TWI502802B - Electronic Parts - Google Patents

Description

電子零件

本發明係關於一種電子零件，更特定而言，係關於具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通濾波器之電子零件。

作為習知電子零件，已知例如專利文獻1記載之積層帶通濾波器。該積層帶通濾波器具備積層體及複數個LC並聯諧振器。積層體係複數個電介質層積層而構成。各LC並聯諧振器係藉由電容器電極與電感器電極構成。電感器電極係形成為環狀。此外，各LC並聯諧振器之環面彼此重疊。在上述積層帶通濾波器，由於環面彼此重疊，因此能提高相鄰LC並聯諧振器之電感器電極間之耦合度，可謀求廣帶域化。

然而，在具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通濾波器之電子零件，會有為了獲得所欲特性而欲使LC並聯諧振器之電感器電極間之耦合度降低之情形。在專利文獻1記載之積層帶通濾波器，作為使相鄰LC並聯諧振器間之耦合度降低之方法，可舉出使LC並聯諧振器間之距離增加。然而，若LC並聯諧振器間之距離增加，則會有積層帶通濾波器大型化之問題。

專利文獻1：國際公開第2007/119356號小冊子

因此，本發明之目的在於提供一種不使元件大型化且能降低線圈間之耦合度之電子零件。

本發明一形態之電子零件，具備：積層體，由複數個絕緣體層積層而構成；以及環狀之第一LC並聯諧振器，由在積層方向延伸之第1線圈通孔導體及第2線圈通孔導體，以及設在該絕緣體層上之線狀之第1線圈導體層構成；環狀之第二LC並聯諧振器，由在積層方向延伸之第3線圈通孔導體及第4線圈通孔導體，以及設在該絕緣體層上之線狀之第2線圈導體層構成；環狀之第三LC並聯諧振器，由在積層方向延伸之第5線圈通孔導體及第6線圈通孔導體，以及設在該絕緣體層上之線狀之第3線圈導體層構成；該第一LC並聯諧振器至第三LC並聯諧振器，構成帶通濾波器；該第1線圈通孔導體及該第2線圈通孔導體，分別連接於該第1線圈導體層之兩端；該第3線圈通孔導體及該第4線圈通孔導體，分別連接於該第2線圈導體層之兩端；該第5線圈通孔導體及該第6線圈通孔導體，分別連接於該第3線圈導體層之兩端；該第一LC並聯諧振器之第1環面及該第三LC並聯諧振器之第3環面與該第二LC並聯諧振器之第2環面與積層方向平行且彼此不平行；該第1環面與該第3環面夾著該第2環面；從積層方向俯視時，該第1環面之一端及該第3環面之一端在該第2環面之中點最接近該第2環面

根據本發明，不使元件大型化即可調整LC並聯諧振器之線圈間之耦合度。

以下，說明本發明實施形態之電子零件。

(電子零件之構成)

以下，參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件之構成。圖1係本發明實施形態之電子零件10之外觀立體圖。圖2係電子零件10之積層體12之分解立體圖。圖3係電子零件10之等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向表示積層方向。又，x軸方向表示沿著電子零件之長邊之方向，y軸方向表示沿著電子零件10之短邊之方向。

電子零件10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、外部電極14(14a~14d)、LC並聯諧振器LC1~LC3及引出導體層20(20a,20b),28(28a,28b)。

積層體12，如圖2所示，藉由由陶瓷電介質構成之絕緣體層16(16a~16g)積層構成，呈長方體狀。又，積層體12內設有LC並聯諧振器LC1~LC3。

外部電極14a，如圖1所示，係設在x軸方向之負方向側之側面，作為輸入電極使用。外部電極14b，係設在x軸方向之正方向側之側面，作為輸出電極使用。外部電極14c，係設在y軸方向之負方向側之側面，作為接地電極使用。外部電極14d，係設在y軸方向之正方向側之側面，作為接地電極使用。

絕緣體層16，如圖2所示，呈長方形，藉由例如陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16g在z軸方向依序排列積層。以下，將絕緣體層16之z軸方向之正方向側之面稱為表面，將絕緣體層16之z軸方向之負方向側之面稱為背面。

LC並聯諧振器LC1包含線圈L1及電容器C1。更詳細 而言，LC並聯諧振器LC1係由通孔導體b1~b9、電容器導體層22a、線圈導體層24a及接地導體層26構成，呈環狀。

電容器C1係藉由電容器導體層22a及接地導體層26構成。接地導體層26係設在LC並聯諧振器LC1之z軸方向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層16g之表面上。接地導體層26呈長方形，覆蓋絕緣體層16g之大致整面。電容器導體層22a係隔著絕緣體層16f與接地導體層26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層22a與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22a呈在y軸方向具有長邊方向之長方形，設在較絕緣體層16f之對角線之交叉點更靠x軸方向之負方向側。

線圈L1係藉由通孔導體b1~b9及線圈導體層24a構成。通孔導體b1~b4分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16e。又，通孔導體b4之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層22a。藉此，通孔導體b1~b4構成連接於電容器導體層22a且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通孔導體b5~b9分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16f，設在較通孔導體b1~b4更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導體b9之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層26。藉此，通孔導體b5~b9構成連接於接地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。

線圈導體層24a係設在LC並聯諧振器LC1之z軸方向之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16b之表面上。線圈導體層24a，隨著往y軸方向之正方向側呈往x軸方向之 負方向側行進般相對y軸傾斜之線狀，設在較絕緣體層16b之對角線之交叉點更靠x軸方向之負方向側。此外，線圈導體層24a係連接於由通孔導體b1~b4構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部與由通孔導體b5~b9構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體b1之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24a之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b5之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24a之y軸方向之正方向側之端部。

如上述，線圈L1呈字型，該字型，以通孔導體b4與電容器導體層22a之連接點為一端，經由通孔導體b1~b4、線圈導體層24a、通孔導體b5~b9，以通孔導體b9與接地導體層26為另一端。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1，形成有環面S1。環面S1係由LC並聯諧振器LC1圍繞所形成之長方形假想平面。環面S1與z軸方向平行，隨著往y軸方向之正方向側而往x軸方向之負方向側行進般相對y軸傾斜。

LC並聯諧振器LC2包含線圈L2及電容器C2。更詳細而言，LC並聯諧振器LC2係由通孔導體b10~b18、電容器導體層22b、線圈導體層24b及接地導體層26構成，呈環狀。

電容器C2係藉由電容器導體層22b及接地導體層26構成。接地導體層26係設在LC並聯諧振器LC2之z軸方向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層16g之表面上。 接地導體層26呈長方形，覆蓋絕緣體層16g之大致整面。亦即，電容器C2之接地導體層26與電容器C1之接地導體層26共通，設在相同絕緣體層16g之表面上。電容器導體層22b係隔著絕緣體層16f與接地導體層26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層22b與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22b呈在y軸方向具有長邊方向之長方形，設在絕緣體層16f之對角線之交叉點上。

線圈L2係藉由通孔導體b10~b18及線圈導體層24b構成。通孔導體b10~b13分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16e。又，通孔導體b13之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層22b。藉此，通孔導體b10~b13構成連接於電容器導體層22b且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通孔導體b14~b18分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16f，設在較通孔導體b10~b13更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導體b18之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層26。藉此，通孔導體b14~b18構成連接於接地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。

線圈導體層24b係設在LC並聯諧振器LC2之z軸方向之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16b之表面上。線圈導體層24b，呈在y軸方向延伸之線狀，設在絕緣體層16b之對角線之交叉點上。此外，線圈導體層24b係連接於由通孔導體b10~b13構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部與由通孔導體b14~b18構成之一條通孔導體 之z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體b10之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24b之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b14之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24b之y軸方向之正方向側之端部。

如上述，線圈L2呈字型，該字型，以通孔導體b13與電容器導體層22b之連接點為一端，經由通孔導體b10~b13、線圈導體層24b、通孔導體b14~b18，以通孔導體b18與接地導體層26為另一端。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC2，形成有與yz平面平行(亦即，與z軸方向平行)之環面S2。環面S2係由LC並聯諧振器LC2圍繞所形成之長方形假想平面。環面S2，從z軸方向俯視時，與積層體12之短邊(亦即，y軸方向)平行。

LC並聯諧振器LC3包含線圈L3及電容器C3。更詳細而言，LC並聯諧振器LC3係由通孔導體b19~b27、電容器導體層22c、線圈導體層24c及接地導體層26構成，呈環狀。

電容器C3係藉由電容器導體層22c及接地導體層26構成。接地導體層26係設在LC並聯諧振器LC3之z軸方向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層16g之表面上。接地導體層26呈長方形，覆蓋絕緣體層16g之大致整面。亦即，電容器C3之接地導體層26與電容器C1,C2之接地導體層26共通，設在相同絕緣體層16g之表面上。電容器 導體層22c係隔著絕緣體層16f與接地導體層26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層22c與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22c呈在y軸方向具有長邊方向之長方形，設在較絕緣體層16f之對角線之交叉點更靠x軸方向之正方向側。

線圈L3係藉由通孔導體b19~b27及線圈導體層24c構成。通孔導體b19~b22分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16e。又，通孔導體b22之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層22c。藉此，通孔導體b19~b22構成連接於電容器導體層22c且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通孔導體b23~b27分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16f，設在較通孔導體b19~b22更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導體b27之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層26。藉此，通孔導體b23~b27構成連接於接地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。

線圈導體層24c係設在LC並聯諧振器LC3之z軸方向之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16b之表面上。線圈導體層24c，隨著往y軸方向之正方向側呈往x軸方向之正方向側行進般相對y軸傾斜之線狀，設在較絕緣體層16b之對角線之交叉點更靠x軸方向之正方向側。此外，線圈導體層24c係連接於由通孔導體b19~b22構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部與由通孔導體b23~b27構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體b19之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導 體層24c之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b23之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24c之y軸方向之正方向側之端部。

如上述，線圈L3呈字型，該字型，以通孔導體b22與電容器導體層22c之連接點為一端，經由通孔導體b19~b22、線圈導體層24c、通孔導體b23~b27，以通孔導體b27與接地導體層26為另一端。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC3，形成有環面S3。環面S3係由LC並聯諧振器LC3圍繞所形成之長方形假想平面。環面S3與z軸方向平行，隨著往y軸方向之正方向側而往x軸方向之正方向側行進般相對y軸傾斜。

如上述，LC並聯諧振器LC1~LC3之環面S1~S3，從x軸方向(亦即，環面S1之法線方向)俯視時，在至少一部分重疊。此外，環面S1與環面S3夾著環面S2。藉此，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC2之線圈L2電磁場耦合。又，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC3之線圈L3電磁場耦合。然而，環面S1,S2,S3彼此不平行。具體而言，從z軸方向之正方向側俯視時，在y軸方向之負方向側之端部之環面S1,S3與環面S2之間隔較在y軸方向之正方向側之端部之環面S1,S3與環面S2之間隔狹窄。從z軸方向之正方向側俯視時，環面S1,S3相對環面S2設成線對稱。以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1~LC3構成帶通濾波器。

引出導體層20a係設在絕緣體層16f之表面上，連接於 電容器導體層22a且引出至絕緣體層16f之x軸方向之負方向側之短邊。藉此，引出導體層20a連接於外部電極14a。其結果，LC並聯諧振器LC1在電容器C1與線圈L1之間與外部電極14a電氣連接。

引出導體層20b係設在絕緣體層16f之表面上，連接於電容器導體層22c且引出至絕緣體層16f之x軸方向之正方向側之短邊。藉此，引出導體層20b連接於外部電極14b。其結果，LC並聯諧振器LC3在電容器C3與線圈L3之間與外部電極14b電氣連接。

引出導體層28a係設在絕緣體層16g之表面上，連接於接地導體層26且引出至絕緣體層16g之y軸方向之負方向側之長邊。藉此，引出導體層28a連接於外部電極14c。其結果，LC並聯諧振器LC1~LC3分別在電容器C1~C3與線圈L1~L3之間與外部電極14c電氣連接。

引出導體層28b係設在絕緣體層16g之表面上，連接於接地導體層26且引出至絕緣體層16g之y軸方向之正方向側之長邊。藉此，引出導體層28b連接於外部電極14d。其結果，LC並聯諧振器LC1~LC3分別在電容器C1~C3與線圈L1~L3之間與外部電極14d電氣連接。

接著，參照圖1至圖3說明電子零件10之動作之一例。例如，具有正電壓之高頻訊號Sig1從外部電極14a輸入之情形，如圖3所示，從x軸方向之正方向側俯視時，順時針流動。

LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC2 之線圈L2電磁場耦合。因此，若高頻訊號Sig1，從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC1順時針流動，則高頻訊號Sig2，因電磁感應從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC2逆時針流動。

LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC3電磁場耦合。因此，若高頻訊號Sig2，從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC2逆時針流動，則高頻訊號Sig3，因電磁感應從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC3順時針流動。藉此，高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。

此處，LC並聯諧振器LC1~LC3分別具有藉由線圈L1~L3及電容器C1~C3決定之固有諧振頻率。此外，LC並聯諧振器LC1~LC3之阻抗在此等諧振頻率變高。藉此，藉由此等諧振頻率決定之既定頻帶之高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。

(電子零件之製造方法)

接著，參照圖1及圖2說明電子零件10之製造方法。

首先，準備應成為絕緣體層16的陶瓷坯片。接著，在應成為絕緣體層16b~16f的陶瓷坯片分別形成通孔導體b1~b27。具體而言，對應成為絕緣體層16b~16f的陶瓷坯片照射雷射光束形成通孔。接下來，使用印刷塗布等方法對該通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導電性糊。

接著，在應成為絕緣體層16b,16f,16g的陶瓷坯片上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au 或它們的合金等作為主成分的導電性糊，以形成引出導體層20a,20b、電容器導體層22a~22c、線圈導體層24a~24c、接地導體層26及引出導體層28a,28b。此外，在形成引出導體層20a,20b、電容器導體層22a,22b及線圈導體層24a~24c時，進行對通孔之導電性糊之填充亦可。

接著，將各陶瓷坯片積層。具體而言，配置應成為絕緣體層16g的陶瓷坯片。接著，在應成為絕緣體層16g的陶瓷坯片上配置應成為絕緣體層16f的陶瓷坯片。之後，將應成為絕緣體層16f的陶瓷坯片對應成為絕緣體層16g的陶瓷坯片壓接。之後，針對應成為16e,16d,16c,16b,16a的陶瓷坯片亦同樣地依此順序進行積層及壓接。藉由上述步驟，形成母積層體。此母積層體，係藉由靜水壓加壓等進行正式壓接。

接著，藉由切刀將母積層體裁切成既定尺寸之積層體12。對未燒成之積層體12進行脫結合劑處理及燒成。

藉由以上步驟，獲得燒成後之積層體12。對積層體12施加筒式加工，進行去角。之後，在積層體12之表面藉由例如浸漬法等方法塗布及燒接主成分為銀之電極糊，藉此形成應成為外部電極14之銀電極。

最後，在銀電極的表面實施鍍鎳(Ni)/鍍錫(Sn)，藉此形成外部電極14。經過以上的步驟，完成圖1所示的電子零件10。

(效果)

根據以上述方式構成之電子零件10，不使元件大型化 且能降低線圈L1~L3之耦合度。以下，比較電子零件10與環面S1~S3為平行之比較例之電子零件並進行說明。在比較例之電子零件之環面S1,S3與環面S2之間隔與在電子零件10之y軸方向之正方向側之端部之環面S1,S3與環面S2之間隔相等。

在比較例之電子零件，由於環面S1~S3平行，因此從環面S2在法線方向產生之磁通通過環面S1,S3。另一方面，在電子零件10，環面S1,S3相對於環面S2傾斜。因此，在電子零件10，從x軸方向俯視時，環面S2從環面S1,S3往y軸方向之負方向側露出。藉此，在電子零件10，從環面S2在法線方向產生之磁通之一部分不通過環面S1,S3。如上述，在電子零件10，在比較例之電子零件通過環面S1,S3之磁通不通過環面S1,S3。因此，在電子零件10之線圈L1~L3彼此之耦合度較在環面S1~S3平行之電子零件之線圈L1~L3彼此之耦合度低。

然而，如上述，在比較例之電子零件之環面S1,S3與環面S2之間隔與在電子零件10之y軸方向之正方向側之端部之環面S1,S3與環面S2之間隔相等。是以，電子零件10之晶片尺寸與比較例之電子零件之晶片尺寸相等。如上述，在電子零件10，不使元件大型化且能降低線圈L1~L3之耦合度。

本申請發明人為了使電子零件10達成之效果更明確，進行以下說明之電腦模擬。具體而言，製作電子零件10之模型(第1模型)及比較例之電子零件之模型(第2模型)，調 查此等之通過特性。圖4係顯示模擬結果之圖表。縱軸表示***損耗，橫軸表示頻率。

根據圖4，可知第1模型較第2模型通帶狹窄。此處，在帶通濾波器，已知若線圈L1~L3彼此之耦合度變低，則通帶變窄。因此，根據本模擬，可知第1模型較第2模型線圈L1~L3彼此之耦合度變低。

(變形例)

以下，參照圖式說明變形例之電子零件。圖5(a)係從z軸方向之正方向側透視第1變形例之電子零件之圖。圖5(b)係從z軸方向之正方向側透視第2變形例之電子零件之圖。

如圖5(a)所示，在電子零件10a，從z軸方向俯視時，環面S1,S3與環面S2呈直角亦可。藉此，從x軸方向俯視時，環面S2從環面S1,S3往y軸方向之負方向側露出之面積變大。其結果，在電子零件10a之線圈L1~L3彼此之耦合度變更低。

又，如圖5(b)所示，在電子零件10b，從z軸方向俯視時，環面S1之一端及環面S3之一端在環面S2之中點最接近該環面S2亦可。藉此，環面S1與環面S3之間被環面S2分斷。其結果，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3不易電磁耦合。其結果，在電子零件10b之LC並聯諧振器LC1~LC3彼此之耦合度變更低。

如上述，本發明在電子零件有用，尤其是在不使元件大型化且能降低LC並聯諧振器之耦合度之點優異。

C1~C3‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

S1~S3‧‧‧環面

b1~b27‧‧‧通孔導體

10,10a,10b‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

14a~14d‧‧‧外部電極

16a~16g‧‧‧絕緣體層

20a,20b,28a,28b‧‧‧引出導體層

22a~22c‧‧‧電容器導體層

24a~24c‧‧‧線圈導體層

26‧‧‧接地導體層

圖1係本發明實施形態之電子零件之外觀立體圖。

圖2係電子零件之積層體之分解立體圖。

圖3係電子零件之等效電路圖。

圖4係顯示模擬結果之圖表。

圖5(a)係從z軸方向之正方向側透視第1變形例之電子零件之圖。圖5(b)係從z軸方向之正方向側透視第2變形例之電子零件之圖。

C1~C3‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

S1~S3‧‧‧環面

b1~b27‧‧‧通孔導體

12‧‧‧積層體

16a~16g‧‧‧絕緣體層

20a,20b,28a,28b‧‧‧引出導體層

22a~22c‧‧‧電容器導體層

24a~24c‧‧‧線圈導體層

26‧‧‧接地導體層

Claims (4)

1. 一種電子零件，具備：積層體，由複數個絕緣體層積層而構成；以及環狀之第一LC並聯諧振器，由在積層方向延伸之第1線圈通孔導體及第2線圈通孔導體，以及設在該絕緣體層上之線狀之第1線圈導體層構成；環狀之第二LC並聯諧振器，由在積層方向延伸之第3線圈通孔導體及第4線圈通孔導體，以及設在該絕緣體層上之線狀之第2線圈導體層構成；環狀之第三LC並聯諧振器，由在積層方向延伸之第5線圈通孔導體及第6線圈通孔導體，以及設在該絕緣體層上之線狀之第3線圈導體層構成；該第一LC並聯諧振器至第三LC並聯諧振器，構成帶通濾波器；該第1線圈通孔導體及該第2線圈通孔導體，分別連接於該第1線圈導體層之兩端；該第3線圈通孔導體及該第4線圈通孔導體，分別連接於該第2線圈導體層之兩端；該第5線圈通孔導體及該第6線圈通孔導體，分別連接於該第3線圈導體層之兩端；該第一LC並聯諧振器之第1環面及該第三LC並聯諧振器之第3環面與該第二LC並聯諧振器之第2環面與積層方向平行且彼此不平行；該第1環面與該第3環面夾著該第2環面； 從積層方向俯視時，該第1環面之一端及該第3環面之一端在該第2環面之中點最接近該第2環面。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，該積層體呈長方體狀；從積層方向俯視時，該第2環面與該積層體之邊平行。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，該第1環面與該第2環面成直角。
4. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，該第一LC並聯諧振器包含線圈及電容器；該電容器，包含：接地導體層，設在該第一LC並聯諧振器之積層方向最下側；以及電容器導體層，隔著該絕緣體層與該接地導體層對向；該線圈，包含：第1線圈通孔導體，連接於該電容器導體層；第2線圈通孔導體，連接於該接地導體層；以及線圈導體層，連接於該第1線圈通孔導體之積層方向上側之端部與該第2線圈通孔導體之積層方向上側之端部。