SU1428058A1 - Способ получени изображени - Google Patents

Description

(46) ,92, Бюл, Э 13

(21)4048580/21

(22)03.04.86

(71)Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе

(72)А.В.Колобов и В.М.Любин

(53)621.382,002(088,8)

(56)Несеребр ные фотографические процессы под рел. А.П.Картужанского. Л., Хими , 1984, с. 221-222.

Патент ГЛР 215878, кл. G 03 С 1/72. 1984.

(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

(57)Изобретение относитс  к микро электронике и может быть использовано при изготовлении объектов интегральной оптики и голографии. Цель изобретени  - увеличение произподи- тельности. В качестге зкспонируемого халькогенидного стеклообразного полупроводникового материала используетс  пленка с шириной запрещенной зоны Eg 2,4 эВ. Интенсипность облучени  белого света составл ет на поверхности экспонируемого сло  150 мВт/см при парциальном д п.ириии кислорода -7- . Про влени  изображени  осуществл 1 тс  путег испарени  цинка или кадми . 1 тлбл.

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано при изгртоплении объектов HHterpanbHoft оптики и голографии.

Целью мзобретен    вл етс  увели- производительности за счет уве личеии  .скорости осаждени  к дми  или цинка при экспонировании халькогенид- ного стеклообразного полупроводника в кйслородосодержащей атмосфере. При экспонировании при парциальном давлении: кислорода менее фотости fyлйpoвaкнoгo изменени  скорости осаждени  не происходит.

Пример,В качестве экспонируе МОГ0 халькогекидного стеклообразного полупроводникового материала использовалась пленка с за™ гфещениой зоны Ej; 2,Д эВ Облучение проводилось стандартным проектором Свит зь рассто ние между проектором; и зкспонируемым слоем составл ло 15 м. Интенсивность белого света сос | а0л ла при этих услови х на по вер1(нрсти экспонируемого сло  150 мВт/см . Разные участки сло  экспонировались в течение разного времени . Облучение проводилось на воздухе , т.е. при содержании кислорода 21%:лри Р 1 атм, что соответствует парциальному давлению кислорода

0,2-105 Па.

Про вление изображени  осуществл  лось .путем испарени  цинка в вакууме, Лл  испарени  использовалась вакуум- на  установка типа АВП-О.З, В качестве испарител  использовалась танта- лова  лодочка, изготовленна  из фоль ги толщиной 0,2 мм, размер лодочки длина А см, высота 0,5 см. Лодочка под1а1гочалась к контактам, через кото- рые на испаритель подаетс  напр же ние, В лодочку помещались испар е№ е гранулы цинка. Проэкспонированный слой помещалс  на стекл нном стакане над испарителем на рассто нии 16 см от лодочки. После размещени  сло  производилась откачка до давле ни  остаточных газов 3,99 10 Пс1,3а тем через испаритель пропускалс  ток 12 А, обеспечивающий нанесение

цинка на неэксгюииро  нную гюперх- ность AsjSjCO скоростью 80 Л/с.Скорость нанесени  сло  цинка рег-нг.три- ровалась с помощью кварцевого измерител  толщины КИТ-1. Цинк напьш лс  на пленку ASjSj в течение времени 20 с, толщина сло  цинка на необлученных участках сло  составила при этом d 1600 А,

Кроме того, облучение AsjS проводилось тем Же светоМр но в атмосферах с равным парциальным давлением кислорода. Полученные результаты приведены в таблице.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ получени  изображени , включающий селективное экспонирование сло  халькогенидного стеклообразного полупроводника электромагнитным излучением и про вление изображени  путем селективного осаждени  цинка или кадми  на неэкспонированные участки сло а отличающийс  TeMj что, с целью повьпвени  производительности способа, зкспонирование осуществл ют в кйслородосодержащей атмосфере при парциальном давлении кислорода з-х 10 Па,