SK287455B6 - Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 - Google Patents
Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 Download PDFInfo
- Publication number
- SK287455B6 SK287455B6 SK5052-2006A SK50522006A SK287455B6 SK 287455 B6 SK287455 B6 SK 287455B6 SK 50522006 A SK50522006 A SK 50522006A SK 287455 B6 SK287455 B6 SK 287455B6
- Authority
- SK
- Slovakia
- Prior art keywords
- layer
- glass
- coated
- plasma
- sio
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000001994 activation Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title claims abstract 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title claims abstract 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title claims abstract 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title claims abstract 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 5
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims 1
- 150000005826 halohydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000580353 Rhea americana Rheacalcin-1 Proteins 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004573 interface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Je opísané zariadenie na čistenie, leptanie, aktiváciu a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov, povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu účinkom difúznej plazmy. Zariadenie obsahuje aspoň jeden systém elektród (1) pozostávajúci zo sústav elektród (2) a (3), ktoré sa nachádzajú vnútri telesa (4) z dielektrického materiálu. Sústavy elektród (2) a (3), nad ktorými sa výhodne pri atmosférickom tlaku generuje difúzna plazma, sa nachádzajú na tej istej strane povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov, povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu (5), a sú napájané periodickým vysokým napätím. Opísaný je aj spôsob opracovania povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov, povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, ktorý spočíva v tom, že sa na takýto povrch pôsobí difúznou plazmou generovanou v zariadení podľa vynálezu výhodne pri atmosférickom tlaku. Na takto plazmou upravený povrch sa výhodne následne nanesie roztok obsahujúci H2O alebo sa povrch vystaví pôsobeniu pár monoméru, alebo sa privedie do kontaktu s iným materiálom.
Description
Vynález sa týka zariadenia a spôsobu na rýchle a bezpečné čistenie, leptanie a aktiváciu povrchu skla, a povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a iných materiálov pokrytých vrstvou SiO2 účinkom difúznej elektrickej plazmy generovanej pri tlakoch blízkych atmosférickému pomocou koplanámych povrchových bariérových výbojov a následné povrchové úpravy takto očistených a povrchovo aktivovaných materiálov.
Doterajší stav techniky
Povrch skla a iných materiálov pokrytých vrstvou SiO2, ako napríklad kremíkových dosiek používaných v elektronickom priemysle pokrytých prirodzenou alebo umelo vytvorenou vrstvou SiO2, polymérnych fólií pokrytých bariérovou vrstvou obsahujúcou SiO2, povrch plechov a iných kovových materiálov pokrytých ochrannou vrstvou na báze SiO2, povrch keramických materiálov pokrytých glazúrou na báze SiO2 a podobne, často nemá vhodné vlastnosti na použitie a následné povrchové úpravy. Môže byť napríklad znečistený organickými nečistotami, ako sú napríklad oleje a molekuly uhľovodíkov absorbované z okolitej atmosféry, ako i biologickým materiálom, ako sú napríklad baktérie alebo vírusy. Môže byť pokrytý vrstvou fotorezistu alebo ochrannou polymémou vrstvou napríklad pri výrobe plochých obrazoviek a displejov. Často je takéto znečistenie alebo pokrytie povrchu potrebné odstrániť pri použití takýchto materiálov, ako i pri ich následnom spracovaní a povrchových úpravách, ako je napríklad lepenie, farbenie, pokovenie, laminácia a podobne.
Ako je opísané napríklad v W.R. Birch: „Coatings: An introduction to the cleaning procedures“ The SolGel Gateway, June 2000, www.solgel.com, a v US patentovej prihláške 20010008229, na čistenie a povrchu skla a iných materiálov pokrytých SiO2 sa používajú mokré metódy s využitím organických rozpúšťadiel, ako napríklad izopropylalkohol, agresívne vodné roztoky kyselín a lúhov, horúca voda a čistenie ultrazvukom vo vodnom prostredí.
Z environmentálnych i technologických dôvodov je výhodné čistiť povrch skla a iných materiálov pokrytých SiO2 suchými metódami ako napríklad ohrevom obvykle na teplotu vyššiu než 300 °C v čase dlhšom než 30 min., pôsobením ozónu i v kombinácií s ultrafialových žiarením, ako je opísané napríklad v US prihláške patentu 20050076934, účinkom laserového žiarenia, ako je opísané napríklad v D.R. Halfpenny kol.: Applied Physics A: Materials Science & Processing71(2000) 147 - 151 a elektrickou plazmou, ako je opísané napríklad vUS Patente 5,028,453, v S. Tada a kol.: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6553-6556, A. Nakahira a kol.: Science and Engineering of Composite Materials 8(1999)129-136, E. Kondoh a kol.: Joumal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 18(2000)1276-1280, M. Syed a kol.: Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41(2002)263-269., K-B Lim a D-Ch. Lee: Surface and Interface Analysis 36(2004)254-258, O. Sneh a kol.: J. Phys. Chem. 99(1995)4639-4647, B.J. Larson a kol.: Biosensors and Bioelectronics 21 (2005) 796-801, R. Winter a kol.: Surface and Coatings Technology 93(1997), 134-141(8) US prihláške patentu 20040265505.
Ako je uvedené v Cleaning and Degreasing Process Changes, United States Environmental Protection Agency, EPA1625/R-93/017, February 1994, princíp plazmového čistenia je rovnaký, ako princíp plazmového leptania. Pod čistením, podobne ako je uvedené napríklad v C.H. Yi, Y.H. Lee, G.Y. Yeom: „The study of atmospheric pressure plasma for surface cleaning“ Surface and Coatings Technology 171 (2003) 237-240, budeme preto rozumieť i odstránenie organických nečistôt a vrstiev polymérnych materiálov, včítane napríklad vrstvy fotorezistu.
Pri väčšine aplikácií, predovšetkým pri následnom naviazaní molekúl iných materiálov na povrch skla a SiO2 pokrytých materiálov, je okrem očistenia a leptania povrchu potrebné uskutočniť i jeho aktiváciu, čím sa rozumie, ako je opísané napríklad v US prihláške patentu 20050000248, hydroxylácia povrchu, čiže zmena inertných siloxánových povrchových skupín na reaktívne hydratované silanolové SiOH povrchové skupiny, čím sa i významne zvýši povrchová energia materiálu. Ako je uvedené v A.V. Ghorokovki a kol.: Joumal of Adhesion Sci. and Technol. 14 (2000) 1657-1664 podobná aktivácia povrchu, čiže zvýšene koncentrácie polárnych skupín na povrchu a zvýšenie povrchovej energie, je výhodná i pre spevnené sklo a termálne sklo, ktorého povrch je čiastočne alebo úplne pokrytý oxidmi kovov. Ako je uvedené v Chung-Kyung Jung a kol.: Surface & Coating Technology 200 (2005) 1320, použitie plazmy je výhodné i na povrchové čistenie a aktiváciu skla pokrytého vrstvou TiO2.
Z tohto hľadiska je, na rozdiel napríklad s čistením pomocou ohrevu skla alebo laserom, aplikácia plazmy veľmi výhodná, keďže pri vhodne zvolených podmienkach možno súčasne dosiahnuť očistenie i aktiváciu povrchu. V súhlase s definíciou uvedenou v H. Hermann: „Atmospheric Pressure Plasma Jet for Glass Processing“ GLASS PROCESSING DAYS 2005 - www.gpd.fi, pp.1-3, budeme preto všetky opísané účinky plazmy nazývať plazmovým opracovaním alebo opracovaním plazmou.
Nevýhodou väčšiny známych zariadení na plazmové opracovanie skla, skla pokrytého kysličníkmi kovov i SiO2 pokrytých materiálov je však, že sa v nich plazma generuje pri tlakoch nižších než 1 kPa, čím sa zvyšujú náklady, požiadavky na kvalifikovaný obsluhujúci personál, nie je možné opracovať materiály kontinuálnym spôsobom a je nákladné opracovať materiály s veľkými rozmermi. Čistenie, leptanie a aktivácia plazmou pri nízkych tlakoch sú tiež pomalé, keďže vyžadujú expozičné doby niekoľko minút.
Na odstránenie tých nedostatkov boli vyvinuté zariadenia použiteľné na plazmovú úpravu skla a SiO2 pokrytých materiálov plazmou generovanou za atmosférického tlaku. Väčšina z nich, ako je opísané napríklad v T. Yamamoto a kol.: Plasma Chemistry and Plasma Processing 24(2004)1-12 a Ch. Wang a X. He: „Preparation of hydrophobic coating on glass surface by dielectric barrier discharge using a 16 kHz power supply“ Applied Surface Science (2006) ako i zariadenie SPOX-C vyrábané OTB Obeerflaechentechnik, Nemecko a zariadenie AT 2000 vyrábané ITM Inc., Južná Kórea, využíva na generáciu plazmy objemový bariérový výboj, niekedy tiež nazývaný korónou, alebo tichým výbojom, kedy sa opracovávaný materiál vkladá medzi dve elektródy, na ktoré sa privádza striedavé elektrické napätie, takže pri tomto riešení prúdočiary striedavým napätím generovaného posuvného prúdu prechádzajú opracovávaným materiálom. Plazma môže byť generovaná pri atmosférickom tlaku prakticky v ľubovoľnom plyne, včítane vzduchu a kyslíka. Nevýhodou tohto riešenia je, že charakteristiky výboja a takto generovanej plazmy závisia od hrúbky opracovávaného materiálu, takže nie je možné opracovávať materiály s ľubovoľnou hrúbkou. Ďalšou nevýhodou tohto riešenia je, že objemový výkon takto generovanej plazmy je nízky, takže na čistenie, leptanie, alebo povrchov aktivácia sú potrebné expozičné časy desiatky sekúnd až minúty. Ďalšou nevýhodou tohto spôsobu je, že so zvyšovaním výkonu privádzaného do plazmy narastá jej filamentácia a teplota plynu, takže dochádza k nerovnomernému opracovaniu a zdrsneniu povrchu skla, spevneného skla a SiO2 pokrytých materiálov.
Na odstránenie nehomogénneho opracovania povrchu skla a SiO2 pokrytých materiálov plazmou, ako i zvýšenie výkonu, ktorý možno priviesť do plazmy a tým skrátiť čas opracovania, boli navrhnuté zariadenia generujúce difúznu plazmu bez nežiaducich plazmových filamentov i za atmosférického tlaku. Takéto zaradenia, ktoré využívajú typ výboja nazývaný tlecí výboj za atmosférického tlaku (Atmospheric Pressure Glow Discharge) a ich použitie na čistenie a aktiváciu skla a SiO2 pokrytých materiálov, sú opísané napríklad v
C.H. Yi a kol.: Surface and Coatings Technology 171 (2003) 237-240, v B. Das: J. Adhes. Sci. Technol. 10(1996)1371-1382 a v US patentovej prihláške 20050045103. Tento princíp sa využíva i v zariadení Atomflo™ vyrábanom firmou Surfx Technologies, AP1S-F™ vyrábaným firmou Radiiontech. Podobný princíp nazývaný plasma-jet a jeho využitie pri povrchových úpravách skla je opísaný v H. Hermann : „Atmospheric Pressure Plasma Jet for Glass Processing“ GLASS PROCESSING DAYS 2005 - www.gpd.fi, str.l - 3.
Ako je uvedené v posledne uvedenej publikácii, spoločnou nevýhodou týchto zariadení je, že na zabránenie filamentácie plazmy a ohrevu pracovného plynu, čiže na generáciu difúznej neizotermickej plazmy bez filamentov využívajú pracovný plyn s obsahom hélia. Hélium má stabilizujúci účinok, čím umožňuje generovať difúznu neizotermickú plazmu, je však drahé a jeho použitie významne zvyšuje plazmového opracovania povrchu skla a SiO2 pokrytých materiálov. Ďalšou nevýhodou týchto zariadení je, že na stabilizáciu plazmy a zabránenie prehriatia plynu je potrebné generovať plazmu v prúdiacom pracovnom plyne, čo zvyšuje spotrebu pracovného plynu a tým i cenu opracovania plazmou. Ďalšou nevýhodou týchto zariadení je, že plazma je generovaná vo vzdialenosti väčšej než 1 mm od povrchu opracovaného skla. Táto skutočnosť, ako i prípadné prúdenie pracovného plynu, má za následok, že podstatná časť aktívnych častíc rekombinuje alebo inak zanikne v objeme plazmy pred kontaktom s opracovaným povrchom, takže len malý podiel aktívnych častíc generovaných v plazme dopadne na povrch skla, čo vedie k nízkej energetickej účinnosti takýchto zariadení. Ďalšou nevýhodou väčšiny týchto zariadení, ako napríklad zariadení opísaných v US patentovej prihláške 20050045103 je, že plazma je v kontakte s povrchom kovovej elektródy, čo má za následok eróziu a oxidáciu kovovej elektródy a z toho vyplývajúcu obmedzenú životnosť zariadenia. Ďalšou nevýhodou takýchto zariadení, mimo zariadenia opísaného v H. Hermann: “Atmospheric Pressure Plasma Jet for Glass Processing“ GLASS PROCESSING DAYS 2005 - www.gpd.fi , str. 1 - 3 a ako je diskutované napríklad v A.P. Napatovich: Plasmas and Polymér 6 (2001)1-14, je, že energetická hustota plazmy je len rádu 1 až 10 W/cm3, čo má za následok dlhé doby expozície rádu desiatok sekúnd pri čistení a aktivácii povrchu skla. Ďalšou nevýhodou takto generovanej plazmy je, že obvykle nie je bezpečná pri náhodnom kontakte s povrchov ľudského tela.
Podstata vynálezu
Nedostatky uvedených spôsobov a zariadení sú odstránené zariadením podľa vynálezu, kde sa na povrch skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2, pôsobí tenkou, výhodne tenšou než 1 mm a hrubšou než 0,05 mm, difúznou vrstvou silne neizotermickej elektrickej plazmy generovanou na časti povrchu telesa z dielektrického materiálu, výhodne keramického materiálu, alebo skla výhodne nad povrchom vodivých elektród uložených v tomto telese z dielektrického materiálu. Plazmou opracova ný povrch skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2, sa nachádza v blízkosti, výhodne vo vzdialenosti väčšej než 0,05 mm a menšej než 1 mm, od povrchu telesa z dielektrického materiálu, na ktorom sa genemje tenká vrstva plazmy.
Plazma sa generuje v ľubovoľnom pracovnom plyne, výhodne v pracovnom plyne neobsahujúcom hélium a obsahujúcom molekuly N2, O2, H2O, CO2 alebo halogénuhľovodíkov. Zariadenie podľa vynálezu môže pracovať v širokom rozsahu tlakov pracovného plynu rádovo od 1 kPa do 1000 kPa, výhodne pri atmosférickom tlaku a pri rýchlosti prúdenia plynu menšej než 10 m/s.
Difúzna plazma sa generuje na povrchu telesa z dielektrického materiálu oddeľujúceho elektricky vodivé elektródy zariadenia umiestnené v objeme tohto dielektrika, v tenkej vrstve výhodne v oblasti nad vodivými elektródami, pričom vodivé elektródy nie sú v kontakte s plazmou. Medzi elektródy sa privádza striedavé alebo periodické elektrické napätie s frekvenciou 50 Hz až 1 GHz s amplitúdou 100 V až 100 kV. Minimálna vzdialenosť elektród, na ktoré sa privádza striedavé napätie, je menšia než 2 mm a väčšia než 0,05 mm.
Elektródy sú usporiadané tak, že významná časť Maxwellowho posuvného prúdu, ktorá je väčšia než 25 % veľkosti celkového Maxwellowho posuvného prúdu pretekajúceho medzi elektródami oddelenými vrstvou dielektrického materiálu, ktoré sú napájané striedavým elektrickým napätím, neprechádza cez plazmu ani cez plazmou opracovávaný povrch materiálu.
Prekvapujúco bolo zistené, že spôsobom podľa vynálezu je nad povrchom vodivých elektród, uložených opísaným spôsobom v telese z dielektrického materiálu, možné generovať difúznu plazmu s vysokým objemovým výkonom až rádu 100 W/cm3 vhodnú na rýchle čistenie a aktiváciu povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2 i pri dobách opracovania rádu 0,1 s až 1 s. Výhodou riešenia podľa vynálezu je, že takúto difúznu plazmu je možné generovať i bez prúdenia pracovného plynu a použitia pracovného plynu obsahujúceho hélium. Prekvapujúco bolo zistené, že homogenita takto generovanej plazmy, na rozdiel od všetkých známych plazmových zariadení doteraz testovaných na uvedený účel, narastá s rastúcim elektrickým výkonom privádzaným do plazmy.
Ďalším prekvapujúcim poznatkom je, že difúznosť a homogenita plazmy je vyššia, ak sa vo vzdialenosti 0,05 mm až 1 mm, výhodne pri 0,2 až 0,3 mm od povrchu telesa z dielektrického materiálu, na ktorom sa generuje plazma, nachádza povrch skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2. Ďalším prekvapujúcim poznatkom je, že takto generovaná plazma je bezpečná pri kontakte s povrchom ľudského tela. Ďalším prekvapujúcim zistením je, že takto generovaná plazma pri dobách opracovania menších než 10 s nespôsobuje zdrsnenie povrchu s drsnosťou väčšou než 10 nm.
Prehľad obrázkov na výkresoch
Príklady elektródových systémov podľa vynálezu sú schematicky znázornené na priložených obrázkoch. Na obrázkoch sú zobrazené len elektródové systémy rovinného tvaru. Obr. 1 predstavuje v reze elektródový systém ako súčasť zariadenia slúžiaceho na plazmové opracovanie povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a iných materiálov pokrytých vrstvou SiO2 bez pomocnej elektródy. Opracovávaný materiál sa nachádza vo vzdialenosti maximálne 1 mm od elektródového systému.
Obr. 2 zobrazuje súčasť zariadenia slúžiaceho na plazmové opracovanie povrchu skla, a povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a iných materiálov pokrytých vrstvou SiO2 s pomocnou elektródou.
Príklady uskutočnenia vynálezu
Príklad 1
Zariadenie a spôsob podľa vynálezu boli použité na povrchovú aktiváciu skla na účely zlepšenia adhézie polymémej vrstvy nanesenej na povrch skla extrúznym spôsobom. Na povrch 10 mm hrubého bezalkalického bórosilikátového skla upraveného spôsobom podľa vynálezu pôsobením plazmy generovanej v laboratórnom vzduchu v trvaní 0,5 s pri výkone 10 W/cm2 bola extrúznym spôsobom pri teplote 120 °C nanesená 2 mm hrubá vrstva elastického tesniaceho materiálu Dow Coming® Instant Glaze. Adhézia tohto materiálu k povrchu skla stanovená spôsobom podľa ASTM C-794 bola 16 kN/m. Na porovnanie bola rovnakým spôsobom nanesená rovnaká vrstva Dow Coming® Instant Glaze na povrch skla očisteného štandardným spôsobom izopropylakoholom. V tomto prípade bola zmeraná hodnota adhéznej pevnosti 8,5 kN/m.
Príklad 2
Zariadene a spôsob podľa vynálezu boli použité na aktiváciu povrchu okrajov tabuľového skla na účely následného pokrytia takto aktivovaného povrchu spevňujúcou vrstvou epoxidovej živice. Cieľom bolo zlepšiť pevnosť skla úpravou jeho okrajov.
Z tabuľového skla s hrúbkou 10 mm boli narezané pásy s dĺžkou 400 mm a šírkou 40 mm. Hrany boli v smere kolmom na povrch skla zabrúsené diamantovým brúsnym nástrojom s priemerom 175 mm, veľkosťou zŕn 70 mikrónov a otáčkami 3000 ot/min. Okrajová časť skla bola očistená izopropylakoholom.
Pevnosť skla na ohyb bola meraná 3 bodovou metódou s opísanou F.A.Veer a J . Zuidema: „The Strength of Glass, Effect of Edge Quality“ Glass Processing Days 2003, 106-109. Stredná pevnosť skla so zabrúsenými okrajmi bola 54 MPa. Keď bola na okrajovú časť zabrúseného a očisteného skla nanesená vrstva epoxidovej živice s hrúbkou 0,25 mm, stredná pevnosť skla bola zvýšená na 98 MPa. Po aktivácii okrajov zbrúseného a očisteného skla v trvaní 2 s na každej z troch okrajových rovín a následným pokrytím vrstvou epoxidovej živice bola dosiahnutá stredná pevnosť 132 MPa.
Príklad 3
Doska z monokryštalického kremíka s prirodzenou vrstvou SiO2 bola očistená izopropylalkoholom. Na povrch takto očistenej dosky bol vo forme aerosólu nanesený 3 % roztok H3PO4 v destilovanej vode. V dôsledku nízkej povrchovej energie takto očisteného povrchu roztok nepokryl povrch rovnomerne, ale vytvoril na povrchu kvapky. Pri ďalšom pokuse bol na povrch dosky rovnakým spôsobom nanesený 3 % roztok H3PO4 v destilovanej vode s prídavkom surfaktantu, pričom sa na povrchu vytvorila len nesúvislá vrstva roztoku s otvormi. Keď bol na povrch dosky bez predchádzajúceho očistenia izopropylalkoholom opracovaný spôsobom podľa vynálezu v plazme kyslíka za atmosférického tlaku v trvaní 3 s pri výkone 5 W/cm2, vo forme aerosólu nanesený 3 % roztok H3PO4 v destilovanej vode, vytvoril na povrchu súvislú vrstvu bez použitia surfaktantu.
Príklad 4
Magnetrónovým naprašovaním bola na povrchu skla pripravená 150 nm hrubá vrstva zmesi kysličníkov india a cínu (ITO). Povrch skla s vrstvou ITO bol očistený deionizovanou vodou s prídavkom detergentu a následne i acetónom. Takto očistený povrch skla pokrytého vrstvou ITO bol v čase 3 s opracovaný spôsobom podľa vynálezu v plazme CO2 za atmosférického tlaku pri výkone 5 W/cm2. Takto plazmou opracovaný povrch skla pokrytého TiO2 bol výhodne použitý na výrobu svetlo emitujúcej organickej vrstvy spôsobom opísaným v C. C. Wu a kol.: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3117.
Príklad 5
Vrstva SiO2 s hrúbkou 3.10'6 m bola pripravená na povrchu Si(100) kombináciou termickej oxidácie a CVD depozície zo zmesi plynov SiH4 a O2. Takto pripravená vrstva bola následne očistená v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pôsobením plazmy generovanej v zmesi O2 s nasýtenými parami H2O pri atmosférickom tlaku, výkone 5 W/cm2 a v trvaní 30 s. Takto opracovaný materiál bol zahriaty na teplotu 900 °C, čím bola na povrchu Si(100) vytvorená kvalitná vrstva čistého sklovitého SiO2.
Príklad 6
Kremíková doska s priemerom 4 inch pokrytá prirodzenou vrstvou SiO2 s hrúbkou 0,6 nm, s povrchovou energiou stanovenou meraním kontaktného uhla s hodnotou 52 mN/m bola opracovaná metódou podľa vynálezu. Cieľom opracovania bolo zvýšiť povrchovú energiu, čiže hydrofilnosť, a aktivovať povrch kremíkovej dosky, čiže zvýšiť koncentráciu povrchových OH skupín, a tým zlepšiť vlastnosti jej povrchu pri priamom lepení kremíkových dosiek bez použitia adhezívnej vrstvy.
Doska bola opracovaná za atmosférického tlaku v plazme O2 v trvaní 3 s pri vzdialenosti od povrchu elektródového elementu 0,4 mm. Po opracovaní bola povrchová energia zvýšená na 61 mN/m. Opracovanie dosky štandardnou mokrou metódou RCA-1 malo za následok zvýšenie povrchovej energie len na 55 mN/m. Následne boli dve dosky skontaktované opracovanými stranami a priamo, čiže bez použitia odhezívneho materiálu, lepené 3 hod. v laboratórnom vzduchu v čistom priestore pri teplote 220 °C a zaťažení silou 50 N. Energia väzby stanovená štandardnou metódou „crack opening“ opísanou napr. v W.P. Maszara a kol.: J. Appl. Phys. 64 (1988) 4943 bola 1,4 J/m2 pre dosku opracovanú plazme O2 a 0,65 J/m2 pre dosku aktivovanú mokrou metódou RCA-1.
Príklad 7
Dve dosky z monokryštalického kremíka s prirodzenou vrstvou SiO2 s hrúbkou 0,6 nm boli a) leptané v trvaní 10 min. v 10 % roztoku HF v deionizovanej vode a b) opracované spôsobom podľa vynálezu v plazme H2 v trvaní 10 s. Po oboch typoch opracovania boli dosky 10 minút oplachované deionizovanou vodou a následne osušené prúdom dusíka. Pri oboch spôsoboch opracovania bola odstránená prirodzená vrstva SiO2 a povrch dosiek sa stal hydrofóbnym s kontaktným uhlom približne 70°. Takto opracované dosky boli ihneď po opracovaní privedené do mechanického kontaktu a týmto spojené. Pevnosť spojenia dosiek opracovaných podľa spôsobu b) bola približne dvakrát vyššia než pri ich povrchovej úprave spôsobom a).
Príklad 8
Na účely pokrytia skla súvislou hydrofilnou vrstvou TiO2 hrubšou než 100 nm bola pripravená zmes etanolu a kyseliny octovej, do ktorej bol pridaný titan-tetra-izopropoxid a roztok sa nechal odstáť v čase 3 hod. Povrch skla bol očistený a aktivovaný pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu v laboratórnom vzduchu v trvaní 0,5 s pri výkone 10 W/cm2. Na takto plazmou upravený povrch bol vo forme aerosólu nanesený opísaný roztok bez prídavku surfaktantu. Následne bola vzorka termicky upravená pri teplote 400 °C v trvaní 1 hod. Takto pripravená vrstva TiO2 s hrúbkou 50 nm však nemala požadované vlastnosti a nebola dobre zmáčateľná uvedeným roztokom v dôsledku zvyškových alkoxylových skupín. Na zlepšenie vlastností takto TiO2 pokrytého skla bolo TiO2 pokryté sklo očistené a aktivované pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pri atmosférickom tlaku v kyslíku v trvaní 3 s pri výkone 10 W/cm2. Na takto plazmou upravený povrch skla bolo možné opakovaním uvedeného postupu naniesť ďalšie vrstvy TiO2 s dobrými mechanickými vlastnosťami a bez trhlín.
Príklad 9
Na povrchu skla bola magnetrónovým naprašovaním pripravená vrstva TiO2 na s hrúbkou 300 nm. Po expozícii takto pripraveného skla pokrytého vrstvou TiO2 bol kontaktný uhol kvapky vody na povrchu 66°. Následne bol tento materiál aktivovaný pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pri atmosférickom tlaku v kyslíku v trvaní 2 s pri výkone 10 W/cm2. Hodnota kontaktného uhla sa týmto zmenšila na približne 10°, čím povrch získal žiaducu hydrofilnosť a lepšie katalytické vlastnosti.
Príklad 10
Kremíková doska s priemerom 4 inch s prirodzenou vrstvou SiO2 s hrúbkou 0,6 nm, bola pokrytá metódou spin coating pri otáčkach 4000/min. v trvaní 30 s vrstvou fotorezistu AZ1512. Následne bola takto pripravená vrstva tepelne spracovaná pri teplote 120 °C v trvaní 30 min. Takto pripravená vrstva fotorezistu bola následne leptaná pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pri atmosférickom tlaku v kyslíku pri výkone 20 W/cm2, pričom bola dosiahnutá rýchlosť leptania 220 nm/min.
PATENTOVÉ NÁROKY
Claims (13)
1. Zariadenie na čistenie, leptanie a aktiváciu povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov alebo vrstvou organického materiálu, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúce sa tým, že obsahuje elektródový systém (1) pozostávajúci zo sústav elektricky vodivých elektród (2) a (3) uložených vnútri telesa (4) z dielektrického materiálu vo vzájomnej vzdialenosti elektród (2) a (3) menšej než 2 mm a väčšej než 0,05 mm, nachádzajúcich sa na tej istej strane povrchu (5) skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov alebo vrstvou organického materiálu, alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2, alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, pričom sa na elektródy (2) a (3) privádza periodické elektrické napätie, pričom vrstva difúznej elektrickej plazmy (6) je generovaná na časti povrchu telesa (4) z dielektrického materiálu výhodne nad povrchom elektricky vodivých elektród (2) a (3), pričom významná časť Maxwellowho posuvného prúdu, ktorá je väčšia než 25 % veľkosti celkového Maxwellowho posuvného prúdu pretekajúceho medzí elektródami (2) a (3) neprechádza plazmou (6) ani povrchom (5) opracovávaného materiálu, ktorý je v kontakte s plazmou (6), pričom vzdialenosť časti povrchu telesa (4) z dielektrického materiálu, na ktorom je generovaná plazma od opracovávaného povrchu (5) menšia než 1 mm a pričom vrstva plazmy (6) nie je v kontakte s elektricky vodivými elektródami (2) a (3).
2. Zariadenie podľa nároku 1,vyznačujúce sa tým, že frekvencia napätia privádzaného medzi sústavy vodivých elektród (2) a (3) je v intervale 50 Hz až 1 MHz.
3. Zariadenie podľa nároku 1,vyznačujúce sa tým, že amplitúda napätia privádzaného medzi sústavy vodivých elektród (2) a (3) je v intervale 0,5 kV až 100 kV.
4. Zariadenie podľa nároku 1, vyznačujúce sa tým, že obsahuje ďalšiu pomocnú sústavu elektród (7), uloženú vnútri telesa (4) z dielektrického materiálu, ktorá je časťou elektródového systému (1) a ktorá je na elektrickom potenciáli odlišnom od elektród (2) a (3).
5. Zariadenie podľa nároku 1,vyznačujúce sa tým, že povrch telesa (4) z dielektrického materiálu, na ktorom sa generuje vrstva plazmy (6), sa nachádza v pracovnom plyne obsahujúcom najmä molekuly N2, O2, H2O, CO2 alebo halogénuhľovodíky a s tlakom 1 kPa až 500 kPa.
6. Zariadenie podľa nároku 1, vyznačujúce sa tým, že povrch telesa (4) z dielektrického materiálu, na ktorom sa generuje vrstva plazmy (6), má tvar roviny, konkávne zakrivenej roviny alebo konvexné zakrivenej roviny.
7. Zariadenie podľa nároku 1,vyznačujúce sa tým, že je uspôsobené na pohyb povrchu (5) skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2 vzhľadom na povrch telesa (4) z dielektrického materiálu, na ktorom sa generuje vrstva plazmy (6) v minimálnej vzdialenosti menšej než 1 mm.
8. Spôsob čistenia, leptania a aktivácie povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúci sa tým, že sa na povrch skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 alebo materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, pôsobí elektrickou plazmou generovanou pomocou sústav elektricky vodivých elektród uložených vnútri telesa z dielektrického materiálu a nachádzajúcich sa na tej istej strane skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, pričom významná časť Maxwellowho posuvného prúdu, ktorá je väčšia než 25 % veľkosti celkového Maxwellowho posuvného prúdu tečúceho medzi elektródami, neprechádza plazmou a ani povrchom opracovaného materiálu, na ktorý sa pôsobí plazmou, pričom je vrstva elektrickej plazmy generovaná na časti povrchu tohto telesa z dielektrického materiálu bez kontaktu s elektricky vodivými elektródami, pri minimálnej vzdialenosti časti povrchu telesa z dielektrického materiálu, na ktorom j e generovaná plazma od povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2 menšej než 1 mm.
9. Spôsob povrchovej úpravy povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúci sa tým, že sa na povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne nanesie vodu obsahujúci roztok, vodu obsahujúca suspenzia alebo vodu obsahujúca emulzia iného materiálu vo forme aerosólu, elektricky nabitého aerosólu, peny, potlačou alebo náterom.
10. Spôsob povrchovej úpravy povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúci sa tým, že sa povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne pôsobí plynným prostredím obsahujúcim pary monoméru.
11. Spôsob povrchovej úpravy povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúci sa tým, že sa na povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne nanesie vrstva polymémeho materiálu extrúziou, lamináciou, potlačou, náterom, sprejovaním alebo elektrostaticky vo forme prášku.
12. Spôsob povrchovej úpravy povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúci sa tým, že sa povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne privedie do kontaktu s povrchom ďalšieho materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8.
13. Spôsob povrchovej úpravy povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu, vyznačujúci sa tým, že sa povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne privedie do kontaktu s povrchom iného pevného materiálu.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SK5052-2006A SK287455B6 (sk) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 |
| CN2007800211547A CN101473404B (zh) | 2006-06-08 | 2007-06-07 | 对玻璃表面，涂有金属氧化物的玻璃表面，和其他SiO2涂覆材料的表面进行清洗、蚀刻、活化和后续处理的装置和方法 |
| EP07748765.0A EP2033207B1 (en) | 2006-06-08 | 2007-06-07 | Method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other sio2-coated materials |
| PCT/SK2007/050013 WO2007142612A1 (en) | 2006-06-08 | 2007-06-07 | Apparatus and method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other sio2-coated materials |
| US12/303,482 US20090194507A1 (en) | 2006-06-08 | 2007-06-07 | Apparatus and method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other si02-coated materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SK5052-2006A SK287455B6 (sk) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SK50522006A3 SK50522006A3 (sk) | 2008-02-05 |
| SK287455B6 true SK287455B6 (sk) | 2010-10-07 |
Family
ID=38519777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SK5052-2006A SK287455B6 (sk) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090194507A1 (sk) |
| EP (1) | EP2033207B1 (sk) |
| CN (1) | CN101473404B (sk) |
| SK (1) | SK287455B6 (sk) |
| WO (1) | WO2007142612A1 (sk) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SK51082006A3 (sk) * | 2006-12-05 | 2008-07-07 | Fakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzitfakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzity Komensk�Hoy Komensk�Ho | Zariadenie a spôsob úpravy povrchov kovov a metaloZariadenie a spôsob úpravy povrchov kovov a metaloidov, oxidov kovov a oxidov metaloidov a nitridovidov, oxidov kovov a oxidov metaloidov a nitridovkovov a nitridov metaloidovkovov a nitridov metaloidov |
| TW201109285A (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-16 | Applied Vacuum Coating Technologies Co Ltd | Method of strengthening glass plate |
| JP2012033689A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置の製造方法 |
| CN103946704B (zh) * | 2011-08-26 | 2017-11-24 | 艾维亚纳分子技术有限公司 | 用于现场护理诊断使用的生物涂覆型压电生物传感器平台 |
| GB201202307D0 (en) * | 2012-02-10 | 2012-03-28 | Univ Bangor | Low temperture sintering of dye-sensitised solar cells using metal peroxide |
| CN103500804B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法、发光显示器件 |
| US10703653B2 (en) * | 2016-02-17 | 2020-07-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Liquid treatment device utilizing plasma |
| TWI620228B (zh) | 2016-12-29 | 2018-04-01 | 財團法人工業技術研究院 | 電漿處理裝置與電漿處理方法 |
| EP3585136A1 (en) * | 2018-06-20 | 2019-12-25 | Masarykova Univerzita | A method and device for generating low-temperature electrical water-based plasma at near-atmospheric pressures and its use |
| JP7351900B2 (ja) * | 2018-08-02 | 2023-09-27 | ビーワイディー カンパニー リミテッド | ガラス複合体の製造方法、筐体の製造方法、表示装置の製造方法 |
| CN112758887A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-07 | 南京大学 | 一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法 |
| CN117510097A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-02-06 | 核工业西南物理研究院 | 一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US145174A (en) * | 1873-12-02 | Improvement in drawing-board trestles | ||
| US248A (en) * | 1837-06-30 | Lamps and lamp-torches | ||
| US265505A (en) * | 1882-10-03 | Eaphael josia | ||
| US76394A (en) * | 1868-04-07 | brock | ||
| US8229A (en) * | 1851-07-15 | Improvement in | ||
| US45103A (en) * | 1864-11-15 | Morris wells | ||
| US161433A (en) * | 1875-03-30 | Improvement in coal-hods | ||
| GB8909685D0 (en) * | 1989-04-27 | 1989-06-14 | British Petroleum Co Plc | Method for reducing fouling |
| US5792517A (en) * | 1996-04-25 | 1998-08-11 | Japan Vilene Company | Process for treating the outer-inner surfaces of a porous non-conductor |
| US6441553B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-08-27 | Sigma Technologies International, Inc. | Electrode for glow-discharge atmospheric-pressure plasma treatment |
| EP1073091A3 (en) * | 1999-07-27 | 2004-10-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
| SK6292001A3 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | Mirko Cernak | Method and device for the treatment of textile materials |
| FR2836157B1 (fr) * | 2002-02-19 | 2004-04-09 | Usinor | Procede de nettoyage de la surface d'un materiau enduit d'une susbstance organique, generateur et dispositif de mise en oeuvre |
| FR2836158B1 (fr) * | 2002-02-19 | 2005-01-07 | Usinor | Procede de nettoyage par plasma de la surface d'un materiau enduit d'une substance organique, et installation de mise en oeuvre |
| JP4668208B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-04-13 | フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． | 大気圧グロープラズマを用いて基板表面から汚物を除去する方法及び装置 |
| EP1548795A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-29 | Fuji Photo Film B.V. | Method and apparatus for stabilizing a glow discharge plasma under atmospheric conditions |
-
2006
- 2006-06-08 SK SK5052-2006A patent/SK287455B6/sk not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-07 WO PCT/SK2007/050013 patent/WO2007142612A1/en active Application Filing
- 2007-06-07 US US12/303,482 patent/US20090194507A1/en not_active Abandoned
- 2007-06-07 EP EP07748765.0A patent/EP2033207B1/en active Active
- 2007-06-07 CN CN2007800211547A patent/CN101473404B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007142612B1 (en) | 2008-01-31 |
| EP2033207A1 (en) | 2009-03-11 |
| CN101473404B (zh) | 2012-06-20 |
| SK50522006A3 (sk) | 2008-02-05 |
| US20090194507A1 (en) | 2009-08-06 |
| EP2033207B1 (en) | 2017-11-01 |
| CN101473404A (zh) | 2009-07-01 |
| WO2007142612A1 (en) | 2007-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SK287455B6 (sk) | Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 | |
| JP4571217B2 (ja) | 耐食性部材およびその製造方法 | |
| US9828671B2 (en) | Method for fixation onto layer comprising amorphous carbon film, and laminate | |
| US8029105B2 (en) | Ambient plasma treatment of printer components | |
| US20100015358A1 (en) | Apparatus and method for surface finishing of metals and metalloids, metal oxides and metalloid oxides, and metal nitrides and metalloid nitrides | |
| US8216663B2 (en) | Surface-modified member, surface-treating process and apparatus therefor | |
| EP2665091A2 (en) | Equipment for substrate surface treatment | |
| JP5798747B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| KR20190058707A (ko) | 기판 접합 방법, 기판 접합 시스템 및 친수화 처리 장치의 제어 방법 | |
| JP2002509852A (ja) | ガラス表面の水蒸気プラズマ処理 | |
| JPH0652758B2 (ja) | 静電チヤツク | |
| JP4728306B2 (ja) | 静電チャック部材およびその製造方法 | |
| JP2006520088A (ja) | 接着される基板を前処理するための方法および装置 | |
| EP2211369A1 (en) | Arrangement for working substrates by means of plasma | |
| JP2006236747A (ja) | 透明電極及び透明電極の製造方法 | |
| KR101341452B1 (ko) | 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드 | |
| JP2004207145A (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
| WO2010058648A1 (ja) | マイクロプラズマを用いた表面改質処理方法及び接合方法 | |
| JP2013065433A (ja) | プラズマ照射装置及び表面改質方法 | |
| WO2004028220A1 (en) | Method and apparatus for generating and maintaining a plasma | |
| EP0837032A1 (en) | An ozone generator | |
| JP4420116B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP6953823B2 (ja) | 液体塗布装置、および液体塗布方法。 | |
| WO2023239574A1 (en) | Chucking system with silane coupling agent | |
| JP5598659B2 (ja) | コロナ放電装置およびその利用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of maintenance fees |
Effective date: 20230608 |