RU2771316C1 - Арсенид-галлиевый буферный усилитель - Google Patents

Арсенид-галлиевый буферный усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2771316C1
RU2771316C1 RU2021136536A RU2021136536A RU2771316C1 RU 2771316 C1 RU2771316 C1 RU 2771316C1 RU 2021136536 A RU2021136536 A RU 2021136536A RU 2021136536 A RU2021136536 A RU 2021136536A RU 2771316 C1 RU2771316 C1 RU 2771316C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
bipolar
matching
output
field
Prior art date
Application number
RU2021136536A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Матвеевич Савченко
Илья Викторович Пахомов
Алексей Андреевич Жук
Андрей Анатольевич Пронин
Дмитрий Геннадьевич Дроздов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО"
Priority to RU2021136536A priority Critical patent/RU2771316C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2771316C1 publication Critical patent/RU2771316C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники, обеспечивающей работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заключается в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RHвыходные токи положительного iH(+)и отрицательного iH(-)направлений. Арсенид-галлиевый буферный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первую (6) шину источника питания, токовое зеркало (7), согласованное с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9). Между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10). 6 з.п. ф-ы, 8 ил.

Description

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур.
Известно значительное количество схем выходных каскадов и буферных усилителей (БУ) аналоговых микроэлектронных изделий, которые реализуются на биполярных (BJT) и полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-26]. Сегодня популярны схемы БУ с составными BJT и CMOS (JFET) выходными транзисторами с разными типами каналов [31-33], однотактные БУ с входным CMOS и выходными п-p-n транзисторами [34], двухтактные БУ с выходными однотипными JFET транзисторами и входными биполярными р-n-p (n-р-n) [35], двухтактные БУ на комплементарных JFET транзисторах [36-39], однотактные БУ только на JFET [40]. Известны также нетрадиционные БУ, у которых нагрузка подключается к истоковой [41] или эмиттерной [42, 43] цепям входного дифференциального каскада.
Во многих применениях схема БУ адаптируется под конкретные технологические процессы и внешние воздействующие факторы, например, влияние низких температур и радиации, т.к. только в этом случае обеспечивается реализация предельных параметров БУ.
В настоящее время в российской и зарубежной микроэлектронике уделяется повышенное внимание арсенид-галлиевым микросхемам. Данное направление создания электронной компонентной базы относится к числу наиболее перспективных в задачах космического приборостроения. Однако, особенности арсенид-галлиевых технологических процессов накладывают существенные ограничения на типы реализуемых транзисторов и их характеристики. Так, например, арсенид-галлиевый технологический процесс, освоенный фирмами США [27-30], а также Минским научно-исследовательским институтом радиоматериалов (https://mniirm.by/). ориентирован на изготовление аналоговых схем, содержащих только полевые GaAs транзисторы с управляющим р-n переходом и биполярные GaAs р-n-р транзисторы. Применение других полупроводниковых приборов не допускается. Это накладывает существенные ограничения на схемотехнику аналоговых устройств, ориентированных на данный технологический процесс.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является буферный усилитель в структуре входного каскада операционного усилителя по патенту RU 2732583, fig. 1, 2020 г. Он содержит (фиг. 1) первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9.
Существенный недостаток буферного усилителя - прототипа (фиг. 1) состоит в том, что при его реализации на JFET GaAs полевых транзисторах с управляющим р-n переходом он не может обеспечить двуполярные напряжения в нагрузке RH.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs p-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH (фиг. 1) выходные токи положительного iH (+) и отрицательного iH (-) направлений.
Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9, предусмотрены новые элементы и связи - между выходом токового зеркала 7 и источником опорного тока 9 включен согласующий двухполюсник 10, выход 5 устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора 11 и второй 2 вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсником 10.
На чертеже фиг. 1 показана схема буферного усилителя - прототипа.
На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1, п. 2 и п. 3 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства по п. 4 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 4 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п. 5 формулы изобретения, а на чертеже фиг. 5 - в соответствии с п. 6 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 6 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 7 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 7 приведена схема для моделирования GaAs БУ фиг. 5 в среде LTspice без начального смещения на входе при t=27°С, +Vcc=-Vee=10 В, Rload=∞, I1=200 мкА, R1=6.61 кОм с несколькими параллельно включенными транзисторами VT2 (5 шт. ) и VT5 (5 шт. ). При этом в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 в схеме фиг. 7 используется составной транзистор Дарлингтона (VT3, VT4).
На чертеже фиг. 8 показана амплитудная характеристика GaAs БУ фиг. 7 в среде LTspice при t=27°С, +Vcc=-Vee=10 В, Rload=∞, I1=200 мкА, R1=6.61 кОм.
Арсенид-галлиевый буферный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9. Между выходом токового зеркала 7 и источником опорного тока 9 включен согласующий двухполюсник 10, выход 5 устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора 11 и второй 2 вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсником 10.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, источник опорного тока 9 выполнен на дополнительном полевом транзисторе 12, затвор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, а исток через дополнительный резистор 13 подключен ко второй 8 шине источника питания.
Кроме этого, на чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, второй 2 вход устройства связан с согласующим двухполюсником 10 и подключен к выходу токового зеркала 7, а база дополнительного биполярного транзистора 11, связанная с согласующим двухполюсником 10, подключена к источнику опорного тока 9.
В частном случае в качестве согласующего двухполюсника 10 на чертеже фиг. 2 может применяться резистор или р-n переход. Это зависит от выбранных статических токов первого 3 и второго 4 полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а также от характеристик дополнительного биполярного транзистора 11.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, второй 2 вход устройства связан с согласующим двухполюсником 10 и подключен к источнику опорного тока 9, а база дополнительного биполярного транзистора 11, связанная с согласующим двухполюсником 10, подключена к выходу токового зеркала 7. Требования к согласующему двухполюснику 10 в этом случае определяются заданными значениями статических токов первого 3 и второго 4 полевых транзисторов с управляющим р-n переходом (в т.ч. составных), тока дополнительного биполярного транзистора 11, а также их структурой (выполнение данных транзисторов по известным схемам Дарлингтона или Линна, параллельного включения нескольких элементарных транзисторов или целенаправленного выбора ширины их канала).
На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, в качестве второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 используется составной транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов.
На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 используется составной транзистор по схеме Дарлингтона, содержащий первый 16 и второй 17 согласующие биполярные транзисторы, причем эмиттер первого 16 согласующего транзистора является эмиттером составного транзистора Дарлингтона 11, его база подключена к эмиттеру второго 17 согласующего биполярного транзистора, коллекторы первого 16 и второго 17 согласующих биполярных транзисторов связаны со второй 8 шиной источника питания, а база второго 17 согласующего биполярного транзистора является базой составного транзистора Дарлингтона 11.
На чертеже фиг. 6, в соответствии с п. 7 формулы изобретения, токовое зеркало 7 выполнено на биполярных p-n-р транзисторах и содержит первый 14 и второй 15 биполярные p-n-р транзисторы, эмиттеры которых связаны с первой 6 шиной источника питания, базы объединены и соединены с коллектором первого 14 биполярного p-n-р транзистора, который является входом токового зеркала 7, причем коллектор второго 15 биполярного р-n-р транзистора является выходом токового зеркала 7.
Рассмотрим работу предлагаемого буферного усилителя фиг. 2.
Статический ток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом определяется источником опорного тока 9 и за счет отрицательной обратной связи через токовое зеркало 7 достаточно слабо изменяется в широком диапазоне входных сигналов (uвх (+)). Если на вход 1 подается положительное напряжение относительно общей шины, то это напряжение практически с единичным коэффициентом передачи передается на затвор второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, что вызывает увеличение его тока истока и формирование положительного тока iH (+) в нагрузке RH. При этом ток эмиттера дополнительного биполярного транзистора 11 практически не изменяется.
Когда на вход 1 подается отрицательное напряжение uвх (-) то это напряжение передается на базу дополнительного биполярного транзистора 11, который по цепи эмиттера формирует отрицательное приращение iH (-) в нагрузке RH. При этом максимальные значения Iн.max (-) определяются током I9 источника опорного тока 9 и коэффициентом усиления по току базы β11 дополнительного биполярного транзистора 11:
Iн.max (-)=β11I9.
Для получения повышенных значений Iн.max (-) в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 может применяться несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов (фиг. 4) или составной биполярный транзистор 11 (фиг. 5) по так называемой схеме Дарлингтона на согласующих биполярных транзисторах 16, 17.
Максимальное значение тока Iн.max (+) зависит от параметров второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом - ширины его канала или числа параллельно включенных элементарных JFET в его структуре.
Амплитудная характеристика предлагаемого БУ фиг. 7, представленная на графиках фиг. 8, показывает, что рассматриваемая схема при двуполярном питании ±10 В обеспечивает выходные напряжения с максимальной амплитудой от -8,71 В до +9,94 В. Для низкоомных сопротивлений нагрузки RH необходимо увеличивать ширину канала применяемых полевых транзисторов или использовать параллельное включение нескольких активных элементов JFET или BJT.
Компьютерное моделирование (фиг. 8) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [26], имеет существенные достоинства в сравнении с известным вариантом построения БУ при его реализации в рамках рассматриваемого арсенид-галлиевого технологического процесса, обеспечивающего создание только полевых транзисторов с управляющим р-n переходом и биполярных р-n-р транзисторов.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент RU №2523947 fig. 4, 2014 г.
2. Патент WO 2007135139, 2007 г.
3. Патент US 4743862, 1988 г.
4. Патент US 6433638, fig. 1a-2, 2002 г.
5. Патентная заявка US 20050253653,2005 г.
6. Патент US 4825174, fig. 3, fig. 6, 1989 г.
7. Патент RU 2099856, fig. 3, 1997 г.
8. Патент US 4904953, fig. 2, 1990 г.
9. Патент US 7896339, fig. 4, 2011 г.
10. Патент US 6342814, 2002 г.
11. Патентная заявка US 2010/0182086, 2010 г.
12. Патент US 5387880, fig. 1, 1995 г.
13. Патент US 4598253, 1986 г.
14. Патент US 4667165, fig. 2, 1987 г.
15. Патент US 4596958, 1986 г.
16. Патент US 7116172, fig. 4, fig. 5, 2006 г.
17. Патент US 5648743, 1997 г.
18. Патент US 5367271, fig. 2, 1994 г.
19. Патентная заявка US 2000/0112075, fig. 3, 2000 г.
20. Патент US 5065043, fig. 1f, 1991 г.
21. Патентная заявка US 2007/0115056, fig. 2, 2007 г.
22. Патент US 7548117, fig. 5, 2009 г.
23. Патент ЕР 0 293486 В1, fig. 5, 1991 г.
24. Патент US 4420726, fig. 1-fig. 3, 1983 г.
25. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ.- Изд. 2-е. - М.: Издательство БИНОМ. 2014. - 704 с. Рис. 3.26, рис. 3.28, рис. 3.29
26. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. - М.: СОЛОН-Пресс, 2021.-200 с.
27. М. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi: 10.1109/BCTM.2011.6082769
28. P.J. Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp. 1-3. doi: 10.1109/CSICS.2012.6340116
29. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.153604
30. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.
31. Патентная заявка US 2007/0115056, fig.2, 2007 г.
32. Патент DE 2548906, fig. 1, 1975 г.
33. Патент WO 2014/168518 (PCT RU 2014/000255), fig. 8, 2014 г.
34. Патент US 4.420.726, fig. 1, fig. 3, 1983 г.
35. Патент DE 2354552, fig. 2, 1973 г.
36. Патент RU 2723673, 2020 г.
37. Патент RU 2721940, 2020 г.
38. D. Danyuk. Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board. URL: https://www?.linearsvstems.com/lsdata/others/Headphone_Amplifier Evaluatio n Board.pdf
39. Патент US 5.083.046, fig. 3, 1992 г.
40. Патент US 5.367.271, fig. 2, 1994 г.
41. Патент RU 2732583, fig. 1, 2020 г.
42. Патент RU 2676014, fig. 1, fig. 2, 2018 г.
43. Патент RU 2669075, fig.2, fig. 3, 2018 г.

Claims (7)

1. Арсенид-галлиевый буферный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первый (1) вход устройства соединен с затвором первого (3) полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй (2) вход устройства подключен к затвору второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой (6) шиной источника питания, сток первого (3) полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен к входу токового зеркала (7), согласованного с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9), отличающийся тем, что между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10).
2. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что источник опорного тока (9) выполнен на дополнительном полевом транзисторе (12), затвор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, а исток через дополнительный резистор (13) подключен ко второй (8) шине источника питания.
3. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что второй (2) вход устройства связан с согласующим двухполюсником (10) и подключен к выходу токового зеркала (7), а база дополнительного биполярного транзистора (11), связанная с согласующим двухполюсником (10), подключена к источнику опорного тока (9).
4. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что второй (2) вход устройства связан с согласующим двухполюсником (10) и подключен к источнику опорного тока (9), а база дополнительного биполярного транзистора (11), связанная с согласующим двухполюсником (10), подключена к выходу токового зеркала (7).
5. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а в качестве дополнительного биполярного транзистора (11) используется составной транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов.
6. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве дополнительного биполярного транзистора (11) используется составной транзистор по схеме Дарлингтона, содержащий первый (16) и второй (17) согласующие биполярные транзисторы, причем эмиттер первого (16) согласующего транзистора является эмиттером составного транзистора Дарлингтона (11), его база подключена к эмиттеру второго (17) согласующего биполярного транзистора, коллекторы первого (16) и второго (17) согласующих биполярных транзисторов связаны со второй (8) шиной источника питания, а база второго (17) согласующего биполярного транзистора является базой составного транзистора Дарлингтона (11).
7. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что токовое зеркало (7) выполнено на биполярных p-n-р транзисторах и содержит первый (14) и второй (15) биполярные p-n-р транзисторы, эмиттеры которых связаны с первой (6) шиной источника питания, базы объединены и соединены с коллектором первого (14) биполярного p-n-р транзистора, который является входом токового зеркала (7), причем коллектор второго (15) биполярного p-n-р транзистора является выходом токового зеркала (7).
RU2021136536A 2021-12-09 2021-12-09 Арсенид-галлиевый буферный усилитель RU2771316C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021136536A RU2771316C1 (ru) 2021-12-09 2021-12-09 Арсенид-галлиевый буферный усилитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021136536A RU2771316C1 (ru) 2021-12-09 2021-12-09 Арсенид-галлиевый буферный усилитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2771316C1 true RU2771316C1 (ru) 2022-04-29

Family

ID=81458779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021136536A RU2771316C1 (ru) 2021-12-09 2021-12-09 Арсенид-галлиевый буферный усилитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2771316C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2820562C1 (ru) * 2023-12-25 2024-06-05 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030696B2 (en) * 2004-02-24 2006-04-18 Fujitsu Limited Differential amplifier and semiconductor device
US7548117B2 (en) * 2006-01-20 2009-06-16 Shenzhen Sts Microelectronics Co. Ltd. Differential amplifier having an improved slew rate
RU2595927C1 (ru) * 2015-07-23 2016-08-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2615070C1 (ru) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель
RU2670777C9 (ru) * 2018-03-12 2018-12-19 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2677401C1 (ru) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой буферный усилитель
RU2687161C1 (ru) * 2018-07-23 2019-05-07 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2712410C1 (ru) * 2019-07-03 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2721942C1 (ru) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2721940C1 (ru) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2732583C1 (ru) * 2020-01-30 2020-09-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Низкотемпературный операционный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2741056C1 (ru) * 2020-09-01 2021-01-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030696B2 (en) * 2004-02-24 2006-04-18 Fujitsu Limited Differential amplifier and semiconductor device
US7548117B2 (en) * 2006-01-20 2009-06-16 Shenzhen Sts Microelectronics Co. Ltd. Differential amplifier having an improved slew rate
RU2595927C1 (ru) * 2015-07-23 2016-08-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2615070C1 (ru) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель
RU2677401C1 (ru) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой буферный усилитель
RU2670777C9 (ru) * 2018-03-12 2018-12-19 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2687161C1 (ru) * 2018-07-23 2019-05-07 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2712410C1 (ru) * 2019-07-03 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2721942C1 (ru) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2721940C1 (ru) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2732583C1 (ru) * 2020-01-30 2020-09-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Низкотемпературный операционный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2741056C1 (ru) * 2020-09-01 2021-01-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2820562C1 (ru) * 2023-12-25 2024-06-05 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3792728B1 (en) Current mirror arrangements with double-base current circulators
US11262782B2 (en) Current mirror arrangements with semi-cascoding
RU2771316C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2789482C1 (ru) Двухтактный арсенид-галлиевый буферный усилитель с малой зоной нечувствительности амплитудной характеристики
RU2788498C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель на полевых и биполярных p-n-p транзисторах
RU2773912C1 (ru) Арсенид-галлиевый выходной каскад быстродействующего операционного усилителя
RU2766868C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
US11106233B1 (en) Current mirror arrangements with reduced input impedance
RU2419196C1 (ru) Широкополосный дифференциальный усилитель
RU2767976C1 (ru) Арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности
RU2784376C1 (ru) АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ОСНОВЕ n-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ И p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
RU2796638C1 (ru) Биполярно-полевой арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2784046C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2770912C1 (ru) Дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах
RU2812914C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2780220C1 (ru) Операционный усилитель на основе двухтактного "перегнутого" каскода и комплементарных полевых транзисторов с управляющим pn-переходом
RU2621289C1 (ru) Двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления
RU2786943C1 (ru) Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса ав быстродействующего операционного усилителя
RU2784666C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2814685C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель для работы в широком диапазоне температур
RU2784373C1 (ru) Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля
RU2293433C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала
AA et al. Output Stages of Operational Amplifiers Based on Gallium Arsenide NJFET and Bipolar PNP Transistors.
RU2786630C1 (ru) БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА АВ НА n-p-n БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ