SU1428058A1 - Способ получени изображени - Google Patents
Способ получени изображени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1428058A1 SU1428058A1 SU864048580A SU4048580A SU1428058A1 SU 1428058 A1 SU1428058 A1 SU 1428058A1 SU 864048580 A SU864048580 A SU 864048580A SU 4048580 A SU4048580 A SU 4048580A SU 1428058 A1 SU1428058 A1 SU 1428058A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- zinc
- layer
- atmosphere
- image
- partial
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(46) ,92, Бюл, Э 13
(21)4048580/21
(22)03.04.86
(71)Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
(72)А.В.Колобов и В.М.Любин
(53)621.382,002(088,8)
(56)Несеребр ные фотографические процессы под рел. А.П.Картужанского. Л., Хими , 1984, с. 221-222.
Патент ГЛР 215878, кл. G 03 С 1/72. 1984.
(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ
(57)Изобретение относитс к микро электронике и может быть использовано при изготовлении объектов интегральной оптики и голографии. Цель изобретени - увеличение произподи- тельности. В качестге зкспонируемого халькогенидного стеклообразного полупроводникового материала используетс пленка с шириной запрещенной зоны Eg 2,4 эВ. Интенсипность облучени белого света составл ет на поверхности экспонируемого сло 150 мВт/см при парциальном д п.ириии кислорода -7- . Про влени изображени осуществл 1 тс путег испарени цинка или кадми . 1 тлбл.
Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть использовано при изгртоплении объектов HHterpanbHoft оптики и голографии.
Целью мзобретен вл етс увели- производительности за счет уве личеии .скорости осаждени к дми или цинка при экспонировании халькогенид- ного стеклообразного полупроводника в кйслородосодержащей атмосфере. При экспонировании при парциальном давлении: кислорода менее фотости fyлйpoвaкнoгo изменени скорости осаждени не происходит.
Пример,В качестве экспонируе МОГ0 халькогекидного стеклообразного полупроводникового материала использовалась пленка с за™ гфещениой зоны Ej; 2,Д эВ Облучение проводилось стандартным проектором Свит зь рассто ние между проектором; и зкспонируемым слоем составл ло 15 м. Интенсивность белого света сос | а0л ла при этих услови х на по вер1(нрсти экспонируемого сло 150 мВт/см . Разные участки сло экспонировались в течение разного времени . Облучение проводилось на воздухе , т.е. при содержании кислорода 21%:лри Р 1 атм, что соответствует парциальному давлению кислорода
0,2-105 Па.
Про вление изображени осуществл лось .путем испарени цинка в вакууме, Лл испарени использовалась вакуум- на установка типа АВП-О.З, В качестве испарител использовалась танта- лова лодочка, изготовленна из фоль ги толщиной 0,2 мм, размер лодочки длина А см, высота 0,5 см. Лодочка под1а1гочалась к контактам, через кото- рые на испаритель подаетс напр же ние, В лодочку помещались испар е№ е гранулы цинка. Проэкспонированный слой помещалс на стекл нном стакане над испарителем на рассто нии 16 см от лодочки. После размещени сло производилась откачка до давле ни остаточных газов 3,99 10 Пс1,3а тем через испаритель пропускалс ток 12 А, обеспечивающий нанесение
цинка на неэксгюииро нную гюперх- ность AsjSjCO скоростью 80 Л/с.Скорость нанесени сло цинка рег-нг.три- ровалась с помощью кварцевого измерител толщины КИТ-1. Цинк напьш лс на пленку ASjSj в течение времени 20 с, толщина сло цинка на необлученных участках сло составила при этом d 1600 А,
Кроме того, облучение AsjS проводилось тем Же светоМр но в атмосферах с равным парциальным давлением кислорода. Полученные результаты приведены в таблице.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ получени изображени , включающий селективное экспонирование сло халькогенидного стеклообразного полупроводника электромагнитным излучением и про вление изображени путем селективного осаждени цинка или кадми на неэкспонированные участки сло а отличающийс TeMj что, с целью повьпвени производительности способа, зкспонирование осуществл ют в кйслородосодержащей атмосфере при парциальном давлении кислорода з-х 10 Па,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864048580A SU1428058A1 (ru) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | Способ получени изображени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864048580A SU1428058A1 (ru) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | Способ получени изображени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1428058A1 true SU1428058A1 (ru) | 1992-04-07 |
Family
ID=21230682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864048580A SU1428058A1 (ru) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | Способ получени изображени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1428058A1 (ru) |
-
1986
- 1986-04-03 SU SU864048580A patent/SU1428058A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2630484A (en) | Printing | |
DE69326651D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mustern | |
US3386823A (en) | Photothermic image producing process | |
SU1428058A1 (ru) | Способ получени изображени | |
JPS56164531A (en) | Manufacture of semiconductor | |
JPS57212447A (en) | Photomask | |
JPS56140345A (en) | Formation of pattern | |
US2935403A (en) | Prussian blue image forming process | |
SU1091107A1 (ru) | Способ получени рельефного изображени на диэлектрической подложке | |
JPS57105739A (en) | Production of mask | |
JPS57200944A (en) | Manufacture of magnetic disk | |
RU1824623C (ru) | Полупроводниковый способ получени видимого изображени | |
JPS56104334A (en) | Photomask for contact exposure | |
JPS57105741A (en) | Image formation | |
SU970989A1 (ru) | Способ фотохромной записи оптической информации | |
JPS57112025A (en) | Formation of pattern | |
DE1547963C (de) | Verfahren zur Herstellung fotografischer Abbildungen | |
JPS56165244A (en) | Manufacture of multilayer thin film electrode | |
JPS51139321A (en) | Method of precipitating metal silver on glass surface | |
JPS55158635A (en) | Mask | |
JPS57108859A (en) | Exposing device for film carrier | |
JPS5638475A (en) | Fabrication of photomask | |
JPS5510654A (en) | Optical induction type driverless wagon | |
JPS561941A (en) | Image forming method | |
JPS56130917A (en) | Manufacture of semiconductor device |