KR970052353A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀에서의 스텝 커버리지의 불량으로 발생하는 콘택홀 가장자리에서의 누설전류를 방지할 수 있는 콘택홀의 형성방법을 제공하기 위한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 콘택홀 형성방법은 반도체 기판 상부의 산화막에 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀이 형성된 기판을 고밀도의 질소 분위기에서 소정 시간동안 유지시키는 단계; 질소 개스가 들어 있는 챔버를 플라즈마 상태로 전환하여 콘택홀의 바닥부에 질화막을 형성하는 단계; 장벽 금속막을 콘택홀의 전면에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부한 도면은 본 발명의 실시예에 따른 콘택홀의 형성방법을 설명하는 공정 흐름도.
Claims (4)
- 반도체 기판 상부의 산화막에 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀이 형성된 기판을 고밀도의 질소 분위기에서 소정 시간동안 유지시키는 단계; 질소 개스가 들어 있는 챔버를 플라즈마 상태로 전환하여 콘택홀의 바닥부에 질화막을 형성하는 단계; 장벽 금속막을 콘택홀의 전면에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀 형성방법은 연속적으로 동일한 챔버에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고밀도 질소 분위기에서 유지시간은 20 내지 30초 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생을 위한 인가전원은 -170 내지 230W 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056951A KR970052353A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056951A KR970052353A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052353A true KR970052353A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950056951A KR970052353A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052353A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457057B1 (ko) * | 2002-09-14 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 금속막 형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056951A patent/KR970052353A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457057B1 (ko) * | 2002-09-14 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 금속막 형성 방법 |
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