SU1428058A1 - Method of obtaining image - Google Patents

Description

(46) ,92, Бюл, Э 13(46), 92, Byul, E 13

(21)4048580/21(21) 4048580/21

(22)03.04.86(22) 04/03/86

(71)Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе(71) Ioffe Physico-Technical Institute

(72)А.В.Колобов и В.М.Любин(72) A.V. Kolobov and V.M. Lyubin

(53)621.382,002(088,8)(53) 621.382,002 (088.8)

(56)Несеребр ные фотографические процессы под рел. А.П.Картужанского. Л., Хими , 1984, с. 221-222.(56) Non-silable photographic processes are under rela. A.P.Kartuzhansky. L., Himi, 1984, p. 221-222.

Патент ГЛР 215878, кл. G 03 С 1/72. 1984. Patent GLR 215878, cl. G 03 C 1/72. 1984

(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ(54) METHOD OF OBTAINING THE IMAGE

(57)Изобретение относитс  к микро электронике и может быть использовано при изготовлении объектов интегральной оптики и голографии. Цель изобретени  - увеличение произподи- тельности. В качестге зкспонируемого халькогенидного стеклообразного полупроводникового материала используетс  пленка с шириной запрещенной зоны Eg 2,4 эВ. Интенсипность облучени  белого света составл ет на поверхности экспонируемого сло  150 мВт/см при парциальном д п.ириии кислорода -7- . Про влени  изображени  осуществл 1 тс  путег испарени  цинка или кадми . 1 тлбл.(57) The invention relates to microelectronics and can be used in the manufacture of objects of integrated optics and holography. The purpose of the invention is to increase productivity. The quality of the exposed chalcogenide glassy semiconductor material uses a film with a band gap of Eg 2.4 eV. The intensity of the irradiation of white light on the surface of the exposed layer is 150 mW / cm with a partial oxygen source -7-. The appearance of the image was carried out using 1 Tc of zinc or cadmium evaporation. 1 tbl.

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано при изгртоплении объектов HHterpanbHoft оптики и голографии.The invention relates to microelectronics and can be used in the heating of objects of HHterpanbHoft optics and holography.

Целью мзобретен    вл етс  увели- производительности за счет уве личеии  .скорости осаждени  к дми  или цинка при экспонировании халькогенид- ного стеклообразного полупроводника в кйслородосодержащей атмосфере. При экспонировании при парциальном давлении: кислорода менее фотости fyлйpoвaкнoгo изменени  скорости осаждени  не происходит.The objective of the inventor is to increase productivity by increasing the deposition rate to dmi or zinc when exposing the chalcogenide glassy semiconductor to oxygen in the atmosphere. When exposing at a partial pressure: oxygen less than a photosty, no change in deposition rate occurs.

Пример,В качестве экспонируе МОГ0 халькогекидного стеклообразного полупроводникового материала использовалась пленка с за™ гфещениой зоны Ej; 2,Д эВ Облучение проводилось стандартным проектором Свит зь рассто ние между проектором; и зкспонируемым слоем составл ло 15 м. Интенсивность белого света сос | а0л ла при этих услови х на по вер1(нрсти экспонируемого сло  150 мВт/см . Разные участки сло  экспонировались в течение разного времени . Облучение проводилось на воздухе , т.е. при содержании кислорода 21%:лри Р 1 атм, что соответствует парциальному давлению кислородаExample, As a display of MOG0 chalcogekid glassy semiconductor material, we used a film with a broadcasting zone Ej; 2, D eV Irradiation was performed by a standard projector. The distance between the projector was connected; and the exposed layer was 15 m. The intensity of white light coc | under these conditions on the vertex1 (the exposure of the exposed layer is 150 mW / cm. Different parts of the layer were exposed for different times. The irradiation was carried out in air, i.e. at an oxygen content of 21% oxygen pressure

0,2-105 Па.0.2-105 Pa.

Про вление изображени  осуществл  лось .путем испарени  цинка в вакууме, Лл  испарени  использовалась вакуум- на  установка типа АВП-О.З, В качестве испарител  использовалась танта- лова  лодочка, изготовленна  из фоль ги толщиной 0,2 мм, размер лодочки длина А см, высота 0,5 см. Лодочка под1а1гочалась к контактам, через кото- рые на испаритель подаетс  напр же ние, В лодочку помещались испар е№ е гранулы цинка. Проэкспонированный слой помещалс  на стекл нном стакане над испарителем на рассто нии 16 см от лодочки. После размещени  сло  производилась откачка до давле ни  остаточных газов 3,99 10 Пс1,3а тем через испаритель пропускалс  ток 12 А, обеспечивающий нанесениеThe image was visualized by evaporation of zinc in a vacuum, LL was evaporated using a vacuum unit of the type AVP-O.Z. A tantalum boat made of 0.2 mm thick foil was used as an evaporator. , height 0.5 cm. The boat was fed to the contacts through which a voltage was applied to the evaporator. The evaporation of zinc granules was placed in the boat. The exposed layer was placed on a glass beaker above the evaporator 16 cm from the boat. After the layer was placed, pumping was carried out to a pressure of residual gases of 3.99 10 Ps1.3a, and a current of 12 A was passed through the evaporator to ensure the application

цинка на неэксгюииро  нную гюперх- ность AsjSjCO скоростью 80 Л/с.Скорость нанесени  сло  цинка рег-нг.три- ровалась с помощью кварцевого измерител  толщины КИТ-1. Цинк напьш лс  на пленку ASjSj в течение времени 20 с, толщина сло  цинка на необлученных участках сло  составила при этом d 1600 А,zinc on the non-exsanguinated AsjSjCO surface guiding surface at a rate of 80 L / s. The rate of deposition of the zinc layer was reg-ng. was measured using a KIT-1 quartz thickness meter. Zinc deposited on the ASjSj film for a time of 20 s, the thickness of the zinc layer on the non-irradiated regions of the layer was d 1600 A,

Кроме того, облучение AsjS проводилось тем Же светоМр но в атмосферах с равным парциальным давлением кислорода. Полученные результаты приведены в таблице.In addition, AsjS was irradiated by the same light in atmospheres with an equal partial pressure of oxygen. The results are shown in the table.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ получени  изображени , включающий селективное экспонирование сло  халькогенидного стеклообразного полупроводника электромагнитным излучением и про вление изображени  путем селективного осаждени  цинка или кадми  на неэкспонированные участки сло а отличающийс  TeMj что, с целью повьпвени  производительности способа, зкспонирование осуществл ют в кйслородосодержащей атмосфере при парциальном давлении кислорода з-х 10 Па, The method of obtaining the image, including the selective exposure of the chalcogenide glassy semiconductor layer by electromagnetic radiation and the image display by selective deposition of zinc or cadmium on the unexposed areas of the layer differing in TeMj that, in order to improve the performance of the method, the exposure is carried out in a hydrogen-containing atmosphere with a partial atmosphere in a partial atmosphere with a partial atmosphere. x 10 Pa,