TW200816347A - Bernoulli wand - Google Patents

Description

200816347 24675pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於半導體基板搬運系統，且詳言之，是關 於使用白努利效應來採用氣流以提昇基板的半導體美板於 取裝置。 土 ° 【先前技術】 Ο ο 積體電路（Integrated circuit)通常包含諸如電晶體以 及二極體之許多半導體裝置，其形成於已知為晶圓的半導 體材料之薄片上。用於製造晶圓中之半導體裝置中的一此 製程涉及將晶圓定位於高溫腔室中，其中將晶圓暴露至言 溫氣體’此導致多種層形成於晶圓上。當形成此等積^ 路時，經常有必要將晶圓載入至高溫腔室中且自高溫月^ 移除蟲圓，其中晶圓可達到高達攝氏1200度之溫度=== j製程之實例為磊晶化學氣相沈積，但熟習此項“者： 土於瞭解在大於(例如)40(rc下處理之其他實例。缺而， 由於晶圓極其脆，且易受微粒污染傷害，故必須非常去、、 以=免在傳送晶圓’尤其在晶圓處於加熱狀態時實： 拾取壞㈣’已研究出各種晶圓 應用或環境經常判定拾取步罟 之％疋

利棒之一類拾取裝置尤1非 马白I 由石英形成之白努利㈣^ 傳送非常熱之晶圓。 並有利的，衣在咼溫腔室之間傳送晶圓是尤 ”有利的由於金屬設計不能物㈣溫及/或在此等升 6 200816347 24675pif ㈣度下可能污染晶圓。由白努 =位==上的晶圓邊緣外之-或上

Α、、曰曰圓通¥不接觸拾取棒，藉此最小化由柊 二：晶圓之Τ損壞。用於高溫晶圓搬運之: Γ〇:-η專人的美國專利第卿9號中，及_ F漏寺人的吴國專利第6,242,718號中，其全部揭露内容 特此以引用的方式併人本文中。白努利棒通常安裝於機器 人或日日圓搬運臂（wafer handling arm)之前端處。 詳言之，當位於晶圓上方時，白努利棒使用氣體之噴 射來在晶圓上方使直接在晶圓上方產生之壓力小於直接在 晶圓下方之壓力的氣流圖案。因此，壓力不平衡使晶圓承 受向上“提昇”力。此外，隨著向上朝向棒提取晶圓，產 生提升力之相同喷射產生防止晶圓接觸白努利棒的愈來愈 大之斥力（repulsive force)。結果，有可能以大體上非接 觸之方式將晶圓懸置於棒下方。 Ο 在圖1A中展示用於在高溫製程中傳送200毫米晶圓 以及更小晶圓的典型石英白努利棒設計。白努利棒較佳地 由石英形成，此對於傳送非常熱之晶圓是有利的。如圖1A 中所示，白努利棒10具有截短侧12以致白努利棒10可自 用於在多晶圓處理έ又備中固持多個晶圓之{£盒支架載入且 卸載晶圓。 圖1Β是白努利棒10在匣盒支架之架16之間的扁平 頭部分14之平面圖。在圖1C中展示具有個別狭槽17之 典型匣盒支架8。每一狹槽17能夠固持一片晶圓20。通常， 7 200816347 24675pif 此雜盒支架8在-垂直行中固持約26個毫米晶圓。 如圖1B中所示，截短侧12允許將白努利棒1〇***於匣 盒支架之架16之間。當被載入至匣盒支架8之狹槽17(圖 - 1C)中時，在將白努利棒10***於架16之間的同時，由 匣盒支架8之架16水平地支撐由圖1B中之虛線2〇展示 =晶圓20之相對周邊邊緣（使其“未被，，截短側丨2 ‘‘覆 ^ )具有截短側丨2之白努利棒ίο經組態以致其可配合 〇 於架16之間，藉此允許相當密集堆疊之匣盒支架8。" 在載入至熱處理腔室中以及尤其載入至晶座之熱表面 上，間，如此項技術中所熟知，由於晶圓之下部比上部加 熱得快，因此晶圓將通常變得變形。此不均勻加熱產生晶 圓之暫時變形，此被稱作“捲曲” （‘‘ curl，，戋 二curing”）。捲曲在具有攝氏4〇〇度以上之溫度的處理腔 室^是尤其有問題的。當將室溫晶圓置放於熱基板固持器 (。者如晶座）上時，可能非常迅速地發生此捲曲效應。若 (j 足夠迅速，則效應可使得晶圓在接觸時跳躍且可移動晶圓 離開其在晶座上之所要位置。 ⑽捲曲之趨勢源於在拾取以及脫離期間產生於晶圓中的 =度梯度且亦視所處理之晶圓之類型而定。晶圓捲曲是問 ，^ (尤其在非常薄之晶圓的情況下）。通常，晶圓愈薄，其 4有可月b歸因於結合溫度梯度（化亭加㈣抑)之不 =膨脹倾轉曲。触地，為結合在—起之兩個晶圓 j緣體上石八仙⑽普邮s⑻晶圓具有捲曲之 傾向於具有較高應力位準之—些重度摻雜的基板在 8 200816347 24675pif 基板接觸熱表面（諸如晶座）時更易於捲曲。 所論述，晶圓與支撐結構（晶圓下降至其上。又，如以上 高之溫度差將引起捲曲。 之間的非常 Ο ί) 已發現圖1Α至圖1C中所示之設計尤其 於使用E盒式關放侧，已發現，在晶圓捲|_，因 引起晶圓與棒10之間的接觸時，捲曲晶圓之足夠厫重以 之前侧可能被白努利棒H)之截短侧12擦傷。;成主動裝置 棒10之截短側12 /亦由於允許在截短部分亦已判定，、 具有施加直接輻射的結果而增大越過晶圓之❿之曰曰圓區域 曲度。，晶圓之在白努利棒10之未截短部分之=而增加捲 用以過濾至晶圓之一些輻射。 F的部分起作 【發明内容】 根據本發明之一實施例，提供一種晶圓搬 包含耐高溫大體上透明之頭部分以及狹長、㈤二、 (elongated high temperature necl〇。頭部分經紐配二二硕 直徑為2⑻毫米或更小之晶圓，且有配置至少〜氣體出= 與晶圓相抵地導向氣流以使用白努利效應來立 “牙曰曰圓。頭 部分經配置以位於整個晶圓之上。狹長頸且古 、 … 瓦只丹有弟一端以及 弟二端，且在第一端上連接至機器人臂且在第二端上連 至頭部分。頭部分與頸流體連通。 而 根據本發明之另一實施例，提供一種半導體處理工 具，其包含具有多個垂直堆疊之晶圓狹槽的支架、高溫大 體上透明之晶圓搬運裝置以及處理腔室。晶圓搬運裝置具 有頭部分，其以大體上非接觸之方式自上面支撐晶圓，且 9 200816347 24675pif

頭部分位於大體上琴個s圓七L / 们日曰圓之上。晶圓搬運裝置經配置以 存取支木中之晶圓且將晶圓傳送至處理腔室。 曰圓之Λ施例’提供—種用於傳送半導體 1之方法。白努利棒之頭部分位於具有2 2 表面之上。碩部分由用於高溫處理 0 9在晶圓之上表面之上產生低壓區來吸取 Ο u 非接觸之方式傳送晶支撐晶圓的同時以大體上 【實施方式】 較，實施_及枝之下列詳細描述呈現某 描述以輔助理解申請專利範圍 '然而，可[請 專利乾圍所界定以及涵莒之τ夕 — 踐本發明。 -之4*同實施_及方法來實 ，達成4明之目的而更特定地參看圖式，本發明具體 中Ιΐΐ展Γ於諸圖中之裝置。將瞭解，在不脫離如本文 件;:即而受化，且方法可關於特定步驟以及序列而變化。 下文所述之改良之晶圓傳送系統包括由用 理=透明材㈣成驗修改白努利棒，可最小化如上所述 之捲曲問題與棒的關聯’尤其對超薄·毫米或更小晶 適之透明高溫t料包括（但不限於）石英、玻璃以 曰^。此寻白努可耐受室溫至約115(rc之範圍内， if:地在自、約觀至靴之範圍内且甚至更佳地在 自約觀至威之範圍内的溫度。熟習此項技術者將理 10 200816347 24675pif 解，超薄晶圓通常具有約250微米至300微米之厚度。通 常，在白努利棒中存在“開放區域”（其中如以上所論述 而截短侧），其允許晶圓與周圍空間之間的直接熱能轉移。 • 經由白努利棒中之此“開放區域”發生晶圓之直接加熱或 . 冷卻，因此造成不需要之捲曲效應。由於典型高溫2⑻毫 米白努利棒10之截短侧12玎能允許接觸且擦傷晶圓之前 侧，故捲曲效應甚至更有問題。藉由修改棒以使得其在自 〇 熱處理腔室載入以及卸載期間覆蓋薄晶圓之整個區域來最 小化歸因於擦傷的對晶圓之潛在損壞。當其覆蓋晶圓之整 個區域時，經修改的棒並不具有圖1A以及圖中所示的 白努利棒之截短側。 本文中所述之晶圓傳送機構可用於磊晶沈積系統 (epitaxial deposition system)中，但其亦可用於其他類型 之半導體處理系統中。熟習此項技術者將理解，如以下二 更洋細解釋’當經修改的棒不具有截短側時，其較佳地用 〇 以在大於或等於0.375英吋之架間隔或間距的支架$存取 ^ 晶圓。 現將參看圖式，其中貫穿圖式相似數字是指相似部 件圖2A示意性地說明半導體晶圓傳送系統29之實施 - 例，其用以將大體上扁平之半導體晶圓60傳送入且傳 . 高溫腔室。詳言之，系統29包含晶圓傳送裝置（wafer transport assembly) 30，其具有與晶圓60 (較佳地2〇〇毫 求晶圓或更小晶圓）嚙合來以大體上非接觸之方式傳送白^ 可移動白努利棒50。系統29更包含氣體供應裝置（职5 200816347 24675pif supply assembly) 31，其用以供應惰性氣體流33 (諸如氮 氣（NJ)至棒5〇。將理解，白努利棒5〇通常安裝於機器 人上，作為在半導體處理領域中的他端效應器（end effector) 〇 Ο u 隹即如圖2A中所示，氣體供應裝置31通常包含主氣體儲 集器（fain gas reserv〇ir) 32以及與其連接之主氣體管道 詳言之’儲集器32較佳地包括用以在相對高之壓力下 ㈣侧以及可糾馳職魅33經由 加i氣體^ 調節器。或者，可替錢體儲集器使用 3〇 36 ' 可移動遠端或前端44具有相或後端41、 42。詳言之，在其間延伸之封閉氣體通道 體管道叫合‘^與氣f供^㈣之主氣 外，機器人臂44之吁心版此夠机入機态人臂44中。此 式移位其連接之白努 =^用以可控地定位以便以受控方 52 第 如圖2A中所+ , 前向部分或努娜5G包括延麵或後部分 端5!以及第^以及多個對準腳56。頸52包括 伸至第二端53之;3、上表面48以及自第-端51延 :端5W付著至機器」C 7〇。此外’頸”之第 态人臂44中之通、f 4 之前端43以允許氣體33自機 中心氣體itif 7〇 人白努利棒5G之頤部分52中的 另外，白努利棒50之頸部分52之第 200816347 24675pif 二端53附著至棒50之頭54以實體支推頭54 a允許 33自中心氣體通道70流入頭54中。 以及示意性指示，頭54由大體上扁平之上板66 大娜上^ 下板64形成，大體上扁平之上板66與 Ο ο 之下板64以平彳t方式組合以形成具有第 下表面55以及上表面的的複合結構。如圖2β中 ::頭54經定大小且成形以覆蓋晶圓之整個 =，頭54大體上為圓形，而不具有截短侧，；: =置:於傳送具有·毫米或更小之直徑的晶圓; 以傳送200毫来曰^^ J ^ °經I置 采之直徑。在-、Γ^之頭54較佳地具有約200毫 之首㈣二ά例中，頭54可具有ί於或小於晶圓 仏。熟習此項技術者將瞭解，過大之頭54可能 =充與、支架•盒之間的界面，而過小之』二 圓之直徑的Γ5 應。因此，頭54之直徑較佳地在晶 米内。在-些實；且更佳地在晶圓之直徑的±2毫 直徑可大於沿二軸直不完2圓似沿一軸之 1/8英忖至3/8 % t貞54具有較錢厚度為約 -f \ m ?A央、且更佳地厚度為約.120英吋的厚度 約為扁英^及圖叫。在較佳實施例中，各板64、66 圓捲= 曰;:Ϊ整個區域被頭54覆蓋’故如以上所述的晶 小化，此由於不存在導致白努利棒中 午曰曰函與上方之周圍空間（例如，位於棒以及晶圓上 13 200816347 24675pif Ο ο 方的熱燈）之間的直接熱能轉移之“開放區域，，的截短 侧。白努利棒儘管透明，但充當對某些頻率之光的過濾器。 =此，在於傳送至熱處理腔室以及自熱處理腔室傳送的 日了拾取以及脫離晶圓顧，由於不存在截短侧，故不 I由開放”區域發生的晶圓之直接加熱或冷卻，藉此 m不需要之捲曲效應。具有截短侧之棒根本不在:開放 ;捲曲1提供過濾11 ’且經由“開放區域”之直接加敎加 至晶2==圓形設計提供較佳地為氮氣之均質氣流 下處理較;=表面，藉此最小化捲曲且允許在較高溫度 高溫鄕5G之頸52、頭54以及職較佳地以 夠延伸英）建構’故白努利棒50較佳地能 約_。^=室中則桑縱具有高達115(rc且更佳地在 t之範圍^Λ之關内且甚至更佳地在賴叱至500 壞。此等古、=1晶目60’同時最小化對晶圓60之損 基板而不阿會==用使棒50能夠用以拾取相對高熱之 將描Ϊ外頭頭5454:: 52支撐且與頸52流體連通。如以下 之下表、進—步心許可氣體33流動至位於頭54 “t:(圖2Α)上的多個氣體出口孔…圖二 自通道71橫二4:員二更包括封閉中心氣體通道71以及 所示，中、1。、、，之夕個封閉侧通道72,其中如圖2Β中 54 四才曰。或者，中心通道71以及 200816347 24675pif 6之下表面中。此外，侧通道72 通這71延伸以允許氣體33自中心通道 側通道72中之每—者。此外，如圖2A以及圖 74，盆_丁, s頁54更包含多個成角度分布之氣體出口孔 Μ /、自側通道72延伸穿過下板料 c o 自其產生在晶圓之上向外的具有大= 二此項技術者將理解，成角度氣流之圖案 下4m斤二〇1棒方::二t面:r扁平 =式與㈣•詳言 晶圓广之亡表面62水平且徑向地射出，從而 產生曰日H 6G之上之低屢區，其中晶圓上方之動小於 下，方之虔力。因此，根據白努利效應，晶圓6〇、經上曰^ 昇”力且朝向頭部分54被提取。 徒 向上力使晶圓60隨後移位至平衡位置，苴 懸淨於碩54下方，而大體上不會接觸頭54。詳^曰員6〇 爭衡位置處，由衝擊晶圓6〇之上表面62之° °之，在 作用於晶圓6G上之向下反作用力與作用於=6引起的 力組合以抵銷提昇力。因此，晶圓6〇懸浮於0上之重 對於頭54大體上固定之位置處。此外，在以吁、、54下方相 54嚙合晶圓60的同時，晶圓6〇之平面經定^述方式由頭 行於頭54之平面。此外，晶圓60之上^面^以大體上平 下表面55之間的距離與晶圓6〇之直徑比較起^碩/4之 200816347 24675pif 的。此距離較佳地在約0 008英吋至〇 英吋之範圍内。 為防止晶圓60以水平方式移動，孔74經分亦且成角 度以賦予氣流76橫向偏壓，此使晶圓6〇朝向棒5〇之腳 . 56平緩地行進。根據實施例’腳具有自棒5〇之下表面55 .的約曰_英叶之高度“h”（圖2D)有二，如圖Μ中所 示as圓60之非破感邊緣表面的隨後與腳％喊合以防土 晶圓60相對於棒50之進一步横向移動'。 〇 热習此項技術者將理解，腳可位於頭54之任一端上以 防止晶圓60相對於棒50之進一步橫向移動。在一些實施 例中，如圖2A、圖2B以及圖2D中所示，腳56位於頭 5^之近端處。在其他實施例中，腳位於頭之遠端處。將理 角午’如圖2A、圖2B以及圖2D所說明，若棒50與支架（諸 如匣益）一起使用，則腳56較佳地位於頭54之近端處。 热4此項技術者將瞭解，若棒5〇不與支架一起使用，則腳 可位於頭之遠端處。腳56較佳地亦由諸如石英之高溫材料 形成。

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’ 在圖2E中說明半導體處理系統85之一實施例。圖2E 疋展不半導體處理系統85之部分的示意架空圖。如圖2E 中所不’載入埠或載入鎖定（l〇adl〇ck)腔室84較佳地與 - 晶圓搬運腔室（wafer handling chamber，WHC) 86 接合。 ' 在所說明實施例中，白努利棒50連接至駐留於WHC 86 内的WHC機器人89。根據此實施例，白努利棒5〇經裝 置以自載入埠或載入鎖定腔室84内固持200毫米晶圓之支 架或E盒88内存取晶圓傳送至處理腔室87，其中晶圓可 16 200816347 在晶座上經處理。較佳地，載入鎖定腔室84内之支架88 的狹槽之間比標準200毫米晶圓匿盒8 (圖1C)具 ^間隔。因此，自努懈50可進人狹槽讀^卸載晶 Ο Ο 熟習此項技術者將理解，在其他實施例中，可在 %以及WHC機器人89之鄰近存在多個處理腔室87及/ 或載入鎖定腔室84，且白努利棒5Q可經定㈣有效 :有個別處理腔㈣及冷卻狀㈣而無需與支架相互作 用。在此系統中，可提供獨立端效應器（例如，腳座）以 ^支木相互作用。處理腔室87可用以對晶圓執行同一掣 或者，如熟習此項技術者將暸解，處理腔室87可各對 =執行不同製程。製程包括（但不限於）频、化㈣ (chemical vapor deposition, CVD) > . 8 =植入、微影、擴散以及其類似者。每-處理腔室 87 ^含以座越絲板支料料撐待在處理腔室 气-:理之晶圓。處理腔室87可供給有至真空泵、處理 ::二入機構(process gas i咖cti〇n _

與加熱機構之連接。 HI 主加2 88可為載人鎖定腔室84内的攜帶觀盒或固定 U 容量較佳地在約1G與2G之間且更佳地在約 # -之間。熟習此項技術者將理解，在白努利棒50血 t ^腔諸相互作用之實施例中，£盒或支架88應 密集之狹槽（與細盒相比具有增大之間距） 1方；支架88中之每一晶圓之間的距離大於具有截 17 200816347 24675pif Ο Ο 短側丨2之組態的白努利棒10(如圖ΙΑ以及圖1Β中所示） 使用之支架中之晶圓之間的距離。較不密集（不如如圖，lc 中所示之標準200毫米晶圓匣盒8密集）堆疊之支芊88 的原因為具有大體上圓形之頭54的此實施例之白努利棒 50不能***於標準狹槽17之架16之間，此乃由於在不具 有圖1A以及圖1B中所示之白努利棒1〇之截短侧a的情 況下，頭54過寬。較佳地，支架88中之狹槽之間的間距 或間隔較佳地至少約為0.1875英忖，且更佳地至少約為 英对，且甚至更佳地約為〇·375英忖。因此，根據此 貝施例，頭54較佳地在狹槽之架上方***至支架88中， 使***於架中的晶圓可由架支撐。 ^ 在白努利棒50以上所述之方式喃合晶圓6〇的情況 下由機為人臂44之遠端43之移動引起的白努利棒5〇 ^移動有利地導致晶圓6Q之實際上無接觸拾取、移動以及 =離。由晶圓6 G之此無接觸傳送產生之任何捲曲，僅在晶 :=(與晶圓 < 上面形成有主動裝置的頂侧或前側相 、）接觸白努利棒5〇的邊緣（若有的話）。 ^本發明已啸佳實_揭露如上，然其並非用以 义疋每明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之彳,主# 嶋内’當可作些許之更動與潤飾，因此 乾圍當視後狀申料㈣_界定者轉。 又 【圖式簡單說明】 熟習此項技術者將鑒於以下描述、附加 圍且自圖式而㈣瞭解本發明之此等以及其他^專= 200816347 24675pif 意欲說明且並不限制本發明，且其中： 圖1A是白努利棒之示意平面圖。 圖1B是圖1A之白努利棒在匣盒之架之間的扁平頭部 分之示意俯視平面圖。 圖1C是匣盒支架之示意俯視以及前視透視圖。 ' 圖2A示意性地說明根據實施例的包含與半導體晶圓 喃合之白努利棒的晶圓傳送系統的配置圖。 ρ 圖2B是圖2A之白努利棒之示意俯視平面圖。 ^ 圖2C是圖2A之白努利棒之頭之下板中的成角度氣體 出口孔之橫截面圖。 圖2D是根據另一實施例的白努利棒之頭之側視圖。 圖2E是包括白努利棒之半導體處理系統之示意圖。 【主要元件符號說明】 8 :匣盒支架/標準200毫米晶圓匣盒 Ϊ0 :白努利棒 12 :截短侧 I) 14 :扁平頭部分 16 :架 17 :狹槽 . 20 :晶圓/虛線 . 29 :半導體晶圓傳送系統 30 :晶圓傳送裝置 31 :氣體供應裝置 32 ··主氣體儲集器 19 200816347 24675pif

Ο 33 : 惰性氣體流/氣體 34 ： 主氣體管道 36 : 氣體界面 40 : 管道 41 : 近端/後端 42 : 封閉氣體通道 43 : 可移動遠端/前端 44 : 機器人臂 48 ： 上表面 50 : 可移動白努利棒/白努利棒 51 : 第一端 52 : 狹長頸/後部分/頸部分 53 : 第二端 54 : 前向部分/扁平頭/頭 55 : 下表面 56 ·· 對準腳 57 : 第一端 59 : 上表面 60 ·· 半導體晶圓 62 : 上表面 64 : 下板 66 : 上板 68 : 下表面 69 : 非敏感邊緣表面 20 200816347 24675pif 70 :封閉中心氣體通道 71 :封閉中心氣體通道 72 :封閉侧通道 74 :氣體出口 $L/氣體出口 76 :氣流 84 :載入埠/載入鎖定腔室 85 :半導體處理系統 86:晶圓搬運腔室（WHC) 87 :處理腔室 88 :支架/ϋ盒 89 : WHC機器人 h :南度 t :厚度 21

Claims (1)

1. 200816347 24675pif 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體晶圓搬運裝置，包含： 耐高溫大體上透明之頭部分，其經裝置以傳送具有 200毫米或更小之直徑的晶圓，所述頭部分具有經配置 與所述晶圓相抵地導向氣流之至少一氣體出口以使用白 ^ 努利效應來支撐所述晶圓，其中所述頭部分經裝置位於 所述整個晶圓之上；以及 p 狹長之高溫材料透明頸，其具有第一端以及第二 / 端，在所述第一端上連接至機器人臂且在所述第二端上 連接至所述頭部分，其中所述頭部分與所述頸是流體連 通的。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓搬運裝 置，其中所述頭部分具有約為200毫米±5毫米之直徑。 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓搬運裝 置，其中所述至少一氣體出口經形成角度以導向氣體越過 所述晶圓之上表面且向外流動至所述晶圓之周邊，以在所 〇 述晶圓上方產生小於所述晶圓下方之壓力的壓力。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓搬運裝 置，其中所述頸連接至氣體供應。 . 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓搬運裝 ^ 置，其中所述頭部分由石英形成。 6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓搬運裝 置，其中所述頭部分大體上為圓形。 7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓搬運裝 22 200816347 24675pif 置，其中所述頭部分以及所述頸包含石英形成。 8·^種半導體處理工具，包含： 處理腔室； 支架，其具有多個垂直堆疊之晶圓狹槽；以及 • 耐高溫大體上透明之晶圓搬運裝置，其具有頭部 - 分，所述頭部分經裝置來以大體上非接觸之方式自上面 支撐具有2〇〇毫米或更小之直徑的晶圓，其中所述頭部 分經裝置位於大體上所述整個晶圓之上，其中所述晶圓 1 搬運裝置用以存取所述支架中之所述晶圓且將所述晶圓 傳送至所述處理腔室。 9 ·如申明專利乾圍弟8項所述之半導體處理工具，其 中所述狭槽之間距至少約為0.1875英忖。 10·如申請專利範圍第8項所述之半導體處理工具，其 中所述支架具有至少兩個狹槽。 11·如申凊專利範圍第8項所述之半導體處理工具，其 中所述晶圓搬運裝置連接至氣體供應部且經裝置以沿所述 } 晶圓之上表面產生氣體流，以產生所述晶圓之上表面與所 述晶圖之下表面之間的壓力差。 I2·如申請專利範圍第11項所述之半導體處理工異， 其中所述壓力差產生的提昇力將所述晶圓支撐二所述晶® - 搬速装置之所述頭部分下方。 ^ 13·如申請專利範圍第8項所述之半導體處理工異，其 中戶斤述晶圓搬運裝置由石英形成。 ％ μ·如申請專利範圍第8項所述之半導體處理工具，其 23 200816347 24675pif 中所述頭部分包括多個氣體出口。 15β如申請專利範圍第8項所述之半導體處理工具，更 包含載入鎖定腔室以及晶圓搬運腔室，其中所述晶圓搬運 腔室連接至所述載入鎖定腔室以及所述處理腔室，其中所 述晶圓搬運裝置位於所述晶圓搬達腔室内且所述支架位於 所述載入鎖定腔室内。 16·如申凊專利範圍第g項所述之半導體處理工具，其 Ο ο 中所述曰曰圓搬運裝置經裝置以使用白努利原則來傳送所述 晶圓。 17·_如申請專利範圍第8項所述之半導體處理工具，其 中所述頭部分為大體上鳥平的且具有· ± β 。 一七小 從干等體基板搬運裝置，包含·· =央卿分，其經裝置以位於具有测㈣或更小 採用板之整個上表面之上，其中所述頭部分藉由 木努利原則來支樓所述基板，·以及 二長申其與所述頭部分流體連通。 置，其中:述置=所述之半導體基板搬運裝 生健區的方式供錢體=^圓之上表面之上產 晶圓。 各此朝向所述頭部分提取所逑 20.如申請專利範圍 置，其中所述頭部分大體上為圓=之半導體基板搬運裝 21 ·如申凊專利範圍第】卩' g 弟18項所述之半導體基板搬運裝 24 200816347 24675pif =其中所述頭部分包含至少-氣體出口，所述至少一氣 、士。 乩日日固之所述上表面相抵地導向氣 置，豆利耗圍第21項所述之半導體板搬運裝 置/、中所述至少一氣體出口連接至所述頭部分中之至少 一氣體通道。 23.—種傳送半導體晶圓之方法，包含： Ο ο 一將白努利棒之頭部分定位於具有200毫米或更小之 直 <二，所述晶圓之整個上表面之上，其中所述頭部分由 用於南溫處理之材料形成； 藉由在所述晶圓之所述上表面之上產生低壓區來朝 向所述頭部分提取所述晶圓；以及 在以所述低壓區支撐所述晶圓的同時以大體上非接 觸之方式傳送所述晶圓。 24·如申請專利範圍第23項所述之傳送半導體晶圓之 方法’其中所述晶圓之上表面上方之所述低壓區中的壓 力，低於在所述晶圓下方之壓力。 25·如申請專利範圍第23項所述之傳送半導體晶圓之 方法，其中之產生所述較低壓力區，包含越過所述晶圓之 所述上表面以大體徑向之方式流動氣體。 26·如申請專利範圍第25項所述之傳送半導體晶圓之 方法’其中氣體自所述頭部分之下表面中之氣體出口孔流 出0 27·如申請專利範圍第26項所述之傳送半導體晶圓之 25 200816347 24675pif 方法，其中所述氣體出口孔與氣體供應部流體連通。 28. 如申請專利範圍第23項所述之傳送半導體晶圓之 方法，其中所述頭部分大體上為圓形。 29. 如申請專利範圍第28項所述之傳送半導體晶圓之 方法，其中所述頭部分與狹長頸部分流體連通。 30. 如申請專利範圍第23項所述之傳送半導體晶圓之 方法，其中提取所述晶圓，包含朝向位於所述白努利棒之 下侧上的腳偏移所述晶圓，以使在傳送所述晶圓時僅有所 述晶圓之一邊緣接觸所述白努利棒。 31. 如申請專利範圍第23項所述之傳送半導體晶圓之 方法，其中所述用於南溫處理之材料為石央。 26