JP4847909B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
表1はその実験結果を示す。
2…サセプタ(下部電極)
13,43…高周波電源
17…シャワーヘッド(上部電極)
19…静電チャック
20…HV電極
22…直流電源
23…スイッチ
31…伝熱ガス供給部
41…制御部
W…半導体ウェハ(被処理基板)
Claims (6)
- 対向する上部電極と下部電極との間に高周波電源から高周波電力を印加してプラズマを発生させ、被処理基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、
被処理基板を吸着保持できるように、下部電極上の静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、
前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うために高周波電力を印加し始めてから前記プラズマ処理が終了するまでの間に、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を前記プラス又は前記マイナスの極性とは逆の極性に入れ替える極性入替え工程と、
前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し終わった後に、前記静電チャックの前記内部電極に前記プラス又は前記マイナスの極性、又は前記逆の極性の直流電圧を印加する逆印加工程と、を備えるプラズマ処理方法。 - 前記極性入替え工程において、
あらかじめ、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加するのを中断すると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給するのを中断し、
その後、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替え、
その後、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加すると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記極性入替え工程において、
前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替える最中に、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し続けると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給し続けることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記直流電圧印加工程において、前記静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する時間は、極性入替え工程において、前記静電チャックの前記内部電極に前記逆の極性の直流電圧を印加する時間よりも長く、
前記逆印加工程において、前記静電チャックの前記内部電極に前記逆の極性の直流電圧をさらに印加することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマ処理方法。 - 前記静電チャックが、誘電体としてのセラミックスの内部に内部電極を設けてなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 対向する上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源と、被処理基板を吸着保持できるように、下部電極上の静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電源と、前記高周波電源及び前記直流電源を制御する制御部と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記制御部は、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うために高周波電力を印加し始めてから前記プラズマ処理が終了するまでの間に、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を前記プラス又は前記マイナスの極性とは逆の極性に入れ替え、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し終わった後に、前記静電チャックの前記内部電極に前記プラス又は前記マイナスの極性、又は前記逆の極性の直流電圧を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。
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