TW200406442A - Low dielectric loss tangent films and wiring films - Google Patents

Description

200406442 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種為了對應至高頻訊號的介電損失的小 的配線薄膜及使用於其之低介質損耗因數薄膜。 【先前技術】 近年來，PHS、行動電話等的資訊通信機器的訊號頻帶， 電腦的CPU時序達到GHz帶，高頻化正在進行中。電氣訊號 的介質損失成比例於形成電路之絕緣體的比介質率的平方 根、介質損耗因數及使用之訊號的頻率的積。因此，使用 之訊號的頻率愈高，介質損失變愈大。介質損失因為使電 氣訊號衰減而有損訊號的可靠性，為了抑制此，有必要於 絕緣體選定介質率及介質損耗因數小的材料。於絕緣體的 低介質率化及低介質損耗因數化，分子構造中的極性基的 除去為有效，提案出以氟樹脂、硬化性聚烯烴、氰化酯系 樹脂、硬化性氧化聚酚缔、烯丙基變性聚酚缔醚、二乙晞 苯或是二乙缔莕變性之聚醚醯亞胺等。例如，代表於聚四 氟乙烯（PTFE)之氟樹脂，介質率及介質損耗因數皆低，使 用於處理咼頻汛號之基板材料。對於此，於有機溶劑可溶， 易處理，以非氟系的低介質率，低介質損耗因數的樹脂亦 正作種種檢討，例如，可舉出含浸特開平8-2〇8856號記載 之聚丁二烯等的二烯類聚合物於玻璃截面，以過氧化物硬 化之例；導入環氧基於特開平10-158337號記載之胭脂烯系 附加型聚合物，附與硬化性之環狀聚晞烴的例；加熱特開 平11-124491號記載之氰化酯、二烯類聚合物、及環氧樹 83944 200406442 脂，B階化之例；具備特開平9-1 18759號記載之氧化聚酚 埽、一浠類聚合物及異氰酸酯兹之變性樹脂的例；具備特 開平9-246429號記載之芳基化聚酚埽醚及異氰酸酯鉦等之 樹脂組成物的例；將特開平5-156159號記載之聚醚醯亞 月女、及苯乙烯、二乙埽苯或是二乙婦莕合金化之例；由特 開平5-78552號記載之二羥化合物及氧甲基苯乙烯於威廉 林反應合成，例如具備對苯二酚（乙缔苯）醚及酚樹脂之樹脂 組成物的例等多數的例。 【發明内容】 即使於如同前述的低介質率、低介質損耗因數材中，因 為對應至今後的高頻率機器，介質特性並不充分。 本發明 < 目的在於提供一種低介質損耗因數薄膜，其係 使用含有具有比起先前材料優良之介質特性之多官能苯乙 缔化合物之低介質損耗因數樹脂組成物者，及使用其之配 線薄膜。 _ 多：能苯乙烯化合物的硬化物具有極低介質帛及介質損 耗因數’該值㈣定頻率1QGHz，介f率約為2 5，介質損 耗因數為未滿0.002。 、/、 人進行種種於本多官能苯乙埽化合物，附與薄膜形成能之 木…寸u ’以至含有*分子量體與多官能苯乙烯化合物 之低介質損耗因數薄膜的開發。本低介質損耗因數薄膜藉 由與其他的有機薄膜、有機布、有機不織布複合化使用， 可附與高強度化、低熱膨脹化等的特性。本發明的低介質 損耗因數薄膜因為具有硬化性，變為優越於熱安定性、耐 83944 200406442 藥品性之低介質損耗因數薄 利用作A ^ ^ ' 本低介質損耗因數薄膜可 紅阿叔一 Τ扪、、巴彖層。以本發明的低介質損 華Q數溥膜製作之配線薄 ^ 口^土 寻胰因為介質損耗因數低，高頻 Λ唬的傳送特性為優越，又， 、 為11、小型，適合於小 土、輕量的電子機器的配線材料。 說明關於本發明的低介質損耗因數薄膜、配線薄膜。 本發明的低介質損耗因數薄膜基本地為後述一般式：

(式中，R可有取代基之，顯現烴骨架，R2、R3及r4表示 相同或是相兴亦佳、氫原子或是碳數卜6的烴基，r5、r6、 R7、R8表示相同或是相異亦佳、氫原子或是碳數㈣的煙 基，η表示2以上的整數。） 筹曰由將含有具有於化學式1中顯示之複數的苯乙烯基之 重量平均分子量1000以下的架橋成分與重量平均分子量 5000以上的高分子量體之低介質損耗因數樹脂組成物薄2 化而形成。 於本發明，藉由使用不包含極性基之多官能苯乙烯化合 物作為架橋成分，可製作具有極低的介質率與介質損耗因 數之硬化性的低介質損耗因數薄膜。本架橋成分因為不具 有如同於先前材作為架橋成分使用之二乙烯苯之揮發性， 83944 200406442 於低介質損耗因數薄膜完成時及保存時，架橋成分因為不 揮發至薄膜外，樹脂組成比的變化難以產生。亦即，使用 本架橋成分後，可簡便地安定製作具有優越之介質特性之 低介質損耗因數薄膜。本架橋成分的重量平均分子量 (GPC苯乙烯換异置）為1〇〇〇以下為理想。藉此改善架橋成 分的溶融溫度的低溫化，成型時的流動性的向上、硬化溫 度的低溫化，種種的聚合物、單體、與充填材的相容性的 向上等，可製作富於加工性之低介質損耗因數薄膜。作為 架橋成分的理想例，可舉出丨，^雙（卜乙烯苯）乙烷，丨，2_雙 (m-乙稀苯）乙烷，1-(p_乙烯苯）_2咖·乙缔苯）乙烷，工，心雙 (P-乙烯苯乙基）苯，1，4-雙（111-乙烯苯乙基）苯，丨，3_雙（严乙 烯苯乙基）苯，1，3_雙（m_乙烯苯乙基）苯，乙烯苯乙 基）-3-(m-乙晞苯乙基）苯，雙乙烯苯甲烷，雙乙烯苯） 己烷及於侧鎖具有乙烯基之二乙烯苯聚合物（低聚合物）等。 於本發明，藉由將高分子量體分散於低介質損耗因數的 架橋成分，隨著附與薄膜形成能，可得到強度、伸長、往 導體配線的連著力的優越之絕緣膜。前述高分子量體，分 子量為5000以上為理想，再理想為1〇〇〇〇〜1〇〇〇〇〇，更理想 為15000〜6〇〇〇〇。分子量小時，有機械強度變成不充分之情 形，分子量過大時，將低介質損耗因數樹脂組成物清漆化 之際的黏度變咼，有混合揽拌、成膜、含浸等的加工性低 下之情形。作為高分子量體的例，可舉出具備丁二烯，異 戊一晞’苯乙稀’乙基苯乙晞，二乙缔苯，N_甲基苯醯亞 胺，丙烯酸酯，丙烯腈之單體的單獨或是共聚合物，可有 83944 -10- 200406442 取代基之之氧化聚酚烯，聚喹啉，環狀聚晞烴，多矽烷， ㈣醯胺等。即使於其中，氧化聚_，環狀聚缔煙，以 ^度與低介質損耗因數性的觀點為理想。該等高分子量體 :使稷合使用為佳。本低介質損耗因數薄膜，架橋成分的 含有量超過50wt%後，因為失去自我標準性情形為多，以 吏用万、離土薄膜或是導體配線的形成之導體箱作為支持 體\於該支持體上塗敷低介質損耗因數樹脂組成物清漆， 乾燥薄膜化，使用於加工性的確保點為理想。 本毛明的低介質損耗因數薄膜的硬化後的介質損耗因 數亦根據配合< 高分子量骨豊的種類、配合量，可使於⑽ 下之J貝抽耗因數非常地低為〇 ·⑻1〜〇 ·⑼5。例如作為高 刀子里fa ’配合氧化聚料之低介質損耗因數薄膜的硬化 物中’可使於1〇他下之介質損耗因數為未滿〇·⑻2。 万、本务明，藉由將前述的架橋成分與高分子量體與其它 :了機薄艇’有機布’有機不織布複合化’不根據架橋成 刀/、回刀子里體的種類，組成比，可於未硬化的低介質損 耗因數薄膜附與自我標準性。自我標準性的薄膜處理容 易各種的加工為容易。有機系的薄膜、截面、不織布比 較起玻的截面、不織布，介質率為低，為輕量。於該 ‘:, 乍為小型、輕量的咼頻用電子機器的配線材料為理 〜i複 '化之低介質損耗因數薄膜，於有機薄膜、有機布、 =機不，布’塗敷或是含浸低介質損耗因數樹脂組成物的 …漆’猎由乾燥可容易地製作。此際，於有機薄膜、有機 幾不、、哉布，事先以改善與低介質損耗因數樹脂組成 83944 • 11 - 200406442 物的接著性之目的， 理八 I7便她U表面粗化、接頭處理等的處 内二：複合型的低介質損耗因數薄膜，於硬化後的薄膜 。有機㈣、有機布、有機不織布的任-種。因此， 有2損耗因數薄膜的熱膨服係數受到内包之有機薄膜、 本彳機不織布的影響，例如’作為有機薄膜、有機 料 不織布，藉由選定熱膨脹係數2GPPm/t以下的材 士 ’可使低介質損耗因數薄膜的熱膨服係 :有機薄膜、有機布、有機不織布之理想聚合物的= ^出聚驗亞胺，芳綸，取代過氧化苯甲酸基，硫化聚射希 關於包含於本發明的低介f損耗因數薄膜之低介質損耗 因數樹脂组成物的架橋成分與高分子量體的添加量，、沒有 特別限制，架橋成分於5〜95重量部，高分子量體為％ 量部的範圍添加為理想。於前述組成範圍内，可根據成膜 性、強度、伸長、接著性的向上等的目的，調整組成。又， 將低介質損耗因數樹脂組成物與有機薄膜、有機布、有機 不織布複合化之際的配合比率’可根據為必要之熱膨服係 數任意地選定。 前述，為了將低介質損耗因數樹脂組成物清漆化的有機 落劑，若為溶解架橋成分及高分子量體，沒有特別限制， 例如可舉出丙酮、甲醇、甲基異丁基酮等酮類，甲苯、一 甲苯等的芳香族碳氫類，N，N-二甲基甲醯胺、N，N•二甲芙 乙胺等的酸胺類，二***、乙二醇單體甲基醚、丙二醇單 體曱基醚、四氫咬喃、二己燒等的醚類，甲萨 一 " |吁、乙醇、異 83944 •12- 200406442 丙s手等的醇類等，該等有機溶劑單獨或是2種以上混合使用 亦佳。 本發明的低介質損耗因數薄膜不添加硬化觸媒，只藉由 加熱可硬化，以硬化效率的提昇作為目的，可添加重合苯 乙烯基之硬化觸媒。於該添加量，特別沒有限制，硬化觸 媒的殘基因恐怕給與惡影響於介質特性，對於前述架橋成 分及高分子量體的合計100重量部，設為〇〇〇〇5〜1〇重量部 為理想。藉由於前述範圍添加硬化觸媒，促進苯乙缔基的 重a反應，可於低溫得到強固的硬化物。於以下表示開始 苯乙埽基的重合之陽離子或是自由基活性種，藉由熱或是 光產生4硬化觸媒的例。作為陽離子重合開始劑，可舉出 使BF4, PF6, AsFh SbF0為對陰離子之二烯丙基蛾鹽、硫化鹽 及脂肪族硫化鹽’可使用旭電化工業製Sp_7〇，172，cp_66, 曰本曹達製CI-2855，2823,三新化學工業製81_1〇〇乙及 SI-150L等的市販品。作為自由基重合開始劑，可舉出如同 士息香及甲基妥息香的安息香系化合物，如同苯丙酮及2,2_ 一甲氧基-2-苯乙驢表的苯乙酮系化合物，如同多硫酮及 2,4-二乙基多硫酮的多硫酮系化合物，如同4,4，-二疊氮鈣， 2,6-雙（4’-疊氮苯）環己酮及4,4，_二疊氮二苯基酮的雙疊氮 化合物，如同偶氮雙異丁腈，2,2-偶氮雙丙烷，m，m，-偶氮 氧苯乙烯及琮的偶氮化合物，及如同2,5-二甲基_2,5_二（卜 過氧丁基）己烷及2,5-二甲基-2,5-二（t_過氧丁基）己烯_3，過 氧化二興丙苯的有機過氧化物。特別是，使未持有官能基 的化合物的取氫產生，添加能帶來架橋成分及高分子量體 83944 -13 - 200406442 間的架橋之有機過氧化物或是雙#氮化合物為理想。 於本發明的低介質損耗因數薄膜中，為了增加未硬化時 的保存女疋性，可添加重合禁止劑。該添加量為不顯著妨 礙介質特性、硬化時的反應性的範園係為理^於前述範 圍添加重合禁止劑後’可抑制保存時的多餘的架橋反應， 又亦無於硬化時帶來顯著的硬化障礙。作為重合禁止劑 的例’可舉出對苯二盼，PH四氯苯醜，三甲基苯酿， 4-t-丁基鄰苯二酚等的苯醌類及芳香族二醇類。 製作本發明的低介質損耗因數薄膜之際的乾燥條件，硬 化條件根據使用於低介質損耗因數樹脂組成物的組成，清 漆化之溶媒，例如使用甲苯作為溶媒時的乾燥條件，於 80〜12(TC乾燥30〜90分程度為理想，其後，於藉由施壓加工 將導體箔與低介質損耗因數薄膜積層接著時，於以 〜180°C，1〜3小時，施壓壓力卜5 MPa的範圍内接著，硬化 為理想。藉由積層法，接著低介質損耗因數薄膜與導體箔 時，亦根據低介質損耗因數樹脂組成物的組成，藉由ι〇〇1 前後的加熱，融著銅箔及低介質損耗因數薄膜，其後，以 150°C〜180°C後加熱為理想。 【實施方式】 於以下顯示實施例及比較例，具體地說明本發明，本發 明並不限定於該等。又，於以下的說明中有部分為特別地 指出不只限特別重量部。 於以下說明使用於實施例及比較例之試藥的么t 」4辑、合成 方法、清漆的調製方法及硬化物的評價方法。 83944 -14- 200406442 ⑴1，2-雙（乙缔苯）乙烷（BVPE)的合成 1，2_雙（乙少希苯）乙則BVPE)，以如同以下所示的公知的方 去。成万；500 ml的二個燒瓶中，取出格里那反應用粒狀 鎂（關東化學製）5.36g(220 mmol)，安裝滴下管、氮氣導入 管、及試管。藉由氮氣流下，攪拌機，_邊攪拌鎂粒，以 乾燥器加熱脫水系全體。取出乾燥四氫呋喃300 ml於注射 器，通過試管注人。冷卻溶液至_5t後，使用滴下管花約4 小時滴下乙烯氯苯（VBC，東京化成製）30 5 g (200 mmol)。 滴下、、：了後，繼績0 c /20小時攪拌。反應終了後，通過反 應溶液除去殘存鎂，以蒸發器濃縮。以己烷稀釋濃縮溶液， 以3.6%鹽酸水溶液一回，以純水3回洗淨，次之以硫酸鎂脫 水。通過矽膠（和光純藥製膠C300)/己烷的短柱以精製，真 空乾燥得到BVPE。得到之BVPE為m_m體（液體），㈣體（液 狀），P-P體（結晶）的混合物，吸收率為90%。藉由1h,MR 凋且構迻，其值與文獻值一致（6H-乙烯：（X-2H，6.7, β_4Ή 5.7, 5·2 ; 8Η-芳香：7.^7.35 ; 4Η-亞甲基：2·9) 以I^BVPE作為架橋成分使用。 (2)其它的試藥 作為其它的構成材料，使用於以下顯示之物。 高分子量體： PPO :阿魯多麗奇製，聚-2,6-二甲基氧化酚埽 聚口奎琳：曰立化成製，PQ100 硬化觸媒： 25B :曰本油脂製2,5_二甲基_2,5-雙屮過氧丁基）己缔 83944 -15 - 200406442 -3(過己烯25B) 複合材料： 杜邦製芳綸不織布，夏山E210 (厚度約50 μιη，熱膨脹係 數約 19 ppm/°c ) 東麗製聚苯撐硫膜，特列利那（厚約25 μιη，熱膨漲:係數 約 30 ppm/°C ) (3) 清漆的調製方法 藉由落解特定量的高分子量體，架橋成分及硬化觸媒至 氯形成’製作樹脂組成物的清漆。 (4) 硬化絕緣膜的製作 塗敷前述清漆於有機薄膜，不織布，氮氣流下8〇t/6〇分 間乾燥後’將低介質損耗因數薄膜與㈣重合，藉由聚驢 亞k及1¾板&真S下’加熱及加壓，製作作為硬化物的附 銅落絕緣薄膜。加熱條件以12代/3()分，150。口对，⑽ c/100分，作為施壓壓力15MPa的多階段加熱。薄膜的大 小作為約 150x70x0.05 mm。 貝牛及介質損耗因數的測定 介質率、介質損耗因數藉由空洞共振法（亞細連特 8722ES型網路分析器， > ^卞應用開發製空洞共振哭 靦測於10 GHz的值。測定 派口口 J疋4科精由蝕刻除去附銅 損耗因數薄膜的銅洛，切 W 土 80X2 mm的尺寸製作。 (6)熱膨服係數的測定 熱膨脹係數使用真空理工 1 ’、機刀析器丁Μ 7ΠΠΠ 4·、 | 的值。測定試料藉由蝕刻 -〇求出（ 4½ i 除去則迷附銅笛低介質損耗因^ 83944 -16 - 200406442 薄膜的銅，切出至3Gx2 mm的尺寸製作。測定條件使支 點間距離為2〇mm ’昇溫速度為2°C/分，引張加重為2gf。 [比較例1 ] 比較例1溶解氧化聚酚埽（PP0)至氯形式，塗敷於銅荡 上，為乾燥製作之附銅箱低介質損耗因數薄膜的例。比較 例1的低介質損耗因數薄膜具有介質率約2 4，介質損耗因 數約0.0022優越之電氣特性，對於甲苯膨潤、溶解。又， 熱膨脹係數表示與6G _。〇比較高的值。將比較例丄的低 介質損耗因數薄膜2枚重合，以15奶的壓力作施壓加 工’以180t的加熱不使其融著，不能多層化。為了多層化， 以280 C以上的施壓加工為必要。其係因為氧化聚輯的溶 融溫度高。 [實施例1 ] 貝犯例1為使用PQ丨〇〇作為高分子量體，使用B 作為架 橋成分之例。實施胸低介質損耗因數薄膜為自我標準。 以銅搭夾住本薄膜，以L5MPa的壓力施壓加工，於往加熱 溫度⑽t的昇溫過程與㈣融著。其後，繼續⑽分間加 熱硬化。藉由姓刻處理取出硬化之低介質損耗因數薄膜。 本低介質損耗因數薄膜對㈣苯溶解，不使膨潤安定。又， 本低介質損耗因數薄膜顯示介質率為2 65,介質損耗因數 為〇·005低的值。熱膨脹係數為55 ppm/t：。 [實施例2] 、實㈣2為使用PP0作為高分子量體，使用βνρ_為架橋 成刀。Λ她例2的低介質損耗因數薄膜並非自我標準薄膜。 83944 -17- 200406442 本薄艇於銷V白上塗敷、乾燥製作。將本附銅猪薄膜2牧重 合，以L5 MPa的壓力施壓加工，於往加熱溫度18代的弄 溫過程與銅笛融著。其後，持續刚分間加熱硬化。藉由蚀 刻處理取出硬化 < 低介f損耗因數薄膜。本低介質損耗因 數薄膜，對於甲苯溶解，不使膨潤為安定。又，本低介質 損耗因數薄膜衫介質率42.43，介f損耗因數為請Η 低的值。熱膨脹係數為6〇 ppm/t：。 [實施例3] 實施例3為使用氧化聚酉分缔（pp〇)作為高分子量體，βνρΕ 作為架橋成分，多雷里那作為有機薄膜之例。有機薄膜的 表面藉由砂紙粗化。粗化後的薄膜表面的凹凸約為5 其後，浸有機薄膜於齡質損耗隨樹脂組成物的清漆， 得到乾燥複合之低介質損耗因數薄膜。實施例2的低介質損 耗因數薄膜以有機薄膜的重量作為1〇〇，為塗敷約1〇〇部的 低介質損耗因數樹脂组成物之自我標準薄膜。以銅落爽住 本=膜，以丨.5 MPa的壓力施壓加工，於往加熱溫度丨帆 的昇溫過程與銅箔融著。其後，持續1〇〇分間加熱硬化。藉 由蝕刻處理取出硬化之低介質損耗因數薄膜。本低介質損 耗因數薄膜，對於甲苯溶解，不使膨潤為安定。又，本低 介質損耗因數薄膜顯示介質率為2·7〇，介質損耗因數為 0.0025低的值。熱膨脹係數為43 ppm/t藉由複合化而低下。 [實施例4 ] 實施例4為使用氧化聚酚烯（PP0)作為高分子量體，BvpE 作為架橋成分，E210作為有機不織布之例。含浸低介質損 83944 -18 - 200406442 耗因數樹脂組成物衫機不織布，得到低介f損耗因數薄 膜。本薄膜的低介質損耗因數樹脂組成物的含浸量以薄膜 重量作為_部’為賴〇部。以㈣夾住本低介質損耗因 數薄膜，以K5 MPa的恩力施壓加玉，於往加熱溫度18〇〇(： 的昇溫過程與銅洛融著。其後，持續1〇〇分間加熱硬化。藉 由蝕刻處理取出硬化之低介質損耗因數薄膜。本低介質損 耗因數薄膜，對於甲苯溶解，不使膨潤為安定。又，本低 介質損耗因數薄膜顯示介質率為2·75，介質損耗因數為 0.0025低的值。熱膨脹係數為36 ppm/t：藉由複合化而低下。

表1 比較例1 實施例1 _實施例 j施例3 實施例4 BVPE 0 50 50 5〇 5〇 PPE 100 0 50 50 50 __PQ 0 50 0 〇 0 25 B 0 1 1 1 1 複合 多雷里(PPS) 0 0 0 100 0 材料 10G Hz E210 0 0 0 〇 100 電率(10GHz) 2.40 2.65 2.43 一2.70 2.75 介電損耗因數(10GHz) 0.0022 0.0050 0.0018 ^0.0025 0.0025 熱膨漲係數(ppm/°C) 60 55 60 43 36 一成型溫度(°C) 300 180 180 180 180 83944 . 19 - 200406442 [實施例5] 經由圖1說明配線薄膜及多層配線薄膜的完成例。步驟 ^使與實施例4同樣’製作具有㈣⑺之低介質損耗因數 薄膜⑴。步驟B :藉由㈣法於銅落形成配線⑺。如同以 j完成彈性配線板。次之顯示多層化的__例。步驟c:介由 實施，4的未硬化低介質㈣毛因數薄膜積層2枚的彈性配線 板，藉由加熱、加壓硬化多層化。工程D :於特定的位置藉 由鑽床加工形成通過洞。步驟E :於通道洞上方形成具有開 口邵之沉積抗姓層（5)，^通道洞内併用無電解沉積，電氣 沉積形成沉積銅⑹。步驟G: 一時，除去沉積抗姓層後， 广常的姓刻法形成外層配線，製作彈性多層配線板。 :::配線板因為藉由低介質率、低介質損耗因數材料形 成、吧緣層，傳輸損失為低。 耗=發明，可得介質率、介質損耗因數低的低介質損 膜的本低介f損耗因數薄膜’作為彈性的配線薄 吴的、、、巴緣層合適地使用。 【圖式簡單說明】 圖1 (A)·1 (F)係為顯示配線薄膜，多jg 之模式圖。 夕層配線薄膜的完成例 【圖式代表符號說明】 1- 低介質損耗因數薄膜 2- 鋼箔 3 -配線 通道洞 83944 -20- 200406442 5-沉積抗蝕層 6 -沉積銅

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Claims (1)

1. 200406442 拾、申請專利範圍： 1 · 一種硬性化的低介質損耗因數薄膜，其包含如下化學式} R4

   -R (式中，R表示烴骨架，R1可相同或是相異，表示氫原子或 是碳數1〜20的烴基，R2、R3及R4可相同或是相異，表示 氫原子或是碳數1〜6的烷基，m表示i〜4的整數、n表示2以 上的整數。） 2 所示之具有複數苯乙埽基且重量平均分子量画以下的 =成分；及重量平均分子量5〇〇〇以上的高分子量體者。 ί據申請專利範圍第1項之低介質損_數薄膜，其中於 則述低介質損耗因數薄膜的硬化後的ig版下之 耗因數為0.001〜0.005。 1、 清專利耗園第丨項之低介質損耗因數 ;低介質損耗因數薄膜為其他的有機薄膜、有機布= 機不織布的複合材料。 幾布及有 4·根據申請專利範圍第3項令你人# 述有機薄膜、有機布、有機不=知耗因數薄膜’其中前 t以下。 冑不4布的熱膨脹係數為20PPm/ 5·根據申請專利範圍第4項 述有機薄膜、有機布、有1貝抽耗因數薄膜’其中前 代過氡化苯甲酸基，硫取不織布以聚酿亞胺，芳绘，取 化讀缔的任-種作為構成成分。 83944 200406442 6 ·根據申請專利範圍第丨項之 述高分子量體為具備丁 1貝/耗因數薄膜，其中前 乙烯，乙基苯乙婦，二乙烯 ^ 笑# β卜11 丙缔鉍酯，丙烯腈，Ν- =:二綱亞胺的至少-種之聚合物，具備 化讀~，聚，及具有脂環式構造 之水細fe的至少一種的樹脂。 7. =::!f利範園第1項之低介質損耗因數薄膜，其中前 :低二損耗因數薄膜含有朌樹脂，環氧樹脂，氰化樹 8 ::Λ :樹脂，熱固性聚輯樹脂作為第二架橋成分。 .根專利範圍第1項之低介質損耗因數薄膜，其中於 该表面的至少一面設置導體層。 9. -種，介質損耗因數薄膜，其係一種樹脂組合物之硬化 物，遠樹脂組合物包含如下化學式1

   (Λ中’R表示煙骨架，R'可相同或是相異，表*氫原子或 切數1〜20的烴基，r2、r3及R4可相同或是相異，表示 風原子或是碳數1〜6的燒基，m表示卜4的整數、n表示2以 上的整數。） 2不之具有複數苯乙烯基且重量平均分子量1〇〇〇以下的 U木橋成分；及重量平均分子量5〇〇〇以上的高分子量體。 根據申請專利範圍第9項之低介質損耗因數薄膜，其中前 83944 ^uu4U6442 :=::::膜為其™膜、有一 利:::1::之低介質損_薄膜’其中前 t以下。 幾布、有機不織布的熱膨脹係數為20 ppm/ 請專利範圍第叫之低介質損耗因數薄膜 =機薄：、有機布、有機不織布咖亞胺，芳绘，取 化：甲鉍基’硫化聚酚烯的任一種作為構成成分。 .種配線薄膜，其包含絕緣層及配線層，該絕緣層係由一 種低介質損耗因數薄膜所構成，其係具有為含有化學式】

   (式中，R表示烴骨架，r1可相同或是相異，表示氫原子或 疋奴數1〜20的烴基，R2、R3&R4可相同或是相異，表示 氫原子或是碳數1〜6的烷基，m表示卜4的整數、n表示2以 上的整數。) 所不之複數的苯乙烯基之重量平均分子量丨〇〇〇以下的架 橋成分及重量平均分子量5〇〇〇以上的高分子量體之樹脂 組成物的硬化物。 14 ·根據申請專利範圍第13項之配線薄膜，其中前述低介質損 耗因數薄膜為其他的有機薄膜、有機布、及有機不織布的 複合材料。 83944 200406442 15.根據申請專利範圍第13項之配線薄膜，其係將前述絕緣層 與配線層作2層以上積層者。 83944