之過濾膜過濾,以獲得具有22wt%之固體含量的組合物溶液。
實例2至實例5及比較例1至比較例4:除各組分之類別和/或量的改變如下表1中所述加以改變以外,利用實例1中描述的相同方法製備組合物溶液。
藉由旋塗將實例及比較實例中所獲得之組合物中之各者塗佈於氮化矽基板上,且在110℃下保持之加熱板上預烘烤90秒,以形成具有3.3μm之厚度的乾燥膜。利用2.38wt%氫氧化四甲基銨水溶液經由流體噴嘴在23℃下使乾燥膜顯影60秒,以獲得有機膜。接著,用裸眼及顯微鏡(STM6-ML,奧林巴斯(Olympus))觀測如此獲得之有機膜,且檢查混濁(污點)發生率及表面形態。若表面檢查未發現白色渾濁、混濁及破裂,則將表面形態評估為良好。
藉由旋塗將實例及比較實例中所獲得之組合物
中之各者塗佈於氮化矽基板上,且在110℃下保持之加熱板上預烘烤90秒,以形成具有3.3μm之厚度的乾燥膜。利用2.38wt%氫氧化四甲基銨水溶液經由流體噴嘴在23℃下使乾燥膜顯影60秒。接著,基板在對流烘箱中在230℃下加熱30分鐘,以獲得固化膜。固化膜之厚度使用非接觸型厚度量測裝置(SNU Precision)來量測。另外,對於固化膜而言,400nm波長下之透射率使用UV光譜法(Cary 10)來量測。若固化膜之透射率值為90%或更高,則將透射率評估為良好。
經由旋塗將實例及比較實例中所獲得之組合物中之各者塗佈於氮化矽基板上,且在110℃下保持之加熱板上預烘烤90秒,以形成乾燥膜。使用對準器(型號名稱:MA6)(其發射波長為200nm至450nm之光),經由具有由尺寸範圍介於2μm至25μm之方形孔洞組成之圖案的遮罩,以0mJ/cm2至200mJ/cm2之曝光率將乾燥膜曝露於基於365nm波長之光某一時間段,且藉由經由噴嘴在23℃下噴塗2.38wt%氫氧化四甲基銨水性顯影劑使乾燥膜顯影。接著,曝光膜在對流烘箱中在230℃下加熱30分鐘,以獲得具有3.0μm之厚度的固化膜。
對於經由尺寸為20μm之遮罩形成之孔洞圖案而言,獲得為達到19μm臨界尺寸(CD,單位:μm)所需的曝光能量之量。曝光能量愈低,則固化膜之敏感性愈佳。
使用實例及比較實例中所製備之感光性樹脂組合物,利用實驗實例3中所描述的相同方法獲得固化膜。為
量測如此獲得之固化膜之圖案之解析度,使用微型光學顯微鏡(由奧林巴斯製造之STM6-LM)觀測圖案之最小尺寸且量測解析度。亦即,當20μm圖案化孔洞圖案之CD為19μm時,量測用最佳曝光劑量固化之後之最小圖案尺寸。當解析度值減小時,可以獲得較小圖案,且可以改良解析度。
實驗結果概括於下表2中。
如表2中所展示,由包含於本發明之範圍中的實例實施例之組合物形成之固化膜具有極佳表面狀態、透射率、敏感性及解析度,即使省略光褪色處理。相反,自根據不包含於本發明之範圍中的比較實例之組合物獲得之固化膜呈現至少一個較差結果。
Claims (8)
- 一種感光性樹脂組合物,包括:(A)矽氧烷聚合物;(B)1,2-二疊氮醌化合物;以及(C)熱酸產生劑,其具有-5至-24的pKa值。
- 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組合物,其中所述熱酸產生劑為由下式1表示之化合物:
- 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組合物,其中(A)所述矽氧烷聚合物包括衍生自由下式2表示之矽烷化合物的至少一個結構單元:[式2](R5)nSi(OR6)4-n其中,R5為C1-12烷基、C2-10烯基或C6-15芳基,其中,在多個R5存在於同一分子中之情況下,各R5可以相同或不同, 且在R5為烷基、烯基或芳基之情況下,氫原子可以部分地或完全地經取代,且R5可以包括含有雜原子之結構單元;R6為氫、C1-6烷基、C2-6醯基或C6-15芳基,其中,在多個R6存在於同一分子中之情況下,各R6可以相同或不同,且在R6為烷基、醯基或芳基之情況下,氫原子可以部分地或完全地經取代;且n為0至3之整數。
- 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組合物,其中所述感光性樹脂組合物進一步包括(D)環氧化合物。
- 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組合物,其中按固體含量計,(C)所述熱酸產生劑的含量以100重量份所述矽氧烷聚合物計,為0.1重量份至10重量份。
- 一種製備固化膜之方法,所述方法包括:在基板上塗佈如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組合物以形成塗層;暴露所述塗層且使所述塗層顯影以形成圖案;且在對所述塗層不執行光褪色處理的情況下,使其上形成所述圖案之所述塗層固化。
- 一種含矽固化膜,其由如申請專利範圍第6項之方法形成。
- 如申請專利範圍第7項之含矽固化膜,其具有90%或更高之透射率。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??10-2016-0105487 | 2016-08-19 | ||
KR20160105487 | 2016-08-19 | ||
KR10-2016-0105487 | 2016-08-19 | ||
KR10-2017-0100220 | 2017-08-08 | ||
??10-2017-0100220 | 2017-08-08 | ||
KR1020170100220A KR102472280B1 (ko) | 2016-08-19 | 2017-08-08 | 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201807071A true TW201807071A (zh) | 2018-03-01 |
TWI788299B TWI788299B (zh) | 2023-01-01 |
Family
ID=61401364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106127832A TWI788299B (zh) | 2016-08-19 | 2017-08-16 | 感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190163062A1 (zh) |
JP (1) | JP7196061B2 (zh) |
KR (1) | KR102472280B1 (zh) |
CN (1) | CN109478017B (zh) |
TW (1) | TWI788299B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018189732A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ポジ型感光性シロキサン組成物、およびそれを用いて形成した硬化膜 |
KR102674721B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2024-06-14 | 듀폰스페셜티머터리얼스코리아 유한회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
CN113671795B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-05-24 | 深圳迪道微电子科技有限公司 | 高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1662322B1 (en) | 2004-11-26 | 2017-01-11 | Toray Industries, Inc. | Positive type photo-sensitive siloxane composition, curing film formed by the composition and device with the curing film |
US7585613B2 (en) * | 2006-01-25 | 2009-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflection film composition, substrate, and patterning process |
JP4910646B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2012-04-04 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物およびその製造方法、感光性シロキサン組成物から形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP5533232B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-06-25 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性組成物、硬化膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法、表示素子、及び層間絶縁膜形成用のシロキサンポリマー |
JP5867006B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2016-02-24 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子 |
KR20130113635A (ko) * | 2012-04-06 | 2013-10-16 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기실록산 중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물 |
KR102448657B1 (ko) * | 2014-08-27 | 2022-09-28 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 층간 절연막 형성용 감광성 수지 조성물, 층간 절연막 및 층간 절연막의 형성 방법 |
-
2017
- 2017-08-08 KR KR1020170100220A patent/KR102472280B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-10 JP JP2019503677A patent/JP7196061B2/ja active Active
- 2017-08-10 US US16/321,119 patent/US20190163062A1/en not_active Abandoned
- 2017-08-10 CN CN201780046228.6A patent/CN109478017B/zh active Active
- 2017-08-16 TW TW106127832A patent/TWI788299B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180020885A (ko) | 2018-02-28 |
KR102472280B1 (ko) | 2022-12-01 |
JP2019526822A (ja) | 2019-09-19 |
TWI788299B (zh) | 2023-01-01 |
CN109478017A (zh) | 2019-03-15 |
CN109478017B (zh) | 2023-05-09 |
JP7196061B2 (ja) | 2022-12-26 |
US20190163062A1 (en) | 2019-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI702472B (zh) | 正型感光性樹脂組成物及自其製備之固化膜 | |
TWI719070B (zh) | 感光性樹脂組成物及自其製備之固化膜 | |
TWI790299B (zh) | 光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜 | |
TWI755757B (zh) | 感光性樹脂組合物及由其製備之固化膜 | |
US11106133B2 (en) | Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom | |
TWI788299B (zh) | 感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜 | |
TWI773690B (zh) | 感光性樹脂組合物及由其製備之固化膜 | |
US20230109843A1 (en) | Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom | |
TW202004345A (zh) | 正型感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜 | |
JP2018060191A (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜 | |
TWI739767B (zh) | 感光性樹脂組成物、自其製備之固化膜、及使用該感光性樹脂組成物形成圖案之方法 | |
TW202020564A (zh) | 正型光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜 | |
KR20230102745A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 | |
KR20200083196A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막 |