TW201725651A - 樣品的脫離方法及電漿處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明,係提供可減低往樣品附著的異物的樣品的脫離方法及電漿處理裝置。本發明,係在從對靜電吸附用的電極施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離的樣品的脫離方法中,使前述經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後,以前述樣品的電位變小的方式控制前述直流電壓。
Description
本發明係有關半導體裝置的製造的技術。尤其本發明係有關適合於半導體裝置的製造的樣品的脫離方法及電漿處理裝置。
在半導體製造中的電漿處理方法的一者方面具有電漿蝕刻。在電漿蝕刻,係將樣品基板(晶圓)載置於處理室內部的樣品台上,予以曝露於電漿。此情況下,針對導入處理室的氣體種類、施加於晶圓的高頻電力等各種的處理條件進行調整從而將晶圓上的特定的積層膜選擇性除去,而在晶圓上形成微細的電路圖案。
在如上述的電漿蝕刻中,基於處理中的晶圓偏位的防止、晶圓溫度調整的要求等,一般而言,晶圓係利用靜電吸附電極等而固定於樣品台上。處理的結束後係解除晶圓的固定,並利用將晶圓朝樣品台上方上推的脫離機構等而使晶圓從樣品台脫離從而進行從處理室的搬出。
在採用靜電吸附電極的晶圓吸附方面,係利用對電極施加電壓因而產生於存在於電極與晶圓之間的介
電體膜等的靜電力而進行晶圓的吸附。因此雖可遮斷施加於電極的電壓從而進行吸附的解除,惟此情況下由於對於介電體膜、晶圓等的除電不充分因而殘留電荷,使得有時往電極的施加電壓遮斷後仍保持對於晶圓的吸附力。
產生如上述之殘留吸附力,使得具有在將晶圓從樣品台脫離時發生晶圓的偏位的情況、在脫離時由於施加於晶圓之力使得晶圓破損的情況等。晶圓偏位的發生係帶來搬送時的裝置錯誤的風險,依情況有時產品處理會停止。晶圓的破損,係除了晶圓本身的損耗以外,有時在直到將破損的晶圓從裝置內除去等裝置的原狀恢復方面需要時間。任一情況下皆有高度可能對產品產量造成不良影響,除電所致的殘留吸附力的減低係在為了減低上述風險方面為必要。在供於減低殘留吸附力用的除電方法方面係迄今已知如以下的手法。
於專利文獻1中,已揭露一種除電處理方法,具備:對靜電吸附裝置的靜電吸附電極施加吸附電壓,而使被處理基板靜電吸附於前述靜電吸附電極的程序;在前述被處理基板被靜電吸附於前述靜電吸附電極的狀態下,對前述被處理基板實施處理的程序;對於前述被處理基板的處理結束後,將腔室內進行真空排氣的真空處理程序;在前述真空處理程序的期間,將前述靜電吸附電極的電壓以與前述吸附電壓同極性的電壓予以穩定的程序;前述靜電吸附電極的電壓穩定後,對前述腔室內供應除電用氣體的程序;將供應至前述腔室內的前述除電用氣
體電漿化的程序;使前述被處理基板從前述靜電吸附電極脫離的程序;以及前述被處理基板從前述靜電吸附電極脫離後,使前述靜電吸附電極為參考電位的程序。
此外,於專利文獻2中,已揭露一種除電處理方法,其係使載置於將電極內包的介電體上,並由於往前述電極的既定極性的直流電壓的施加而因靜電力吸附於前述介電體的被吸附物,從前述介電體脫離的脫離方法,具備:停止往前述電極的前述直流電壓的施加的程序;使前述被吸附物曝露於除電用的電漿的程序;以及將與往前述電漿的曝露因而產生於前述被吸附物的自偏壓同極性的直流電壓施加於前述電極的電壓施加程序。
[專利文獻1]日本專利特開2010-40822號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-47511號公報
專利文獻1及2中,係未考量任何有關由於伴隨利用了電漿的除電處理的來自電漿的帶電粒子流入使得在晶圓表面出現電位的情形。於電漿蝕刻中,係在所處理的晶圓的背面存在高電阻的膜,多半可視為晶圓與其他構造物幾乎絕緣。
如上述般晶圓絕緣的情況下,係從電漿流入的帶電粒子無法從晶圓移動,故電漿的消失後電漿的浮動電位恐仍殘存於晶圓的表面。該電位係直到結束電漿放電,並將晶圓從處理室搬出為止的期間被保持於晶圓。
此外,雖已知電漿生成時係在晶圓上形成電漿鞘使得往晶圓的真空處理室內的塵埃(以下,記載為異物)附著被防止,惟電漿放電的結束後係因電漿鞘所致的異物附著防止效果不會作用,故異物容易附著於晶圓。
再者有時亦由於載置晶圓的偶極電極的面積差、電容(電阻)、歷時變化等的未意圖的因素使得在晶圓產生電位。
如上述在電漿放電的結束後於晶圓表面出現電位時,因該電位而帶電的異物被引誘附著於晶圓,成為招致良率的不良化的原因。
本發明,係鑑於上述之課題,提供可減低往樣品附著的異物的樣品的脫離方法及電漿處理裝置。
本發明,係在從對靜電吸附用的電極施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離的樣品的脫離方法中,使前述經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後,以前述樣品的電位變小的方式控制前述直流電壓。
此外,本發明,係在從對靜電吸附用的電極
施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離的樣品的脫離方法中,使供於使前述經靜電吸附的樣品從前述樣品台脫離用的電漿關斷後,使前述直流電壓藉使前述電漿關斷前的前述直流電壓而往正的方向變化。
再者本發明,係在具備利用電漿使得樣品被處理的處理室、供應供於生成前述電漿用的高頻電力的高頻電源、配置有供於使前述樣品靜電吸附用的電極並載置有前述樣品的樣品台、及對前述電極施加直流電壓的直流電源的電漿處理裝置中,進一步具備:使經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後,以前述樣品的電位成為小的方式控制前述直流電源的輸出值的控制裝置。
此外,本發明,係在具備利用電漿使得樣品被處理的處理室、供應供於生成前述電漿用的高頻電力的高頻電源、配置有供於使前述樣品靜電吸附用的電極並載置有前述樣品的樣品台、及對前述電極施加直流電壓的直流電源的電漿處理裝置中,進一步具備:使供於使經靜電吸附的樣品從前述樣品台脫離用的電漿關斷後,以使前述直流電壓藉使前述電漿關斷前的前述直流電壓往正的方向變化的方式而控制前述直流電源的輸出值的控制裝置。
依本發明,使得可減低往樣品附著的異物。
101‧‧‧處理室
102‧‧‧樣品台
103‧‧‧晶圓
104‧‧‧螺線管線圈
105‧‧‧微波電源
106‧‧‧微波振盪源
107‧‧‧導波管
108‧‧‧靜電吸附電極
109‧‧‧靜電吸附電極
110‧‧‧可變直流電源
111‧‧‧可變直流電源
112‧‧‧介電體層
113‧‧‧貫通孔
114‧‧‧上推銷
115‧‧‧記憶裝置
116‧‧‧控制裝置
501‧‧‧晶圓搬送臂
501a‧‧‧導體部分
501b‧‧‧介電體的膜
502‧‧‧晶圓
[圖1]針對本發明相關之電漿處理裝置的主要部分剖面的構成進行繪示的圖。
[圖2]針對歷來的除電處理進行繪示的時序圖。
[圖3]針對本發明進行繪示的流程圖。
[圖4]針對本發明相關之除電處理進行繪示的時序圖。
[圖5]針對具有相對於地表之晶圓的電容非常大的構造的搬送機構進行繪示的圖。
[圖6]針對上推銷上升後的晶圓電位與往靜電吸附電極的施加電壓的關係進行繪示的圖形。
[圖7]針對將可變直流電源、靜電吸附電極、介電體層、晶圓及上推銷進行了模型化的等效電路進行繪示的圖。
[圖8]針對浮動電位的微波入射電力依存性與浮動電位的處理壓力依存性進行繪示的圖。
[圖9]針對晶圓電位的變化量與T1的關係進行繪示的圖。
[圖10]針對在異物的往晶圓的到達率方面的晶圓表面電位依存性進行繪示的圖。
[圖11]針對本發明相關之除電處理進行繪示的時序圖。
以下,說明有關本發明相關之各實施形態。
利用圖1至圖10說明有關本發明的實施形態1的樣品的脫離方法。圖1,係繪示實施形態1的電漿處理裝置的主要部分剖面的構成。圖1的實施形態1的電漿處理裝置,係電子迴旋諧振(Electron Cyclotron Resonance:ECR)型電漿蝕刻裝置。以下,將電子迴旋諧振記載為ECR。
圖1的是ECR型電漿蝕刻裝置的電漿處理裝置,係在是真空處理室的處理室101的內部的是樣品的載置台的樣品台102上,載置作為樣品的半導體基板的晶圓103,在處理室101的內部使電漿生成從而進行基板的蝕刻處理。
處理室101的內壁基材,係包含經接地的導體。在本實施例,上述包含經接地的導體的內壁基材,係亦可曝露於電漿。此外,該導體內壁基材,係亦可具有在電漿消失後該內壁表面迅速成為大致0V的程度的薄的介電體的膜。
電漿處理裝置,係在使電漿產生的機構方面,具備螺線管線圈104、是高頻電源的微波電源105、微波振盪源106、及微波導波管107。在真空處理室內係因螺線管線圈104而產生磁場。藉來自微波電源105的高
頻電力以微波振盪源106予以產生的微波,係經由導波管107而導入處理室101。微波,係在以螺線管線圈104予以產生的磁場中藉ECR對於電子賦予能量。該電子使從未圖示的氣體供應源所供應的氣體電離,從而予以生成電漿。
進行上述電漿處理的期間,對晶圓103的背面,係供應供於調整該晶圓103的溫度用的冷卻氣體。為了防止因冷卻氣體所致的晶圓103的偏位,晶圓103係藉雙極型(偶極)的靜電吸附電極108、109而吸附於樣品台102上。靜電吸附電極108、109,係在同心圓上作為其中一個電極的靜電吸附電極108配置於內側,而作為另一個電極的靜電吸附電極109配置於外側。
在靜電吸附用電極108、109,係分別連接是獨立的電源的可變直流電源110、111。在內側的靜電吸附用電極108,係連接著其中一個可變直流電源110,在外側的靜電吸附用電極109,係連接著另一個可變直流電源111。在靜電吸附電極108、109與晶圓103之間,係存在介電體層112。靜電吸附電極108、109與晶圓103,係帶著有限的電阻值與電容而電氣連接。
對靜電吸附用電極108、109,係在進行晶圓的吸附時由各自的電源施加反極性的電壓。例如,對內側的靜電吸附電極108,係藉可變直流電源110施加+500V的電壓,對外側的靜電吸附電極109,係藉可變直流電源111施加-500V的電壓。
然而,不以進行吸附為目的的情況下,係亦可對靜電吸附用電極108、109由各自的電源施加同極性的電壓。藉如上述之同極性的電壓施加,未實施電漿放電的情況下係不進行吸附,而可控制晶圓的電位。例如,對內側的靜電吸附電極108藉可變直流電源110施加+500V的電壓,對外側的靜電吸附電極109藉可變直流電源111施加+500V電壓使得可使晶圓的電位為正極性。
電漿處理裝置,係在供於在處理結束並解除吸附後使晶圓從樣品台102脫離用的機構方面,在樣品台內部具備貫通孔113與配置於貫通孔內的可上下動的上推銷114。在靜電吸附解除後以作為脫離機構的上推銷114使晶圓往樣品台102之上方而上推從而使晶圓從樣品台102脫離,之後將利用搬送機構而上升的上推銷上的晶圓搬送至處理室外。
此外,在本實施例中的電漿處理裝置,係具備供於控制上述可變直流電源110、111的輸出電壓值用的記憶裝置115與控制裝置116。可變直流電源110、111,係與控制裝置116連接,由控制裝置116控制輸出電壓值。此外,控制裝置116,係亦控制電漿處理裝置的微波電源105、螺線管線圈104、及處理室101內的壓力等。
接著利用在示於圖2的歷來的處理方法方面的除電處理的時序圖而示出歷來的除電處理動作與在該處理方面的課題。分別將微波的入射功率繪示於圖2
(a),將可變直流電源的輸出電壓繪示於圖(b),將上推銷的動作繪示於圖2(c),將搬送機構的動作繪示於圖2(d),將晶圓電位繪示於圖2(e)。
蝕刻處理的結束後,變更微波入射電力,生成除電用的電漿。變更後的微波入射電力係例如400W。此情況下,圖示雖省略惟同時進行供於除電用電漿生成用的氣體的切換為優選。在除電用電漿方面係惰性的氣體為適,作為代表係採用Ar、He等。於此,除電,係指供於利用電漿而使靜電吸附於樣品台102的晶圓103從樣品台102脫離用的處理。
之後,跨數秒實施藉除電用的電漿的處理後,維持電漿放電下使對靜電吸附電極108及109利用可變直流電源110及111而施加的電壓為0V。之後進一步進行數秒的除電用電漿處理後,維持電漿放電下藉上推銷114使晶圓從樣品台102脫離。
之後進一步進行數秒的除電用電漿處理後,將微波入射電力遮斷,結束電漿處理。電漿處理的結束後,上升的上推銷上的晶圓係藉搬送機構而搬出至處理室外,晶圓的搬出後上推銷係下降。
伴隨上述的處理,雖在晶圓係由於除電用電漿處理而產生電漿浮動電位程度的電位,惟此電位係電漿生成結束後仍殘存於晶圓,在晶圓搬出為止的期間成為將異物吸引至晶圓的原因。因此,優選上在上推銷上升後且電漿處理結束後的期間,晶圓的電位受到抑制。
將在供於解決上述的課題用的本實施例方面的處理的流程圖繪示於圖3。在本實施例,係如同歷來動作首先開始除電用電漿處理,之後使往靜電吸附電極的施加電壓為0V,使上推銷上升,將微波入射功率遮斷。之後,於本實施例,係對靜電吸附電極108及109利用可變直流電源110及111而施加同極性的電壓。之後,維持往靜電吸附電極的電壓施加下進行晶圓的搬出,晶圓的搬出結束後,使往靜電吸附電極的施加電壓為0V。使往靜電吸附電極的施加電壓為0V後,使上推銷下降。
將在依照圖3的流程圖的本實施例方面的處理的時序圖繪示於圖4。於實施例1的處理中,係微波入射功率的遮斷的後,在時間T1經過後的時刻t1對靜電吸附電極108及109的兩方利用可變直流電源110及111施加正極性的電壓V1,從而可將因電漿的浮動電位而具有負的電位的晶圓的電位控制為0V。
供於控制開始用的時間T1及使用於控制的輸出電壓值V1,係其值記憶於記載於圖1的記憶裝置115。控制裝置116,係從連接著控制裝置116的微波電源105檢測微波入射電力的遮斷,之後依上述時間T1及V1控制往靜電吸附電極的藉直流電源的施加電壓。此情況下,可變直流電源110及111的輸出電壓係皆採用相等的值V1。
在施加電壓V1方面,由於為供於將殘存於晶圓的電漿浮動電位消除,而使晶圓電位成為0V用者,故
需要有關電漿的浮動電位的資訊。此外,變成在上推銷上升的狀態下對靜電吸附電極施加電壓,故需要掌握在上推銷上升的狀態下的晶圓電位與往靜電吸附電極的施加電壓的關係。
此外,時間T1,係入射微波電力的遮斷後等待電漿中的帶電粒子消失的待機時間。在存在電漿的情況下,係即使對靜電吸附電極施加電壓,來自電漿的帶電粒子的流入仍會遮蔽晶圓的電位,故無法以往靜電吸附電極的電壓施加控制晶圓電位。因此,要在時刻t1進行晶圓電位的控制,係需要微波入射結束後待機直到電漿確實消失後才開始往靜電吸附電極的電壓施加。
之後,晶圓雖在時刻t2遞交至搬送機構,惟此時搬送機構以絕緣性的材料而構成的情況下,由於往搬送機構的遞交使得在晶圓係產生因前述V1的電壓施加而遮蔽的電位。此電位係在搬送中成為使晶圓吸引異物的原因故不佳。要抑制前述搬送中的電位,係搬送機構以導電性的素材而構成為優選。例如,可為如晶圓在搬送機構上時的從晶圓至接地的隔著搬送機構的電阻值成為108kΩ程度以下的素材。
要抑制搬送中的電位,係亦可為隔著晶圓的搬送機構的對地電容變非常大的構造。在圖5繪示具有相對於晶圓的地表的電容非常大的構造的搬送機構之例。如示於圖5在晶圓的搬送機構方面存在晶圓搬送臂501,可為晶圓搬送臂501具備經接地的導體部分501a與覆蓋該
導體的介電體的膜501b的構造,亦可為如搬送臂上的晶圓502與臂的導體部分501a的電容成為10-10F程度以上的構造。
以下,說明有關在往靜電吸附電極的藉直流電源的施加電壓V1及微波入射結束後,往靜電吸附電極的施加電壓控制開始為止的時刻T1的決定。
首先,在施加電壓V1方面,將依實驗而確認的上推銷上升後的晶圓電位與往靜電吸附電極的來自直流電源的施加電壓的關係繪示於圖6。從控制往靜電吸附電極的施加電壓使得晶圓電位產生變化的情形顯示,即使上推銷上升的狀態下仍可藉控制往靜電吸附電極施加的電壓從而控制晶圓電位。此外,顯示往靜電吸附電極的施加電壓與晶圓電位的比係大致上1:0.118。
上述的比係應為依靜電吸附電極與樣品台表面之間的介電體層112的電容、樣品台表面與晶圓之間的電容、及隔著上推銷的晶圓的相對於地表的電容的關係而決定者。在圖7係繪示將靜電吸附電極、介電體層、晶圓、上推銷製作的電路簡略化的等效電路。另外,在實際的等效電路方面係雖存在各要素的電阻值,惟為了說明的簡略化,此處係僅注目於電容而進行說明。
此處Ca及Cb係介電體層的電容值、Va及Vb係上述介電體層的電容內的電位差、Cc係樣品台表面與晶圓之間的電容值、Vc係上述樣品台表面與晶圓之間的電容內的電位差、Cd係隔著上推銷的晶圓的相對於地
表的電容值、Vd係上述晶圓的對地電容內的電位差。另外,V1係施加於內外靜電吸附電極的直流電源的輸出電壓。在示於圖7的等效電路方面係以下的式子成立。
[數式1](C a +C b )V=C c V c =C d V d V 1=V+V c +V d …式1
另外,於此,V=Va=Vb。Ca=Cb>>Cc、Ca=Cb>>Cd時,成為V=Va=Vb~0而以下成立。
[數式2]C c V c =C d V d V 1=V c +V d …式2
此時,晶圓的電位係成為以下。
因此,往靜電吸附電極的施加電壓與晶圓電位的比,係依應為主要樣品台表面與晶圓之間的電容、及晶圓的隔著上推銷的相對於地表的電容而定者。在晶圓與樣品台表面之間的電容方面,係可依晶圓的面積及晶圓與樣品台表面之間的距離,亦即可依上推銷的上推距離而利用以下的式子估計。
此處ε0係真空的電容率,S係晶圓面積,d係上推銷的上推距離。另一方面,推測為隔著上推銷的晶圓
的對地電容係主要依裝置的規格而定的值,使用網路分析器等而掌握即可。
於本實施例,係晶圓上推時的晶圓電位與往靜電吸附電極的施加電壓的關係係可依如示於圖6的實驗而掌握,亦可如上述根據晶圓上推時的晶圓與樣品台表面之間的電容及晶圓的對地電容的關係進行計算而求出。
接著論述有關電漿的浮動電位。在圖8係繪示發明人所進行的電漿浮動電位計測的結果。可看出浮動電位的依存性相對於處理時的微波功率、壓力不大,浮動電位的變化係相對於電漿處理條件的變化相對感度低。浮動電位係平均為-15V程度,此-15V成為作為晶圓的電位應修正的量。在值的變異性方面,浮動電位的絕對值,係落入-12V至-18V之間,故考量餘裕下-15V±5V應為妥當。
上推銷上升後的往靜電吸附電極的施加電壓與晶圓電位的比係如同上述為1:0.118,故在應往靜電吸附電極施加的電壓的值方面,係成為+127V±42.4V的範圍。因此在圖4中的施加於內外兩靜電吸附電極的電壓V1的值方面,係可採取例如+127V。
接著說明有關在圖4的時刻t1的控制開始的時刻方面的時間T1的決定。在開始晶圓的電位控制的時刻t1,係要求電漿的放電完全結束。此係如上述,在處理室內存在電漿的情況下,來自電漿的電荷的流入使得往靜電吸附電極的電壓施加所致的晶圓表面的電位的變化受到
阻礙之故。處理室內的電漿,係雖因微波電力的遮斷而消失,惟已知微波電力的遮斷後,暫時的期間係在處理室內殘存稱作餘輝電漿的電漿。因此,為了T1的決定係需要考量餘輝電漿的影響。
在T1的決定方面將發明人所實施的實驗的結果繪示於圖9。圖9係晶圓表面的電位的變化量與T1的關係。T1為正的情況下,係表示在微波電力遮斷後開始可變直流電源的輸出電壓的施加,T1為負的情況下,係表示在微波電力遮斷前開始施加。
T1為負的情況下,係顯然晶圓電位的變化受到阻礙,惟T1為正的情況下係該值在0.1秒程度的情況下的晶圓電位的變化量、及T1在1秒的情況下的晶圓電位的變化量係幾乎不變。從此結果可謂T1係0.1秒以上時在防止餘輝電漿的影響方面即為充分。此外,T1越長,晶圓越會吸引異物,故長的T1係從異物附著抑制的觀點而言不佳。依晶圓電位的異物引誘的時標係一般而言為秒等級,故在本發明中T1之上限係採取1秒。
依在以上所述的V1及T1的值,利用控制裝置116實施示於圖4的除電程序,使得晶圓電位係如圖4在微波電力的遮斷後,迅速成為0V,其結果,可防止往異物的晶圓的引誘。
另外,電漿處理裝置,係可具備供於基於使用者的操作而對記憶裝置115自由設定上述控制的輸出電壓值用的使用者介面。
例如,電漿處理裝置,係將從顯示器、輸入裝置、輸入裝置所輸入的設定條件顯示於顯示器,且亦可具備對記憶裝置讀入設定值的軟體,亦可為使用者利用輸入裝置及顯示器在記憶裝置115自由設定供於進行本發明相關之控制用的輸出電壓值的構成。
以計算而估計在電漿處理結束後使晶圓表面的電位為0V所致的異物的附著抑制效果。將該結果示於圖10。圖10的橫軸係晶圓的電位,縱軸,係從處理室內壁面朝處理室中飛出的異物的往晶圓的到達率。此外,計算係依以下的條件而實施。
處理室101的內部的壓力係採取0.6Pa,在處理室內係具有平均3m/s的從處理室上部朝向排氣口的稀薄流體的流動。在異物的粒徑方面,係以10nm、20nm、50nm的三種類的粒徑實施了計算。異物的帶電,係採取-1.6x10-19〔C〕。到達率,係每1次的計算中計算1000個的粒子的舉動,針對其中到達晶圓的個數進行計數從而算出。
此等異物係定為從真空處理室的內壁面的比晶圓上部的一定區間產生,各異物的發生處係在前述區間內隨機決定。此外,在異物從壁面產生時的初速度方面係對各異物隨機給予5m/s以下的值。
以上述的條件進行了計算的結果,可得知在50nm以上的大的異物方面,係在浮動電位程度的較小的電位方面係雖異物的往晶圓的到達率不增加,惟在
20nm、10nm如此的小的異物方面,係晶圓具有浮動電位程度的電位,使得帶電的異物可能被吸引到達晶圓。尤其在10nm的異物方面,係在10V程度的電位下其幾乎到達晶圓,故依本發明將在電漿放電的中斷中因電漿而產生的晶圓表面的電位消除使得應可防止微小的異物附著於晶圓。
在本實施例,係說明有關與實施例1係不同的構成的部分。於圖11,係繪示本實施例中的處理的時序圖。於本實施例,係上推銷上升後,在時刻t0,記載於圖1的控制裝置116係以記憶於記憶裝置115的值為基礎,進行對靜電吸附電極108及109雙方利用可變直流電源110及111而施加負極性的電位-V1的控制。
另外,此處的施加電壓的絕對值係如同實施例1的情況,故施加電壓-V1係例如-127V。此情況下,雖於靜電吸附電極施加電位,惟電漿放電持續,故晶圓的電位係未從電漿浮動電位變化。之後,對靜電吸附電極係保持施加上述電壓下遮斷微波電力,微波電力遮斷後,控制裝置116在時刻t1係使往靜電吸附電極的施加電壓為0V。
使在此時刻t1的施加電壓為0V,使得往靜電吸附電極的施加電壓係從-V1往0變化+V1,故晶圓電位亦依此靜電吸附電極的電位的變化而變化。往靜電吸附電
極的施加電壓的變化量、及晶圓電位的變化量的關係為示於圖6的關係,故例如,在時刻t1使-127V的施加電壓為0V時,往靜電吸附電極的施加電壓係變化+127V,隨此晶圓的電位係變化+15V份而可消除電漿的浮動電位程度份的電位。
在電漿放電的結束後消除由於進行以上的控制因而由於電漿而產生的晶圓電位,可減低往晶圓的帶電的異物的附著。
以上,依本發明,使得可在電漿處理方面,在電漿放電的結束後消除因除電時的電漿處理而產生的晶圓表面的電位,減低往晶圓的帶電的異物的附著,此外可減低與裝置內構造物的放電的發生。此外,以上,雖基於實施形態具體說明了本發明,惟本發明係不限定於前述各實施形態,在不脫離其要旨之範圍下可進行各種變更。
例如,在本實施例中雖使施加於內外的靜電吸附電極的直流電源的電壓值係分別相等者,惟只要施加於內外靜電吸附電極的直流電源的電壓值係兩者的平均值成為V1,則亦可為彼此不同的值。例如,在V1方面進行平均+127V的施加的情況下,亦可施加於內側電極的電壓為+128V,施加於外側電極的電壓為+126V。其中,施加於內外的電壓不同時在晶圓的電阻為高的情況下係亦有可能導致晶圓電位的內外差的發生,需要注意。
此外,例如亦可將擔當針對微波電源105的輸出遮斷進行監視,並利用記錄於記憶裝置115的值而以
控制裝置116控制可變直流電源的輸出電壓如此之一連串的裝置及其動作的角色作為軟體裝入控制未圖示的裝置整體的主控制裝置(主電腦等)。
此外,例如,在本實施例係雖僅記載有關偶極電極的動作,惟亦可應用在單極電極方面。此外,例如,雖未特別記載有關在靜電吸附電極的表面的介電體膜的電阻係數,惟可不論該電阻係數的多寡而應用。具體而言可為進行庫侖方式的吸附的電極,亦可為進行JR(Johnsen-Rahbek)式的吸附的電極。
再者本發明係雖以應用ECR型電漿蝕刻裝置之例進行了說明,惟本發明係亦可應用於感應耦合型電漿蝕刻裝置、電容耦合型電漿蝕刻裝置等的其他電漿源的電漿處理裝置。
Claims (12)
- 一種樣品的脫離方法,從對靜電吸附用的電極施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離,特徵在於:使前述經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後,以前述樣品的電位變小的方式控制前述直流電壓。
- 一種樣品的脫離方法,從對靜電吸附用的電極施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離,特徵在於:使供於使前述經靜電吸附的樣品從前述樣品台脫離用的電漿關斷後,使前述直流電壓藉使前述電漿關斷前的前述直流電壓而往正的方向變化。
- 如申請專利範圍第1項之樣品的脫離方法,其中,使前述經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後,使供於使前述經靜電吸附的樣品從前述樣品台脫離用的電漿關斷。
- 如申請專利範圍第2項之樣品的脫離方法,其中,基於前述電漿的浮動電位及予以上升至前述樣品台之上方的樣品與前述樣品台的表面之間的電容而規定往前述直流電壓的正的方向的變化量。
- 如申請專利範圍第2項之樣品的脫離方法,其中,使前述電漿的關斷後的直流電壓為0V。
- 如申請專利範圍第2項之樣品的脫離方法,其中,使從前述電漿的關斷至使前述直流電壓往正的方向變 化為止的時間為0.1~1.0秒的範圍內的時間。
- 如申請專利範圍第4項之樣品的脫離方法,其中,使前述樣品的電位的變化量為+10~+20V的範圍內的值。
- 如申請專利範圍第2項之樣品的脫離方法,其中,基於從前述樣品台所脫離的樣品的電位與前述直流電壓的相關關係而規定往前述直流電壓的正的方向的變化量。
- 如申請專利範圍第2項之樣品的脫離方法,其中,求出是予以上升至前述樣品台之上方的樣品與前述樣品台的表面之間的電容、及相對於隔著從前述樣品台使前述樣品往上方上升的脫離機構的地表的樣品的電容的比的電容比,以前述電容比、及前述直流電壓的往正方向的變化量與前述樣品的電位的變化量的比成為大概相等的方式求出往前述直流電壓的正方向的變化量。
- 如申請專利範圍第2項之樣品的脫離方法,其係將前述經電漿處理的樣品從對前述樣品進行電漿處理的處理室搬出。
- 一種電漿處理裝置,具備:利用電漿使得樣品被處理的處理室;供應供於生成前述電漿用的高頻電力的高頻電源;配置有供於使前述樣品靜電吸附用的電極並載置有前 述樣品的樣品台;以及對前述電極施加直流電壓的直流電源;特徵在於:進一步具備:使經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後,以前述樣品的電位成為小的方式控制前述直流電源的輸出值的控制裝置。
- 一種電漿處理裝置,具備:利用電漿使得樣品被處理的處理室;供應供於生成前述電漿用的高頻電力的高頻電源;配置有供於使前述樣品靜電吸附用的電極並載置有前述樣品的樣品台;以及對前述電極施加直流電壓的直流電源;特徵在於:進一步具備:使供於使經靜電吸附的樣品從前述樣品台脫離用的電漿關斷後,以使前述直流電壓藉使前述電漿關斷前的前述直流電壓往正的方向變化的方式而控制前述直流電源的輸出值的控制裝置。
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JP6811144B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の静電チャックを運用する方法 |
CN108550538B (zh) * | 2018-05-21 | 2021-01-08 | 浙江兰达光电科技有限公司 | 一种半导体芯片生产工艺 |
US11437262B2 (en) * | 2018-12-12 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc | Wafer de-chucking detection and arcing prevention |
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Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5459632A (en) * | 1994-03-07 | 1995-10-17 | Applied Materials, Inc. | Releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
TW334609B (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
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JP2978470B2 (ja) * | 1998-04-08 | 1999-11-15 | 株式会社日立製作所 | 静電吸着装置および被吸着物離脱方法 |
GB9812850D0 (en) * | 1998-06-16 | 1998-08-12 | Surface Tech Sys Ltd | A method and apparatus for dechucking |
US6125025A (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-26 | Lam Research Corporation | Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors |
US6236555B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle |
JP2002134489A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板除電方法、気相堆積装置、半導体装置の製造方法 |
US6898064B1 (en) * | 2001-08-29 | 2005-05-24 | Lsi Logic Corporation | System and method for optimizing the electrostatic removal of a workpiece from a chuck |
JP2004047511A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
JP4336124B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2009-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US7292428B2 (en) * | 2005-04-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor |
JP4847909B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2009054746A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 静電チャック及び静電チャック方法 |
US7813103B2 (en) * | 2007-10-11 | 2010-10-12 | Applied Materials, Inc. | Time-based wafer de-chucking from an electrostatic chuck having separate RF BIAS and DC chucking electrodes |
JP2009141069A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及び処理方法 |
JP2010040822A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置の除電処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
WO2010081009A2 (en) * | 2009-01-11 | 2010-07-15 | Applied Materials, Inc. | Systems, apparatus and methods for making an electrical connection to a robot and electrical end effector thereof |
CN101872733B (zh) * | 2009-04-24 | 2012-06-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的***和方法 |
US8797705B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-08-05 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential |
US8840754B2 (en) * | 2010-09-17 | 2014-09-23 | Lam Research Corporation | Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins |
JP5875775B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板除去方法及び記憶媒体 |
JP6013740B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置の制御装置 |
JP6132497B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2017-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
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