JP4723001B2 - 基板処理装置、基板処理方法、および排液カップの洗浄方法 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、基板を処理液で処理する基板処理装置において処理液を受ける排液カップを特別な洗浄機構を用いることなく確実に洗浄することができる排液カップの洗浄方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記基板処理方法および排液カップの洗浄方法を実行する制御プログラムが記憶された記憶媒体を提供することにある。
Claims (18)
- 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記基板保持部に保持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップと、
前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に処理液を供給させて基板に対する処理を行わせ、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給させてリンス処理を行わせるように、処理液の供給、リンス液の供給および基板の回転数を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、基板処理後のリンス処理を制御するにあたり、基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給させ、その後基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させること、および基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることを実施させる、基板処理装置。 - 前記制御部は、基板処理の際の回転数でリンス処理を実施させた後、液面を上昇させ、次いで前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、基板処理の際の回転数でリンス処理を実施させた後、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させ、次いで液面を上昇させる、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、基板処理の際の基板の回転数を200〜700rpmに制御し、前記液面を上昇させる工程の際の基板の回転数を50〜200rpmに制御し、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる際の基板の回転数を500〜1500rpmに制御する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部に保持された基板を囲繞し、前記基板保持部および基板とともに回転し、基板を回転した際に基板から振り切られた処理液またはリンス液を受けて前記排液カップに導く回転カップをさらに具備する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給機構は第1の処理液と第2の処理液を供給し、
前記制御部は、前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に第1の処理液を供給させて基板に対する第1の処理を行わせ、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給させて第1のリンス処理を行わせ、その後、同様に基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に第2の処理液を供給させて基板に対する第2の処理を行わせ、さらに、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給させて第2のリンス処理を行わせるように、第1および第2の処理液の供給、リンス液の供給および基板の回転数を制御し、
少なくとも第1のリンス処理を制御するにあたり、基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給させ、その後基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させること、および基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることを実施させる、請求項1に記載の基板処理装置。 - 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置を用いて基板処理を行う基板処理方法であって、
前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に処理液を供給して基板に対する処理を行うことと、
その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給してリンス処理を行うことと
を含み、
前記リンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、
基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、基板処理方法。 - 前記処理液供給機構は第1の処理液と第2の処理液を供給するように構成され、
前記処理液を供給して基板に対する処理を行うことは、基板に第1の処理液を供給して基板に対する第1の処理を行うことと、基板に第2の処理液を供給して基板に対する第2の処理を行うこととを含み、
前記リンス処理を行うことは、前記第1の処理の後に行われる第1のリンス処理と、前記第2の処理の後に行われる第2のリンス処理とを含み、
少なくとも前記第1のリンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、
基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、請求項7に記載の基板処理方法。 - 前記第2のリンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、
基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、請求項8に記載の基板処理方法。 - 基板処理の際の回転数でリンス処理を行った後、液面を上昇させ、次いで前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる、請求項7に記載の基板処理方法。
- 基板処理の際の回転数でリンス処理を行った後、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させ、次いで液面を上昇させる、請求項7に記載の基板処理方法。
- 基板処理の際の基板の回転数を200〜700rpmとし、液面を上昇させる際の基板の回転数を50〜200rpmとし、排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる際の基板の回転数を500〜1500rpmとする、請求項7に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップとを具備し、前記基板保持部に保持された基板を前記回転機構により回転させながら、前記処理液供給機構から処理液を基板に供給して基板処理を行う基板処理装置において、前記排液カップを洗浄する排液カップの洗浄方法であって、
前記基板保持部に基板またはダミー基板を保持させることと、
前記基板またはダミー基板を回転させつつ前記基板またはダミー基板にリンス液を供給し、基板またはダミー基板から振り切られたリンス液により前記排液カップの処理液流路をリンスすることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも前記基板またはダミー基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも基板またはダミー基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることと
を含む、排液カップの洗浄方法。 - 前記処理液流路をリンスした後、液面を上昇させ、次いで前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる、請求項13に記載の排液カップの洗浄方法。
- 前記処理液流路をリンスした後、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させ、次いで液面を上昇させる、請求項13に記載の排液カップの洗浄方法。
- 前記処理液流路をリンスする際の基板の回転数を200〜700rpmとし、前記液面を上昇させる際の基板の回転数を50〜200rpmとし、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる際の基板の回転数を500〜1500rpmとする、請求項13に記載の排液カップの洗浄方法。
- 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記回転カップの外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置を制御するためのコンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に処理液を供給して基板に対する処理を行うことと、
その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給してリンス処理を行うことと
を含み、
前記リンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、
基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶媒体。 - 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記回転カップの外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置において前記排液カップの洗浄処理を行うためのコンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、前記基板保持部に基板またはダミー基板を保持させることと、
前記基板またはダミー基板を回転させつつ前記基板またはダミー基板にリンス液を供給し、基板またはダミー基板から振り切られたリンス液により前記排液カップの処理液流路をリンスすることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも前記基板またはダミー基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも基板またはダミー基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることと
を含む、排液カップの洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶媒体。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (19)
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JP4648973B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5390824B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-01-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5420222B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-02-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
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JP5546472B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5864232B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
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JP6229933B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-11-15 | 株式会社Screenホールディングス | 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置 |
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JP6836912B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2021-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US11747742B2 (en) * | 2017-04-11 | 2023-09-05 | Visera Technologies Company Limited | Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark |
JP6983602B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-12-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6513774B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6735384B2 (ja) * | 2019-04-09 | 2020-08-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7438015B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2024-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000315671A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63136528A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 処理液塗布装置 |
SG98022A1 (en) * | 1996-09-24 | 2003-08-20 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for cleaning treatment |
US6207231B1 (en) * | 1997-05-07 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and coating apparatus |
JP2002368066A (ja) | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
-
2007
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000315671A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9802227B2 (en) | 2011-04-27 | 2017-10-31 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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