CN114292615B - 组合物、胶膜及芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种组合物、包括所述组合物的胶膜及芯片封装结构。所述组合物包括环氧树脂、界面活性剂、固化剂及填料，所述界面活性剂选自改性六氟丙烯类化合物。所述组合物中的界面活性剂为改性六氟丙烯类化合物，所述改性六氟丙烯类化合物具有较低的表面能以及良好的防水防油性能，可以有效地降低所述组合物的表面张力，如此，在使用所述组合物制备胶膜时，所述组合物具有较高的涂布润湿性，易于附着在离型膜上。此外，所述组合物具有较强的抗化学清洗性，将芯片焊接制程的残余助焊剂的清洗过程中，由所述组合物制备的芯片保护膜对碱性溶液具有较强的耐清洗性而不易脱落。
Description
技术领域
本申请涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种组合物、包括所述组合物的胶膜、及芯片封装结构。
背景技术
随着行业的竞争日益激烈，芯片设计和制造公司需要不断地减少制造成本，以提高市场竞争力。芯片制作过程中，一般先在晶圆上制作几百到几千甚至上万个独立的芯片，然后将每个独立的芯片切割下来，以进行后续制作。但是在芯片切割的过程中，容易造成芯片破损，造成芯片的良率下降。现有技术会先通过胶膜对晶圆上的芯片进行封装保护，然后再进行切割，以避免芯片破损，提高芯片制作良率。
此外，在半导体的制造过程中，会使用倒装方式进行芯片安装。在倒装方式中，芯片背面会露出。为了保护露出的芯片背面，需要在芯片背面设置保护膜，利用保护膜对芯片的背面进行保护。
为便于操作，现有技术一般将胶膜用组合物设置在离型膜上，形成结合在离型膜表面的胶膜。在芯片制作及半导体安装过程中需要对芯片进行贴膜保护时，将胶膜表面的离型膜移除，将胶膜贴附在芯片上然后固化即可。
胶膜的制备方法一般为：制备组合物，将组合物涂布在离型膜上，然后烘干后制得。
然而，现有的组合物的涂布润湿性不够好，导致组合物不易附着在离型膜上，而增加了胶膜的制备难度，或者制备得到的胶膜容易从离型膜上分离，而影响胶膜的保存及使用。
此外，芯片制作过程中需要对芯片进行化学清洗，以去除附着物，从而得到性能良好的芯片。然而，现有的胶膜固化后形成的芯片保护膜的抗化学清洗性较差，例如，抗碱性溶液清洗性较差，易在清洗过程中从芯片的表面脱落，而无法继续对芯片进行保护。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种芯片保护膜用组合物，旨在改善现有的芯片保护膜用组合物涂布润湿性差的问题。
本申请实施例是这样实现的，一种组合物，包括环氧树脂、界面活性剂、固化剂及填料，所述界面活性剂选自改性六氟丙烯类化合物。
可选的，在本申请的一些实施例中，按质量份计，所述组合物中，所述环氧树脂的含量为40-70份，所述界面活性剂的含量为0.25-1.9份，所述固化剂的含量为15-35份，所述填料的含量为30-50份。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述改性六氟丙烯类化合物包括改性六氟丙烯低聚物及聚氧乙烯醚改性六氟丙烯中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述环氧树脂包括萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述环氧树脂由萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚组成。
可选的，在本申请的一些实施例中，按质量份计，所述组合物中，所述萘酚环氧树脂的含量为25-40份，所述双酚环氧树脂的含量为10-20份，所述三缩水甘油基氨基间甲酚的含量为5-10份。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述萘酚环氧树脂包括1-萘酚芳烷基环氧树脂及1,6-萘酚芳烷基环氧树脂中的至少一种；
所述1-萘酚芳烷基环氧树脂具有如下结构式：
所述1,6-萘酚芳烷基环氧树脂具有如下结构式：
其中，n1为大于等于5且小于等于10的整数，n2为大于等于5且小于等于10的整数。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述双酚环氧树脂包括双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F/A共聚型环氧树脂及双酚S型环氧树脂中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述固化剂包括1-羟基萘芳烷基树脂及1,6-二羟基萘芳烷基树脂中的至少一种；
所述1-羟基萘芳烷基树脂具有如下结构式：
所述1,6-二羟基萘芳烷基树脂具有如下结构式：
其中，n3为大于等于5且小于等于10的整数，n4为大于等于5且小于等于10的整数。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述填料包括二氧化硅、碳酸钙、氧化铝及硅藻土中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述组合物还包括促进剂，按质量份计，所述组合物中，所述促进剂的含量为0.5-5份；和/或
所述组合物还包括着色剂，按质量份计，所述组合物中，所述着色剂的含量为1-5份；和/或
所述组合物还包括溶剂，按质量份计，所述组合物中，所述溶剂的含量为85-170份。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述促进剂包括三氟化硼三乙基膦、三氟化硼三异丙基膦、环三磷、磷胺化合物、三甲基膦、三苯基膦及其衍生物中的至少一种；和/或
所述着色剂选自炭黑；和/或
所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、环己酮、甲基异丁酮及二乙二醇***中的至少一种。
相应的，本申请实施例还提供一种胶膜，所述胶膜包括上述组合物，或者所述胶膜由上述组合物制备而成。
相应的，本申请实施例还提供一种芯片封装结构，包括芯片及结合于所述芯片一表面的芯片保护膜，所述芯片保护膜由上述组合物固化后形成，或者，所述芯片保护膜由上述胶膜固化后形成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述芯片包括基片及位于所述基片一表面的银层，所述芯片保护膜结合在所述银层的远离所述基片的表面。
本申请的组合物中的界面活性剂为改性六氟丙烯类化合物，所述改性六氟丙烯类化合物具有较低的表面能以及良好的防水防油性能，可以有效地降低所述组合物的表面张力，如此，在使用所述组合物制备胶膜时，所述组合物具有较高的涂布润湿性，易于附着在离型膜上。此外，所述组合物具有较强的抗化学清洗性，将芯片焊接制程的残余助焊剂的清洗过程中，由所述组合物制备的芯片保护膜对碱性溶液具有较强的耐清洗性而不易脱落。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请实施例提供的一种芯片封装结构的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的另一种芯片封装结构的结构示意图
图3是本申请实施例提供的一种胶膜的结构示意图；
图4是将图3所示的胶膜贴附在晶圆表面的示意图；
图5是将图4中的离型膜移除并对胶膜热固化形成芯片保护膜的示意图；
图6是对图5中的晶圆进行切割的示意图；
图7是将图6切割得到的芯片焊接在基板上的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。
在本申请中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。
本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
在本申请中，环氧当量是指含有1当量的环氧基的树脂的克数（g/eq）。
在本申请中，羟基当量是指含量有1当量的羟基的萘酚类固化剂的克数（g/eq）。
在本申请中，球形二氧化硅是指二氧化硅的颗粒的形状为球状或者近似球状。
本申请实施例提供一种组合物，主要用于制备胶膜。所述组合物包括环氧树脂、界面活性剂、固化剂及填料，所述界面活性剂选自改性六氟丙烯类化合物。
所述改性六氟丙烯类化合物可以选自但不限于改性六氟丙烯低聚物及聚氧乙烯醚改性六氟丙烯中的至少一种。所述改性六氟丙烯类化合物具有较低的表面能以及良好的防水防油性能，可以有效地降低所述组合物的表面张力，如此，在使用所述组合物制备胶膜时，所述组合物具有较高的涂布润湿性，易于附着在离型膜上，尤其是PET硅基离型膜上。
按质量份计，所述组合物中，所述环氧树脂的含量为40-70份，所述界面活性剂的含量为0.25-1.9份，所述固化剂的含量为15-35份，所述填料的含量为30-50份。
所述环氧树脂可以选自但不限于萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚中的至少一种。
在至少一些实施例中，所述环氧树脂同时包括所述萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚。进一步，按质量份计，所述组合物中，所述萘酚环氧树脂的含量为25-40份，所述双酚环氧树脂的含量为10-20份，所述三缩水甘油基氨基间甲酚的含量为5-10份。
所述萘酚环氧树脂可以选自但不限于1-萘酚芳烷基环氧树脂及1,6-萘酚芳烷基环氧树脂中的至少一种。
所述1-萘酚芳烷基环氧树脂具有如下结构式：
其中，n1为大于等于5且小于等于10的整数。
在至少一些实施例中，所述1-萘酚芳烷基环氧树脂为购自于新日铁住金化学株式会社（Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd）的型号为ESN-475V树脂。
在一些实施例中，所述1-萘酚芳烷基环氧树脂的环氧当量为310-350 g/eq。
所述1,6-萘酚芳烷基环氧树脂具有如下结构式：
其中，n2为大于等于5且小于等于10的整数。
在至少一些实施例中，所述1,6-萘酚芳烷基环氧树脂为购自于新日铁住金化学株式会社的型号为ESN-375的树脂。
在一些实施例中，所述1,6-萘酚芳烷基环氧树脂的环氧当量为160-180 g/eq。
所述1-萘酚芳烷基环氧树脂及1,6-萘酚芳烷基环氧树脂具有强疏水性、低吸湿性、低膨胀系数及强阻燃性。其中，强疏水性及低吸湿性可以进一步提升所述组合物的防水性能。此外，所述1-萘酚芳烷基环氧树脂及1,6-萘酚芳烷基环氧树脂可以引入不易转动的萘环，而使所述组合物具有较强的内聚力以及较好的分子取向性，从而使由所述组合物所形成的芯片保护膜具有良好的耐热性能、耐湿性能、耐化学性能和稳定性。
所述双酚环氧树脂可以选自但不限于双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F/A共聚型环氧树脂及双酚S型环氧树脂中的至少一种。所述双酚环氧树脂可以使组合物固化时的结晶性低，从而使固化后得到的膜层具有良好的表面外观。
在一些实施例中，所述双酚环氧树脂选自双酚F/A共聚型环氧树脂。
在至少一些实施例中，所述双酚F/A共聚型环氧树脂选自新日铁住金化学株式会社型号为EpoTohto ZX-1059的树脂。
在一些实施例中，所述双酚F/A共聚型环氧树脂的环氧当量为160-170g/eq。
可以理解，在本申请中，所述双酚环氧树脂可以采用液体、固体或半固体中的任意一种。
所述三缩水甘油基氨基间甲酚为液态环氧树脂，其可以有效提升所述组合物的玻璃转化温度。
所述三缩水甘油基氨基间甲酚具有如下结构式：
在一些实施例中，所述三缩水甘油基氨基间甲酚的环氧当量为100-110g/eq。
所述固化剂选自萘酚类固化剂。所述萘酚类固化剂可以选自但不限于1-羟基萘芳烷基树脂及1,6-二羟基萘芳烷基树脂中的至少一种。
在一些实施例中，所述1-羟基萘芳烷基树脂为新日铁住金化学株式会社的型号为EpoTohto ESN-485的1-羟基萘芳烷基树脂，其具有如下结构式：
其中，n3为大于等于5且小于等于10的整数。
在一些实施例中，所述1-羟基萘芳烷基树脂的羟基当量为205-225g/eq。在所述羟基当量的范围内，可以使所述组合物固化后得到的树脂具有良好的耐热性能和耐湿性能。
在一些实施例中，所述1,6-二羟基萘芳烷基树脂为新日铁住金化学株式会社的型号为EpoTohto ESN-395的树脂，其具有如下结构式：
其中，n4为大于等于5且小于等于10的整数。
在一些实施例中，所述1,6-二羟基萘芳烷基树脂的羟基当量为100-120g/eq。在所述羟基当量的范围内，可以使所述组合物固化后得到的树脂具有良好的耐热性能和耐湿性能。
在一些实施例中，所述填料可以选自但不限于二氧化硅、碳酸钙、氧化铝及硅藻土中的至少一种。
在一些实施例中，所述填料的粒径为0.1-100μm。
在至少一实施例中，所述填料选自D50粒径为0.6μm的球形二氧化硅。所述球形二氧化硅具有良好的成膜性、绝缘性，且有利于改善所述组合物固化后得到的树脂的热膨胀系数。
在一些实施例中，所述组合物还包括促进剂。按质量份计，所述组合物中，所述促进剂的含量为0.5-5份。
本申请中的促进剂为固化促进剂，用于提高固化剂与萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚的反应速率，提高固化效率，控制组合物的固化时间，提高生产效率。
在一些实施例中，所述促进剂可以选自磷类固化促进剂。所述磷类固化促进剂可以选自但不限于三氟化硼三乙基膦、三氟化硼三异丙基膦、环三磷、磷胺化合物、三甲基膦、三苯基膦及其衍生物中的至少一种。
在至少一实施例中，所述促进剂选自三苯基膦。
在一些实施例中，所述组合物还包括着色剂。按质量份计，所述组合物中，所述着色剂的含量为1-5份。
在一些实施例中，所述着色剂选自炭黑。在一些实施例中，所述炭黑的粒径为10-50nm。在至少一实施例中，所述炭黑的粒径为25nm。
在一些实施例中，所述组合物还包括溶剂。按质量份计，所述组合物中，所述溶剂的含量为85-170份。
所述溶剂可以选自但不限于丙二醇甲醚醋酸酯（PMA）、醋酸乙酯、醋酸丁酯、环己酮、甲基异丁酮及二乙二醇***中的至少一种。
所述组合物在150-165℃的温度下会发生固化反应。
本申请所述的组合物中的界面活性剂为改性六氟丙烯类化合物，因改性六氟丙烯类化合物具有较低的表面能以及良好的防水防油性能，可以有效地降低所述组合物的表面张力，如此，在使用所述组合物制备胶膜时，所述组合物具有较高的涂布润湿性，易于附着在离型膜上，尤其是PET硅基离型膜上。此外，将包括由所述组合物制得的芯片保护膜的芯片焊接制程后的残余助焊剂的清洗过程中，所述芯片保护膜对碱性溶液具有较强的耐清洗性而不易脱落。
本申请实施例还提供一种组合物的制备方法，包括如下步骤：
步骤S01：提供环氧树脂溶液；
步骤S02：向所述环氧树脂溶液中加入填料，在第一温度下混合，得到第一混合物；
步骤S03：向所述第一混合物中加入固化剂，在第二温度下混合，得到第二混合物；
步骤S04：向所述第二混合物中加入界面活性剂，第三温度下混合，得到组合物。
在一些实施例中，所述组合物中同时包含萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚。此时，所述步骤S01为：提供萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚，在第四温度下混合，得到环氧树脂溶液。
在一些实施例中，所述组合物中还包括溶剂，此时，所述步骤S01为：提供环氧树脂，将所述环氧树脂溶于溶剂中，得到环氧树脂溶液。
在一些实施例中，所述组合物还包括着色剂，此时，所述步骤S02中，在第一温度下混合之前还包括：向所述环氧树脂溶液中加入着色剂。
在一些实施例中，所述组合物还包括促进剂，此时，所述步骤S03中，在第二温度下混合之前，还包括向所述第一混合物中加入促进剂。
在一些实施例中，所述步骤S04中，还包括对所述组合物置于脱泡机中进行脱泡的步骤。
在至少一实施例中，所述脱泡为：采用真空泵抽真空至缸体内负压小于等于-0.95Mpa，脱泡至组合物中无气泡。
所述萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂、界面活性剂、填料、固化剂、着色剂、促进剂及溶剂参上文所述，在此不再赘述。
在一些实施例中，所述第一温度的范围为95-140℃。在所述温度范围内，可以使填料均匀快速的分散在所述环氧树脂溶液中，而温度过高会引起环氧树脂溶液中的树脂发生交联反应而无法制得本申请所述的组合物。
在一些实施例中，所述第二温度的范围为25-40℃。低于所述温度范围，会因为粘度过高而不易混合均匀，而高于所述温度范围则易发生固化反应。
在一些实施例中，所述第三温度为室温。
在一些实施例中，所述第四温度的范围为95-140℃。在所述温度范围内既可以使所述萘酚环氧树脂快速溶于所述双酚环氧树脂及所述三缩水甘油基氨基间甲酚中，又可以避免因温度过高引起组合物中的树脂发生交联反应。
在一些实施例中，所述第一温度下混合的时间为10-180min。
在一些实施例中，所述第二温度下混合的时间为10-60min。
在一些实施例中，所述第三温度下混合的时间为15-30min。
在一些实施例中，所述第四温度下混合的时间为10-180min。
可以理解，所述混合可以为搅拌混合等本领域一直用于组合物混合的方法。在至少一实施例中，所述混合在行星式搅拌机中进行。
请参阅图3，本申请实施例还提供一种胶膜200，所述胶膜200包括所述组合物，或者，所述胶膜200由所述组合物制备而成。
在一些实施例中，所述胶膜200的相对两表面设置有离型膜201，以便于胶膜200的储存运输。
所述离型膜根据材料类型可以选自PET膜、PE膜、硅基离型膜等。在至少一实施例中，所述基材选自硅基离型膜。
所述胶膜200包括所述组合物，而具有较低的表面张力、较强的附着力、较强的耐温湿性及较强的抗化学清洗性，在芯片制作过程中经固化形成芯片保护膜结合在芯片的表面，且在芯片焊接制程后的残余助焊剂的清洗过程中不易脱落，从而可以长期有效地对芯片进行保护，进而提高半导体器件的性能。
本申请实施例还提供一种胶膜200的制备方法，包括如下步骤：
步骤S11：提供所述组合物；
步骤S12：将所述组合物平整，干燥，得到胶膜200。
需要说明的是，此处的“平整”是指使组合物形成表面平整的膜层，其具体可以为：将组合物涂覆在基材上，形成表面平整的膜层。
其中，所述基材可以选自所述离型膜201。
在一些实施例中，所述干燥为在120-140℃下烘干0.5-2min，以去除组合物中的溶剂。需要说明的是，由于烘干时间较短，可以避免所述组合物发生固化反应。
在使用所述胶膜200对芯片进行保护时，首先将胶膜200表面的离型膜201去除，将胶膜200贴附在芯片的表面，然后在150-165℃的温度下热固化，得到结合在芯片表面的芯片保护膜。
请参阅图1~2，本申请还提供一种芯片封装结构100，包括芯片10及结合于所述芯片10一表面的芯片保护膜20。所述芯片保护膜20由所述组合物固化后形成，或者，所述芯片保护膜20由所述胶膜200固化后形成。
所述芯片保护膜20可以在晶圆切割过程中、助焊剂清洗过程中、以及芯片10使用过程中对芯片10进行保护。
在一些实施例中，所述固化的温度范围为150-165℃。
在一些实施例中，所述芯片10包括基片11及结合在所述基片11一表面的电磁屏蔽层12。所述电磁屏蔽层12包括银层121，所述芯片保护膜20结合在所述银层121的远离所述基片11的表面。所述芯片保护膜20具有较强银表面附着力，而不易从芯片10的银层121的表面脱落，从而可以长期有效地对芯片10进行保护，进而提高包括所述芯片10的半导体器件的性能。此外，所述芯片保护膜20还具有较强的抗化学清洗性，在芯片10焊接制程后的残余助焊剂的清洗过程中不易脱落，从而可以长期有效地对芯片10进行保护，进而提高包括所述芯片10的半导体器件的性能。
在一些实施例中，所述电磁屏蔽层12还包括依次结合在所述基片11表面的钛层122及镍层123，所述银层121结合在所述镍层123的远离所述基片11的表面。
可以理解，所述基片11可以为已知用于芯片的硅基基片等。
在一些实施例中，所述芯片封装结构100还包括设置在所述芯片10的远离所述芯片保护膜20的表面的多个焊接凸点30。所述焊接凸点30用于将所述芯片10焊接在基板上。
请参阅图1，在一些实施例中，所述芯片10的结合有芯片保护膜20的表面为平整的表面。
请参阅图2，在又一些实施例中，所述芯片10的结合有芯片保护膜20的表面为非平整的表面。例如，在一实施例中，所述芯片10的结合有芯片保护膜20的表面具有凸起区及凹陷区，换言之，所述芯片10在沿着芯片保护膜20向着基片11的方向上的截面呈“几”字形。
在一些实施例中，所述芯片10为MOSFET芯片（金属-氧化物半导体场效应晶体管）。
所述芯片封装结构100中的芯片保护膜20由本申请所述的组合物固化后制备而成，所述组合物中的界面活性剂为改性六氟丙烯类化合物，因改性六氟丙烯类化合物具有较低的表面能以及良好的防水防油性能，可以有效地降低所述组合物的表面张力，使得所述芯片保护膜20具有较强的附着力、较强的耐温湿性及较强的抗化学清洗性，而不易从芯片10上脱落，从而可以长期有效地对芯片10进行保护，进而提高包括所述芯片10的半导体器件的性能。
请参阅图3~7，下面对所述胶膜200的使用以及芯片保护膜20对芯片的保护进行说明。
请参阅图3，提供胶膜200，将所述胶膜200一表面的离型膜201移除；
请参阅图4，提供晶圆300，所述晶圆300包括基片11、分别设置在基片11相对两表面的电磁屏蔽层12和多个焊接凸点30，所述电磁屏蔽层12包括依次层叠在所述基片11表面的钛层122、镍层123及银层121，将所述胶膜200贴附在所述银层121的远离所述基片11的表面；
请参阅图5，移除结合在所述胶膜200另一表面的离型膜201，然后在150℃下加热，使所述胶膜200固化形成芯片保护膜20；
请参阅图6，将所述结合有芯片保护膜20的晶圆300置于裁切板400上，并使芯片保护膜20与裁切板400直接接触，对所述晶圆300进行切割，得到芯片封装结构100，所述芯片封装结构100包括芯片10、及分别结合在芯片10相对两表面的芯片保护膜20和多个间隔设置的焊接凸点30；
请参阅图7，使用助焊剂藉由所述焊接凸点30将所述芯片10焊接在基板101上，然后使用碱性溶液对芯片10上的残余的助焊剂进行清洗。
由于所述芯片保护膜20由所述胶膜200制备而成，而具有较强的附着力、较强的耐温湿性及较强的抗化学清洗性，因此，在晶圆300切割及助焊剂清洗过程中不易从芯片10上脱落，从而可以长期有效地对芯片10进行保护。
下面通过具体实施例来对本申请进行具体说明，以下实施例仅是本申请的部分实施例，不是对本申请的限定。
需要说明的是：
以下具体实施例中，所采用的改性六氟丙烯低聚物购自于日本NEOS公司，型号为710FM，重均分子量为588；
以下具体实施例中，所采用的聚氧乙烯醚改性六氟丙烯购自于日本NEOS公司，型号为DFX-18，重均分子量为2200；
以下具体实施例中，所采用的1-萘酚芳烷基环氧树脂购自于新日铁住金化学株式会社，型号为ESN-475V，环氧当量为310-350 g/eq；
以下具体实施例中，所采用的1,6-萘酚芳烷基环氧树脂购自于新日铁住金化学株式会社，型号为ESN-375，环氧当量为160-180 g/eq；
以下具体实施例中，所采用的双酚F/A共聚型环氧树脂购自于新日铁住金化学株式会社，型号为EpoTohto ZX-1059，环氧当量为160-170 g/eq；
以下具体实施例中，所采用的三缩水甘油基氨基间甲酚购自于住友化学，型号为Sumi-Epoxy ELM-100H，环氧当量为104 g/eq；
以下具体实施例中，所采用的固化剂1-羟基萘芳烷基树脂购自于新日铁住金化学株式会社，型号为EpoTohto ESN-485，环氧当量为205-225 g/eq。
实施例1
组合物的制备：
在行星式搅拌机中加入1-萘酚芳烷基环氧树脂、双酚F/A共聚型环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚，在140℃下搅拌30min；
向行星式搅拌机中加入熔融球形二氧化硅及炭黑，在95℃下搅拌60min；
向行星式搅拌机中加入1-羟基萘芳烷基树脂及三苯基膦在40℃下搅拌30min；
向行星式搅拌机中加入改性六氟丙烯低聚物，常温下继续搅拌15min，得到组合物。
所述组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂35份，双酚F/A共聚型环氧树脂12份，三缩水甘油基氨基间甲酚5份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，改性六氟丙烯低聚物0.6份。
浆料制备：
将组合物溶于溶剂PMA中，得到浆料。其中，所述浆料中，组合物的含量为50wt%，PMA的含量为50wt%。
胶膜制备：
将所述浆料涂覆在硅基离型膜上，在120℃下烘干1min后，得到结合在硅基离型膜表面的胶膜，在所述胶膜的另一表面贴合另一硅基离型膜。
实施例2
本实施例与实施例1基本相同，区别在于，本实施例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂35份，双酚F/A共聚型环氧树脂12份，三缩水甘油基氨基间甲酚5份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，改性六氟丙烯低聚物1份。
实施例3
本实施例与实施例1基本相同，区别在于，将实施例1的本实施例的改性六氟丙烯低聚物替换为聚氧乙烯醚改性六氟丙烯。
本实施例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂35份，双酚F/A共聚型环氧树脂12份，三缩水甘油基氨基间甲酚5份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，聚氧乙烯醚改性六氟丙烯0.6份。
实施例4
本实施例与实施例3基本相同，区别在于，本实施例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂35份，双酚F/A共聚型环氧树脂12份，三缩水甘油基氨基间甲酚5份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，聚氧乙烯醚改性六氟丙烯1.0份。
实施例5
本实施例与实施例3基本相同，区别在于，本实施例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂40份，双酚F/A共聚型环氧树脂20份，三缩水甘油基氨基间甲酚10份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，聚氧乙烯醚改性六氟丙烯0.6份。
实施例6
本实施例与实施例3基本相同，区别在于，本实施例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂30份，双酚F/A共聚型环氧树脂10份，三缩水甘油基氨基间甲酚1份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，聚氧乙烯醚改性六氟丙烯0.6份。
实施例7
本实施例与实施例1基本相同，区别在于，本实施例的采用1,6-萘酚芳烷基环氧树脂替换实施例1中的1-萘酚芳烷基环氧树脂。
对比例1
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物中不包含改性六氟丙烯低聚物。
对比例2
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物中不包含1-萘酚芳烷基环氧树脂。
对比例3
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物中不包含双酚F/A共聚型环氧树脂。
对比例4
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物中不包含三缩水甘油基氨基间甲酚。
对比例5
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物中包含界面活性剂聚醚与有机硅氧烷共聚物（德克薩化学Doxflow 8500）。
对比例6
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂35份，双酚F/A共聚型环氧树脂12份，三缩水甘油基氨基间甲酚5份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，改性六氟丙烯低聚物2份。
对比例7
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂40份，双酚F/A共聚型环氧树脂20份，三缩水甘油基氨基间甲酚10份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，改性六氟丙烯低聚物0.2份。
对比例8
本对比例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的组合物，按质量份计，包括1-萘酚芳烷基环氧树脂30份，双酚F/A共聚型环氧树脂10份，三缩水甘油基氨基间甲酚1份，1-羟基萘芳烷基树脂25份，三苯基膦1份，炭黑2份，球形二氧化硅32份，改性六氟丙烯低聚物0.2份。
观察实施例1-7及对比例1-8的组合物与PMA的互溶性。其中，若测试过程中，组合物的粘度快速上升变成凝胶态，则PMA互溶性不佳。互溶性结果参表一。
对实施例1-7及对比例1-8的组合物进行表面张力测试，测试结果参表一。
将实施例1-7及对比例1-8的胶膜在150℃下固化1h，得到芯片保护膜，并裁得到样品。对所述样品进行玻璃转化温度测试、热膨胀系数测试、镀银硅片附着力测试、百格附着力测试及耐碱性测试，测试结果参表一。
表面张力测试：采用铂金板法，将检测样品加入结晶皿中，挂好铂金板，确保铂金板与被测样品表面平行；进入控制屏上铂金板法选项开始测量，待张力稳定后读取最高张力值；
玻璃转化温度测试：将固化后的样品按照ASTM E2254-2018标准进行测定，制备测试样品的尺寸为55mm×10mm×2mm，测量模式为双悬臂模式（dual cantilever mode），振动频率为1Hz，振幅为10μm，升温速率为3℃/min；
热膨胀系数测试：将样品按照ASTM E831-2019标准进行测定，制备测试样品的尺寸为5mm*5mm*2mm。用 TMA(compression mode)测试样品的热膨胀系数，测定参数如下：预加载力：0.05N，第一次扫描：室温升温至250℃ （升温速率10℃/min），第二次扫描：室温升温至250℃（升温速率10℃/min），取第二次升温段曲线数据；
镀银硅片附着力测试：将5mm*5mm的40um厚度的胶膜转贴在镀银硅片上，经150℃固化1h后，得到芯片保护膜，以万能拉力机测试(速度1mm/min) 芯片保护膜的最大剪切粘结强度；
百格附着力测试：将固化后的样品按照ASTM D3359-97标准，将长度10cm*宽度10cm*厚度40um的胶膜转帖在镀银硅片上，150℃固化1h，得到芯片保护膜，经过高压锅百格附着力0h、96h、168h测试，然后拿百格刀以均匀的压力划割胶膜，记录百格脱落个数。
耐碱性测试：将10mm*10mm的胶膜转贴在镀银硅片上，150℃固化1h，得到芯片保护膜，然后按下列条件进行超声震荡：1、溶剂中超声震荡：二乙二醇***与5%的KOH的混合溶液（WS2000B），其中，二乙二醇***与KOH的质量比为50%，温度为60℃，频率为40KHz，时间为15min/30min；2、纯水中超声震荡，温度为55℃，频率为40KHz，时间为28 min。超声震荡后70℃烘14 min。计算碱性溶液蚀刻前后重量损失百分比，观察芯片保护膜是否脱落。
表一：
其中，NA表示未检测到，Y表示芯片保护膜脱落，N表示芯片保护膜未脱落。
由表一可知：
本申请的组合物具有优良的PMA互溶性、玻璃转化温度及热膨胀系数；
相较于对比例1-7的组合物，实施例1-7的组合物具有较低的表面张力；
相较于对比例1-7的组合物，实施例1-7的组合物制得的芯片保护膜具有较高的镀银硅片附着力；
相较于对比例1-2、4-5的组合物，实施例1-7的组合物制得的芯片保护膜具有较强的百格附着力；
相较于对比例1-8的组合物，实施例1-7的组合物制得的芯片保护膜在碱性溶液蚀刻后重量损失百分比较低，且芯片保护膜不脱落；
对比例4因不包含三缩水甘油基氨基间甲酚而导致组合物的玻璃转化温度较低；
对比例7-8因改性六氟丙烯低聚物的含量过低，导致芯片保护膜脱落；
对比例6因组合物与PMA的互溶性不佳，导致成膜不达标，无法检测到表面张力、玻璃转化温度、热膨胀系数、镀银硅片附着力、百格附着力、在碱性溶液蚀刻后重量损失百分比以及芯片保护膜是否脱落。
以上对本申请实施例所提供的组合物、胶膜及芯片封装结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种组合物，其特征在于：所述组合物包括环氧树脂、界面活性剂、固化剂及填料，所述界面活性剂选自改性六氟丙烯类化合物，所述组合物中，所述环氧树脂的含量为40-70份，所述界面活性剂的含量为0.25-1.9份，所述固化剂的含量为15-35份，所述填料的含量为30-50份，所述环氧树脂由萘酚环氧树脂、双酚环氧树脂及三缩水甘油基氨基间甲酚组成，其中，所述组合物中，所述萘酚环氧树脂的含量为25-40份，所述双酚环氧树脂的含量为10-20份，所述三缩水甘油基氨基间甲酚的含量为5-10份。
2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述改性六氟丙烯类化合物包括改性六氟丙烯低聚物及聚氧乙烯醚改性六氟丙烯中的至少一种。
3.如权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述萘酚环氧树脂包括1-萘酚芳烷基环氧树脂及1,6-萘酚芳烷基环氧树脂中的至少一种；
所述1-萘酚芳烷基环氧树脂具有如下结构式：
所述1,6-萘酚芳烷基环氧树脂具有如下结构式：
其中，n1为大于等于5且小于等于10的整数，n2为大于等于5且小于等于10的整数。
4.如权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述双酚环氧树脂包括双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F/A共聚型环氧树脂及双酚S型环氧树脂中的至少一种。
5.如权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述固化剂包括1-羟基萘芳烷基树脂及1,6-二羟基萘芳烷基树脂中的至少一种；
所述1-羟基萘芳烷基树脂具有如下结构式：
所述1,6-二羟基萘芳烷基树脂具有如下结构式：
其中，n3为大于等于5且小于等于10的整数，n4为大于等于5且小于等于10的整数。
6.如权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述填料包括二氧化硅、碳酸钙、氧化铝及硅藻土中的至少一种。
7.如权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述组合物还包括促进剂，按质量份计，所述组合物中，所述促进剂的含量为0.5-5份；和/或
所述组合物还包括着色剂，按质量份计，所述组合物中，所述着色剂的含量为1-5份；和/或
所述组合物还包括溶剂，按质量份计，所述组合物中，所述溶剂的含量为85-170份。
8.如权利要求7所述的组合物，其特征在于：
所述促进剂包括三氟化硼三乙基膦、三氟化硼三异丙基膦、环三磷、磷胺化合物、三甲基膦、三苯基膦及其衍生物中的至少一种；和/或
所述着色剂选自炭黑；和/或
所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、环己酮、甲基异丁酮及二乙二醇***中的至少一种。
9.一种胶膜，其特征在于：所述胶膜包括权利要求1-8任意一项所述的组合物，或者所述胶膜由权利要求1-8任意一项所述的组合物制备而成。
10.一种芯片封装结构，包括芯片及结合于所述芯片一表面的芯片保护膜，其特征在于：所述芯片保护膜由权利要求1-8任意一项所述的组合物固化后形成，或者，所述芯片保护膜由权利要求9所述的胶膜固化后形成。
11.如权利要求10所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片包括基片及位于所述基片一表面的银层，所述芯片保护膜结合在所述银层的远离所述基片的表面。
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