JP5958799B2 - 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5958799B2 JP5958799B2 JP2012052221A JP2012052221A JP5958799B2 JP 5958799 B2 JP5958799 B2 JP 5958799B2 JP 2012052221 A JP2012052221 A JP 2012052221A JP 2012052221 A JP2012052221 A JP 2012052221A JP 5958799 B2 JP5958799 B2 JP 5958799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- liquid epoxy
- semiconductor
- semiconductor encapsulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
1.主剤
(常温で液状のエポキシ樹脂)
・ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「エピコート828」、粘度120〜150P/25℃、エポキシ当量184〜194eq/g
・アミノグリシジルエーテル、N,N−ビス(2,3−エポキシプロピル)−4−(2,3−エポキシプロポキシ)アニリン、ジャパンエポキシレジン(株)製「EP−630」、粘度5〜10P/25℃、エポキシ当量90〜105eq/g
2.硬化剤
(ジアミン硬化剤1)
ジアミノジフェニルメタン、保土谷化学工業(株)製「DDM」
(ジアミン硬化剤2)
式(I)で表わされるジアミン硬化剤、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼン、略称PEMPB、セイカ(株)製
(ジアミン硬化剤3)
式(I)で表わされるジアミン硬化剤、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼン、略称PEPPB、セイカ(株)製
3.カップリング剤
(アミノシラン1)
3−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM−903」
(アミノシラン2)
3−アミノプロピルトリエトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBE−903」
(エポキシシラン)
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM−403」
(メルカプトシラン)
3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM802」
4.無機充填剤
球状シリカ、(株)アドマテックス製「SO−C1」、平均粒径0.3μm
半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物をガラス板で挟み込み、硬化させた後、長さ58mm、厚さ7mm、幅14mmの試験片を作製した。硬化条件は165℃、2時間とした。この試験片に予めクラックを入れ、シャルピー耐衝撃性試験JIS K 7111を行い、次の基準により評価した。
○:10kJ/m2以上
△:5kJ/m2以上10kJ/m2未満
×:5kJ/m2未満
B型粘度計により、25℃で1rpmおよび10rpmの回転数で粘度を測定し、10rpm時に対する1rpm時の比を算出し、チクソ性の指数とした。これに基づいて次の基準により評価した。
○:2.0以上
△:1.5以上2.0未満
×:1.5未満
半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物をセラミック基板に塗布し、塗布面に2mm角のシリコンチップ(ポリイミド膜コート)を設置し、半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物を硬化させることで基板にチップを接着した。その後、その密着強度を測定した。硬化条件は220℃、1時間とし、得られた密着強度の値を、220℃、3時間硬化(フルキュア)時の値で割った数値を反応性の指標とし、次の基準により評価した。
○:90%以上
△:50%以上90%未満
×:50%未満
Claims (5)
- エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有する半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物において、前記硬化剤として、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンおよび1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1種を含有し、カップリング剤として、次式(II)
- 重量平均分子量3万以上のポリエーテルスルホン樹脂を含有しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
- 1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンおよび1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1種を前記硬化剤の全量に対して30〜100質量%の範囲で含有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂として、N,N−ビス(2,3−エポキシプロピル)−4−(2,3−エポキシプロポキシ)アニリンを含有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
- 複数のバンプが形成された半導体チップと、前記バンプと電気的に接続された複数の電極を有する基板と、請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成され前記半導体チップと前記基板との間の空隙を封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012052221A JP5958799B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012052221A JP5958799B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013185106A JP2013185106A (ja) | 2013-09-19 |
JP5958799B2 true JP5958799B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=49386831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012052221A Active JP5958799B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5958799B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003531941A (ja) * | 2000-04-21 | 2003-10-28 | ヘンケル ロックタイト コーポレイション | レオロジー調整したエポキシ系組成物 |
JP3968302B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-08-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005350647A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-12-22 | Nitto Denko Corp | 液状エポキシ樹脂組成物 |
JP2005350646A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-12-22 | Nec Corp | 電子部品装置 |
JP4747586B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2011-08-17 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体用液状封止樹脂組成物の製造方法 |
JP2010053164A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
JP5471423B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-04-16 | 東レ株式会社 | アンダーフィル剤およびそれを用いた半導体装置 |
JP5521853B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2014-06-18 | 東レ株式会社 | アンダーフィル剤およびそれを用いた半導体装置 |
JP5297425B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-09-25 | パナソニック株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
JP2013107993A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Panasonic Corp | 半導体封止用液状樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
-
2012
- 2012-03-08 JP JP2012052221A patent/JP5958799B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013185106A (ja) | 2013-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI595042B (zh) | 半導體封裝用環氧樹脂組成物、使用該組成物之半導體裝置,以及該半導體裝置之製造方法 | |
KR20120092505A (ko) | 반도체-캡슐화 액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
JP7513074B2 (ja) | 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
JP4786964B2 (ja) | 熱硬化型エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2004210901A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP6233441B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP5552788B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体封止充てん用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2012116979A (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体封止充てん用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4176619B2 (ja) | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 | |
JP3925803B2 (ja) | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 | |
JP2014094981A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 | |
JP2006169395A (ja) | アンダーフィル樹脂組成物 | |
JP2009057575A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP6388228B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 | |
JP5614022B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体封止充てん用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5445005B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体封止充てん用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5862176B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物の選択方法及び製造方法、並びに電子部品装置の製造方法 | |
JP5105099B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びそれをアンダーフィル材として用いて封止したフリップチップ型半導体装置 | |
JP5958799B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 | |
JP6015912B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物および半導体電子部品 | |
JP5708666B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2004256646A (ja) | アンダーフィル用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP6332488B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物の選択方法及び製造方法、並びに電子部品装置及びその製造方法 | |
JP2016040393A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2013107993A (ja) | 半導体封止用液状樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141203 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160609 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5958799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |