JP6057898B2 - 半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法及び半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
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Description
半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、吸着パッドに接続され、吸着パッドに吸着された半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及びアクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
搬入出部、支持部、及び塗布部を並設配置する架台と、
架台上に配置され、搬入出部、支持部及び塗布部の間を延伸する搬送部材と、
架台上において搬送部材上に摺動可能に取り付けられ、半導体ブロック、下地基板、又は下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、搬入出部、支持部、及び塗布部の間を、架台の上面と平行に移動するステージと、
ステージ上に半導体ブロックを配置して支持部へ搬送し、支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げた後、ステージを搬入出部へ搬送し、ステージ上に下地基板を載せた下地基板を塗布部に搬送させ、塗布部において接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、半導体ブロックを下方に降ろして下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
接着剤が、下記成分(1)〜(5):
(1)多官能(メタ)アクリレート、
(2)単官能(メタ)アクリレート、
(3)重合開始剤、
(4)硬化促進剤、
(5)粒状物質
を含む半導体ブロック接着装置である。
半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、吸着パッドに接続され、吸着パッドに吸着された半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及びアクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
搬入出部、支持部、及び塗布部を並設配置する架台と、
架台上に配置され、搬入出部、支持部及び塗布部の間を延伸する搬送部材と、
架台上において搬送部材上に摺動可能に取り付けられ、半導体ブロック、下地基板、又は下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、搬入出部、支持部、及び塗布部の間を、架台の上面と平行に移動するステージと、
ステージ上に半導体ブロックを配置して支持部へ搬送し、支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げた後、ステージを搬入出部へ搬送し、ステージ上に下地基板を載せた下地基板を塗布部に搬送させ、塗布部において接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、半導体ブロックを下方に降ろして下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
接着剤が、下記成分(a)〜(f):
(a)一般式(A)の化合物;
一般式(A) Z−O−(R2O)p−R1
〔式中、Zは(メタ)アクリロイル基を示し、R1はフェニル基又は炭素数1〜3個のアルキル基を有するフェニル基を示す。R2は−C2H4−、−C3H6−、−CH2CH(CH3)−、−C4H8−又は−C6H12−を示し、pは1〜10の整数を表す。〕
(b)一般式(B)の化合物;
一般式(B) Z−O−(R2O)p−H
〔式中、Z、R2及びpは前述の通りである。〕
(c)一般式(C)の化合物;
(d)一般式(D)の化合物;
一般式(D) Z−O−R4
〔式中、Zは(メタ)アクリロイル基を示し、R4 は炭素数5〜16個のアルキル基を表す。〕
(e)重合開始剤
(f)硬化促進剤
を含む半導体ブロック接着装置である。
半導体ブロックをステージ上に載せ、半導体ブロックを搬入出部から支持部に搬送するステップと、
支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げるステップと、
ステージを支持部から搬入出部に戻し、ステージ上に下地基板を載せるステップと、
下地基板を載せたステージを搬入出部から塗布部へ搬送するステップと、
塗布部において、下地基板上に接着剤を塗布するステップと、
塗布後の下地基板を載せたステージを塗布部から支持部へ搬送し、接着剤が塗布された下地基板上に半導体ブロックを載せ、下地基板と半導体ブロックとを接着するステップと、
接着後の半導体ブロックを、支持部から搬入出部へ搬送するステップと
を含む半導体ブロック接着方法である。
切断後の下地基板付き半導体ブロックを温水中に浸漬し、
温水中において下地基板と半導体ブロックとを剥離すること
を含む半導体ウエハの製造方法である。
−半導体ブロック接着装置−
図1〜2に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置1は、半導体ブロック8及び下地基板7の搬入及び搬出を行う搬入出部2と、半導体ブロック8を支持し、半導体ブロック8を上下に移動させる支持部3と、接着剤を下地基板7上に塗布する塗布部4と、制御装置5と、表示装置6とを備える。
次に、図1〜図7の概略図及び図8のフローチャートを用いて、第1の実施の形態に係る半導体ブロック接着方法を説明する。
第1の実施の形態に用いられる接着剤は、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を用いるのが好ましく、特に、(1)多官能(メタ)アクリレート、(2)単官能(メタ)アクリレート、(3)重合開始剤、(4)硬化促進剤、及び(5)粒状物質を含む(メタ)アクリル系接着剤を用いることができる。
流速:1.0ml/min
設定温度:40℃カラム構成:東ソー社製「TSK guardcolumn MP(×L)」6.0mmID×4.0cm1本、および東ソー社製「TSK−GELMULTIPOREHXL−M」7.8mmID×30.0cm(理論段数16,000段)2本、計3本(全体として理論段数32,000段)、
サンプル注入量:100μl(試料液濃度1mg/ml)
送液圧力:39kg/cm2
検出器:RI検出器
重合開始剤としては、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物が好ましく、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では成分(4)との反応性の点で、クメンハイドロパーオキサイドが好ましい。
硬化促進剤としては、β−ジケトンキレート及び/又はβ−ケトエステルが挙げられる。β−ジケトンキレートとしては、バナジルアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネートオ及び銅アセチルアセトネート等が挙げられる。β−ケトエステルとしては、ナフテン酸バナジル、ステアリン酸バナジル、ナフテン酸銅若しくはオクチル酸コバルト等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、成分(2)との反応性の点で、還元性を有する金属塩が好ましく、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの1種又は2種以上がより好ましく、オクチル酸コバルトが最も好ましい。
粒状物質としては、成分(1)〜(4)に溶解しない粒状物質を含有するのが好ましい。成分(1)〜(4)に溶解しない粒状物質の材質としては、一般的に使用される有機粒子、又は無機粒子いずれでもかまわない。
本発明の第1の実施の形態に用いられる接着剤の具体例を表1に示す。表1に示す組成にて接着剤を作製した。
(1)多官能(メタ)アクリレート
・UV3000B:ポリエステル系ウレタンアクリレート(日本合成社製、「UV3000B」、重量平均分子量18000、ポリオール化合物はポリエステルポリオール、有機ポリイソシアネート化合物はイソホロンジイソシアネート、ヒドロキシ(メタ)アクリレートは2−ヒドロキシエチルアクリレート)
・APG−200:トリプロピレングリコールジアクリレート(新中村化学社製、「NK エステル APG−200」)
(2)単官能(メタ)アクリレート
・M−140:、2−(1,2−シクロヘキサンジカルボキシイミド)エチルアクリレート(東亜合成社製、「アロニックスM−140」)
・M−101A:フェノールエチレンオキサイド2モル変性アクリレート(東亜合成社製、「アロニックスM−101A」)
(3)重合開始剤
・PH−80:クメンハイドロパーオキサイド(日本油脂社製、「パークミルH−80」)
(4)硬化促進剤
・Oct−Co:オクチル酸コバルト(東京ファインケミカル社製)
(5)成分(1)〜(4)に溶解しない粒状物質
・GR−200:架橋ポリメタクリル酸メチル粒子(根上工業社製「アートパールGR−200」、平均粒子径50μm)
・R−972:乾式法シリカ(日本アエロジル社製「アエロジルR972」、平均粒子径0.02μm)
本発明の実施の形態に係る半導体ウエハの製造方法について、図9(a)〜図9(c)の概略図及び図10のフローチャートを用いて説明する。
第2の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法、及び半導体ウエハの製造方法は、接着剤の種類以外は、第1の実施の形態において説明した半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法、及び半導体ウエハの製造方法と実質的に同様であるため、重複した説明を省略する。よって、以下においては、第2の実施の形態に係る接着剤について、詳細に説明する。
本発明の第2の実施の形態に用いられる接着剤は、下記成分(a)〜(f)を含む接着剤を用いるのが好ましく、更には(g)エラストマーを含む(メタ)アクリル系接着剤を用いることが、より好ましい。
一般式(A)の化合物とは以下の構造をいう;
一般式(A) Z−O−(R2O)p−R1
〔式中、Zは(メタ)アクリロイル基を示し、R1はフェニル基又は炭素数1〜3個のアルキル基を有するフェニル基を示す。R2は−C2H4−、−C3H6−、−CH2CH(CH3)−、−C4H8−又は−C6H12−を示し、pは1〜10の整数を表す。〕
一般式(B)の化合物とは以下の構造をいう;
一般式(B) Z−O−(R2O)p−H
〔式中、Z、R2及びpは前述の通りである。〕
一般式(C)の化合物とは以下の構造をいう;
(c)一般式(C)の化合物;
一般式(D)の化合物とは以下の構造をいう;
一般式(D) Z−O−R4
〔式中、Zは(メタ)アクリロイル基を示し、R4 は炭素数5〜16個のアルキル基を表す。〕
重合開始剤としては、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物が好ましく、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では成分(f)や成分(g)との反応性の点で、クメンハイドロパーオキサイドが好ましい。
硬化促進剤としては、β−ジケトンキレート及び/又はβ−ケトエステルが挙げられる。β−ジケトンキレートとしては、バナジルアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネートオ及び銅アセチルアセトネート等が挙げられる。β−ケトエステルとしては、ナフテン酸バナジル、ステアリン酸バナジル、ナフテン酸銅若しくはオクチル酸コバルト等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、成分(b)との反応性の点で、還元性を有する金属塩が好ましく、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの1種又は2種以上がより好ましく、バナジルアセチルアセトネートが最も好ましい。
本発明の実施の形態に係る接着剤は、剥離強度と衝撃強度を向上させるためにエラストマー成分を使用することが好ましい。エラストマーとしては、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリレート共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン−ブタジエン共重合体、並びに、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、線状ポリウレタン、スチレン−ブタジエンゴム、クロロプレンゴム及びブタジエンゴム等の各種合成ゴム、天然ゴム、スチレン−ポリブタジエン−スチレン系合成ゴムといったスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリエチレン−EPDM合成ゴムといったオレフィン系熱可塑性エラストマー、並びにカプロラクトン型、アジペート型及びPTMG型といったウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリブチレンテレフタレート−ポリテトラメチレングリコールマルチブロックポリマーといったポリエステル系熱可塑性エラストマー、ナイロン−ポリオールブロック共重合体といったポリアミド系熱可塑性エラストマー、1,2−ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、並びに塩ビ系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。これらのエラストマー成分は相溶性が良ければ、1種又は2種以上を使用することができる。又、末端(メタ)アクリル変性したポリブタジエンも使用できる。これらの中では、(メタ)アクリル系モノマーに対する溶解性や接着性の点で、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体及び/又はアクリロニトリル−ブタジエンゴムが好ましく、その併用がより好ましい。
本発明の実施の形態に係る接着剤は、空気に接している部分の硬化を迅速にするために各種パラフィン類を使用することができる。パラフィン類としては、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、カルナバろう、蜜ろう、ラノリン、鯨ろう、セレシン及びカンデリラろう等が挙げられる。これらの1種又は2種以上を使用することができる。パラフィン類の使用量は、成分(a)、(b)、(c)及び(d)の合計100質量部に対して、0.1〜5質量部が好ましく、0.3〜2.5質量部がより好ましい。0.1質量部未満では空気に接している部分の硬化が悪くなる場合があり、5質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。
第2の実施の形態に用いられる接着剤の具体例を表3(実施例2−1、実施例2−2)に示す。表3において、フェノキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、2−エチルへキシルメタクリレート、n−ラウリルメタクリレート、クメンハイドロパーオキサイド、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体(MMA−BD−ST共重合体)、バナジルアセチルアセトネートは、それぞれ市販品を使用した。また、「アクリロニトリル−ブタジエンゴム(AN−BDゴム)」は、高ニトリルNBRの市販品を使用し、「パラフィン類」は、パラフィンワックスの市販品、「重合禁止剤」は、ハイドロキノンモノメチルエーテルの市販品、「リン酸塩」は、アシッドホスホオキシエチルメタクリレートの市販品、「2,2−ビス[4−(メタクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン」は、一般式(C)でq=5の市販品を使用した。
本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…搬入出部
3…支持部
4…塗布部
5…制御装置
6…表示装置
7…下地基板
8…半導体ブロック
9…接着剤層
10…下地基板付き半導体ブロック
11…架台
12…搬送部材
13…ステージ
21…ガイド
31…支柱部
32…吸着パッド
33…アクチュエータ
34…エア機器
41…支柱部
42…シリンジ
43…ディスペンサ
51…ステージ制御部
52…ブロック昇降制御部
53…ディスペンサ制御部
Claims (20)
- 半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
前記半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドに吸着された前記半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及び前記アクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
前記下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部を並設配置する架台と、
前記架台上に配置され、前記搬入出部、前記支持部及び前記塗布部の間を延伸する搬送部材と、
前記架台上において前記搬送部材上を摺動可能に取り付けられ、前記半導体ブロック、前記下地基板、又は前記下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部の間を、前記架台の上面と平行に移動するステージと、
前記ステージ上に前記半導体ブロックを配置して前記支持部へ搬送し、前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げた後、前記ステージを前記搬入出部へ搬送し、前記ステージ上に前記下地基板を載せた後、前記ステージを前記塗布部に搬送させ、前記塗布部において前記接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、前記半導体ブロックを下方に降ろして前記下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
前記接着剤が、下記成分(1)〜(5):
(1)多官能(メタ)アクリレート、
(2)単官能(メタ)アクリレート、
(3)重合開始剤、
(4)硬化促進剤、
(5)粒状物質
を含むことを特徴とする半導体ブロック接着装置。 - 前記ステージ上に配置された、前記半導体ブロック及び前記下地基板の位置合わせ用の板状のガイドを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(1)が、多官能(メタ)アクリレートオリゴマー/ポリマーと2官能(メタ)アクリレートモノマーからなる群のうちの1種以上である請求項1又は2に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(2)が、フェノール(エチレンオキサイド2モル変性)(メタ)アクリレート及び2−(1,2−シクロヘキサカルボキシイミド)エチル(メタ)アクリレートからなる群のうちの1種以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記接着剤が、前記成分(3)を少なくとも含む第1剤と、前記成分(4)を少なくとも含む第2剤とを混合することにより得られる2剤型(メタ)アクリル系接着剤である請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(3)が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(4)が、β−ジケトンキレート及び/又はβ―ケトエステルである請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(5)が、平均粒径0.001〜200μmの有機粒子又は無機粒子を含む請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(1)が、ポリエステル系ウレタン(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレートからなる群のうちの1種類以上であり、
前記成分(2)が、フェノール(エチレンオキサイド2モル変性)(メタ)アクリレート及び2−(1,2−シクロヘキサカルボキシイミド)エチル(メタ)アクリレートからなる群のうちの1種以上であり、
前記成分(3)が、クメンハイドロパーオキサイドであり、
前記成分(4)が、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの1種類以上であり、
前記成分(5)が、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子、架橋ポリスチレン粒子からなる群のうちの一種類以上を含む有機粒子又はセラミック粒子を含む無機粒子の少なくとも1種である請求項1〜8のいずれか1項記載の半導体ブロック接着装置。 - 半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
前記半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドに吸着された前記半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及び前記アクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
前記下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部を並設配置する架台と、
前記架台上に配置され、前記搬入出部、前記支持部及び前記塗布部の間を延伸する搬送部材と、
前記架台上において前記搬送部材上を摺動可能に取り付けられ、前記半導体ブロック、前記下地基板、又は前記下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部の間を、前記架台の上面と平行に移動するステージと、
前記ステージ上に前記半導体ブロックを配置して前記支持部へ搬送し、前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げた後、前記ステージを前記搬入出部へ搬送し、前記ステージ上に前記下地基板を載せた後、前記ステージを前記塗布部に搬送させ、前記塗布部において前記接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、前記半導体ブロックを下方に降ろして前記下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
前記接着剤が、下記成分(a)〜(f):
(a)一般式(A)の化合物;
一般式(A) Z−O−(R2O)p−R1
〔式中、Zは(メタ)アクリロイル基を示し、R1はフェニル基又は炭素数1〜3個のアルキル基を有するフェニル基を示す。R2は−C2H4−、−C3H6−、−CH2CH(CH3)−、−C4H8−又は−C6H12−を示し、pは1〜10の整数を表す。〕
(b)一般式(B)の化合物;
一般式(B) Z−O−(R2O)p−H
〔式中、Z、R2及びpは前述の通りである。〕
(c)一般式(C)の化合物;
(d)一般式(D)の化合物;
一般式(D) Z−O−R4
〔式中、Zは(メタ)アクリロイル基を示し、R4 は炭素数5〜16個のアルキル基を表す。〕
(e)重合開始剤
(f)硬化促進剤
を含むことを特徴とする半導体ブロック接着装置。 - 前記ステージ上に配置された、前記半導体ブロック及び前記下地基板の位置合わせ用の板状のガイドを更に備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記接着剤が、(g)エラストマーを更に含む(メタ)アクリル系接着剤である請求項10又は11に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記接着剤が、前記成分(e)を少なくとも含む第1剤と、前記成分(f)を少なくとも含む第2剤とを混合することにより得られる2剤型(メタ)アクリル系接着剤である請求項10〜12のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(f)が、β−ジケトンキレート及び/又はβ―ケトエステルである請求項10〜13のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(e)として、クメンハイドロパーオキサイドを、成分(a)、(b)、(c)及び(d)の合計100質量部に対して0.5〜10質量部含む請求項10〜14のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記接着剤が、(h)リン酸塩を含む請求項10〜15のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記接着剤が、パラフィン類と酸化防止剤を含む請求項10〜16のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 前記成分(a)が、フェノキシエチル(メタ)アクリレートを含み、前記成分(b)が、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートを含み、前記成分(c)が、2、2−ビス[4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパンを含み、前記成分(d)が、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを含み、前記成分(e)がクメンハイドロパーオキサイドを含み、前記成分(f)がバナジルアセチルアセトネートを含む請求項10〜17のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。
- 請求項1〜18の何れか1項に記載の半導体ブロック接着装置を用いた半導体ブロック接着方法であって、
半導体ブロックを前記ステージ上に載せ、前記半導体ブロックを前記搬入出部から前記支持部に搬送するステップと、
前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げるステップと、
前記ステージを前記支持部から前記搬入出部に戻し、前記ステージ上に下地基板を載せるステップと、
前記下地基板を載せた前記ステージを前記搬入出部から前記塗布部へ搬送するステップと、
前記塗布部において、前記下地基板上に接着剤を塗布するステップと、
塗布後の前記下地基板を載せた前記ステージを前記塗布部から前記支持部へ搬送し、接着剤が塗布された前記下地基板上に前記半導体ブロックを載せ、前記下地基板と前記半導体ブロックとを接着するステップと、
接着後の半導体ブロックを、前記支持部から前記搬入出部へ搬送するステップと
を含む半導体ブロック接着方法。 - 請求項19の半導体ブロック接着方法により得られる下地基板付き半導体ブロックを複数の薄板状に切断し、
切断後の前記下地基板付き半導体ブロックを温水中に浸漬し、
前記温水中において前記下地基板と前記半導体ブロックとを剥離すること
を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
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