SU1091107A1 - Method of producing relief picture on dielectric base - Google Patents
Method of producing relief picture on dielectric base Download PDFInfo
- Publication number
- SU1091107A1 SU1091107A1 SU823543241A SU3543241A SU1091107A1 SU 1091107 A1 SU1091107 A1 SU 1091107A1 SU 823543241 A SU823543241 A SU 823543241A SU 3543241 A SU3543241 A SU 3543241A SU 1091107 A1 SU1091107 A1 SU 1091107A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tin
- layer
- light
- thickness
- aqueous solution
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ , включающий нанесение на нее сло олова, экспонирование ультрафиолетовым и (или) видимым светом и про вление в водном растворе,6 т л ич а ю щ и и с тем, что, с целью одновременного повьвиени светочувствительности системы и сокращени числа операций обработки, нанос т слой олова толщиной 20-100 нм, слой йодида олова (п) толщиной 30-200 нм, а про вл ют в растворе, содержащем дополнительно феррицианид кали или хлорид железа (Ш) в концентрации 10-500 и 5-300 г/л соответственно.A METHOD FOR OBTAINING A RELIEF IMAGE ON A DIELECTRIC SUBSTRATE, including applying a layer of tin on it, exposing it with ultraviolet and (or) visible light and showing it in an aqueous solution, 6 tons of light and so that, with the aim of simultaneously evoking light sensitization. and reduce the number of processing operations, apply a layer of tin 20–100 nm thick, a layer of tin iodide (p) 30–200 nm thick, and develop in a solution containing additionally potassium ferricyanide or ferric chloride (III) at a concentration of 10–500 and 5-300 g / l, respectively.
Description
0}0}
С Изобретение относитс к способам получени рельефных изображений систем металл - полупроводник и может быть использовано дл изготовле ни джозефсоновских контактов дл сверхпровод щих микросхем, диАракци онных решеток, пол ризаторов электр магнитного излучени решетдчиого типа и других оптотехнических изделий . Известны способы получени релье ного изображени на диэлектрической подложке, один из которых включает последовательное нанесение на нее сло серебра, сло сульфида МЕлиь ка экспонирование усльтрафиолетовым и видимым светом и про вление в вод ном растворе гидроокиси щелочного металла. . Недостатком известного способа вл етс использование драгоценного металла - серебра. Наиболее близким к предлагае1мому вл етс способ получени рел| ёфног изображени на диэлектрической подложке , включающий последовательное нанесение на нее сло олова, сло йодида свинца (П), экспонирование ультрафиолетовым и видшикдм светом, про вление в водном раствЬре гидроокиси шелочного металла, и усиление полученного изображени каталитичес КИМ осаждением металлов. Способ осуществл етс бед применени серебра 1 . Однако светочувствительность сис темы падает в сравнении с системой Ag- ASjSj, благодар чему требуетс усиление изображени после про влени каталитическим осаждением метал лов . цель изобратеНи - одибвреме ное повьшение светочувстельности системы и сокращение числа операций обработки. Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу получени рельефного изображени на диэлектрической подложке, включающему нанесение на нее сло олова, экспонирование ультрафиолетовым и (или) видимым сзетом и про вление в водtroM растворе , нанос т слой олова толщиной нм, слой йодида олова (П) толщиной 30-200 нм, а про вл ют в растворе, содержащем дополнительно феррицианид кали или хлорид железа (Ш) в концентрации 10-500 и 5-300 г/л сортветственно. Комбинаци олова и йодида олова (П) в сло х за вленной толщины обеспечивает эффективное окисление метал лических частиц олова и их удалеиие при про влении экспоиированного фото растворе феррицианида кали или хлорида железа (Ю), при котором .происходит одновременное растворени всего сло йодистого олова (П) и продуктов фотолиза. Врем про влени зависит от тол- щины слоев, концентрации соли железа (Ы).температуры раствора и лежит в интервале от нескольких секунд до нескольких минут. После промывки образца в дистиллированной воде и сушки получают рельефное изображение из частиц олова с разрешающей способностью 3000 ЛИН/ММ. Способ осуиествл етс следующим образом.: На подложку из стекла или кварца, окиси хрома, слюды,мет гшла,керамики , лавсана, органического стекла . в вакууме 10- мм рт.ст термическим испарением нанос т слой олова толщиной от нескольких нанометров до сотен нанометров. На этот слой нанос т слой двуйодистого олова толщиной от дес тков до сотен нанометров. . На систему слоев с6 стороны сло йодида олова (П) проецируетс изоб-:ражение заданной конфигурации, например интерференционной картины, образованной двум пучками лазерного излучени , или изображение трафарета . В процессе экспонировани системы ультрафиолетовым и (или) видимом светом в местах, подверженных облучению , двуйодистое олово вступает в химическое взаимодействие с оловом с образованием продуктов; после экспонировани двуйодистое олово,/ не вступив11ее в химическое взаимодействие с оловом, и продукты взаимодействи на экспонированных участках раствор ютс в водном растворе феррицианида кали или хлорида железа (Ш). Пример. На стекл нную подложку в вакууме мм рт.ст. последовательно нанос т слои олова и двуйодистого олова толшинами 100 и 210 нм соответственно. На }бразец проецируют интep epeнци6ннyю картину , образованную двум кргерент- . ньтми пучками света от лазера Игла4 (488 нм)с пространственной частотой 1300 мм . При .энергетической освещенности 1р вт/сМ врем облучени составл ет 10 мин. Под действием электромагнитного излучени происходит взаимодействие между слоем олова и слоем йвуйодистого олова с О1бразованием продуктов взаимодействи . После экспонировани образец погружают в водный раствор феррицианида кали 10 г/л на 8 мин Затем образец пррмЫ1зают дистиллироваинрй водой и высушивают. получают рельефное изображение в слое РлРва с рассто нием мезкду полосами 770 нм. При мер 2.На стекл нную подложку в вакууме 10мм рт,ст. последовательно нанос т слои оловаThe invention relates to methods for producing relief images of metal-semiconductor systems and can be used to make Josephson contacts for superconducting circuits, diode arrays, polarization-type polarizers, and other opto-technical products. There are known methods for producing a relief image on a dielectric substrate, one of which involves the successive deposition of a layer of silver on it, a layer of Mild sulphide with ultraviolet and visible light, and the appearance of an alkali metal hydroxide in a water solution. . The disadvantage of this method is the use of precious metal - silver. Closest to the proposed method is to obtain rel | An image on a dielectric substrate, including sequential deposition of a tin layer, a layer of lead iodide (P) on it, exposure with ultraviolet and video light, appearance in an aqueous solution of a silk metal hydroxide, and amplification of the obtained image by catalytic IMC by metal deposition. The method is implemented by the troubles of using silver 1. However, the photosensitivity of the system decreases in comparison with the Ag-ASjSj system, so that image enhancement is required after the onset of catalytic metal deposition. The purpose of the image is a one-to-one increase in the sensitivity of the system and a reduction in the number of processing operations. This goal is achieved in that according to the method of obtaining a relief image on a dielectric substrate, including applying a layer of tin on it, exposing it with ultraviolet and / or visible material, and showing a tin layer with a thickness of nm, a tin iodide (P) layer in water. 30–200 nm thick, and develops in a solution containing additionally potassium ferricyanide or iron (III) chloride at a concentration of 10–500 and 5–300 g / l, respectively. The combination of tin and tin iodide (P) in layers of an inferior thickness provides effective oxidation of tin metal particles and their removal while producing an exposed photo solution of potassium ferricyanide or ferric chloride (S), at which simultaneous tin iodide layer occurs ( P) and photolysis products. The time of occurrence depends on the thickness of the layers, the concentration of the iron salt (S). The temperature of the solution ranges from a few seconds to a few minutes. After washing the sample in distilled water and drying, a relief image of tin particles with a resolution of 3000 LIN / MM is obtained. The method is as follows: On a substrate of glass or quartz, chromium oxide, mica, methane, ceramics, lavsan, organic glass. in a vacuum of 10 mm Hg, thermal evaporation deposited a layer of tin with a thickness from a few nanometers to hundreds of nanometers. A layer of two-tin tin with a thickness from tens to hundreds of nanometers is deposited on this layer. . An image of a given configuration, such as an interference pattern formed by two beams of laser radiation, or a stencil image is projected onto the layer system c6 of the tin iodide layer (P). In the process of exposing the system with ultraviolet and (or) visible light in places exposed to radiation, two-diode tin reacts chemically with tin to form products; after exposure, the two-blended tin, / without entering into chemical interaction with tin, and the reaction products in the exposed areas are dissolved in an aqueous solution of potassium ferricyanide or ferric chloride (III). Example. On a glass substrate in vacuum, mm Hg. layers of tin and two-tin tin are sequentially deposited with thicknesses of 100 and 210 nm, respectively. On} a brazek is projecting an intrinsic picture, formed by two current-. ntimi beams of light from an Igla4 laser (488 nm) with a spatial frequency of 1300 mm. With an energy illuminance of 1p w / cM, the irradiation time is 10 minutes. Under the action of electromagnetic radiation, an interaction takes place between the tin layer and the tinous tin layer with O1 formation of interaction products. After exposure, the sample is immersed in an aqueous solution of potassium ferricyanide 10 g / l for 8 minutes. Then the sample is taken with distilled water and dried. a relief image is obtained in the FPPA layer with a distance between the bands of 770 nm. Example 2. On a glass substrate in a vacuum of 10 mm Hg, st. layers of tin are sequentially deposited
и двуйодистого олова с толщинами 100и 204 нм соответственио. облучают через фотошаблон интег|;)альным потоком ксеноиовой лампы ДКсЭл1000 в течение 15 мин, на рассто нии 40 см. После экспонировни образец погружают f водный раствор трёххлористого желеда 300 г/л на 5 мин,про .|««вают дистиллированной водой и высушивают . Получают, рельефное изображение в слое олова с глубиной рельефа 100 нм и размерами элементов 1-3.мкм. П р и м е р 3. На бумажную подложку в услови х, аналогичных описанным в -примерах 1 и 2, нанос т слои олова и двуйодистого олова с толщинами 20 и 34 им соответственно. Светочувствительный материал освещают через негатив контактным способомand a two-tin tin with thicknesses of 100 and 204 nm corresponds. Irradiate through the photomask with an integrated |;) DKsEl1000 xenoid lamp for 15 minutes at a distance of 40 cm. After exposure, the sample is immersed with an aqueous solution of gels trichloride 300 g / l for 5 minutes, dispensed with distilled water and dried . A relief image is obtained in a tin layer with a relief depth of 100 nm and dimensions of the elements of 1-3 μm. PRI me R 3. Under the conditions described in Examples 1 and 2, layers of tin and two-tin tin with thicknesses of 20 and 34 are deposited on the paper backing, respectively. Light-sensitive material is illuminated via negative contact
интегральным потоком от лампы накаливани мощностью 60 Вт, помещенной на рассто нии 15 см, в течение 2 мин. После экспонировани образец обраба:тыва1от в водном растворе феррицианида кали в течение 30 с, ополаскивают в дистиллированной воде и высушивают . Получают рельефное изображение негатива..an integral flux from a 60 W incandescent lamp placed at a distance of 15 cm for 2 minutes. After exposure, a sample of the sample: in a aqueous solution of potassium ferricyanide for 30 seconds, rinsed in distilled water and dried. Get a relief image of the negative ..
00
. Технико-экономические преимущества предлагаемого способа в сравнении с прототипом заключаютс в экономии энергетических и временных затрат, необходимых дл реализации способа,, обусловленной повышением светочувст5 вительности предложенной системы, а ее относительной нетокс1г1ностью .. The technical and economic advantages of the proposed method in comparison with the prototype consist in saving the energy and time costs required for the implementation of the method, due to the increased light sensitivity of the proposed system, and its relative non-toxicity.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823543241A SU1091107A1 (en) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | Method of producing relief picture on dielectric base |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823543241A SU1091107A1 (en) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | Method of producing relief picture on dielectric base |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1091107A1 true SU1091107A1 (en) | 1984-05-07 |
Family
ID=21046518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823543241A SU1091107A1 (en) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | Method of producing relief picture on dielectric base |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1091107A1 (en) |
-
1982
- 1982-12-08 SU SU823543241A patent/SU1091107A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент Англии 1382,071. кл. G 2 С, опублик. 1975 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
US4704347A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a photolacquer mask is formed by means of a two-layer lacquer system. | |
US3346385A (en) | Process for photo-engraving by use of photo-chromic dye and product | |
KR960007482A (en) | Manufacturing method of glass substrate coated with fine-type nesa glass film | |
SU1091107A1 (en) | Method of producing relief picture on dielectric base | |
US3442647A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices manufactured by such methods | |
US3386823A (en) | Photothermic image producing process | |
JPH035573B2 (en) | ||
US3986876A (en) | Method for making a mask having a sloped relief | |
US3811893A (en) | Photomask | |
US3222175A (en) | Process for forming metallic nonsilver images | |
US3395631A (en) | Thermal developing apparatus | |
US5637425A (en) | Method for fabricating phase shift mask comprising a polymethylmethacrylate phase shift film | |
US4306006A (en) | Method of directly manufacturing reticle patterns on chrome-coated plates by means of a pattern generator | |
FR2637428A1 (en) | FORBIDDEN ELECTRODE FOR SURFACE WAVE DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
US5858577A (en) | Phase shift mask and fabrication method thereof | |
SU730125A1 (en) | Method for obtaining photographic images | |
SU645118A1 (en) | Method of producing metallic positive image | |
SU1428058A1 (en) | Method of obtaining image | |
JPH07106235A (en) | Formation of pattern | |
TW364204B (en) | Method for producing semiconductor capacitor of the semiconductor and its eletrode plate | |
US5778042A (en) | Method of soft x-ray imaging | |
Huggett et al. | The germanium selenide/polymer bilevel photoresist system—A review | |
SU429406A1 (en) | METHOD OF RECEIVING PHOTOGRAPHIC AND IMAGE IMAGES | |
SU920622A1 (en) | Method of producing positive pictures |