RU2770912C1 - Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors - Google Patents
Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors Download PDFInfo
- Publication number
- RU2770912C1 RU2770912C1 RU2021129177A RU2021129177A RU2770912C1 RU 2770912 C1 RU2770912 C1 RU 2770912C1 RU 2021129177 A RU2021129177 A RU 2021129177A RU 2021129177 A RU2021129177 A RU 2021129177A RU 2770912 C1 RU2770912 C1 RU 2770912C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- output
- input
- source
- effect transistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве малошумящего устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, в арсенид-галлиевых операционных усилителях (ОУ), компараторах и т.п., в т.ч. работающих в широком диапазоне температур и воздействия радиации.The invention relates to the field of radio engineering and can be used as a low-noise device for amplifying analog signals, in the structure of analog microcircuits for various functional purposes, for example, in gallium arsenide operational amplifiers (op-amps), comparators, etc., incl. operating in a wide range of temperatures and exposure to radiation.
Известны схемы классических дифференциальных усилителей (ДУ) на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (JFet) [1-15], которые стали основой многих аналоговых микросхем.There are circuits of classical differential amplifiers (DU) based on field-effect transistors with a control p-n junction (JFet) [1-15], which became the basis of many analog microcircuits.
Для работы в широком диапазоне температур при жестких ограничениях на уровень шумов перспективно использование арсенид-галлиевых полевых транзисторов (JFet) [16]. ДУ данного класса активно применяются в структуре малошумящих аналоговых интерфейсов для обработки сигналов датчиков. Однако ряд технологических процессов накладывает существенные ограничения на типы применяемых транзисторов. Так, например, ОАО «Минский НИИ радиоматериалов» допускает применение арсенид-галлиевых полевых и арсенид-галлиевых pnp-биполярных транзисторов. Для построения ОУ в данном элементном базисе нужна специальная схемотехника.For operation in a wide temperature range with severe restrictions on the noise level, the use of gallium arsenide field-effect transistors (JFets) is promising [16]. Remote controls of this class are actively used in the structure of low-noise analog interfaces for processing sensor signals. However, a number of technological processes impose significant restrictions on the types of transistors used. So, for example, JSC "Minsk Research Institute of Radiomaterials" allows the use of gallium arsenide field and gallium arsenide pnp bipolar transistors. To build an op-amp in this elemental basis, special circuitry is needed.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является классический входной дифференциальный усилитель в структуре схемы ОУ, представленной в патенте ЕР 0293486 (fig.1), который содержит первый 1 и второй 2 входы, токовый выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых соединены с первой 6 шиной источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 7, причем сток первого 4 входного полевого транзистора соединен с первым выводом первого 8 резистора нагрузки, а сток второго 5 входного полевого транзистора соединен с токовым выходом 3 устройства и первым выводом второго 9 резистора нагрузки, затвор первого 4 входного полевого транзистора соединен с первым 1 входом устройства, а затвор второго 5 входного полевого транзистора связан со вторым 2 входом устройства, вторую 10 шину источника питания.The closest prototype (Fig. 1) of the proposed device is a classic input differential amplifier in the structure of the op-amp circuit presented in patent EP 0293486 (fig.1), which contains the first 1 and second 2 inputs, the
Существенный недостаток известного ДУ фиг. 1 состоит в том, что при его реализации в рамках арсенид-галлиевых технологических процессов его коэффициент усиления по напряжению оказывается небольшим (особенно при работе входных транзисторов в микрорежиме). Прежде всего, это связано с малыми значениями крутизны GaAs JFET.A significant drawback of the known control of Fig. 1 is that when it is implemented in the framework of gallium arsenide technological processes, its voltage gain turns out to be small (especially when input transistors operate in micromode). First of all, this is due to the small values of the GaAs JFET slope.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых в ДУ фиг. 1 обеспечивается повышение коэффициента усиления по напряжению при работе GaAs транзисторов с малыми статическими токами.The main objective of the proposed invention is to create conditions under which in the PS of Fig. 1 provides an increase in the voltage gain when operating GaAs transistors with low static currents.
Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы, токовый выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых соединены с первой 6 шиной источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 7, причем сток первого 4 входного полевого транзистора соединен с первым выводом первого 8 резистора нагрузки, а сток второго 5 входного полевого транзистора соединен с токовым выходом 3 устройства и первым выводом второго 9 резистора нагрузки, затвор первого 4 входного полевого транзистора соединен с первым 1 входом устройства, а затвор второго 5 входного полевого транзистора связан со вторым 2 входом устройства, вторую 10 шину источника питания, предусмотрены новые элементы и связи – токостабилизирующий двухполюсник 7 содержит первый 11 и второй 12 вспомогательные полевые транзисторы, затворы которых подключены к первой 6 шине источника питания, исток первого 11 вспомогательного полевого транзистора связан с первой 6 шиной источника питания через первый 13 вспомогательный резистор, исток второго 12 вспомогательного полевого транзистора соединен с первой 6 шиной источника питания через второй 14 вспомогательный резистор, стоки первого 11 и второго 12 вспомогательных полевых транзисторов соединены с объединенными истоками первого 4 и второго 5 входных полевых транзисторов, причем вторые выводы первого 8 и второго 9 резисторов нагрузки связаны с истоком дополнительного полевого транзистора 15, затвор которого подключен к стоку второго 5 входного полевого транзистора, а сток связан со второй 10 шиной источника питания.The problem is solved by the fact that in the differential amplifier of Fig. 1, containing the first 1 and second 2 inputs, the
На фиг. 1 представлена схема ДУ-прототипа, а на фиг. 2 – схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 и п. 2 формулы изобретения.In FIG. 1 shows a diagram of the remote control prototype, and Fig. 2 - diagram of the claimed device in accordance with
На фиг. 3 показан статический режим в ОУ с заявляемым входным GaAs дифференциальным усилителем фиг. 2 при R1÷R2 = 5,3 кОм, I1÷I2 = 500 мкА, V1 = 5 В, C1 = 3 пФ, Vcc=Vee=±10 В.In FIG. 3 shows the static mode in the OA with the claimed GaAs input differential amplifier of FIG. 2 at R 1 ÷R 2 = 5.3 kOhm, I 1 ÷ I 2 = 500 μA, V1 = 5 V, C1 = 3 pF, Vcc=Vee=±10 V.
На фиг. 4 приведена амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению ОУ с заявляемым входным GaAs дифференциальным усилителем – прототипом фиг. 3 при R1÷R2 = 5,8 кОм, I1÷I2 = 500 мкА, V1 = 5 В, C1 = 3 пФ, Vcc=Vee=±10 В.In FIG. 4 shows the amplitude-frequency characteristic of the voltage gain of the OA with the claimed input GaAs differential amplifier - the prototype of FIG. 3 at R 1 ÷R 2 = 5.8 kOhm, I 1 ÷ I 2 = 500 μA, V1 = 5 V, C1 = 3 pF, Vcc=Vee=±10 V.
На фиг. 5 представлен статический режим в ОУ с GaAs входным дифференциальным усилителем – прототипом фиг. 1 при R1÷R2 = 5,3 кОм, I1÷I2 = 500 мкА, V1 = 5 В, C1 = 3 пФ, Vcc=Vee=±10 В.In FIG. 5 shows the static mode in an op-amp with a GaAs input differential amplifier, the prototype of FIG. 1 at R 1 ÷R 2 = 5.3 kOhm, I 1 ÷ I 2 = 500 μA, V1 = 5 V, C1 = 3 pF, Vcc=Vee=±10 V.
На фиг. 6 показана амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению ОУ с GaAs входным дифференциальным усилителем – прототипом фиг. 5 при R1÷R2 = 5,8 кОм, I1÷I2 = 500 мкА, V1 = 5 В, C1 = 3 пФ, Vcc=Vee=±10 В, из которой следует что Ку известной схемы имеет величину порядка 65 дБ.In FIG. 6 shows the frequency response of the voltage gain of an op amp with a GaAs input differential amplifier, the prototype of FIG. 5 at R 1 ÷R 2 = 5.8 kOhm, I 1 ÷I 2 = 500 μA, V1 = 5 V, C1 = 3 pF, Vcc=Vee=±10 V, from which it follows that K of the known circuit has the value about 65 dB.
На фиг. 7 приведена схема заявляемого ДУ фиг. 2 в структуре операционного усилителя по п. 2 формулы изобретения, в которой выходной неинвертирующий буферный усилитель 16 реализован на арсенид-галлиевом входном полевом транзисторе 19, источнике опорного тока 21, цепи смещения потенциалов 20 и вспомогательном буферном усилителе 22.In FIG. 7 shows a diagram of the claimed remote control of FIG. 2 in the structure of the operational amplifier according to
На фиг. 8 приведена схема заявляемого ДУ фиг. 2 в структуре операционного усилителя по п. 2 формулы изобретения, в которой выходной неинвертирующий буферный усилитель 16 реализован на арсенид-галлиевом входном полевом транзисторе 23, арсенид-галлиевом выходном биполярном p-n-p транзисторе 24, источнике опорного тока 25, корректирующем конденсаторе 26, источнике напряжения смещения 27 и согласующем буферном усилителе 28. Схема фиг. 8 позволяет получить более высокие значения коэффициента усиления по напряжению ОУ (до 91 дБ), чем схема фиг. 7.In FIG. 8 shows a diagram of the claimed remote control of FIG. 2 in the structure of the operational amplifier according to
Дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы, токовый выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых соединены с первой 6 шиной источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 7, причем сток первого 4 входного полевого транзистора соединен с первым выводом первого 8 резистора нагрузки, а сток второго 5 входного полевого транзистора соединен с токовым выходом 3 устройства и первым выводом второго 9 резистора нагрузки, затвор первого 4 входного полевого транзистора соединен с первым 1 входом устройства, а затвор второго 5 входного полевого транзистора связан со вторым 2 входом устройства, вторую 10 шину источника питания. Токостабилизирующий двухполюсник 7 содержит первый 11 и второй 12 вспомогательные полевые транзисторы, затворы которых подключены к первой 6 шине источника питания, исток первого 11 вспомогательного полевого транзистора связан с первой 6 шиной источника питания через первый 13 вспомогательный резистор, исток второго 12 вспомогательного полевого транзистора соединен с первой 6 шиной источника питания через второй 14 вспомогательный резистор, стоки первого 11 и второго 12 вспомогательных полевых транзисторов соединены с объединенными истоками первого 4 и второго 5 входных полевых транзисторов, причем вторые выводы первого 8 и второго 9 резисторов нагрузки связаны с истоком дополнительного полевого транзистора 15, затвор которого подключен к стоку второго 5 входного полевого транзистора, а сток связан со второй 10 шиной источника питания.Differential amplifier based on gallium arsenide field-effect transistors Fig. 2 contains the first 1 and second 2 inputs, the
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, токовый выход 3 устройства связан со входом дополнительного буферного усилителя напряжения 16, выход 17 которого является потенциальным выходом устройства. На чертеже фиг. 2 корректирующий конденсатор 18 обеспечивает устойчивость операционного усилителя, но в ряде случаев может отсутствовать.In the drawing of FIG. 2, in accordance with
На фиг. 7 приведена схема заявляемого ДУ фиг. 2 в структуре операционного усилителя по п. 2 формулы изобретения, в которой дополнительный буферный усилитель напряжения 16 содержит первый арсенид-галлиевый входной полевой транзистор 19, цепь смещения потенциалов 20, включенную между истоком первого арсенид-галлиевого входного полевого транзистора 19 и источником опорного тока 21, причем общий узел цепи смещения 20 и источника опорного тока 21 соединен со входом вспомогательного буферного усилителя 22, выход которого является потенциальным выходом 17 устройства.In FIG. 7 shows a diagram of the claimed remote control of FIG. 2 in the structure of the operational amplifier according to
На фиг. 8 приведена схема заявляемого ДУ фиг. 2 в структуре операционного усилителя по п. 2 формулы изобретения, в которой дополнительный буферный усилитель напряжения 16 содержит второй арсенид-галлиевый входной полевой транзистор 23, и выходной арсенид-галлиевый биполярный транзистор 24, исток второго арсенид-галлиевого входного полевого транзистора 23 соединен с эмиттером выходного арсенид-галлиевого биполярного транзистора 24, коллектор выходного арсенид-галлиевого биполярного транзистора 24 соединен с источником опорного тока 25 и корректирующим конденсатором 26, база выходного арсенид-галлиевого биполярного транзистора 24 соединена с источником напряжения смещения 27, коллектор выходного арсенид-галлиевого биполярного транзистора 24 соединен с согласующим буферным усилителем 28, выход которого является потенциальным выходом 17 устройства.In FIG. 8 shows a diagram of the claimed remote control of FIG. 2 in the structure of the operational amplifier according to
Рассмотрим работу ДУ фиг. 2.Consider the operation of the control unit of Fig. 2.
В статическом режиме, например, при подключении первого 1 и второго 2 входов ДУ фиг. 2 к общей шине источников питания, статические токи истоков первого 4 и второго 5 входных полевых транзисторов, а также первого 11 и второго 12 вспомогательных полевых транзисторов определяются численными значениями идентичных сопротивлений первого 13 и второго 14 вспомогательных резисторовIn static mode, for example, when connecting the first 1 and second 2 remote control inputs of Fig. 2 to a common power supply bus, the static currents of the sources of the first 4 and second 5 input field-effect transistors, as well as the first 11 and second 12 auxiliary field-effect transistors are determined by the numerical values of the identical resistances of the first 13 and second 14 auxiliary resistors
где Iиi – ток истока i-го полевого транзистора; Uзи.11, Uзи.12, Uзи.15 – напряжение затвор-исток соответствующих первого 11 и второго 12 вспомогательных полевых транзисторов и дополнительного полевого транзистора 15 в рабочей точке при токе истока, равном заданному значению I0.where I ii is the source current of the i-th field-effect transistor; U z.11 , U z.12 , U z.15 - gate-source voltage of the corresponding first 11 and second 12 auxiliary field-effect transistors and an additional field-
Таким образом, в схеме фиг. 2 за счет выбора идентичных значений сопротивлений первого 13 и второго 14 вспомогательных резисторов, а также второго 9 резистора нагрузки, при известных стоко-затворных характеристиках JFET обеспечивается заданный статический режим по току.Thus, in the diagram of Fig. 2 by choosing identical resistance values of the first 13 and second 14 auxiliary resistors, as well as the second 9 load resistor, with known drain-gate characteristics of the JFET, a given static current mode is provided.
Если на вход 1 подается положительное входное напряжение uвх относительно входа 2, то это вызывает увеличение тока через первый 4 входной полевой транзистор и уменьшение на такую же величину тока стока второго 5 входного полевого транзистора. В результате ток истока дополнительного полевого транзистора 15 не изменяется. При подключении второго вывода первого 8 резистора к истоку дополнительного полевого транзистора 15 обеспечивается передача переменного напряжения на стоке второго 5 входного полевого транзистора в цепь стока первого 4 входного полевого транзистора. Как следствие, изменение напряжения на токовом выходе 3 устройства приводит в заявляемой схеме фиг. 2 к такому же изменению напряжения на стоке первого 4 входного полевого транзистора. Это повышает эквивалентное выходное сопротивление токового выхода 3 устройства и, как следствие, увеличивает коэффициент усиления по напряжению заявляемого ДУ (Ку) при малых значениях крутизны первого 4 и второго 5 входных полевых транзисторов. Сравнительный анализ графиков фиг. 4 и фиг. 6 показывает, что предлагаемое схемотехническое решение фиг. 2 дает повышение Ку на 26 дБ, т.е. более чем в 10 раз.If a positive input voltage u in relative to
Существенная особенность предлагаемого ДУ фиг. 2 и операционных усилителей на его основе (фиг. 7, фиг. 8) состоит в том, что при выборе сопротивлений первого 8 и второго 9 резисторов нагрузки, а также первого 13 и второго 14 вспомогательных резисторов одинаковыми, в GaAs ОУ (фиг. 2, фиг. 7, фиг. 8) обеспечиваются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (на уровне 1,4 мкВ, фиг. 3). В то же время ОУ с входным каскадом-прототипом имеет Uсм=3,48 мВ, что значительно превышает Uсм ОУ с заявляемым входным ДУ.An essential feature of the proposed PS of Fig. 2 and operational amplifiers based on it (Fig. 7, Fig. 8) is that when choosing the resistances of the first 8 and second 9 load resistors, as well as the first 13 and second 14 auxiliary resistors are the same, in GaAs OU (Fig. 2 , Fig. 7, Fig. 8) provide small values of the systematic component of the zero bias voltage (at the level of 1.4 μV, Fig. 3). At the same time, the op-amp with the prototype input stage has U cm =3.48 mV, which is much higher than the U cm of the op-amp with the claimed input control.
В частном случае GaAs буферный усилитель 16 может выполняться в виде неинвертирующего истокового повторителя напряжения (фиг. 7) или BJT JFET GaAs транзисторного каскада (фиг. 8).In the particular case of GaAs
Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с ДУ-прототипом, что позволяет рекомендовать его для практического использования в аналоговых GaAs схемах. Thus, the claimed device has significant advantages in comparison with the DU prototype, which allows us to recommend it for practical use in analog GaAs circuits.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКREFERENCES
1. Патент RU 2710296, 2019 г.1. Patent RU 2710296, 2019
2. Авт.св. СССР 537435, 1976 г.2. Auto light USSR 537435, 1976
3. Патентная заявка RU 2020134402, 2020 г.3. Patent application RU 2020134402, 2020
4. Патент US 5.291.149, fig. 3, 1994 г.4. Patent US 5.291.149, fig. 3, 1994
5. Патент RU 2679970, fig. 2, 2019 г.5. Patent RU 2679970, fig. 2, 2019
6. Патент RU 2624565, fig. 1, 2016 г.6. Patent RU 2624565, fig. 1, 2016
7. Патент RU 2571399, fig. 2, 2014 г.7. Patent RU 2571399, fig. 2, 2014
8. Авт.св. СССР 437193, 1972 г.8. Auto. USSR 437193, 1972
9. Патентная заявка US 2006/01255222, 2006 г.9. Patent application US 2006/01255222, 2006
10. Патент US 4.121.169, fig. 5, fig. 6, 1978 г.10. Patent US 4.121.169, fig. 5, fig. 6, 1978
11. Патент US 9.668.045, 2017 г.11. Patent US 9.668.045, 2017
12. Патент US 9.888.315, 2018 г.12. Patent US 9.888.315, 2018
13. Патент US 9.167.327, 2015 г.13. Patent US 9.167.327, 2015
14. Патент EP 0293488, fig. 1, 1988 г.14. Patent EP 0293488, fig. 1, 1988
15. Патент US 5.166.553, fig. 14, 1992 г.15. Patent US 5.166.553, fig. 14, 1992
16. Shur, Michael S., “GaAs Devices and Circuits”, Springer Science+Business Media, New York, 1987, 677 p. DOI 10.1007/978-1-4899-1989-2.16. Shur, Michael S., “GaAs Devices and Circuits,” Springer Science+Business Media, New York, 1987, 677 p. DOI 10.1007/978-1-4899-1989-2.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021129177A RU2770912C1 (en) | 2021-10-06 | 2021-10-06 | Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021129177A RU2770912C1 (en) | 2021-10-06 | 2021-10-06 | Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2770912C1 true RU2770912C1 (en) | 2022-04-25 |
Family
ID=81306399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021129177A RU2770912C1 (en) | 2021-10-06 | 2021-10-06 | Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2770912C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2784046C1 (en) * | 2022-08-15 | 2022-11-23 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Gallium buffer amplifier |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1314440A1 (en) * | 1985-08-07 | 1987-05-30 | Предприятие П/Я Р-6149 | Differential amplifier |
| EP0293486B1 (en) * | 1986-11-21 | 1991-03-13 | KASAI, Takafumi | Amplifier having a constant-current bias circuit |
| RU2331971C1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-08-20 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Differential amplifier with extended rating of operation |
| RU2333593C1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-09-10 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Differential amplifier with wider active operation range |
-
2021
- 2021-10-06 RU RU2021129177A patent/RU2770912C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1314440A1 (en) * | 1985-08-07 | 1987-05-30 | Предприятие П/Я Р-6149 | Differential amplifier |
| EP0293486B1 (en) * | 1986-11-21 | 1991-03-13 | KASAI, Takafumi | Amplifier having a constant-current bias circuit |
| RU2331971C1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-08-20 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Differential amplifier with extended rating of operation |
| RU2333593C1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-09-10 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Differential amplifier with wider active operation range |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2784046C1 (en) * | 2022-08-15 | 2022-11-23 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Gallium buffer amplifier |
| RU2813370C1 (en) * | 2023-11-21 | 2024-02-12 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Precision gallium arsenide operational amplifier with low level of systematic component of zero offset voltage and high gain |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6583667B1 (en) | High frequency CMOS differential amplifiers with fully compensated linear-in-dB variable gain characteristic | |
| EP1229420A1 (en) | Bandgap type reference voltage source with low supply voltage | |
| US6590454B2 (en) | System and method for current splitting for variable gain control | |
| RU2770912C1 (en) | Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors | |
| RU2346388C1 (en) | Differential amplifier | |
| RU2321159C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
| US6906588B2 (en) | Variable-gain differential input and output amplifier | |
| US11742812B2 (en) | Output pole-compensated operational amplifier | |
| RU2741055C1 (en) | Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction | |
| RU2687161C1 (en) | Buffer amplifier for operation at low temperatures | |
| RU2792710C1 (en) | Multichannel differential amplifier based on gallium arsenide field-effect and bipolar transistors | |
| RU2786941C1 (en) | Differential cascade on complementary field-effect transistors | |
| RU2770915C1 (en) | Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors | |
| RU2621289C1 (en) | Two-stage differential operational amplifier with higher gain | |
| RU2784666C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier with a low zero-bias voltage | |
| RU2284647C1 (en) | Differential amplifier | |
| RU2411637C1 (en) | Precision operational amplifier with low voltage of zero shift | |
| RU2813281C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier based on pnp bipolar and field-effect transistors with control pn junction | |
| RU2293433C1 (en) | Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal | |
| US7622991B2 (en) | Transconductance signal capacity format | |
| RU2780220C1 (en) | Operational amplifier based on two-stroke "inverse" cascode and complementary fet-steristors with control pn-junction | |
| RU2814685C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier for operation in wide temperature range | |
| GB2193059A (en) | Voltage follower circuit | |
| RU2813140C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier | |
| RU2789482C1 (en) | Push-pull gallium arsenide buffer amplifier with a small dead zone of the amplitude characteristic |