CN101496159A - 贝努利棒 - Google Patents

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Abstract

一种贝努利棒50，其用于在台架和热处理室之间传送薄的(例如200mm)半导体晶片60。所述棒50具有头部54，该头部被配置为覆盖全部晶片60。该头部54具有多个气体出口74，这些气体出口被配置为沿着晶片60的上表面产生气流，以在晶片60的上表面62与该晶片的较低表面68之间产生压力差。利用贝努利原理，该压力差产生一种升力，该升力以基本非接触的方式支撑晶片60于所述棒50的头部54之下。

Description

贝努利棒
技术领域
【0001】本发明涉及半导体衬底处理***，且更特别地涉及利用贝努利(Bernoulli)效应通过气流抬升衬底的半导体衬底拾取设备。
背景技术
【0002】集成电路通常由很多半导体器件组成，诸如晶体管和二极管的这些半导体器件被形成在半导体材料薄片上，已知如晶片。用于加工晶片中的半导体器件的一些过程涉及将该晶片放置到高温室中，在此处晶片暴露于高温气体，这导致在晶片上形成层。当形成这种集成电路时，通常必须将晶片加载到高温室中并将其从高温室中取出，在高温室中该晶片能够达到高达1200摄氏度的温度。这种高温过程的示例是外延化学气相淀积，但是本领域技术人员将容易想到其它高于例如400℃的处理的示例。然而，由于晶片极度易碎，且易受到微粒污染物的损坏，因此必须特别小心，从而避免在传送过程中物理破坏该晶片，特别是当晶片处于加热状态时。
【0003】为了避免在传送过程中破坏晶片，已经发展出各种晶片拾取设备。抬升晶片所依赖的特殊应用或环境通常确定最有效的拾取设备类型。被称为贝努利棒(Bernoulli wand)的一类拾取设备特别好地适用于传送非常热的晶片。由石英形成的贝努利棒特别有利地用于在高温室之间传送晶片，因为金属设计不能承受如此高的温度和/或可能在这种升高的温度下污染晶片。贝努利棒提供的优点在于热晶片一般不接触拾取棒，除了可能在一个或多于一个小***处，这些小***位于棒的下侧的晶片边缘的外侧，由此使棒对晶片的接触损坏最小化。用于高温晶片处理的贝努利棒被公开在被授予Goodwin等人的美国专利第5,080,549号和被授予Ferro等人的美国专利第6,242,718号中，二者的全部公开内容被合并于此作为参考。贝努利棒通常被安装在自动机械或晶片处理臂的前端。
【0004】特别地，当被置于晶片上方时，贝努利棒使用气体喷头在晶片上产生气流型式(pattern)，由此致使晶片正上方的压力小于晶片正下方的压力。因此，该压力失衡导致晶片受到向上的“升”力。此外，当朝着棒向上吸取晶片时，产生升力的相同喷头产生越来越大的排斥力，该排斥力防止晶片接触贝努利棒。结果，有可能以基本非接触的方式使晶片悬浮在棒的下面。
【0005】图1A中示出了一种用于在高温处理中传送200mm和更小的晶片的典型石英贝努利棒设计。该贝努利棒优选由石英形成，其有利地用于传送非常热的晶片。如图1A所示，贝努利棒10具有切削侧12，从而贝努利棒10能够在卡式台架上加载和卸载晶片，该卡式台架用于在多晶片处理装置中支撑多个晶片。
【0006】图1B是在卡式台架的架子16之间的贝努利棒10的平头部分14的平面视图。图1C中示出了带有各个槽17的典型卡式台架8。每个槽17能够支撑晶片20。典型地，这些卡式台架16在垂直柱中支撑大约26个200mm的晶片。如图1B所示，切削侧12允许贝努利棒10***到卡式台架的架子16之间。当被加载到卡式台架8的槽17中(如1C)时，在图1B中用虚线20示出的晶片20的相对***侧(其被保留未被切削侧12“覆盖”)由卡式台架8的架子16水平支撑，与此同时贝努利棒10被***到架子16之间。具有切削侧12的贝努利棒10被如此配置，从而它能够适配于架子16之间，由此允许相对密集堆叠的卡式台架8。
【0007】本领域所熟知的是，在加载到热处理室内的过程中，特别是加载到接受器的热表面上时，晶片通常将变得扭曲，因为晶片的下部比上部升温更快。这种不均匀的加热产生晶片的暂时扭曲，其被称为“卷曲”或“卷边”。在具有超过400摄氏度的温度的处理室中，卷曲是特别有问题的。当室温的晶片被置于诸如接受器的热衬底支持器上时，这种卷曲效应会很快出现。如果足够快，这一效应会使得晶片一接触就跳起，并可能在接受器上移动晶片偏离其期望位置。
【0008】卷曲的趋势来源于拾取和下落过程中在晶片中产生的温度梯度，并且还依赖于被处理的晶片的类型。晶片卷曲是一个问题，特别是对于非常薄的晶片。典型地，晶片越薄，它越有可能由于不同热膨胀系数和温度梯度的共同作用而卷曲。类似地，由两个层键合在一起的绝缘体上的硅(SOI)晶片具有卷曲的趋势。当衬底接触诸如接受器的热表面时，倾向于具有更高应力水平的一些重掺杂衬底更易于卷曲。同样，如上所述，晶片与落置晶片于其上的支撑衬底之间的非常高的温差将导致卷曲。
【0009】已经发现图1A-1C中所示的设计是特别有问题的。由于存在便于结合卡台使用的开放侧，已经发现如果晶片卷曲足够严重到导致晶片与棒10之间的接触的程度，卷曲晶片的前侧(此处形成有源器件)会被贝努利棒10的切削侧12刮蹭。也已经确定的是，棒10的切削侧12也通过增大横跨晶片的温差而助长卷曲的程度，该温差的增大是由于允许切削部分之下的晶片区域具有施加于其上的直接辐射而导致的。贝努利棒10的非切削部分之下的晶片部分起到滤除晶片的一些辐射的作用。
发明内容
【0010】根据本发明的一个实施例，提供一种晶片处理设备，其包括高温的基本透明的(high temperature substantially transparent)头部以及细长的高温颈。所述头部被配置为传送具有200mm或更小的直径的晶片，并具有至少一个气体出口，布置该气体出口以引导气流以一种方式抵顶所述晶片，从而根据贝努利效应支撑所述晶片。所述头部被配置为安置在整体晶片之上。所述细长颈具有第一端和第二端，并且被配置为在所述第一端连接到机械臂并在所述第二端连接到所述头部。所述头部与所述颈流体连通。
【0011】根据本发明的另一个实施例，提供一种半导体处理工具，其包括具有多个垂直堆叠的晶片槽的台架、高温的基本透明的晶片处理设备以及处理室。所述晶片处理设备具有头部，该头部被配置为从上面以基本非接触的方式支撑晶片，且所述头部被配置为安置在基本整个晶片之上。所述晶片处理设备被配置为在所述台架中存取所述晶片并传送所述晶片到所述处理室。
【0012】根据本发明的又一个实施例，提供一种用于传送半导体晶片的方法。将贝努利棒的头部放置到具有200mm或更小直径的所述晶片的整个上表面之上。所述头部是由用于高温处理的材料形成的。通过在所述晶片的所述上表面之上产生低压区来朝向所述头部吸取所述晶片，并以基本非接触的方式传送所述晶片，同时通过所述低压区支撑所述晶片。
附图说明
【0013】考虑到下面的说明、随附的权利要求和附图，本领域技术人员将容易明白本发明的这些和其它方面，其中这些内容意欲举例说明而不是限制本发明，且其中：
【0014】图1A是贝努利棒的示意性平面视图。
【0015】图1B是在卡台的架子之间的图1A中贝努利棒的平头部分的示意性顶平面视图。
【0016】图1C是卡式台架的示意性顶部正视图。
【0017】图2A示意性图示说明根据实施例的晶片传送***，其包括配置为接合半导体晶片的贝努利棒。
【0018】图2B是图2A中的贝努利棒的示意性顶部俯视图。
【0019】图2C是图2A中的贝努利棒的头部的下板(lower plate)中的有角度的气体出口孔的截面视图。
【0020】图2D是根据另一个实施例的贝努利棒的头部的侧视图。
【0021】图2E是包括贝努利棒的半导体处理***的示意图。
具体实施方式
【0022】以下优选实施方式和方法的详细说明展示某些特定实施例的说明，以帮助理解权利要求。然而，可以以权利要求所限定和覆盖的多种不同实施方式来实施本发明。
【0023】更具体地为了举例说明的目的参考附图，本发明体现为附图中一般示出的设备。应该认识到，未偏离本文所公开的基本原理的情况下，这些设备在配置和部件细节方面可能变化，且这些方法在具体步骤和次序方面可能变化。
【0024】下文所述的改进的晶片传送***包括改良的贝努利棒，该贝努利棒由用于高温处理的透明材料制成，并使与上述棒相关联的卷曲问题最小化，特别是超薄的200mm或更小的晶片中的卷曲问题。适当的透明高温材料包括但不局限于石英、玻璃和陶瓷。这种贝努利棒能够承受的温度在室温至大约1150℃范围内，且更优选地在大约400-900℃范围内，且尤其优选地在大约300-500℃范围内。本领域技术人员应该理解超薄晶片通常具有大约250-300μm的厚度。典型地，在贝努利棒中存在“开口区域”(如上所述在此处两侧被切削)，该“开口区域”允许晶片和周围空间之间的直接热能量传递。晶片的直接加热和冷却是通过贝努利棒中的这一“开口区域”发生的，由此助长不希望的卷曲效应。因为典型的高温200mm贝努利棒10的切削侧12可能允许接触和刮蹭晶片的前侧，所以卷曲效应显得更加有问题。通过改良该棒以使其在从热处理室加载和卸载过程中覆盖薄晶片的整个区域，由此使刮蹭导致的对晶片的潜在损伤最小化。由于其覆盖晶片的整个区域，改良的棒不具有如图1A和1B所示的贝努利棒的切削侧。
【0025】本文所述的晶片传送机构可以用在外延淀积***中，但是它也可以用在其它类型的半导体处理***中。本领域技术人员将理解，由于改良的棒不具有切削侧，它优选用于在具有大于或等于0.375英寸的架间隔或间距的台架中存取晶片，这将在下面更详细地描述。
【0026】现在参考附图，其中相同的数字始终指示相同的部件。图2A示意性地图示说明半导体晶片传送***29的一个实施例，其适于传送基本平坦的半导体晶片60进出高温室。特别地，***29包括具有可移动的贝努利棒50的晶片传送组件30，该贝努利棒50被配置为接合晶片60，优选为200mm或更小的晶片，以便以基本非接触的方式进行传送。***29进一步包括供气组件31，该供气组件适于向棒50提供例如氮气(N2)的惰性气体33的气流。应该理解，贝努利棒50通常安装在自动机械上，这与半导体处理领域中的其他末端执行器相同。
【0027】如图2A所示，供气组件31通常包括主气体容器32和与其相连接的主气体导管34。特别地，容器32优选包括密闭腔和压力调节器，该密闭腔适于在相对高的压力下存储大量的气体，而该压力调节器适于在较长时间段内可控地输送气体33流动经过导管34。作为替代，加压气源可以用于替代气体容器。
【0028】如图2A所示，晶片传送组件30包括气体接口36、导管40、机械臂44，该机械臂具有近端或后端41、可移动远端或前端43以及在二者之间延伸的密闭气体通道42。特别地，气体接口36适于和供气组件31的主气体导管34耦连，从而使得气体33能够流入机械臂44。此外，机械臂44的前端43适于可控地定位，从而以受控方式转移与其连接的贝努利棒50。
【0029】如图2A所示，贝努利棒50包括细长颈或后部52、前部或平头54以及多个对准足56。颈52包括第一端51和第二端53、上表面48以及从第一端51延伸到第二端53的密闭中央气体通道70。此外，颈52的第一端51被附连到机械臂44的前端43以允许气体33从机械臂44中的通道42流到贝努利棒50的颈部52中的中央气体通道70内。另外，贝努利棒50的颈部52的第二端53被附连到棒50的头54以物理地支撑头54并允许气体33从中央气体通道70流入头54。
【0030】如图2A示意性地显示，头54由基本平坦的上板(upper plate)66和基本平坦的下板64组成，该上板和下板以平行的方式组合在一起以形成具有第一端57、下表面55和上表面59的组合结构。头54被制成的尺寸和形状可覆盖晶片的整个区域，如图2B所示。在优选实施例中，头54是基本圆形的，没有切削侧，且优选被配置为用于传送具有200mm或更小直径的晶片。头54的直径优选大约与晶片的直径相同。例如，被配置为传送200mm晶片的棒50的头54优选具有大约200mm的直径。在一些实施例中，头54可能具有大于或小于晶片直径的直径。本领域技术人员将认识到太大的头54可能妨碍头54与台架或卡台之间的接口，而太小的头54可能不能提供充足的贝努利效应。因此，头54的直径优选为晶片直径±5mm，且更优选地为晶片直径±2mm。在一些实施例中，头54并不完全是圆形的，且沿一个轴的直径可能大于沿另一个轴的直径。头54具有厚度“t”(图2A和2D)，该厚度优选为大约1/8-3/8英寸，且更优选地为大约0.120英寸。在优选实施例中，每个板64、66的厚度为大约0.060英寸。
【0031】由于晶片的整个区域均被头54覆盖，不存在产生贝努利棒中的“开口区域”的切削侧，所以如上所述的晶片卷曲问题被最小化，该“开口区域”允许晶片和上面的周围空间之间的直接热能量传递(例如位于棒和晶片上方的热灯)。尽管透明，该贝努利棒起到滤除某些频率的光的滤波器的作用。因此，由于不存在切削侧，没有通过“开口区域”发生的对晶片直接加热或冷却，由此在晶片的拾取和下落以及传送到和传送出热处理室的过程中最小化不希望的卷曲效应。具有切削侧的棒在“开口区域”根本不提供滤波器，而穿过“开口区域”的直接加热加重了卷曲动作。头的圆形设计对晶片的整个上表面提供均匀气流(优选为氮气)，由此使卷曲最小化并允许在更高温度下处理更薄的晶片。
【0032】此外，由于棒50的颈52、头54和足56优选由例如石英的高温透明材料构建成，因此贝努利棒50优选能够延伸到高温室内以操纵晶片60，该晶片具有高达1150℃的温度，且更优选地在大约400-900℃范围内，且尤其优选地在大约300-500℃范围内，同时最小化对晶片60的破坏。使用这种高温材料使得棒50能够用于拾取相对热的衬底而不污染该衬底。
【0033】此外，头54由颈52支撑并与颈52流体连通。如下所述，头54进一步适于允许气体33流向多个气体出口孔74(图2B)，这些气体出口孔位于头54的下表面55上(图2A)。如图2B所示，头54进一步包括密闭中央气体通道71和从通道71横向延伸的多个密闭侧通道72，其中该中央通道71和每个侧通道72形成为头54的下板64的上表面中的沟槽，如图2B所示。作为替代，中央通道71和所述多个通道可以形成在上板66的下表面中。此外，每个侧通道72从中央通道71处延伸以允许气体33从中央通道71流向每个侧通道72。另外，头54进一步包括多个成角度分布的气体出口孔74，这些气体出口孔穿过下板64从侧通道72延伸到头54的下表面55(图2A)，从而由此处产生气流76，该气流具有在晶片上朝外的大致径向型式，如图2A和2C所示。本领域技术人员将理解成角度气流的型式造成贝努利效应。
【0034】当棒50被置于具有平坦上表面62和平坦下表面68的晶片60上时，晶片60变得以基本非接触的方式接合棒50，如图2A所示。特别地，如图2A所示，气流76从上方水平地和径向地射过晶片60的上表面62，在晶片60之上产生低压区，此时晶片上面的压力小于晶片下面的压力。因此，根据贝努利效应，晶片60受到向上的“升”力并被吸取到头部54。
【0035】向上的力促使晶片60基本移置到平衡位置，其中晶片60飘浮在头54下方，基本不接触头54。特别地，在该平衡位置，由气流76造成的施加到晶片60上而冲击晶片60的上表面62的向下反作用力与施加到晶片60上的重力组合在一起抵消升力。因此，晶片60飘浮在头54下方相对于头54基本固定的位置处。此外，当晶片60以上述方式与头54接合时，晶片60的平面定向为基本平行于头54的平面。此外，与晶片60的直径相比，晶片60的上表面62到头54的下表面55的距离通常较小。这一距离优选在大约0.008-0.013英寸的范围内。
【0036】为了防止晶片60以水平方式移动，孔74成角度分布以对气流76施加横向偏压，这导致晶片60稍微朝向棒50的足56运动。根据实施例，这些足具有从棒50的下表面55起大约0.08英寸的高度“h”(图2D)。因此，晶片60的非敏感边缘表面69随后接合所述足56以防止晶片60相对于棒50的进一步横向运动，如图2A所示。
【0037】本领域技术人员将理解，所述足可以放置在头54的任一端以防止晶片60相对于棒50的进一步横向运动。在一些实施例中，如图2A、2B和2D所示，足56位于头54的近端。在其他实施例中，这些足位于头的远端。应该理解，如果棒50结合例如卡台的台架一起使用，足56优选位于头54的近端，如图2A、2B和2D所示。本领域技术人员将认识到，如果棒50不结合台架一起使用，这些足可以位于头的远端。足56优选也由例如石英的高温材料形成。
【0038】在图2E中图示说明半导体处理***85的一个实施例。图2E是示出半导体处理***85的一部分的示意性纵览图。如图2E所示，负载端口或装载室84优选与晶片处理室(WHC)86相连接。在图示说明的实施例中，贝努利棒50连接到位于WHC 86中的WHC自动机械89上。根据这一实施例，贝努利棒50被配置为在台架或卡台88内存取晶片，该台架或卡台被配置为支撑200mm晶片以便实现从加载端口或装载室84到处理室87的传送，其中可以在接受器上处理晶片。优选地，装载室84内的台架88比标准200mm晶片卡台8(图1C)具有更大的垂直槽间间距。因此，贝努利棒50可以伸入槽内以便加载和卸载晶片。
【0039】本领域技术人员将理解，在其他实施例中，靠近WHC 86和WHC自动机械89可以存在多个处理室87和/或装载室84，且贝努利棒50可以被定位以有效地进入所有单个处理室和冷却位置的内部，而不需要与台架相互作用。在这种***中，可以提供分离的末端执行器(例如药匙)以与台架相互作用。处理室87可以用于在晶片上执行相同处理。作为替代，如本领域技术人员所认识到的，处理室87可以分别在晶片上执行不同处理。该处理包括但不局限于溅射、化学气相淀积(CVD)、刻蚀、灰化氧化、离子注入、光刻、扩散等等。每个处理室87通常包含接受器或其他衬底支撑体以便在处理室87内支撑要处理的晶片。处理室87可以安装有到真空泵、到处理气体注入机构以及到排气和加热机构的连接。
【0040】台架88可以是便携卡台或固定台架，其在装载室84内具有优选大约10-20且更优选大约12-14的晶片容量。本领域技术人员将理解，在贝努利棒50与装载室84相互作用的实施例中，卡台或台架88应该具有配置为不太稠密的槽(与标准卡台相比具有增大的间距)，从而堆叠在台架88中的每个晶片之间的距离大于配置为结合贝努利棒10一起使用的台架中的晶片之间的距离，该贝努利棒10具有如图1A和1B所示的带有切削侧12的构形。不太稠密地(与图1C所示的标准200mm的晶片卡台8相比)堆叠台架88的原因在于具有基本圆形头54的该实施例的贝努利棒50不能***到标准槽17的架子16之间，因为在缺少图1A和1B所示的贝努利棒10的切削侧12的情况下，头54太宽。优选地，优选台架88中的槽之间的间距或间隔优选为至少大约0.1875英寸，且更优选地为至少大约0.25英寸，且最优选地为大约0.375英寸。因此，根据这一实施例，优选将头54***到台架88内且在***晶片的槽的架子之上，从而可以由该架子支撑该晶片。
【0041】通过使贝努利棒50以上述方式接合晶片60，由机械臂44的远端43的运动引起的贝努利棒50的运动有利地产生晶片60的实质上无接触的拾取、运动和下落。由这一无接触传送晶片60造成的任何卷曲导致(如果有的话)只有晶片60的边缘(与其上形成有源器件的晶片的顶侧或前侧相对)接触贝努利棒50。
【0042】尽管已经在某些特定实施例和示例的背景下公开了本发明，本领域技术人员应该理解，本发明超越特别公开的实施例而延伸到本发明的其他可替代实施例和/或用途及其明显修改。因此，应认识到此处公开的本发明的范围不应受到上述特别公开的实施例的限制，而应仅由随附权利要求的合理解释来确定。

Claims (31)

1.一种半导体晶片处理设备，其包括：
高温的基本透明的头部，其被配置为传送具有200mm或更小的直径的晶片，所述头部具有至少一个气体出口，该气体出口被布置成以引导气流以一种方式抵顶所述晶片，从而利用贝努利效应支撑所述晶片，其中所述头部被配置为安置在整体晶片之上；以及
细长的高温材料透明颈，其具有第一端和第二端，所述颈被配置为在所述第一端连接到机械臂并在所述第二端连接到所述头部，其中所述头部与所述颈流体连通。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部具有大约200mm±5mm的直径。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述至少一个气体出口成一定角度以引导气体越过所述晶片的上表面并向外流到所述晶片的***，从而在所述晶片之上产生一压力，该压力小于所述晶片之下的压力。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述颈被连接到气体供给源。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部是由石英形成的。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部是基本圆形的。
7.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部和所述颈包括石英。
8.一种半导体处理工具，其包括：
处理室；
台架，其具有多个垂直堆叠的晶片槽；以及
高温的基本透明的晶片处理设备，其具有头部，该头部被配置为从上面以基本非接触的方式支撑具有200mm或更小的直径的晶片，其中所述头部被配置为安置在基本整个晶片之上，其中所述晶片处理设备被配置为在所述台架中存取所述晶片并传送所述晶片到所述处理室。
9.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述槽的节距为至少大约0.1875英寸。
10.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述台架具有至少两个槽。
11.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述晶片处理设备被连接到气体供应源并被配置为沿着所述晶片的上表面产生气流，以在所述晶片的上表面与所述晶片的较低表面之间产生压力差。
12.根据权利要求11所述的半导体处理工具，其中所述压力差产生升力，该升力在所述晶片处理设备的所述头部之下支撑所述晶片。
13.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述晶片处理设备是由石英形成的。
14.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述头部包括多个气体出口。
15.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其进一步包括负载锁定室和晶片处理室，其中所述晶片处理室被连接到所述负载锁定室和所述处理室，其中所述晶片处理设备位于所述晶片处理室内，且所述台架位于所述负载锁定室内。
16.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述晶片处理设备被配置为根据贝努利原理传送所述晶片。
17.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述头部是基本平坦的，并具有大约200mm±5mm的直径。
18.一种半导体衬底处理设备，其包括：
石英头部，其被配置为位于具有200mm或更小直径的衬底的整个上表面之上，其中所述头部被配置为通过利用贝努利原理支撑所述衬底；以及
细长的石英颈部，其与所述头部流体连通。
19.根据权利要求18所述的半导体衬底处理设备，其中所述头部被配置为以一种方式提供气体以在所述晶片的所述上表面之上产生低压区，由此朝向所述头部吸取所述晶片。
20.根据权利要求18所述的半导体衬底处理设备，其中所述头部是基本圆形的。
21.根据权利要求18所述的半导体衬底处理设备，其中所述头部包括至少一个气体出口，该气体出口被配置为引导气流抵顶所述晶片的所述上表面。
22.根据权利要求21所述的半导体衬底处理设备，其中所述至少一个气体出口被连接到所述头部中的至少一个气体通道。
23.一种传送半导体晶片的方法，其包括：
将贝努利棒的头部放置到具有200mm或更小直径的所述晶片的整个上表面之上，其中所述头部是由用于高温处理的材料形成的；
通过在所述晶片的所述上表面之上产生低压区来朝向所述头部吸取所述晶片；以及
以基本非接触的方式传送所述晶片，同时通过所述低压区支撑所述晶片。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述晶片之上的所述低压区中的压力低于所述晶片下面的压力。
25.根据权利要求23所述的方法，其中产生所述低压区包括使气体以大致径向方式流动经过所述晶片的所述上表面。
26.根据权利要求25所述的方法，其中气体从所述头部的较低表面中的气体出口孔流出。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述气体出口孔与气体供应源流体连通。
28.根据权利要求23所述的方法，其中所述头部是基本圆形的。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述头部与细长颈部流体连通。
30.根据权利要求23所述的方法，其中吸取所述晶片包括偏压所述晶片朝向位于所述贝努利棒的下侧上的足部，从而当传送所述晶片时仅有所述晶片的一个边接触所述贝努利棒。
31.根据权利要求23所述的方法，其中用于高温处理的所述材料是石英。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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