SE513512C2 - Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde - Google Patents

Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde

Info

Publication number
SE513512C2
SE513512C2 SE9403722A SE9403722A SE513512C2 SE 513512 C2 SE513512 C2 SE 513512C2 SE 9403722 A SE9403722 A SE 9403722A SE 9403722 A SE9403722 A SE 9403722A SE 513512 C2 SE513512 C2 SE 513512C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
region
silicon layer
doped
base region
base
Prior art date
Application number
SE9403722A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9403722L (sv
SE9403722D0 (sv
Inventor
Torkel Bengt Arnborg
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9403722A priority Critical patent/SE513512C2/sv
Publication of SE9403722D0 publication Critical patent/SE9403722D0/sv
Priority to CA002204136A priority patent/CA2204136A1/en
Priority to EP95936829A priority patent/EP0789933A2/en
Priority to CN95195973A priority patent/CN1088261C/zh
Priority to US08/836,426 priority patent/US5939759A/en
Priority to PCT/SE1995/001284 priority patent/WO1996013862A1/en
Priority to AU38575/95A priority patent/AU3857595A/en
Priority to JP8514502A priority patent/JPH10508155A/ja
Publication of SE9403722L publication Critical patent/SE9403722L/sv
Priority to FI971753A priority patent/FI971753A0/sv
Publication of SE513512C2 publication Critical patent/SE513512C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/7317—Bipolar thin film transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

513 512 2 gränssnittet är större än det vertikala avståndet i basen är tillhörande transittid mycket större. Transistorns hastighet begränsas således huvudsakligen av transittiden vid gränssnit- tet. nznocönnnsz rön UPPFINNINGEN Ändamålet med uppfinningen består i att eliminera de begräns- ningar med avseende på hastigheten som förorsakas av den latera- la diffusionen längs kisel-oxidgränssnittet och åstadkomma en högfrekvenstransistor utan att påverka dess högspänningskapaci- tet.
Detta ernås enligt uppfinningen medelst en halvledaranordning av inledningsvis omnämnd typ genom att ett flytande kollektor- område förefinnes i nämnda kiselskikt mellan nämnda isolerande skikt och nämnda basområde på avstånd från nämnda basområde, att nämnda flytande kollektorområdes utsträckning i sidled är större än emitterområdets utsträckning i sidled och mindre än bas- områdets utsträckning i sidled samt att nämnda flytande kollek- torområde är mer dopat med störämnen av nämnda första lednings- typ än nämnda kiselskikt.
FIGURBESKRIVNING Uppfinningen beskrives närmare nedan under hänvisning till bifogade ritning, på vilken den enda figuren visar en utförings- form av en bipolär SOI-transistor enligt uppfinningen.
FÖREDRAGNA umrönrucsronnsn Den enda figuren på ritningen visar en utföringsform av en bipolär SOI-transistor enligt uppfinningen. Transistorn inne- fattar ett kiselsubstrat 1 som är försett med ett isolerande oxidskikt 2.
Ett kiselskikt 3 som är svagt dopat med störämnen av led- ningstyp N förefinnes på det isolerande oxidskiktet 2.
Ett basområde 4 som är dopat med störämnen av ledningstyp P sträcker sig in i kiselskiktet 3 från dess fria yta.
Ett emitterområde 5 som är kraftigt dopat med störämnen av ledningstyp N sträcker sig in i basområdet 4 från dess fria yta.
Vid den visade utföringsformen innefattar transistorn ett kollektorområde 6 som är dopat med störämnen av ledningstyp N. 513 512 3 Kollektorområdet sträcker sig in i kiselskiktet 3 från dess fria yta på avstånd i sidled från basområdet 4.
Enligt en annan utföringsform (icke visad) kan transistorn innefatta två kollektorområden vilka är belägna på var sin sida om basområdet.
Såsom omnämndes inledningsvis sker transporten av bärare längs gränssnittet mellan kiselskiktet 3 och oxidskiktet 2 under basen 4 och emittern 5 huvudsakligen genom diffusion, varför den härmed associerade transittiden begränsar transistorns hastighet högst väsentligt.
Genom att enligt uppfinningen selektivt åstadkomma ett fly- tande kollektorområde 7 under basen 4 och emittern 5 är det emellertid möjligt att uppnå den av bas-emitterstrukturen be- gränsade höga hastigheten utan att påverka högspänningskapacite- ten. _ y ' I enlighet med uppfinningen åstadkommas det flytande kollek- torområdet 7 i kiselskiktet 3 mellan det isolerande oxidskiktet 2 och basområdet 4 på avstånd från basområdet 4. Det flytande kollektorområdets 7 utsträckning i sidled är större än emitter- områdets 5 utsträckning i sidled och mindre än basområdets 4 utsträckning i sidled. Enligt uppfinningen är vidare det flytan- de kollektorområdet 7 mer dopat med störämnen av ledningstyp N än kiselskiktet 3.
Genom anordnandet av det kraftigt N-dopade, flytande kollek- torområdet 7 under basen 4 och emittern 5 reducerades den be- gränsande transittiden till nästan noll utan påverkan av hög- spänningskapaciteten. En unik kombination av anordningar för mycket höga hastigheter och mycket höga spänningar kan således realiseras i en enda process med enbart mönstervariationer.

Claims (1)

1. 513 512 PÄTENTKRÄV Halvledaranordning innefattande - ett kiselsubstrat (1), - ett isolerande skikt (2) på nämnda kiselsubstrat (1), - ett kiselskikt (3) på nämnda isolerande skikt (2), vilket ki- selskikt (3) är svagt dopat med störämnen av en första lednings- tYP (N), - ett basområde (4) som sträcker sig in i nämnda kiselskikt (3) från dess fria yta och som är dopat med störämnen av en andra ledningstyp (P), - ett emitterområde (5) som sträcker sig in i nämnda basområde (4) från dess fria yta och som är kraftigt dopat med störämnen av nämnda första ledningstyp (N) och - minst ett kollektorområde (6) som sträcker sig in i nämnda kiselskikt (3) från dess fria yta på avstånd i sidled från nämn- da basområde (4) och som är dopat med störämnen av nämnda första ledningstyp (N), kännetecknad av att ett flytande kollektor- område (7) förefinnes i nämnda kiselskikt (3) mellan nämnda iso- lerande skikt (2) och nämnda basområde (4) på avstånd från nämn- da basområde (4), att nämnda flytande kollektorområdes (7) ut- sträckning i sidled är större än emitterområdets (5) utsträck- ning i sidled och mindre än basområdets (4) utsträckning i sid- led samt att nämnda flytande kollektorområde (7) är mer dopat med störämnen av nämnda första ledningstyp (N) än nämnda kisel- skikt (3).
SE9403722A 1994-10-31 1994-10-31 Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde SE513512C2 (sv)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9403722A SE513512C2 (sv) 1994-10-31 1994-10-31 Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde
JP8514502A JPH10508155A (ja) 1994-10-31 1995-10-31 浮動コレクタを有する絶縁材上シリコン半導体装置
US08/836,426 US5939759A (en) 1994-10-31 1995-10-31 Silicon-on-insulator device with floating collector
EP95936829A EP0789933A2 (en) 1994-10-31 1995-10-31 Silicon-on-insulator device with floating collector
CN95195973A CN1088261C (zh) 1994-10-31 1995-10-31 具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件
CA002204136A CA2204136A1 (en) 1994-10-31 1995-10-31 Silicon-on-insulator device with floating collector
PCT/SE1995/001284 WO1996013862A1 (en) 1994-10-31 1995-10-31 Silicon-on-insulator device with floating collector
AU38575/95A AU3857595A (en) 1994-10-31 1995-10-31 Silicon-on-insulator device with floating collector
FI971753A FI971753A0 (sv) 1994-10-31 1997-04-24 Kiselisoleringanordning med flytande kollektor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9403722A SE513512C2 (sv) 1994-10-31 1994-10-31 Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9403722D0 SE9403722D0 (sv) 1994-10-31
SE9403722L SE9403722L (sv) 1996-05-01
SE513512C2 true SE513512C2 (sv) 2000-09-25

Family

ID=20395797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9403722A SE513512C2 (sv) 1994-10-31 1994-10-31 Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5939759A (sv)
EP (1) EP0789933A2 (sv)
JP (1) JPH10508155A (sv)
CN (1) CN1088261C (sv)
AU (1) AU3857595A (sv)
CA (1) CA2204136A1 (sv)
FI (1) FI971753A0 (sv)
SE (1) SE513512C2 (sv)
WO (1) WO1996013862A1 (sv)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1142026B1 (de) * 1998-12-04 2007-11-14 Infineon Technologies AG Leistungshalbleiterschalter
US7760103B2 (en) * 2001-10-26 2010-07-20 Innovative American Technology, Inc. Multi-stage system for verification of container contents
US8350352B2 (en) 2009-11-02 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Bipolar transistor
US9099489B2 (en) * 2012-07-10 2015-08-04 Freescale Semiconductor Inc. Bipolar transistor with high breakdown voltage
CN108155226A (zh) * 2017-12-22 2018-06-12 杭州士兰微电子股份有限公司 Npn型三极管及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3995307A (en) * 1973-12-28 1976-11-30 International Business Machines Corporation Integrated monolithic switch for high voltage applications
DE3029553A1 (de) * 1980-08-04 1982-03-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Transistoranordnung mit hoher kollektor-emitter-durchbruchsspannung
JPS59161867A (ja) * 1983-03-07 1984-09-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6213071A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4861731A (en) * 1988-02-02 1989-08-29 General Motors Corporation Method of fabricating a lateral dual gate thyristor
JPH0382041A (ja) * 1989-08-24 1991-04-08 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の製造方法
EP0462270B1 (en) * 1990-01-08 2000-08-30 Harris Corporation Method of using a semiconductor device comprising a substrate having a dielectrically isolated semiconductor island
US5621239A (en) * 1990-11-05 1997-04-15 Fujitsu Limited SOI device having a buried layer of reduced resistivity
JP2746499B2 (ja) * 1992-05-15 1998-05-06 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
FR2694449B1 (fr) * 1992-07-09 1994-10-28 France Telecom Composant électronique multifonctions, notamment élément à résistance dynamique négative, et procédé de fabrication correspondant.
SE500814C2 (sv) * 1993-01-25 1994-09-12 Ericsson Telefon Ab L M Halvledaranordning i ett tunt aktivt skikt med hög genombrottsspänning
JP3232168B2 (ja) * 1993-07-02 2001-11-26 三菱電機株式会社 半導体基板およびその製造方法ならびにその半導体基板を用いた半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
SE9403722L (sv) 1996-05-01
CN1165585A (zh) 1997-11-19
JPH10508155A (ja) 1998-08-04
EP0789933A2 (en) 1997-08-20
FI971753A (sv) 1997-04-24
CN1088261C (zh) 2002-07-24
US5939759A (en) 1999-08-17
SE9403722D0 (sv) 1994-10-31
CA2204136A1 (en) 1996-05-09
FI971753A0 (sv) 1997-04-24
WO1996013862A1 (en) 1996-05-09
AU3857595A (en) 1996-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4729001A (en) Short-channel field effect transistor
GB1263617A (en) Semiconductor devices and methods of making the same
GB1524592A (en) Bipolar type semiconductor devices
GB1442726A (en) Integrated circuit
CA2033780C (en) Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance
US3488564A (en) Planar epitaxial resistors
GB1155578A (en) Field Effect Transistor
EP0071335B1 (en) Field effect transistor
EP0247660A2 (en) Semiconductor device comprising a bipolar transistor and field-effect transistors
SE513512C2 (sv) Halvledaranordning med ett flytande kollektorområde
KR920005297A (ko) 반도체집적회로 장치
US5448104A (en) Bipolar transistor with base charge controlled by back gate bias
KR890007426A (ko) 다른 항복전압과 다른 기능을 갖는 블록을 포함하는 모노리식 반도체 ic장치 및 그 제조방법
US3965481A (en) Charge transfer device with J FET isolation and means to drain stray charge
US5744851A (en) Biasing of island-surrounding material to suppress reduction of breakdown voltage due to field plate acting on buried layer/island junction between high and low impurity concentration regions
KR910008844A (ko) 반도체 장치
SE424028B (sv) Sammansatt halvledaranordning for en integrerad hogspenningskrets
US4069494A (en) Inverter circuit arrangements
JPS5596675A (en) Semiconductor device
GB1482163A (en) Space charge limited transistor
KR910021032A (ko) 바이씨모스 로직 어레이
JP2002118234A (ja) 半導体装置
KR20000014740A (ko) 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
JPH03165039A (ja) 縦型バイポーラトランジスタ
JPH04262569A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed