201019401 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體構件製造方法與使用該等方法之 黏著帶。 【先前技術】 —般而言,1C (積體電路Integrated Circuit)卡、行 動電話、及 PDA(個人數位助理 Personal Digital Assistants) 等電子機器,搭載著已形成電路圖案之晶片狀的電子零件。 φ 半導體構件係藉由個別分割形成複數個電路圖案於矽 或鎵-砷等之半導體晶圓、絕緣基板等的半導體構件所形成 者,由於電子機器之薄型化,電子零件亦正進行薄型化(參 照專利文獻1 )。 專利文獻1:特開2 00 3-257893號公報 【發明說明】 然而,在藉由具有鑽石硏磨粒之切塊刀片將變薄之半 導體構件單片化的情況下,會有產生半導體構件之破裂等 ❹ 情況。 根據本發明,提供一種半導體構件製造方法,其包含 在半導體構件上塗布接著性樹脂,經由接著性樹脂將半導 體構件暫時固定於固定用夾具並單片化的單片化步驟;在 已單片化之半導體構件上貼合黏著帶的貼合步驟;從浸漬 於介於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶之熱收 縮溫度Y間之溫度範圍的液體並已單片化之半導體構件, 剝離接著性樹脂及固定用夾具,將半導體構件轉印至黏著 201019401 帶的轉印步驟;與拾取黏著帶上之已單片化之半導體構件 的拾晶步驟。 又,根據本發明,提供一種半導體構件製造方法,其 包含在半導體構件上塗布接著性樹脂,經由接著性樹脂將 半導體構件暫時固定於固定用夾具並單片化的單片化步 驟;在已單片化之半導體構件上貼合黏著帶的貼合步驟; 從浸漬於介於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶 之熱收縮溫度γ間之溫度範圍之液體的接著性樹脂剝離固 〇 定用夾具,將半導體構件轉印至黏著帶的轉印步驟;在接 著性樹脂上貼合剝離膠帶的第二貼合步驟;從已單片化之 半導體構件,連同接著性樹脂一起將剝離膠帶剝離的第二 剝離步驟;與拾取黏著帶上已單片化之半導體構件的拾晶 步驟。 根據由上述構成所形成的半導體製造方法,可提供剝 離性、轉印性及拾晶性優異的半導體構件製造方法。 根據本發明之一樣態,在轉印步驟中所用之液體的溫 ❿ 度爲40°c以上100°C以下。 又,根據本發明之一樣態,在轉印步驟中,以半導體 構件之貼著黏著帶側爲上方,以半導體構件之貼著接著性 樹脂及固定用夾具側爲下方浸漬於液體中。又’在轉印步 驟中,藉由經由黏著帶將半導體構件漂浮液體中,使固定 用夾具連帶接著性樹脂一起自由落下。 又,根據本發明之一樣態,黏著帶之基材薄膜爲丙烯 系共聚物。 201019401 根據本發明之一樣態,記載於申請專利範圍第1至6 項中任一項之半導體構件製造方法,其特徵爲黏著帶之黏 著劑層含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、多官能 異氰酸酯系硬化劑0.5質量份以上20質置份以下、具有4 個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物20質量份以上200質量 份以下、及矽改質丙烯酸樹脂0.1質量份以上10質量份以 下。 根據本發明,可提供剝離性、轉印性及拾晶性優異的 〇 半導體構件製造方法》 【實施方式】 以下,雖然詳細說明關於本發明之半導體構件製造方 法的實施樣態與使用該方法之黏著帶的實施樣態,但本發 明並無限定於彼等之實施樣態的意思》 關於本實施樣態之半導體構件製造方法,係包含在半 導體構件上塗布接著性樹脂,經由接著性樹脂將半導體構 件暫時固定於固定用夾具並單片化之單片化步驟;在已單 9 片化之半導體構件上貼合黏著帶的貼合步驟;從浸漬介於 於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶之熱收縮溫 度Y間之溫度範圍的液體並已單片化的導體構件,剝離接 著性樹脂及固定用夾具,並將半導體構件轉印至黏著帶的 轉印步驟;拾取黏著帶上已單片化之半導體構件的拾晶步 驟的半導體構件製造方法。 <單片化步驟> 作爲在半導體構件上塗布接著性樹脂、經由接著性樹 201019401 脂將半導體構件暫時固定於固定用夾具並單片化之單片化 步驟中所用的半導體構件,有圓板狀之矽晶圓、玻璃、鎵_ 砷(GaAs)。 作爲接著性樹脂,較佳爲使用丙烯酸系樹脂、環氧系 樹脂。作爲固定用夾具,有玻璃、陶瓷。 作爲使半導體構件單片化的方法,有藉由具有鑽石硏 磨粒之切塊刀片之切斷、蝕刻等。 <貼合步驟> 〇 在已單片化之半導體構件上貼合黏著帶之貼合步驟, 係例如在無積層已單片化或藉由接著性樹脂維持全體爲圓 板狀之半導體構件的接著性樹脂的面上,貼著黏著帶的步 驟,貼合的方法有例如輥壓著、真空壓著。 <轉印步驟> 從浸漬於介於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏 著帶之熱收縮溫度γ間之溫度範圍的液體中並已單片化之 半導體構件剝離接著性樹脂及固定用夾具,將半導體構件 ❹ 轉印至黏著帶的轉印步驟,具體而言,可謂藉由從半導體 構件剝離接著性樹脂與固定用夾具,將半導體構件轉印至 黏著帶。該剝離之方法方面,轉印步驟可藉由浸漬於介於 接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶之熱收縮溫度γ 間之溫度範圍的液體中而達成。 接著性樹脂之接著力降低溫度X、黏著帶之熱收縮溫 度Y必須爲x<Y的關係,液體之溫度T必須爲X<T<Y 的關係。接著力降低溫度係隨採用做爲接著性樹脂與黏著 201019401 帶之基材薄膜的合成樹脂而異,液體之溫度T的設定値下 限低時則有不易產生接著性樹脂之接著力降低的傾向,設 定値之上限髙時則有黏著帶收縮的傾向。 該液體之設定溫度方面,具體而言,下限方面爲40°c、 較佳爲75°C,上限方面爲120°C、較佳爲100°C »液體方 面,雖然爲水、油,但考量對於半導體構件之影響時則較 佳爲水。 在轉印步驟中,較佳爲從上而下依據黏著帶、半導體 〇 構件、接著性樹脂、固定用夾具而配置,再浸漬於液體中。 即,在轉印步驟,較佳爲以半導體構件之貼著黏著帶側爲 上方,以半導體構件之貼著接著性樹脂及固定用夾具側爲 下方,浸漬於液體中。 藉由照該配置就這樣浸漬,接著性樹脂係可因固定夾 具之本身重量和接著性樹脂之黏著力降低而剝離》由於採 用藉由以該配置剝離,以本身重量而自由落下,而抑制附 著接著性樹脂之固定用夾具剝離時的負荷,未變動將已單 ® 片化之半導體構件轉移至黏著帶時之已單片化之半導體構 件彼此之間隔,可防止液體中之浸漬時之已單片化的半導 體構件破裂、缺陷,同時可促進對於接著性樹脂之液體的 浸透並縮短轉印時間。 藉由接著性樹脂之接著力,在轉印步驟中之剝離界面 有半導體構件•接著性樹脂間、或接著性樹脂•固定用夾 具間2種。在後者的情況下,在接著性樹脂上貼合剝離膠 帶,從已單片化之半導體構件連同接著性樹脂一起將剝離 201019401 除膠帶剝離。 (黏著帶) 黏著帶係由基材與黏著劑層所構成,積層具有較接著 性樹脂之黏著力降低溫度髙之黏著力降低溫度的黏著劑 者。 (黏著帶之基材) 黏著帶之基材方面,較佳爲即使浸漬亦無膨張、收縮 等之變形的材料,可爲合成樹脂、金屬。作爲基材之形狀, 〇 有薄膜、片材、薄片。 基材之厚度較佳爲50 μιη以上250 μιη以下。更佳之下 限爲70 μιη,更佳之上限爲150 μιη。基材之厚度變薄時,則 在拾晶步驟之延伸時有發生基材斷裂的傾向,基材之厚度 變厚實則有延伸性變差的傾向。 作爲使用做爲黏著帶之基材的合成樹脂,有PVC (聚 氯乙烯)、聚乙烯、PET (聚對苯二甲酸乙二酯)、EVA (乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、 ® 聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物 樹脂、聚醯亞胺,其中,較佳爲PET、丙烯系共聚物,更 佳爲丙烯系共聚物。 作爲使用做爲黏著帶之基材的金屬,有不銹鋼、銅、 鋁。作爲基材’亦可爲彼等合成樹脂之混合物、共聚物、 合成樹脂彼此之積層體、金屬彼此之積層體、合成樹脂與 金屬之積層體。 在選擇丙烯系共聚物做爲基材的情況下,無浸漬時之 201019401 變形、未發生剝離時之半導體構件的變動,同時在以下之 拾晶步驟中,因而得到較佳的拾晶性。 作爲該丙烯系共聚物,例如有丙烯與其他成分之隨機 共聚物、丙烯與其他成分之嵌段共聚物、丙烯與其他成分 之交替共聚物。作爲其他成分,可舉出有乙烯、1-丁烯、 1-戊烯、1-己烯、1·庚烯等之α-烯烴;由至少2種以上之(X-烯烴所構成之共聚物、苯乙烯-二烯共聚物等。彼等之中, 較佳爲1· 丁烯。因而,可特別抑制於切斷半導體構件時所 Ο 產生的切割屑。 (黏著帶之黏著劑) 作爲黏著帶之黏著劑方面,有聚合丙烯酸、甲基丙烯 酸及彼等之酯類單體的聚合物;共聚合可與彼等單體共聚 合之不飽和單體(例如,乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈) 的共聚物,彼等黏著劑之中,較佳爲(甲基)丙烯酸酯共 聚物。 在黏著劑層中,亦可採用在藉由紫外線或放射線之照 ® 射而進行三位元網狀化之分子内具有至少2個以上光聚合 性碳-碳雙鍵於分子内的低分子量化合物、例如丙烯酸酯化 合物或丙烯酸胺酯寡聚物等的光硬化型壓敏性黏著劑》 ((甲基)丙烯酸酯共聚合物) 使用做爲黏著帶之黏著劑的(甲基)丙烯酸酯共聚物 並無特別限制,有共聚合(甲基)丙烯酸酯之主單體與其 他乙烯化合物單體者。乙烯化合物單體較佳爲使用具有由 羥基、羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、 201019401 磺胺酸基、及(亞)磷酸酯基所構成之官能基群中1種以 上的含官能基單體。 (甲基)丙烯酸酯之主單體方面,舉例有(甲基)丙 烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-丁酯、(甲基)丙烯酸第三 丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲 基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基) 丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲 酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲 〇 基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十 六酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基) 丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸苄 酯、(甲基)丙烯酸甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧乙酯、(甲 基)丙烯酸丁氧甲酯、及(甲基)丙烯酸乙氧正丙酯等》 作爲含官能基之單體,舉例有具有羥基、羧基、環氧 基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、胺磺酸基、(亞)磷 酸酯基做爲官能基的乙烯化合物。 ® 作爲具有羥基之單體,舉例有(甲基)丙烯酸-2-羥乙 酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、及(甲基)丙烯酸-2_羥丁酯等》 作爲具有羧基之單體,舉例有(甲基)丙烯酸、巴豆 酸、馬來酸、馬來酸酐、伊康酸、富馬酸、丙烯酸醯胺-N-乙二醇酸、及桂皮酸等。 作爲具有環氧基之單體,舉例有烯丙基環氧丙基醚、 及(甲基)丙烯酸環氧丙基醚等。 作爲具有醯胺基之單體,舉例有(甲基)丙烯醯胺等。 -10- 201019401 作爲具有胺基之單體,舉例有(甲基)丙烯酸-N,N-二甲 胺基乙酯等。 作爲具有羥甲基之單體,舉例有N-羥甲基丙烯醯胺等。 (甲基)丙烯酸酯共聚物之製造方法,係可使用乳化聚 合、溶液聚合等公認的方法。以在放射線照射後黏著帶可 容易地與半導體構件剝離的方式下,較佳爲可藉由乳化聚 合所製造的丙烯酸橡膠。 (多官能異氰酸酯硬化劑) φ 作爲用做黏著帶之黏著劑的多官能異氰酸酯硬化劑, 除了具有2個以上異氰酸酯基方面以外則無特別限制,舉 例有芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異 氰酸酯等。 芳香族聚異氰酸酯並無特別限制,舉例有二異氰酸 1,3-伸苯酯、二異氰酸4,4’·二苯酯、二異氰酸1,4-伸苯酯、 4,4’-二異氰酸二苯甲酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰 酸甲苯酯、4,4’-二異氰酸甲苯胺、2,4,6-三異氰酸甲苯酯、 參 1,3,5-三異氰酸苯酯、二異氰酸二甲氧苯胺酯、4,4’-二異氰 酸二苯基醚酯、4,4’,4”-三異氰酸三苯甲酯、ω,ω’-二異氰 酸-1,3-二甲基苯酯、ω,ω’-二異氰酸-1,4-二甲基苯酯、ω,ω’-二異氰酸-1,4-二乙基苯酯、1,4-二異氰酸四甲基伸茬酯、 及1,3-二異氰酸四甲基伸茬酯等。 脂肪族聚異氰酸酯並無特別限制,舉例有二異氰酸酯 伸丙酯、二異氰酸伸丁酯、二異氛酸伸己酯、二異氰酸酯 伸戊酯、二異氟酸1,2-伸丙酯、二異氰酸2,3-伸丁酯、二 201019401 異氰酸-1,3-伸丁酯、二異氰酸酯伸十二酯、及二異氰酸 -2,4,4-三甲基伸己酯等。 脂環族聚異氰酸酯並無特別限制定,舉例有3 -異氰酸 酯甲基-3,5,5-三甲基環己異氰酸酯、1,3-二異氰酸環戊酯、 二異氰酸1,3-二異氰酸環己酯、1,4_二異氰酸環己酯、2,4-二異氰酸甲基環己酯、2,6-二異氰酸甲基環己酯、4,4’-亞 甲基雙(異氰酸環己酯)、1,4-雙(異氰酸甲酯)環己烷、 及1,4-雙(異氰酸甲酯)環己烷等。 ❹ 聚異氰酸酯之中,適用1,3-二異氰酸伸苯酯、4,4’-二 異氰酸二苯酯、1,4-二異氰酸伸苯酯、4,4’-二異氰酸二苯 甲酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、4,4’-二異氰酸甲苯胺酯、二異氰酸伸己酯。 多官能異氰酸酯硬化劑之配合比,相對於((甲基) 丙烯酸酯共聚物)1〇〇質量份,較佳爲0.1質量份以上20 質量份以下,更佳爲以0.5質量份爲下限、以10質量份爲 上限。 ® 若多官能異氣酸酯硬化劑爲0.1質量份以上,由於黏 著力不會過強,可抑制拾取不良的發生。又,若多官能異 氰酸酯硬化劑爲20質量份以下,因黏著力不會降低,維持 在液體浸漬時之轉印步驟中之已單片化半導體構件的保持 性而佳。 (具有4個以上乙烯基的丙烯酸胺酯寡聚物) 作爲使用做黏著帶之黏著劑的具有4個以上乙烯基的 丙烯酸胺酯寡聚物(以下,簡稱爲「丙烯酸胺酯寡聚物」。), -12- .201019401 若爲具有4個以上乙烯基、於分子内具有胺酯鍵的(甲基) 丙烯酸酯寡聚物,則無特別限制。 丙烯酸胺酯寡聚物之製造方法雖無特別限制,舉例有 使具有羥基與複數個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯 酸酯化合物,與具有複數個異氰酸酯基之化合物(例如二 異氰酸酯化合物)反應而成爲丙烯酸胺酯寡聚物的方法。 在具有複數個羥基終端的聚醇寡聚物中,添加過剩具有複 數個異氰酸酯基之化合物(例如二異氰酸酯化合物)而反 〇 應,成爲具有複數個異氰酸酯終端的寡聚物,再者亦可與 含有羥基與複數個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸 酯化合物反應而成爲丙烯酸胺酯寡聚物。 作爲含有羥基與複數個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基) 丙烯酸酯化合物,舉例有羥丙基化三羥甲丙烷三丙烯酸 酯、新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇一羥五丙烯酸酯、 雙(新戊四醇)四丙烯酸酯、四羥甲烷三丙烯酸酯、環氧 丙醇二丙烯酸酯、或彼等丙烯酸酯之一部份或全部爲甲基 ® 丙烯酸酯基的化合物等。 具有複數個異氰酸酯基之異氰酸酯方面,舉例有芳香 族異氫酸酯、脂環族異氰酸酯、及脂肪族異氰酸酯等。彼 等異氰酸酯之中,適用具有複數個異氰酸酯基、芳香族異 氰酸酯或脂環族異氰酸酯。異氰酸酯成分之形態方面,有 單體、二聚體、三聚體,而適用三聚體。 作爲芳香族二異氰酸酯,例如二異氰酸甲苯酯、4,4-二異氰酸二苯甲酯、二異氰酸伸茬酯等。 -13- 201019401 脂環族二異氰酸酯方面,舉例有異佛酮二異氰酸酯、 亞甲基雙(異氰酸-4-環己酯)等。 脂肪二異氰酸酯方面,舉例有二異氰酸伸己酯、二異 氰酸三甲基伸己酯等。 聚醇成分方面,舉例有聚(環氧丙烷)二醇、聚(環 氧丙烷)三醇、共聚(環氧乙烷環氧丙烷)二醇、聚(環 氧丁烷)二醇、乙氧化雙酚A、乙氧化雙酚S螺甘油、己 內酯改質二醇、碳酸酯二醇等。 〇 具有乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物的乙烯基數若爲4個 以上,由於從放射線照射後黏著帶之半導體構件的剝離容 易,故可提升拾晶性。 具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物的調配量並 無特別限制,相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物1 0 0質量份, 較佳爲20質量份以上200質量份以下。具有4個以上乙烯 基之丙烯酸胺酯寡聚物的調配量若爲20質量份以上,從放 射線照射後黏著帶之半導體構件的剝離變容易,可抑制拾 ® 晶性的問題發生。 又,具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物的調配 量若爲2 00質量份以下,可維持在液體中之浸漬時的轉印 步驟之已單片化半導體構件的保持性。 (矽改質丙烯酸樹脂) 使用做爲黏著帶之黏著劑的矽改質丙烯酸樹脂,係(甲 基)丙烯酸單體與在聚二甲基環矽氧烷鍵之終端上具有乙 烯基的單體(以下,稱爲「矽系巨單體」)的聚合物,除 -14- 201019401 了具有由在聚二甲基矽氧烷鍵之終端上具有乙烯基之單體 而來的單體單位方面以外並無特別限制,舉例有矽系巨單 體之均聚物、或聚合矽系巨單體與其他乙烯化合物所構成 的乙烯聚合物。 矽系巨單體適用聚二甲基矽氧烷鍵之終端爲(甲基) 丙烯醯基或苯乙烯基等之乙烯基的化合物(例如,參照特 開2000-080135號公報等)。 作爲(甲基)丙烯酸單體,除了(甲基)丙烯酸烷基酯 φ 之外,舉出有(甲基)丙烯酸羥烷酯、改質羥基(甲基)丙 烯酸酯、及(甲基)丙烯酸等。 (甲基)丙烯酸烷基酯方面,舉例有(甲基)丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正 丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯 '(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲 基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙 烯酸十八烷酯、及(甲基)丙烯酸異莰酯、及(甲基)丙烯酸羥 烷酯等。 ® (甲基)丙烯酸羥烷酯方面,舉例有(甲基)丙烯酸羥乙 酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、及(甲基)丙烯酸羥丁酯等。 改質羥基(甲基)丙烯酸酯方面,舉例有環氧乙烷改 質羥基(甲基)丙烯酸酯、及內酯改質羥基(甲基)丙烯 酸酯等。 在使用(甲基)丙烯酸的情況下,在合成矽改質丙烯 酸樹脂之後,與使用具有環氧基之(甲基)丙烯酸環氧丙酯 等之丙烯酸反應,而得到具有乙烯基的聚合物。 -15- 201019401 爲了防止稱爲微粒之微小糊狀殘留,則適用具有反應 性之(甲基)丙烯酸羥烷酯、或改質羥基(甲基)丙烯酸酯、及 至少具有一個乙烯基的矽改質丙烯酸樹脂》 矽改質丙烯酸樹脂之矽系巨單體單位的比例雖無特別 限制,但在矽改質丙烯酸樹脂100質量份中,矽系巨單體 單位較佳爲15質量份以上50質量份以下。矽系巨單體單 位之含量若爲15質量份以上,可容易地從半導體構件剝離 放射線照射後的黏著帶,而可提升拾晶性。 ❹ 又,矽系巨單體單位之含量若爲50質量份以下,可維 持在液體中之浸漬時的轉印步驟中之已單片化的半導體構 件保持性。 矽改質丙烯酸樹脂之調配量雖無特別限制,但相對於 (甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份,較佳爲0.1質量份 以上10質量份以下。矽改質丙烯酸樹脂之調配量若爲0.1 質量份以上,可’容易地從半導體構件剝離放射線照射後的 黏著帶,而可提升拾晶性。又,矽改質丙烯酸樹脂之配合 G 量若爲ίο質量份以下,可維持在液體中之浸漬時的轉印步 驟中之已單片化的半導體構件保持性。 在黏著劑層中,亦可添加例如聚合起始劑、軟化劑、 抗老化劑、塡充劑、紫外線吸收劑、及光安定劑等的各種 添加劑。 黏著劑層之厚度雖無特別限制,但一般爲5 μιη以上 ΙΟΟμιη以下左右,較佳爲5μιη以上40μιη以下左右。 在基材薄膜上形成黏著劑層而成爲黏著帶的方法並無 201019401 特別限制,舉例有以凹槽輥塗布機、逗點型刮刀塗布機 (comma coater)、刮條塗布機、刮刀塗布機、或輥塗機等之 塗布機在基材上直接塗布黏著劑的方法。亦可藉由凸版印 刷、凹版印刷、平版印刷、柔版(elexo)印刷、膠版(offset) 印刷、或網版印刷等,在基材薄膜上印刷黏著劑層。 (接著性樹脂) 接著性樹脂必須有具備該黏著力降低溫度X相對於黏 著帶之收縮溫度Y爲X<Y的關係、液體之溫度T較低、X φ <Τ<Υ的關係,較佳爲接著性樹脂可爲即使與水接觸亦不 會因膨潤所導致之對於半導體構件發生錯位者。具體而 言,較佳爲具有疏水性、或即使與水接觸亦不大幅膨潤者 或不溶解者。作爲具有該性質之接著性樹脂,有丙烯酸系 樹脂、胺酯系接著劑、環氧系接著劑,較佳爲丙烯酸系樹 接著性樹脂更佳爲可由具有疏水性之(Α)多官能(甲 基)丙烯酸酯、(Β)單官能(甲基)丙烯酸酯及(C)聚 Φ 合起開始劑所構成者。較佳爲相對於(A )多官能(甲基) 丙烯酸酯與(B)單官能(甲基)丙烯酸酯之合計量100 質量份,可含有彼等配合50至97質量份、(C)聚合起始 劑〇.1至20質量份者》 (A)多官能(甲基)丙烯酸酯之添加量,在(A)多 官能(甲基)丙烯酸酯及(B)單官能(甲基)丙烯酸酯之 合計量1〇〇質量份中,較佳爲3至50質量份。(A)多官 能(甲基)丙烯酸酯之添加量少時,則有未發揮使接著性 -17- .201019401 樹脂之硬化體升溫時從半導體構件剝離之性質(以下、簡 稱爲「剝離性」)的傾向,多時則因而有初期之接著性降 低的傾向。 ((A)多官能(甲基)丙烯酸酯) 作爲用作接著性樹脂之(A)多官能(甲基)丙烯酸酯, 可使用在寡聚物/聚合物終端或側鏈上具有2個以上(甲基) 丙烯醯化之多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物或2個 以上之(甲基)丙烯醯基的單體。 G 多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物方面,舉例有 1,2-聚丁二烯終端(甲基)丙烯酸胺酯(例如,日本曹達 公司製TE-2000、TEA-1000) 、1,2·聚丁二烯終端(甲基) 丙烯酸胺酯氫化物(例如,日本曹達公司製TEAI-1000)、 1,4-聚丁二烯終端(甲基)丙烯酸胺酯(例如,大阪有機 化學公司製BAC-45)、聚異戊二烯終端(甲基)丙烯酸酯、 聚酯系(甲基)丙烯酸胺酯、聚醚系(甲基)丙烯酸胺酯、 聚酯(甲基)丙烯酸酯、雙A型環氧基(甲基)丙烯酸酯 ® (例如,大阪有機化學公司製VISCOTE #540、昭和高分子 公司製 VISCOTE VR-77 )。 作爲2官能(甲基)丙烯酸酯單體,可舉出1,3-丁二 醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、 1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、i,9-壬二醇二(甲基)丙 烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸 二環戊酯、2-乙基-2-丁基丙二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊 二醇改質(甲基)丙烯酸三羥甲基丙酯、十八酸三丙酯改質 -18- 201019401 新戊四醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2_ 雙(4-(甲基)丙烯氧基二乙氧苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙烯氧基丙氧苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙 烯氧基四乙氧苯基)丙烷等。作爲3官能(甲基)丙烯酸 酯單體,可舉出有三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙酯、參〔(甲 基)丙烯醯乙基〕異氰酸酯等。作爲4官能以上之(甲基) 丙烯酸酯單體,可舉出有四(甲基)丙烯酸二羥甲基丙酯、 新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇乙氧基四(甲基) φ 丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇 六(甲基)丙烯酸酯。 ((B)單官能(甲基)丙烯酸單體) 作爲用作接著性樹脂之(B)單官能(甲基)丙烯酸單 體,舉出有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基) 丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己 酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙 烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲 © 基)丙烯酸環己酯、(甲酯)丙烯酸二環戊烯、(甲基)丙烯酸 二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧乙酯、(甲基)丙烯酸 異莰酯、甲氧基化(甲基)丙烯酸環十三碳烯酯、(甲基)丙烯 酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥 丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲 基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧丙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、 己內酯改質(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸-3-氯-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸 -19- .201019401 -N,N-二乙胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁胺基乙酯、(甲基) 丙烯酸乙氧羧基甲酯、酚基環氧乙烷改質丙烯酸酯、丙烯 酸酚(環氧乙烷2莫耳改質)酯、丙烯酸酚(環氧乙烷4 莫耳改質)酯、對異苯丙酚基環氧乙烷改質丙烯酸酯、壬 酚基環氧乙烷改質丙烯酸酯、丙烯酸壬酚(環氧乙烷4莫 耳改質)酯、丙烯酸壬酚(環氧乙烷8莫耳改質)酯、丙 烯酸壬酚(環氧丙烷2.5莫耳改質)酯、2 -乙基己卡必醇 丙烯酸酯、環氧乙烷改質酞酸(甲基)丙烯酸酯、環氧乙 〇 烷改質丁二酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、 丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、ω-羧基聚己內酯 單(甲基)丙烯酸酯、酞酸(甲基)丙烯酸單羥乙酯、(甲 基)丙烯酸二聚體、β-(甲基)丙烯醯氧基乙基氫丁二酸 酯、正(甲基)丙烯醯氧烷基六氫酞醯亞胺等。 配合於接著性樹脂之(C)聚合起始劑較佳爲配合用於 藉由可見光線或紫外線之活性光線增感以促進接著性樹脂 之光硬化者,可使用公認之各種光聚合起始劑。 ® (C)聚合起始劑之添加量,相對於(Α)多官能(甲 基)丙烯酸酯及(B)單官能(甲基)丙烯酸酯之合計100 質量份,較佳爲0.1至20質量份。更佳爲3至20質量份。 若爲0.1質量份以上,確實得到硬化促進的效果,在20質 量份以下則可得到充分之硬化速度。作爲更佳之形態,藉 由添加3質量份以上(C)成分,變得可不依附光照射量地 硬化、再者接著性樹脂之硬化體的交聯度變高、在切削加 工時變得不會引起錯位等觀點或提升剝離性之觀點而較 *20- 201019401 佳。 作爲(C)聚合開始劑,具體而言,舉出有二苯基酮及 其衍生物;苄基及其衍生物;蒽醌及其衍生物;安息香、 安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、安息香丁 基醚、苄基二甲基縮酮等之安息香衍生物;二乙氧基苯乙 酮、4-第三丁基三氯苯乙酮等之苯乙酮衍生物;苯甲酸-2_ 二甲胺基乙酯、苯甲酸對二甲胺基乙酯、二苯基二硫化物、 9-氧硫灿喔及其衍生物;樟腦醌、7,7-二甲基-2,3-二側氧 φ 基雙環〔2.2.1〕庚-1-羧酸、7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙環 〔2.2.1〕庚-1-羧基-2-溴乙酯、7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙 環〔2.2.1〕庚-1-羧基·2·甲酯、7,7-二甲基-2,3-二側氧基聯 環〔2.2.1〕庚-1-羧酸氯化物等之樟腦醌衍生物;2-甲基-1-〔4-(甲硫基)苯基〕-2-嗎福林丙-1-酮、2-苄基-2-二甲胺 基-1-(4-嗎福林苯基)-丁 -1-酮等之α-胺烷基苯酮衍生物; 氧化苯甲酿二苯基膦、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯二苯基膦、 氧化苯甲醯二乙氧基膦、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯二甲氧 ® 苯基膦、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯二氧苯基膦等之氧化醯 基膦衍生物等。光聚合起始劑可組合1種或2種以上來使 用。 在本發明中,亦可在接著性樹脂中共用極性有機溶 劑。藉由共用極性有機溶劑,可使樹脂層與液體接觸而容 易膨潤以降低接著強度。 極性有機溶劑之添加量,相對於(A )多官能(甲基) 丙烯酸酯及(B)單官能(甲基)丙烯酸之合計量1〇〇質量 -21- 201019401 份,較佳爲0.5至l〇質量份。若爲〇·5質量份以上則可確 保剝離性,若爲1 〇質量份以下’則無初期之接著性降低之 虞,亦有可將接著性樹脂剝離成薄膜狀的傾向。 極性有機溶劑係因更進一步發現接著性樹脂與液體接 觸而使接著強度降低的現象’故其沸點較佳爲30 °c以上 200 °C以下。該等極性有機溶劑方面,有醇、酮、酯,較佳 可爲醇類。 作爲醇類,舉出有甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正 φ 丁醇、異丁醇、第二丁基醇、第三丁基醇、正戊醇、異戊 醇、2-乙基丁醇等。再者,在前述醇類之中,較佳爲沸點 爲120°C以下的甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、 異丁醇、第二丁醇、第三丁醇,其中更佳爲甲醇、乙醇、 異丙醇、正丁醇。 在本發明中,亦可共用(A)多官能(甲基)丙烯酸酯 及(B)單官能(甲基)丙烯酸酯及不溶解於(C)聚合起 始劑的粒狀物質。因而,由於樹脂層可保持固定的厚度, ® 故提升厚度精確度。 粒狀物質之添加量,相對於(A)多官能(甲基)丙烯 酸酯及(B)單官能(甲基)丙烯酸酯之合計量100質量份, 較佳爲0.1至20質量份,特佳爲0.1至10質量份。若爲 0.1質量份以上則接著性樹脂之膜厚約略固定,若爲20質 量份以下,亦無初期的接著性降低之虞。 粒狀物質之材質一般爲所使用之有機粒子、無機粒 子。具體而言,作爲有機粒子,舉出有聚乙烯粒子、聚丙 -22- 201019401 烯粒子、交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子 等;作爲無機粒子,舉出有玻璃、氧化矽、氧化鋁、氧化 鈦等陶瓷粒子。 粒狀物質之材質,從均勻控制接著性樹脂之膜厚的觀 點來看,較佳爲球狀且粒徑固定、粒子之變形少、粒徑之 不均勻少者。作爲具備該條件之較佳的有機粒子,有藉由 甲基丙烯酸甲酯單體、苯乙烯單體與交聯性單體之藉由已 知的乳化聚合法而得做爲單分散粒子的交聯聚甲基丙烯酸 〇 甲酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子或作爲無機粒子則有球狀氧 化矽。彼等粒狀物質之中,進一步從粒子沈降等之貯藏安 定性或組成物之反應性的觀點看,更進一步較佳爲交聯聚 甲基丙烯酸甲酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子。 本發明之接著性樹脂在無損於本發明之目的的範圍 中,亦可使用一般所使用的丙烯酸橡膠、胺酯橡膠、ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯橡膠)等各種彈性體、無機塡充 劑、溶劑、增量材、補強材、可塑劑、增黏劑、染料、顔 ® 料、難燃劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑及界面活性劑等的 添加劑。 (接著性樹脂之塗布方法) 塗布接著性樹脂於半導體構件的方法,可使用刮條塗 布機、噴槍、旋轉塗布機等。 (剝離膠帶) 剝離膠帶係由基材與黏著劑層所構成,接著性樹脂·剝 離膠帶間之黏著力較半導體構件·接著性樹脂間之黏著力 -23- 201019401 高者。 (剝離膠帶之基材) 作爲剝離膠帶之基材,可爲合成樹脂。形狀方面爲薄 膜、片材。基材之厚度可爲50μιη以上25 0μιη以下。較佳 下限爲7〇μπι,較佳上限爲150μπι。 使用做爲剝離膠帶之基材的合成樹脂方面,有PVC(聚 氯乙烯) '聚乙烯、PET (聚對苯二甲酸乙二酯)、EVA (乙烯·乙酸乙烯酯共聚物)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、 Ο 聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物 樹脂、聚醯亞胺,其中,較佳爲EVA (乙烯-乙酸乙烯酯共 聚物)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。基材方面,亦可爲彼等 合成樹脂之混合物、共聚物、合成樹脂彼此之積層體。 (剝離膠帶之黏著劑) 作爲剝離膠帶之黏著劑,可爲丙烯酸系黏著劑、胺酯 系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等,較佳爲丙烯酸系黏著劑。 作爲丙烯酸系黏著劑,有聚合丙烯酸、甲基丙烯酸及彼等 ® 酯類單體的聚合物;和可與彼等單體共聚合之不飽和單體 (例如,乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈)共聚合的共聚物, 彼等黏著劑之中,較佳爲(甲基)丙烯酸酯共聚物。 在黏著劑層中,藉由紫外線或放射線中任一者或照 射,亦可採用在分子內具有至少2個以上在三次元網狀化 的分子内光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物,例如使用 丙烯酸酯化合物或丙烯酸胺酯寡聚物等的光硬化型壓敏性 黏著劑。 -24- 201019401 在剝離膠帶的黏著劑層中,亦可添加例如聚 劑、軟化劑、抗老化劑、塡充劑、紫外線吸收劑、 定劑等的各種添加劑。 剝離膠帶之黏著劑層的厚度雖無特別限制,但 5 μιη以上1 ΟΟμπι以下左右,較佳爲以5 μιη爲下限、_[ 爲上限。 在基材薄膜上形成黏著劑層而成爲黏著帶的方 特別限制,舉例有以凹槽輥塗布機、刮條塗布機、 ❹ 布機、或輥塗機等之塗布機,在基材上直接塗布黏 方法。亦可藉由凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、 刷、膠版印刷、或網版印.刷等在基材薄膜上印刷黏著 (固定用夾具) 作爲固定用夾具,由於係經由接著性樹脂固定 構件,若半導體構件爲板狀,可爲平滑的材料,可 狀體或膜狀體之單獨或2種以上的積層體。固定用 材料有不銹鋼、鋁、鐵等金屬板狀體;丙烯酸、聚碳 ® ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、PET、耐綸、胺酯 亞胺、聚烯烴或PVC等的合成樹脂;玻璃、陶瓷等 在本發明中,固定用夾具較佳爲透過2 0%以上 之波長者。若爲透過20%以上365nm之波長透過者 化接著性樹脂中亦未花費太多時間而佳。固定用夾 度若滿足上述條件雖無特別限制,較佳爲ΙΟΟμπι至 更佳爲2至5mm。透過率之測定係採用TOPCON UVR-2做爲測定機器,基於波長3 6 5nm的透過率。 合起始 及光安 一般爲 k 40μιη 法並無 刮刀塗 著劑的 柔版印 劑層。 半導體 採用板 夾具之 酸酯、 、聚醯 〇 3 6 5 nm 則在硬 具之厚 10mm, 公司製 -25- .201019401 [實施例] 針對本發明之半導體構件製造方法中的實施例,使用 圖式來説明。 本實施例中之半導體構件製造方法爲具有單片化步 驟、貼合步驟、轉印步驟、拾晶步驟者。以下’說明個別 之步驟。還有,第1圖至第10圖爲模式地顯示者,與實際 縮小比例尺不同。 <單片化步驟> φ 在單片化步驟中,在半導體構件1(直徑8吋、厚度 725 μιη的矽晶圓)上,藉由旋轉塗布機塗布20 μιη接著性樹 脂2,接著貼合厚度700μπι的固定用夾具3(玻璃板), 加重 10kg成爲均句面,使用黑光,以 365nm波長在 3 0 0m J/cm2的條件下使接著性樹脂硬化,然後,進行切塊。 固定用夾具3爲透過80%波長365nm之光的玻璃板。 切塊係使用DISCO公司製DAD 341 (圖示省略),切 塊刀片係使用DISCO公司製NBC-ZH205O-27HEEE (圖示 © 省略),以7.2mm xl 4.4mm之晶片尺寸進行。單片化步驟 後之狀態示於第1圖" <貼合步驟> 在貼合步驟中,藉由使用無電極放電燈之FUSION公 司製硬化裝置(圖示省略),以365 nm波長在16000m J/cm2 之條件下進一步使接著性樹脂硬化後,在成爲單片化步驟 後之半導體構件1之已分割的晶片面上,經由環狀板框5 使用滾輪安裝機貼合黏著帶4。貼合步驟後之狀態示於第2 -26- 201019401 圖。 <轉印步驟> 在轉印步驟中,以貼合步驟後原來的狀態,浸漬於90°C 的溫水6之後,從半導體構件1自由落下並將接著性樹脂 2及固定用夾具3剝離下來。第3圖顯示浸漬的狀態,第4 圖顯示自由落下後的狀態。 轉印步驟中之溫水6的溫度爲9 0 °C,藉由將接著性樹 脂2之接著力降低溫度X設定爲較90 °C低,將黏著帶4之 G 熱收縮溫度Y設定於較90°C高,則無半導體構件1與黏著 帶4之界面、接著性樹脂2與固定用夾具3之界面,可在 半導體構件1與接著性樹脂2之界面剝離。還有,第3圖 中之符號7爲支撐環狀板框5的支柱、符號9爲裝入溫水 6的容器。 <拾晶步驟> 在轉印步驟後,在每個半導體構件1拉起接著於環狀 板框5之黏著帶4(參照第5圖),從黏著帶4之基材薄 〇 膜面側(第5圖之下側),以USHIO電機公司製高壓水銀 燈以150mJ/cm2的條件照射紫外線,在使黏著帶4之黏著 劑層硬化後,使用圖示以外之佳能機械製CAP-3 0011,以 針栓高度〇.3mm的條件進行。拾晶時之狀態示於第6圖。 第7圖係顯示在使用剝離膠帶之情況下的轉印步驟之 截面的模式圖》 在該方法中,除了將半導體構件1變更成在其表面(與 接著性樹脂2之接觸面)形成聚醯亞胺蒸鍍膜(圖示省略) -27- 201019401 的矽晶圓以外,與前述之方法相同的構成。在該方法中’ 爲了在半導體構件1之表面(與接著性樹脂2之接觸面) 上,成爲形成聚醯亞胺蒸鍍膜的矽晶圓,在轉印步驟中無 半導體構件1與黏著帶4之界面、接著性樹脂2與固定用 夾具3之界面,而在接著性樹脂2與固定用夾具3之界面 剝離。 在該轉印步驟後,由從示於第8圖之溫水6拉起的狀 態,將剝離膠帶8貼於接著性樹脂2的表面(參照第9圖), 〇 在每個接著性樹脂2拉起剝除剝離膠帶8(參照第10圖)。 之後,如第5圖、第6圖所示。 以下,針對於上述步驟所用之黏著帶、接著性樹脂, 使用表1來説明。 【表1】 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 網 90 90 40 100 30 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 方法 半導·Νΐη^η方向 下 上 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 挪 A A A A A B C A A A A A A A A A A A A A A 基挪 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 黏 著 黏 著 3 3 3 3 3 3 3 0.5 20 0.1 25 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 帶 劑 nmwmmme A100 A100 A100 A100 A100 A100 A100 A100 A100 Λ100 A100 A20 A200 A10 A300 B100 A100 A100 A100 A100 A100 矽改肪嫌教樹胞 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0.1 10 αοι 20 2 剝離性 ◎ 〇 〇 ◎ X ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ ◎ 〇 © ◎ ◎ 〇 〇 fHfi 轉印性 ◎ 〇 ◎ X 〇 © ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ © 〇 @ © ◎ © o 〇 拾ft性 ◎ ◎ ◎ X ◎ o ◎ 〇 ◎ 〇 © o @ © 〇 @ ◎ 縴合 ◎ ◎ o © X 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 o 〇 ntm «1 m ❹ -28- 201019401 (黏著帶) 黏著帶係使用以下之基材。 基材A:丙烯系共聚物(含有丙烯、乙烯、1·丁烯做 爲聚合成分、MFR(熔融流速)値7.5g/10分鐘、密度〇·89 g/cm3(Sunallomer 公司製、X500F))。厚度 80μιη。 基材Β:乙烯與乙酸乙烯酯之隨機共聚物(MFR値2·5 g/l〇分鐘,乙酸乙烯酯含量12%,密度0.93 g/cm3 (三井 杜邦聚化學品公司製)。厚度80μιη。 ❹ 基材C : PET、厚度38μιη。 (黏著帶之黏著劑) 採用以下者作爲黏著劑。表1中之數字爲質量份° (甲基)丙烯酸酯共聚物:由丙烯酸乙酯54%、丙烯 酸丁酯19%、丙烯酸甲氧基乙酯24%所構成之共聚物’藉 由乳化聚合而得者(該公司聚合品)。 多官能異氰酸酯硬化劑··二異氰酸伸己酯之三羥甲基 丙烷加成體的市售品(日本聚胺酯公司製,製品名 ❹ CORONATE HL )。 丙烯酸胺酯寡聚物A:其爲在聚(環氧丙烷)二醇之 終端上使二異氰酸伸己酯(脂肪族二異氰酸酯)的三聚體 所構成之終端異氰酸酯寡聚物上,進一步使二新戊四醇五 丙烯酸酯反應所構成的終端丙烯酸酯寡聚物,數量平均分 子量(Μη)爲3,700且丙烯酸酯官能基數15個的丙烯酸胺 酯寡聚物(該公司聚合品)。 丙烯酸胺酯寡聚物Β:在聚(環氧丙烷)二醇之終端 •29- 201019401 上使丙烯酸-2-羥乙酯反應所構成的終端異氰酸酯寡聚物 上,進一步使丙烯酸-2-羥乙酯反應所構成的終端丙烯酸酯 寡聚物,數量平均分子量(Μη)爲3,400,乙烯基數爲每1 分子有2個的丙烯酸胺酯寡聚物(該公司聚合品)。 矽改質丙烯酸樹脂:在矽分子鏈之終端上具有(甲基) 丙烯醯基之矽系寡聚物,及聚合由甲基丙烯酸甲酯等所構 成的丙烯酸乙烯酯單位所構成的矽系接枝共聚物的市售品 (綜硏化學公司製' 製品名ActflowUTMM-LS2)。 0 雖於表1上無記載,但在黏著帶之黏著劑中,配合6 質量份任一種光聚合起始劑(苄基二甲基縮酮、市售品)。 例如,第1實驗之黏著劑係調配(甲基)丙烯酸酯共 聚物A 100質量份、多官能異氰酸酯硬化劑A 3質量份、 丙烯酸胺酯寡聚物A 100質量份、矽改質丙烯酸樹脂A 2 質量份、光聚合起始劑6質量份者。 黏著帶係將表1記載之配合的黏著劑塗布於PET製的 分隔膜上,以乾燥後之黏著劑層的厚度成爲ΙΟμηι的方式 ® 塗布,積層於基材者》 (接著性樹脂) 接著性樹脂係採用配合(Α)多官能(甲基)丙烯酸酯、 (Β)單官能(甲基)丙烯酸酯及(C)聚合起始劑者。 具體而言’添加丙烯酸胺酯(日本合成化學公司製 「UV-3000B」)8質量份、二丙烯酸二環戊酯(日本化藥 公司製「KAY ARAD R-684」)12質量份之合計20質量份 做爲(A)多官能(甲基)丙烯酸酯;丙烯酸_2-(1,2_環己 -30- 201019401 羧基醯亞胺)乙酯(東亞合成公司製「ARONIXM-140」) 3〇質量份、甲基丙烯酸二環戊烯氧基乙酯(R〇hm & Haas 公司製「QM-657」)50質量份之合計80質量份做爲丙烯 酸胺酯(B)單官能(甲基)丙烯酸酯;2_甲基(甲 硫基)苯基〕-2 -嗎福林丙-1 _酮(汽巴•特化品·化學品公 司製「IRGACURE907」)2質量份做爲(C)聚合起始劑; 2,2-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基酚)〇.1質量份做爲聚合 抑制劑以製成接著性樹脂。 〇 (剝離膠帶) 剝離膠帶係使用以下之基材、黏著劑。 基材:採用形成乙烯與乙酸乙烯酯之隨機共聚物(MFR 値2.5g/10分鐘,乙酸乙烯酯含量12%,密度0.93g/cm3, 三井杜邦聚化學品公司製)成爲厚度1〇〇μιη者。 黏著劑:其爲配合以下之配合材料者,將該黏著劑塗 布於PET製之分隔膜上並以乾燥後之黏著劑層厚度爲 2 Ομιη的方式塗布,積層於基材者。 ® (配合材料) 剝離膠帶之配合材料方面,則使用以下者。 (甲基)丙烯酸酯共聚物:其爲丙烯酸乙酯54% '丙 烯酸丁酯19%、丙烯酸甲氧乙酯2 4 %之共聚物’藉由乳化 聚合而得者(本公司聚合品)100質量份 多官能異氰酸酯硬化劑:二異氰酸-2,4-甲苯酯的三羥 甲基丙烷加成體的市售品(日本聚胺酯公司製、製品名 CORONATE HL ) 3 質量份 -31- 201019401 丙烯酸胺酯寡聚物:在聚(環氧丙烷)二醇之終端上 使二異氰酸伸己酯(脂肪族二異氰酸酯)之三聚體反應所 構成的終端異氰酸酯寡聚物上,進一步使二新戊四醇五丙 烯酸酯反鹰所構成之終端丙烯酸寡聚物,數量平均分子量 (Μη)爲3,700且丙烯酸酯官能基數15個的丙烯酸胺酯寡 聚物(本公司聚合品)100質量份 光聚合起始劑:苄基二甲基縮酮(市售品)6質量份 (固定用夾具) 固定用夾具係使用透過 80%波長 365nm光之厚度 700μηι的玻璃板。 使用上述之黏著帶、接著性樹脂、剝離膠帶、固定用 夾具,針對半導體構件(矽晶圓),以上述方法實施關於 本發明之半導體構件製造方法,並進行評估。評估結果示 於表1。 還有,僅實施例21使用剝離膠帶,從已單片化之半導 體構件剝離接著性樹脂。 © (剝離性之評估) 藉由在直徑8吋、厚度72 5 μιη之矽晶圓上旋轉塗布接 著性樹脂來貼合20μιη塗布、厚度700μιη的玻璃板,加重 10 kg成爲均勻面。之後,始用黑光並以365 nm波長且在 3 00mJ/cm2條件下使接著性樹脂硬化。 切塊係使用DISCO公司製DAD 341、切塊刀片DISCO 公司製 NBC-ZH205O-27HEEE,以 7.2 mm χ 1 4.4mm 的晶片尺 寸進行,藉由使用無電極放電燈之FUSION公司製硬化裝 -32- 201019401 置,在以3 65nm波長1 6000mJ/cm2的條件下進一步硬化接 著性樹脂後,使用滾輪安裝機,在所分割之晶片面上經由 環狀板框貼合黏著帶,將半導體構件朝下浸漬於90°C的液 體中,從固定用夾具使接著性樹脂從半導體構件及玻璃自 由落下而剝離。第2實驗係將半導體構件朝上浸漬。 以剝離時在1分鐘內可從接著性樹脂及玻璃剝離晶片 者爲◎,以可在30分鐘以内剝離者爲〇,以不能在30分以 上剝離的情況爲X。還有,在將半導體構件朝下浸漬於90°C φ 的液體時,僅有玻璃從半導體構件剝離,而接著性樹脂附 著於半導體構件上的情況下,乾燥後,將剝離膠帶貼合於 接著性樹脂,在每個接著性樹脂從已單片化之半導體構件 剝離剝離膠帶。 (轉印性之評估) 在縱向、橫向各一列測定以上述方法所轉印之晶片的 間隔,與轉印前之晶片間隔比較。以由轉印前之晶片間隔 的最大變動量爲未滿ΙΟμιη者爲◎,以ΙΟμιη以上未滿20μιη Φ 者爲〇,以20μπι以上者爲X。 (拾晶性之評估) 以上述方法轉印後,從黏著帶之基材薄膜面,以USHIO 電機公司製高壓水銀燈在150mJ/cm2的條件下照射紫外 線,在硬化黏著劑層後,使用佳能機械製CAP-3 0011,以 針栓高度〇.3mm的條件進行評估,以可100%拾晶的情況 爲◎,以90%以上未滿100%的情況爲〇,以未滿90%的情 況爲x。 -33- 201019401 藉由本發明之半導體構件製造方法,提供剝離性、轉 印性及拾晶性優異之半導體構件製造方法。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之實施例中之單片化步驟後之半 .導體構件、接著性樹脂及固定用夾具的截面槪略圖。 第2圖係顯示貼合步驟後之狀態的截面槪略圖。 第3圖係顯示在轉印步驟中浸漬之狀態的截面槪略 圖。 Φ 第4圖係顯示在轉印步驟中自由落下後之狀態的截面 槪略圖。 第5圖係顯示在轉印步驟後、將接著於環狀板框5之 黏著帶4連同半導體構件1 一起拉起之狀態的截面槪略圖。 第6圖係顯示拾晶時之狀態的截面槪略圖。 第7圖係顯示使用剝離膠帶8之轉印步驟的截面槪略 圖。 第8圖係顯示在使用剝離膠帶8之轉印步驟後,從溫 ❿ 水6拉起之狀態的截面槪略圖。 第9圖係顯示將剝離膠帶8貼於接著性樹脂2表面之 狀態的截面槪略圖。 第10圖係顯示將剝離膠帶8連同接著性樹脂2 —起拉 起剝離之狀態的截面槪略圖。 【主要元件符號說明】 1 已單片化之半導體構件 2 接著性樹脂 -34- 201019401 3 固定用夾具 4 黏著帶 5 環狀板框 6 溫水 7 支柱 8 剝離膠帶 9 容器
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