JP2008066317A - 絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置並びにシリコンカーバイドの基板の表面処理方法 - Google Patents
絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置並びにシリコンカーバイドの基板の表面処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008066317A JP2008066317A JP2006218012A JP2006218012A JP2008066317A JP 2008066317 A JP2008066317 A JP 2008066317A JP 2006218012 A JP2006218012 A JP 2006218012A JP 2006218012 A JP2006218012 A JP 2006218012A JP 2008066317 A JP2008066317 A JP 2008066317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- solution
- substrate
- forming
- substrate surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 49
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005502 peroxidation Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 115
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/049—Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 水素を含む雰囲気中で基板10の表面を加熱した後、その表面を酸化性溶液22中に浸漬し、または酸化性溶液を噴霧し、あるいは酸化性溶液の蒸気に曝す工程を有する。これにより、酸化性溶液22と接触する基板10の表面における反応性の向上が期待でき、その基板10の表面に極薄膜であっても高性能な絶縁膜が形成される。
【選択図】 図1B
Description
<第1の実施形態>
図1Aおよび図1Bは、本実施形態の絶縁膜形成装置の説明図である。尚、本実施形態では、基材として、3C−SiC(立方晶のシリコンカーバイド)を用いた(以下、便宜上、基板またはシリコンカーバイド基板とする)。また、このシリコンカーバイド基板は、基板上に厚さ6μmのエピタキシャル成長層を形成した、面方位(100)であって、表面抵抗率が0.02〜0.03Ω・cmのn形基板であった。
第1の実施形態による方法により形成された構造体500の両面に、電極用の金属膜(金属を含む膜)62,63を形成した。その後、絶縁膜51が形成されている側の金属膜62について、公知のフォトリソグラフィ工程によりこの金属膜を所望の電極形状(直径3mmの円形)にパターニングして、図2Bに示すようなMOSキャパシタ600を製造した。尚、この金属膜は、電極用Al合金(約1重量%のシリコン(Si)を含むアルミニウム(Al)合金)を、周知の抵抗加熱処理蒸着法により膜厚約200nmに堆積することにより形成されている(以下、この種の金属膜電極を単にAl電極と称する)。ここで、電極用の金属膜はこのAl電極に限るものではなく、他の金属であっても良い。また、この金属膜による電極に代えて、ポリシリコン電極を用いることもできる。
12 支持台
14 処理チャンバー
16,26,36 ヒーター
24 処理槽
34,44 容器
46 噴霧器
100,200,300,400 処理装置
51 絶縁膜
62,63 金属膜
500 構造体
600 MOSキャパシタ
Claims (16)
- 水素を含む雰囲気中で少なくとも基材表面を加熱した後、前記基材表面を酸化性溶液中に浸漬し、または前記溶液を噴霧し、あるいは前記溶液の蒸気に曝す工程を有する基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記酸化性溶液は、硝酸、過塩素酸、硫酸、オゾン溶解水、過酸化水素水、塩酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と硝酸との混合溶液および王水の群から選ばれた少なくとも1つの溶液である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記雰囲気中における加熱温度は200℃以上600℃以下であり、前記酸化性溶液は濃度20%以上の硝酸溶液である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記水素の濃度が75vol%以上である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記基材が、シリコンカーバイド、シリコン、ポリシリコンの群から選ばれる請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記絶縁膜が主として二酸化シリコン(SiO2)である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記酸化性溶液は、沸点近傍または沸点に加熱された熱硝酸である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記酸化性溶液は、室温から沸点近傍または沸点にまで加熱される熱硝酸である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記酸化性溶液は、沸点近傍または沸点に加熱された所定濃度の硝酸と、略共沸状態または共沸状態の硝酸との、少なくとも2種類である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 前記酸化性溶液は、任意濃度の硝酸が室温から略共沸状態または共沸状態の硝酸になるまで加熱された溶液である請求項1に記載の基材表面への絶縁膜形成方法。
- 請求項1に記載の方法によって絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の方法によって形成された絶縁膜を備える半導体装置。
- 水素を含む雰囲気中で少なくとも基材表面を加熱する手段と、その後、前記基材表面を酸化性溶液中に浸漬し、または前記溶液を噴霧し、あるいはその蒸気に曝す手段を有する基材表面への絶縁膜形成装置。
- シリコンカーバイド基板の少なくとも表面を、水素を含む雰囲気中において200℃以上600℃以下で加熱する工程を有するシリコンカーバイド基板の表面処理方法。
- 前記水素の濃度が75vol%以上である請求項14に記載のシリコンカーバイド基板の表面処理方法。
- 請求項14に記載の方法によって形成される基板表面の二乗平均粗さ(Rq)が0.5nm以下のシリコンカーバイド基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006218012A JP5224570B2 (ja) | 2006-08-08 | 2006-08-10 | 絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 |
PCT/JP2007/064759 WO2008018304A1 (fr) | 2006-08-08 | 2007-07-27 | Procédé de formation d'un film isolant, appareil pour former le film isolant, procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, dispositif semi-conducteur et procédé de traitement de surface pour substrat en carbure de silicium |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006215822 | 2006-08-08 | ||
JP2006215822 | 2006-08-08 | ||
JP2006218012A JP5224570B2 (ja) | 2006-08-08 | 2006-08-10 | 絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008066317A true JP2008066317A (ja) | 2008-03-21 |
JP5224570B2 JP5224570B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=39032838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006218012A Expired - Fee Related JP5224570B2 (ja) | 2006-08-08 | 2006-08-10 | 絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5224570B2 (ja) |
WO (1) | WO2008018304A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102844846A (zh) * | 2010-02-16 | 2012-12-26 | 小林光 | 一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法、以及太阳能电池的制造装置 |
WO2018054597A1 (en) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6162188B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2017-07-12 | 小林 光 | 太陽電池の製造装置 |
WO2012014668A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | 株式会社Kit | 太陽電池およびその製造方法、並びに太陽電池の製造装置 |
JP5806667B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2015-11-10 | 小林 光 | 太陽電池およびその製造方法、並びに太陽電池の製造装置 |
CN113764121B (zh) * | 2021-09-18 | 2022-06-21 | 西安电子科技大学 | 一种锑掺杂二氧化锡导电薄膜及其制备方法和应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0684887A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの保護膜形成方法及び同装置 |
JPH06140615A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JPH11186256A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法 |
JP2004047935A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-02-12 | Japan Science & Technology Corp | シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006218012A patent/JP5224570B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-27 WO PCT/JP2007/064759 patent/WO2008018304A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0684887A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの保護膜形成方法及び同装置 |
JPH06140615A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JPH11186256A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法 |
JP2004047935A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-02-12 | Japan Science & Technology Corp | シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102844846A (zh) * | 2010-02-16 | 2012-12-26 | 小林光 | 一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法、以及太阳能电池的制造装置 |
CN102844846B (zh) * | 2010-02-16 | 2015-07-01 | 小林光 | 一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法、以及太阳能电池的制造装置 |
WO2018054597A1 (en) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008018304A1 (fr) | 2008-02-14 |
JP5224570B2 (ja) | 2013-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4708426B2 (ja) | 半導体基板を処理する方法 | |
JP3604018B2 (ja) | シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
TWI331364B (ja) | ||
JP5224570B2 (ja) | 絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2001319918A (ja) | 基板表面の処理方法、半導体素子向け基板表面の処理方法 | |
TW200418185A (en) | A method for making a semiconductor device having an ultra-thin high-k gate dielectric | |
JP4095615B2 (ja) | 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法 | |
TW200539341A (en) | Thin film transistor and method for manufacturing same, display device, method for modifying oxidized film, method for forming oxidized film, semiconductor device and method for manufacturing same, and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
TW201203385A (en) | Silicon carbide semiconductor device manufacturing method | |
JP3122125B2 (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
JPH10229080A (ja) | 酸化物の処理方法、アモルファス酸化膜の形成方法およびアモルファス酸化タンタル膜 | |
JP4567503B2 (ja) | 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC−MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC−MOS型集積回路 | |
JP4237147B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、表示装置、酸化膜の改質方法 | |
WO2007010921A1 (ja) | 酸化膜の形成方法並びにその酸化膜を備えた半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009267019A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5256444B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
JP4372732B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法および酸化膜の改質方法 | |
JP2008283001A (ja) | 多結晶シリコン薄膜上の酸化膜の形成方法及びその酸化膜を備えた半導体装置 | |
WO1990013912A1 (en) | Silicon oxide film and semiconductor device having the same | |
JP2002289612A (ja) | 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
TW591707B (en) | Method for producing substrate material and semiconductor device including plasma processing | |
JP7397186B2 (ja) | FinFET形成のためのキャップ酸化 | |
JP6162188B2 (ja) | 太陽電池の製造装置 | |
TW202324579A (zh) | 用於閘極堆疊開發的整合濕式清潔 | |
JP4027913B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090804 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |