TW201547183A - Ｌｃ複合零件 - Google Patents

Abstract

LC複合零件具備：一個以上之電感器；一個以上之電容器；磁性層；及基板。基板具有第1面、及與第1面相反側之第2面。磁性層係與基板之第1面對向配置。一個以上之電感器係配置於基板之第1面與磁性層之間。於垂直於基板之第1面之方向，基板之厚度係較磁性層之厚度為大。基板之複合磁導率之實部及虛部，分別較磁性層之複合磁導率之實部及虛部為小。

Description

LC複合零件

本發明係關於包含電感器及電容器之電子零件即LC複合零件。

於行動電話、無線LAN通信機器等之無線通信機器中，對小型化、薄型化及低成本化之需求相當高，因此對使用於此等之電子零件也要求能達到小型化、薄型化及低成本化。此外，於無線通信機器中，由於在狹窄空間內收容有複數個電子零件，因此要求使用於此等之電子零件有高電磁屏蔽性能。

使用於無線通信機器之電子零件具有包含電感器及電容器之LC複合零件。作為可將包含電感器之電子零件小型化之技術，例如，如日本專利特開平7-135403號公報、特開2002-52644號公報及特開2008-27982號公報所記載，已知一種於電感器之周圍配置具有磁性之材料的技術。根據此技術，可減小為了獲得所需之電感而需要之電感器之大小，其結果，可將電子零件小型化。

於日本專利特開平7-135403號公報中記載有一種高頻濾波器，其於介電體基板之一表面上形成接地電極，於介電體基板之另一表面上形成用以形成複數個微帶諧振器(microstrip resonator)之複數個圖案電極，於複數個圖案電極上形成磁性體基板。

於日本專利特開2002-52644號公報中記載有一種電子零件，其係將複數個導電體層與複數個構成層層積而構成，其中該複數個構成層係將含有磁性材料粉末、介電體覆被金屬粉末、絕緣體覆被磁性金屬粉末中之任一者及介電體材料粉末之樹脂塗佈於玻璃纖維布上而形成。

於日本專利特開2008-27982號公報中記載有一種LC複合零件，其具備第1磁性基板、形成於第1磁性基板上之電容層、形成於電容層上之電感層、形成於電感層上之第2磁性基板、及磁性芯構件。電容層具備形成於第1磁性基板上之下部電極、形成於下部電極上面之介電體薄膜、及經由介電體薄膜與下部電極對向之上部電極。電感層具備形成於絕緣層上面之線圈導體。磁性芯構件係貫通線圈導體之內周部而連接第1磁性基板與第2磁性基板。

作為普遍用以提高電子零件之電磁屏蔽性能之方法，具有以夾持電子零件之構成要素、尤其是電感器之方式設置表面之面積大之一對金屬層之方法。然而，若欲將此方法應用於LC複合零件，且將LC複合零件薄型化，則產生以下之問題。亦即，於該情況下，電感器與金屬層之間之距離變小，渦電流損耗引起之電感器之損失增大，高頻帶中之LC複合零件之特性劣化。

於日本專利特開平7-135403號公報中記載有，根據該公報記載之高頻濾波器，可比未使用磁性體基板之習知之高頻濾波器更小型化，而且，藉由磁性體基板可獲得屏蔽功效，因此，不需要形成屏蔽電極等，從而可獲得廉價之高頻濾波器。

然而，於日本專利特開平7-135403號公報記載之高頻濾波器中，由於具有電感成分並用以實現電容器之複數個圖案電 極全部配置於相同平面上，因此要將其更小型化會有困難。此外，於日本專利特開平7-135403號公報記載之高頻濾波器中，若欲薄型化，則圖案電極與表面之面積大之接地電極之間的距離變小，圖案電極具有之電感成分降低，從而要獲得圖案電極之所需之特性阻抗會變得困難。因此，於日本專利特開平7-135403號公報記載之高頻濾波器中，要更進一步薄型化係屬困難。

於日本專利特開2002-52644號公報記載之電子零件中，由於所有構成層包含磁性材料粉末、介電體覆被金屬粉末、絕緣體覆被磁性金屬粉末之任一者，因而磁性材料粉末、介電體覆被金屬粉末、絕緣體覆被磁性金屬粉末之任一者之使用量增多，從而有電子零件之成本增加之問題。此外，於日本專利特開2002-52644號公報記載之電子零件中，於自複數個構成層之層積方向觀察時，用以構成電感器之導電體層、及用以構成電容器之導電體層係經由構成層而配置於相互重疊之位置。因此，於日本專利特開2002-52644號公報記載之電子零件中，若欲薄型化，則有用以構成電感器之導電體層與用以構成電容器之導電體層之間的距離變小，渦電流損耗引起之電感器之損失增大，高頻帶中之電子零件之特性劣化之問題。

於日本專利特開2008-27982號公報記載之LC複合零件中，由於具備2個磁性基板，因而有磁性材料之使用量增多，LC複合零件之成本增加之問題。此外，於日本專利特開2008-27982號公報記載之LC複合零件中，於自垂直於磁性基板之表面之方向觀察時，電容層與線圈導體係經由絕緣層而配置於相互重疊之位置。因此，於日本專利特開2008-27982號公報記載之LC複合零件 中，若欲薄型化，則有電容層與線圈導體之間之距離變小，渦電流損耗引起之線圈導體之損失增大，高頻帶中之LC複合零件之特性劣化之問題。

本發明之目的在於提供一種LC複合零件，可達成小型化、薄型化及低成本化，且電磁屏蔽性能高，電感器之損失引起之特性之劣化少。

本發明之LC複合零件具備：一個以上之電感器；一個以上之電容器；具有磁性之磁性層；及支撐一個以上之電感器、一個以上之電容器及磁性層之基板。基板具有第1面、及與第1面相反側之第2面。磁性層係與基板之第1面對向配置。一個以上之電感器係配置於基板之第1面與磁性層之間。於垂直於基板之第1面之方向，基板之厚度係較磁性層之厚度為大。基板之複合磁導率之實部及虛部，分別較磁性層之複合磁導率之實部及虛部為小。

於本發明之LC複合零件中也可構成為，基板之厚度係在磁性層之厚度之1.1~3倍之範圍內。

此外，於本發明之LC複合零件中也可構成為，一個以上之電容器係配置於基板之第1面與磁性層之間的位置且自垂直於基板之第1面之方向觀察時與一個以上之電感器不重疊之位置。

此外，於本發明之LC複合零件中也可構成為，一個以上之電容器係配置於將基板夾持於其與一個以上之電感器之間的位置。

此外，於本發明之LC複合零件中也可構成為，還具備配置於基板之第1面與磁性層之間且連接於磁性層之、具有磁性 之一個以上之芯部，亦可為一個以上之電感器包含沿一個以上之芯部之外周延伸之一個以上之線狀導體部。

於本發明之LC複合零件中，由於設置有磁性層，因此可將一個以上之電感器小型化，其結果，可將LC複合零件小型化。此外，本發明之LC複合零件中，磁性層係相對於一個以上之電感器，僅設於垂直於基板之第1面之方向之一側。因此，根據本發明，可減少磁性材料之使用量，其結果，可達成LC複合零件之低成本化。

此外，於本發明之LC複合零件中，一個以上之電感器係配置於基板之第1面與磁性層之間，且於垂直於基板之第1面之方向上，基板之厚度係較磁性層之厚度大。藉此，根據本發明，可提高LC複合零件之電磁屏蔽性能。此外，根據本發明，為了提高LC複合零件之電磁屏蔽性能，不需要以夾持一個以上之電感器之方式設置表面之面積大之一對金屬層，因此根據本發明，可減少電感器之損失引起之LC複合零件之特性劣化，且可將LC複合零件薄型化。

由以上說明可知，根據本發明，可獲得以下之功效：可實現一種LC複合零件，其可達成小型化、薄型化及低成本化，且電磁屏蔽性能高，電感器之損失引起之特性之劣化少。

本發明之其他目的、特徵及利益，根據以下說明應可充分理解。

1‧‧‧LC複合零件

2‧‧‧輸入端子

3‧‧‧輸出端子

11、12、17‧‧‧電感器

13、14、15、16‧‧‧電容器

20‧‧‧零件本體

20A‧‧‧第1側面

20B‧‧‧第2側面

20C‧‧‧第3側面

20D‧‧‧第4側面

21‧‧‧基板

21a‧‧‧第1面

21b‧‧‧第2面

22‧‧‧磁性層

22a‧‧‧第1面

22b‧‧‧第2面

23、24‧‧‧芯部

25、26、27、28‧‧‧外部導體層

31、32、33、34、35、36‧‧‧介電體層

31T1、31T2、31T3、31T4‧‧‧端子用導體部

33T1、33T2、33T3、33T4‧‧‧端子用導體部

33V1~33V6‧‧‧導體部

33V7、33V8、33V9、33V10、33V11、33V12‧‧‧導體部

341、342、347‧‧‧電感器用導體部

34T1、34T2、34T3、34T4‧‧‧端子用導體部

34V1、34V2、34V3、34V4、34V5、34V6、34V7‧‧‧導體部

35C1、35C2、35C3、35C4‧‧‧連接用導體部

35T1、35T2、35T3、35T4‧‧‧端子用導體部

35V1、35V2、35V3、35V4、35V5、35V6、35V7、35V8‧‧‧導體部

41、42、43、44‧‧‧端子用導體部

51、52、53‧‧‧介電體層

51T1、51T2、51T3、51T4‧‧‧端子用導體部

51V1、51V2、51V3、51V4、51V5‧‧‧導體部

52V7、52V8、52V9、52V10、52V11‧‧‧導體部

53T1、53T2、53T3、53T4‧‧‧端子用導體部

61~66‧‧‧連接用導體部

71、72、73、74‧‧‧介電體層

71T1、71T2、71T3、71T4‧‧‧端子用導體部

71V1、71V2、71V3、71V4、71V5、71V6、71V7、71V8‧‧‧導體部

72T1、72T2、72T3、72T4‧‧‧端子用導體部

72V1、72V2、72V3、72V4、72V5、72V6、72V7‧‧‧導體部

73T1、73T2、73T3、73T4‧‧‧端子用導體部

73V1、73V2、73V3、73V4、73V5、73V6、73V12‧‧‧導體部

74T1、74T2、74T3、74T4‧‧‧端子用導體部

81、82、83、84‧‧‧介電體層

81T1、81T2、81T3、81T4‧‧‧端子用導體部

82V7、82V8、82V9、82V10、82V11‧‧‧導體部

83V1、83V2、83V3、83V4、83V5‧‧‧導體部

83T1、83T2、83T3、83T4‧‧‧端子用導體部

84V1、84V2、84V3、84V4‧‧‧端子用導體部

311、312‧‧‧電感器用導體部

313、315、316‧‧‧電容器用導體部

318、319‧‧‧連接用導體部

323、324、325A、325B、326‧‧‧電容器用導體部

331、332、337‧‧‧電感器用導體部

333、334、335A、335B、336‧‧‧連接器用導體部

351、352、357A、357B‧‧‧電感器用導體部

513、515、516‧‧‧電容器用導體部

523、524、525A、525B、526‧‧‧電容器用導體部

533、534、535A、535B、536、538‧‧‧連接用導體部

711、712、717A、717B‧‧‧電感器用導體部

721、722、727‧‧‧電感器用導體部

731、732、737‧‧‧電感器用導體部

741、742‧‧‧電感器用導體部

748、749‧‧‧連接用導體部

813、814、815A、815B、816、818‧‧‧連接用導體部

823、824、825A、825B、826‧‧‧電容器用導體部

833、835、836‧‧‧電容器用導體部

C1、C2、C3、C4‧‧‧連接用導體部

T1、T2‧‧‧厚度

T1、T2、T3、T4‧‧‧端子用導體部

圖1為顯示本發明之第1實施形態之LC複合零件之構成之立 體圖。

圖2為本發明之第1實施形態之LC複合零件之剖視圖。

圖3為顯示本發明之第1實施形態之LC複合零件之電路構成之電路圖。

圖4A至圖4C分別為用以說明圖1及圖2所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖5A至圖5C分別為用以說明圖1及圖2所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖6為顯示本發明之第1實施形態之LC複合零件之製造方法之一例之流程圖。

圖7為顯示第1模擬結果之特性圖。

圖8為顯示第1實施例之模型中之***損失之頻率特性之特性圖。

圖9為顯示第2實施例之模型中之***損失之頻率特性之特性圖。

圖10為顯示比較例之模型中之***損失之頻率特性之特性圖。

圖11為本發明之第2實施形態之LC複合零件之剖視圖。

圖12A至圖12C分別為用以說明圖11所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖13A至圖13C分別為用以說明圖11所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖14為顯示本發明之第3實施形態之LC複合零件之外觀之立體圖。

圖15A至圖15C分別為用以說明圖14所示之LC複合零件之 構造之說明圖。

圖16A至圖16C分別為用以說明圖14所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖17A至圖17C分別為用以說明圖14所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖18為本發明之第4實施形態之LC複合零件之剖視圖。

圖19A至圖19C分別為用以說明圖18所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖20A至圖20C分別為用以說明圖18所示之LC複合零件之構造之說明圖。

圖21A至圖21C分別為用以說明圖18所示之LC複合零件之構造之說明圖。

[第1實施形態]

以下，參照圖式對本發明之實施形態詳細進行說明。首先，參照圖1及圖2，對本發明之第1實施形態之LC複合零件之概略構成進行說明。圖1為顯示本實施形態之LC複合零件之構成之立體圖。圖2為本實施形態之LC複合零件之剖視圖。

本實施形態之LC複合零件1，例如為使用於行動電話、無線LAN通信機器等之無線通信機器之電子零件。LC複合零件1具備：一個以上之電感器；一個以上之電容器；具有磁性之磁性層22；及支撐一個以上之電感器、一個以上之電容器及磁性層22之基板21。如圖2所示，基板21具有第1面21a、及與第1面21a為相反側之第2面21b。磁性層22係與基板21之第1面21a 對向配置。此外，磁性層22具有朝與基板21之第1面21a相同之方向之第1面22a、及朝與基板21之第2面21b相同之方向之第2面22b。磁性層22之第2面22b係與基板21之第1面21a對向。

其中，如圖2所示，以記號T1顯示垂直於基板21之第1面21a之方向上之基板21之厚度，以記號T2顯示垂直於基板21之第1面21a之方向上之磁性層22之厚度。基板21之厚度T1係較磁性層22之厚度T2大。較佳為，基板21之厚度T1係在磁性層22之厚度T2之1.1~3倍之範圍內，更佳為磁性層22之厚度T2之1.5~2倍之範圍內。

基板21之複合磁導率之實部及虛部，分別較磁性層22之複合磁導率之實部及虛部小。因此，基板21之複合相對磁導率之實部及虛部分別較磁性層22之複合相對磁導率之實部及虛部小。只要滿足該複合相對磁導率之條件，基板21既可為非磁性，也可具有磁性。只要能滿足上述複合相對磁導率之條件，基板21之材料，可使用樹脂、陶瓷、玻璃、非磁性肥粒體、複合相對磁導率之實部較1大且為2.5以下之低磁導率肥粒體、及該等之複合材料等各種材料。

磁性層22也可僅由除非磁性肥粒體以外之肥粒體等之磁性材料構成。或者，磁性層22也可由使磁性材料之粒子分散於樹脂、陶瓷、玻璃等之不具磁性之介電體材料中而成之材料構成。

一個以上之電感器係配置於基板21之第1面21a與磁性層22(第2面22b)之間。本實施形態中，一個以上之電容器係配置於基板21之第1面21a與磁性層22(第2面22b)之間的位置且自垂直於第1面21a之方向觀察時與一個以上之電感器不重疊之位 置。LC複合零件1還具備分別由介電體材料構成且於基板21之第1面21a與磁性層22(第2面22b)之間被層積之複數個介電體層。一個以上之電感器及一個以上之電容器係設於該複數個介電體層之層積體內。基板21、磁性層22及複數個介電體層，係構成用以將LC複合零件1之構成要素一體化之零件本體20。

零件本體20係形成為長方體形狀，具有上面、底面及4個側面。本實施形態中，零件本體20之上面係由基板21之第2面21b構成。此外，零件本體20之底面係由磁性層22之第1面22a構成。LC複合零件1係例如以零件本體20之底面、即磁性層22之第1面22a面朝未圖示之安裝基板之上面的姿勢安裝於安裝基板。

LC複合零件1還具備配置於基板21之第1面21a與磁性層22(第2面22b)之間且連接於磁性層22之、具有磁性之一個以上之芯部。一個以上之芯部係埋入於上述複數個介電體層之層積體中。與無芯部之情況比較，一個以上之芯部係具有增大一個以上之電感器之電感之功能。本實施形態中，LC複合零件1具備方柱形狀之2個芯部23、24。芯部23、24係自圖2中之左側依序排列。芯部23、24例如由與磁性層22相同之材料構成。關於芯部23、24與一個以上之電感器之間的關係，容待後續詳述。

其次，參照圖3之電路圖，對本實施形態之LC複合零件1之電路構成進行說明。本實施形態中，LC複合零件1具有低通濾波器之功能。如圖3所示，LC複合零件1具備供信號輸入之輸入端子2、輸出信號之輸出端子3、3個電感器11、12、17、及4個電容器13、14、15、16。

電感器11之一端、電容器13之一端及電容器15之一端，係電性連接於輸入端子2。電感器12之一端、電容器14之一端及電容器16之一端，係電性連接於電感器11之另一端及電容器13之另一端。電感器12之另一端、電容器14之另一端及電容器15之另一端，係電性連接於輸出端子3。電感器17之一端係電性連接於電容器16之另一端。電感器17之另一端係接地。

接著，參照圖4A至圖5C，對本實施形態之LC複合零件1之具體構成之一例進行說明。本實施形態中，LC複合零件1具備6個介電體層31、32、33、34、35、36來作為複數個介電體層。介電體層31~36係配置於基板21與磁性層22之間，且自基板21之第1面21a側依序配置。介電體層31~36分別具有朝與基板21之第1面21a相同方向之第1面、及朝與基板21之第2面21b相同方向之第2面。再者，圖4A至圖5C中省略芯部23、24。

圖4A顯示介電體層31之第1面。於介電體層31之第1面形成有電感器用導體部311、312、電容器用導體部313、315、316、端子用導體部31T1、31T2、31T3、31T4。再者，圖4A係以自介電體層31之第2面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。上述複數個導體部之圖4A中之配置如下。導體部311係配置於較左右方向之中心靠左側之區域。導體部312係配置於較左右方向之中心靠右側之區域。導體部316係配置於導體部311與導體部312之間。導體部313係配置於導體部311、312、316之下側之位置。導體部315係配置於導體部313之下側之位置。導體部31T1係配置於左下方之角部附近。導體部31T2係配置於右下方之角部附近，導體部31T3係配置於左上方之角部附近。導體部31T4係配置於右 上方之角部附近。

導體部313連接於導體部311、312、316之各一端。圖4A中，以虛線顯示2個導體部之邊界。於以後之說明中使用之與圖4A同樣之圖中，也使用與圖4A同樣之顯示方法。導體部311、312皆為自其一端朝另一端呈環狀延伸之線狀之導體部。

圖4B顯示介電體層32之第1面。於介電體層32之第1面形成有電容器用導體部323、324、325A、325B、326。再者，圖4B係以自介電體層32之第2面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。上述複數個導體部之圖4B中之配置如下。導體部326係配置於左右方向之大致中央之位置。導體部323、324係於導體部326之下側之位置自左側依序配置。導體部325A、325B係於導體部323、324之下側之位置自左側依序配置。

導體部323、324係經由介電體層32與圖4A所示之導體部313對向。圖3之電容器13係由導體部313、323、及位於該等之間之介電體層32之一部分構成。圖3之電容器14係由導體部313、324、及位於該等之間之介電體層32之一部分構成。此外，導體部325A、325B係經由介電體層32與圖4A所示之導體部315對向。圖3之電容器15係由導體部315、325A、325B、及位於該等之間之介電體層32之一部分構成。此外，導體部326係經由介電體層32與圖4A所示之導體部316對向。圖3之電容器16係由導體部316、326、及位於該等之間之介電體層32之一部分構成。

LC複合零件1包括貫通介電體層32、33之導體部33V1、33V2、33V3、33V4、33V5、33V6。圖4B中，於導體部33V1~33V6附加剖面線。圖4A所示之導體部31T1~31T4、311、312 分別連接導體部33V1~33V6之一端。

圖4C顯示介電體層33之第1面。於介電體層33之第1面形成有電感器用導體部331、332、337、連接器用導體部333、334、335A、335B、336、及端子用導體部33T1、33T2、33T3、33T4。再者，圖4C係以自介電體層33之第2面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。上述複數個導體部之圖4C中之配置如下。導體部331係配置於較左右方向之中心靠左側之區域。導體部332係配置於較左右方向之中心靠右側之區域。導體部336係配置於導體部331與導體部332之間。導體部333、334係於導體部331、332、336之下側之位置自左側依序配置。導體部335A、335B係於導體部333、334之下側之位置自左側依序配置。導體部337係配置於導體部331、332、336之上側之位置。導體部33T1係配置於左下方之角部附近。導體部33T2係配置於右下方之角部附近。導體部33T3係配置於左上方之角部附近。導體部33T4係配置於右上方之角部附近。

導體部33T1連接於導體部333、335A之各一端。導體部33T2連接於導體部334、335B之各一端。導體部337連接於導體部336之一端。導體部331、332皆為自其一端朝另一端呈環狀延伸之線狀導體部。

導體部331、332、33T1~33T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層33之第1面之方向相同)觀察時，與圖4A所示之導體部311、312、31T1~31T4重疊之位置。導體部333、334、335A、335B、336分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，與圖4B所示之導體部323、 324、325A、325B、326重疊之位置。

LC複合零件1包括貫通介電體層33之導體部33V7、33V8、33V9、33V10、33V11。圖4C中，以二點鏈線顯示導體部33V1~33V11。導體部33T1~33T4、331、332分別連接導體部33V1~33V6之另一端。圖4B所示之導體部323、324、325A、325B、326分別連接導體部33V7~33V11之一端。導體部333、334、335A、335B、336分別連接導體部33V7~33V11之另一端。

圖5A顯示介電體層34之第1面。於介電體層34之第1面形成有電感器用導體部341、342、347及端子用導體部34T1、34T2、34T3、34T4。再者，圖5A係以自介電體層34之第2面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。上述複數個導體部之圖5A中之配置如下。導體部341係配置於較左右方向之中心靠左側之區域。導體部342係配置於較左右方向之中心靠右側之區域。導體部347係配置於導體部341、342之上側之位置。導體部34T1係配置於左下方之角部附近。導體部34T2係配置於右下方之角部附近。導體部34T3係配置於左上方之角部附近。導體部34T4係配置於右上方之角部附近。

導體部341、342皆為自其一端朝另一端呈環狀延伸之線狀導體部。導體部341、342、347、34T1~34T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層34之第1面之方向相同)觀察時，與圖4C所示之導體部331、332、337、33T1~33T4重疊之位置。

LC複合零件1包括貫通介電體層34之導體部34V1、34V2、34V3、34V4、34V5、34V6、34V7。圖5A中，以二 點鏈線顯示導體部34V1~34V7。圖4C所示之導體部33T1~33T4、331、332、337分別連接導體部34V1~34V7之一端。導體部34T1~34T4、341、342、347分別連接導體部34V1~34V7之另一端。

圖5B顯示介電體層35之第1面。於介電體層35之第1面形成有電感器用導體部351、352、357A、357B及端子用導體部35T1、35T2、35T3、35T4。再者，圖5B係以自介電體層35之第2面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。上述複數個導體部之圖5B中之配置如下。導體部351係配置於較左右方向之中心靠左側之區域。導體部352係配置於較左右方向之中心靠右側之區域。導體部357A、357B係於導體部351、352之上側之位置自左側依序配置。導體部35T1係配置於左下方之角部附近。導體部35T2係配置於右下方之角部附近。導體部35T3係配置於左上方之角部附近。導體部35T4係配置於右上方之角部附近。

導體部35T1~35T4分別連接於導體部351、352、357A、357B之一端。導體部351、352皆為自其一端朝另一端呈環狀延伸之線狀導體部。

導體部351、352、35T1~35T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層35之第1面之方向相同)觀察時，與圖5A所示之導體部341、342、34T1~34T4重疊之位置。導體部357A,357B配置於自垂直於基板21．之第1面21a之方向觀察時，與圖5A所示之導體部347重疊之位置。

LC複合零件1包括貫通介電體層35之導體部35V1、35V2、35V3、35V4、35V5、35V6、35V7、35V8。圖5B中，以二點鏈線顯示導體部35V1~35V8。圖5A所示之導體部34T1~ 34T4、341、342分別連接導體部35V1~35V6之一端。圖5A所示之導體部347連接導體部35V7、35V8之各一端。導體部35T1~35T4、351、352、357A、357B分別連接導體部35V1~35V8之另一端。

圖5C顯示磁性層22及介電體層36與貫通磁性層22及介電體層36之要素。LC複合零件1包括貫通磁性層22及介電體層36之端子用導體部41、42、43、44。圖5C中，於導體部41~44附加剖面線。圖5B所示之導體部35T1~35T4分別連接導體部41~44之一端。

以下，參照圖2及圖3進一步對LC複合零件1之具體構成進行說明。圖3中之輸入端子2係由端子用導體部41之另一端構成。圖3中之輸出端子3係由端子用導體部42之另一端構成。端子用導體部43、44之各另一端係構成連接於地線之接地端子。

圖3中之電感器11係由電感器用導體部311、331、341、351及導體部33V5、34V5、35V5構成。如圖2所示，芯部23係貫通介電體層32~36而位於導體部311、331、341、351之內周部之內側。導體部311、331、341、351皆為沿芯部23之外周延伸之線狀之導體部。

圖3中之電感器12係由電感器用導體部312、332、342、352及導體部33V6、34V6、35V6構成。如圖2所示，芯部24係貫通介電體層32~36而位於導體部312、332、342、352之內周部之內側。導體部312、332、342、352皆為沿芯部24之外周延伸之線狀之導體部。

圖3中之電感器17係由電感器用導體部337、347、357A、357B及導體部34V7、35V7、35V8構成。

如上述，電容器用導體部313、315、316、323、324、325A、325B、326及介電體層32之前述複數個部分，係構成電容器13~16。如圖4A至圖5C所示，導體部313、315、316、323、324、325A、325B、326，皆配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，與電感器用導體部311、312、331、332、337、341、342、347、351、352、357A、357B及導體部33V5、33V6、34V5~34V7、35V5~35V8不重疊之位置。藉此，也可說電容器13~16係配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，與電感器11、12、17不重疊之位置。

接著，參照圖4A至圖5C及圖6，對本實施形態之LC複合零件1之製造方法之一例進行說明。圖6為顯示本實施形態之LC複合零件1之製造方法之一例之流程圖。於該例之製造方法中，於包含作為複數個LC複合零件1之基板21之部分的晶圓上形成複數個LC複合零件1之基板21以外之構成要素，製作配置有複數列LC複合零件1之零件本體20之基礎構造物，藉由切斷該基礎構造物將複數個零件本體20相互分離。藉此，製作複數個LC複合零件1。

以下，關注一個LC複合零件1，進一步對LC複合零件1之製造方法之一例進行詳細說明。再者，於以下之說明中，為方便起見，稱作為基板21之部分為基板21。於該例之製造方法中，首先，使用薄膜形成技術於基板21上形成複數個介電體層及複數個導體部(圖6中之步驟S101)。具體而言，首先，於基板21 之第1面21a上形成介電體層31。其次，於介電體層31上形成圖4A所示之複數個導體部。複數個導體部之形成方法，既可為於形成未被圖案加工之導體層之後，藉由使用遮罩之蝕刻對導體層進行圖案加工之方法，也可為形成使用遮罩進行圖案加工之導體層之方法。作為導體層之形成方法，可使用濺鍍法或電鍍法之各種薄膜形成方法。以下說明之其他複數個導體部之形成方法也與此相同。

然後，例如藉由濺鍍法形成介電體層32。接著，於介電體層32上形成圖4B所示之電容器用導體部323、324、325A、325B、326。然後形成介電體層33。接著，於介電體層32、33形成導體部33V1~33V6用之6個孔，並於介電體層33形成導體部33V7~33V11用之5個孔。然後形成圖4C所示之複數個導體部。

接著，形成介電體層34。然後於介電體層34形成導體部34V1~34V7用之7個孔。然後形成圖5A所示之複數個導體部。接著，形成介電體層35。然後於介電體層35形成導體部35V1~35V8用之8個孔。然後形成圖5B所示之複數個導體部。接著，形成介電體層36。

接著，於介電體層36形成端子用導體部41~44用之4個孔。然後，例如藉由電鍍法形成圖5C所示之端子用導體部41~44(圖6之步驟S102)。端子用導體部41~44係形成為其厚度較介電體層36之厚度大。

接著，於介電體層32~36形成芯部23、24用之2個孔(圖6之步驟S103)。然後，以填埋上述2個孔內且覆蓋端子用導體部41~44之方式形成其後被作為磁性層22及芯部23、24之預備磁性層(圖6之步驟S104)。接著，將預備磁性層研磨至端子用 導體部41~44露出為止(圖6之步驟S105)。藉此，預備磁性層中之殘留於芯部23、24用之2個孔內之部分成為芯部23、24，剩餘之部分成為磁性層22。藉由形成磁性層22及芯部23、24，完成基礎構造物。接著，將基礎構造物切斷，切割成複數個零件本體20(圖6之步驟S107)。

於以上說明之例子之製造方法中，需要厚度較大之基板21。這點有利於實現本實施形態之LC複合零件1之特徵、即基板21之厚度T1較磁性層22之厚度T2大之特徵。

再者，本實施形態之LC複合零件1之製造方法，不限於上述例子。例如，LC複合零件1中之至少基板21與磁性層22之間之複數個介電體層及複數個導體部，也可藉由低溫同時燒成法形成。

接著，對本實施形態之LC複合零件1之作用及功效進行說明。於本實施形態之LC複合零件1中，如圖1所示，於3個電感器11、12、17之附近設置有磁性層22，因此可減小為了獲得所需之電感而需要之電感器11、12、17之大小。藉此，根據本實施形態，可將電感器11、12、17小型化，其結果可將LC複合零件1小型化。

此外，本實施形態中，可縮短構成電感器11、12、17之電感用導體部之長度，將電感器11、12、17小型化。於該情況下，可縮小電感器11、12、17之電阻值，其結果可減小電感器11、12、17之導體損失。

此外，本實施形態中，磁性層22係相對於電感器11、12、17，僅設於垂直於基板21之第1面21a之方向之一側。因此， 根據本實施形態，與磁性層相對於電感器11、12、17設於上述垂直方向之兩側之情況比較，可減少磁性材料之使用量，其結果可達成LC複合零件1之低成本化。根據該觀點，較佳為基板21係非磁性即複合相對磁導率之實部為1或者複合相對磁導率之實部接近於1者。具體而言較佳為，基板21之複合相對磁導率之實部在1~2.5之範圍內。再者，複合相對磁導率之實部係藉由複合相對磁導率之實部與真空之磁導率(4π×10^-7[H/m])之乘積而求取。

此外，本實施形態中，電感器11、12、17係被基板21與磁性層22夾持。於自電感器11、12、17觀察為磁性層22側之第1空間，可藉由磁性層22獲得相對於電感器11、12、17之電磁屏蔽功效。另一方面，於自電感器11、12、17觀察為基板21側之第2空間，不存在磁性層22，但存在有較磁性層22厚之基板21。於該第2空間，可藉由基板21將對電感器11、12、17施加電磁影響之要素自電感器11、12、17隔離。因此，於該第2空間，也可藉由基板21獲得相對於電感器11、12、17之電磁屏蔽功效。藉此，根據本實施形態可提高LC複合零件1之電磁屏蔽功效。

本實施形態中，基板21之複合磁導率之虛部係較磁性層22之複合磁導率之虛部小。藉此，根據本實施形態，可抑制因位於電感器11、12、17之附近的基板21之厚度T1增大而引起之電感器11、12、17之磁性損失之增加。根據該觀點，以將基板21之複合相對磁導率之虛部設為較小為較佳。具體而言，較佳為基板21之複合相對磁導率之虛部在0~0.025之範圍內。再者，複合磁導率之虛部係藉由複合相對磁導率之虛部與真空之磁導率之乘積而求取。

較佳為將磁性層22之複合相對磁導率之實部設為一定程度較大，以顯著發揮磁性層22所產生之上述電感器11、12、17之小型化之功效。具體而言，較佳為磁性層22之複合相對磁導率之實部在1.1~5.0之範圍內。

在此，對求取以下關係之第1模擬結果進行說明，該關係為磁性層22之複合相對磁導率之實部相對於基板21之複合相對磁導率之實部之比率、與可獲得所需之電感之電感器11之長度之關係。其中，將磁性層22之複合相對磁導率之實部相對於基板21之複合相對磁導率之實部之比率定義為磁導率比。並且，將在任意之磁導率比時能獲得所需之電感之電感器11之長度相對於在磁導率比為1時能獲得所需之電感之電感器11之長度之比率定義為電感器長度比率。於第1模擬中，將基板21之複合相對磁導率之實部設為1。以下，稱電感器11之長度為電感器長度。於第1模擬中，作為電感器11，假想為朝一方向延伸之帶狀之電感器。此外，於第1模擬中，設磁導率比為1時能獲得所需之電感之電感器長度為2725μm。表1及圖7顯示第1模擬結果。

由表1及圖7可知，若磁導率比為1.1以上，則電感器長度比率為0.96以下，可獲得電感器長度之有意義之短縮功效。此外，由表1及圖7可知，若磁導率比為1.5以上，則電感器長度比率為0.87以下，可顯著地獲得上述短縮功效。再者，於線圈狀之電感器11中，與朝一方向延伸之帶狀之電感器比較，可期待增大電感器長度之短縮功效。藉此，可稱第1模擬結果顯示了由實際之LC複合零件1獲得之電感器長度之短縮功效之最小限之大小。

考慮到第1模擬結果，與假定為磁性層22之複合相對磁導率之實部與基板21之複合相對磁導率之實部相等之情況比較，較佳為，磁性層22之複合相對磁導率之實部為基板21之複合相對磁導率之實部之1.1倍以上，藉以有效發揮磁性層22產生之上述電感器11、12、17之小型化功效。此外，為了顯著地發揮上述功效，較佳為，磁性層22之複合相對磁導率之實部為基板21之複合相對磁導率之實部之1.5倍以上。

另一方面，根據顯著地發揮磁性層22對於電感器11、12、17之電磁屏蔽功效之觀點，以將磁性層22之複合相對磁導率之虛部設為較大為較佳，但若過大，則會招致電感器11、12、17之磁性損失之增加。考慮到該等因素，較佳為，磁性層22之複合相對磁導率之虛部在0.0011~0.05之範圍內。

為了藉由基板21獲得充分之電磁屏蔽功效，需要將基板21之厚度T1設定為明顯較磁性層22之厚度T2大。另一方面，若基板21之厚度T1過大，則LC複合零件1之厚度也會過大，這將違背LC複合零件1之小型化、薄膜化之要求。考慮到該等因素，本實施形態中，將基板21之厚度T1設定在磁性層22之厚度T2 之1.1~3倍之範圍內，較佳為1.5~2倍之範圍內。

此外，於將磁性層22之複合相對磁導率之實部設為基板21之複合相對磁導率之實部之1.1倍以上時，為了藉由基板21獲得與磁性層22同等以上之電磁屏蔽功效，需要將基板21之厚度T1設定為磁性層22之厚度T2之1.1以上。於將磁性層22之複合相對磁導率之實部設為基板21之複合相對磁導率之實部之1.5倍以上時，為了藉由基板21獲得與磁性層22同等以上之電磁屏蔽功效，需要將基板21之厚度T1設定為磁性層22之厚度T2之1.5倍以上。

作為普遍用以提高電子零件之電磁屏蔽性能之方法，具有以夾持電子零件之構成要素、尤其是電感器之方式設置表面之面積較大之一對金屬層之方法。然而，若欲將該方法應用於LC複合零件且將LC複合零件薄型化，則會使電感器與金屬層之間之距離變小，渦電流損耗引起之電感器之損失增大，高頻帶中之LC複合零件之特性劣化。相對於此，本實施形態中，如上述由於藉由基板21及磁性層22可獲得電磁屏蔽功效，因此，不需要以夾持電感器11、12、17之方式設置表面之面積大之一對金屬層。因此，根據本實施形態，可減少因電感器11、12、17之損失而引起之LC複合零件1之特性劣化，且可將LC複合零件1薄型化。

此外，若自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，構成電容器13~16之電容器用導體部、與構成電感器11、12、17之電感器用導體部被配置於相互重疊之位置，則伴隨LC複合零件1之薄型化，電容器用導體部與電感器用導體部之間之距離變小，起因於電容器用導體部之渦電流損耗而產生之電感器11、12、 17之損失增大，高頻帶中之LC複合零件1之特性劣化。相對於此，本實施形態中，電容器13~16係配置於基板21之第1面21a與磁性層22之間之位置且自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時與電感器11、12、17不重疊之位置。藉此，根據本實施形態，可減少因電感器11、12、17之損失而引起之LC複合零件1之特性劣化，且可將LC複合零件1薄型化。

此外，本實施形態之LC複合零件1還具備2個芯部23、24，電感器11包括沿芯部23之外周延伸之線狀之導體部即電感器用導體部311、331、341、351，電感器12包括沿芯部24之外周延伸之線狀之導體部即電感器用導體部312、332、342、352。藉此，根據本實施形態，可將電感器11、12小型化，其結果，可將LC複合零件1小型化。此外，於縮短導體部311、312、331、332、341、342、351、352之長度，將電感器11、12小型化之情況下，可減小電感器11、12之電阻值，其結果，可減小電感器11、12之導體損失。

藉由上述，根據本實施形態可實現LC複合零件1，其可達成小型化、薄型化及低成本化，且電磁屏蔽性能高，電感器之損失引起之特性之劣化少。

以下，參照第2模擬結果，對磁性層22之電磁屏蔽功效進行說明。於第2模擬中，使用以下說明之第1及第2實施例之模型及比較例之模型。第1及第2實施例之模型係使用本實施型態之LC複合零件1。第1實施例之模型係單獨之LC複合零件1之模型。第2實施例之模型係以分別使LC複合零件1之零件本體20之上面(基板21之第2面21b)與零件本體20之底面(磁性層22之第1面22a)對向之方式將2個金屬製之屏蔽板配置於LC複合零 件1之附近之模型。於第1及第2實施例之模型中，基板21之複合相對磁導率之實部為1，基板21之複合相對磁導率之虛部為0，磁性層22之複合相對磁導率之實部為4.0，磁性層22之複合相對磁導率之虛部為0.04。

比較例之模型係使用比較例之LC複合零件。於比較例之LC複合零件中，取代磁性層22，設置比較例之介電體層。比較例之LC複合零件之其他構成，係與本實施形態之LC複合零件1相同。比較例之介電體層具有朝與基板21之第1面21a相同方向之第1面、及朝與基板21之第2面21b相同方向之第2面。於比較例之模型中，基板21之複合相對磁導率之實部為1，基板21之複合相對磁導率之虛部為0，介電體層之複合相對磁導率之實部為1，介電體層之複合相對磁導率之虛部為0。比較例之模型係與第2實施例之模型同樣，以分別使比較例之LC複合零件之零件本體20之上面(基板21之第2面21b)與零件本體20之底面(比較例之介電體層之第1面)對向之方式將2個金屬製之屏蔽板配置於比較例之LC複合零件之附近之模型。

第2模擬中，對於第1及第2實施例之模型及比較例之模型之各者，求取***損失之頻率特性。再者，比較例之LC複合零件，係設計為使其之單獨模型中之***損失之頻率特性與第1實施例之模型相同。

圖8為顯示第1實施例之模型之***損失之頻率特性之特性圖。圖9為顯示第2實施例之模型之***損失之頻率特性之特性圖。圖10為顯示比較例之模型之***損失之頻率特性之特性圖。於圖8至圖10中，橫軸顯示頻率，縱軸顯示***損失。第1 及第2實施例之模型與比較例之模型之各個之、通過帶域內之特定頻率(0.787GHz及0.96GHz)之***損失如下。第1實施例之模型中，0.787GHz之***損失為0.43dB，0.96GHz之***損失為0.66dB。第2實施例之模型中，0.787GHz之***損失為0.44dB，0.96GHz之***損失為0.68dB。比較例之模型中，0.787GHz之***損失為0.82dB，0.96GHz之***損失為1.06dB。

比較例之模型中，與第1實施例之模型比較，通過帶 域之***損失增大。這可認為是因為於比較例之模型中，由於沒有磁性層22產生之電磁屏蔽效應，因而造成起因於屏蔽板之渦電流損耗引起之電感器之損失增大。相對於此，第2實施例之模型之通過帶域之***損失，係與第1實施例之模型之通過帶域之***損失大致相同。由第2模擬結果可知，本實施形態中，藉由磁性層22可獲得電磁屏蔽功效。

[第2實施形態]

其次，對本發明之第2實施形態之LC複合零件1進行說明。首先，參照圖11，對本實施形態之LC複合零件1之概略構成進行說明。圖11為本實施形態之LC複合零件1之剖視圖。本實施形態之LC複合零件1之電路構成，如圖3所示係與第1實施形態相同。

本實施形態中，LC複合零件1之一個以上之電容器(電容器13~16)之配置，係與第1實施形態不同。如圖11所示，本實施形態中，電容器16係配置於將基板21夾持於電感器11、12、17之間之位置、亦即基板21之第2面21b側之位置。雖未圖示，電容器16以外之3個電容器13~15，也配置於將基板21夾持於電 感器11、12、17之間之位置、亦即基板21之第2面21b側之位置。

接著，參照圖12A至圖13C，對本實施形態之LC複合零件1之具體構成進行說明。本實施形態中，於基板21之第1面21a側與第2面21b側分別設置有層積之複數個介電體層。具體而言，LC複合零件1具備配置於基板21之第1面21a與磁性層22之第2面22b之間的介電體層31、33、34、35、36、及配置於基板21之第2面21b側之介電體層51、52、53。介電體層31、33~36係自基板21之第1面21a側依序配置。介電體層51~53係自基板21之第2面21b側依53、52、51之順序配置。介電體層31、33~36、51~53分別具有朝與基板21之第1面21a相同方向之第1面、及朝與基板21之第2面21b相同方向之第2面。

LC複合零件1還包括配置於介電體層51之第2面上之包含介電體材料之保護用介電體層。保護用介電體層具有朝與基板21之第1面21a相同方向之第1面、及朝與基板21之第2面21b相同方向之第2面。本實施形態中，LC複合零件1之零件本體20之上面係由保護用介電體層之第2面構成。

本實施形態中，芯部23、24埋入於介電體層31、33~36之層積體中。再者，於圖13B及圖13C中，省略芯部23、24。

圖12A顯示介電體層51之第2面。於介電體層51之第2面形成有電容器用導體部513、515、516、及端子用導體部51T1、51T2、51T3、51T4。導體部513、515、516、51T1~51T4之圖12A之配置，係與第1實施形態中說明之導體部313、315、316、31T1~31T4之圖4A中之配置相同。

LC複合零件1包括貫通介電體層51、52之導體部 51V1、51V2、51V3、51V4、51V5。圖12A中，以虛線顯示導體部51V1~51V5。導體部51T1~51T4、513分別連接導體部51V1~51V5之一端。

圖12B顯示介電體層52之第2面。於介電體層52之第2面形成有電容器用導體部523、524、525A、525B、526。導體部523、524、525A、525B、526之圖12B中之配置，係與第1實施形態中說明之導體部323、324、325A、325B、326之圖4B中之配置相同。

導體部523、524係經由介電體層51而與圖12A所示之導體部513對向。本實施形態之電容器13係由導體部513、523、及位於該等之間之介電體層51之一部分構成。本實施形態之電容器14係由導體部513、524、及位於該等之間之介電體層51之一部分構成。此外，導體部525A、525B係經由介電體層51而與圖12A所示之導體部515對向。本實施形態之電容器15係由導體部515、525A、525B、及位於該等之間之介電體層51之一部分構成。此外，導體部526係經由介電體層51而與圖12A所示之導體部516對向。本實施形態之電容器16係由導體部516、526、及位於該等之間之介電體層51之一部分構成。

圖12B中，於導體部51V1~51V5附加剖面線。LC複合零件1包括貫通介電體層52之導體部52V7、52V8、52V9、52V10、52V11。圖12B中，以虛線顯示導體部52V7~52V11。導體部523、524、525A、525B、526分別連接導體部52V7~52V11之一端。

圖12C顯示介電體層53之第2面。於介電體層53 之第2面形成有連接用導體部533、534、535A、535B、536、538及端子用導體部53T1、53T2、53T3、53T4。導體部533、534、535A、535B、536、53T1~53T4之圖12C中之配置，係與第1實施形態中說明之導體部333、334、335A、335B、336、33T1~33T4之圖4C中之配置相同。導體部538係配置於導體部533與導體部534之間。

導體部538、5311~53T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層53之第1面之方向相同)觀察時，與圖12A所示之導體部513、51T1~51T4重疊之位置。導體部533、534、535A、535B、536分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，與圖12B所示之導體部523、524、525A、525B、526重疊之位置。

導體部53T1~53T4、538分別連接圖12A、圖12B所示之導體部51V1~51V5之另一端。導體部533、534、535A、535B、536分別連接圖12B所示之導體部52V7~52V11之另一端。

LC複合零件1包括貫通基板21及介電體層31、53之連接用導體部61、62、63、64、65、66。圖12C中，以虛線顯示導體部61~66。導體部53T1~53T4、538、536分別連接導體部61~66之一端。

圖13A顯示基板21及貫通基板21之導體部61~66。圖13A中，於導體部61~66附加剖面線。

圖13B顯示介電體層31之第1面。本實施形態中，與第1實施形態相同，形成有電感器用導體部311、312及端子用導體部31T1~31T4。上述複數個導體部之形狀及配置係與第1實施形態相同。本實施形態中，特別是將導體部31T1~31T4分別配 置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層31之第1面之方向相同)觀察時，與圖12C所示之導體部53T1~53T4重疊之位置。再者，本實施形態中，未設置連接用導體部313、315、316。

本實施形態中，於介電體層31之第1面還形成有連接用導體部318、319。導體部318係配置於圖13B中之導體部311、312之下側之位置。此外，導體部318連接於導體部311、312之各一端。導體部319係配置於圖13B中之導體部311、312之上側之位置。導體部318、319分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，與圖12C所示之導體部538、536重疊之位置。

圖13B中，以二點鏈線顯示導體部61~66。導體部31T1~31T4、318、319分別連接導體部61~66之另一端。

圖13C顯示介電體層33之第1面。本實施形態中，與第1實施形態相同，形成有電感器用導體部331、332、337、端子用導體部33T1~33T4及導體部33V1~33V6。上述複數個導體部之形狀及配置，係與第1實施形態相同。本實施形態中，特別將導體部337配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層33之第1面之方向相同)觀察時，與圖13B所示之導體部319重疊之位置。此外，導體部33V1~33V6僅貫通介電體層33。再者，本實施形態中，未設置連接用導體部333、334、335A、335B、336及導體部33V7~33V11。

LC複合零件1包括貫通介電體層33之導體部33V12。圖13C中，以二點鏈線顯示導體部33V12。圖13B所示之導體部319連接導體部33V12之一端。導體部337連接導體部33V12 之另一端。

自介電體層34至磁性層22之部分之構成，係與第1實施形態之圖5A至圖5C所示之例子相同。

接著，對本實施形態之LC複合零件1之製造方法之一例簡單地進行說明。本實施形態中，首先，藉由與第1實施形態之LC複合零件1之製造方法之一例相同之方法，於基板21之第1面21a上形成自介電體層31至介電體層36之部分(除芯部23、24及端子用導體部41~44以外)。然後於基板21之第2面21b上形成介電體層53。然後於基板21及介電體層31、53形成連接用導體部61~66用之6個孔。然後，於該6個孔內形成導體部61~66。此外，於介電體層53及導體部61~66上形成圖12C所示之其他複數個導體部。然後，形成自介電體層52至保護用介電體層之部分。本實施形態之LC複合零件1之製造方法中之其他步驟，係與第1實施形態相同。

再者，LC複合零件1中之自保護用介電體層至介電體層36之部分(除芯部23、24及端子用導體部41~44以外)，也可藉由低溫同時燒成法所形成。

本實施形態中，電容器13~16係配置於將基板21夾持於與電感器11、12、17之間之位置。藉此，根據本實施形態，可增大電容器用導體部與電感用導體部之間之距離，可減少因電感器11、12、17之損失而引起之LC複合零件1之特性劣化。

本實施形態之其他構成、作用及功效，係與第1實施形態相同。

[第3實施形態]

其次，對本發明之第3實施形態之LC複合零件1進行說明。首先，參照圖14，對本實施形態之LC複合零件1之概略構成進行說明。圖14為顯示本實施形態之LC複合零件1之外觀之立體圖。本實施形態之LC複合零件1之電路構成，如圖3所示係與第1實施形態相同。

本實施形態中，未設置第2實施形態中說明之端子用導體部41~44及連接用導體部61~64。取代於此，本實施形態之LC複合零件1具備分別配置於零件本體20之4個側面中的任一者之4個外部導體層25、26、27、28、與配置於零件本體20之底面之4個端子用導體部T1、T2、T3、T4及4個連接用導體部C1、C2、C3、C4。本實施形態中，外部導體層25、26係配置於相同側面(圖14中之朝左下方向之側面)。以下，稱配置有外部導體層25、26之側面為第1側面，且以符號20A顯示。此外，稱圖14中之朝右下方向之側面為第2側面，且以符號20B顯示。此外，稱圖14中之朝右上方向之側面為第3側面，且以符號20C顯示。此外，稱圖14中之朝左上方向之側面為第4側面，且以符號20D顯示。外部導體層27、28係配置於第3側面20C。

外部導體層25係配置於第1側面20A與第4側面20D之間的稜線附近。外部導體層26係配置於第1側面20A與第2側面20B之間的稜線附近。外部導體層25、26之各一端係配置於零件本體20之底面與第1側面20A之間的稜線之位置。外部導體層25、26之各另一端係配置於零件本體20之上面與第1側面20A之間的稜線之位置。

外部導體層27係配置於第3側面20C與第4側面20D 之間的稜線附近。外部導體層28係配置於第2側面20B與第3側面20C之間的稜線附近。外部導體層27、28之各一端係配置於零件本體20之底面與第3側面20C之間的稜線之位置。外部導體層27、28之各另一端係配置於零件本體20之上面與第3側面20C之間的稜線之位置。

端子用導體部T1~T4分別經由連接用導體部C1~C4連接於外部導體層25~28之一端。端子用導體部T1係構成本實施形態之輸入端子2。端子用導體部T2係構成本實施形態之輸出端子3。端子用導體部T3、T4係構成連接於地線之接地端子。

其次，參照圖15A至圖17C，對本實施形態之LC複合零件1之具體構成進行說明。本實施形態之LC複合零件1具備與第2實施形態同樣配置之介電體層31、33、34、35、36、51、52、53及保護用介電體層。此外，與第2實施形態相同，芯部23、24被埋入於介電體層31、33~36之層積體中。再者，於圖16B至圖17B中，省略芯部23、24。

圖15A顯示介電體層51之第2面，圖15B顯示介電體層52之第2面，圖15C顯示介電體層53之第2面。本實施形態中，與第2實施形態相同，形成有電容器用導體部513、515、516、523、524、525A、525B、526、連接用導體部533、534、535A、535B、536、538、端子用導體部53T1、53T2、導體部51V5、52V7~52V11及連接用導體部65、66。上述複數個導體部之形狀及配置，係與第2實施形態相同。再者，本實施形態中，未設置有端子用導體部51T1~51T4、53T3、53T4、導體部51V1~51V4及連接用導體部61~64。

如圖15C所示，本實施形態中，於介電體層53之第2面還形成有2個連接用導體部53C1、53C2。導體部53C1、53C2之一端分別連接於導體部53T1、53T2。導體部53C1、53C2之另一端分別連接於圖14所示之外部導體層25、26。

圖16A顯示基板21、及貫通基板21之導體部65、66，圖16B顯示介電體層31之第1面，圖16C顯示介電體層33之第1面。本實施形態中，與第2實施形態相同，形成有電感器用導體部311、312、331、332、337、連接用導體部318、319、導體部33V5、33V6、33V12及連接用導體部65、66。上述複數個導體部之形狀及配置係與第2實施形態相同。再者，本實施形態中，未設置有端子用導體部31T1~31T4、33T1~33T4及導體部33V1~33V4。

圖17A顯示介電體層34之第1面，圖17B顯示介電體層35之第1面。本實施形態中，與第2實施形態(第1實施形態)相同，形成有電感器用導體部341、342、347、351、352、357A、357B、端子用導體部35T1~35T4及導體部34V5~34V7、35V5~35V8。上述複數個導體部之形狀及配置係與第2實施形態(第1實施形態)相同。再者，本實施形態中，未設置有端子用導體部34T1~34T4。

如圖17B所示，本實施形態中，於介電體層35之第1面還形成有4個連接用導體部35C1、35C2、35C3、35C4。導體部35C1~35C4之一端分別連接於導體部35T1~35T4。導體部35C1~35C4之另一端分別連接於圖14所示之外部導體層25~28。

圖17C顯示磁性層22之第1面22a。本實施形態中 未設置端子用導體部41~44。取代於此，於磁性層22之第1面22a形成有端子用導體部T1~T4及連接用導體部C1~C4。再者，圖17C係以自磁性層22之第2面22b側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。上述複數個導體部之圖17c中的配置如下。導體部T1係配置於左下方之角部附近。導體部T2係配置於右下方之角部附近。導體部T3係配置於左上方之角部附近。導體部T4係配置於右上方之角部附近。

導體部C1~C4之一端分別連接於導體部T1~T4。導體部C1~C4之另一端分別連接於圖14所示之外部導體層25~28。導體部T1~T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於磁性層22之第1面22a之方向相同)觀察時，與圖17B所示之導體部35T1~35T4重疊之位置。

接著，對本實施形態之LC複合零件1之製造方法之一例簡單地進行說明。本實施形態中，首先，藉由與第2實施形態同樣之方法製作零件本體20。然後，於零件本體20之第1側面20A形成外部導體層25、26，於零件本體20之第3側面20C形成外部導體層27、28，於零件本體20之底面形成端子用導體部T1~T4及連接用導體部C1~C4。

本實施形態之其他構成、作用及功效，係與第2實施形態相同。

[第4實施形態]

其次，對本發明之第4實施形態之LC複合零件1進行說明。首先，參照圖18，對本實施形態之LC複合零件1之概略構成進行說明。圖18為顯示本實施形態之LC複合零件1之構成之 剖視圖。本實施形態之LC複合零件1之電路構成，係如圖3所示與第1實施形態相同。

如圖18所示，本實施形態之LC複合零件1中，形成有基板21、磁性層22、電感器11、12、17之複數個介電體層之層積體、及形成有電容器13~16之複數個介電體層之層積體之上下位置關係，係與第2實施形態相反。本實施形態中，基板21之第1面21a及磁性層22之第1面22a係面向上，基板21之第2面21b及磁性層22之第2面22b係面向下。與第2實施形態相同，本實施形態中，電容器13~16係配置於將基板21夾持於與電感器11、12、17之間之位置、即基板21之第2面21b側之位置。

其次，參照圖19A至圖21C，對本實施形態之LC複合零件1之具體構成進行說明。本實施形態中，於基板21之第1面21a側及第2面21b側分別設置有層積之複數個介電體層。具體而言，LC複合零件1具備配置於基板21之第1面21a與磁性層22之第2面22b之間之介電體層71、72、73、74、及配置於基板21之第2面21b側之介電體層81、82、83、84。介電體層71~74係自基板21之第1面21a側依74、73、72、71之順序配置。介電體層81~84係自基板21之第2面21b側依序配置。介電體層71~74、81~84分別具有朝與基板21之第1面21a相同方向之第1面、及朝與基板21之第2面21b相同方向之第2面。LC複合零件1還具備配置於介電體層71之第1面與磁性層22之第2面22b之間之包含介電體材料之保護用介電體層。

本實施形態中，LC複合零件1之零件本體20之上面，係由磁性層22之第1面22a構成。LC複合零件1之零件本體 20之底面係由介電體層84之第2面構成。LC複合零件1例如以零件本體20之底面即介電體層84之第2面朝未圖示之安裝基板之上面之姿勢被安裝於安裝基板。

本實施形態中，芯部23、24係埋入於介電體層71~74及保護用介電體層之層積體中。再者，於圖19A至圖20A中，省略芯部23、24。

圖19A顯示介電體層71之第1面。於介電體層71之第1面形成有電感器用導體部711、712、717A、717B、及端子用導體部71T1、71T2、71T3、71T4。導體部711、712、717A、717B、71T1~71T4之圖19A中之配置，係與第1實施形態中說明之導體部351、352、357A、357B、35T1~35T4之圖5B中之配置相同。此外，導體部711、712之形狀係與第1實施形態中說明之導體部351、352之形狀相同。

LC複合零件1包括貫通介電體層71之導體部71V1、71V2、71V3、71V4、71V5、71V6、71V7、71V8。圖19A中，以虛線顯示導體部71V1~71V8。導體部71T1~71T4、711、712、717A、717B分別連接導體部71V1~71V8之一端。

圖19B顯示介電體層72之第1面。於介電體層72之第1面形成有電感器用導體部721、722、727、及端子用導體部72T1、72T2、72T3、72T4。導體部721、722、727、72T1~72T4之圖19B中之配置，係與第1實施形態中說明之導體部341、342、347、34T1~34T4之圖5A中之配置相同。此外，導體部721、722之形狀係與第1實施形態中說明之導體部341、342之形狀相同。

導體部721、722、72T1~72T4分別配置於自垂直於 基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層72之第1面之方向相同)觀察時，與圖19A所示之導體部711、712、71T1~71T4重疊之位置。導體部727配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向觀察時，與圖19A所示之導體部717A、717B重疊之位置。導體部72T1~72T4、721、722分別連接圖19A所示之導體部71V1~71V6之另一端。導體部727連接有圖19A所示之導體部71V7、71V8之各另一端

LC複合零件1包括貫通介電體層72之導體部72V1、72V2、72V3、72V4、72V5、72V6、72V7。圖19B中，以虛線顯示導體部72V1~72V7。導體部72T1~72T4、721、722、727分別連接導體部72V1~72V7之一端。

圖19C顯示介電體層73之第1面。於介電體層73之第1面形成有電感器用導體部731、732、737及端子用導體部73T1、73T2、73T3、73T4。導體部731、732、737、73T1~73T4之圖19C中之配置，係與第2實施形態中說明之導體部331、332、337、33T1~33T4之圖13C中之配置相同。此外，導體部731、732之形狀係與第2實施形態(第1實施形態)中說明之導體部331、332之形狀相同。

導體部731、732、737、73T1~73T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層73之第1面之方向相同)觀察時，與圖19B所示之導體部721、722、727、72T1~72T4重疊之位置。導體部73T1~73T4、731、732、737分別連接圖19B所示之導體部72V1~72V7之另一端。

LC複合零件1包括貫通介電體層73之導體部 73V1、73V2、73V3、73V4、73V5、73V6、73V12。圖19C中，以虛線顯示導體部73V1~73V6、73V12。導體部73T1~73T4、731、732、737分別連接導體部73V1~73V6、73V12之一端。

圖20A顯示介電體層74之第1面。於介電體層74之第1面形成有電感器用導體部741、742、連接用導體部748、749及端子用導體部74T1、74T2、74T3、74T4。導體部741、742、748、749、74T1~74T4之圖20A中之配置，係與第2實施形態中說明之導體部311、312、318、319、31T1~31T4之圖13B中之配置相同。此外，導體部741、742之形狀係與第2實施形態(第1實施形態)中說明之導體部311、312之形狀相同。

導體部741、742、749、74T1~74T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層74之第1面之方向相同)觀察時，與圖19C所示之導體部731、732、737、73T1~73T4重疊之位置。導體部74T1~74T4、741、742、749分別連接圖19C所示之導體部73V1~73V6、73V12之另一端。

本實施形態中之連接用導體部61~66貫通基板21及介電體層74、81。圖20A中以虛線顯示導體部61~66。導體部74T1~74T4、748、749分別連接導體部61~66之一端。

圖20B顯示基板21及貫通基板21之導體部61~66。圖20B中，於導體部61~66附加剖面線。

圖20C顯示介電體層81之第2面。於介電體層81之第2面形成有連接用導體部813、814、815A、815B、816、818、及端子用導體部81T1、81T2、81T3、81T4。再者，圖20C係以自介電體層81之第1面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。導體 部813、814、815A、815B、816、818、81T1~81T4之圖20C中之配置，係與第2實施形態中說明之導體部533、534、535A、535B、536、538、53T1~53T4之圖12C中之配置相同。

導體部818、816、81T1~81T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層81之第1面之方向相同)觀察時，與圖20A所示之導體部748、749、74T1~74T4重疊之位置。此外，圖20C中，以二點鏈線顯示導體部61~66。導體部81T1~81T4、818、816分別連接導體部61~66之另一端。

圖21A顯示介電體層82之第2面。於介電體層82之第2面形成有電容器用導體部823、824、825A、825B、826。再者，圖21A係以自介電體層82之第1面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。導體部823、824、825A、825B、826之圖21A中之配置，係與第2實施形態中說明之導體部523、524、525A、525B、526之圖12B中之配置相同。

導體部823、824、825A、825B、826分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層81之第2面之方向相同)觀察時，與圖20C所示之導體部813、814、815A、815B、816重疊之位置。

LC複合零件1包括貫通介電體層82,83之導體部83V1、83V2、83V3、83V4、83V5、及貫通介電體層82之導體部82V7、82V8、82V9、82V10、82V11。圖21A中，於導體部83V1~83V5附加剖面線。此外，圖21A中，以二點鏈線顯示導體部82V7~82V11。於圖20C所示之導體部81T1~81T4、818分別連接導體部83V1~83V5之一端。於圖20C所示之導體部813、814、815A、 815B、816分別連接導體部82V7~82V11之一端。導體部823、824、825A、825B、826分別連接導體部82V7~82V11之另一端。

圖21B顯示介電體層83之第2面。於介電體層83之第2面形成有電容器用導體部833、835、836、及端子用導體部83T1、83T2、83T3、83T4。再者，圖21B係以自介電體層83之第1面側觀察上述複數個導體部之狀態顯示。導體部833、835、836、83T1~83T4之圖21B中之配置，係與第2實施形態中說明之導體部513、515、516、51T1~51T4之圖12A中之配置相同。

圖21A所示之導體部823、824係經由介電體層83與導體部833對向。本實施形態之電容器13係由導體部823、833、及位於該等之間之介電體層83之一部分構成。本實施形態之電容器14係由導體部824、833、及位於該等之間之介電體層83之一部分構成。此外，圖21A所示之導體部825A、825B係經由介電體層83與導體部835對向。本實施形態之電容器15係由導體部825A、825B、835、及位於該等之間之介電體層83之一部分構成。此外，圖21A所示之導體部826係經由介電體層83與導體部836對向。本實施形態之電容器16係由導體部826、836、及位於該等之間之介電體層83之一部分構成。

導體部833、83T1~83T4分別配置於自垂直於基板21之第1面21a之方向(與垂直於介電體層83之第1面之方向相同)觀察時，與圖20C所示之導體部818、81T1~81T4重疊之位置。此外，圖21B中，以二點鏈線顯示導體部83V1~83V5。導體部83T1~83T4、835分別連接導體部83V1~83V5之另一端。

圖21C顯示介電體層84及貫通介電體層84之要素。 LC複合零件1包括貫通介電體層84之端子用導體部84V1、84V2、84V3、84V4。圖21C中，於導體部84V1~84V4附加剖面線。圖21B所示之導體部83T1~83T4分別連接導體部84V1~84V4之一端。本實施形態之輸入端子2，係由導體部84V1之另一端構成。本實施形態之輸出端子3，係由導體部84V2之另一端構成。導體部84V3、84V4之各另一端係構成連接於地線之接地端子。

本實施形態之電感器11係由電感器用導體部711、721、731、741、及導體部71V5、72V5、73V5構成。如圖18所示，本實施形態之芯部23係位於導體部711、721、731、741之內周部之內側。導體部711、721、731、741皆為沿芯部23之外周延伸之線狀之導體部。

本實施形態之電感器12係由電感器用導體部712、722、732、742、及導體部71V6、72V6、73V6構成。如圖18所示，本實施形態之芯部24係位於導體部712、722、732、742之內周部之內側。導體部712、722、732、742皆為沿芯部24之外周延伸之線狀之導體部。

本實施形態之電感器17係由電感器用導體部717A、717B、727、737及導體部71V7、71V8、72V7構成。

本實施形態之其他構成、作用及功效，係與第1或第2實施形態相同。

再者，本發明不限於上述各實施形態，可進行各種之變更。例如，本發明之LC複合零件不限於低通濾波器，可應用於包括電感器及電容器之全部電子零件。

基於以上之說明，可知能實施本發明之各種態樣及變 化例。因此，於以下之申請專利範圍之均等範圍內，也可於上述最佳之形態以外之形態中實施本發明。

1‧‧‧LC複合零件

11、12‧‧‧電感器

16‧‧‧電容器

20‧‧‧零件本體

21‧‧‧基板

21a‧‧‧第1面

21b‧‧‧第2面

22‧‧‧磁性層

22a‧‧‧第1面

22b‧‧‧第2面

23、24‧‧‧芯部

311、312‧‧‧電感器用導體部

316‧‧‧電容器用導體部

326‧‧‧電容器用導體部

331、332‧‧‧電感器用導體部

336‧‧‧連接器用導體部

341、342‧‧‧電感器用導體部

351、352‧‧‧電感器用導體部

41、42、43、44‧‧‧端子用導體部

33V11‧‧‧導體部

T1、T2‧‧‧厚度

Claims (5)

1. 一種LC複合零件，其特徵在於具備：一個以上之電感器；一個以上之電容器；具有磁性之磁性層；及基板，其支撐上述一個以上之電感器、上述一個以上之電容器及上述磁性層，上述基板具有第1面、及與上述第1面相反側之第2面，上述磁性層係與上述基板之第1面對向配置，上述一個以上之電感器係配置於上述基板之第1面與上述磁性層之間，於垂直於上述基板之第1面之方向，上述基板之厚度係較上述磁性層之厚度為大，上述基板之複合磁導率之實部及虛部，分別較上述磁性層之複合磁導率之實部及虛部為小。
2. 如申請專利範圍第1項之LC複合零件，其中，上述基板之厚度係在上述磁性層之厚度之1.1~3倍之範圍內。
3. 如申請專利範圍第1項之LC複合零件，其中，上述一個以上之電容器係配置於上述基板之第1面與上述磁性層之間、且自垂直於上述基板之第1面之方向觀察時與上述一個以上之電感器不重疊之位置。
4. 如申請專利範圍第1項之LC複合零件，其中，上述一個以上之電容器係配置於將上述基板夾持於其與上述一個以上之電感器之間的位置。
5. 如申請專利範圍第1項之LC複合零件，其中，進一步具備配置於上述基板之第1面與上述磁性層之間且連接於上述磁性層，並且具有磁性之一個以上之芯部，上述一個以上之電感器包含沿上述一個以上之芯部之外周延伸之一個以上之線狀導體部。