TW201313823A - 半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201313823A
TW201313823A TW101127161A TW101127161A TW201313823A TW 201313823 A TW201313823 A TW 201313823A TW 101127161 A TW101127161 A TW 101127161A TW 101127161 A TW101127161 A TW 101127161A TW 201313823 A TW201313823 A TW 201313823A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
semiconductor
compound
substrate
Prior art date
Application number
TW101127161A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI595042B (zh
Inventor
Pawel Czubarow
Osamu Suzuki
Toshiyuki Sato
Kazuyoshi Yamada
Kaori Matsumura
Naoki Obata
Original Assignee
Namics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Namics Corp filed Critical Namics Corp
Publication of TW201313823A publication Critical patent/TW201313823A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI595042B publication Critical patent/TWI595042B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3412—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having one nitrogen atom in the ring
    • C08K5/3415—Five-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3445—Five-membered rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

一種半導體封裝用之環氧樹脂組成物，包括：(A)至少一種環氧樹脂，(B)至少一種咪唑化合物，及(C)至少一種馬來醯亞胺化合物，藉由環氧樹脂組成物予以封裝之半導體裝置，以及其中環氧樹脂之固化材料係位在基板與半導體晶片間之組件。此環氧樹脂組成物提供對半導體晶片表面具有優異接著性且具有優異抗濕氣性之固化材料。

Description

半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法
此申請案享有2011年7月29日申請之美國非暫時專利申請案第13/193,822號的好處。
本發明係有關一種半導體封裝用環氧樹脂組成物，使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法。
電子產業持續數十年不斷降低積體電路形體的尺寸規模。同時，積體電路中之電晶體及對半導體晶片(亦被稱為半導體芯片(die))之電氣互連兩者的尺寸規模亦已被降低。電晶體尺度的縮小使得更多功能性可被整合至單一晶片中。更多晶片功能性提供現代電子裝置如可播放音樂，播放影片，捕捉影像及使用各種無線協定通訊之智慧型手機中所發現之多樣的功能性。
更多功能性亦需要至晶片中及至其中含有晶片之封裝中之更多電氣連接。半導體通常係以封裝件提供之，其販售給原始設備製造商(OEM)顧客，這些顧客將封裝件安置在其印刷電路板(PCB)上。或者，半導體晶片直接安置在PCB上。後者因為其在電氣連接上的增加及成本上的降低具有優勢而受到注目。
為了提供半導體晶片與其上放置著晶片之基板間的機械強化，通常會放置底部填充料。使用於現有底部填充料之液體環氧樹脂組成物包括環氧樹脂且可包含其他成分如二氧化矽填充料，矽烷耦合劑和氟化或聚矽氧烷消泡劑。 液體環氧樹脂組成物在放置於半導體晶片與其上放置著晶片之基板間之空間後予以固化。
近年，已提出對半導體晶片表面具有優異接著性之液體環氧樹脂組成物(例如，參見專利文件1及2)。
就安置半導體元件等之方法，已進行包括先將環氧樹脂組成物施用在基板上，然後於相對較低之溫度加熱以使環氧樹脂組成物呈無流動性狀態(亦即，B-階段(B-staging))，在其上安置半導體元件(亦即，結合)，以及完全地固化環氧樹脂組成物(亦即，後固化(post-curing))。
引證清單 專利文件
[專利文件1]JP-A-2010-280804(未審查之專利公開案)
[專利文件2]JP-A-2010-77234(未審查之專利公開案)
如上所述，半導體晶片被使用於攜帶式電子小器具(如智慧型手機)。然而，該種攜帶式電子小器具不會總是受到如靈敏的電子裝置般之對待，其可能預期被摔落，濫用或受到機械衝擊。此外，其可能在非常壞的環境條件，如熱及潮濕條件中使用之。面對這些背景情況，就使用環氧樹脂組成物於底部填充料而言，要求其固化材料對半導體晶片表面具有優異接著性且具有優異抗濕氣性。
面對改良如上文所述之電子裝置功能性之背景情況， 半導體封裝用之環氧樹脂組成物的要求程度已增加。本發明之目的係提供一種半導體封裝用之環氧樹脂組成物，其可提供對半導體晶片表面具有優異接著性且具有優異抗濕氣性之固化材料，藉由液體環氧樹脂予以封裝之半導體裝置，以及半導體裝置之製造方法。
經發明人精心實驗的結果，本案發明人發現上述目的可藉由掺混咪唑化合物及馬來醯亞胺化合物與環氧樹脂所製成之半導體封裝用之環氧樹脂組成物達成之。
在含有環氧樹脂及咪唑化合物之半導體封裝用之環氧樹脂組成物中，咪唑化合物係作為環氧樹脂的固化觸媒，並且作用在半導體晶片表面上而改良該表面與樹脂組成物之固化材料間的接著性。下述者被認為是作用機制，雖然作用機制並非必然確定(參見下述圖解1)。
-半導體晶片在其表面上通常具有聚亞胺鈍化塗佈層等。
-當咪唑化合物存在時，咪唑化合物的氮原子攻擊亞胺環的羰基部份(moiety)而打開亞胺環。
-同時，咪唑化合物的氮原子與被打開之亞胺環之羰基部份的碳原子形成鍵結。此碳原子與環氧樹脂反應而消除咪唑化合物，之後在環氧樹脂與聚亞胺鈍化塗佈層之間形成鍵結。
-此鍵結影響半導體晶片表面與固化材料間之接著性。
然而，本案發明人討論上述固化材料在濕氣存在下劣化而接著性減小。下述被認為是作用機制，雖然作用機制並非必然確定(參見下述圖解2)。
-殘留在固化材料中之咪唑化合物再度攻擊聚亞胺鈍化塗佈層之被打開之亞胺環之羰基部份的碳原子。
-以此步驟，消除環氧樹脂而在碳原子與咪唑化合物之間形成鍵結。
-當濕氣存在時，接著，濕氣攻擊碳原子而消除咪唑化合物。
-此咪唑化合物攻擊被打開之亞胺環之羰基部份的碳原子，以此步驟，消除環氧樹脂而降低接著性。
本案發明人發現藉由掺混咪唑化合物及馬來醯亞胺化合物與環氧樹脂所製成之半導體封裝用之環氧樹脂組成物可改良半導體晶片表面與樹脂組成物之固化材料間之接著性而且即使在濕氣存在下接著性的降解亦減少。作用機制並非必然確定。然而，其被認為是由於固化材料中之游離咪唑化合物被馬來醯亞胺化合物捕捉，聚亞胺鈍化塗佈層之被打開之亞胺環之羰基部份的碳原子再度被攻擊而防止環氧樹脂消除。
本發明1係有關一種半導體封裝用之環氧樹脂組成物， 包括： (A)至少一種環氧樹脂，(B)至少一種咪唑化合物，以及(C)至少一種馬來醯亞胺化合物。
本發明2係有關本發明1之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，其中以100重量份環氧樹脂(A)計之，咪唑化合物(B)的用量為0.01至10重量份及馬來醯亞胺化合物(C)的用量為0.1至16重量份。
本發明3係有關本發明1或2之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，其中馬來醯亞胺化合物(C)係選自由單馬來醯亞胺化合物及雙馬來醯亞胺化合物所組成群組之至少一種化合物。
本發明4係有關本發明1至3任一者之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，進一步包括選自由酚醛樹脂及酸酐所組成群組之至少一種固化劑(D)。
本發明5係有關本發明1至4任一者之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，進一步包括至少一種無機填料。
本發明6係有關本發明1至5任一者之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，該環氧樹脂組成物於25℃具有0.1至150Pa‧S之黏度。
本發明7係有關一種覆晶半導體裝置，包括基板及半導體，其中半導體係藉由本發明1至6任一者之環氧樹脂組成物固定於基板。
本發明8係有關一種組件，包括： 基板；半導體晶片；以及本發明1至6任一者之環氧樹脂組成物之固化材料，此固化材料係位在基板與半導體晶片之間，使得半導體晶片固定於基板。
本發明9係有關一種半導體裝置之製造方法，其包括：在基板與半導體晶片之間注射本發明1至6任一者之環氧樹脂組成物；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
本發明10係有關一種半導體裝置之製造方法，其包括：將本發明1至5任一者之環氧樹脂組成物施用至基板；進行環氧樹脂組成物之B-階段；將其他半導體元件或基板設置在具有環氧樹脂組成物施用表面作為黏附表面之基板上；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
本發明11係有關一種半導體裝置之製造方法，其包括：將本發明1至5任一者之環氧樹脂組成物施用至晶圓；進行環氧樹脂組成物之B-階段；進行晶圓之切割以單切成半導體晶片；將單切之半導體晶片定位在基板或具有環氧樹脂組 成物施用表面作為黏附表面之其他半導體元件上；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
本發明之環氧樹脂組成物可提供對半導體晶片表面具有優異接著性且具有優異抗濕氣性之固化材料。在物理衝擊及高溫和濕度下底部填充料與半導體晶片間發生之脫層之迄今為止的問題可藉由使用本發明之半導體封裝用之環氧樹脂組成物作為底部填充料予以解決。
本發明1係有關一種半導體封裝用之環氧樹脂組成物，包括：(A)至少一種環氧樹脂，(B)至少一種咪唑化合物，及(C)至少一種馬來醯亞胺化合物。
(A)環氧樹脂
本發明中之環氧樹脂(A)並無特別限制，只要其為在一分子中具有兩個或更多個環氧基之環氧化合物即可。此環氧樹脂在常溫可為液態或固態。可合併使用在常溫呈液態之環氧樹脂與在常溫呈固態之環氧樹脂。
至於環氧樹脂(A)，可述及雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、萘型環氧樹脂、醚系列或多醚系列環氧樹脂、含氧雜環丙烷環之聚丁二烯、聚矽氧烷環氧共聚物樹脂等。
至於在常溫呈液態之環氧樹脂，可述及具有約400或更小之重量平均分子量之雙酚A型環氧樹脂，支鏈多官能 雙酚A型環氧樹脂如對-縮水甘油基氧苯基二甲基甲苯基雙酚A二縮水甘油基醚；雙酚F型環氧樹脂；具有約570或更小之重量平均分子量之酚醛清漆型環氧樹脂；脂環族環氧樹脂如乙烯基(3,4-環己烯)二氧化物、3,4-環氧基環己基羧酸甲酯(3,4-環氧基環己基)、己二酸雙(3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基)酯及2-(3,4-環氧基環己基)-5,1-螺(3,4-環氧基環己基)-間-二烷；聯苯型環氧樹脂如3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二縮水甘油基氧聯苯；縮水甘油基酯型環氧樹脂如六氫苯二甲酸縮水甘油基酯；縮水甘油基胺型環氧樹脂如二縮水甘油基苯胺、二縮水甘油基-甲苯胺、三縮水甘油基-對-胺基酚、四縮水甘油基-間-亞二甲苯基二胺、四縮水甘油基雙(胺基甲基)環己烷；乙內醯脲型環氧樹脂如1,3-二縮水甘油基-5-甲基-5-乙基乙內醯脲；及含萘環之環氧樹脂。亦可使用具有聚矽氧烷骨架之環氧樹脂如1,3-雙(3-縮水甘油氧基-丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。又、可述及二環氧化物化合物如(多)乙二醇二縮水甘油基醚、丁二醇二縮水甘油基醚及新戊二醇二縮水甘油基醚；以及三環氧化物化合物如三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚及甘油三縮水甘油基醚。本文所用"在常溫呈液態"係指在10至35℃具有流動性。液體環氧樹脂較佳具有0.001至10，更佳為0.025至5，又更佳為0.05至1之環氧當量。
亦可能一起使用在常溫為固態或超高黏度之環氧樹脂與在常溫呈液態之環氧樹脂。至於該種環氧樹脂，可述及 各具有較高分子量之雙酚A型環氧樹脂，酚醛環氧樹脂及四溴雙酚A型環氧樹脂。這些環氧樹脂可與在常溫呈液態或具有低黏度之環氧樹脂及/或稀釋劑合併使用以控制黏度。即使是在常溫為固態之環氧樹脂，亦可藉由將其溶解在其他液體環氧樹脂或稀釋劑中而以液態使用之。
至於在常溫具有低黏度之環氧樹脂，可述及二環氧化物化合物如(聚)乙二醇二縮水甘油基醚，(聚)丙二醇二縮水甘油基醚，丁二醇二縮水甘油基醚及新戊二醇二縮水甘油基醚；以及三環氧化物化合物如三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚及甘油三縮水甘油基醚。
稀釋劑可為非反應性稀釋劑或反應性稀釋劑，然而，較佳為反應性稀釋劑。本文所用反應性稀釋劑係指具有環氧基且在常溫具有低黏度之化合物，視目的而定，其可進一步具有環氧基以外之可聚合之官能基，例如，烯基如乙烯基及烯丙基；不飽和羧酸殘基如丙烯醯基及甲基丙烯醯基。至於該種反應性稀釋劑，可述及單環氧化物化合物如與丁基縮水甘油基醚、2-乙基己基縮水甘油基醚、苯基縮水甘油基醚、甲酚基縮水甘油基醚、對-s-丁基苯基縮水甘油基醚、氧化苯乙烯及a-氧化蒎烯；具有其他官能基之單環氧化物化合物如烯丙基縮水甘油基醚、甲基丙烯酸縮水甘油基酯、及1-乙烯基-3,4-環氧基環己烷。
至於在常溫為固態之環氧樹脂(後文亦稱為固體環氧樹脂)，可述及鄰-甲酚酚醛型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚清漆型環氧樹脂、改質之酚醛型環氧樹脂、萘 型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、脂肪族型環氧樹脂、茋型(stilbene type)環氧樹脂、雙酚A酚醛型環氧樹脂等。
此固體環氧樹脂較佳具有40至140℃，更佳為50至120℃之軟化點。此固體環氧樹脂較佳具有160至5000，更佳為170至3000，又更佳為180至1000之環氧當量。
環氧樹脂可單獨或者合併兩種或更多種使用之。在藉由將其注射而用於封裝(亦即，在毛細管流動系統中)而製造欲使用之環氧樹脂組成物之情形下，較佳係環氧樹脂本身在常溫呈液態，上述所列中，較佳為液態雙酚型環氧樹脂，液態胺基苯酚型環氧樹脂，聚矽氧烷改質之環氧樹脂及萘型環氧樹脂。所述中更佳為液態雙酚A型環氧樹脂，液態雙酚F型環氧樹脂，對-胺基苯酚型液態環氧樹脂及1,3-雙(3-縮水甘油氧基-丙基)四甲基二矽氧烷。
在製造能夠B-階段之環氧樹脂組成物之情形下，較佳可使用在常溫呈固態之環氧樹脂。在該種情形下，固體環氧樹脂可與在常溫呈液態之環氧樹脂合併使用，固體環氧樹脂對液體環氧樹脂之比率(固體環氧樹脂/液體環氧樹脂)(重量比率)較佳為100/1至100/50，更佳為100/10至100/40。
(B)咪唑化合物
本發明中之咪唑化合物(B)並無特別限制只要其可作 為環氧樹脂的固化觸媒即可，可述及咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-異丙基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十二烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯甲基咪唑、2,4,5-三甲基咪唑等。
至於咪唑化合物(B)，亦可使用與咪唑化合物之環氧加成物，與咪唑化合物之脲加成物及其中異氰酸酯化合物添加至與咪唑化合物之環氧加成物之羥基的化合物。
環氧加成物可藉由使咪唑化合物與環氧化合物反應得。之後，亦可施加異氰酸酯化合物至環氧加成物之羥基之加成反應。
至於此環氧化合物，可述及1,2-環氧基丁烷，1,2-環氧基己烷，1,2-環氧基辛烷，氧化苯乙烯，正-丁基縮水甘油基醚，己基縮水甘油基醚，苯基縮水甘油基醚，乙酸縮水甘油基酯，丁酸縮水甘油基酯，己酸縮水甘油基酯，苯甲酸縮水甘油基酯等。
至於異氰酸酯化合物，可述及異氰酸苯酯、異氰酸對-甲基苯酯、異氰酸鄰-甲基苯酯、異氰酸對-甲氧基苯酯、異氰酸2,4-二甲基苯酯、異氰酸鄰-氯苯酯、異氰酸對-氯苯酯、異氰酸甲酯、異氰酸乙酯、異氰酸丙酯、異氰酸丁酯、異氰酸己酯等。
脲加成物可藉由使咪唑化合物，脲化合物，與選擇性之異氰酸酯化合物反應得到之。咪唑化合物及異氰酸酯化合物包含那些上述示例者。至於脲化合物，可述及脲，硫脲等。
其中施加異氰酸酯化合物與環氧加成物之羥基之加成反應的材料亦含有所謂的微膠囊化咪唑，例如，市售之NOVACURE HX-3088及NOVACURE HX-3722(各由朝日化成化學公司出品，商品名)等。
此外，咪唑化合物(B)可以含有咪唑化合物及酸之包合物的形式使用之。至於酸，可述及間苯二甲酸或其衍生物(具有取代基如烷基，芳基等之間苯二甲酸)。此包合物可藉由將上述咪唑化合物及酸溶解或懸浮在溶劑中，再加熱所得者而得到之。至於該種包合物，可使用見述於JP-A-2007-39449者。
又，咪唑化合物(B)可以其中咪唑化合物為客體且羧酸衍生物為主體之包合物的形式使用之。至於此羧酸衍生物，可述及肆苯基化合物如肆(4-羥基苯基)乙烷及肆(4-羥基苯基)乙烷四甲基酯。至於該種包合物，可使用見述於JP-A-平05-201902者。
咪唑化合物(B)可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
(C)馬來醯亞胺化合物
本發明中之馬來醯亞胺化合物(C)係一種具有一個或多個馬來醯亞胺結構之化合物，其中，較佳為單馬來醯亞胺化合物及雙馬來醯亞胺化合物。
至於單馬來醯亞胺化合物，可述及式(1)所示之馬來醯亞胺化合物： 式中R為氫原子或-Ar1-R1，Ar1為具有6至20個碳原子之二價芳香族殘基，及R1為氫原子或羥基。
式(1)中，R為氫原子或-Ar1-R1。Ar1為具有6至20個碳原子之二價芳香族殘基，例如，可述及可為未取代或以具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基(較佳為甲基及乙基)取代之伸苯基。R1為氫原子或羥基。
至於式(1)所示之馬來醯亞胺化合物，可述及馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺(PMI)、N-(2-甲基苯基)馬來醯亞胺、N-(2-乙基苯基)馬來醯亞胺、N-(2,5-二甲基苯基)馬來醯亞胺、N-(4-羥基苯基)馬來醯亞胺(HPMI)、N-(2-甲基-4-羥基苯基)馬來醯亞胺、N-(2-乙基-4-羥基苯基)馬來醯亞胺、N-(2,5-二甲基-4-羥基苯基)馬來醯亞胺。以易於提供組成物之適當範圍的黏度及注射性質且覆晶結合等優異之事實來看，較佳為具有90至1000分子量之化合物，特佳為N-苯基馬來醯亞胺(PMI)及N-(4-羥基苯基)馬來醯亞胺(HPMI)。
至於雙馬來醯亞胺化合物，可述及式(2)所示之馬來醯亞胺化合物： 式中R2為二價有機殘基。
式(2)中，R2為二價有機殘基，可述及具有1至10個碳原子之二價脂肪族烴基(例如，具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基)，具有3至20個碳原子之二價脂環族烴基(例如，具有3至20個碳原子之伸環烷基)，具有6至20個碳原子之二價芳香族烴基(例如，可以具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基予以取代之伸苯基)，或者組合兩個或更多個此等基團之基團。這些基團可具有雜原子(氧原子，硫原子，及氮原子)。
R2為具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈伸烷基(較佳為亞甲基或伸乙基)，或下述基團： 式中R7為單鍵、CH2、O、S、SO2或C(CH3)2，較佳為CH2；R8各自為羥基或具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基，較佳為甲基或乙基；p為0至4之整數，較佳為0、1或2； R9各自為羥基或具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基，較佳為甲基或乙基；q為0至4之整數，較佳為0，1或2或基團：-環A-或-R10-環A-R11-環B-R12-其中R10，R11及R12各自為單鍵，C1-40伸烷基，O，S，SO2或C(CH3)2，環A及環B各自為含有環之二價基團如呋喃、吡咯、咪唑、噻吩、吡唑、唑、異唑、噻唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪、苯并呋喃、異苯并呋喃、吲哚、異吲哚、苯并噻吩、苯并磷雜茂、苯并咪唑、嘌呤、吲唑、苯并唑、苯并異唑、苯并噻唑、萘、喹啉、異喹啉、喹喔啉、喹唑啉及辛啉，其各以取代基予以選擇性地取代。
至於式(2)所示之馬來醯亞胺化合物、例如、可述及N,N’-(4,4’-二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、雙酚A聯苯醚雙馬來醯亞胺、3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、1,6’-雙馬來醯亞胺-(2,2,4-三甲基)己烷、雙-(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、間-伸苯基雙馬來醯亞胺(N,N’-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺)、1,6-雙馬來醯亞胺己烷、1,2-雙馬來醯亞胺乙烷(N,N’-伸乙基二馬來醯亞胺)、N,N’-(1,2-伸苯基)雙馬來醯亞胺、N,N’-1,4-伸苯基二馬來醯亞胺、N,N’-(磺醯基二-對-伸苯基)二馬來醯亞胺、N,N’-[3,3’-(1,3-伸苯基二氧)二苯基]雙馬來醯亞胺及式 2之化合物：
馬來醯亞胺化合物(C)可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
以得到良好之接著性，抗濕氣性及固化性之觀點來看，以100重量份環氧樹脂(A)計之，咪唑化合物(B)的用量可為0.01至10重量份，較佳為0.03至9重量份。
以得到良好之接著性及與覆晶結合組合時所要求之注射性質來看，以100重量份環氧樹脂(A)計之，馬來醯亞胺化合物(C)的用量可為0.1至16重量份，較佳為0.5至13重量份。
(D)固化劑係選自由酚醛樹脂及酸酐所組成之群組者。
本發明之組成物可進一步包括選自由酚醛樹脂及酸酐所組成群組之固化劑(D)。藉由一起使用這些固化劑可改良抗裂性及抗濕氣性，而可獲得高可靠性。此外，當本發明之組成物與覆晶結合等組合使用時，較佳添加酚醛樹脂。
至於酚醛樹脂，並無特別限制，可述及酚醛清漆樹脂、甲酚清漆樹脂、萘酚改質之酚醛樹脂、二環戊二烯改質之酚醛樹脂及對-二甲苯改質之酚醛樹脂。酚醛清漆樹脂可以取代基如烯丙基等予以取代。環氧樹脂(A)對酚醛樹脂的調配比率為其中環氧樹脂中每一個環氧基，酚醛樹脂中之OH基的數目較佳為0.3至1.5，更佳為0.5至1.2之比率。 然而，當其與酸酐合併使用時，其可以小於0.3之比率使用之。酚醛樹脂可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
至於酸酐，並無特別限制，可述及甲基四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、烷基化之甲基四氫苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、甲基腐植酸酐(methylhymic anhydride)、十二烯基丁二酸酐及甲基納迪克酸酐(methylnadic anhydride)。環氧樹脂對酸酐的混合比率為其中環氧樹脂中每一個環氧基，酸酐中之酸酐基團的數目較佳為0.4至1.2，更佳為0.5至1.0之比率。酸酐可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
(E)其他成分
彈性體可添加至本發明之組成物中，以釋放應力。至於彈性體，可述及丁二烯系列橡膠如聚丁二烯橡膠，苯乙烯-丁二烯橡膠及丙烯腈-丁二烯橡膠；聚異戊二烯橡膠；乙烯-丙烯系列橡膠如乙烯-丙烯-二烯共聚物及乙烯-丙烯共聚物；氯丁二烯橡膠；丁基橡膠；聚降冰片烯橡膠；聚矽氧烷橡膠；含極性基團之橡膠如乙烯-丙烯酸橡膠，丙烯酸橡膠，環氧丙烷橡膠及胺酯橡膠；以及氟橡膠如偏二氟乙烯-六氟化丙烯共聚物及四氟乙烯-丙烯共聚物。可使用固體彈性體而其形式並無特別限制。當其為微粒形式時，平均粒徑較佳為10至200nm，更佳為約30至150nm，又更佳為80至120nm。本文所用平均粒徑係藉由動態光散射型粒徑分佈計測定之。
可使用在常溫為液體之彈性體。更明確地說，可述及 聚丁二烯、丁二烯丙烯腈共聚物、聚異戊二烯、聚環氧丙烷及聚二有機矽氧烷、其各具有相對較低之平均分子量(例如、小於8000之重量平均分子量)。又，可使用在末端具有與環氧基反應之官能基(例如，羧基)之彈性體，且其可採用固體或液體任一形式。
以得到良好之組成物之黏度，與環氧樹脂之相容性或分散性，固化材料之性質來看，以100重量份成分(A)至(C)之總用量計之，彈性體的用量可為20重量份或更少，例如，0.1至15重量份，更佳為1至10重量份。彈性體可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
可添加界面活性劑至本發明之組成物中，以得到良好之加工性。界面活性劑可為陰離子性界面活性劑，陽離子性界面活性劑，非離子性界面活性劑或兩性界面活性劑。較佳為非離子性界面活性劑，此乃因為對電氣性質具有小影響之故。至於非離子性界面活性劑，可述及含多氧伸烷基之非離子性界面活性劑如多氧伸乙基烷基醚、多氧伸乙基烷基芳基醚、烷基烯丙基甲醛縮合之多氧伸烷基醚、具有多氧伸丙基作為親脂基之嵌段共聚物、如多氧伸乙基-多氧伸丙基嵌段共聚物、多氧伸乙基脂肪酸酯、多氧伸乙基甘油脂肪酸酯、多氧伸乙基山梨糖醇酐脂肪酸酯、多氧伸乙基山梨糖醇脂肪酸酯、多氧伸乙基脂肪酸醯胺；含矽氧烷之非離子性界面活性劑如多氧伸烷基改質之多矽氧烷；酯型界面活性劑如甘油脂肪酸酯、多甘油脂肪酸酯、山梨糖醇酐脂肪酸酯、丙二醇脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、 含氮型之界面活性劑如脂肪酸烷醇醯胺、氟化界面活性劑。尤其，較佳為含矽氧烷之非離子性界面活性劑如多氧伸烷基改質之多矽氧烷，氟化界面活性劑以改良形成圓角之性能。
以得到良好之組成物之黏度，與環氧樹脂之相容性或分散性，固化材料之所要性質來看，以100重量份成分(A)至(C)之總用量計之，界面活性劑的用量可為1重量份或更少，例如，0.05至0.5重量份。界面活性劑可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
為了調整熱膨脹係數之目的，可添加無機填料至本發明之組成物中。至於無機填料，可述及二氧化矽，氧化鋁，氮化硼，氮化鋁，氮化矽。二氧化矽可為非晶形二氧化矽或結晶形二氧化矽。較佳為非晶形二氧化矽。無機填料可藉由矽烷耦合劑等予以表面處理。可使用沒有表面處理之無機填料。
以組成物之總用量計之，無機填料的用量可為80重量%或更少，例如，30至70重量%。無機填料可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
為了改良接著性之目的，可添加矽烷耦合劑如3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-缩水甘油氧基丙基(甲基)二甲氧基矽烷、2-(2,3-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷至本發明之組成物中。
以100重量份成分(A)至(C)之總用量計之，矽烷耦合劑的用量可為3重量份或更少，例如，0.03至2重量份。矽烷耦合劑可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
可添加搖變減黏試劑至本發明之組成物中以控制流變性。搖變減黏試劑的實例包含二氧化矽精細粉末，膠體水合之矽酸鋁等。以100重量份成分(A)至(C)之總用量計之，搖變減黏試劑的用量可為20重量份或更少，例如，0.1至15重量份。搖變減黏試劑可單獨或者合併兩種或更多種使用之。
再者，本發明之環氧樹脂組成物可含有助熔劑。環氧樹脂組成物中之助熔劑的含量較佳為1至15質量%，更佳為2至12質量%。助熔劑的實例包含苯甲酸，2-甲基苯甲酸，苯二甲酸，3-苯基丙酸，硬脂酸，丙烯酸，月桂酸，(1-萘基)乙酸，癸二酸，己二酸，十二烷二酸，馬來酸，戊二酸，聯苯基-2-羧酸，1-金剛烷羧酸，1-萘甲酸，1,4-苯并二烷-2-羧酸，硫代二乙醇酸，二硫代二乙醇酸，2,2’-硫代二甘醇，α-苯基肉桂酸，反-肉桂酸，4-甲氧基肉桂酸，3,4-二甲氧基肉桂酸，雙水楊酸酯等。
可添加著色劑如碳黑至本發明組成物中。由於本發明組成物之顏色在固化之前和之後會改變，可藉由顏色改變檢視固化的進度。
例如，當在本發明組成物中使用酚醛樹脂時，固化前其顏色為白色，固化後為棕色至紅色。當係利用顏色改變檢視固化的進度時不適合使用著色劑。
消泡劑、無機纖維、阻燃劑、離子捕捉劑、內模釋放劑、敏化劑等可以不損及本發明效果之用量添加至本發明組成物中。
本發明之環氧樹脂組成物可進一步含有溶劑。溶劑的含量沒有特別限制，只要其在當使用於B-階段時可以塗佈裝置均勻地施用此環氧樹脂組成物之範圍內即可，可為以100質量份非揮發性成分如固體環氧樹脂，固化劑，矽烷耦合劑及硬化加速劑之固含量計之，5至50質量份。
溶劑的實例包含二乙基二甘醇、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙酸乙酯、乙二醇單丁基醚、乙二醇單丁基醚乙酸酯、松油醇、酯醇、二氫松油醇、苯甲醇、甲苯等。其中、較佳為二乙基二甘醇、二乙二醇單丁基醚、乙酸乙酯及甲苯。
製備本發明組成物之方法並無特別限制。本發明組成物可藉由，例如，使用研磨機器，罐式球磨機，三滾筒研磨機，旋轉混合機，雙軸混合機，行星攪拌機等混合預先規劃用量之原料製備之。
本發明組成物之較佳實例係在常溫呈液態，較佳為在25℃具有0.1至150Pa‧s，更佳為0.1至100Pa‧s之黏度。本文所用黏度係使用HB型旋轉式黏度計(50rpm)在25℃測定之值。
在此實例中，本發明組成物適合於作為結合半導體晶片與基板之底部填充料，對作為覆晶結合之底部填充料特 別有好處。例如，可藉由在基板408與面向下安置在其上之半導體晶片402之間注射本發明組成物，接著如第2圖所示般固化予以封裝而得到覆晶型半導體裝置。或者，可藉由使用分配器等將本發明組成物施用至基板；將半導體晶片放置於其上；以及藉由加熱固化予以封裝而得到半導體裝置。本發明包含該半導體裝置及半導體裝置之製造方法。
半導體晶片並無特別限制，可使用IC，LSI，VLSI等。通常，半導體表面係以聚亞胺鈍化塗佈層，氮化物塗佈層，氧化物塗佈層等予以覆蓋，因此，施加電漿蝕刻，化學蝕刻，UV輻射等以獲得與底部填充料材料之良好接著性。當使用本發明組成物作為底部填充料時，不需要上述之表面活化處理即可獲得良好接著性。本發明組成物亦可與經表面活化處理之半導體晶片組合使用。
基板並無特別限制，可使用玻璃-環氧基板(例如，FR-4基板)，芳香族聚醯胺基板，聚亞胺基板，金屬基板(例如，矽基板)，陶瓷基板，玻璃基板等。
本發明組成物之另一較佳實例係在常溫呈固態，且可藉由將其溶解在上述溶劑中而適合地使用之。溶劑的含量沒有特別限制，只要其在可以塗佈裝置均勻地施用此環氧樹脂組成物之範圍內即可，可為以100質量份非揮發性成分(如固體環氧樹脂，固化劑，矽烷耦合劑及硬化加速劑)之固含量計之，5至50質量份。
此實例中，本發明之環氧樹脂組成物較佳具有小於 100Pa‧S之熔融黏度，其中係在B-階段於70℃乾燥60分鐘後於150℃之升溫在結合步驟測量黏彈性而以流變儀(例如，VISCOANALYSER VAR100，REOLOGICA，頻率：1.0Hz)測得熔融黏度。本文所用，在結合步驟環氧樹脂組成物之熔融黏度降低係指藉由流變儀(例如，VISCOANALYSER VAR100，REOLOGICA，頻率：1.0 Hz)測得之熔融黏度小於100Pa‧S。在上述條件下所測得之環氧樹脂組成物的熔融黏度更佳為0.01至90Pa‧S，又更佳為0.01至80Pa‧S。若在B-階段後在結合步驟在上述條件下所測得之環氧樹脂組成物的熔融黏度小於100Pa‧S，當藉由彼此按壓連接兩個電子零件時，已薄薄地施用至一電子零件之表面的環氧樹脂組成物可自電子零件表面上之電極及配線輕易地移除以確保相對電子零件間之連接，而此區域周圍之凹陷部份被經移除之環氧樹脂組成物所填充以獲得優異接著強度，使得可達成優異接著性質。
在結合步驟彼此按壓兩個電子零件的負載較佳為0.5至5kg/cm2。當按壓兩個電子零件的負載例如於150℃之升溫在結合步驟為2至5kg/cm2時，具有約100Pa‧S之熔融黏度的環氧樹脂組成物可自相對兩個電極表面輕易地移除以確保電極間之電氣連接，同時環氧樹脂組成物填充電極的周圍以獲得優異接著強度。此外，若在結合步驟按壓兩個電子零件的負載為0.5kg/cm2，例如，具有約0.03Pa‧S之熔融黏度的環氧樹脂組成物可自相對兩個電極輕易地移除以確保電極間之電氣連接，同時環氧樹脂組成物填充電 極的周圍以獲得優異接著強度。
此實例中，環氧樹脂組成物較佳具有120至300秒之膠凝時間，其係在B-階段於70℃乾燥60分鐘後於150℃之升溫在結合步驟藉由依據JIS C2105之方法於150℃測得之。本文所用"以相對較短之結合時間及適合之速率進行環氧樹脂組成物的固化反應"係指在B-階段後在結合步驟在上述條件下於150℃測得之膠凝時間為120至300秒。在上述條件下測得之環氧樹脂組成物的膠凝時間更佳為130至280秒，又更佳為140至270秒。在上述條件下測得之上述範圍內之環氧樹脂組成物的膠凝時間係指適合的固化時間，例如，當藉由彼此按壓兩個電子零件而連接兩個相對電極時，具有較低熔融黏度的環氧樹脂組成物可自一電極表面輕易地移除以確保兩個電子零件間之電氣連接，同時在後固化步驟可避免環氧樹脂組成物脫層及溢流以得到優異接著強度並保持優異接著性質。
又，本發明之環氧樹脂組成物可適合地使用於裸晶封裝，模組結合等。
其次，說明使用此實例之環氧樹脂組成物之半導體裝置之一實施例。此實例中，使用本發明之環氧樹脂組成物之半導體裝置可藉由包括下列步驟之方法製造之：將環氧樹脂組成物施用至具有電極等之基板；乾燥B-階段之環氧樹脂組成物(使之乾涸)；將既定溫度升高至使其與其他半導體元件結合(結合)；及熱固化該環氧樹脂組成物(後固化)。第4(a)至(d)圖顯示製造半導體裝置之個別步驟。
使用具有位在基板上之複數個電極之兩個半導體元件之半導體裝置之一製造方法，其包括：將本發明之環氧樹脂組成物施用至在其側面上設置電極之一半導體元件上；乾燥B-階段所施用之環氧樹脂組成物；藉由將一半導體元件之電極放置在已對其施用環氧樹脂組成物之另一半導體元件之電極上再彼此按壓兩個半導體元件以自相對之兩個電極移除環氧樹脂組成物同時將環氧樹脂組成物填充在位在基板上之電極的周圍；以及進行環氧樹脂組成物的後固化。本發明中，環氧樹脂組成物包含藉由添加溶劑至環氧樹脂組成物所得到之浸漬狀態。以下，說明個別步驟。
[施用步驟]
如第4(a)圖所示，自配線2側面將環氧樹脂組成物3施用至具有配線2之基板1上，以形成配線基板4。
[B-階段步驟]
其次，如第4(b)圖所示，使配線基板4於約70℃靜置60分鐘以因喪失環氧樹脂組成物的流動性而乾燥B-階段之環氧樹脂組成物3(乾涸)。本發明之經B-階段之環氧樹脂組成物可達到不黏，其係指若以手接觸之，其無膠黏且該材料不會黏附至手指。在B-階段步驟，溫度較佳為60至100℃。
[結合步驟]
其次，如第4(c)圖所示，藉由對著配線基板4之配線2將具有凸塊5之半導體晶片7之凸塊5放置在基板6上，使溫度升高至150℃，對著半導體晶片7按壓配線基板4 以使凸塊5與配線2結合。結合時，環氧樹脂組成物的熔融黏度下降。更明確地說，在B-階段後於150℃之升溫藉由流變儀(例如，VISCOANALYSER VAR100，REOLOGICA，頻率：1.0Hz)所測得之環氧樹脂組成物的熔融黏度小於100Pa‧S。結合時環氧樹脂組成物之熔融黏度的下降使得當對著配線基板4按壓半導體晶片7時，凸塊5與配線2間之環氧樹脂組成物3可輕易地移除以確保凸塊5與配線2間之電氣連接，同時經移除之環氧樹脂組成物3填充在相鄰兩個凸塊5與5之間，以得到優異接著強度。再者，以相對較短之結合時間及適合之速率進行環氧樹脂組成物3的固化反應。更明確地說，進行環氧樹脂組成物3的固化反應，使得依據JIS C2105之方法於150℃測得之膠凝時間為120至300秒。結合時，溫度較佳為120至150℃，彼此按壓配線基板與半導體晶片的負載較佳為0.5至5kg/cm2，以及於150℃環氧樹脂組成物的膠凝時間較佳為120至300秒。
[後固化步驟]
其次，如第4(d)圖所示，於165℃進行相鄰凸塊5與5之間與相鄰配線2與2之間之環氧樹脂組成物3的後固化180分鐘同時確保相對之凸塊5與配線2間之電氣連接，以製造半導體裝置8。結合時，環氧樹脂組成物的固化反應係以相對較短之結合時間及適合之速率進行，使得在後固化步驟可避免環氧樹脂組成物脫層及溢流，以得到具有優異接著強度並保持優異接著性質之半導體裝置8。 在後固化步驟，後固化的溫度較佳為120至180℃，後固化的時間較佳為30至180分鐘。
本發明之半導體裝置之另一製造方法，包括：將本發明之環氧樹脂組成物施用至晶圓；進行環氧樹脂組成物之B-階段；進行晶圓之切割以單切成半導體晶片；將單切之半導體晶片定位在基板或具有環氧樹脂組成物施用表面作為黏附表面之其他半導體元件上；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
至於將環氧樹脂組成物施用至晶圓的方法，可述及使用金屬光罩及網目光罩之印刷法，旋轉塗佈法，旋轉與噴霧塗佈法，將成片狀之組成物放置在離形膜上之方法等。此系統通常可使用旋轉塗佈法或旋轉與噴霧塗佈法。
至於施用至晶圓後進行環氧樹脂組成物之B-階段的方法，通常需要加熱及乾燥步驟。例如，可在乾燥烘箱中放置一段時間，或者於在線烘箱中加熱及乾燥，具有輸送器系統之加熱烘箱等。若有需要，可施加逐步加熱方法，穩定溫度上升，穩定溫度下降等。加熱及乾燥步驟的條件可為例如50至150℃之溫度歷時10至120分鐘。
晶圓可藉由使用一般切割裝置之乾式或濕式切割予以單切。
至於將單切之半導體晶片定位在基板或具有環氧樹脂組成物施用表面作為黏附表面之其他半導體元件上之方法，一般係使用利用覆晶結合器將其定位，接著與焊接一起熱壓縮以使之結合之方法，或在定位後將之加熱再以再 流動之火爐暫時安置以使之結合之方法。可能藉由加熱結合工具以在暫時安置時安置之而軟化樹脂。結合工具的溫度可設應在50至150℃。當將其加熱以使之結合時，可使用適合於包裝及封裝之溫度分佈圖。再者，至於安置晶片之測量工具，可使用能夠定位半導體元件與基板之其他者如芯片結合器以及覆晶結合器。
又，環氧樹脂組成物的熱固化方法可為，例如，在150至180℃之溫度進行1至3小時。在施加模具至半導體裝置之情形下，可同時進行後固化步驟與模具材料的固化。依據這些程序，可達成半導體晶片與電路基板或其他半導體元件間之電氣連接。
實施例
以下，參照實施例詳細說明本發明，但本發明不侷限於這些實施例。
(組成物之製備1)
以表1所示之配方(配方用量的單位為重量份)藉由以滾筒研磨機混合所有成分，製備實施例1至8及比較例1和2之試樣。針對實施例及比較例之組成物，進行下述試驗。結果示於表1。
(黏度測量1)
黏度係使用HB型旋轉式黏度計(SC4-14/6R轉子，旋轉速度50rpm)在25℃測得之值。
(注射性質測量1)
在RF-4基板上提供50微米之間隙，製備取代半導體 裝置之固定玻璃板之試樣。將此試樣放置在設定於90℃之加熱板上，在10mm寬度之玻璃板的一側面上噴佈實施例或比較例之組成物，然後測量以組成物填充間隙的時間。
(剪切結合強度試驗1)
將實施例或比較例之組成物以圓柱體(4.75mm之底部表面直徑及100μm之高度)之形式施用在具有聚亞胺鈍化塗佈層208之鋁基板210上，然後在其上放置具有聚亞胺塗佈層204之鋁圓柱體202(6.3mm之底部表面直徑及8mm之高度)再對其施加18g之負載歷時5分鐘，接著藉由於150℃維持一小時而固化之(參見第1圖)。
之後，利用萬用試驗機以200μm/秒之剪切速度測量剪切結合強度1。
亦針對在2atm，121℃，100%相對濕度之條件下貯存20小時後之試樣進行剪切結合強度試驗1。
(剪切結合強度試驗2)
在具有聚亞胺鈍化塗佈層304之鋁基板306上，以實施例或比較例之組成物形成圓形截頭圓錐體(5mm之底部表面直徑，3mm之頂部表面直徑及6mm之高度)，藉由於150℃維持一小時而固化組成物(參見第2圖)。
之後，利用萬用試驗機以200μm/秒之剪切速度測量剪切結合強度2。
亦針對在2atm，121℃，100%相對濕度之條件下貯存20小時後之試樣進行剪切結合強度試驗2。
使用於實施例之式1之(C-3)馬來醯亞胺化合物係下式1所示之化合物：
使用於實施例之式2之(C-4)馬來醯亞胺化合物係下式2所示之化合物：
以下為使用於實施例之(b)，(d)，及其他成分。
(b)微膠囊化咪唑
商品名：NOVACURE HX-3088(35重量%之咪唑含量)；朝日化成E-材料公司出品
(d)烯丙基化之酚醛清漆樹脂
商品名：MEH 8000H(140之OH當量)；Meiwa塑膠工業公司出品
(其他)無機填料
具有2μm之平均粒徑之球形二氧化矽顆粒(雷射繞射散射法，測量裝置：LS13320，Beckman Coulter公司)
(其他)矽烷耦合劑
3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷
由表1可看出，藉由PCT試驗，比較實施例1至5，7及8與比較例1之組成物，其各含有烯丙基化之酚醛清漆樹脂(D)，沒有混合馬來醯亞胺化合物之後者(比較例1之組成物)的結合強度顯著地下降。相反地，混合著馬來醯亞胺化合物之實施例1至5，7及8之組成物，藉由PCT試驗，結合強度的降解減少。再者，實施例1至5，7及8之組成物具有優異注射性質而可較佳地與覆晶結合組合使用。同理應用於實施例6及比較例2。亦即，藉由PCT試驗，沒有混合馬來醯亞胺化合物之比較例2之結合強度的值顯著地下降。相反地，混合著馬來醯亞胺化合物之實施例6之組成物，藉由PCT試驗，結合強度的降解減少。
(組成物之製備2)
以表2所示之配方(配方用量的單位為重量份)藉由以 行星攪拌機混合所有成分，製備實施例9至11及比較例3之試樣。針對實施例及比較例之組成物，進行下述試驗。結果示於表2。
(黏度測量2)
黏度係使用HB型旋轉式黏度計(SC4-14/6R轉子，旋轉速度50rpm)在25℃測得之值。
(剪切結合強度試驗3)
在具有聚亞胺鈍化塗佈層之矽晶片(20mm×40mm)上，分配器施加各25g之實施例9至11及比較例3之組成物的pate，並將具有聚亞胺鈍化塗佈層之其他矽晶片(5mm×5mm)以60μm之空間予以安置，於70℃乾燥(B-階段)一小時，再於165℃靜置3小時而固化之(後固化)。
之後，利用萬用試驗機以200μm/秒之剪切速度測量剪切結合強度。
亦針對在2atm，121℃，100%相對濕度之條件下貯存20小時後之試樣進行剪切結合強度試驗3。
以下為使用於實施例之(b)，(d)，及其他成分。
(b)微膠囊化咪唑
商品名：NOVACURE HX-3922(35重量%之咪唑含量)；朝日化成E-材料公司出品
(d)苯酚-亞二甲苯基樹脂
商品名：MEH 780OH(OH當量：178)；Meiwa塑膠工業公司出品
(其他)硬化加速劑
十二烷二羧酸二肼(Otsuka化學公司出品，十二烷二羧酸肼)
(其他)搖變減黏試劑
Aerosil，商品名：R805(Nippon Aerosil公司出品)
(其他)矽烷耦合劑
3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷
由表2可看出，藉由PCT試驗，比較實施例9至11與比較例3之組成物，其各含有苯酚-亞二甲苯基樹脂(D)，沒有混合馬來醯亞胺化合物之後者(比較例3之組成物)的結合強度顯著地下降。相反地，混合著馬來醯亞胺化合物之實施例9至11之組成物，藉由PCT試驗，結合強度的降解減少。
產業利用性
依據本發明，係提供一種半導體封裝用環氧樹脂組成物，其可提供對半導體晶片表面具有優異接著性且具有優異抗濕氣性之固化材料，以及由此所封裝之半導體裝置。因此，本發明具有高度的產業利用性。
1、6、408‧‧‧基板
2‧‧‧配線
3‧‧‧環氧樹脂組成物
4‧‧‧配線基板
5‧‧‧凸塊
7、402‧‧‧半導體晶片
202‧‧‧鋁圓柱體
204‧‧‧聚亞胺塗佈層
208、304‧‧‧聚亞胺鈍化塗佈層
210‧‧‧鋁基板
306‧‧‧鋁基板
第1圖係使用於實施例之剪切結合強度試驗1之試樣的圖解圖式。
第2圖係使用於實施例之剪切結合強度試驗2之試樣的圖解圖式。
第3圖係覆晶型半導體裝置之圖解圖式。
第4圖係顯示包括使用本發明之環氧樹脂組成物黏合之半導體元件之半導體裝置之製造步驟的圖解圖式。
402‧‧‧半導體晶片
408‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種半導體封裝用之環氧樹脂組成物，包括：(A)至少一種環氧樹脂，(B)至少一種咪唑化合物，以及(C)至少一種馬來醯亞胺化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，其中以100重量份環氧樹脂(A)計之，咪唑化合物(B)的用量為0.01至10重量份及馬來醯亞胺化合物(C)的用量為0.1至16重量份。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，其中馬來醯亞胺化合物(C)係選自由單馬來醯亞胺化合物及雙馬來醯亞胺化合物所組成群組之至少一種化合物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，進一步包括選自由酚醛樹脂及酸酐所組成群組之至少一種固化劑(D)。
  5. 如申請專利範圍第1至4項任一項所述之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，進一步包括至少一種無機填料。
  6. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之半導體封裝用之環氧樹脂組成物，該環氧樹脂組成物於25℃具有0.1至150Pa‧S之黏度。
  7. 一種覆晶半導體裝置，包括基板及半導體，其中該半導體係藉由如申請專利範圍第1至6項任一項所述之環氧樹脂組成物固定於該基板。
  8. 一種組件，包括： 基板；半導體晶片；以及如申請專利範圍第1至6項任一項所述之液態環氧樹脂組成物之固化材料，該固化材料係位在基板與半導體晶片之間，使得該半導體晶片固定於該基板。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其包括：在基板與半導體晶片之間注射如申請專利範圍第1至6項任一項所述之環氧樹脂組成物；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其包括：將如申請專利範圍第1至5項任一項所述之環氧樹脂組成物施用施用至基板；進行該環氧樹脂組成物之B-階段；將其他半導體元件或基板設置在具有環氧樹脂組成物施用施用表面作為黏附表面之基板上；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，其包括：將如申請專利範圍第1至5項任一項所述之環氧樹脂組成物施用至晶圓；進行該環氧樹脂組成物之B-階段；進行該晶圓之切割以單切成半導體晶片；將單切之半導體晶片定位在基板或具有環氧樹脂組成物施用表面作為黏附表面之其他半導體元件上；以及熱固化該環氧樹脂組成物。
TW101127161A 2011-07-29 2012-07-27 半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法 TWI595042B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/193,822 US20130026660A1 (en) 2011-07-29 2011-07-29 Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201313823A true TW201313823A (zh) 2013-04-01
TWI595042B TWI595042B (zh) 2017-08-11

Family

ID=47596578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101127161A TWI595042B (zh) 2011-07-29 2012-07-27 半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130026660A1 (zh)
JP (1) JP6170904B2 (zh)
KR (1) KR101900534B1 (zh)
CN (1) CN103717634B (zh)
TW (1) TWI595042B (zh)
WO (1) WO2013018847A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678380B (zh) * 2014-10-22 2019-12-01 日商納美仕股份有限公司 樹脂組成物、以及使用其之絕緣薄膜及半導體裝置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8470936B2 (en) * 2011-07-29 2013-06-25 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP6403075B2 (ja) * 2014-11-26 2018-10-10 京セラ株式会社 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
CN107001547A (zh) * 2014-12-25 2017-08-01 昭和电工株式会社 热固性树脂组合物
WO2016139985A1 (ja) * 2015-03-05 2016-09-09 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、車載用電子制御ユニットの製造方法、および車載用電子制御ユニット
JP6940926B2 (ja) * 2015-04-30 2021-09-29 味の素株式会社 樹脂組成物
US9870972B2 (en) * 2015-08-13 2018-01-16 Fuji Electric Co., Ltd. Thermosetting resin molded article
KR20170023719A (ko) 2015-08-24 2017-03-06 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물
EP3377578A4 (en) * 2015-11-17 2019-05-08 Henkel IP & Holding GmbH RESIN COMPOSITIONS FOR SUBSTITUTING LAYER FOR THREE-DENSITY THROUGH SILICA VIA (TSV) PACKAGING AND FOR THE PRODUCTION OF SUITABLE COMPOSITIONS
JP7301492B2 (ja) 2016-02-18 2023-07-03 富士電機株式会社 樹脂組成物の製造方法
EP3466992B1 (en) 2016-05-31 2020-07-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device
JP6765252B2 (ja) * 2016-08-02 2020-10-07 明和化成株式会社 組成物、半導体封止用組成物、及びこれらの組成物の硬化物
JP6789030B2 (ja) * 2016-08-09 2020-11-25 京セラ株式会社 封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP2018070668A (ja) * 2016-10-24 2018-05-10 信越化学工業株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
CN110461938A (zh) * 2017-03-31 2019-11-15 日立化成株式会社 环氧树脂组合物和电子部件装置
JP6816702B2 (ja) * 2017-10-27 2021-01-20 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
KR102140259B1 (ko) 2018-01-11 2020-07-31 주식회사 엘지화학 반도체 몰딩용 에폭시 수지 조성물, 이를 이용한 몰딩필름 및 반도체 패키지
TW202003755A (zh) 2018-04-26 2020-01-16 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 樹脂組成物、疊層體、附樹脂組成物層之半導體晶圓、附樹脂組成物層之半導體搭載用基板、以及半導體裝置
KR20210044775A (ko) * 2018-08-17 2021-04-23 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 액체 압축 성형 또는 캡슐화제 조성물
JP6708242B2 (ja) * 2018-11-14 2020-06-10 日立化成株式会社 モールドアンダーフィル用樹脂組成物及び電子部品装置
JP2020084128A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 花王株式会社 電子材料用封止剤
WO2020262588A1 (ja) 2019-06-28 2020-12-30 三菱瓦斯化学株式会社 フィルム、積層体、フィルム層付き半導体ウェハ、フィルム層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置
CN114127192A (zh) 2019-06-28 2022-03-01 三菱瓦斯化学株式会社 薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板、及半导体装置
CN114144467B (zh) 2019-06-28 2023-05-23 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、树脂片、层叠体、带树脂组合物层的半导体晶圆、基板和半导体装置
KR20220030920A (ko) 2019-06-28 2022-03-11 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 필름, 적층체, 필름층이 형성된 반도체 웨이퍼, 필름층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치
US11710672B2 (en) * 2019-07-08 2023-07-25 Intel Corporation Microelectronic package with underfilled sealant
JP7406336B2 (ja) 2019-10-11 2023-12-27 三星電子株式会社 半導体装置の製造方法
KR20230160786A (ko) 2021-03-25 2023-11-24 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 경화물, 수지 시트, 프리프레그,금속박부착 적층판, 다층 프린트 배선판, 밀봉용 재료, 섬유 강화 복합 재료, 접착제 및 반도체 장치
TW202337995A (zh) * 2021-11-17 2023-10-01 德商漢高股份有限及兩合公司 液體模製物料及其當暴露於雷射能後變成具可鍍性的反應產物
CN114292615B (zh) * 2022-03-10 2022-06-03 武汉市三选科技有限公司 组合物、胶膜及芯片封装结构

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2593503B2 (ja) * 1988-01-22 1997-03-26 株式会社東芝 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置
JP2870903B2 (ja) * 1989-12-26 1999-03-17 三井化学株式会社 半導体封止用樹脂組成物
JPH03223324A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物
KR960010844B1 (ko) * 1991-07-11 1996-08-09 제일모직 주식회사 내열성이 향상된 반도체소자 밀봉용 수지조성물
KR960005064B1 (ko) * 1991-09-26 1996-04-20 제일모직주식회사 신규한 이미드-에폭시수지와 그 제조방법
US5346743A (en) * 1992-03-13 1994-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin encapsulation type semiconductor device
JP2506601B2 (ja) * 1992-09-30 1996-06-12 ソマール株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
JPH06151652A (ja) * 1992-11-16 1994-05-31 Nitto Denko Corp 半導体装置
ATE370209T1 (de) * 1999-06-18 2007-09-15 Hitachi Chemical Co Ltd Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält
JP2001261939A (ja) * 2000-03-21 2001-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。
US20030129438A1 (en) * 2001-12-14 2003-07-10 Becker Kevin Harris Dual cure B-stageable adhesive for die attach
US20030164555A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-04 Tong Quinn K. B-stageable underfill encapsulant and method for its application
MY139328A (en) * 2002-05-20 2009-09-30 Nitto Denko Corp Thermosetting resin composition and semiconductor device obtained with the same
JP2004197009A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Hitachi Ltd 熱硬化性樹脂とその製造方法及び製品
JP3928603B2 (ja) * 2003-07-28 2007-06-13 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物並びに半導体装置及びその製造方法
JP2006131876A (ja) * 2004-10-07 2006-05-25 Nippon Shokubai Co Ltd 光実装材料用樹脂組成物及びその製造方法、並びに、該光実装材料用樹脂組成物を用いた光実装材料、光実装部品、及び、光モジュール
JP4534062B2 (ja) * 2005-04-19 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2009096851A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Three M Innovative Properties Co 非導電性接着剤組成物及び非導電性接着フィルム、並びにそれらの製造方法及び使用方法
JP5009752B2 (ja) * 2007-10-31 2012-08-22 ナミックス株式会社 ダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678380B (zh) * 2014-10-22 2019-12-01 日商納美仕股份有限公司 樹脂組成物、以及使用其之絕緣薄膜及半導體裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140064820A (ko) 2014-05-28
CN103717634B (zh) 2016-11-23
US20130026660A1 (en) 2013-01-31
WO2013018847A1 (en) 2013-02-07
TWI595042B (zh) 2017-08-11
JP6170904B2 (ja) 2017-07-26
JP2014521754A (ja) 2014-08-28
KR101900534B1 (ko) 2018-09-19
CN103717634A (zh) 2014-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI595042B (zh) 半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置，以及該半導體裝置之製造方法
TWI492339B (zh) A dam material composition for a bottom layer filler material for a multilayer semiconductor device, and a manufacturing method of a multilayer semiconductor device using the dam material composition
JP5502268B2 (ja) システムインパッケージ型半導体装置用の樹脂組成物セット
KR20120092505A (ko) 반도체-캡슐화 액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP4786964B2 (ja) 熱硬化型エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP5116152B2 (ja) 半導体装置製造用の樹脂組成物
JP2013010940A (ja) 液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP6008638B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2004331908A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP3912515B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3997422B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3716237B2 (ja) 封止剤樹脂組成物
JP3773022B2 (ja) フリップチップ型半導体装置
JP2009173744A (ja) アンダーフィル剤組成物
JP2010077234A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010111747A (ja) アンダーフィル剤組成物
JP4697476B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP3674675B2 (ja) フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材
JP3867784B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP6388228B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP4678149B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP2011116843A (ja) 液状封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP4858431B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013107993A (ja) 半導体封止用液状樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP5958799B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置