SE424028B - Sammansatt halvledaranordning for en integrerad hogspenningskrets - Google Patents
Sammansatt halvledaranordning for en integrerad hogspenningskretsInfo
- Publication number
- SE424028B SE424028B SE8005704A SE8005704A SE424028B SE 424028 B SE424028 B SE 424028B SE 8005704 A SE8005704 A SE 8005704A SE 8005704 A SE8005704 A SE 8005704A SE 424028 B SE424028 B SE 424028B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- pockets
- layer
- conducting
- transistor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
- H01L27/0823—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only including vertical bipolar transistors only
- H01L27/0826—Combination of vertical complementary transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
25 30 35 40 8005704-5 Därefter avsättes ett dielektriskt skikt, exempelvis av kísel- dioxid, på den spårförsedda.ytan så att ett tunt men fullständigt dielektriskt skikt bildas på ytan. Det dielektriska skiktets yta förses med ett stödskikt, vars yta utföres plan. För sistnämnda 'skikt utgör polykristallin kisel ett föredraget material, efter- som det har samma temperaturutvidgningsegenskaper som enkristal- lin kisel och eftersom det kan göras ledande. Därefter vändes halvledarkroppen, varefter halvledarmaterial avlägsnas från den motsatta huvudytan i tillräcklig grad för att spårens bottnar skall nås. Härigenom uppkommer en grupp isolerade halvledarfickor med en gemensam plan yta lämplig för ledningsmönster som förbin- der de i de isolerade fickorna bildade elementen med varandra.
Det är emellertid förenat med problem att åstadkomma använd- bara komplementära transistorer för hög spänning i den ovan be- skrivna, dielektriskt isolerade, integrerade formen. I den ameri- kanska patentskriften 5 895 392 beskrives en dielektriskt isole- rad, integrerad halvledarkrets med komplementära transistorer i separat isolerade fickor. Det i nyssnämnda patentskrift arrange- manget är emellertid olämpligt för switchkretsar avsedda för hög spänning. Speciellt gäller att halvledarmaterialet i de isolerade fickorna måste ha hög resistivitet för att spänningsgenombrott skall undvikas vid höga arbetsspänningar. Närmare bestämt är samtliga fickor utförda av samma halvledarmaterial, i det aktu- ella fallet den ursprungliga enkristallen. Således uppvisar alla halvledarfickor samma ledningstyp och samma störämnesfördelning.
Att åstadkomma material av olika ledningstyp i olika fickor er- fordrar för närvarande komplicerade och dyrbara tillverknings- steg. ' .
Till följd av nödvändigheten att undvika genombrott vid hög- re spänningar är det dessutom inte önskvärt att det finns inbäd- dade zoner av högkonduktivt material i fickorna, även om dylika zoner i vissa fall skulle förbättra rransistorornas egenskaper.
Ett ändamål med föreliggande uppfinning är således att till- handahålla dielektriskt isolerade, komplementära transistorer med mycket hög spänningstålighet, i vilka emitter-, bas- och kollektoromrâdena samtliga skall ligga invid huvudytan.
En utföringsform av uppfinningen utgöres av en sammansatt halvledaranordning för en integrerad krets, vilken anordning är försedd med ett flertal fickor bestående av halvledarmaterial och dielektriskt isolerade från varandra medelst ett av isolerande 10 15 20 25 30 35 40 18005704-s material bestående skikt som är beläget under och vid sidorna av respektive ficka, varjämte alla fickor har en yta i ett gemen- samt plan och uppbäres av ett av halvledarmaterial bestående skikt. Varje ficka utgöres av ett skikt enkristallint halvledar- 'material av en första ledningstyp med relativt hög resístivitet och i huvudsak líkformig störämnesfördelning. En av fickorna in- nehåller en PNP-transistor och en annan ficka en NPN-transistor.
Båda dessa transistorer bildas av enbart ytangränsande halvledar- zoner som bildar emitter-, bas- och kollektoromrâdena.
Den ena transistorn uppvisar en bas med två ledningstypzo- ner, där det lätt dopade materialet i fickan utgör en förlängning av det kraftigare dopade partiet, varvid bas-kollektorövergången befinner sig vid det högkonduktiva kollektorområdets gräns. I den andra transistorn bildas kollektorn av två ledningstypzoner, var- vid bas-kollektorövergàngen befinner sig vid gränsen för det hög- konduktiva basområdet (i stället för kollektorområdet).
Båda transístorerna är till sin natur laterala transistorer med möjlighet till både lateralt och vertikalt strömflöde i vari- erande proportioner beroende på de påtvingade arbetstíllstånden.
Av betydelse för båda transistorernas uppförande är förefintlig- heten av en potential i det av halvledarmaterial bestående skik- tet under fickorna. Denna potential har den verkan, att en större eller mindre laddning induceras i det under fickan liggande iso- lerande skiktet, varvid denna laddning i beroende.av sin polari- tet kommer att attrahera eller repellera injicerade minoritets- bärare. En hög substratpotential av endera polariteten kommer att framhäva förstärkningskomprimeringen i parets ena transistor, under det att den reduceras i motsvarande grad i den andra tran- sistorn.
Uppfinningen beskrivas närmare nedan i form av ett i den bi- fogade ritningen visat utföringsexempel. Pig. 1 är en planvy av en integrerad halvledarbricka försedd med två dielektriskt iso- lerade fickor som i enlighet med uppfinningen innehåller komple- mentära transístorer. Pig. 2 utgör ett snitt genom den i fig. 1 visade brickan. Pig. 3 och Q är tvärsnittsvyer av de båda komple- mentära transistorerna, varvid vardera figuren visar typiska ekvipotentiallinjer alstrade i vardera anordníngen vid ett visst driftsätt.
Pig. I och 2 visar i planvy resp. i snitt en del 10 av en integrerad halvledarkrets, som innefattar dielektriskt isolerade 10 15 20 25 30 35 40 8005704-5 fickor 12 och 14. Där så är möjligt, används samma hänvisnings- beteckningar i fig. 1 och 2 för.att ange samma detaljer. Såsom är uppenbart för fackmannen, är figurerna inte skalenliga och är speciellt förvrängda till följd av att de vertikala dimensionerna 'överdrivíts i förhållande till de horisontella dimensionerna.
Vid en speciell utföringsform är fickorna 12 och 14 utförda av högresistiv, enkristallin kisel med resistivitet inom området 75- till 300 ohmcm. Detta material är svagt P~1edande, vilket beteck- nas med symbolen ïf. Fickorna 12 och 14 uppbäres av ett underlag 11 av polykristallin kisel och är elektriskt isolerade medelst av kiseldioxid bestående skikt 13 resp. 15. _Resistivitetsområdet mellan 75 och 300 ohmcm är speciellt fördelaktigt för anordningar utförda för en genombrottsspänning av cirka 500 V. I anordningar utförda för andra spänningar kan det högresistiva P-ledande materialet ha en resistivitet inom ett område som sträcker sig från ett lägsta värde av 10 ohmcm upp till det maximalt möjliga värdet, f.n. 10 000 ohmcm.
Ett förfarande för àstadkommande av denna dielektriskt iso- lerade struktur inbegriper att man utgår från en enkristallin kiselskiva med ovannämnda höga rcsistívitet, vilken kommer att utgöra fickorna 12 och 14. Vid en speciell utföringsform har det- ta utgångsmaterial en likformig störämnesfördelníng om cirka 5-50” ohmcm. Skivan maskeras på ena sidan i och för definiering av de områden som slutligen kommer att bilda de isolerade fickornas 12 och 14 bottenytor. Den maskerade ytan behandlas därefter med ett atomer/cm3 svarande mot en nominell resistivitet på 200 anisotropt etsmedel, som alstrar mesaområden omgivna av V-formade rännor. Denna anisotropa process kan genomföras under användning av kristallint material med ytor i (100)-planet och med hydroxid- lösningar som etsmedel. De V-formade rännorna alstras som följd av den olika angreppshastigheten på kristallens (100)- och (111)- plan och ger upphov till väggar med en approximatív vinkel på 57,50 till ytans plan, såsom är välkänt exempelvis från ameri- kanska patentskriften 3 765 969.
Efter det att rännorna bildats, åstndkommes en kiseldioxid- film på skivans etsade yta, som nu utgöres av en grupp mesaområ- den definierade av rännätet. Detta oxídskikts tjocklek ligger mellan cirka 1,5 pm och cirka S pm och uppgår vid denna speciel- la utföringsform till 3,5 Pm. Under nästa steg utfälles medelst förångning polykristallin kisel på den oxidöverdragna ytan i 10 15 20 25 30 35 40 s 8Û05704~5 syfte att fylla rännorna och åstadkomma en lämplig bärmatris.
Vid en speciell utföringsform var det polykristallinu skiktet 11 N-ledande och hade en resistivitet av storleksordningen 100 Mmmm.
Efter det att den polykristallina ytan gjorts plan och parallell .med den enkristallina ytan, sker slutligen avlägsnande - på ke- misk eller mekanisk väg eller genom kombination av dessa båda sätt - av enkristallint material från skivans andra sida med till- räckligt djup för att rännornas bottnar eller spetsar skall pas- seras. Den härvid uppkomna konstruktionen har det allmänna utse- ende som visas i fig. 2 innan transistorerna åstadkommits i de isolerade fickorna genom bildning av zoner av olika ledningstyp.
I den till höger i fig. 1 och 2 visade fickan 12 - se härvid speciellt fíg. 2 - åstadkommes en PNP-transístor, i vilken ingår ett N-ledande basområde 16 beläget i del av kollektorn. Området 19 utgör en P-ledande emitter inom basomrädet 16. Det N+-ledande området 18 är en högkonduktiv zon Wflzonen 12, som utgör en för kontaktering av basområdet 16. Pâ liknande sätt utgör det högkonduktiva P-ledande området 17 en högkonduktiv del av kollek- torn. Metallkontakter 28, 29 och 30 bildar PNP-transistorns bas-, emitter- resp. kollektorelektroder.
I NPN-transistorn i den till vänster belägna fickan 14 utgör pä motsvarande sätt området 20 den P-ledande basen, som är för- sedd med den högkonduktiva kontaktzonen 22. Områdena 23 och 21 bildar de N-ledande emitter- resp. kollektorområdena. I denna transistor utgör fickans 14 D"-zon en lätt dopad förlängning av basen. Metallkontakterna 25, 26 och 27 bildar elektroderna för basen, omittern resp. kollektornq _ Vid den till höger i fig. 1 liggande PNP-transistorn anger den streckade konturen 16 basområdets utsträckning, den strecka- de konturen 19 emitterområdets utsträckning samt konturen 17 det lågresístiva kollektoromràdet. Den streckade konturen 18 anger basområdets 16 lågresistiva kontaktzon. Bas-, emitter- och kol- lektorelektroderna anges medelst de heldragna linjerna 28, 29 so. g Pâ'motsvarande sätt gäller för den till vänster liggande NPN-transistorn att konturen 20 anger basområdet, konturen 23 emitterområdet och konturen 21 kollektorområdet. ger den P+-ledande baskontaktzonen. De heldragna linjerna 25, resp.
Konturen 22 an- 26 och 27 indikerar bas-, emitter- resp. knlloktoroloktrodcrnn.
Lågresistiv kontakt till det polykristallina skíktet 11 -8005704-5 6 åstadkommes medelst det högkonduktiva N-ledande området 31, som är försett med metallelektroden 32.
Andra detaljer av betydelse vid denna utföringsform hänför sig till det topografiska arrangemanget av de invid ytan belägna 'områdena inom vardera av de isolerade halvledarfickorna. Det la- terala avståndet mellan gränsen av en ficka och kanten av en dif- funderad zon i denna ficka uppgår minst till cirka 45 Pm. Metall- elektroderna ligger ovanpå den oxid som omger de kontaktade om- rådena och sträcker sig ungefär 20 pm bortom den täckta PN-över- gången och åstadkommer därigenom en "fältplatteffekt" som höjer övergångens genombrottsspänning.Avståndet mellan emitter- och basområdenas närmast varandra liggande gränspartier är minst 10 Pm och mellan emitter- och kollektorområdenas närmast varandra liggande gränspartier 40 pm. Anordningens övre yta täcks av en passiverande film, exempelvis 2-6 pm tjock kiseldioxid. Denna film förhindrar inducerade spänningsgenombrott i den underliggan- de kiseln, något som eljest skulle kunna uppträda till följd av ovanpå kiseln liggande mellanförbindningar. Vid en viss utförings- form uppgår fickornas 12 och 14 tjocklek till mellan cirka 30 och 50 pm. Emellertid kan fickornas djup även ligga utanför dessa värden, nämligen från ett minimidjup på cirka 10 pm upp till ett maxímidjup som bestämmes av att det inte får vara ekonomiskt ogynnsamt.
Vid ett speciellt förfarande för framställning av dessa an- ordningar bildas först NPN-transistorns P-ledande basomrâde 20 15 atomer/cmz vid genom jonimplantation av bor med dosen_1,6~10 30 keV. Det P-ledande basområdet har ett djup mellan ungefär 2 och 6 pm, som avpassas gengm värmebehandling så att den slutgil- tiga basbredden är minst 1 Pm.
PNP-transistorns N-ledande basområde 16, som likaledes har ett djup liggande mellan 2 och 6 pm, bildas genom jonimplanta- tion av fosfor med dosen 1-1015 atomer/cmz vid 30 keV. Ytresisti- viteten hos detta N-ledande basområde uppgår till approximativt 30 ohm/kvadrat. Härnäst bildas PNP-transistorns P-ledande områ- den 17 och 19 samt NPN-transistorns P-ledande område 22 genom maskerad förutfällning av bor under användning av bornitrid- och boroxidkällor. Dessa områden är grunda, vanligen mellan 1 och 4 Pm, och har en ytresistivitet på omkring 13 ohm/kvadrat. Slut- ligen utföres NPN~transístorns N-ledande emitter- och kollektor- områden 23 och 21, PNP-transistorns N-ledande område 18 samt den 10 15 20 25 30 35 40 8005704-5 N-ledande kontaktzonen 31 till det polykrístallina skiktet 11 under utnyttjande av fosforoxíkloríd-förutfällning och indriv- nings-värmebehandling, även i detta fall till ett djup mellan 1 och 4 pm. Den uppnådda ytresístíviteten uppgår till cirka 4 ohm/ 'kvadrat. Av ovanstående framgår, att de P- och N-ledande områdena i dessa båda transístorer samtliga är ytangränsande områden med ett djup mindre än eller lika med ungefär 6 Fm mätt från anord- níngens yta.
Funktionen av det komplementära transistorparet kommer nu att beskrivas under hänvisning till fig. 3 och 4, vilka visar PNP-transistorn resp. NPN-transistorn. Där så är möjligt, används samma hänvisningsbeteckningar som i fig. 1 och 2 för motsvarande element i fig. 3 och 4. Elektroden 32 och den N-ledande, för kon- taktering av substratet avsedda zonen 31 visas såväl i fig. 3 som i fig. 4 för att antyda att den på substratet påtryckta poten- tialen är styrd under anordningens drift.
De streckade linjerna 49-55 i fig. 3 och de streckade linjer- na 61-66 í fig. 4 representerar ekvipotcntiallinjer uppkomna un- der drift av de båda transistorerna under normala förspännings- förhållanden och med relativt hög positiv förspänníng pâtryckt på substratet. Den laddningsbärarström som är av intresse är den ström som passerar genmn øfizonen 12 eller 14. Laddningsbärar- strömmen tenderar att följa flödeslinjer som i huvudsak är vinkel- räta mot ekvipotentiallinjerna. Det inses att de i fig. 3 och 4 visade ekvípotentiallinjerna representerar tvärsnitt av plan el- ler envelopper, och att linjerna idealt ligger på samma inbördes avstånd men att de till följd av ritningsskaledistorsionen inte förefaller göra detta." I den i fig. 3 visade PNP-transistorn kommer de från emit- terområdet 19 till basområdet 16 injíderade laddningshürarnn, i detta fall hål, att driva genom kollektorns lätt dopade Wßzon och därefter nå det mer konduktiva P-ledande omrâdet 17. Under dessa förhållanden är strömflödet till stor del lateralt till följd av att substratpotentíalen inducerar en positiv laddning í substratet 11, vilken tenderar att stöta bort laddníngsbärare i form av hål. Hål, som är ínjicerade så att de passerar vinkelrätt mot de övre gränserna hos linjernas 51 och 52 "tâpartier" repel- leras vanligen av den i substratet inducerade laddningen så att de driver över 2?-zonen 12 och upp till det P-ledande området 17.
I den i fig. 4 visade NPN-transistorn kommer å andra sidan 10 15 20 25 8005704-5 de från emitterområdet 23 injicerade elektronerna att attraheras av substratets positiva laddning. Huvuddelen av laddningsbärar- strömmen utgöres av ett flöde ner mot fickans botten samt däref- ter utmed oxidskíktet till närheten av ytan samt därefter i tvär- led till det N-ledande kollektoromrädet 21. ..0m substratpotentialen ändras till ett högt negativt värde, kommer arrangemanget av ekvipotentialytor i huvudsak att byta plats mellan de båda transistorerna så att strömflödet propor- tionsvis blir mer lateralt i NPN-transistorn och mindre lateralt, mer vertikalt i PNP-transistorn. Eftersom emellertid den induce- rade laddningen i substratet 11 nu är negativ, kommer injicerade hål att attraheras mot fickans botten i PNP-transistorn och såle- des röra sig utefter oxidskiktet till kollektorområdet 17. Ström- flödet tenderar därför att proportionsvis bli mer vertikalt och mindre lateralt. I NPN-transistorn kommer de injicerade elektro- nerna att repelleras av den inducerade laddningen, och den ten- dens till lateralt flöde som redan förefinns.till följd av ekvi- potentiallinjerna kommer att förstärkas, under det att en propor- tionsvis reducering sker av det vertikala flödet.
Vid en alternativ utföringsform av uppfinningen kan materia- let i fickorna utgöras av högresistiv N-ledande kisel benämnd' V-material.
Vid denna alternativa utföringsform kommer likaledes pâ- tryckning av hög negativ potential på substratet att förorsaka en modifiering av kombinationen av lateralt och vertikalt ström- flöde i det komplementära transistorparet. Sålunda kan de kom- plementära transistorparen utformas och drivas så att optimering sker av vissa önskade funktionsegenskaper. __--__-___..--
Claims (3)
1. Sammansatt halvledaranordning (10) för en integrerad hög- spänningskrets, vilken anordning är försedd med ett flertal fickor (12, 14) bestående av enkristallint halvledarmaterial av en första ledningstyp och isolerade från varandra av ett av isolerande mate- rial bestående skikt (13, 15), som är beläget under och vid sidor- na av respektive ficka, varjämte fickorna är uppburna av ett av polykristallint halvledarmaterial bestående skikt (11) och vardera har en yta belägen i ett gemensamt plan hos anordningen, k ä n n e t e c k n a d av att en första ficka (12) innehåller en PNWP- eller PNOP-transistor och en andra ficka (14) en NPWN- eller fNPVN-transístor, samt av att fickornas halvledarmaterial har en resístivitet mellan cirka 75 ohmcm och cirka 300 ohmcm.»
2. Halvledaranordning enligt kravet 1, k ä n n e t e c k- n a d av att halvledarmaterialfickorna (12, 14) har ett djup från den gemensamma plana ytan uppgående till mellan cirka 30 pm och 50 pm, samt av att det isolerade skiktet (13, 15) utgöres av kisel- dioxíd och har en tjocklek mellan cirka 1,5 pm och 5 pm.
3. Halvledaranordning enligt kravet 2, k ä n n e t e c k- n a d av att det polykristallina kiselskiktet (11) har en resisti- vitet av storleksordningen 100 ohmcm. --~_-_~----__
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/971,632 US4232328A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8005704L SE8005704L (sv) | 1980-08-13 |
SE424028B true SE424028B (sv) | 1982-06-21 |
Family
ID=25518630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8005704A SE424028B (sv) | 1978-12-20 | 1980-08-13 | Sammansatt halvledaranordning for en integrerad hogspenningskrets |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4232328A (sv) |
JP (1) | JPH0413863B2 (sv) |
BE (1) | BE880726A (sv) |
CA (1) | CA1126875A (sv) |
DE (1) | DE2953394T1 (sv) |
ES (1) | ES487064A1 (sv) |
FR (1) | FR2445027A1 (sv) |
GB (1) | GB2049281A (sv) |
IT (1) | IT1126601B (sv) |
NL (1) | NL7920182A (sv) |
SE (1) | SE424028B (sv) |
WO (1) | WO1980001335A1 (sv) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1177148A (en) * | 1981-10-06 | 1984-10-30 | Robert J. Mcintyre | Avalanche photodiode array |
US4631570A (en) * | 1984-07-03 | 1986-12-23 | Motorola, Inc. | Integrated circuit having buried oxide isolation and low resistivity substrate for power supply interconnection |
US5448100A (en) * | 1985-02-19 | 1995-09-05 | Harris Corporation | Breakdown diode structure |
JPH01123417A (ja) * | 1987-11-07 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5416354A (en) * | 1989-01-06 | 1995-05-16 | Unitrode Corporation | Inverted epitaxial process semiconductor devices |
EP0462270B1 (en) * | 1990-01-08 | 2000-08-30 | Harris Corporation | Method of using a semiconductor device comprising a substrate having a dielectrically isolated semiconductor island |
US6375741B2 (en) | 1991-03-06 | 2002-04-23 | Timothy J. Reardon | Semiconductor processing spray coating apparatus |
JP2654268B2 (ja) * | 1991-05-13 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の使用方法 |
US5744851A (en) * | 1992-01-27 | 1998-04-28 | Harris Corporation | Biasing of island-surrounding material to suppress reduction of breakdown voltage due to field plate acting on buried layer/island junction between high and low impurity concentration regions |
GB2344689A (en) | 1998-12-07 | 2000-06-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Analogue switch |
US20020115198A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-08-22 | Nerenberg Michael I. | Microfabricated ultrasound array for use as resonant sensors |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL91725C (sv) * | 1952-12-16 | |||
US3850707A (en) * | 1964-09-09 | 1974-11-26 | Honeywell Inc | Semiconductors |
US3412295A (en) * | 1965-10-19 | 1968-11-19 | Sprague Electric Co | Monolithic structure with three-region complementary transistors |
DE1816081A1 (de) * | 1968-12-20 | 1970-06-25 | Siemens Ag | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
GB1289953A (sv) * | 1969-01-16 | 1972-09-20 | ||
GB1258382A (sv) * | 1969-01-16 | 1971-12-30 | ||
US3628064A (en) * | 1969-03-13 | 1971-12-14 | Signetics Corp | Voltage to frequency converter with constant current sources |
US3953255A (en) * | 1971-12-06 | 1976-04-27 | Harris Corporation | Fabrication of matched complementary transistors in integrated circuits |
US3865649A (en) * | 1972-10-16 | 1975-02-11 | Harris Intertype Corp | Fabrication of MOS devices and complementary bipolar transistor devices in a monolithic substrate |
US3944447A (en) * | 1973-03-12 | 1976-03-16 | Ibm Corporation | Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation |
US3895392A (en) * | 1973-04-05 | 1975-07-15 | Signetics Corp | Bipolar transistor structure having ion implanted region and method |
DE2451861A1 (de) * | 1973-11-02 | 1975-05-15 | Hitachi Ltd | Integrierte halbleiterschaltungsbauelemente |
US4042949A (en) * | 1974-05-08 | 1977-08-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor devices |
NL7408110A (nl) * | 1974-06-18 | 1975-12-22 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met complementaire tran- sistorstrukturen en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
US4146905A (en) * | 1974-06-18 | 1979-03-27 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device having complementary transistor structures and method of manufacturing same |
US4086610A (en) * | 1974-06-28 | 1978-04-25 | Motorola, Inc. | High reliability epi-base radiation hardened power transistor |
US3990102A (en) * | 1974-06-28 | 1976-11-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuits and method of manufacturing the same |
-
1978
- 1978-12-20 US US05/971,632 patent/US4232328A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-12-06 NL NL7920182A patent/NL7920182A/nl unknown
- 1979-12-06 DE DE792953394T patent/DE2953394T1/de active Granted
- 1979-12-06 WO PCT/US1979/001042 patent/WO1980001335A1/en unknown
- 1979-12-06 JP JP55500190A patent/JPH0413863B2/ja not_active Expired
- 1979-12-06 GB GB8025968A patent/GB2049281A/en not_active Withdrawn
- 1979-12-18 FR FR7930945A patent/FR2445027A1/fr active Granted
- 1979-12-19 BE BE0/198639A patent/BE880726A/fr not_active IP Right Cessation
- 1979-12-19 IT IT28204/79A patent/IT1126601B/it active
- 1979-12-19 ES ES487064A patent/ES487064A1/es not_active Expired
- 1979-12-20 CA CA342,408A patent/CA1126875A/en not_active Expired
-
1980
- 1980-08-13 SE SE8005704A patent/SE424028B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1126601B (it) | 1986-05-21 |
CA1126875A (en) | 1982-06-29 |
FR2445027B1 (sv) | 1984-03-09 |
GB2049281B (sv) | |
DE2953394C2 (sv) | 1993-01-07 |
JPH0413863B2 (sv) | 1992-03-11 |
WO1980001335A1 (en) | 1980-06-26 |
NL7920182A (nl) | 1980-10-31 |
IT7928204A0 (it) | 1979-12-19 |
DE2953394T1 (de) | 1981-01-08 |
BE880726A (fr) | 1980-04-16 |
SE8005704L (sv) | 1980-08-13 |
FR2445027A1 (fr) | 1980-07-18 |
ES487064A1 (es) | 1980-09-16 |
GB2049281A (en) | 1980-12-17 |
JPS55501040A (sv) | 1980-11-27 |
US4232328A (en) | 1980-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2968222B2 (ja) | 半導体装置及びシリコンウエハの調製方法 | |
US6121659A (en) | Buried patterned conductor planes for semiconductor-on-insulator integrated circuit | |
US3260902A (en) | Monocrystal transistors with region for isolating unit | |
US6211562B1 (en) | Homojunction semiconductor devices with low barrier tunnel oxide contacts | |
SE424028B (sv) | Sammansatt halvledaranordning for en integrerad hogspenningskrets | |
US3488564A (en) | Planar epitaxial resistors | |
JPS60194558A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61295662A (ja) | 改良されたバイポ−ラトランジスタ装置 | |
US5466963A (en) | Trench resistor architecture | |
US3440498A (en) | Contacts for insulation isolated semiconductor integrated circuitry | |
KR890003474B1 (ko) | Soi기판상에 형성된 래터럴 바이폴라 트랜지스터 | |
TWI585982B (zh) | 集成於垂直閘極鰭式場效二極體之靜電放電及被動結構 | |
JPH0347576B2 (sv) | ||
US5834811A (en) | Salicide process for FETs | |
US3936856A (en) | Space-charge-limited integrated circuit structure | |
EP0064614A2 (en) | Improved emitter structure for semiconductor devices | |
US3631313A (en) | Resistor for integrated circuit | |
US3614555A (en) | Monolithic integrated circuit structure | |
JPS6352464B2 (sv) | ||
US4962365A (en) | Integrated circuit trench resistor | |
US5444292A (en) | Integrated thin film approach to achieve high ballast levels for overlay structures | |
US20240170576A1 (en) | Structure with back-gate having oppositely doped semiconductor regions | |
SE501218C2 (sv) | Lateral bipolär transistor med variabel basvidd och ett förfarande för styrning av basvidden | |
US20240088272A1 (en) | Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same | |
US4332070A (en) | Method for forming a headless resistor utilizing selective diffusion and special contact formation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8005704-5 Effective date: 19910704 Format of ref document f/p: F |