TW200404343A - A metal film semiconductor device and a method for forming the same - Google Patents

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TW200404343A TW092103516A TW92103516A TW200404343A TW 200404343 A TW200404343 A TW 200404343A TW 092103516 A TW092103516 A TW 092103516A TW 92103516 A TW92103516 A TW 92103516A TW 200404343 A TW200404343 A TW 200404343A
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Jong-Myeong Lee
In-Sun Park
Jong-Sik Chun
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Description

200404343
狄、發明說明 (發明說明應敘明：發賴屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域 本發明一般係關於一種形成半導體裝置之金屬膜的方法 ，及具體而言係關於一種形成一金屬膜於一基板上面，該 基板包括一凹穴，如一接觸孔或一通孔。 先前技術 資訊處理ft置的㈣發展需要發展具有高操料度及大 儲存容量的半導體裝置。該種半導體裝置具有高整合密度 *改良可Λ性及快連回應速度。只有數個有利特性的例子 歸因於該種新的半導體裝置。 土、’導體裝置的設計，#金屬配線必須具有低電阻及高可 * 生。使用相當便宜的金屬配線有助於降低製造成本。所 二’-般使用銘以形成屬配線。近來半導體裝置需要遵守 :於⑼_的設計規則’及接觸孔或通孔需要具有高縱橫 通孔古6 '、’工^ #方充分使用鋁配線填充接觸孔或 逋孔的方法。 例如it方法包括形成-㈣直接在基板上而該基板旦 有 凹穴如一接觸孔或通孔以便利用鋁& π & & 穴。這種方法有…填充凹特凹 積在凹穴的入口，而凹穴具有高背Γ Γ銘膜快速沉 堵塞。另从 ^ 、有阿綾杈比，因而凹穴入口被 卜，鋁形成方法會在凹穴内產生有宝介η 另外用鋁埴充凹穴的方法中H 有。工間。 及導電膜卜「 去而要思擇性沉積結在絕緣膜上 ，本方法:如金蜀阻障層。本方法可用來填充通孔。不過 方去不“於填充-接觸孔包括導電膜如金屬阻障層。 (2) (2)200404343 發明說嚷繽買 減：以’已經發展一種完全填充金屬膜於接觸孔内，同時 減夕接觸電阻及配線電阻的方 一枋枋I θ 本方法包括選擇性形成 方：層(ANL)在一基板上以達成上述的電阻減少。本 、^ —例子為美國專利案號M0M20 (頒予M。吻等人） ;國專利案號269,878、韓國專利公告案號2__73825及 曰本專利公告案號200^68 1〇1所揭露。 根據韓國專利案號269,878的揭露，在基板上形成一抗核 化層後，消除凹穴的同時，铭膜係繼續在凹穴的底表面及 側面上形成。’然後，使用噴濺法在基板及凹穴上形成铭膜 :如=確保凹穴充滿㈣。其次，形成—高氧化金屬膜及 以後藉由氧化金屬膜而形成ANL。這種形成ANL所需的額 外氧化方法減少凹穴填充方法的生產率。 、 美國專利案號6,001，420揭露一種用鋁膜填充凹穴的方法 括原處形成一 AN L及一銘膜。本方法的確改善凹穴填充 方去的生產率。根據6,001，420專利，形成ANL需使用二甲 基氫化鋁（DM AH)及無電漿氮氣，及使用化學汽相沉積法形 成鋁膜以填充凹穴。不過，不使用電漿形成ANL效率較低 另外，一般使用化學汽相沉積並不用鋁膜填充凹穴。化 + A相 >儿積法形成的銘膜具有一襯塾型狀，繼續在凹穴的 底表面及側壁上形成。結果，會發生處理失敗既使生產率 獲得改善。 曼眉容 本發明的一具體實施例提供一種形成金屬膜的方法，使 用電漿處理原處形成一絕緣膜及一抗核化層（ANL)。 200404343 ⑺ 本發明的_具體實施例提供一 處形成金屬膜及^ ^ 、 形成至屬膜的方法，原 太八及—絕緣膜作為—抗核化層（ANL)。 本钱明的一具體實施 成一金屬方法包括形 的側壁上面，开彡出一 μ人ρ 凹八的底表面及凹八 乂成 弟一金屬膜於基板上作不名間十肉， 使用氮氣電漿卢w^ M 土敬上仁不在凹八内， 妒&一 μ —处一至屬膜以形成一包含氮之絕緣膜， 一 μ —弟一金屬膜於凹穴的部份金屬阻障層上面，及形成 一弟二金屬膜於基板、凹穴及絕緣膜上面。
，^卜本發明的一具體實施例提供-種形成金屬膜方法 括形《纟屬阻障層於基板表面、凹穴底表面及凹穴 側壁j面，形成一絕緣膜在基板表面上但不在凹穴内，形 成第金屬膜於凹穴内的部份金屬阻障層上面，及用第 二金屬膜填充凹穴D 另外，本發明的一具體實施例提供一種半導體裝置，包 括一金屬阻障層在基板的凹穴内形成，一絕緣層在部份基 板上但不在凹穴内形成，一金屬膜在凹穴内的部份金屬阻 P早層上形成，及另外金屬膜在基板上形成。 本發明的一具體實施例提供一種形成半導體裝置的方法 ’包括在基板的凹穴内形成一金屬阻障層，在部份基板上 但不在凹穴内形成一絕緣層，在凹穴内的部份金屬阻障厚 上形成一金屬膜，及在基板上形成另外金屬膜。 本發明另外的應用範圍可從以下的詳細說明獲得了解。 不過，應該了解，雖然是具體實施例的說明，詳細的說明 和特定的範例只以圖例方式表示，因為對熟悉本技術者而 (4) (4)200404343
言，從這些詳細說明便可瞭解本發明有各種不同的變更和 修改而仍不背離本發明的精神和範圍。 實施方式 以下麥考附圖詳細說明本發明的具體實施例。雖鈥，本 發明以各種不同形式實施，但不能解釋受限於所述的、具體 實施例；反之’提供這些具體實施例致使本案達到詳細及 完整，及傳達本發明的理念予熟悉本技術者。目中為了清 楚起見擴大層#度及範®。如㈣明一層“夕卜一層或基 板的上面’表示該層可直接在另外_層或基板的上面，^ 也表示介於層之間。 在-具體實施例中’ 一基板具有一凹穴包括—接觸孔或 通孔。-中間層介電膜在基板上形成以後，形成中間層介 電膜圖案致使在基板上形成接觸孔或通孔通過中間層介電 膜。如此，基板具有一中間層介電圖案其中形成接觸孔或 通孔。如果凹穴為-通孔，根據傳統方法—金屬膜就能充 分填充該通孔。如此’具體實施例的凹穴包括接觸孔。 如果形成第-金屬膜以造成直接接觸基板，基板及第_ 金屬膜之間便產生材料移植。因而’形成一金屬阻障層於 t板上以便減少基板及第一金屬膜之間材料移植。金屬阻 障層於基板的表面上、日穴的底表面上及凹穴的側壁上形 成：金屬阻障層包括一鈦膜、一氮化鈦膜或一複合膜包括 連續形成的鈦及氤化鈦膜。 弗-金屬膜在基板表面上形成。第—金屬膜由化學汽相 /儿積法選擇性在部份基板上形成；不過，凹穴沒接收第一 (5) (5)200404343
發明說钥續J 金屬膜。第一金屬膜具有一低電阻及_較高可靠性。 第一金屬膜以經濟方式形成。較具體而言，如果使用氮 電漿處理第一金屬膜便容易變型。如&，使用鋁形成第二 金屬膜以符合上述條件。如果第一金屬膜包括—㈣，用 於形成第—金屬膜的源氣體包括一化合物如二甲基乙胺鋁 烷（DEMMA)、甲基焦嘧啶鋁烷（MpA)、二甲基氡化鋁 (DMAH)等。雖然上述化合物可單獨使n氣體^包括呂 二種以上的化合物。 形成第-金屬膜的處理條件係根據所選擇的化合物而變 化。例如’如果源氣體包括心以形 條件的變化如下。 为腺處理 如果用來形成第-金屬膜Μ P A的流量率約為 在一具體實施例中，第 … SCCm〇 '屬 成的溫度約為120至16〇t： 另外弟一金屬膜產生理相尸谇认π 另外，4里走 心厗度的形成時間為1至1 0秒。 另夕如果處理條件受控制 階段覆蓋率A h一金屬膜具有較差 ^ 一虿与度約小於100 A。 第一金屬膜用氮電漿處理以改變第入p 絕緣膜。如果第一八愿“又文弟一金屬膜成為一含氮
屬膜轉變成一氮化使科或叫電裝處理，第一金 化鋁膜減少形成全屬2的於是，作為一抗核化層（ANL)氣 例中，第-金屬膜可使用氣在本發明的一具體實施 ，壓力約為i 水處理，溫度約為120至16(TC 約為50至5〇〇 w。 、 生氬電漿使用的電漿功率 在—具體實施例;：=理執行期間約為⑴㈣、。 利用気電漿處理第一金屬膜變成絕 -10 - 200404343
(6) 、彖膜，並作為一 ANL·以減少金屬膜的應用。所以，處理失 敗可以減少，甚至是不大可能的第一金屬膜電漿處理失敗。 使用氮電漿處理，用於減少塗抹第一金屬膜的絕緣膜在 基板上形成，及金屬阻障層在凹穴的底表面及側壁上形成。
、第一金屬膜在凹穴内形成其中具有金屬阻障層。第二 至屬膜可使用化學汽相塗抹方法或一相似的汽相塗抹方法 形成。因為絕緣膜在基板上形成作為AN]l，第二金屬膜作 為襯土在凹八内形成。第二金屬膜成本便宜，及具有一低 電阻及高可靠性與第一金屬膜相似。 弟-金屬膜包含鋁。如果第二金屬膜包括一鋁膜，用方 形成第二金屬膜的源氣體包括化合物如DEMMA、MPA、 DMAH%。源、氣體包括上述化合物之一，但也可包括二武 更多化合物的混合物。形成第二金屬膜的條件係根據所ϋ 擇的化合物種類及數量而變化。如果源氣體包括ΜΡΑ以开 成第二金屬膜，其處理條件的變化如下。
[果用來七成第一金屬膜，价八的流量率約為】◦至s⑽ 。第二金屬膜形成的溫度為約I20至16吖而壓力為約0.2至 〇.5 t〇U。3外，第二金屬膜形成的期間為約20至180秒以 達到理想的厚度。另外，石古 ) 々有必要，形成的第二金屬膜具 一：段覆蓋率優於第-金屬膜，及具有厚度約為300至 刪 t成那種第二金屬膜須控制處理條件才能達成。 在根據本發明具體眚％ . 收貝施例的一方法中，如果第二金屬膜 須包括鋁膜使用化學汽相、v并古、土 ^ 男联 飞相"“貝方法形成，便可幾乎確保銘 胺不70王填充凹穴。結果 、，巴、、象肤在基板表面上形成及第 -11 - 200404343
⑺ ι屬膜作為襯塾在凹穴内形成。 根據本發明的一具體實施例，本方法包括原處完成的第 一金屬膜形成、氮電漿處理及第二金屬膜形成。即是， 為這 方 _ 一 去可以在根據各方法變化的壓力下執行，因而 以在原處執行。
利用喷賤法在合成結構上形成一第三金屬膜。第三金屬 膜0括銘膜。如果第三金屬膜使用鋁由喷濺法形成，第 土屬膜可充分填充凹穴。第三金屬膜也可以在絕緣膜上 I成如此’雖然絕緣膜減少金屬膜的核化，絕緣膜不合 阻礙由貝濺法形成金屬膜。所以，第三金屬膜能在絕緣膜 上形成。第三金屬膜形成後，在溫度約為400至60(TC回流 :1流技術容許第三金屬膜填充凹穴。由喷濺法形成的= 屬膜般比較由化學汽相沉積法形成的金屬膜具有停里 均勻性。所,、； 丄+ "" ^ m 所以，由贺濺方法形成的第三金屬膜具有較佳
勻性。 土 J
根據本發明的—具體實施例，因為金屬膜包括鋁，構 金屬膜的接觸及配線電阻及會減少。另外，金屬膜可以 擇性：積致使凹穴可用金屬膜填充。具體而言，= 屬阻IV層的接觸孔内可充使用金屬膜。同樣地，形成金 膜方法的生產率獲得改善因為該方法可在原處執行。另 ，處理失敗大幅減少’因為處理條件可根據金 適當加以控制。 、寸 乎與以上所述的具體實 。一金屬阻障層也使用 以下說明的具體實施例的基板幾 施例使用的相同。基板包括一凹 -12- 200404343
⑻ 痛似第一具體實施例的方 乃沄形成。具體而言，金屬阻障層 於基板的部份表面上、 凹八的底表面上及凹穴的側壁上形 成。 作為AN JL用於減4、洽士士人砰
土未至屬膜的絕緣膜可利用氮電漿J 理在基板上形成。絕绫 ^ '、·、匕3氮因為絕緣膜使用化學汽才丨 塗抹方法及氮電漿虑搜彡
^成。用於形成絕緣膜的源條氣f 包括化合物如二甲其7卜 土乙月女釔烷（DEMMA)、甲基焦嘧啶鋁於 (Μ P A)、一甲基氫化|呂⑴丄 V AH)寺雖然這些化合物在形4 絕緣膜的源氣體中可單獨使用，本源氣體包括二種… 化μ。用於形成絕緣膜的處理條件係根據選擇的化合彩 ^例士口如果源氣體包括Mp A，處理條件改變如下 形成絕緣膜時，MPA的流量率約%⑽。在本發明 的一具體實施例中，形成絕緣膜的溫度約為12。至160以 壓力為約1至1〇如。另外，在—具體實施例中，形成第 -金屬膜達到理想厚度期間約丨至1〇秒。另外，如果處理條
件文控制’形成的第一金屬膜具有較差階段覆蓋率及具有 厚度小於約1 〇〇 A。 在根據本發明的—具體實施例中，因為氮電漿處理使用 二或nh3電漿’源氣體具有金屬因而形成與金屬膜相反的 = 豪膜。產生氮電漿使用的電漿功率約為50至500 w。同 時，絕緣膜直接在基板上形成。所以，處理失敗減少，該 失敗如果發展絕緣膜不用電漿處理的話通常會發生。 "根據本發明的—具體實施例q吏用化學汽相沉積方法及 氮電漿處理在純上形成料料為胤使用，及在凹穴 -13 - 200404343 (9)
的底表面上及側壁上形成金屬阻障層。 一第一金屬膜在凹穴内形成其中具有金屬阻障層。本發 明的一具體實施例的第一金屬膜使用類似上述具體實施例 的方法形成。如此，絕緣膜在基板表面上形成同時具有線 形的第一金屬膜在凹穴内形成。另外，形成絕緣膜及第一 金屬膜的方法可在原處執行。因為所有方法執行的壓力係 根據各方法改變，上述方法便成為可能。 利用喷減:法可在合成結構上形成一第二金屬膜。本發明 的一具體實施例的第二金屬膜使用類似前述形成第三金屬 膜的方法形成。 根據本發明的一具體實施例，因為金屬膜包括鋁，構成 金屬膜的接觸及配線的電阻會減少。另外，金屬膜可以選 擇性沉積致使凹穴可用金屬膜填充。具體而言，在形成金 屬阻障層的接觸孔内可充分使用金屬膜。同樣地，形成金 屬膜方法的生產率獲得改善因為本方法可在原處執行。另 外，處理失敗大幅減少，因為處理條件可根據金屬膜的特 性適當加以控制。 根據本發明用於形成所討論金屬膜的具體實施例將參考
圖1A至1F為斷面圖 形成金屬膜的方法。 顯示一種根據本發明具體實施例的 參考圖1A及1B，一中 一中間層介電膜圖案12 他類似方法在基板10的 間層介電膜在基板1 〇的上面形成。 包括一接觸孔1 3利用微影方法或其 上面形成。 -14 - 200404343
發明說钥繽頁 宰：ΓΓ14具有一鈦膜及氮化鈦膜在中間介電膜圖 案上面及在接觸孔13内形成。如此，金屬阻障層Μ在中 間介電膜圖案12的部份或整個表面上，接觸孔13的底表面 及接觸孔1 3的側壁上形成。 參考圖，紹膜16利用化學汽相塗抹法在金屬阻障心 的弟-部份上形成。位於接觸孔13内的金屬阻障層Μ的第
:部份不f要進行化學汽相塗抹方法。形成朗16期間约3 秒，溫度約14 〇 °c，及壓力約盔s 歸 力、乃為5 torr。形成鋁膜16的源氣 脰 >、使用MPA具有流量率約為5 sccm。如此，紹膜心 有較差的傾斜範圍及厚度低於1〇〇 A。 /、 參考圖1D，使用氮電漿處理㈣16,及阻塞氣體源氣體 使在金屬阻障層14的第一部份上的鋁膜16變成氮化鋁膜 17。氣化㈣17沉積在上面以減少金屬膜成為概的可能 性。執行氮電漿處理使用的電槳功率約為1〇
7。電裝處理執行期間約為10秒，及壓力約為5::為 —麥考圖1E，一鋁膜18在位於接觸孔π内金屬阻障層μ的 第二部份上面形成。銘膜使用化學汽相沉積法或其他相似 方=形成。形成鋁膜18的溫度約14(TC，期間約60秒，及壓 ^ ^為1 t〇rr。形成鋁膜18的源氣體至少使用MPA具有流量 。么為J 〇 SCCm。因此，鋁膜1 8具有相當好的傾銷範圍及厚 度約為500 A。鋁膜18作為襯墊或具有襯墊形狀在接觸孔13 的底表面上及側壁上形成。 八參考圖1F，使用喷錢法，一銘膜20在基板10上面形成的 口成結構上形丨。銘膜2Q回流溫度約為5〇代。結果，叙膜 -15 - (11)200404343 發繽翼: 20充分填充接觸孔13 完全均勻。 及在合成結構上形成的鋁膜20幾乎 嘗例2 圖2A至2E為斷面圖，顯示一種根據本發明另外具體實灰 例的形成金屬膜的方法。
麥考圖2A及2B，一中間層介電膜在基板3〇的上面形成。 一中間層介電膜圖案32具有一接觸孔33,其利用微影方g 或其他類似方法在基板3〇的上面形成。 然後，一金屬阻障層34具有一鈦膜及氮化鈦膜在中間^ 電膜圖案32上面及在接觸孔33内形成。金屬阻障層μ在寸 間介電膜圖案32的部份或整個表面上，接觸孔^的底表遠 及接觸孔3 3的侧壁上形成。 一，
參考圖2C，铭膜36利用化學汽相塗抹法及氮電裝處理沒 在金屬阻障層34的第—部份上形成H位於接觸孔3 内的金屬阻障層34的第二部份不需要接收氮化銘膜％。氮 化鋁膜36形成期間約3秒，溫度約為14〇t，及壓力約為 。產生氮電漿使用的電漿功率約為1〇〇 w。形成銘膜π: 源氣體包括Μ P A具有流署漆的么ς 有抓里羊約為5 sccm。如此，氮化鋁膜 36具有較差的傾斜範圍及厚度低於i〇〇 a。 爹考圖2D，銘膜38利用化學汽相塗抹法在位於接觸孔u 内的金屬阻障層34的第二部份上形成。形成銘膜3“ 約:：’期間約6〇秒’及壓力約為"。…形成銘膜二 源孔肢包括MPA具有流量率约為3〇5_。因此，鋁膜鼓 有相當好的傾鎖範圍及厚度約為遍^_38作為槪塾或 -16 - 200404343
(12) 具有襯墊形狀在接觸孔3 3的底表面上及側壁上形成。 參考圖2E，使用噴濺法，一鋁膜4〇在基板3〇上面形成的 合成結構上形成。鋁膜3 8的回流溫度約為5〇〇ι。所以，鋁 膜40充分填充損接觸孔33，及在合成結構上面形成的鋁膜 4〇幾乎完全均勻。 '
根據本發明的具體實施例，金屬膜填充具有高縱橫比的 凹穴。具體而言，金屬膜填充接觸孔或通孔較為有利。 另外，接觸電阻及電配線的電阻減少因為金屬膜的形成 至少含有銘。 另外，形成金屬膜方法的生產率獲得改善，因為許多形 成金屬膜的方法可在原處執行。 以上為形成金屬膜的具體實施例的說明，須注咅、根據上 述說明熟悉本技術者可完成修改及變、ρ /队叹又更。因此可以了解， 所作本發明具體實施例的修改仍在本發明的精神及申請專 利的範圍之内。
圖式簡單說明 本發明的具體實施例從以下 ，附圖係用來顯示因而本發明 圖1Α至1F為斷面圖，顯示一 製造金屬膜的方法。 說明及附圖會獲得完全明白 不雙其限制，及其中： 種根據本發明具體實施例的 外具體實施 圖2Α至2Ε為斷面圖’顯示一種根據本發明另 例的製造金屬膜的方法。 圖式代表符號說明 10 基板 • 17 - 200404343
12 中間層介電膜圖案 13 接觸孔 14 金屬阻障層 16 鋁膜 17 氮化鋁膜 18 鋁膜
20 鋁膜 30 基板 32 中間層介電膜圖案 33 接觸孔 34 金屬阻障層 36 氮化鋁膜 38 鋁膜 40 鋁膜
-18-

Claims (1)

  1. 200404343 拾、申請專利範圍 1. 一種形成一金屬膜之方法，其包括： 形成一金屬阻障層於一基板的一表面上、一凹穴的一 底表面上及該凹穴的侧壁上； 形成一第一金屬膜於該基板上，但不在該凹穴内；
    使用氮電漿處理該第一金屬膜以形成一包含氮之絕緣 膜； 形成一第二金屬膜在該凹穴内的部份金屬阻障層上面 :及 形成一第三金屬膜在該基板、該凹穴及該絕緣膜上。 2. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第一金屬膜形成的溫度約為1 20至160 °C，期間約1至1 〇 秒，而壓力約為3至10 torr。
    3 .如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中處 理該第一金屬膜使用的該氮電漿具有一電漿功率約5 0 至5 00 W，溫度約為120至160°C，期間約1至60秒，而壓 力約為1至1 0 torr。 4. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第二金屬膜形成的溫度約為120至1 60 °C，期間約3 0至 180秒，及壓力約為0.2至5.0 torr。 5. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第一金屬膜利用化學汽相沉積法形成，其使用的一第一 源氣體至少選自二甲基乙胺鋁烷（DEMMA)、曱基焦嘧啶 鋁烷（MPA)及二甲基氫化鋁（DM AH)之一，及該第二金屬 200404343 申講專_範圜鑛翼 膜利用化學汽相沉積法形成，其使用的一第二源氣體至 少選自DEMMA、MPA及DMAH之一。 6. 如申請專利範圍第5項中形成一金屬膜之方法，其中該 第二氣體的流量率大於該第一源氣體的流量率約為8至 12倍。 7. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第二金屬膜的厚度大於該第一金屬膜的厚度約為3至10 倍。 8. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第一金屬膜、該絕緣膜及襯墊均在原處形成。 9. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 等第一、第二及第三金屬膜各包含一鋁膜。 10. 如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第三金屬膜藉由連續執行一喷濺方法及回流方法而形 成。 1 1.如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 金屬阻障層包括一鈦膜、氮化鈦膜及具有連續形成鈦及 氣化鈦膜的多層膜之一。 12.如申請專利範圍第1項中形成一金屬膜之方法，其中該 第二金屬膜的階段覆蓋率優於該第一金屬膜的階段覆 蓋率。 1 3 . —種形成一金屬膜之方法，其包括： 形成一金屬阻障層於一基板的一表面上、一凹穴的一 底表面上及該凹穴的侧壁上； 200404343
    14. 15. 16. 17, 18. 19. 形成一絕緣膜於該基板之該表面上，但不在該凹穴内； 形成一第一金屬膜在該凹穴内的部份金屬阻障層上面 ;及 使用一第二金屬膜填充該凹穴。 如申請專利範圍第13項中形成一金屬膜之方法，其中使 用一氮電漿處理形成該絕緣膜，該氮電漿處理具有一電 漿功率約50至500 W，溫度約為12〇至160°C，期間約1至 10秒，及壓力約為3至1〇 torr。 如申請專利範圍第丨3項中形成一金屬膜之方法，其中該 第一金屬膜形成的溫度約為120至1 60它，期間約3 〇至 1δ〇秒，及壓力約為〇 2至5 〇 t〇rr。 如申請專利範圍第13項中形成一金屬膜之方法，其中該 絕緣膜利用一化學汽相沉積法形成，其使用的一第一源 氣體包括至少具有二甲基乙胺鋁烷（DEMMA)、曱基焦嘧 °疋鋁烷（MPA)及二曱基氫化鋁ah)之一，及該第一金 屬膜利用一化學汽相沉積法形成，其使用的一第二源氣 此包括至少具有DEMMA，MPA及DMAH之一。 $申請專利範圍第16項中形成一金屬膜之方法，其中該 乐二氣體的流量率大於該第一氣體的流量率約為8至12 倍。 ^申請專職㈣13項中形成—金屬狀方法，其中該 第至屬膜的厚度大於該絕緣膜的厚度約為3炱1 0 ^ ， 如申請專利範圍第13項中形成—金屬膜之方法，其中3 金屬阻障膜、該絕緣膜及該襯墊均在原處形成。 200404343
    2〇·如申請專利範圍第1 3項中形成一金屬膜之方法，其中該 第一孟屬膜籍由連續執行一喷藏方法及一回流方法而 形成。 女申明專利範圍第1 3項中形成一金屬膜之方法，其中該 第一金屬膜的階段覆蓋率優於該絕緣膜的階段覆蓋率。 22. —種半導體裝置，其包括·· 孟屬阻障層，其在一基板的一凹穴内形成；
    、、巴、、彖膜，其於該基板上但不在該凹穴内形成； 一金屬膜，其在該凹穴内的部份金屬阻障層上面形成 ;及 夕、金屬膜在該基板上形成。 23. ::申請專利範圍第22項之半導體裝置’其中該絕編 利用I電漿處理一金屬膜而形成。 24. 如申請專利範圍 ..^ ^ 只心千¥版衣置，其中該金屬阻1¾ 層在該基板上形成。 25. 如申請專利範圍第22
    屬膜i I , 戶'心千♦衣置，其中該另外^ 76 4 上、該凹穴及該絕緣膜上形成。 一.種形成一半導體裝置之方法，其包括： 形成一金屬阻障層在一基板的一凹穴内； 形成一絕緣膜在該基板的部份 ， 祀+ y, 上，但不在該凹穴内； ;及 至屬阻卩平層的部份上3 形成另外金屬膜在該基板上。 27·如申請專利範圍第26項之方法，甘&上 -中該絕緣膜係利戶 An -4 - 200404343 申講導_範圜繽買 一氮電衆處理一金屬膜而形成。 2 8.如申請專利範圍第2 6項之方法，其中該另外金屬膜在該 基板上、該凹穴及該絕緣膜上形成。
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