201019401 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體構件製造方法與使用該等方法之 黏著帶。 【先前技術】 —般而言，1C (積體電路Integrated Circuit)卡、行 動電話、及 PDA(個人數位助理 Personal Digital Assistants) 等電子機器，搭載著已形成電路圖案之晶片狀的電子零件。 φ 半導體構件係藉由個別分割形成複數個電路圖案於矽 或鎵-砷等之半導體晶圓、絕緣基板等的半導體構件所形成 者，由於電子機器之薄型化，電子零件亦正進行薄型化（參 照專利文獻1 )。 專利文獻1:特開2 00 3-257893號公報 【發明說明】 然而，在藉由具有鑽石硏磨粒之切塊刀片將變薄之半 導體構件單片化的情況下，會有產生半導體構件之破裂等 ❹ 情況。 根據本發明，提供一種半導體構件製造方法，其包含 在半導體構件上塗布接著性樹脂，經由接著性樹脂將半導 體構件暫時固定於固定用夾具並單片化的單片化步驟；在 已單片化之半導體構件上貼合黏著帶的貼合步驟；從浸漬 於介於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶之熱收 縮溫度Y間之溫度範圍的液體並已單片化之半導體構件， 剝離接著性樹脂及固定用夾具，將半導體構件轉印至黏著 201019401 帶的轉印步驟；與拾取黏著帶上之已單片化之半導體構件 的拾晶步驟。 又，根據本發明，提供一種半導體構件製造方法，其 包含在半導體構件上塗布接著性樹脂，經由接著性樹脂將 半導體構件暫時固定於固定用夾具並單片化的單片化步 驟；在已單片化之半導體構件上貼合黏著帶的貼合步驟； 從浸漬於介於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶 之熱收縮溫度γ間之溫度範圍之液體的接著性樹脂剝離固 〇 定用夾具，將半導體構件轉印至黏著帶的轉印步驟；在接 著性樹脂上貼合剝離膠帶的第二貼合步驟；從已單片化之 半導體構件，連同接著性樹脂一起將剝離膠帶剝離的第二 剝離步驟；與拾取黏著帶上已單片化之半導體構件的拾晶 步驟。 根據由上述構成所形成的半導體製造方法，可提供剝 離性、轉印性及拾晶性優異的半導體構件製造方法。 根據本發明之一樣態，在轉印步驟中所用之液體的溫 ❿ 度爲40°c以上100°C以下。 又，根據本發明之一樣態，在轉印步驟中，以半導體 構件之貼著黏著帶側爲上方，以半導體構件之貼著接著性 樹脂及固定用夾具側爲下方浸漬於液體中。又’在轉印步 驟中，藉由經由黏著帶將半導體構件漂浮液體中，使固定 用夾具連帶接著性樹脂一起自由落下。 又，根據本發明之一樣態，黏著帶之基材薄膜爲丙烯 系共聚物。 201019401 根據本發明之一樣態，記載於申請專利範圍第1至6 項中任一項之半導體構件製造方法，其特徵爲黏著帶之黏 著劑層含有（甲基）丙烯酸酯共聚物100質量份、多官能 異氰酸酯系硬化劑0.5質量份以上20質置份以下、具有4 個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物20質量份以上200質量 份以下、及矽改質丙烯酸樹脂0.1質量份以上10質量份以 下。 根據本發明，可提供剝離性、轉印性及拾晶性優異的 〇 半導體構件製造方法》 【實施方式】 以下，雖然詳細說明關於本發明之半導體構件製造方 法的實施樣態與使用該方法之黏著帶的實施樣態，但本發 明並無限定於彼等之實施樣態的意思》 關於本實施樣態之半導體構件製造方法，係包含在半 導體構件上塗布接著性樹脂，經由接著性樹脂將半導體構 件暫時固定於固定用夾具並單片化之單片化步驟；在已單 9 片化之半導體構件上貼合黏著帶的貼合步驟；從浸漬介於 於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶之熱收縮溫 度Y間之溫度範圍的液體並已單片化的導體構件，剝離接 著性樹脂及固定用夾具，並將半導體構件轉印至黏著帶的 轉印步驟；拾取黏著帶上已單片化之半導體構件的拾晶步 驟的半導體構件製造方法。 <單片化步驟> 作爲在半導體構件上塗布接著性樹脂、經由接著性樹 201019401 脂將半導體構件暫時固定於固定用夾具並單片化之單片化 步驟中所用的半導體構件，有圓板狀之矽晶圓、玻璃、鎵_ 砷（GaAs)。 作爲接著性樹脂，較佳爲使用丙烯酸系樹脂、環氧系 樹脂。作爲固定用夾具，有玻璃、陶瓷。 作爲使半導體構件單片化的方法，有藉由具有鑽石硏 磨粒之切塊刀片之切斷、蝕刻等。 <貼合步驟> 〇 在已單片化之半導體構件上貼合黏著帶之貼合步驟， 係例如在無積層已單片化或藉由接著性樹脂維持全體爲圓 板狀之半導體構件的接著性樹脂的面上，貼著黏著帶的步 驟，貼合的方法有例如輥壓著、真空壓著。 <轉印步驟> 從浸漬於介於接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏 著帶之熱收縮溫度γ間之溫度範圍的液體中並已單片化之 半導體構件剝離接著性樹脂及固定用夾具，將半導體構件 ❹ 轉印至黏著帶的轉印步驟，具體而言，可謂藉由從半導體 構件剝離接著性樹脂與固定用夾具，將半導體構件轉印至 黏著帶。該剝離之方法方面，轉印步驟可藉由浸漬於介於 接著性樹脂之接著力降低溫度X、與黏著帶之熱收縮溫度γ 間之溫度範圍的液體中而達成。 接著性樹脂之接著力降低溫度X、黏著帶之熱收縮溫 度Y必須爲x<Y的關係，液體之溫度T必須爲X<T<Y 的關係。接著力降低溫度係隨採用做爲接著性樹脂與黏著 201019401 帶之基材薄膜的合成樹脂而異，液體之溫度T的設定値下 限低時則有不易產生接著性樹脂之接著力降低的傾向，設 定値之上限髙時則有黏著帶收縮的傾向。 該液體之設定溫度方面，具體而言，下限方面爲40°c、 較佳爲75°C，上限方面爲120°C、較佳爲100°C »液體方 面，雖然爲水、油，但考量對於半導體構件之影響時則較 佳爲水。 在轉印步驟中，較佳爲從上而下依據黏著帶、半導體 〇 構件、接著性樹脂、固定用夾具而配置，再浸漬於液體中。 即，在轉印步驟，較佳爲以半導體構件之貼著黏著帶側爲 上方，以半導體構件之貼著接著性樹脂及固定用夾具側爲 下方，浸漬於液體中。 藉由照該配置就這樣浸漬，接著性樹脂係可因固定夾 具之本身重量和接著性樹脂之黏著力降低而剝離》由於採 用藉由以該配置剝離，以本身重量而自由落下，而抑制附 著接著性樹脂之固定用夾具剝離時的負荷，未變動將已單 ® 片化之半導體構件轉移至黏著帶時之已單片化之半導體構 件彼此之間隔，可防止液體中之浸漬時之已單片化的半導 體構件破裂、缺陷，同時可促進對於接著性樹脂之液體的 浸透並縮短轉印時間。 藉由接著性樹脂之接著力，在轉印步驟中之剝離界面 有半導體構件•接著性樹脂間、或接著性樹脂•固定用夾 具間2種。在後者的情況下，在接著性樹脂上貼合剝離膠 帶，從已單片化之半導體構件連同接著性樹脂一起將剝離 201019401 除膠帶剝離。 (黏著帶） 黏著帶係由基材與黏著劑層所構成，積層具有較接著 性樹脂之黏著力降低溫度髙之黏著力降低溫度的黏著劑 者。 (黏著帶之基材） 黏著帶之基材方面，較佳爲即使浸漬亦無膨張、收縮 等之變形的材料，可爲合成樹脂、金屬。作爲基材之形狀， 〇 有薄膜、片材、薄片。 基材之厚度較佳爲50 μιη以上250 μιη以下。更佳之下 限爲70 μιη，更佳之上限爲150 μιη。基材之厚度變薄時，則 在拾晶步驟之延伸時有發生基材斷裂的傾向，基材之厚度 變厚實則有延伸性變差的傾向。 作爲使用做爲黏著帶之基材的合成樹脂，有PVC (聚 氯乙烯）、聚乙烯、PET (聚對苯二甲酸乙二酯）、EVA (乙烯-乙酸乙烯酯共聚物）、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、 ® 聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物 樹脂、聚醯亞胺，其中，較佳爲PET、丙烯系共聚物，更 佳爲丙烯系共聚物。 作爲使用做爲黏著帶之基材的金屬，有不銹鋼、銅、 鋁。作爲基材’亦可爲彼等合成樹脂之混合物、共聚物、 合成樹脂彼此之積層體、金屬彼此之積層體、合成樹脂與 金屬之積層體。 在選擇丙烯系共聚物做爲基材的情況下，無浸漬時之 201019401 變形、未發生剝離時之半導體構件的變動，同時在以下之 拾晶步驟中，因而得到較佳的拾晶性。 作爲該丙烯系共聚物，例如有丙烯與其他成分之隨機 共聚物、丙烯與其他成分之嵌段共聚物、丙烯與其他成分 之交替共聚物。作爲其他成分，可舉出有乙烯、1-丁烯、 1-戊烯、1-己烯、1·庚烯等之α-烯烴；由至少2種以上之（X-烯烴所構成之共聚物、苯乙烯-二烯共聚物等。彼等之中， 較佳爲1· 丁烯。因而，可特別抑制於切斷半導體構件時所 Ο 產生的切割屑。 (黏著帶之黏著劑） 作爲黏著帶之黏著劑方面，有聚合丙烯酸、甲基丙烯 酸及彼等之酯類單體的聚合物；共聚合可與彼等單體共聚 合之不飽和單體（例如，乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈） 的共聚物，彼等黏著劑之中，較佳爲（甲基）丙烯酸酯共 聚物。 在黏著劑層中，亦可採用在藉由紫外線或放射線之照 ® 射而進行三位元網狀化之分子内具有至少2個以上光聚合 性碳-碳雙鍵於分子内的低分子量化合物、例如丙烯酸酯化 合物或丙烯酸胺酯寡聚物等的光硬化型壓敏性黏著劑》 ((甲基）丙烯酸酯共聚合物） 使用做爲黏著帶之黏著劑的（甲基）丙烯酸酯共聚物 並無特別限制，有共聚合（甲基）丙烯酸酯之主單體與其 他乙烯化合物單體者。乙烯化合物單體較佳爲使用具有由 羥基、羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、 201019401 磺胺酸基、及（亞）磷酸酯基所構成之官能基群中1種以 上的含官能基單體。 (甲基）丙烯酸酯之主單體方面，舉例有（甲基）丙 烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸-2-丁酯、（甲基）丙烯酸第三 丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲 基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基） 丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸甲 酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲 〇 基）丙烯酸十三酯、（甲基）丙烯酸十四酯、（甲基）丙烯酸十 六酯、（甲基）丙烯酸十八酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基） 丙烯酸異莰酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸苄 酯、（甲基）丙烯酸甲氧乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧乙酯、（甲 基）丙烯酸丁氧甲酯、及（甲基）丙烯酸乙氧正丙酯等》 作爲含官能基之單體，舉例有具有羥基、羧基、環氧 基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、胺磺酸基、（亞）磷 酸酯基做爲官能基的乙烯化合物。 ® 作爲具有羥基之單體，舉例有（甲基）丙烯酸-2-羥乙 酯、（甲基）丙烯酸-2-羥丙酯、及（甲基）丙烯酸-2_羥丁酯等》 作爲具有羧基之單體，舉例有（甲基）丙烯酸、巴豆 酸、馬來酸、馬來酸酐、伊康酸、富馬酸、丙烯酸醯胺-N-乙二醇酸、及桂皮酸等。 作爲具有環氧基之單體，舉例有烯丙基環氧丙基醚、 及（甲基）丙烯酸環氧丙基醚等。 作爲具有醯胺基之單體，舉例有（甲基）丙烯醯胺等。 -10- 201019401 作爲具有胺基之單體，舉例有（甲基）丙烯酸-N，N-二甲 胺基乙酯等。 作爲具有羥甲基之單體，舉例有N-羥甲基丙烯醯胺等。 (甲基）丙烯酸酯共聚物之製造方法，係可使用乳化聚 合、溶液聚合等公認的方法。以在放射線照射後黏著帶可 容易地與半導體構件剝離的方式下，較佳爲可藉由乳化聚 合所製造的丙烯酸橡膠。 (多官能異氰酸酯硬化劑） φ 作爲用做黏著帶之黏著劑的多官能異氰酸酯硬化劑， 除了具有2個以上異氰酸酯基方面以外則無特別限制，舉 例有芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異 氰酸酯等。 芳香族聚異氰酸酯並無特別限制，舉例有二異氰酸 1，3-伸苯酯、二異氰酸4,4’·二苯酯、二異氰酸1,4-伸苯酯、 4，4’-二異氰酸二苯甲酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰 酸甲苯酯、4，4’-二異氰酸甲苯胺、2,4,6-三異氰酸甲苯酯、 參 1,3,5-三異氰酸苯酯、二異氰酸二甲氧苯胺酯、4,4’-二異氰 酸二苯基醚酯、4,4’，4”-三異氰酸三苯甲酯、ω，ω’-二異氰 酸-1，3-二甲基苯酯、ω，ω’-二異氰酸-1，4-二甲基苯酯、ω，ω’-二異氰酸-1，4-二乙基苯酯、1，4-二異氰酸四甲基伸茬酯、 及1，3-二異氰酸四甲基伸茬酯等。 脂肪族聚異氰酸酯並無特別限制，舉例有二異氰酸酯 伸丙酯、二異氰酸伸丁酯、二異氛酸伸己酯、二異氰酸酯 伸戊酯、二異氟酸1,2-伸丙酯、二異氰酸2,3-伸丁酯、二 201019401 異氰酸-1，3-伸丁酯、二異氰酸酯伸十二酯、及二異氰酸 -2,4,4-三甲基伸己酯等。 脂環族聚異氰酸酯並無特別限制定，舉例有3 -異氰酸 酯甲基-3，5,5-三甲基環己異氰酸酯、1，3-二異氰酸環戊酯、 二異氰酸1,3-二異氰酸環己酯、1，4_二異氰酸環己酯、2,4-二異氰酸甲基環己酯、2,6-二異氰酸甲基環己酯、4，4’-亞 甲基雙（異氰酸環己酯）、1，4-雙（異氰酸甲酯）環己烷、 及1，4-雙（異氰酸甲酯）環己烷等。 ❹ 聚異氰酸酯之中，適用1,3-二異氰酸伸苯酯、4，4’-二 異氰酸二苯酯、1,4-二異氰酸伸苯酯、4,4’-二異氰酸二苯 甲酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、4,4’-二異氰酸甲苯胺酯、二異氰酸伸己酯。 多官能異氰酸酯硬化劑之配合比，相對於（（甲基） 丙烯酸酯共聚物）1〇〇質量份，較佳爲0.1質量份以上20 質量份以下，更佳爲以0.5質量份爲下限、以10質量份爲 上限。 ® 若多官能異氣酸酯硬化劑爲0.1質量份以上，由於黏 著力不會過強，可抑制拾取不良的發生。又，若多官能異 氰酸酯硬化劑爲20質量份以下，因黏著力不會降低，維持 在液體浸漬時之轉印步驟中之已單片化半導體構件的保持 性而佳。 (具有4個以上乙烯基的丙烯酸胺酯寡聚物） 作爲使用做黏著帶之黏著劑的具有4個以上乙烯基的 丙烯酸胺酯寡聚物（以下，簡稱爲「丙烯酸胺酯寡聚物」。）， -12- .201019401 若爲具有4個以上乙烯基、於分子内具有胺酯鍵的（甲基） 丙烯酸酯寡聚物，則無特別限制。 丙烯酸胺酯寡聚物之製造方法雖無特別限制，舉例有 使具有羥基與複數個（甲基）丙烯酸酯基之（甲基）丙烯 酸酯化合物，與具有複數個異氰酸酯基之化合物（例如二 異氰酸酯化合物）反應而成爲丙烯酸胺酯寡聚物的方法。 在具有複數個羥基終端的聚醇寡聚物中，添加過剩具有複 數個異氰酸酯基之化合物（例如二異氰酸酯化合物）而反 〇 應，成爲具有複數個異氰酸酯終端的寡聚物，再者亦可與 含有羥基與複數個（甲基）丙烯酸酯基之（甲基）丙烯酸 酯化合物反應而成爲丙烯酸胺酯寡聚物。 作爲含有羥基與複數個（甲基）丙烯酸酯基之（甲基） 丙烯酸酯化合物，舉例有羥丙基化三羥甲丙烷三丙烯酸 酯、新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇一羥五丙烯酸酯、 雙（新戊四醇）四丙烯酸酯、四羥甲烷三丙烯酸酯、環氧 丙醇二丙烯酸酯、或彼等丙烯酸酯之一部份或全部爲甲基 ® 丙烯酸酯基的化合物等。 具有複數個異氰酸酯基之異氰酸酯方面，舉例有芳香 族異氫酸酯、脂環族異氰酸酯、及脂肪族異氰酸酯等。彼 等異氰酸酯之中，適用具有複數個異氰酸酯基、芳香族異 氰酸酯或脂環族異氰酸酯。異氰酸酯成分之形態方面，有 單體、二聚體、三聚體，而適用三聚體。 作爲芳香族二異氰酸酯，例如二異氰酸甲苯酯、4,4-二異氰酸二苯甲酯、二異氰酸伸茬酯等。 -13- 201019401 脂環族二異氰酸酯方面，舉例有異佛酮二異氰酸酯、 亞甲基雙（異氰酸-4-環己酯）等。 脂肪二異氰酸酯方面，舉例有二異氰酸伸己酯、二異 氰酸三甲基伸己酯等。 聚醇成分方面，舉例有聚（環氧丙烷）二醇、聚（環 氧丙烷）三醇、共聚（環氧乙烷環氧丙烷）二醇、聚（環 氧丁烷）二醇、乙氧化雙酚A、乙氧化雙酚S螺甘油、己 內酯改質二醇、碳酸酯二醇等。 〇 具有乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物的乙烯基數若爲4個 以上，由於從放射線照射後黏著帶之半導體構件的剝離容 易，故可提升拾晶性。 具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物的調配量並 無特別限制，相對於（甲基）丙烯酸酯共聚物1 0 0質量份， 較佳爲20質量份以上200質量份以下。具有4個以上乙烯 基之丙烯酸胺酯寡聚物的調配量若爲20質量份以上，從放 射線照射後黏著帶之半導體構件的剝離變容易，可抑制拾 ® 晶性的問題發生。 又，具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚物的調配 量若爲2 00質量份以下，可維持在液體中之浸漬時的轉印 步驟之已單片化半導體構件的保持性。 (矽改質丙烯酸樹脂） 使用做爲黏著帶之黏著劑的矽改質丙烯酸樹脂，係（甲 基）丙烯酸單體與在聚二甲基環矽氧烷鍵之終端上具有乙 烯基的單體（以下，稱爲「矽系巨單體」）的聚合物，除 -14- 201019401 了具有由在聚二甲基矽氧烷鍵之終端上具有乙烯基之單體 而來的單體單位方面以外並無特別限制，舉例有矽系巨單 體之均聚物、或聚合矽系巨單體與其他乙烯化合物所構成 的乙烯聚合物。 矽系巨單體適用聚二甲基矽氧烷鍵之終端爲（甲基） 丙烯醯基或苯乙烯基等之乙烯基的化合物（例如，參照特 開2000-080135號公報等）。 作爲（甲基）丙烯酸單體，除了（甲基）丙烯酸烷基酯 φ 之外，舉出有（甲基）丙烯酸羥烷酯、改質羥基（甲基）丙 烯酸酯、及（甲基）丙烯酸等。 (甲基）丙烯酸烷基酯方面，舉例有（甲基）丙烯酸甲酯、 (甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸正 丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯 '(甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲 基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸十二烷酯、（甲基）丙 烯酸十八烷酯、及（甲基）丙烯酸異莰酯、及（甲基）丙烯酸羥 烷酯等。 ® (甲基）丙烯酸羥烷酯方面，舉例有（甲基）丙烯酸羥乙 酯、（甲基）丙烯酸羥丙酯、及（甲基）丙烯酸羥丁酯等。 改質羥基（甲基）丙烯酸酯方面，舉例有環氧乙烷改 質羥基（甲基）丙烯酸酯、及內酯改質羥基（甲基）丙烯 酸酯等。 在使用（甲基）丙烯酸的情況下，在合成矽改質丙烯 酸樹脂之後，與使用具有環氧基之（甲基）丙烯酸環氧丙酯 等之丙烯酸反應，而得到具有乙烯基的聚合物。 -15- 201019401 爲了防止稱爲微粒之微小糊狀殘留，則適用具有反應 性之（甲基）丙烯酸羥烷酯、或改質羥基（甲基）丙烯酸酯、及 至少具有一個乙烯基的矽改質丙烯酸樹脂》 矽改質丙烯酸樹脂之矽系巨單體單位的比例雖無特別 限制，但在矽改質丙烯酸樹脂100質量份中，矽系巨單體 單位較佳爲15質量份以上50質量份以下。矽系巨單體單 位之含量若爲15質量份以上，可容易地從半導體構件剝離 放射線照射後的黏著帶，而可提升拾晶性。 ❹ 又，矽系巨單體單位之含量若爲50質量份以下，可維 持在液體中之浸漬時的轉印步驟中之已單片化的半導體構 件保持性。 矽改質丙烯酸樹脂之調配量雖無特別限制，但相對於 (甲基）丙烯酸酯聚合物100質量份，較佳爲0.1質量份 以上10質量份以下。矽改質丙烯酸樹脂之調配量若爲0.1 質量份以上，可’容易地從半導體構件剝離放射線照射後的 黏著帶，而可提升拾晶性。又，矽改質丙烯酸樹脂之配合 G 量若爲ίο質量份以下，可維持在液體中之浸漬時的轉印步 驟中之已單片化的半導體構件保持性。 在黏著劑層中，亦可添加例如聚合起始劑、軟化劑、 抗老化劑、塡充劑、紫外線吸收劑、及光安定劑等的各種 添加劑。 黏著劑層之厚度雖無特別限制，但一般爲5 μιη以上 ΙΟΟμιη以下左右，較佳爲5μιη以上40μιη以下左右。 在基材薄膜上形成黏著劑層而成爲黏著帶的方法並無 201019401 特別限制，舉例有以凹槽輥塗布機、逗點型刮刀塗布機 (comma coater)、刮條塗布機、刮刀塗布機、或輥塗機等之 塗布機在基材上直接塗布黏著劑的方法。亦可藉由凸版印 刷、凹版印刷、平版印刷、柔版（elexo)印刷、膠版（offset) 印刷、或網版印刷等，在基材薄膜上印刷黏著劑層。 (接著性樹脂） 接著性樹脂必須有具備該黏著力降低溫度X相對於黏 著帶之收縮溫度Y爲X<Y的關係、液體之溫度T較低、X φ <Τ<Υ的關係，較佳爲接著性樹脂可爲即使與水接觸亦不 會因膨潤所導致之對於半導體構件發生錯位者。具體而 言，較佳爲具有疏水性、或即使與水接觸亦不大幅膨潤者 或不溶解者。作爲具有該性質之接著性樹脂，有丙烯酸系 樹脂、胺酯系接著劑、環氧系接著劑，較佳爲丙烯酸系樹 接著性樹脂更佳爲可由具有疏水性之（Α)多官能（甲 基）丙烯酸酯、（Β)單官能（甲基）丙烯酸酯及（C)聚 Φ 合起開始劑所構成者。較佳爲相對於（A )多官能（甲基） 丙烯酸酯與（B)單官能（甲基）丙烯酸酯之合計量100 質量份，可含有彼等配合50至97質量份、（C)聚合起始 劑〇.1至20質量份者》 (A)多官能（甲基）丙烯酸酯之添加量，在（A)多 官能（甲基）丙烯酸酯及（B)單官能（甲基）丙烯酸酯之 合計量1〇〇質量份中，較佳爲3至50質量份。（A)多官 能（甲基）丙烯酸酯之添加量少時，則有未發揮使接著性 -17- .201019401 樹脂之硬化體升溫時從半導體構件剝離之性質（以下、簡 稱爲「剝離性」）的傾向，多時則因而有初期之接著性降 低的傾向。 ((A)多官能（甲基）丙烯酸酯） 作爲用作接著性樹脂之（A)多官能（甲基）丙烯酸酯， 可使用在寡聚物/聚合物終端或側鏈上具有2個以上（甲基） 丙烯醯化之多官能（甲基）丙烯酸酯寡聚物/聚合物或2個 以上之（甲基）丙烯醯基的單體。 G 多官能（甲基）丙烯酸酯寡聚物/聚合物方面，舉例有 1,2-聚丁二烯終端（甲基）丙烯酸胺酯（例如，日本曹達 公司製TE-2000、TEA-1000) 、1，2·聚丁二烯終端（甲基） 丙烯酸胺酯氫化物（例如，日本曹達公司製TEAI-1000)、 1，4-聚丁二烯終端（甲基）丙烯酸胺酯（例如，大阪有機 化學公司製BAC-45)、聚異戊二烯終端（甲基）丙烯酸酯、 聚酯系（甲基）丙烯酸胺酯、聚醚系（甲基）丙烯酸胺酯、 聚酯（甲基）丙烯酸酯、雙A型環氧基（甲基）丙烯酸酯 ® (例如，大阪有機化學公司製VISCOTE #540、昭和高分子 公司製 VISCOTE VR-77 )。 作爲2官能（甲基）丙烯酸酯單體，可舉出1，3-丁二 醇二（甲基）丙烯酸酯、1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、 1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、i，9-壬二醇二（甲基）丙 烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、二（甲基）丙烯酸 二環戊酯、2-乙基-2-丁基丙二醇（甲基）丙烯酸酯、新戊 二醇改質（甲基）丙烯酸三羥甲基丙酯、十八酸三丙酯改質 -18- 201019401 新戊四醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、2，2_ 雙（4-(甲基）丙烯氧基二乙氧苯基）丙烷、2，2-雙（4-(甲基）丙烯氧基丙氧苯基）丙烷、2,2-雙（4-(甲基）丙 烯氧基四乙氧苯基）丙烷等。作爲3官能（甲基）丙烯酸 酯單體，可舉出有三（甲基）丙烯酸三羥甲基丙酯、參〔（甲 基）丙烯醯乙基〕異氰酸酯等。作爲4官能以上之（甲基） 丙烯酸酯單體，可舉出有四（甲基）丙烯酸二羥甲基丙酯、 新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇乙氧基四（甲基） φ 丙烯酸酯、二新戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、二新戊四醇 六（甲基）丙烯酸酯。 ((B)單官能（甲基）丙烯酸單體） 作爲用作接著性樹脂之（B)單官能（甲基）丙烯酸單 體，舉出有（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基） 丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己 酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙 烯酸十二酯、（甲基）丙烯酸十八酯、（甲基）丙烯酸苯酯、（甲 © 基）丙烯酸環己酯、（甲酯）丙烯酸二環戊烯、（甲基）丙烯酸 二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯氧乙酯、（甲基）丙烯酸 異莰酯、甲氧基化（甲基）丙烯酸環十三碳烯酯、（甲基）丙烯 酸-2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸-3-羥 丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯、（甲 基）丙烯酸-2-羥基-3-苯氧丙酯、（甲基）丙烯酸環氧丙酯、 己內酯改質（甲基）丙烯酸四氫糠酯、（甲基）丙烯酸-3-氯-2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸-N，N-二甲胺基乙酯、（甲基）丙烯酸 -19- .201019401 -N，N-二乙胺基乙酯、（甲基）丙烯酸第三丁胺基乙酯、（甲基） 丙烯酸乙氧羧基甲酯、酚基環氧乙烷改質丙烯酸酯、丙烯 酸酚（環氧乙烷2莫耳改質）酯、丙烯酸酚（環氧乙烷4 莫耳改質）酯、對異苯丙酚基環氧乙烷改質丙烯酸酯、壬 酚基環氧乙烷改質丙烯酸酯、丙烯酸壬酚（環氧乙烷4莫 耳改質）酯、丙烯酸壬酚（環氧乙烷8莫耳改質）酯、丙 烯酸壬酚（環氧丙烷2.5莫耳改質）酯、2 -乙基己卡必醇 丙烯酸酯、環氧乙烷改質酞酸（甲基）丙烯酸酯、環氧乙 〇 烷改質丁二酸（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸三氟乙酯、 丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、ω-羧基聚己內酯 單（甲基）丙烯酸酯、酞酸（甲基）丙烯酸單羥乙酯、（甲 基）丙烯酸二聚體、β-(甲基）丙烯醯氧基乙基氫丁二酸 酯、正（甲基）丙烯醯氧烷基六氫酞醯亞胺等。 配合於接著性樹脂之（C)聚合起始劑較佳爲配合用於 藉由可見光線或紫外線之活性光線增感以促進接著性樹脂 之光硬化者，可使用公認之各種光聚合起始劑。 ® (C)聚合起始劑之添加量，相對於（Α)多官能（甲 基）丙烯酸酯及（B)單官能（甲基）丙烯酸酯之合計100 質量份，較佳爲0.1至20質量份。更佳爲3至20質量份。 若爲0.1質量份以上，確實得到硬化促進的效果，在20質 量份以下則可得到充分之硬化速度。作爲更佳之形態，藉 由添加3質量份以上（C)成分，變得可不依附光照射量地 硬化、再者接著性樹脂之硬化體的交聯度變高、在切削加 工時變得不會引起錯位等觀點或提升剝離性之觀點而較 *20- 201019401 佳。 作爲（C)聚合開始劑，具體而言，舉出有二苯基酮及 其衍生物；苄基及其衍生物；蒽醌及其衍生物；安息香、 安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、安息香丁 基醚、苄基二甲基縮酮等之安息香衍生物；二乙氧基苯乙 酮、4-第三丁基三氯苯乙酮等之苯乙酮衍生物；苯甲酸-2_ 二甲胺基乙酯、苯甲酸對二甲胺基乙酯、二苯基二硫化物、 9-氧硫灿喔及其衍生物；樟腦醌、7,7-二甲基-2,3-二側氧 φ 基雙環〔2.2.1〕庚-1-羧酸、7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙環 〔2.2.1〕庚-1-羧基-2-溴乙酯、7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙 環〔2.2.1〕庚-1-羧基·2·甲酯、7,7-二甲基-2,3-二側氧基聯 環〔2.2.1〕庚-1-羧酸氯化物等之樟腦醌衍生物；2-甲基-1-〔4-(甲硫基）苯基〕-2-嗎福林丙-1-酮、2-苄基-2-二甲胺 基-1-(4-嗎福林苯基）-丁 -1-酮等之α-胺烷基苯酮衍生物； 氧化苯甲酿二苯基膦、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯二苯基膦、 氧化苯甲醯二乙氧基膦、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯二甲氧 ® 苯基膦、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯二氧苯基膦等之氧化醯 基膦衍生物等。光聚合起始劑可組合1種或2種以上來使 用。 在本發明中，亦可在接著性樹脂中共用極性有機溶 劑。藉由共用極性有機溶劑，可使樹脂層與液體接觸而容 易膨潤以降低接著強度。 極性有機溶劑之添加量，相對於（A )多官能（甲基） 丙烯酸酯及（B)單官能（甲基）丙烯酸之合計量1〇〇質量 -21- 201019401 份，較佳爲0.5至l〇質量份。若爲〇·5質量份以上則可確 保剝離性，若爲1 〇質量份以下’則無初期之接著性降低之 虞，亦有可將接著性樹脂剝離成薄膜狀的傾向。 極性有機溶劑係因更進一步發現接著性樹脂與液體接 觸而使接著強度降低的現象’故其沸點較佳爲30 °c以上 200 °C以下。該等極性有機溶劑方面，有醇、酮、酯，較佳 可爲醇類。 作爲醇類，舉出有甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正 φ 丁醇、異丁醇、第二丁基醇、第三丁基醇、正戊醇、異戊 醇、2-乙基丁醇等。再者，在前述醇類之中，較佳爲沸點 爲120°C以下的甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、 異丁醇、第二丁醇、第三丁醇，其中更佳爲甲醇、乙醇、 異丙醇、正丁醇。 在本發明中，亦可共用（A)多官能（甲基）丙烯酸酯 及（B)單官能（甲基）丙烯酸酯及不溶解於（C)聚合起 始劑的粒狀物質。因而，由於樹脂層可保持固定的厚度， ® 故提升厚度精確度。 粒狀物質之添加量，相對於（A)多官能（甲基）丙烯 酸酯及（B)單官能（甲基）丙烯酸酯之合計量100質量份， 較佳爲0.1至20質量份，特佳爲0.1至10質量份。若爲 0.1質量份以上則接著性樹脂之膜厚約略固定，若爲20質 量份以下，亦無初期的接著性降低之虞。 粒狀物質之材質一般爲所使用之有機粒子、無機粒 子。具體而言，作爲有機粒子，舉出有聚乙烯粒子、聚丙 -22- 201019401 烯粒子、交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子 等；作爲無機粒子，舉出有玻璃、氧化矽、氧化鋁、氧化 鈦等陶瓷粒子。 粒狀物質之材質，從均勻控制接著性樹脂之膜厚的觀 點來看，較佳爲球狀且粒徑固定、粒子之變形少、粒徑之 不均勻少者。作爲具備該條件之較佳的有機粒子，有藉由 甲基丙烯酸甲酯單體、苯乙烯單體與交聯性單體之藉由已 知的乳化聚合法而得做爲單分散粒子的交聯聚甲基丙烯酸 〇 甲酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子或作爲無機粒子則有球狀氧 化矽。彼等粒狀物質之中，進一步從粒子沈降等之貯藏安 定性或組成物之反應性的觀點看，更進一步較佳爲交聯聚 甲基丙烯酸甲酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子。 本發明之接著性樹脂在無損於本發明之目的的範圍 中，亦可使用一般所使用的丙烯酸橡膠、胺酯橡膠、ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯橡膠）等各種彈性體、無機塡充 劑、溶劑、增量材、補強材、可塑劑、增黏劑、染料、顔 ® 料、難燃劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑及界面活性劑等的 添加劑。 (接著性樹脂之塗布方法） 塗布接著性樹脂於半導體構件的方法，可使用刮條塗 布機、噴槍、旋轉塗布機等。 (剝離膠帶） 剝離膠帶係由基材與黏著劑層所構成，接著性樹脂·剝 離膠帶間之黏著力較半導體構件·接著性樹脂間之黏著力 -23- 201019401 高者。 (剝離膠帶之基材） 作爲剝離膠帶之基材，可爲合成樹脂。形狀方面爲薄 膜、片材。基材之厚度可爲50μιη以上25 0μιη以下。較佳 下限爲7〇μπι，較佳上限爲150μπι。 使用做爲剝離膠帶之基材的合成樹脂方面，有PVC(聚 氯乙烯） '聚乙烯、PET (聚對苯二甲酸乙二酯）、EVA (乙烯·乙酸乙烯酯共聚物）、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、 Ο 聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物 樹脂、聚醯亞胺，其中，較佳爲EVA (乙烯-乙酸乙烯酯共 聚物）、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。基材方面，亦可爲彼等 合成樹脂之混合物、共聚物、合成樹脂彼此之積層體。 (剝離膠帶之黏著劑） 作爲剝離膠帶之黏著劑，可爲丙烯酸系黏著劑、胺酯 系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等，較佳爲丙烯酸系黏著劑。 作爲丙烯酸系黏著劑，有聚合丙烯酸、甲基丙烯酸及彼等 ® 酯類單體的聚合物；和可與彼等單體共聚合之不飽和單體 (例如，乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈）共聚合的共聚物， 彼等黏著劑之中，較佳爲（甲基）丙烯酸酯共聚物。 在黏著劑層中，藉由紫外線或放射線中任一者或照 射，亦可採用在分子內具有至少2個以上在三次元網狀化 的分子内光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物，例如使用 丙烯酸酯化合物或丙烯酸胺酯寡聚物等的光硬化型壓敏性 黏著劑。 -24- 201019401 在剝離膠帶的黏著劑層中，亦可添加例如聚 劑、軟化劑、抗老化劑、塡充劑、紫外線吸收劑、 定劑等的各種添加劑。 剝離膠帶之黏著劑層的厚度雖無特別限制，但 5 μιη以上1 ΟΟμπι以下左右，較佳爲以5 μιη爲下限、_[ 爲上限。 在基材薄膜上形成黏著劑層而成爲黏著帶的方 特別限制，舉例有以凹槽輥塗布機、刮條塗布機、 ❹ 布機、或輥塗機等之塗布機，在基材上直接塗布黏 方法。亦可藉由凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、 刷、膠版印刷、或網版印.刷等在基材薄膜上印刷黏著 (固定用夾具） 作爲固定用夾具，由於係經由接著性樹脂固定 構件，若半導體構件爲板狀，可爲平滑的材料，可 狀體或膜狀體之單獨或2種以上的積層體。固定用 材料有不銹鋼、鋁、鐵等金屬板狀體；丙烯酸、聚碳 ® ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯）、PET、耐綸、胺酯 亞胺、聚烯烴或PVC等的合成樹脂；玻璃、陶瓷等 在本發明中，固定用夾具較佳爲透過2 0%以上 之波長者。若爲透過20%以上365nm之波長透過者 化接著性樹脂中亦未花費太多時間而佳。固定用夾 度若滿足上述條件雖無特別限制，較佳爲ΙΟΟμπι至 更佳爲2至5mm。透過率之測定係採用TOPCON UVR-2做爲測定機器，基於波長3 6 5nm的透過率。 合起始 及光安 一般爲 k 40μιη 法並無 刮刀塗 著劑的 柔版印 劑層。 半導體 採用板 夾具之 酸酯、 、聚醯 〇 3 6 5 nm 則在硬 具之厚 10mm, 公司製 -25- .201019401 [實施例] 針對本發明之半導體構件製造方法中的實施例，使用 圖式來説明。 本實施例中之半導體構件製造方法爲具有單片化步 驟、貼合步驟、轉印步驟、拾晶步驟者。以下’說明個別 之步驟。還有，第1圖至第10圖爲模式地顯示者，與實際 縮小比例尺不同。 <單片化步驟> φ 在單片化步驟中，在半導體構件1(直徑8吋、厚度 725 μιη的矽晶圓）上，藉由旋轉塗布機塗布20 μιη接著性樹 脂2，接著貼合厚度700μπι的固定用夾具3(玻璃板）， 加重 10kg成爲均句面，使用黑光，以 365nm波長在 3 0 0m J/cm2的條件下使接著性樹脂硬化，然後，進行切塊。 固定用夾具3爲透過80%波長365nm之光的玻璃板。 切塊係使用DISCO公司製DAD 341 (圖示省略），切 塊刀片係使用DISCO公司製NBC-ZH205O-27HEEE (圖示 © 省略），以7.2mm xl 4.4mm之晶片尺寸進行。單片化步驟 後之狀態示於第1圖" <貼合步驟> 在貼合步驟中，藉由使用無電極放電燈之FUSION公 司製硬化裝置（圖示省略），以365 nm波長在16000m J/cm2 之條件下進一步使接著性樹脂硬化後，在成爲單片化步驟 後之半導體構件1之已分割的晶片面上，經由環狀板框5 使用滾輪安裝機貼合黏著帶4。貼合步驟後之狀態示於第2 -26- 201019401 圖。 <轉印步驟> 在轉印步驟中，以貼合步驟後原來的狀態，浸漬於90°C 的溫水6之後，從半導體構件1自由落下並將接著性樹脂 2及固定用夾具3剝離下來。第3圖顯示浸漬的狀態，第4 圖顯示自由落下後的狀態。 轉印步驟中之溫水6的溫度爲9 0 °C，藉由將接著性樹 脂2之接著力降低溫度X設定爲較90 °C低，將黏著帶4之 G 熱收縮溫度Y設定於較90°C高，則無半導體構件1與黏著 帶4之界面、接著性樹脂2與固定用夾具3之界面，可在 半導體構件1與接著性樹脂2之界面剝離。還有，第3圖 中之符號7爲支撐環狀板框5的支柱、符號9爲裝入溫水 6的容器。 <拾晶步驟> 在轉印步驟後，在每個半導體構件1拉起接著於環狀 板框5之黏著帶4(參照第5圖），從黏著帶4之基材薄 〇 膜面側（第5圖之下側），以USHIO電機公司製高壓水銀 燈以150mJ/cm2的條件照射紫外線，在使黏著帶4之黏著 劑層硬化後，使用圖示以外之佳能機械製CAP-3 0011，以 針栓高度〇.3mm的條件進行。拾晶時之狀態示於第6圖。 第7圖係顯示在使用剝離膠帶之情況下的轉印步驟之 截面的模式圖》 在該方法中，除了將半導體構件1變更成在其表面（與 接著性樹脂2之接觸面）形成聚醯亞胺蒸鍍膜（圖示省略） -27- 201019401 的矽晶圓以外，與前述之方法相同的構成。在該方法中’ 爲了在半導體構件1之表面（與接著性樹脂2之接觸面） 上，成爲形成聚醯亞胺蒸鍍膜的矽晶圓，在轉印步驟中無 半導體構件1與黏著帶4之界面、接著性樹脂2與固定用 夾具3之界面，而在接著性樹脂2與固定用夾具3之界面 剝離。 在該轉印步驟後，由從示於第8圖之溫水6拉起的狀 態，將剝離膠帶8貼於接著性樹脂2的表面（參照第9圖）， 〇 在每個接著性樹脂2拉起剝除剝離膠帶8(參照第10圖）。 之後，如第5圖、第6圖所示。 以下，針對於上述步驟所用之黏著帶、接著性樹脂， 使用表1來説明。 【表1】 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 網 90 90 40 100 30 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 方法 半導·Νΐη^η方向 下 上 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 下 挪 A A A A A B C A A A A A A A A A A A A A A 基挪 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 黏 著 黏 著 3 3 3 3 3 3 3 0.5 20 0.1 25 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 帶 劑 nmwmmme A100 A100 A100 A100 A100 A100 A100 A100 A100 Λ100 A100 A20 A200 A10 A300 B100 A100 A100 A100 A100 A100 矽改肪嫌教樹胞 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0.1 10 αοι 20 2 剝離性 ◎ 〇 〇 ◎ X ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ ◎ 〇 © ◎ ◎ 〇 〇 fHfi 轉印性 ◎ 〇 ◎ X 〇 © ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ © 〇 @ © ◎ © o 〇 拾ft性 ◎ ◎ ◎ X ◎ o ◎ 〇 ◎ 〇 © o @ © 〇 @ ◎ 縴合 ◎ ◎ o © X 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 o 〇 ntm «1 m ❹ -28- 201019401 (黏著帶） 黏著帶係使用以下之基材。 基材A:丙烯系共聚物（含有丙烯、乙烯、1·丁烯做 爲聚合成分、MFR(熔融流速）値7.5g/10分鐘、密度〇·89 g/cm3(Sunallomer 公司製、X500F))。厚度 80μιη。 基材Β:乙烯與乙酸乙烯酯之隨機共聚物（MFR値2·5 g/l〇分鐘，乙酸乙烯酯含量12%，密度0.93 g/cm3 (三井 杜邦聚化學品公司製）。厚度80μιη。 ❹ 基材C : PET、厚度38μιη。 (黏著帶之黏著劑） 採用以下者作爲黏著劑。表1中之數字爲質量份° (甲基）丙烯酸酯共聚物：由丙烯酸乙酯54%、丙烯 酸丁酯19%、丙烯酸甲氧基乙酯24%所構成之共聚物’藉 由乳化聚合而得者（該公司聚合品）。 多官能異氰酸酯硬化劑··二異氰酸伸己酯之三羥甲基 丙烷加成體的市售品（日本聚胺酯公司製，製品名 ❹ CORONATE HL )。 丙烯酸胺酯寡聚物A:其爲在聚（環氧丙烷）二醇之 終端上使二異氰酸伸己酯（脂肪族二異氰酸酯）的三聚體 所構成之終端異氰酸酯寡聚物上，進一步使二新戊四醇五 丙烯酸酯反應所構成的終端丙烯酸酯寡聚物，數量平均分 子量（Μη)爲3,700且丙烯酸酯官能基數15個的丙烯酸胺 酯寡聚物（該公司聚合品）。 丙烯酸胺酯寡聚物Β:在聚（環氧丙烷）二醇之終端 •29- 201019401 上使丙烯酸-2-羥乙酯反應所構成的終端異氰酸酯寡聚物 上，進一步使丙烯酸-2-羥乙酯反應所構成的終端丙烯酸酯 寡聚物，數量平均分子量（Μη)爲3,400，乙烯基數爲每1 分子有2個的丙烯酸胺酯寡聚物（該公司聚合品）。 矽改質丙烯酸樹脂：在矽分子鏈之終端上具有（甲基） 丙烯醯基之矽系寡聚物，及聚合由甲基丙烯酸甲酯等所構 成的丙烯酸乙烯酯單位所構成的矽系接枝共聚物的市售品 (綜硏化學公司製' 製品名ActflowUTMM-LS2)。 0 雖於表1上無記載，但在黏著帶之黏著劑中，配合6 質量份任一種光聚合起始劑（苄基二甲基縮酮、市售品）。 例如，第1實驗之黏著劑係調配（甲基）丙烯酸酯共 聚物A 100質量份、多官能異氰酸酯硬化劑A 3質量份、 丙烯酸胺酯寡聚物A 100質量份、矽改質丙烯酸樹脂A 2 質量份、光聚合起始劑6質量份者。 黏著帶係將表1記載之配合的黏著劑塗布於PET製的 分隔膜上，以乾燥後之黏著劑層的厚度成爲ΙΟμηι的方式 ® 塗布，積層於基材者》 (接著性樹脂） 接著性樹脂係採用配合（Α)多官能（甲基）丙烯酸酯、 (Β)單官能（甲基）丙烯酸酯及（C)聚合起始劑者。 具體而言’添加丙烯酸胺酯（日本合成化學公司製 「UV-3000B」）8質量份、二丙烯酸二環戊酯（日本化藥 公司製「KAY ARAD R-684」）12質量份之合計20質量份 做爲（A)多官能（甲基）丙烯酸酯；丙烯酸_2-(1，2_環己 -30- 201019401 羧基醯亞胺）乙酯（東亞合成公司製「ARONIXM-140」） 3〇質量份、甲基丙烯酸二環戊烯氧基乙酯（R〇hm & Haas 公司製「QM-657」）50質量份之合計80質量份做爲丙烯 酸胺酯（B)單官能（甲基）丙烯酸酯；2_甲基(甲 硫基）苯基〕-2 -嗎福林丙-1 _酮（汽巴•特化品·化學品公 司製「IRGACURE907」）2質量份做爲（C)聚合起始劑； 2，2-亞甲基雙（4-甲基-6-第三丁基酚）〇.1質量份做爲聚合 抑制劑以製成接著性樹脂。 〇 (剝離膠帶） 剝離膠帶係使用以下之基材、黏著劑。 基材：採用形成乙烯與乙酸乙烯酯之隨機共聚物（MFR 値2.5g/10分鐘，乙酸乙烯酯含量12%，密度0.93g/cm3, 三井杜邦聚化學品公司製）成爲厚度1〇〇μιη者。 黏著劑：其爲配合以下之配合材料者，將該黏著劑塗 布於PET製之分隔膜上並以乾燥後之黏著劑層厚度爲 2 Ομιη的方式塗布，積層於基材者。 ® (配合材料） 剝離膠帶之配合材料方面，則使用以下者。 (甲基）丙烯酸酯共聚物：其爲丙烯酸乙酯54% '丙 烯酸丁酯19%、丙烯酸甲氧乙酯2 4 %之共聚物’藉由乳化 聚合而得者（本公司聚合品）100質量份 多官能異氰酸酯硬化劑：二異氰酸-2,4-甲苯酯的三羥 甲基丙烷加成體的市售品（日本聚胺酯公司製、製品名 CORONATE HL ) 3 質量份 -31- 201019401 丙烯酸胺酯寡聚物：在聚（環氧丙烷）二醇之終端上 使二異氰酸伸己酯（脂肪族二異氰酸酯）之三聚體反應所 構成的終端異氰酸酯寡聚物上，進一步使二新戊四醇五丙 烯酸酯反鹰所構成之終端丙烯酸寡聚物，數量平均分子量 (Μη)爲3,700且丙烯酸酯官能基數15個的丙烯酸胺酯寡 聚物（本公司聚合品）100質量份 光聚合起始劑：苄基二甲基縮酮（市售品）6質量份 (固定用夾具） 固定用夾具係使用透過 80%波長 365nm光之厚度 700μηι的玻璃板。 使用上述之黏著帶、接著性樹脂、剝離膠帶、固定用 夾具，針對半導體構件（矽晶圓），以上述方法實施關於 本發明之半導體構件製造方法，並進行評估。評估結果示 於表1。 還有，僅實施例21使用剝離膠帶，從已單片化之半導 體構件剝離接著性樹脂。 © (剝離性之評估） 藉由在直徑8吋、厚度72 5 μιη之矽晶圓上旋轉塗布接 著性樹脂來貼合20μιη塗布、厚度700μιη的玻璃板，加重 10 kg成爲均勻面。之後，始用黑光並以365 nm波長且在 3 00mJ/cm2條件下使接著性樹脂硬化。 切塊係使用DISCO公司製DAD 341、切塊刀片DISCO 公司製 NBC-ZH205O-27HEEE，以 7.2 mm χ 1 4.4mm 的晶片尺 寸進行，藉由使用無電極放電燈之FUSION公司製硬化裝 -32- 201019401 置，在以3 65nm波長1 6000mJ/cm2的條件下進一步硬化接 著性樹脂後，使用滾輪安裝機，在所分割之晶片面上經由 環狀板框貼合黏著帶，將半導體構件朝下浸漬於90°C的液 體中，從固定用夾具使接著性樹脂從半導體構件及玻璃自 由落下而剝離。第2實驗係將半導體構件朝上浸漬。 以剝離時在1分鐘內可從接著性樹脂及玻璃剝離晶片 者爲◎，以可在30分鐘以内剝離者爲〇,以不能在30分以 上剝離的情況爲X。還有，在將半導體構件朝下浸漬於90°C φ 的液體時，僅有玻璃從半導體構件剝離，而接著性樹脂附 著於半導體構件上的情況下，乾燥後，將剝離膠帶貼合於 接著性樹脂，在每個接著性樹脂從已單片化之半導體構件 剝離剝離膠帶。 (轉印性之評估） 在縱向、橫向各一列測定以上述方法所轉印之晶片的 間隔，與轉印前之晶片間隔比較。以由轉印前之晶片間隔 的最大變動量爲未滿ΙΟμιη者爲◎，以ΙΟμιη以上未滿20μιη Φ 者爲〇，以20μπι以上者爲X。 (拾晶性之評估） 以上述方法轉印後，從黏著帶之基材薄膜面，以USHIO 電機公司製高壓水銀燈在150mJ/cm2的條件下照射紫外 線，在硬化黏著劑層後，使用佳能機械製CAP-3 0011，以 針栓高度〇.3mm的條件進行評估，以可100%拾晶的情況 爲◎，以90%以上未滿100%的情況爲〇，以未滿90%的情 況爲x。 -33- 201019401 藉由本發明之半導體構件製造方法，提供剝離性、轉 印性及拾晶性優異之半導體構件製造方法。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之實施例中之單片化步驟後之半 .導體構件、接著性樹脂及固定用夾具的截面槪略圖。 第2圖係顯示貼合步驟後之狀態的截面槪略圖。 第3圖係顯示在轉印步驟中浸漬之狀態的截面槪略 圖。 Φ 第4圖係顯示在轉印步驟中自由落下後之狀態的截面 槪略圖。 第5圖係顯示在轉印步驟後、將接著於環狀板框5之 黏著帶4連同半導體構件1 一起拉起之狀態的截面槪略圖。 第6圖係顯示拾晶時之狀態的截面槪略圖。 第7圖係顯示使用剝離膠帶8之轉印步驟的截面槪略 圖。 第8圖係顯示在使用剝離膠帶8之轉印步驟後，從溫 ❿ 水6拉起之狀態的截面槪略圖。 第9圖係顯示將剝離膠帶8貼於接著性樹脂2表面之 狀態的截面槪略圖。 第10圖係顯示將剝離膠帶8連同接著性樹脂2 —起拉 起剝離之狀態的截面槪略圖。 【主要元件符號說明】 1 已單片化之半導體構件 2 接著性樹脂 -34- 201019401 3 固定用夾具 4 黏著帶 5 環狀板框 6 溫水 7 支柱 8 剝離膠帶 9 容器
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