TW201521359A - 表面安裝晶體振子 - Google Patents
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Abstract
一種表面安裝晶體振子。在為陶瓷片材與金屬蓋體由金屬材料封接的構成時，去除來自金屬蓋體的外側的針對金屬蓋體內部的晶體振動器件的雜訊，可提高氣密性並提高電氣特性。本發明的表面安裝晶體振子，在陶瓷基板(1)的表面用來保持晶體片(4)的保持端子(2)、與形成於基板(1)的背面的信號線端子(6b)，利用形成於基板(1)內的信號線用貫通孔(8b)而連接。形成於金屬蓋(5)接觸的部分的金屬層(7)、與形成於基板(1)的背面的接地端子(6a)，利用形成於基板(1)內的接地用貫通孔(8a)而連接。
Description
本發明是有關一種表面安裝晶體振子，特別是有關於一種表面安裝晶體振子，可去除來自外部的針對金屬蓋內部的晶體振子的雜訊(noise)。
就現有的晶體振子而言，賣價下降明顯，且為了降低原價，使用單層陶瓷片材的晶體振子等而得以量產。
然而，因在金屬蓋(蓋體)與陶瓷基板(基底)的封接中使用了樹脂，所以看到由老化(aging)引起的電氣特性的劣化。
在高氣密的封接中使用玻璃或者金屬，但在陶瓷片材的情況下，如果考慮蓋體的定位與斷裂時的應力，則不適合使用玻璃。
因此，認為適合採用由金屬材料將陶瓷片材與金屬蓋體封接的構成。
另外，作為關聯的背景技術，有日本專利特開2011-155172號公報“電子裝置及電子裝置的製造方法”(精工愛普生(Seiko Epson)股份有限公司)[專利文獻1]，日本專利特開2013-140876號公報“電子元
件的製造方法、電子元件、壓電振盪器及電子機器”(精工愛普生股份有限公司)[專利文獻2]，及日本專利第3541682號公報“壓電振子”(精工愛普生股份有限公司)[專利文獻3]。
專利文獻1中表示如下內容：在電子元件中，對陶瓷基底與金屬蓋體的接合，使用金屬進行硬焊(brazing)。
專利文獻2中表示如下內容：在電子裝置中，對陶瓷基底與金屬蓋體的接合，使用金屬並利用雷射進行焊接。
專利文獻3中表示如下內容：在壓電器件中，對陶瓷基底與金屬蓋體的接合，使用金屬並利用雷射或電子光束將金或銀的密封材熔解。
[專利文獻1]日本專利特開2011-155172號公報
[專利文獻2]日本專利特開2013-140876號公報
[專利文獻3]日本專利第3541682號公報
然而，所述現有的晶體振子中，在利用金屬材料將陶瓷片材與金屬蓋體封接的情況下，存在如下問題，即：並未進行充分考慮，以使來自金屬蓋體的外部的雜訊不會影響到內部的晶體振動器件。
而且，專利文獻1~專利文獻3中，並未記載有關使得來自金屬蓋的外部的雜訊不會影響到內部的晶體振動器件的考慮。
本發明鑒於所述實際情況而完成，目的在於提供如下的表面安裝晶體振子，即：在為利用金屬材料將陶瓷片材與金屬蓋體封接的構成的情況下，去除來自金屬蓋體的外側的針對金屬蓋體內部的晶體振動器件
的雜訊，從而可提高氣密性並提高電氣特性。
用以解決所述現有例的問題的本發明為一種表面安裝晶體
振子，包括：陶瓷基板、在陶瓷基板上保持晶體振動器件的保持端子、及以覆蓋晶體振動器件的方式形成的金屬蓋，所述表面安裝晶體振子的特徵在於：在陶瓷基板的背面，形成著信號線端子及接地端子；在陶瓷基板的表面，在金屬蓋接觸的部分形成著將陶瓷基板與金屬蓋接合的金屬層；保持端子與信號線端子利用形成於陶瓷基板內的第一貫通孔而連接；金屬層與接地端子利用形成於陶瓷基板內的貫通導體而連接。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述貫通
導體包含：形成於所述陶瓷基板內的第二貫通孔。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述第二
貫通孔的所述陶瓷基板表面的連接部，是在所述金屬層的角部或該角部附近形成於所述金屬層的下方。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述貫通
導體包含：在所述陶瓷基板的角部、形成於側面的導通端子(through terminal)。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述導通
端子的所述陶瓷基板表面的連接部是：在所述金屬層的角部或該角部附近，以連接於所述金屬層的方式而形成。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述金屬蓋在與所述金屬層的接觸面，形成著暫時結合用的溶劑層。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，在所述金屬蓋搭載於所述陶瓷基板、且由所述金屬層接合於所述陶瓷基板的狀態下，以覆蓋整個表面的方式形成耐熱性樹脂層。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，在所述金屬蓋搭載於所述陶瓷基板、且由所述金屬層而接合於所述陶瓷基板的狀態下，以覆蓋所述金屬蓋的表面與側面、及所述金屬層的側面的方式形成鍍敷層。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述金屬蓋設為具有凸緣(flange)的構造。
本發明的特徵在於：在所述表面安裝晶體振子中，所述金屬蓋設為不具有凸緣的U字型的構造。
根據本發明，形成如下的表面安裝晶體振子：在基板的背面，形成著信號線端子及接地端子；在基板的表面，在金屬蓋接觸的部分形成著將基板與金屬蓋接合的金屬層；保持端子與信號線端子利用形成於基板內的第一貫通孔而連接；金屬層與接地端子利用形成於基板內的第二貫通孔而連接，因而，在為陶瓷片材與金屬蓋由金屬層封接的構成的情況下，具有如下效果：去除來自金屬蓋的外側的、針對金屬蓋內部的晶體振動器件的雜訊，從而可提高氣密性並提高電氣特性。
1‧‧‧陶瓷基板
2、2'‧‧‧保持端子
3‧‧‧導電性黏著劑
4‧‧‧晶體片
4'‧‧‧音叉型的晶體片(晶體振動器件)
4a‧‧‧激振電極
5、5'‧‧‧金屬蓋(金屬蓋體)
6a、6a'‧‧‧接地端子
6b‧‧‧信號線端子
7‧‧‧金屬層
8a‧‧‧接地用貫通孔
8b‧‧‧信號線用貫通孔
8c‧‧‧接地用連接端子
9‧‧‧導通端子
11‧‧‧溶劑層
12‧‧‧耐熱性樹脂層
13‧‧‧鍍敷層
圖1是使本振子的金屬蓋為打開狀態的立體圖。
圖2是本振子的剖面說明圖。
圖3A、圖3B是本振子的平面說明圖。
圖4是圖3A、圖3B的IV-IV部分的剖面說明圖。
圖5是圖3A、圖3B的V-V部分的剖面說明圖。
圖6是圖3A、圖3B的VI-VI部分的剖面說明圖。
圖7A~圖7C是表示本振子的製造方法的剖面說明圖。
圖8A、圖8B是雙端支撐型的平面說明圖。
圖9A、圖9B是另一雙端支撐型的平面說明圖。
圖10是使用了U字型的金屬蓋體的情況的剖面說明圖。
圖11是使音叉型晶體振子的金屬蓋為打開狀態的立體圖。
圖12是暫時結合前的應用例2的振子的剖面說明圖。
圖13是暫時結合後的應用例2的振子的剖面說明圖。
圖14是密封處理後的應用例2的振子的剖面說明圖。
圖15A、圖15B是應用例2的金屬蓋的平面說明圖。
圖16是應用例3的振子的剖面說明圖。
圖17是應用例4的振子的剖面說明圖。
一邊參照附圖，一邊對本發明的實施方式進行說明。
本發明的實施方式的表面安裝晶體振子中，在陶瓷基板的表面用來保持晶體片的保持端子、與形成於陶瓷基板的背面的信號線端子，是利用形成於陶瓷基板內的第一貫通孔而連接；形成於金屬蓋接觸的部分的金屬層、與形成於陶瓷基板背面的接地端子，是利用形成於基板內的貫通導體(第二貫通孔)而連接；因而，成為金屬蓋連接於接地端子的狀態，從而能夠防止來自金屬蓋的外側的雜訊影響到金屬蓋內，且利用金屬層將金屬蓋與陶瓷基板封接，因而可提高氣密性。
一邊參照圖1、圖2、圖3A、圖3B，一邊對本發明的實施
方式的表面安裝晶體振子(本振子)進行說明。圖1是使本振子的金屬蓋為打開狀態的立體圖。圖2是本振子的剖面說明圖，圖3A、圖3B是本振子的平面說明圖。另外，圖3A中，為了使特徵部分易懂，而將金屬蓋、晶體片等去除，圖3B中描繪了搭載著晶體片的圖。而且，圖2中表示將陶瓷片材設為2層的實施例。
如圖1、圖2、圖3A、圖3B所示，本振子包含：陶瓷基板
1、保持端子2、導電性黏著劑3、晶體片4、金屬蓋(金屬蓋體)5、接地端子6a、信號線端子6b(圖5中圖示)、金屬層7、接地用貫通孔8a(through via for ground)、及信號線用貫通孔8b(through via for signal line)。
另外，接地用貫通孔8a即為申請專利範圍中的第二貫通孔，信號線用貫通孔8b即為申請專利範圍中的第一貫通孔。
陶瓷基板1是經由保持端子2、導電性黏著劑3，而在表面搭載著晶體片4，進而設置著金屬蓋5，且在背面形成著接地端子6a、及信號線端子6b，在內部形成著接地用貫通孔8a、及信號線用貫通孔8b。
陶瓷基板1是將陶瓷片材分割為多個而形成，片材為1層、2層、3層中的任一種。
保持端子2是在基板1上由金屬膜而形成，且連接於信號線用貫通孔8b。
圖3B中，表示由一個的短邊來保持晶體片4的懸臂型，保持端子2中的一個在基板1的短邊處連接於信號線用貫通孔8b，保持端子2中的另一個沿著基板1的長邊而向相反側的短邊引出，並在該處連接於信號線用貫通孔8b。而且，在晶體片4的表面與背面形成著激振電極4a。
雖將於以後進行敘述，但不限於懸臂型，也可應用於雙端支
撐型的晶體振子。
導電性黏著劑3為：用以將晶體片4黏著於保持端子2的導電性的黏著劑。
晶體片4為晶體振子，在表面與背面分別形成著電極，各電極利用導電性黏著劑3黏著於不同的保持端子2。
金屬蓋(金屬蓋體)5是以覆蓋所搭載的晶體片4的方式而形成。另外，金屬蓋體由拉拔加工(drawing)而形成模腔(收容晶體片4的空間)。本振子中，金屬蓋體5成為：相對於陶瓷基板1具有L字形狀的凸緣的構造。
蓋體的材料也使用科伐合金(kovar)、鋅白銅(nickel silver)、42合金、特殊用途不銹鋼(Special Use Stainless steel，SUS)等。
接地端子6a是形成於基板1的背面的2個部位。該2個部位的接地端子6a是連接於接地用貫通孔8a。
信號線端子6b是形成於基板1的背面的2個部位。該2個部位的信號線端子6b是連接於信號線用貫通孔8b。
金屬層7是作為密封材料，例如使用金錫(Au-Sn)、金鍺(Au-Ge)、銀焊劑、銀錫(Ag-Sn)等合金。這些密封材料是將熔點低於所接合的構件的合金(焊劑)熔解，而用作一種黏著劑。
這些密封材料是由預製件(preform)、鍍敷、包覆材料、漿料而形成。
密封方法是：除了雷射、電子束之外，還可使用批次加熱加工、真空回焊等。
而且，也可利用金屬化來形成金屬層7。金屬化是：在陶瓷基板1的表面形成金屬膜，然後進行金屬硬焊(brazing)，而將非金屬的表
面金屬膜化。
接地用貫通孔8a是在基板1內形成通孔(via hole)，且在通孔的內側利用鍍敷形成導體，且利用導電體將金屬層7與接地端子6a連接。
因此，接地端子6a是連接於接地電位(ground level)，因而接地端子6a、接地用貫通孔8a、金屬層7、金屬蓋體5均為接地電位。
信號線用貫通孔8b是在基板1內形成通孔，且在通孔的內側利用鍍敷形成導體，且利用導電體將保持端子2與信號線端子6b連接。
接下來，一邊參照圖4~圖6，一邊對本振子的各種剖面進行說明。圖4是圖3A的IV-IV部分的剖面說明圖，圖5是圖3A的V-V部分的剖面說明圖，圖6是圖3A的VI-VI部分的剖面說明圖。尤其，圖4~圖6是將陶瓷片材設為2層的情況的實施例。
圖4中表示如下狀態，與金屬蓋體5接觸的金屬層7是連接於基板1中、形成於基板1的下方的接地用貫通孔8a，接地用貫通孔8a是連接於接地端子6a。
圖5中表示如下狀態，保持端子2是連接於基板1中、形成於其基板1的下方的信號線用貫通孔8b，信號線用貫通孔8b是連接於信號線端子6b。
圖6的右側表示如下狀態，與金屬蓋體5接觸的金屬層7是連接於基板1中、形成於基板1的下方的接地用貫通孔8a，接地用貫通孔8a是連接於接地端子6a。
而且，圖6的左側表示如下狀態，保持端子2是連接於基板1中、形成於基板1的下方的信號線用貫通孔8b，信號線用貫通孔8b是連接於信號線端子6b。
接下來，一邊參照圖7A~圖7C，一邊對本振子的製造方法進行說明。圖7A~圖7C是表示本振子的製造方法的剖面說明圖。另外，參考圖6的剖面說明圖，來說明圖7A~圖7C的製造方法。
如圖7A所示，在基板1內，形成著接地用貫通孔8a及信號線用貫通孔8b。如果為在基板1的背面具備4個端子的構成，則接地用貫通孔8a形成有2個，信號線用貫通孔8b形成有2個。
如圖7B所示，在基板1的背面，形成著接地端子6a及信號線端子6b，在基板1的表面形成著保持端子2。
如圖7C所示，在基板1的表面、金屬蓋體5所接觸的部分，形成金屬層7。金屬層7是以帶狀而形成於基板1的內周。
在將金屬層7設為密封材料的情況下，由預製件、鍍敷、包覆材料、漿料而形成。
而且，也可利用金屬化，來形成金屬層7。
然後，利用導電性黏著劑3，將晶體片4黏著並搭載於保持端子2，將金屬蓋體5的接觸面定位並設定於金屬層7上，除雷射、電子束外，還可利用批次加熱加工、真空回焊等，將金屬蓋體5密封於基板1上。
密封後，進行刀片切割(blade dicing)、雷射切割、沿著形成於陶瓷片材的劃線(斷裂線)進行斷裂等的分割處理，而獲得獨立的表面安裝晶體振子。
作為密封法，在陶瓷片材上搭載著多個晶體片4的狀態下，以晶體片4朝向下側的方式設定，使多個金屬蓋體5在對齊托板(alignment pallet)上對齊，進行托板與陶瓷片材的定位，並進行加熱、加壓且進行批次密封。
該情況下，通過在陶瓷片材與金屬蓋體5之間設置間隙，而可將密封處理時產生的逸出氣體(outgas)向外部散放。
而且，作為另一密封法，將金屬蓋體5逐個地、暫時結合於搭載著晶體片4的陶瓷片材上。暫時結合中，使用超音波、加熱、雷射等，如果暫時結合時完全氣密則內部氣體不會散放，因而，在金屬蓋體5與金屬層7之間形成一些間隙。作為形成間隙的方法，使金屬層7的厚度並非均勻，而局部地改變金屬層7的厚度，並有意識地形成間隙。
利用雷射的暫時結合是：由雷射進行局部加熱、並暫時固定。
在暫時結合後，利用真空回焊將陶瓷片材加熱，使密封材料的金屬層7熔融並進行密封。在真空回焊前，進行甲酸回焊，由此提高密封材料的洩露性(氣密性)，並且可增加自動對準性。
甲酸回焊以150℃至200℃左右便可還原，因而可在密封材料的軟化前使其還原。
接下來，對本發明的實施方式的表面安裝晶體振子，說明雙端支撐型的示例。圖8A、圖8B是雙端支撐型的平面說明圖。圖8A中將金屬蓋與晶體片去除，圖8B中描繪了搭載著晶體片的圖。
如圖8A、圖8B所示，雙端支撐型是：在陶瓷基板1內形成著接地用貫通孔8a及信號線用貫通孔8b；在信號線用貫通孔8b上，形成
著保持晶體片4的短邊中的一個的保持端子2'與保持晶體片4的短邊中的另一個的保持端子2'。而且，在晶體片4的表面與背面形成著激振電極4a。
而且，在接地用貫通孔8a上形成著金屬層7。
金屬層7是：與圖3A、圖3B同樣地，呈帶狀而形成於基板1的內周。
而且，保持端子2'的與連接於信號線用貫通孔8b的一側為相反側的端部，在短邊方向上形成得短。這是因為，即便金屬蓋體5的搭載位置發生偏移，也可防止金屬蓋體5與保持端子2'接觸。
接下來，一邊參照圖9A、圖9B，一邊對另一雙端支撐型的表面安裝晶體振子進行說明。圖9A、圖9B是另一雙端支撐型的平面說明圖。尤其，圖9A中表示其表面，圖9B表示其背面。
如圖9A所示，另一雙端支撐型是：在基板1的四角形成著貫穿孔(through hole)，在該貫穿孔的側面(側壁)形成著導通端子9。
尤其，基板1的四角內的2個部位是連接於接地用連接端子8c，並經由導通端子9而連接於圖9B的接地端子6a'。其中，保持端子2'是經由信號線用貫通孔8b，而連接於背面的信號線端子6b。
圖9A、圖9B的示例中，也可不利用基板1的通孔(via)進行接地連接，而是利用基板1的角部的導通端子9來進行。該構成也可適用於懸臂型的表面安裝晶體振子。
其次，即便為金屬蓋體的形狀為U字型也可適用。圖10是表示使用了U字型的金屬蓋體的情況的剖面說明圖。
在圖10的情況下，將金屬蓋體5'設為不具有凸緣的U字型，
由此與圖1、圖2的金屬蓋體5具備凸緣的開口端面的構造相比，可擴大內部空間，因而具有可實現表面安裝晶體振子的更小型化的效果。
另外，為了增大金屬蓋體5'的相對於金屬層7的接觸面，而使垂直方向的側壁的厚度比水平方向的頂板部分的厚度厚。
以上，對表面安裝晶體振子進行了說明，也可如圖11所示，適用於音叉型晶體振子。圖11是使音叉型晶體振子的金屬蓋為打開狀態的立體圖。
如圖11所示，音叉型晶體振子是：在陶瓷基板1上形成著金屬層7並且形成著保持端子2，且經由導電性黏著劑3將音叉型的晶體片(晶體振動器件)4'搭載於保持端子2上。
另外，保持端子2是沿著陶瓷基板1的長邊而引出，在端部連接於信號線用貫通孔8b，且連接於形成於陶瓷基板1的背面的信號線端子。
接下來，一邊參照圖12~圖15B，一邊對本發明的實施方式的表面安裝晶體振子的應用例2進行說明。圖12是暫時結合前的應用例2的振子的剖面說明圖，圖13是暫時結合後的應用例2的振子的剖面說明圖，圖14是密封處理後的應用例2的振子的剖面說明圖，圖15A、圖15B是應用例2的金屬蓋的平面說明圖。
如圖12~圖15B所示，應用例2的振子與本振子基本相同，不同點在於：在金屬蓋(金屬蓋體)5中，與金屬層7的黏著面上形成著溶劑層11。
對應用例2的振子的溶劑層11進行說明。應用例2的振子
的其他構成與本振子相同，因而省略說明。
溶劑層11使用黏度高的有機溶劑，而塗布於金屬蓋體5的與金屬層7的接觸面上。
另外，如圖15A所示，也可在金屬蓋體5的與金屬層7的整個接觸面上形成溶劑層11，還可如圖15B所示，在金屬蓋體5的與金屬層7的接觸面上局部地形成溶劑層11。
應用例2的振子中，如圖12所示，如果在金屬層7上搭載著在接觸面上塗布有溶劑層11的金屬蓋體5，則如圖13所示，溶劑層11暫時結合於金屬層7，金屬蓋體5暫時固定於金屬層7。
應用例2的振子中，利用真空回焊等密封處理，如圖14所示，溶劑層11揮發，金屬蓋體5密接地密封於金屬層7。
應用例2的振子中，在將金屬蓋體5搭載於金屬層7的狀態下，金屬蓋體5並未黏著於金屬層7上，因而可將密封處理時產生的逸出氣體向金屬蓋體5的外部散放。
另外，溶劑層11雖在密封處理中揮發，但殘渣會少量殘留於周邊。
根據應用例2的振子，在陶瓷基板1的表面，在金屬蓋體5接觸的部分形成用以將陶瓷基板1與金屬蓋體5接合的金屬層7，在金屬蓋體5上與金屬層7的接觸面形成溶劑層11，以溶劑層11與金屬層7接觸的方式設置，將金屬蓋體5暫時結合於金屬層7，且利用金屬層7將金屬蓋體5密封於陶瓷基板1上，因而具有如下效果，即：在利用金屬材料將陶瓷基板1與金屬蓋體5密封的情況下，可利用溶劑層11將金屬蓋體5暫時固定於陶瓷基板1上，進而，將由密封處理產生的逸出氣體有效地完全散放。
由此，應用例2的振子中，具有利用金屬密封而實現氣密性、且可實現高品質的振子的效果。
接下來，一邊參照圖16，一邊對本發明的實施方式的表面安裝晶體振子的應用例3進行說明。圖16是應用例3的振子的剖面說明圖。
如圖16所示，應用例3的振子是：在本振子的金屬密封後，在表面側的整個面塗布耐熱性樹脂，而形成耐熱性樹脂層12。
作為耐熱性樹脂層12，使用具有350℃左右的耐熱性的聚醯亞胺(polyimide)等，以噴霧進行塗布。
利用噴霧塗布，可在陶瓷基板1的整個表面，共形(conformal)(形狀適用)地形成耐熱性樹脂的樹脂膜(耐熱性樹脂層12)。
在陶瓷片材上形成著保持端子2的金屬圖案，且形成晶體片4等振動器件並搭載金屬蓋體5，在進行金屬密封後，形成耐熱性樹脂層12。
在形成耐熱性樹脂層12後，以斷裂線將陶瓷片材分離，而分割為獨立的振子。
本振子中，就金屬層7的密封金屬(密封材)而言，理想的是金合金，但為了降低原價而有時使用銀錫等金以外的材料。該情況下，因金以外的密封金屬的熔點為300℃以下，所以擔心因顧客進行的回焊而將密封材再熔融。
例如，金錫在300℃下不會熔融，而焊料、銀錫在280℃左右會熔融。
與此相對，在聚醯亞胺等耐熱性樹脂中，在達到350℃之前不會轉變。然而，會產生氣體，但因金屬蓋體5金屬密封於陶瓷基板1上，所以氣體並不會進入到金屬蓋體5內。
根據應用例3的振子，利用金屬層7將金屬蓋體5進行金屬密封，且利用耐熱性樹脂層在整個表面進行塗布而形成耐熱性樹脂層12，因而具有可防止因顧客進行的回焊而將密封材再熔融的效果。
接下來，一邊參照圖17，一邊對本發明的實施方式的表面安裝晶體振子的應用例4進行說明。圖17是應用例4的振子的剖面說明圖。
如圖17所示，應用例4的振子是：在本振子的金屬密封後，以覆蓋金屬蓋體5與金屬層(金屬接合部)7的方式進行鍍敷，而形成鍍敷層13。
鍍敷層13使用鎳、銅等，例如利用電解鍍敷而以覆蓋金屬蓋體5的表面與側面、及金屬層7的側面的方式形成。
如果將金以外的材料用於金屬密封，則擔心因顧客進行的回焊而將密封材再熔融，但通過形成覆蓋金屬蓋5與金屬層7的鍍敷層13，密封材便不會再熔融。
在陶瓷片材上形成保持端子2的金屬圖案，且形成晶體片4等振動器件並搭載金屬蓋體5，在進行金屬密封後，形成鍍敷層13。
在形成鍍敷層13後，利用斷裂線將陶瓷片材分離，而分割為獨立的振子。
根據應用例4的振子，利用金屬層7將金屬蓋體5進行金屬密封，以覆蓋金屬蓋體5的表面與側面、及金屬層7的側面的方式形成鍍敷層13，因而具有可防止因顧客進行的回焊而將密封材再熔融的效果。
對本振子及應用例1~應用例4進行了說明，但可將這些實施例在可能的範圍內進行任意組合，而構成表面安裝晶體振子。
根據以上說明的表面安裝晶體振子及音叉型晶體振子，具有如下效果，即：在為陶瓷片材與金屬蓋體5、金屬蓋體5'由金屬層7封接的構成的情況下，去除來自金屬蓋體5、金屬蓋體5'的外側的針對金屬蓋體5、金屬蓋體5'的內部的晶體片4的雜訊，從而可提高氣密性並提高電氣特性。
本發明適合於如下的表面安裝晶體振子及其製造方法，即：在為陶瓷片材與金屬蓋體利用金屬層封接的構成的情況下，可去除來自金屬蓋體的外側的針對金屬蓋體內部的晶體振動器件的雜訊，從而可提高氣密性並提高電氣特性。
1‧‧‧陶瓷基板
2‧‧‧保持端子
5‧‧‧金屬蓋(金屬蓋體)
6a‧‧‧接地端子
6b‧‧‧信號線端子
7‧‧‧金屬層
8a‧‧‧接地用貫通孔
8b‧‧‧信號線用貫通孔
Claims (10)
- 一種表面安裝晶體振子，包括：陶瓷基板、在所述陶瓷基板上保持晶體振動器件的保持端子、及以覆蓋所述晶體振動器件的方式而形成的金屬蓋，所述表面安裝晶體振子的特徵在於：在所述陶瓷基板的背面，形成著信號線端子及接地端子，在所述陶瓷基板的表面，在所述金屬蓋接觸的部分，形成著將所述陶瓷基板與所述金屬蓋接合的金屬層，所述保持端子與所述信號線端子是利用形成於所述陶瓷基板內的第一貫通孔而連接，所述金屬層與所述接地端子是利用形成於所述陶瓷基板內的貫通導體而連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中：所述貫通導體包含：形成於所述陶瓷基板內的第二貫通孔。
- 如申請專利範圍第2項所述的表面安裝晶體振子，其中：所述第二貫通孔的所述陶瓷基板表面的連接部是：在所述金屬層的角部或所述角部附近，形成於所述金屬層的下方。
- 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中：所述貫通導體包含：在所述陶瓷基板的角部、形成於側面的導通端子。
- 如申請專利範圍第4項所述的表面安裝晶體振子，其中：所述導通端子的所述陶瓷基板表面的連接部是：在所述金屬層的角部或所述角部附近，以連接於所述金屬層的方式而形成。
- 如申請專利範圍第1所述的表面安裝晶體振子，其中： 所述金屬蓋在與所述金屬層的接觸面，形成著暫時結合用的溶劑層。
- 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中：在所述金屬蓋搭載於所述陶瓷基板，且利用所述金屬層而接合於所述陶瓷基板的狀態下，以覆蓋整個表面的方式形成耐熱性樹脂層。
- 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中：在所述金屬蓋搭載於所述陶瓷基板，且利用所述金屬層而接合於所述陶瓷基板的狀態下，以覆蓋所述金屬蓋的表面與側面、及所述金屬層的側面的方式形成鍍敷層。
- 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中：所述金屬蓋設為具有凸緣的構造。
- 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中：所述金屬蓋設為不具有凸緣的U字型的構造。
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