DE1547963C - Process for producing photographic images - Google Patents

Description

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auf der Cadmiumsulfidschicht sichtbare Abbildungen. vertieftes Bild 34 gebildet bzw. in die Oberfläche dervisible images on the cadmium sulphide layer. recessed image 34 formed or in the surface of the

Eine längere Belichtungszeit ergab Bilder von größerem Schicht 32 eingeätzt. Ein derartig vertieftes Bild erzieltA longer exposure time resulted in images of a larger layer 32 etched in. Such a deepened image was achieved

Kontrast. man durch eine längere Belichtungsdauer, beispiels-Contrast. a longer exposure time, for example

Das Verfahren kann in einer normalen Luftatmo- weise bis zu 24 Stunden. Eine derartige fotothermischeThe procedure can take up to 24 hours in a normal air breath. Such a photothermal

Sphäre ausgeführt werden; eine Atmosphäre mit 5 Ätzung kann zur Herstellung von Schablonen fürSphere run; an atmosphere with 5 etching can be used to make stencils for

höerem Sauerstoffgehalt erhöht jedoch die Reaktions- Drucktypen oder Kunstformen verwendet werden;however, higher oxygen levels increase the reaction; Print types or art forms are used;

geschwindigkeit. Ein mit Wasserdampf gesättigter beispielsweise könnte mit der in F i g. 2 dargestelltenspeed. A saturated with water vapor, for example, could with the in Fig. 2 shown

Sauerstoffstrom beschleunigte die Reaktion durch Schablone eine Drucktype gegossen werden. Die aufOxygen flow accelerated the reaction by stencil being poured into a printing type. The on

ein bis jetzt noch nicht ganz erklärbares Katalysator- diese Weise erzielte Ätzung erfordert zwar eine relativa catalyst that has not yet been fully explained - this way of etching requires a relative one

phänomen beträchtlich. Dabei ist es notwendig, daß io lange Belichtungszeit; dafür ist das Verfahren jedochphenomenon considerable. It is necessary that a long exposure time; however, the procedure is for that

die Energie hv des auftreffenden Lichtes gleich oder gegenüber den herkömmlichen Verfahren sehr einfachthe energy hv of the incident light is the same or very simple compared to the conventional methods

größer ist als der Abstand zwischen Valenzband und durchzuführen.is greater than the distance between the valence band and.

Leitungsband der verwendeten lichtempfindlichen Ver- Die Vorrichtung gemäß F i g. 3 weist eine Heizbindung. Nur in diesem Fall wird die auftreffende platte 40 mit einer in ihrem Inneren untergebrachten Lichtstrahlung in der lichtempfindlichen Schicht ab- 15 Heizspirale 42 auf. An die Heizspirale 42 ist eine sorbiert. elektrische Energiequelle 44 über ein Regelpotentio-Conduction band of the light-sensitive components used. The device according to FIG. 3 has a heated bond. Only in this case is the impinging plate 40 housed with one inside it Light radiation in the light-sensitive layer from 15 heating coil 42 on. To the heating coil 42 is a sorbed. electrical energy source 44 via a control potential

Der Temperaturbereich ist durch die Art der ab- meter 46 angeschlossen. Die Temperatur der Heizlaufenden chemischen Reaktion bestimmt. Dabei platte 40 kann durch Verstellen des Potentiometers 46 handelt es sich um eine Dissoziation der lichtempfind- eingestellt werden. Das Substrat 48 mit der darauf liehen Verbindung durch Wärmeenergie und den 20 aufgebrachten fotothermischen Schicht 50 ist in geAufbau einer flüchtigen Verbindung des VIA-Elements, eigneter Wiese an der Vorderseite der Heizplatte 40 d. h. des Schwefels oder Selens oder Tellurs, mit dem befestigt. Auf der Substratoberfläche ist ein Thermo-Sauerstoff der umgebenden Atmosphäre, wobei die element 52 angebracht, das an ein Anzeigeinstrument flüchtige Verbindung aus der Reaktionszone unter 54 angeschlossen ist und eine kontinuierliche Über-Zurücklassung des Elements der Gruppe IIB, also des 25 wachung der Temperatur des Substrats 48 und der Zinks, Cadmiums oder Quecksilbers, verschwindet. Schicht 50 gestattet. Vor der Schicht 50 ist im Strahlen-Die Minimaltemperatur für die chemische Reaktion gang einer Lichtquelle 60 eine mit einem vorbestimmist daher diejenige, bei der die Reaktion und das Ver- ten Muster 64 versehene Maske 62 angebracht. Man schwinden des abdissoziierten VIA-Elements statt- erhält auf der Oberfläche der Schicht 50 ein sehr klares findet. Die Maximaltemperatur liegt dort, wo das 30 Abbild des auf der Maske 62 befindlichen Lochmusters Verdampfen des Materials von der Oberfläche nicht 64, wenn die Maske unmittelbar vor der Schicht 50 mehr vernachlässigbar ist. Oberhalb dieser Temperatur angebracht ist. Eine derartige Vorrichtung ist von der kann kein Bild mehr entstehen, weil dann die Ab- Anmelderin zur Erzeugung von Abbildungen auf dampfrate größer ist als die Ausfällrate. Im Falle von Cadmiumsulfidschichten verwendet worden. Als Licht-Cadmiumsulfid funktioniert das Verfahren in einem 35 quellen wurden dabei Quecksilber- oder Xenon-Hoch-Temperaturbereich zwischen etwa 300 und 45O⁰C. drucklampen verwendet, deren Lichtintensität beiThe temperature range is connected by the type of meter 46. The temperature of the heating process determines the chemical reaction. In this case, plate 40 can be set by adjusting the potentiometer 46, it is a dissociation of the light-sensitive. The substrate 48 with the bond thereon by thermal energy and the photothermal layer 50 applied thereon is attached to the structure of a volatile compound of the VIA element, suitably on the front side of the heating plate 40, ie the sulfur or selenium or tellurium. On the substrate surface is a thermal oxygen of the surrounding atmosphere, the element 52 is attached, which is connected to a display instrument volatile compound from the reaction zone under 54 and a continuous over-leaving of the element of group IIB, so the 25 monitoring of the temperature of the Substrate 48 and the zinc, cadmium or mercury, disappears. Shift 50 allowed. The minimum temperature for the chemical reaction of a light source 60 is applied with a predetermined mask 62 in front of the layer 50, therefore the one in which the reaction and the vertical pattern 64 are provided. The dissociated VIA element shrinks - there is a very clear surface on the surface of the layer 50. The maximum temperature is where the image of the hole pattern located on the mask 62 does not evaporate 64 from the surface if the mask immediately in front of the layer 50 is more negligible. Above this temperature is appropriate. Such a device can no longer form an image because then the applicant for the generation of images at vapor rate is greater than the precipitation rate. Has been used in the case of cadmium sulfide coatings. As the light-cadmium sulfide, the process works in a 35 well were thereby mercury or xenon high-temperature range used pressure lamps between about 300 and 45O ⁰ C., the light intensity at

Man nimmt an, daß dabei die folgenden Reaktionen 2-10^W/cm² lag. Vorzugsweise wird die Vorablaufen: richtung in einem geeigneten Behälter untergebracht, CdS + hv -s- Cd + S in dem eine Gasatmosphäre mit bestimmten Wasser-Cd + 1/2O₂ -> CdO 40 dampf- und/oder Sauerstoffgehalt aufrechterhaltenIt is believed that the following reactions were 2-10 ^ W / cm ² . The pre-flow is preferably housed in a suitable container, CdS + hv -s- Cd + S in which a gas atmosphere with certain water-Cd + 1 / 2O ₂ -> CdO 40, vapor and / or oxygen content is maintained

S + x/20 -=* SOa; v/ird- S + x / 20 - = * SOa; v / earth-

^{2 x} Das erfindungsgemäße Verfahren kann z. B. auch ^{2 x} The inventive method can, for. Stomach

Die Oxydation des Cadmiums ist dabei im all- bei der Herstellung eines Feldtransistors aus Cadgemeinen nicht vollständig; das nichtoxydierte Cad- miumsulfid verwendet werden. Die bekannte Hermium fällt in Form dunkler Partikeln in der belichteten 45 stellungsweise eine solchen Feldtransistors geht f olgen-Zone aus, und das Cadmiumoxid umgibt die Cadmium- dermaßen vor sich: Ausbildung des Grundkörpers, partikeln und bildet einen Oberflächenfilm über der Anbringen der Emitter- und Kollektorelektroden an Reaktionszone. Wesentlich ist, daß das SOi aus der entgegengesetzten Enden, Aufsprühen einer isolieren-Reaktionszone verschwindet, so daß eine Rekombi- den Siliciumoxidschicht und Anbringen der Basisnation mit dem Cadmium verhindert wird. 50 elektrode auf dieser Schicht. Durch Anwendung des The oxidation of cadmium is generally involved in the manufacture of a field transistor from cadmium not completely; the non-oxidized cadmium sulfide can be used. The well-known Hermium If such a field transistor falls in the form of dark particles in the exposed 45 positionally, such a field transistor follows the zone off, and the cadmium oxide surrounds the cadmium in front of it: formation of the base body, particles and forms a surface film over the attachment of the emitter and collector electrodes Reaction zone. It is essential that the SOi come from the opposite ends, spraying an isolate-reaction zone disappears, so that a recombining silicon oxide layer and attachment of the base nation with the cadmium is prevented. 50 electrode on this layer. Using the

Gemäß F i g. 1 sind auf einem geeigneten Substrat 10 erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Isolierschicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren Buchstaben 14 in der Weise aufgebracht werden, daß das mit der auf der fotoempfindlichen Schicht 12 abgebildet. Wäh- Isolierschicht zu versehende Gebiet mit Licht einer rend des fotothermischen Prozesses befand sich eine bestimmten Wellenlänge bestrahlt wird, wobei der entsprechende Maske vor der fotoempfindlichen 55 Grundkörper in einer Sauerstoffatmosphäre bis zu Schicht 12. In ähnlicher Weise könnten auch bei der einem Temperaturbereich erhitzt wird, wo die Bildungs-Herstellung von elektronischen Bauelementen in der rate des Cadmiumoxids noch größer ist als die Abbeleuchteten Zone selektiv isolierende Oxidschichten dampfrate des Cadmiumsulfids. Insbesondere ist das auf einem beliebigen isolierenden oder leitenden Träger Verfahren auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen gebildet werden. 60 anwendbar, wo sich für sehr kleine und kompliziertAccording to FIG. 1 are on a suitable substrate 10 method according to the invention can be the insulating layer according to the method according to the invention letters 14 are applied in such a way that the with the imaged on the photosensitive layer 12. Select the area to be provided with light an insulating layer At the end of the photothermal process, a certain wavelength is irradiated, whereby the corresponding mask in front of the photosensitive 55 base body in an oxygen atmosphere up to Layer 12. Similarly, it could also be heated at the temperature range where the formation is producing of electronic components in the rate of the cadmium oxide is even higher than the illuminated ones Zone selective insulating oxide layers vapor rate of cadmium sulfide. In particular, that is on any insulating or conductive support process in the field of integrated circuits are formed. 60 applicable where applicable to very small and complicated

Gemäß F i g. 2 ist in einer fotoempfindlichen ausgestaltete Schaltplanmuster die bisherigen Her-Schicht 32, die sich auf einem Substrat 30 befindet, ein stellungsverfahren teilweise als unzulänglich erweisen.According to FIG. 2 is the previous Her layer in a photosensitive designed circuit diagram pattern 32, which is located on a substrate 30, turn out to be a positioning method partially inadequate.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (4)

1 2 Quecksilberjodid lichtempfindlich sind; bei Belichtung Patentansprüche: bildet sich ein schwärzlicher, wahrscheinlich auf . . : metallischem Quecksilber beruhender Niederschlag.1 2 mercury iodide are sensitive to light; when exposed to patent claims: a blackish, likely to appear. . : metallic mercury based precipitate. 1. Verfahren zur Herstellung fotografischer Ab- Ferner ist auch die Lichtempfindlichkeit weiterer bildungen, bei dem die Abbildungen durch Be- 5 Salze der Metalle der Gruppe IIB bekannt,'wie etwa Iichtung einer lichtempfindlichen Schicht erzeugt die Lichtempfindlichkeit von Zink- und Cadmiumwerden, die ein Sulfid, Selenid oder Tellurid des verbindungen.1. Process for the production of photographic images. Furthermore, the sensitivity to light is also further formations, in which the images are known by the 5 salts of the metals of group IIB, 'such as The creation of a photosensitive layer creates the photosensitivity of zinc and cadmium, which is a sulfide, selenide or telluride of the compounds. Zinks, Cadmiums oder des Quecksilbers als licht- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, einZinc, cadmium or mercury as light- The object of the present invention is a empfindliche Verbindung enthält, dadurch fotografisches Verfahren anzugeben, welches ein ganzcontains sensitive compound, thereby specifying a photographic process, which is a whole gekennzeichnet, daß während der Be- io einfaches lichtempfindliches System benutzt und dascharacterized that during the beio used simple photosensitive system and that Iichtung die lichtempfindliche Schicht in einer zur Verarbeitung nach der Belichtung keine weiterenNo further exposure of the photosensitive layer for processing after exposure Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre auf eine Verarbeitungsschritte mehr erfordert,Oxygen-containing atmosphere requires one more processing step, solche Temperatur erhitzt wird, bei der die licht- Der Gegenstand der Erfindung geht aus von einemsuch temperature is heated at which the light- The object of the invention is based on a empfindliche Schicht und die sie umgebende Verfahren zur Herstellung fotografischer Abbildungen,sensitive layer and the process surrounding it for the production of photographic images, Atmosphäre unter Bildung eines flüchtigen ent- 15 bei dem die Abbildungen durch Belichtung einer licht-Atmosphere with the formation of a volatile fernbaren Reaktionsprodukts und unter bild- empfindlichen Schicht erzeugt werden, die ein Sulfid,removable reaction product and under image-sensitive layer are generated, which is a sulfide, mäßiger Abscheidung des Zinks, Cadmiums oder Selenid oder Tellurid des Zinks, Cadmiums oder desmoderate deposition of zinc, cadmium or selenide or telluride of zinc, cadmium or the des Quecksilbers oder von deren Oxiden reagiert. Quecksilbers als lichtempfindliche Verbindung enthält,of the mercury or its oxides reacts. Contains mercury as a photosensitive compound, 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- und ist dadurch gekennzeichnet, daß während der zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht auf ao Belichtung die lichtempfindliche Schicht in einer eine Temperatur zwischen 3,00 und 450⁰C erhitzt Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre auf eine solche wird. . Temperatur erhitzt wird, bei der die lichtempfindliche2. The method according to claim 1, characterized in that the light-sensitive layer is characterized in that the light-sensitive layer is ^{heated to a temperature between 3.00 and 450 0} C in an oxygen-containing atmosphere on ao exposure . . Temperature is heated at which the photosensitive 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Schicht und die sie umgebende Atmosphäre unter zeichnet, daß die verwendete Sauerstoff atmosphäre Bildung eines flüchtigen entfernbaren Reaktionsmit Wasserdampf gesättigt ist. »5 produkte und unter , bildmäßiger Abscheidung des3. The method according to claim 1, characterized in the layer and the surrounding atmosphere below records that the oxygen used forms a volatile removable reaction with the atmosphere Water vapor is saturated. »5 products and under, pictorial deposition of the 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Zinks, Cadmiums oder des Quecksilbers oder von zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht deren Oxiden reagiert.4. The method according to claim 1, characterized by zinc, cadmium or mercury or of shows that the photosensitive layer reacts with its oxides. Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid oder Durch die Erfindung wird ein fotografisches Ver-Cadmium sulfide or cadmium selenide or The invention is a photographic process Cadmiumtellurid enthält, fahren erreicht, das die Verwendung eines sehr ein-Contains cadmium telluride, driving achieves the use of a very 30 fachen lichtempfindlichen Systems erlaubt und das30 times the light-sensitive system allowed and that nach der unter gleichzeitigem Erhitzen durchgeführtenafter being carried out with simultaneous heating . Belichtung keine weiteren Verfahrensschritte mehr. No further process steps to exposure " ν erfordert. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren"ν requires. In the method according to the invention Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur erfolgt bei der Zuführung von Licht- und Wärme-Herstellung fotografischer Abbildungen, bei dem die 35 energie eine Dissoziation der lichtempfindlichen VerAbbildungen durch Belichtung einer lichtempfindlichen bindung in der belichteten Zone, wobei das VIA-Schicht erzeugt werden, die ein Sulfid, Selenid oder Element der Verbindung mit dem umgebenden Sauer-Tellurid des Zinks, Cadmiums oder des Quecksilbers stoff eine flüchtige Verbindung eingeht und entweicht, als lichtempfindliche Verbindung enthält. ' während das II B-Element der Verbindung als metal-The invention relates to a method for producing light and heat when supplied photographic images in which the 35 energy dissociates the photosensitive image by exposing a photosensitive bond in the exposed zone, the via layer which is a sulfide, selenide or element of compound with the surrounding acid telluride the zinc, cadmium or mercury forms a volatile compound and escapes, contains as a photosensitive compound. 'while the II B element of the compound as a metal Es sind verschiedene Verfahren zur Erzeugung von 40 lischer Niederschlag oder als Oxid auf der Schicht fotografischen Abbildungen bekannt. Zum Beispiel verbleibt. Bei langer Belichtungsdauer erfolgt eine werden Silbersalze, wie beispielsweise Silberjodide und allmähliche Abtragung der lichtempfindlichen Schicht Silberbromide, als lichtempfindliche Schichten foto- in der belichteten Zone, so daß auf diesem Wege Ätzgrafischer Aufzeichnungsmaterialien benutzt. Wenn strukturen in. der Schicht hergestellt werden können, solche Verbindungen dem Licht ausgesetzt und an- 45 Ein derartiges Ätzverfahren kann z. B. zur Bildung schließend entwickelt werden, entsteht das foto- von Isolierschichten auf der Oberfläche eines elekgrafische Negativ, das man zum Herstellen der foto- tronischen Bauelements verwendet werden,
grafischen Bilder, benutzt. Darüber hinaus sind viele Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachandere fotografische Verfahren für die Anwendung stehend an Hand der Zeichnungen näher erläutert.-Es in industriellen Prozessen bekannt. Beispielsweise geht 50 zeigt ^; ·Various methods are known for producing a precipitate or as an oxide on the layer of photographic images. For example remains. With a long exposure time, silver salts such as silver iodides and gradual removal of the photosensitive layer silver bromides take place as photosensitive layers in the exposed zone, so that in this way etching graphic recording materials are used. If structures can be produced in the layer, such connections are exposed to light and an etching process of this type can be used, for. B. to be finally developed for formation, the photo of insulating layers is created on the surface of an electrographic negative, which is used to manufacture the photographic component,
graphic images. In addition, many embodiments of the invention are explained in more detail after other photographic processes for use with reference to the drawings. It is known in industrial processes. For example, 50 shows ^; · man beim Fotoätzen so vor, daß eine fotografische Fig. 1 die Perspektivansicht eines nach.dem erSubstanz auf eine metallische Unterlage aufgebracht findungsgemäßen Verfahren hergestellten Bildes,
wird, deren Oberfläche ein gewünschtes Ätzmuster F i g. 2 die Perspektivansicht einer nach dem er-photoetching is done in such a way that a photographic FIG.
whose surface has a desired etching pattern F i g. 2 the perspective view of a erhalten soll. Auf die Oberfläche der auf die Unterlage findungsgemäßen Verfahren geätzten, in der Druckereiaufgebrachten Schicht wird ein Bild projiziert, und 55 technik zu verwendenden Schablone,
entsprechend dem aufbelichteten Bild werden an- Fig. 3 die Querschnirtsansicht einer zur Durchschließend bestimmte Oberflächenteile der Unterlage, führung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten die durch die vorgenommene Entwicklung keine Vorrichtung.should receive. An image is projected onto the surface of the method according to the invention that has been etched onto the substrate and applied in the printing shop, and the stencil to be used is
In accordance with the exposed image, the cross-sectional view of a surface part of the substrate intended to be closed, suitable for the method according to the invention, is not a device due to the development carried out. schützenden Teile der aufgebrachten Schicht mehr Bei einem ersten Ausführungsbeispiel wurden daueraufweisen, mit Hilfe einer auf das Material der Unter- 60 hafte Abbildungen auf einem Cadmiumsulfid-Einlage einwirkenden Ätzlösung selektiv entfernt. ··.. kristall-Plättchen von einer Dicke zwischen 1 und 5 μmore protective parts of the applied layer. In a first embodiment, permanent with the aid of an image attached to the material of the base on a cadmium sulfide insert acting etching solution is selectively removed. ·· .. crystal platelets with a thickness between 1 and 5 μ Derartigen Verfahren haftet der Nachteil an, daß für erzeugt. Die Schicht wurde dabei in einer heizbaren solche fotografischen Schichten sehr komplexe licht- Haltevorrichtung auf eine Temperatur von 300⁰C erempfindliche Systeme benötigt werden, die darüber hitzt, und zur Belichtung wurde eine Quecksilberhinaus eines verhältnismäßig großen technischen Auf- 65 Hochdrucklampe verwendet, deren Leistungsdichte bei wands bedürfen, um sie nach der Belichtung weiter- etwa 10* μ W/cm^a lag und deren spektrale Verteilung zuverarbeiten. ein Maximum bei 3550 A aufwies. Bei Belichtungs-Such processes have the disadvantage that they are generated. The layer was required in a heatable such photographic layer very complex light-holding device to a temperature of 300 ⁰ C er-sensitive systems, which heats above, and a mercury in addition to a relatively large technical high-pressure lamp was used for exposure, the power density at wands need to continue after exposure - about 10 * μ W / cm ^a and to process their spectral distribution. had a maximum at 3550 A. At exposure Es ist ferner bekannt, daß Quecksilbersalze wie etwa zeiten zwischen 30 Minuten und 3 Stunden entstandenIt is also known that mercury salts are formed for between 30 minutes and 3 hours