JP4668208B2 - 大気圧グロープラズマを用いて基板表面から汚物を除去する方法及び装置 - Google Patents
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Description
AC 活性電圧周波数:1KHz〜1MHz
RF電極上の誘電体の厚さ:0.05〜5mm
(好ましくは0.5mm未満)
間隙距離(放電空間):0.1〜5mm
チョークコイル Isat/Idisp:1.2〜1.6
2 電極配置
3 チョークコイル
4 マッチングコイル
5 キャパシタンス
Claims (27)
- 1つ以上の電極を具備する放電空間で生成される大気圧グロープラズマに基板表面を曝露することによって前記基板表面から汚物を除去する方法であって、
前記プラズマは、プラズマ電流及び変位電流を発生する前記複数の電極に交流プラズマ活性電圧を印加することによって生成され、かつ
前記プラズマは、前記基板表面の特性の改質が防がれるように、前記変位電流の相対的な減少をもたらすことによって、プラズマ生成の間に前記プラズマの前記変位電流を制御することによって安定化され、
前記プラズマは、絶対パルス最大値を有するプラズマパルスを具備し、
前記変位電流は、前記変位電流の前記相対的な減少が前記パルス最大値の前または後にもたらされるように、前記活性電圧を制御することによって制御されることを特徴とする方法。 - 前記変位電流の前記相対的な減少は、マイクロ秒の割合でもたらされ、前記変位電流の前記相対的な減少は、マイクロ秒の割合で少なくとも100%であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記汚物の除去は、前記放電空間においてガス状物質又はガス状物質の混合物の存在下で達成されることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記ガス状物質又はガス状物質の混合物は、ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素、アンモニア、水素、酸素とアルゴンの混合物、酸素とヘリウムの混合物、又は酸素とアルゴンとヘリウムの混合物である群のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記基板の前記表面は、少なくとも1つの透明導電酸化物であることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記透明導電酸化物は、インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、インジウム・カドミウム酸化物、カドミウム・スズ酸化物、酸化カドミウム、酸化ガリウム、及びそれらの混合物である群のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの透明導電酸化物は、誘電体又は金属表面上に被覆されることを特徴とする請求項5又は6の何れか1項に記載の方法。
- 前記変位電流は、制御手段を用いて制御され、前記制御手段は、少なくとも1つのインダクタを具備することを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのインダクタは、不飽和モードで実質的に動作するマッチングコイルと飽和状態で動作するチョークコイルとである群のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記変位電流は、制御手段を用いて制御され、前記制御手段は、前記活性電圧に重畳される電圧パルスを提供するパルス生成手段を具備する上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 請求項2に従って、前記プラズマは、絶対パルス最大値を有するプラズマパルスを具備し、前記変位電流は、前記変位電流の前記相対的な減少が前記パルス最大値の前にもたらされるように、前記活性電圧を制御することによって制御されることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記変位電流の前記相対的な減少を前記プラズマパルスの開始に同期する段階をさらに具備する請求項11に記載の方法。
- 前記活性電圧は、前記変位電流の前記相対的な減少が前記プラズマパルスの開始前にもたらされるように制御されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 請求項2に従って、前記プラズマは、絶対パルス最大値を有するプラズマパルスを具備し、前記変位電流は、前記変位電流の前記相対的な減少が前記パルス最大値の後にもたらされるように、前記活性電圧を制御することによって制御されることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記パルス最大値の後に前記変位電流の前記相対的な減少をプラズマの不安定性に同期する段階をさらに具備することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 請求項10に従って、前記少なくとも1つのインダクタは、前記パルス最大値の後の前記プラズマパルス間において飽和モードで動作するチョークコイルを具備することを特徴とする請求項14又は15に記載の方法。
- 請求項2に従って、前記活性電圧は、前記変位電流が三角形の波形を実質的に具備するように形成されることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記基板表面は、前記放電空間を通して移動されることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 前記活性電圧は、1kHz及び1MHzの範囲における周波数で動作する交流電圧であることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記複数の電極のうち少なくとも1つは、誘電体によって被覆されることを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の方法。
- 大気圧グロープラズマに前記基板表面を曝露することによって基板の表面から汚物を除去する装置であって、
1つ以上の電極を具備する放電空間と、
前記複数の電極を用いて前記放電空間で前記大気圧グロープラズマを生成する手段と、
を具備し、
前記プラズマを生成する手段は、プラズマ電流及び変位電流を発生するために前記複数の電極にACプラズマ活性電圧を印加する手段を具備し、
前記装置は、前記基板表面の特性の改質が防がれるように、前記変位電流の相対的な減少をもたらすことによって、前記プラズマを安定化するためにプラズマ生成の間に前記プラズマの前記変位電流を制御する手段をさらに具備し、
前記プラズマは、絶対パルス最大値を有するプラズマパルスを具備し、
前記変位電流は、前記変位電流の前記相対的な減少が前記パルス最大値の前または後にもたらされるように、前記活性電圧を制御することによって制御されることを特徴とする装置。 - 前記変位電流を制御する前記手段は、インダクタと、プラズマ生成の間に不飽和モードで実質的に動作するように配置されるマッチングコイルと、プラズマ生成の間に飽和モードで動作するように配置されるチョークコイルと、前記活性電圧に重畳される電圧パルスを提供するパルス生成手段とを具備することを特徴とする請求項20又は21に記載の装置。
- 前記複数の電極のうち少なくとも1つは、誘電体によって被覆されることを特徴とする請求項20乃至22の何れか1項に記載の装置。
- 前記プラズマを生成する前記手段は、パルス最大値を有する少なくとも1つのプラズマパルスを生成するように配置され、前記変位電流を制御する前記手段は、前記パルス最大値の後に前記変位電流を制御するように配置されることを特徴とする請求項20乃至23の何れか1項に記載の装置。
- 前記制御手段は、プラズマ生成の間に飽和モードで動作するように配置されるチョークコイルを具備し、前記チョークコイルは、前記パルス最大値の後の前記プラズマパルス間において飽和状態で動作するように配置されることを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記プラズマを生成する前記手段は、パルス最大値を有する少なくとも1つのプラズマパルスを生成するように配置され、前記変位電流を制御する前記手段は、前記パルス最大値の前で前記変位電流を制御するように配置されることを特徴とする請求項20乃至25の何れか1項に記載の装置。
- 前記放電空間を通して前記基板表面を移動する手段をさらに具備することを特徴とする上記請求項の何れか1項に記載の装置。
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