RU2771316C1 - Gallium buffer amplifier - Google Patents

Gallium buffer amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2771316C1
RU2771316C1 RU2021136536A RU2021136536A RU2771316C1 RU 2771316 C1 RU2771316 C1 RU 2771316C1 RU 2021136536 A RU2021136536 A RU 2021136536A RU 2021136536 A RU2021136536 A RU 2021136536A RU 2771316 C1 RU2771316 C1 RU 2771316C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
bipolar
matching
output
field
Prior art date
Application number
RU2021136536A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Матвеевич Савченко
Илья Викторович Пахомов
Алексей Андреевич Жук
Андрей Анатольевич Пронин
Дмитрий Геннадьевич Дроздов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО"
Priority to RU2021136536A priority Critical patent/RU2771316C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2771316C1 publication Critical patent/RU2771316C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: analog microelectronics.SUBSTANCE: invention relates to the field of analog microelectronics, providing operation under conditions of exposure to penetrating radiation, low and high temperatures. The gallium arsenide buffer amplifier contains the first (1) and second (2) inputs of the device, the first (3) and second (4) field-effect transistors with a control p-n junction, the sources of which are combined and connected to the output (5) of the device, the first ( 6) power supply bus, current mirror (7) matched with the first (6) power supply bus, the output of the current mirror (7) is connected to the second (8) power supply bus through the reference current source (9). Between the output of the current mirror (7) and the reference current source (9), a matching two-terminal network (10) is connected, the output (5) of the device is connected to the emitter of an additional bipolar transistor (11), the collector of which is connected to the second (8) power supply bus, and the base additional bipolar transistor (11) and the second (2) input of the device are connected to the outputs of the matching bipolar (10).EFFECT: creating a buffer amplifier implemented on JFET gallium arsenide field-effect transistors with a control p-n junction and bipolar GaAs p-n-p transistors, which provides output currents of positive iH(+)and negative iH(-)directions in the RHload.7 cl, 8 dwg

Description

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур.The invention relates to the field of analog microelectronics and can be used as a gallium arsenide output stage of various analog devices that can operate under conditions of penetrating radiation, low or high temperatures.

Известно значительное количество схем выходных каскадов и буферных усилителей (БУ) аналоговых микроэлектронных изделий, которые реализуются на биполярных (BJT) и полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-26]. Сегодня популярны схемы БУ с составными BJT и CMOS (JFET) выходными транзисторами с разными типами каналов [31-33], однотактные БУ с входным CMOS и выходными п-p-n транзисторами [34], двухтактные БУ с выходными однотипными JFET транзисторами и входными биполярными р-n-p (n-р-n) [35], двухтактные БУ на комплементарных JFET транзисторах [36-39], однотактные БУ только на JFET [40]. Известны также нетрадиционные БУ, у которых нагрузка подключается к истоковой [41] или эмиттерной [42, 43] цепям входного дифференциального каскада.A significant number of circuits for output stages and buffer amplifiers (BU) of analog microelectronic products are known, which are implemented on bipolar (BJT) and field-effect (JFet, CMOS, SOI, SOS, etc.) transistors, as well as when they are connected together [1-26] . Today, control unit circuits with composite BJT and CMOS (JFET) output transistors with different types of channels [31-33], single-cycle control units with input CMOS and output p-p-n transistors [34], push-pull control units with output similar JFET transistors and input bipolar r -n-p (n-p-n) [35], push-pull CU on complementary JFET transistors [36-39], single-cycle CU only on JFET [40]. Unconventional control units are also known, in which the load is connected to the source [41] or emitter [42, 43] circuits of the input differential stage.

Во многих применениях схема БУ адаптируется под конкретные технологические процессы и внешние воздействующие факторы, например, влияние низких температур и радиации, т.к. только в этом случае обеспечивается реализация предельных параметров БУ.In many applications, the CU scheme is adapted to specific technological processes and external influencing factors, for example, the influence of low temperatures and radiation, since only in this case is the implementation of the limiting parameters of the control unit ensured.

В настоящее время в российской и зарубежной микроэлектронике уделяется повышенное внимание арсенид-галлиевым микросхемам. Данное направление создания электронной компонентной базы относится к числу наиболее перспективных в задачах космического приборостроения. Однако, особенности арсенид-галлиевых технологических процессов накладывают существенные ограничения на типы реализуемых транзисторов и их характеристики. Так, например, арсенид-галлиевый технологический процесс, освоенный фирмами США [27-30], а также Минским научно-исследовательским институтом радиоматериалов (https://mniirm.by/). ориентирован на изготовление аналоговых схем, содержащих только полевые GaAs транзисторы с управляющим р-n переходом и биполярные GaAs р-n-р транзисторы. Применение других полупроводниковых приборов не допускается. Это накладывает существенные ограничения на схемотехнику аналоговых устройств, ориентированных на данный технологический процесс.Currently, in Russian and foreign microelectronics, increased attention is paid to gallium arsenide microcircuits. This direction of creating an electronic component base is one of the most promising in the tasks of space instrumentation. However, the features of gallium arsenide technological processes impose significant restrictions on the types of implemented transistors and their characteristics. For example, the gallium arsenide technological process mastered by US firms [27-30], as well as the Minsk Research Institute of Radiomaterials (https://mniirm.by/). is focused on the manufacture of analog circuits containing only GaAs field-effect transistors with a control p-n junction and bipolar GaAs p-n-p transistors. The use of other semiconductor devices is not allowed. This imposes significant restrictions on the circuitry of analog devices oriented to a given technological process.

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является буферный усилитель в структуре входного каскада операционного усилителя по патенту RU 2732583, fig. 1, 2020 г. Он содержит (фиг. 1) первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9.The closest prototype (Fig. 1) of the proposed device is a buffer amplifier in the structure of the input stage of an operational amplifier according to patent RU 2732583, fig. 1, 2020. It contains (Fig. 1) the first 1 and second 2 inputs of the device, the first 3 and second 4 field-effect transistors with a control p-n junction, the sources of which are combined and connected to the output 5 of the device, the first 1 input of the device is connected to the gate of the first 3 field effect transistor with a control p-n junction, the second 2 input of the device is connected to the gate of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction, the drain of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction is connected to the first 6 power supply bus, the drain the first 3 field effect transistor with a control p-n junction is connected to the input of the current mirror 7, matched with the first 6 power supply bus, the output of the current mirror 7 is connected to the second 8 power supply bus through the reference current source 9.

Существенный недостаток буферного усилителя - прототипа (фиг. 1) состоит в том, что при его реализации на JFET GaAs полевых транзисторах с управляющим р-n переходом он не может обеспечить двуполярные напряжения в нагрузке RH.A significant drawback of the prototype buffer amplifier (Fig. 1) is that when it is implemented on JFET GaAs field-effect transistors with a control p-n junction, it cannot provide bipolar voltages in the load R H .

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs p-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH (фиг. 1) выходные токи положительного iH (+) и отрицательного iH (-) направлений.The main objective of the proposed invention is to create a buffer amplifier implemented on JFET gallium arsenide field-effect transistors with a control p-n junction and bipolar GaAs pn-p transistors, which provides output currents of positive i H ( + ) and negative i H (-) directions.

Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9, предусмотрены новые элементы и связи - между выходом токового зеркала 7 и источником опорного тока 9 включен согласующий двухполюсник 10, выход 5 устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора 11 и второй 2 вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсником 10.This task is achieved by the fact that in the buffer amplifier of figure 1, containing the first 1 and second 2 inputs of the device, the first 3 and second 4 field-effect transistors with a control p-n junction, the sources of which are combined and connected to the output 5 of the device, the first 1 input of the device connected to the gate of the first 3 field effect transistor with a control p-n junction, the second 2 input of the device is connected to the gate of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction, the drain of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction is connected to the first 6 power supply bus , the drain of the first 3 field effect transistor with a control p-n junction is connected to the input of the current mirror 7, matched with the first 6 power supply bus, the output of the current mirror 7 is connected to the second 8 power supply bus through the reference current source 9, new elements and connections are provided - between the output of the current mirror 7 and the reference current source 9, a matching two-pole 10 is connected, the output 5 of the device is connected to the emitter up to additional bipolar transistor 11, the collector of which is connected to the second 8 bus of the power source, and the base of the additional bipolar transistor 11 and the second 2 input of the device are connected to the outputs of the matching two-terminal 10.

На чертеже фиг. 1 показана схема буферного усилителя - прототипа.In the drawing of FIG. 1 shows a prototype buffer amplifier circuit.

На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1, п. 2 и п. 3 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 2 shows a diagram of the claimed device in accordance with paragraph 1, paragraph 2 and paragraph 3 of the claims.

На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства по п. 4 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 3 shows a diagram of the claimed device according to claim 4 of the claims.

На чертеже фиг. 4 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п. 5 формулы изобретения, а на чертеже фиг. 5 - в соответствии с п. 6 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 4 shows a diagram of the claimed device in accordance with paragraph 5 of the claims, and the drawing of FIG. 5 - in accordance with paragraph 6 of the claims.

На чертеже фиг. 6 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 7 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 6 shows a diagram of the claimed device in accordance with paragraph 7 of the claims.

На чертеже фиг. 7 приведена схема для моделирования GaAs БУ фиг. 5 в среде LTspice без начального смещения на входе при t=27°С, +Vcc=-Vee=10 В, Rload=∞, I1=200 мкА, R1=6.61 кОм с несколькими параллельно включенными транзисторами VT2 (5 шт. ) и VT5 (5 шт. ). При этом в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 в схеме фиг. 7 используется составной транзистор Дарлингтона (VT3, VT4).In the drawing of FIG. 7 is a diagram for simulating the GaAs VU of FIG. 5 in the LTspice environment without initial input bias at t=27°C, +V cc =-V ee =10 V, R load =∞, I 1 =200 μA, R1=6.61 kOhm with several VT2 transistors connected in parallel (5 pcs.) and VT5 (5 pcs.). In this case, as an additional bipolar transistor 11 in the circuit of FIG. 7 uses a composite Darlington transistor (VT3, VT4).

На чертеже фиг. 8 показана амплитудная характеристика GaAs БУ фиг. 7 в среде LTspice при t=27°С, +Vcc=-Vee=10 В, Rload=∞, I1=200 мкА, R1=6.61 кОм.In the drawing of FIG. 8 shows the amplitude response of the GaAs VU of FIG. 7 in LTspice medium at t=27°C, +V cc =-V ee =10 V, R load =∞, I 1 =200 μA, R1=6.61 kOhm.

Арсенид-галлиевый буферный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9. Между выходом токового зеркала 7 и источником опорного тока 9 включен согласующий двухполюсник 10, выход 5 устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора 11 и второй 2 вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсником 10.The gallium arsenide buffer amplifier of figure 2 contains the first 1 and second 2 inputs of the device, the first 3 and second 4 field-effect transistors with a control p-n junction, the sources of which are combined and connected to the output 5 of the device, the first 1 input of the device is connected to the gate of the first 3 field effect transistor with a control p-n junction, the second 2 input of the device is connected to the gate of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction, the drain of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction is connected to the first 6 power supply bus, the drain of the first 3 field transistor with a control p-n junction is connected to the input of the current mirror 7, matched with the first 6 power supply bus, the output of the current mirror 7 is connected to the second 8 power supply bus through the reference current source 9. Between the output of the current mirror 7 and the reference current source 9 is connected matching bipolar 10, output 5 of the device is connected to the emitter of an additional bipolar transistor 11, the collector of which is connected en with the second 8 power supply bus, and the base of the additional bipolar transistor 11 and the second 2 input of the device are connected to the outputs of the matching two-terminal 10.

На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, источник опорного тока 9 выполнен на дополнительном полевом транзисторе 12, затвор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, а исток через дополнительный резистор 13 подключен ко второй 8 шине источника питания.In the drawing of FIG. 2, in accordance with paragraph 2 of the claims, the reference current source 9 is made on an additional field-effect transistor 12, the gate of which is connected to the second 8 power supply bus, and the source through an additional resistor 13 is connected to the second 8 power supply bus.

Кроме этого, на чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, второй 2 вход устройства связан с согласующим двухполюсником 10 и подключен к выходу токового зеркала 7, а база дополнительного биполярного транзистора 11, связанная с согласующим двухполюсником 10, подключена к источнику опорного тока 9.In addition, in the drawing of FIG. 2, in accordance with paragraph 3 of the claims, the second 2 input of the device is connected to the matching two-pole 10 and connected to the output of the current mirror 7, and the base of the additional bipolar transistor 11, connected to the matching two-terminal 10, is connected to the reference current source 9.

В частном случае в качестве согласующего двухполюсника 10 на чертеже фиг. 2 может применяться резистор или р-n переход. Это зависит от выбранных статических токов первого 3 и второго 4 полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а также от характеристик дополнительного биполярного транзистора 11.In a particular case, as a matching two-terminal network 10 in the drawing of FIG. 2, a resistor or p-n junction can be used. It depends on the selected static currents of the first 3 and second 4 field-effect transistors with a control p-n junction, as well as on the characteristics of the additional bipolar transistor 11.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, второй 2 вход устройства связан с согласующим двухполюсником 10 и подключен к источнику опорного тока 9, а база дополнительного биполярного транзистора 11, связанная с согласующим двухполюсником 10, подключена к выходу токового зеркала 7. Требования к согласующему двухполюснику 10 в этом случае определяются заданными значениями статических токов первого 3 и второго 4 полевых транзисторов с управляющим р-n переходом (в т.ч. составных), тока дополнительного биполярного транзистора 11, а также их структурой (выполнение данных транзисторов по известным схемам Дарлингтона или Линна, параллельного включения нескольких элементарных транзисторов или целенаправленного выбора ширины их канала).In the drawing of FIG. 3, in accordance with paragraph 4 of the claims, the second 2 input of the device is connected to the matching two-pole 10 and connected to the reference current source 9, and the base of the additional bipolar transistor 11, associated with the matching two-terminal 10, is connected to the output of the current mirror 7. Requirements for matching bipolar 10 in this case are determined by the given values of the static currents of the first 3 and second 4 field-effect transistors with a control p-n junction (including composite ones), the current of the additional bipolar transistor 11, as well as their structure (execution of these transistors according to known schemes Darlington or Lynn, parallel connection of several elementary transistors or purposeful selection of their channel width).

На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, в качестве второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 используется составной транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов.In the drawing of FIG. 4, in accordance with paragraph 5 of the claims, as the second 4 field effect transistor with a control p-n junction, a composite field-effect transistor is used, containing several elementary field-effect transistors connected in parallel with a control p-n junction, and as an additional bipolar transistor 11 is used a composite transistor containing several elementary bipolar transistors connected in parallel.

На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 используется составной транзистор по схеме Дарлингтона, содержащий первый 16 и второй 17 согласующие биполярные транзисторы, причем эмиттер первого 16 согласующего транзистора является эмиттером составного транзистора Дарлингтона 11, его база подключена к эмиттеру второго 17 согласующего биполярного транзистора, коллекторы первого 16 и второго 17 согласующих биполярных транзисторов связаны со второй 8 шиной источника питания, а база второго 17 согласующего биполярного транзистора является базой составного транзистора Дарлингтона 11.In the drawing of FIG. 5, in accordance with paragraph 6 of the claims, as an additional bipolar transistor 11, a composite Darlington transistor is used, containing the first 16 and second 17 matching bipolar transistors, and the emitter of the first 16 matching transistor is the emitter of the composite Darlington transistor 11, its base is connected to the emitter of the second 17 matching bipolar transistor, the collectors of the first 16 and second 17 matching bipolar transistors are connected to the second 8 power supply bus, and the base of the second 17 matching bipolar transistor is the base of the composite Darlington transistor 11.

На чертеже фиг. 6, в соответствии с п. 7 формулы изобретения, токовое зеркало 7 выполнено на биполярных p-n-р транзисторах и содержит первый 14 и второй 15 биполярные p-n-р транзисторы, эмиттеры которых связаны с первой 6 шиной источника питания, базы объединены и соединены с коллектором первого 14 биполярного p-n-р транзистора, который является входом токового зеркала 7, причем коллектор второго 15 биполярного р-n-р транзистора является выходом токового зеркала 7.In the drawing of FIG. 6, in accordance with paragraph 7 of the claims, the current mirror 7 is made on bipolar p-n-p transistors and contains the first 14 and second 15 bipolar p-n-p transistors, the emitters of which are connected to the first 6 power supply bus, the bases are combined and connected to the collector the first 14 bipolar p-n-p transistor, which is the input of the current mirror 7, and the collector of the second 15 bipolar p-n-p transistor is the output of the current mirror 7.

Рассмотрим работу предлагаемого буферного усилителя фиг. 2.Consider the operation of the proposed buffer amplifier of Fig. 2.

Статический ток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом определяется источником опорного тока 9 и за счет отрицательной обратной связи через токовое зеркало 7 достаточно слабо изменяется в широком диапазоне входных сигналов (uвх (+)). Если на вход 1 подается положительное напряжение относительно общей шины, то это напряжение практически с единичным коэффициентом передачи передается на затвор второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, что вызывает увеличение его тока истока и формирование положительного тока iH (+) в нагрузке RH. При этом ток эмиттера дополнительного биполярного транзистора 11 практически не изменяется.The static current of the first 3 field effect transistor with a control p-n junction is determined by the reference current source 9 and due to negative feedback through the current mirror 7 changes rather weakly over a wide range of input signals (u in (+) ). If a positive voltage is applied to input 1 relative to the common bus, then this voltage is transmitted with almost unity to the gate of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction, which causes an increase in its source current and the formation of a positive current i H (+) in the load R H . In this case, the emitter current of the additional bipolar transistor 11 practically does not change.

Когда на вход 1 подается отрицательное напряжение uвх (-) то это напряжение передается на базу дополнительного биполярного транзистора 11, который по цепи эмиттера формирует отрицательное приращение iH (-) в нагрузке RH. При этом максимальные значения Iн.max (-) определяются током I9 источника опорного тока 9 и коэффициентом усиления по току базы β11 дополнительного биполярного транзистора 11:When a negative voltage is applied to input 1 uin (-) then this voltage is transmitted to the base of the additional bipolar transistor 11, which forms a negative increment iH (-) in load RH. In this case, the maximum values of In.max (-) determined by the current Inine reference current source 9 and base current gain βeleven additional bipolar transistor 11:

Iн.max (-)=β11I9.I n.max (-) \u003d β 11 I 9 .

Для получения повышенных значений Iн.max (-) в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 может применяться несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов (фиг. 4) или составной биполярный транзистор 11 (фиг. 5) по так называемой схеме Дарлингтона на согласующих биполярных транзисторах 16, 17.To obtain increased values of I n.max (-) as an additional bipolar transistor 11, several elementary bipolar transistors connected in parallel (Fig. 4) or a composite bipolar transistor 11 (Fig. 5) according to the so-called Darlington circuit on matching bipolar transistors 16 can be used , 17.

Максимальное значение тока Iн.max (+) зависит от параметров второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом - ширины его канала или числа параллельно включенных элементарных JFET в его структуре.The maximum value of the current I n.max (+) depends on the parameters of the second 4 field effect transistor with a control p-n junction - the width of its channel or the number of elementary JFETs connected in parallel in its structure.

Амплитудная характеристика предлагаемого БУ фиг. 7, представленная на графиках фиг. 8, показывает, что рассматриваемая схема при двуполярном питании ±10 В обеспечивает выходные напряжения с максимальной амплитудой от -8,71 В до +9,94 В. Для низкоомных сопротивлений нагрузки RH необходимо увеличивать ширину канала применяемых полевых транзисторов или использовать параллельное включение нескольких активных элементов JFET или BJT.The amplitude characteristic of the proposed control unit of Fig. 7 shown in the graphs of FIG. 8 shows that the circuit under consideration, with a bipolar supply of ±10 V, provides output voltages with a maximum amplitude from -8.71 V to +9.94 V. JFET or BJT elements.

Компьютерное моделирование (фиг. 8) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [26], имеет существенные достоинства в сравнении с известным вариантом построения БУ при его реализации в рамках рассматриваемого арсенид-галлиевого технологического процесса, обеспечивающего создание только полевых транзисторов с управляющим р-n переходом и биполярных р-n-р транзисторов.Computer simulation (Fig. 8) shows that the proposed buffer amplifier, the circuitry of which is adapted for use in the range of low temperatures and exposure to penetrating radiation [26], has significant advantages in comparison with the known variant of building a control unit when it is implemented within the considered gallium arsenide a technological process that ensures the creation of only field-effect transistors with a control p-n junction and bipolar p-n-p transistors.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКREFERENCES

1. Патент RU №2523947 fig. 4, 2014 г.1. Patent RU No. 2523947 fig. 4, 2014

2. Патент WO 2007135139, 2007 г.2. Patent WO 2007135139, 2007

3. Патент US 4743862, 1988 г.3. Patent US 4743862, 1988

4. Патент US 6433638, fig. 1a-2, 2002 г.4. Patent US 6433638, fig. 1a-2, 2002

5. Патентная заявка US 20050253653,2005 г.5. Patent application US 20050253653, 2005

6. Патент US 4825174, fig. 3, fig. 6, 1989 г.6. Patent US 4825174, fig. 3, fig. 6, 1989

7. Патент RU 2099856, fig. 3, 1997 г.7. Patent RU 2099856, fig. 3, 1997

8. Патент US 4904953, fig. 2, 1990 г.8. Patent US 4904953, fig. 2, 1990

9. Патент US 7896339, fig. 4, 2011 г.9. Patent US 7896339, fig. 4, 2011

10. Патент US 6342814, 2002 г.10. Patent US 6342814, 2002

11. Патентная заявка US 2010/0182086, 2010 г.11. Patent application US 2010/0182086, 2010

12. Патент US 5387880, fig. 1, 1995 г.12. Patent US 5387880, fig. 1, 1995

13. Патент US 4598253, 1986 г.13. Patent US 4598253, 1986

14. Патент US 4667165, fig. 2, 1987 г.14. Patent US 4667165, fig. 2, 1987

15. Патент US 4596958, 1986 г.15. Patent US 4596958, 1986

16. Патент US 7116172, fig. 4, fig. 5, 2006 г.16. Patent US 7116172, fig. 4, fig. 5, 2006

17. Патент US 5648743, 1997 г.17. Patent US 5648743, 1997

18. Патент US 5367271, fig. 2, 1994 г.18. Patent US 5367271, fig. 2, 1994

19. Патентная заявка US 2000/0112075, fig. 3, 2000 г.19. Patent application US 2000/0112075, fig. 3, 2000

20. Патент US 5065043, fig. 1f, 1991 г.20. Patent US 5065043, fig. 1f, 1991

21. Патентная заявка US 2007/0115056, fig. 2, 2007 г.21. Patent application US 2007/0115056, fig. 2, 2007

22. Патент US 7548117, fig. 5, 2009 г.22. Patent US 7548117, fig. 5, 2009

23. Патент ЕР 0 293486 В1, fig. 5, 1991 г.23. Patent EP 0 293486 B1, fig. 5, 1991

24. Патент US 4420726, fig. 1-fig. 3, 1983 г.24. Patent US 4420726, fig. 1-fig. 3, 1983

25. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ.- Изд. 2-е. - М.: Издательство БИНОМ. 2014. - 704 с. Рис. 3.26, рис. 3.28, рис. 3.2925. Horowitz P., Hill W. The art of circuitry: Per. from English - Ed. 2nd. - M.: Publishing house BINOM. 2014. - 704 p. Rice. 3.26, fig. 3.28, fig. 3.29

26. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. - М.: СОЛОН-Пресс, 2021.-200 с.26. Design of low-temperature and radiation-resistant analog microcircuits for sensor signal processing: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, A.V. Bugakov. - M.: SOLON-Press, 2021.-200 p.

27. М. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi: 10.1109/BCTM.2011.608276927. M. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi:10.1109/BCTM.2011.6082769

28. P.J. Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp. 1-3. doi: 10.1109/CSICS.2012.634011628.P.J. Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp. 1-3. doi:10.1109/CSICS.2012.6340116

29. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.15360429. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.153604

30. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.30. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.

31. Патентная заявка US 2007/0115056, fig.2, 2007 г.31. Patent application US 2007/0115056, fig.2, 2007

32. Патент DE 2548906, fig. 1, 1975 г.32. DE 2548906, fig. 1, 1975

33. Патент WO 2014/168518 (PCT RU 2014/000255), fig. 8, 2014 г.33. Patent WO 2014/168518 (PCT RU 2014/000255), fig. 8, 2014

34. Патент US 4.420.726, fig. 1, fig. 3, 1983 г.34. Patent US 4.420.726, fig. 1, fig. 3, 1983

35. Патент DE 2354552, fig. 2, 1973 г.35. DE 2354552, fig. 2, 1973

36. Патент RU 2723673, 2020 г.36. Patent RU 2723673, 2020

37. Патент RU 2721940, 2020 г.37. Patent RU 2721940, 2020

38. D. Danyuk. Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board. URL: https://www?.linearsvstems.com/lsdata/others/Headphone_Amplifier Evaluatio n Board.pdf38. D. Danyuk. Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board. URL: https://www?.linearsvstems.com/lsdata/others/Headphone_Amplifier Evaluation Board.pdf

39. Патент US 5.083.046, fig. 3, 1992 г.39. Patent US 5.083.046, fig. 3, 1992

40. Патент US 5.367.271, fig. 2, 1994 г.40. Patent US 5.367.271, fig. 2, 1994

41. Патент RU 2732583, fig. 1, 2020 г. 41. Patent RU 2732583, fig. 1, 2020

42. Патент RU 2676014, fig. 1, fig. 2, 2018 г.42. Patent RU 2676014, fig. 1, fig. 2, 2018

43. Патент RU 2669075, fig.2, fig. 3, 2018 г.43. Patent RU 2669075, fig.2, fig. 3, 2018

Claims (7)

1. Арсенид-галлиевый буферный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первый (1) вход устройства соединен с затвором первого (3) полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй (2) вход устройства подключен к затвору второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой (6) шиной источника питания, сток первого (3) полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен к входу токового зеркала (7), согласованного с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9), отличающийся тем, что между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10).1. Gallium arsenide buffer amplifier containing the first (1) and second (2) inputs of the device, the first (3) and second (4) field-effect transistors with a control p-n junction, the sources of which are combined and connected to the output (5) of the device , the first (1) input of the device is connected to the gate of the first (3) field-effect transistor with a control p-n junction, the second (2) input of the device is connected to the gate of the second (4) field-effect transistor with a control p-n junction, the drain of the second (4) field effect transistor with a control p-n junction is connected to the first (6) power supply bus, the drain of the first (3) field effect transistor with a control p-n junction is connected to the input of the current mirror (7), matched with the first (6) power supply bus, the output of the current mirror (7) is connected to the second (8) power supply bus through the reference current source (9), characterized in that between the output of the current mirror (7) and the reference current source (9) a matching two-terminal circuit (10) is connected, the output ( 5) The device is connected to the emitter a powerful bipolar transistor (11), the collector of which is connected to the second (8) bus of the power source, and the base of the additional bipolar transistor (11) and the second (2) input of the device are connected to the terminals of the matching two-terminal network (10). 2. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что источник опорного тока (9) выполнен на дополнительном полевом транзисторе (12), затвор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, а исток через дополнительный резистор (13) подключен ко второй (8) шине источника питания.2. Gallium arsenide buffer amplifier according to claim 1, characterized in that the reference current source (9) is made on an additional field-effect transistor (12), the gate of which is connected to the second (8) power supply bus, and the source through an additional resistor (13 ) is connected to the second (8) power supply bus. 3. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что второй (2) вход устройства связан с согласующим двухполюсником (10) и подключен к выходу токового зеркала (7), а база дополнительного биполярного транзистора (11), связанная с согласующим двухполюсником (10), подключена к источнику опорного тока (9).3. Gallium arsenide buffer amplifier according to claim 1, characterized in that the second (2) input of the device is connected to a matching two-terminal network (10) and connected to the output of the current mirror (7), and the base of the additional bipolar transistor (11) associated with matching two-terminal network (10), connected to the reference current source (9). 4. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что второй (2) вход устройства связан с согласующим двухполюсником (10) и подключен к источнику опорного тока (9), а база дополнительного биполярного транзистора (11), связанная с согласующим двухполюсником (10), подключена к выходу токового зеркала (7).4. Gallium arsenide buffer amplifier according to claim 1, characterized in that the second (2) input of the device is connected to a matching two-terminal network (10) and connected to a reference current source (9), and the base of the additional bipolar transistor (11) associated with matching two-pole (10), connected to the output of the current mirror (7). 5. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а в качестве дополнительного биполярного транзистора (11) используется составной транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов.5. Gallium arsenide buffer amplifier according to claim 1, characterized in that as the second (4) field-effect transistor with a control p-n junction, a composite field-effect transistor is used, containing several elementary field-effect transistors connected in parallel with a control p-n junction, and as an additional bipolar transistor (11), a composite transistor is used, containing several elementary bipolar transistors connected in parallel. 6. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве дополнительного биполярного транзистора (11) используется составной транзистор по схеме Дарлингтона, содержащий первый (16) и второй (17) согласующие биполярные транзисторы, причем эмиттер первого (16) согласующего транзистора является эмиттером составного транзистора Дарлингтона (11), его база подключена к эмиттеру второго (17) согласующего биполярного транзистора, коллекторы первого (16) и второго (17) согласующих биполярных транзисторов связаны со второй (8) шиной источника питания, а база второго (17) согласующего биполярного транзистора является базой составного транзистора Дарлингтона (11).6. Gallium arsenide buffer amplifier according to claim 1, characterized in that as an additional bipolar transistor (11) a composite Darlington transistor is used, containing the first (16) and second (17) matching bipolar transistors, and the emitter of the first (16 ) of the matching transistor is the emitter of the composite Darlington transistor (11), its base is connected to the emitter of the second (17) matching bipolar transistor, the collectors of the first (16) and second (17) matching bipolar transistors are connected to the second (8) power supply bus, and the base the second (17) matching bipolar transistor is the base of the composite Darlington transistor (11). 7. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что токовое зеркало (7) выполнено на биполярных p-n-р транзисторах и содержит первый (14) и второй (15) биполярные p-n-р транзисторы, эмиттеры которых связаны с первой (6) шиной источника питания, базы объединены и соединены с коллектором первого (14) биполярного p-n-р транзистора, который является входом токового зеркала (7), причем коллектор второго (15) биполярного p-n-р транзистора является выходом токового зеркала (7).7. Gallium arsenide buffer amplifier according to claim 1, characterized in that the current mirror (7) is made on bipolar p-n-p transistors and contains the first (14) and second (15) bipolar p-n-p transistors, the emitters of which are connected to the first (6) power supply bus, the bases are combined and connected to the collector of the first (14) bipolar p-n-p transistor, which is the input of the current mirror (7), and the collector of the second (15) bipolar p-n-p transistor is the output of the current mirror (7) .
RU2021136536A 2021-12-09 2021-12-09 Gallium buffer amplifier RU2771316C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021136536A RU2771316C1 (en) 2021-12-09 2021-12-09 Gallium buffer amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021136536A RU2771316C1 (en) 2021-12-09 2021-12-09 Gallium buffer amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2771316C1 true RU2771316C1 (en) 2022-04-29

Family

ID=81458779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021136536A RU2771316C1 (en) 2021-12-09 2021-12-09 Gallium buffer amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2771316C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2820562C1 (en) * 2023-12-25 2024-06-05 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Gallium arsenide operational amplifier with high gain and low level of systematic component of zero offset voltage

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030696B2 (en) * 2004-02-24 2006-04-18 Fujitsu Limited Differential amplifier and semiconductor device
US7548117B2 (en) * 2006-01-20 2009-06-16 Shenzhen Sts Microelectronics Co. Ltd. Differential amplifier having an improved slew rate
RU2595927C1 (en) * 2015-07-23 2016-08-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Bipolar-field operational amplifier
RU2615070C1 (en) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) High-precision two-stage differential operational amplifier
RU2670777C9 (en) * 2018-03-12 2018-12-19 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures
RU2677401C1 (en) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier
RU2687161C1 (en) * 2018-07-23 2019-05-07 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier for operation at low temperatures
RU2712410C1 (en) * 2019-07-03 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2721940C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
RU2721942C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2732583C1 (en) * 2020-01-30 2020-09-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2741056C1 (en) * 2020-09-01 2021-01-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Radiation-resistant and low-temperature operational amplifier on complementary field-effect transistors

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030696B2 (en) * 2004-02-24 2006-04-18 Fujitsu Limited Differential amplifier and semiconductor device
US7548117B2 (en) * 2006-01-20 2009-06-16 Shenzhen Sts Microelectronics Co. Ltd. Differential amplifier having an improved slew rate
RU2595927C1 (en) * 2015-07-23 2016-08-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Bipolar-field operational amplifier
RU2615070C1 (en) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) High-precision two-stage differential operational amplifier
RU2677401C1 (en) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier
RU2670777C9 (en) * 2018-03-12 2018-12-19 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures
RU2687161C1 (en) * 2018-07-23 2019-05-07 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier for operation at low temperatures
RU2712410C1 (en) * 2019-07-03 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2721940C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
RU2721942C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2732583C1 (en) * 2020-01-30 2020-09-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2741056C1 (en) * 2020-09-01 2021-01-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Radiation-resistant and low-temperature operational amplifier on complementary field-effect transistors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2820562C1 (en) * 2023-12-25 2024-06-05 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Gallium arsenide operational amplifier with high gain and low level of systematic component of zero offset voltage

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3792728B1 (en) Current mirror arrangements with double-base current circulators
JPH08250941A (en) Low-distortion differential amplifier circuit
US11262782B2 (en) Current mirror arrangements with semi-cascoding
RU2771316C1 (en) Gallium buffer amplifier
RU2321159C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2789482C1 (en) Push-pull gallium arsenide buffer amplifier with a small dead zone of the amplitude characteristic
RU2788498C1 (en) Gallium arsenide buffer amplifier on field-effect and bipolar p-n-p transistors
RU2773912C1 (en) Gallium arseniide output stage of a fast operational amplifier
RU2766868C1 (en) Gallium arsenide buffer amplifier
US11106233B1 (en) Current mirror arrangements with reduced input impedance
RU2419196C1 (en) Broad-band differential amplifier
RU2767976C1 (en) Gallium arsenide power amplifier output stage
RU2784376C1 (en) GALLIUM ARSENIDE BUFFER AMPLIFIER BASED ON n-CHANNEL FET AND p-n-p BIPOLAR TRANSISTORS
RU2796638C1 (en) Bipolar field arsenide gallium buffer amplifier
RU2784046C1 (en) Gallium buffer amplifier
RU2770912C1 (en) Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors
RU2812914C1 (en) Low offset gallium arsenide op amp
RU2780220C1 (en) Operational amplifier based on two-stroke "inverse" cascode and complementary fet-steristors with control pn-junction
RU2621289C1 (en) Two-stage differential operational amplifier with higher gain
RU2786943C1 (en) Gallium arsenide input differential cascade of class ab of a fast operational amplifier
RU2784666C1 (en) Gallium arsenide operational amplifier with a low zero-bias voltage
RU2814685C1 (en) Gallium arsenide operational amplifier for operation in wide temperature range
RU2784373C1 (en) Source signal follower with a low systematic component of the zero offset voltage
RU2293433C1 (en) Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal
AA et al. Output Stages of Operational Amplifiers Based on Gallium Arsenide NJFET and Bipolar PNP Transistors.