TW200524041A - Oxidation method - Google Patents

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Description

200524041 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發^„料㈣㈣ 施氧化處理之氧化方法。 & &之表面實 【先前技術】 導二：製造半導體積體電路，會對含切基板等之半 導體曰曰®貫行成膜處理、韻刻處理、 之+ 理、改暫♦饰μ 乳化處理、擴散處 ^ 、处專各種處理。於上述各種處理t，例如，4 ^’衆所周知該氧化處理用於氧化單結晶 =膜之表面等之情形以及氧化處理金屬膜之情形等，特 別疋’主要用於形成閘極氧化膜或電容器等之絕緣膜時。 在此，作爲於減壓下進行薄膜形成之減壓氧化方法存有 以下方法：於減壓爐内僅導入h2、〇2，實行氯燃燒氧化之 f法i例如專利文獻1);藉由以使用電漿之外部燃燒裝置使 風與氧燃燒’從而產生水蒸汽，利用該水蒸氣實行氧化之 濕式氧化處理方法（例如專利文獻2)。又，作爲其他濕式氧 化處理法，衆所周知有利用觸媒於低溫下自氫與氧產生水 瘵汽，將其導入減壓爐内之方法（專利文獻3)，或於減壓爐 内導入氫及氧而產生活性物種，利用該活性物種實行氧化 之方法（專利文獻4、5)等。 [專利文獻1]曰本專利特開昭57-1232號公報 [專利文獻2]日本專利特開平3-14〇453號公報 [專利文獻3]曰本專利特開平η-33〇468號公報 [專利文獻4]日本專利特表2〇〇 1-527279號公報 95377.doc 200524041 [專利文獻5]曰本專利特開2〇〇2-丨76〇52號公報 另外，作爲絕緣膜，考慮到耐壓性、耐腐蝕性、可靠性 寺膜貝特性而言，-般說來，藉由濕式氧化處理形成者優 於藉由乾式氧化處理形成者。又，考慮到形成之氧化膜 (絕緣膜)之成膜率或晶圓面内之均一性之觀點，一般說來 二有X下特!生’藉由常塵下之濕式氧化處理而形成者氧化 率較高，但膜厚之面内均一性較差；藉由減麼下之濕式氧 化處理而形成者卻反而氧化率較低，但膜厚之面 較好。 過去以來’半導體積體電路之設計規則並非如此嚴格， =而適當考慮適用氧化膜之用途或製程條件、裝置成本 二IS上述之各種氧化方法。然而，最近隨著線寬或 為更小，且設計規則變為嚴格，膜質之特性或膜厚 之面内均一性等之要求 φ 此於氧化處理方法 :存在：無法對應該要求之問題。特別是，難 例如2刚下之薄膜於該膜厚控制性良好之 又如專利文獻3所示，於低溫下使用觸 產 :蒸:…存在有因使用白金等高價觸媒，=: 身之成本極南之問題。 【發明内容】 本發明係鑒於上述問題開發而成 揾供一豨忐瞄士+务明之目的在於 ^ _成M方法，其藉由限定製程條件， 極薄之氧化膜於不使用觸〃冑特別是膜厚 膜。 使用觸媒且膜厚控制性良好之狀態下成 95377.doc 200524041 本發明者等經對於砍晶圓之表面氧化進行銳意研究之結 果，發現於將氫及氧導入處理容器内進行氧化處理時，藉 由將裝私塵力上升到某一程度，使賦予氧化之氧化物種自 氫或氧之活性物種向水蒸汽遷移，藉此’即使於形成厚度 極薄例如2 nm左右之薄膜之情形時’亦可使該膜厚之控^ 性提高，因而完成本發明。 請求項1之發明係一種氧化方法，其於可形成真空之處 理谷盗内導入氫及氧，使兩種氣體燃燒從而產生水蒸汽， 藉由6亥水蒸况氧化處理被處理體之表面， 述處理容器内之製㈣力設爲2_邱5㈣以上在於將上 因而’將氫及氧導入處理容器内進行氧化處理時，藉由 將製㈣力上升某一程度以上，使賦予氧化之氧化物㈣ 虱或氧之活性物種向水蒸汽遷移，藉此，即使於形成厚产 極^如2 _左右之薄膜之情形時，亦可使該膜厚之控希二 與此同a守，膜厚之面内均一性或例如膜厚之面間均一 亦可維持為較高。 此情形時，例如，如請求項2之規^，上述處理容 之製程壓力爲10130 pa(76 T〇rr)以下。 又例如，如請求項3之規定，上述氧化處理之 為600〜l〇0(rc之範圍内。 、王’皿又 之製程溫度 又例如，如請求項4之規定，上述氧化處理 為800〜85(TC之範圍内。 部氣體流 又例如，如請求項5之規定，上述氫及氧之全 95377.doc 200524041 量爲1升/min以下。 例如如明求項6之規定，氨流量相對於上述氣及氧 之王邛氣體流夏之流量比設為10〜40%之範圍内。 來又：：’如請求項7之規定，上述處理容器成型爲縱長 進行熱處理。 u而 發明效果 根據本發明之氧介 於將氯及氧導=可發揮如下之優異作用效果。 rrK, 处理谷為内進行氧化處理時，藉由將製 ㈣力上升到某—程度，可使可賦予氧化之氧化物種自 或氧之活性物種向水n狡“ 之乳化物種自虱 “、、a遷移，藉此，即使形成 例如2 nm左右之薄 更开/成；度極薄 高。又盒此同時t ”亦可使該膜厚之控制性提 面間均一性維持為較高。 ㈣々性或例如膜厚之 "進而，無需使用先前於形成薄膜 風燃燒裝置而可_由朽μ日 而之觸媒方式的 【實施方式】 易之裝置構成而實現薄膜形成。 以下，依據附圖就本發 細解說。 处方法之一實施例加以詳 圖1係表示用以實旆 圖。 、奴明方法之熱處理裝置之構成 首：，就實施本發明方法之熱 如圖1所示，該縱長 忒置加以5兒明。 筒體狀之石英|y’、、处理衣置2含有天井部之長型圓 为展的處理容哭」 ^ 口口 4,该處理容器4之下端得以開 95377.doc 200524041 放之方式形成開口部6，於其外周設置接合用之邊緣部$。 該處理容器4藉由圓筒體狀之隔熱材料12包圍從而形成加 熱爐，該隔熱材料12於内側配設有作爲加熱機構之加熱器 10 ° 於處理容器4之下部側壁’以分別貫通之方式設置有用 於導入作爲處理氣體之氫的氫導入噴嘴14及用於導入氧之 氧導入噴嘴丨6,並且將該等各噴嘴14、16沿處理容器斗之 内側壁延伸至天井部爲止，自天井部將各氣體對應各自之 需要控制流量並喷ώ。再者，雖未圖 <，但亦可根據需要 設置導入氮氣之喷嘴’可於必要時可控制氮氣流量並導 入。進而，於處理容器4之下部側壁，形成有用以將處理 容器4内之環境氣體排出之較大口徑之排氣口 18，該排氣 口 18連接有介設有排氣泵之未圖示之排氣系統。 該處理容器4之邊緣部8之最外周，藉由例如不銹鋼製之 基底板20得以支持，從而保持處理容器4之整體。而且， 該處理容器4的下端部之開口部6可藉由石英製或不銹鋼製 之底蓋部24打開及關閉，該底蓋部24可藉由例如如螺拾^ 降機般之升降機構22升降。於該底蓋部24上，介以保溫筒 28載置有石英製之作為被處理體支持機構的支持螺栓％， 藉由底蓋部24之升降可對於處理容器4内負载或卸載，該 支持螺裎26可以特定間距多段載置作爲被處理體之例如矽 晶圓w。再者，亦可將該支持臂26設為旋轉，亦可設為 旋轉。 … 於如此形成之熱處理裝置2内進行特定處理之情形時， 95377.doc 10 200524041 y先：於使升降機構22下降之卸載狀態下，於支持螺栓％ 夕^又載置石夕曰曰圓w，上升驅動升降機構22。藉由上升驅動 升降機構22，底蓋部24隨之上升，多段載置有5〇〜1〇〇片左 f例如100片之複數片例如8寸晶圓的支持螺检26自處理容 器4之7端開口部6向内部搬入而負載，最終該開口部6藉 由，盍部24關閉為密封狀態，從而使得處理容器*内關閉 為氣禮、狀態。 。:且<’升高加熱器1G之溫度，將石夕晶圓w升溫至特定製 矛幻皿度爲止’並且將必要之製程氣體，即氫氣及氧氣分別 !制流量並流動’且將處理容器4内之_力維持為特 疋[力it仃特定熱處理，從而氧化石夕晶圓w之表面，於 此形成氧化膜。再者，此時亦有流動氮氣之情形。、 在此’於本發明方法中將處理容器4内之製㈣力 叫5 T_上。藉此，使導入處理容器⑺之氯及 乳產生燃燒反應而產生水蒸汽，該水蒸汽成爲氧化物種而 ^化石夕晶圓W之表面’於此形成氧化膜⑽2)。於此情形 日”不同於使用氯或氧之活性物種作爲氧化物種 =理之先前方法’不僅膜厚之面内均一性，亦可將支持 ^26内之上下方向之晶圓間之具有膜厚均—性的面間均 為較高。又，本發明方法即使於成膜率較低之區 成例了厚之面内及面間均一性維持為較高，故 ^列如可預見今後將成爲必要之膜厚為2nm以下 二，亦可將複數片之矽晶圓以將其臈厚之面内及面間均―、 '維持為較高且提高膜厚之控制性之方式進行氧化處理。 95377.doc 200524041 H _製㈣力之上限，爲防止氫及氧產生***之 激烈反應，因而μ听 由丨 而上限之製程壓力爲1〇13〇 pa(76 T〇rr)左 右。又’關於製程溫度，該溫度範圍為例如600〜1000。。左 右之範圍内。此情形時，於形成2 nm以下之薄膜時必須抑 製成膜率而使膜厚控制性提高，故而較好的是例如 .8501：之範圍内。又，於該_〜8抓之溫度範圍令， 下所述即如阿列紐斯墨點圖表所示，具備因於更低溫 下成膜故而薄膜之控制性良好之優點。 情形日士，了將:寸晶圓收容100片左右之較大處理容器4之 :7 ::及虱之全部氣體流量，考慮到膜厚之面内均一 ，好疋1升/min以下，又其下限爲…升/此左右。進 而’氫相對於氬及氧 厚之面内均-性，'之流量比，考慮到膜 务 生較好疋〜50%之範圍内。 相::者故：已將實施本發明方法時之效果與先前方法加以 故而就其評價結果加以說明。 圖2係表示氧化處理時製程塵力與膜厚之 此處之製程條件係製程之：表。 0.9/U伽（升/min)[H2i農产·33 30/1 H2/〇2之乳體比爲 鐘。 ）[2/辰度.33_3%] ’成膜時間爲20分 圖2中曲線A表示本發明方法 法K使用觸媒自氫及氧產曲、❹表示先前方 。表示先前方法二==之濕式氧化處理)，曲線 支持螺检中之上方「:處理）°又’圖中之”卿，表示 石夕晶圓，"BTM"表 石夕晶圓，”咖，，表示中央區域之 、不下方區域之矽晶圓。再者，使製程壓 95377.doc 200524041 力於 0·25 Torr(33 Pa)〜76 Torr(10130 Pa)變化。 自圖2可知，於如本發明方法般將氫及氧直接導入處理 容器4内之曲線A之情形時，製程壓力為〇·25 ^^至} 左右時，氫或氧之活性物種變爲氧化物種，反應性隨壓： 上升而增加，從而膜厚變大，製程壓力為i T〇rr〜2〇几汀 時，活性物種失去活性，即所謂的失活成為支配狀態，^ 而反應性隨壓力上升而下降，從而膜厚亦隨之變小，直至 變為最低值。即，0.25〜20Τ〇ΓΓ爲止之範圍内之氧化模式 成爲活性物種氧化模式。於該活性物種氧化模式令， ，，T〇P、”CTR，，、，’ΒΤΜ，，之間之膜厚差變為相當大^因此，’ 除〇·25 Ton*附近或20 Ton·附近’膜厚之面間均一性非常劣 化，故而並非較好。如此，可認為，,Tqp、"ctr"、”咖” 間之膜厚差變大之原因在於活性物種之產生、消失（失 之程度因晶圓位置而有大的差異。 接著，製程壓力為20Torr(2666 Pa)附近時，膜厚亦 增加之方向，隨著心增加，膜厚亦急劇增加。此時 I1；："20 Torm^ 差大約爲零，膜厚之面間均一性變 子 ^ , L 殳A非吊良好。可認為发 理由如下：於處理容器4内之高度方向之全部區域，4 私屋力為20 W附近時，氧化模式自活性物種氧 換爲藉由水蒸汽進行氧化之水蒸汽氧化模式。因此，、:刀 到膜厚之面間均一性衮 考慮 厚之面_ β ’成膜率（膜厚）非常小且膜 尽之面間均-性之良好、 ,7 , ^ , 征7土力在 15 丁〇rr(2〇〇〇 pa、 ，較好是使膜厚之面間均一 f王大約為零之2〇 95377.doc 200524041
Torr(2666 Pa)以上。 。從而，於上述之製程壓力範圍&，將氫及氧導入處理容 裔4内進行氧化處理而形成氧化膜，藉此於膜厚控制性良 好^狀態下形成膜厚非常薄例如2麵左右之氧化膜。此情 ^ 士上所述，考慮到氫及氧之混合氣體安全性，製程 屢力之上限值爲75 丁 Orr(1〇13〇pa)左右。又，於圖2中，曲 線A中製程壓力為〇·25 τ〇ιτ附近日夺，膜厚之面間均一性良 好，但成膜率（膜厚）過大，故而於形成2 nm左右之氧化膜 時膜厚控制性會劣化，因此並非較好。 以利用觸媒自氫及氧產生水蒸汽之方式於全壓力範 圍内進行水蒸汽氧化模式之曲線B，成膜率（膜厚）小於最 初’於製程塵力為15〜2〇 T〇rr之附近時，與曲線A一致， 其後有所增加’故而適用於以膜厚控制性良好地形成薄 膜，但如上述所述存在以下問題：因使用白金等觸媒，故 而裝置整體成本變得較高β χ ’表示乾式氧化處理之曲線 雖成膜率（膜厚）較小，但藉由該乾式氧化處理形成之 氧化膜之膜質並非良好，故而並非較好。 以下’目已對本發明方法之溫度依存性進行討論，故而 就其汗價結果加以說明。 圖3係表示於本發明方法中表示製程溫度與膜厚及膜厚 之面内=-性之關係的圖表，圖4係自圖3所示之結果獲得 <、十…舌化月b之阿列紐斯墨點的圖*。此時之製程條件 爲H2’〇2之氣體比爲〇·9/1·8 slm ’且為2〇分鐘成膜處理。圖 4中’於橫軸上取得[絕對溫度之倒數χΐ〇〇〇]，標記有溫度 95377.doc -14- 200524041 (c)。又爲參考，表示有常壓之水蒸汽氧化模式之特性。 如圖3所示，在此使製程溫度於6〇〇〜1〇〇〇。〇之範圍内變 化，隨著製程溫度之增加，膜厚（成膜率）亦隨之增加。= 該圖表可知，於該600〜1〇〇(rc之全部範圍内可形成氧化 膜，於膜厚控制性良好地形成膜厚為2 nm左右之薄膜時， 車乂好疋膜厚爲5 nm(成膜率：〇·25 nm/min)以下且爲85〇。[ 、下又，考慮到膜厚之面内均一性，較好是誤差士 1 %以 内且製程溫度為8〇(rc以上。亦即明白顯示，將製程溫度 。又^2於800〜85(rc之範圍以内，藉此可於其膜厚之控制性 非常良好之狀態下形成較薄之氧化膜。 在此自如圖4所示之阿列紐斯墨點圖表著眼於活性化能 ϊ °於該@ 4中’活性化能量藉由各圖表之斜率大小表 不，本發明方法中，製程溫度為85Qt以上則活化能變 大，85(TC以下則活化能變小。在此製程溫度為85〇它以上 之本發明方法之活化能大致同於常壓水蒸汽氧化模式之活 化此（特性直料大致平行）。在此，具備活化能較小者易 於控制薄膜之優點’故而自這一觀點可明瞭，較好是活化 能在較小之範圍，即製程溫度為85(TC以下者。 、下因於本發明方法中已對氫及氧之全部氣體流量進 行比較討論，故而就其評價結果加以說明。 /5係表示於本發明方法中，氫及氧之全部氣體流量與 \ ^膜厚之面内均_性之關係的圖表。該製程條件爲製 ㈣力為76 Torr’製程溫度爲_°C ’將氫/氧之氣體比維 持為1/2 ’且進行2〇分鐘之氧化處理。氫及氧之全部氣體 95377.doc 200524041 •里’以維持上述氣體比之狀態下變化為U升/‘Η升 /min 〇 、自^可知’隨著仏+〇2之全部氣體流量之增加，膜厚 (成版率）亦隨之增加，當全部氣體流量大約達到^升時，且 膜厚（成膜率）達到飽和。又，隨著全部氣體流量增力/，、 二p、"CTR”、”BTM”間之膜厚差略微擴大，且該膜厚 差亦於全部氣體流量達約】升時成為飽和。 與此相對，面内均一性幾/ 成手文全部氣體流量以及晶圓 位置之衫響，維持於大致 致1/0以下，可成為較好數值。從 而可判斷，於如可收容100片左 哭4肉、隹一". 寸日日圓之大小的處理容 二订乳化處理時’藉由將Hrf〇2之全部氣體流量設定 =二下，可以成膜率較小且於膜厚控制性良好之 狀d下成膜薄膜，又膜厚 維持為較高。Μ之面㈣-性及面間均-性亦可 二：而：：本發明方法中，已關於氫濃度進行比較討 _ 故而就其評價結果加以說明。 圖6係表示於本發明方法 内均-性之關係的圖表。二度與膜厚及膜厚之面 τ ^ ㈡表5亥製程條件為製程壓力爲76 丁 ，製程溫度爲900。〇 刀舄76 27^L/rn. θ 飞及虱之全部氣體量維持為 2.7升/min且進行2〇分鐘之氧化 了勹 10〜70%。再者，m °在此使氫濃度變化為 之氫'幻辰度错由相對於氫及氧之全部氣體量 ' /瓜里（H2/H2+〇2)得以定義。 自圖6可知，膜厚隨著氫濃 加。又此時，”T0P”、"CTR” "r升而以大致直線狀增 CTR BTM”間之膜厚差於全部 95377.doc 200524041 範圍内非常小幾乎固定，故而可顯示良好之值。 與此相對，氫濃度為10〜40%之範圍内時，關於膜厚之 面内均一性誤差為士1%以内，顯示良好效果。從而可明 瞭，為了於膜厚之控制性良好之狀態下，使膜厚之面間均 一性及膜厚之面内均一性較高地形成膜厚爲2 nm以内之薄 氧化膜，較好是將氫濃度特別是設定為10〜40%之範圍 内0 以下，因已對於圖6中說明之情形變更溫度或壓力而比 較讨淪氫濃度，故而就其評價結果加以說明。 圖7係表不於本發明方法中氫濃度與膜厚及膜厚之面内 均H /面間均一性之關係之圖表。該製程條件為，製程 壓力爲40 T〇rr，製程溫度爲8〇(rc，氫及氧之全部氣體量 維持於〇·5升/mm且進行3分鐘之氧化處理。在此使氫濃度 义化為10〜90%。再者’氫濃度藉由相對於氫及氧之全部 氣體量之氫流量（H2/H2+〇2)而定義。 自圖7可知，隨著氫濃度上升膜厚最初為大致直線狀地 增加，於中途大致飽和。但是僅，，TQp„之位置之晶圓之膜 厚略多於全體，於氫濃度66%以上急劇上升。其結果可判 斷為，膜厚之面間均一性於氳濃度為1〇〜2〇%之範圍内及 70〜80%之範圍㈣較大故而並非較好，但於氫濃度處於 20〜70%之範圍内時低如約15%以下故而較好。 與此相對，關於膜厘+ & & 』胰7予之面内均一性，因氫濃度在 10〜33%之範圍内及80〜90%之範圍内則誤差大於士1%，故 而並非較好，但氫濃度為33〜_之範圍内則誤差為士舰 95377.doc 200524041 内，故而可獲得良好結果。從而可明瞭 爲800°C時以膜厚之控制性良 能下佶；、幻皿度 良好之狀恶下使膜厚之面間均 一性及膜厚之面内均-性較高地形成膜厚爲2随以内之薄 乳化膜’較好是將氫濃度設定為特別是33〜7〇%之範圍 内 以下，因已使用本發明方法形成薄膜及厚膜，且 方法之情形進行比較，故而就其評價結果加以說明:、
广係表示形成膜厚為約2nm之薄膜時之評價結果的圖 表’圖9爲表示形成膜展氧的Q 闰本“ 厚為約8㈣之厚膜時之評價結果的 =去再者，此處使用之”薄膜”、，，厚膜”僅為對兩者比較 而吕者，並非定義絕對性之膜厚大小者。 此處分別表示的是進行本發明方法、作 使用觸媒產生之水蒸汽之溻式氧 . '而 ”，、八乳化處理、以及作爲务 法2使用〇2氣體之乾式氧化處理時之⑽、”ctr、"着， 之各數值與該等之平均值及面内均—性。又 時之製程條件揭示於各圖表之下方。 *化處理 例如如圖8所示之製程條件為，各處理 喊，製程壓力爲40Torr，氧化處理時間爲3m心圖爲 :斤不，製程條件為，各處理均為製程溫度爲崎，製程 壓力爲76 T〇rr，氧化處理時間爲20 min。 、 4由圖8及圖9所示之圖表可確認，根據本發明方法及先 :方：:’膜厚之面間均一性及面内均_性均顯示良好 值明方法可獲得與使用高價觸媒之先前方法 形大致相同的良好結果。 清 再者，先别方法2之情形時膜厚 95377.doc -18- 200524041 之面内均一性及面間均一性亦爲相當良好，但如同上所述 膜質並非良好，故而並非較好。 再者，本發明方法並非僅限於圖!所示之熱處理裝置， 亦可使用於例如自處理容器之底部導入氯、氧，自^井1 般之熱處理褒置。又’此處雖使用批量式之熱處理裝 月本發明，但並非僅限於此，亦可將本發明方法適用 於母次處理—片矽晶圓之所謂即片葉式之熱處理 【圖式簡單說明】 圖圖1係表示用於實施本發明方法之熱處理裝置之構成 圖2係表示氧化處理時製程壓力及膜厚之關係之圖表。 ㈤係表示於本發明方法中製程屢力與膜厚及膜厚 内均一性之關係之圖表。 圖4係自圖3所示結果獲得據以計算活化能之 點的圖表。 所墨 =5係表不本發明方法之氫與氧之全部氣體流量與^ 膜厚之面内均一性之關係的圖表。 、予 圖6係表示於本發明方本φ _、曲 均一性之關係的圖表中幻辰度與膜厚及膜厚之面内 均圖二表:：本發明方法中氫濃度與膜厚及膜厚之面内 一生/面間均一性之關係的圖表。 表0 圖8係表示形成膜厚爲約2脑之薄膜時之評價結果的圖 圖9係表示形成腺厘g 的圖 成膜尽4約8 nm之厚膜時之評價結果 95377.doc 19 200524041 表。 【主要元件符號說明】 2 熱處理裝置 4 處理容器 6 開口部 8 邊緣部 10 加熱器 12 隔熱材料 14 氫導入喷嘴 16 氧導入喷嘴 18 排氣口 20 基底板 22 升降機構 24 底蓋部 26 支持螺栓 28 保溫筒 # W 矽晶圓（被處理體） 95377.doc -20-

Claims (1)

  1. 200524041 十、申請專利範圍： 1· 一種氧化方法，其於可形成真空之處理容器内導入氬及 氧，使兩種氣體燃燒產生水蒸汽，藉由該水蒸汽氧化處 理被處理體表面，其特徵在於·· 將上述處理容器内之製程壓力設爲2〇〇〇 丁〇”）以 2. 如請求項工之氧化方法，其中上述處理容器内之製程麼 力爲 10130 Pa(76 Torr)以下。 3. 如請求項!或2之氧化方法，其中上述氧化處理之製程溫 度為600〜1〇〇〇。〇之範圍内。 4. 如請求項_之氧化方法，其中上述氧化處理之製程溫 度為800〜850°C之範圍内。 1 5 ·如凊求項1至4中任一工苜夕翁儿士、+ ^ , 項之乳化方法，其中上述氫及氧之 王氣體流置為1升/min以下。 6·如請求項1至5中任一頊夕外士、+ 甘山产 、、& ^ 員之虱化方法，其中氫流量相對於 =述虱及乳之全部氣體流量之流量比設為丨。〜術。之範圍 7.如請求項1至6中任一項之4., ^ 員之虱化方法，其中上述處理容 成型爲縱長形，可蔣^ 了將上述被處理體一次收容複數片至兮 處理容器内，進行熱處理。 5亥 95377.doc
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