RU2423558C2 - Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления - Google Patents
Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2423558C2 RU2423558C2 RU2008132975/05A RU2008132975A RU2423558C2 RU 2423558 C2 RU2423558 C2 RU 2423558C2 RU 2008132975/05 A RU2008132975/05 A RU 2008132975/05A RU 2008132975 A RU2008132975 A RU 2008132975A RU 2423558 C2 RU2423558 C2 RU 2423558C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- main body
- mold
- internal volume
- nitride
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Press Drives And Press Lines (AREA)
- Mold Materials And Core Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к оборудованию для кристаллизации расплавленного кремния или металлургической обработки для получения кремния очень высокой чистоты. Кристаллизатор содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем. В соответствии с настоящим изобретением основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния и от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния. Более того, основной корпус содержит, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора. Использование в качестве основного компонента кристаллизатора карбида кремния, имеющего кристаллографическую фазу, которая не подвергается фазовому превращению при температурах обработки расплавленного кремния, позволяет решить проблему потери однородности передачи/отвода энергии, существующую в обычных кристаллизаторах. Кроме того, карбид кремния не имеет пластических фаз при этих температурах и, следовательно, не подвергается деформации. Благодаря этим отличным характеристикам такой кристаллизатор может быть использован несколько раз без какого-либо видимого ухудшения его физической целостности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Настоящее изобретение имеет отношение к кристаллизатору для обработки расплавленного кремния, к изготовлению такого кристаллизатора и к использованию такого кристаллизатора для обработки расплавленного кремния.
В настоящее время значительно возросла потребность в кремнии высокой чистоты. Получило широкое распространение использование кремния высокой чистоты для выработки фотогальванической энергии. Кроме того, текущий энергетический кризис усилил эту потребность.
Задачей настоящего изобретения является создание резервуара, который используют для обработки расплавленного кремния. Такой обработкой может быть кристаллизация кремния как при направленной кристаллизации, так и при вытягивании кристалла из расплавленной ванны. Обработкой также может быть металлургическая обработка, предназначенная для получения кремния очень высокой чистоты или одного из его сплавов. Таким образом, она может представлять собой металлургическую обработку сплавов или руд, задачей которой является устранение некоторых примесей.
Для применений такого типа, хорошо известно использование кристаллизаторов из кварца или на базе других материалов, главным образом образованных из диоксида кремния (см., например, документ DE-C-962868). В самом деле, так как основным компонентом кристаллизатора является кремний в виде одного из его оксидов, риск загрязнения другими химическими соединениями существенно снижается. Однако кварцевые кристаллизаторы имеют основной недостаток, связанный с их разъеданием расплавленным кремнием, в результате чего застывающий слиток кремния может приставать к стенкам кварцевого кристаллизатора. Так как кварц и кремний имеют различные коэффициенты теплового расширения, то могут возникать значительные механические напряжения, как внутри слитка, что приводит к дефектам кристаллизации, так и в стенках кристаллизатора, что приводит к растрескиванию кристаллизатора. Дополнительно, слиток кремния после застывания прочно пристает к стенкам кристаллизатора, так что практически невозможно извлечь слиток без разрушения кристаллизатора или по меньшей мере без его серьезного разрушения.
Известно также, что кварц и некоторые производные кремнезема подвержены изменениям кристаллографической фазы в ходе тепловых циклов. Эти изменения кристаллографической фазы создают очень высокие механические напряжения в стенках кристаллизатора. Дополнительно, они также могут вызывать изменения плотности стенки и, вслед за этим, теплопроводности стенки, что создает проблемы потери однородности передачи энергии к кремнию или отвода энергии от кремния. До настоящего времени, эта ключевая проблема не нашла своего решения в промышленном масштабе.
Более того, при температурах использования, кварц подвергается геометрическим изменениям. Этими геометрическими изменениями относительно трудно управлять, так как печь для обработки, в которой стоит резервуар с расплавленным кремнием, должна нагревать совершенно контролируемым образом все количество обрабатываемого кремния. Любая деформация стенки резервуара будет приводить к потере однородности передачи энергии к кремнию или отвода энергии от кремния, что увеличивает изменения геометрии слитка кремния во время кристаллизации.
Эта проблема может быть частично решена за счет упрочнения внешних стенок кварцевого кристаллизатора при помощи углеродных пластин, а более конкретно, при помощи графитовых пластин.
Такие углеродные пластины, а более конкретно, графитовые пластины широко используют во всех типах процессов, проводимых при высоких температурах, по причине их отличной стойкости к термическим напряжениям в течение достаточно длительных периодов времени. Например, графитовые кристаллизаторы используют для приема ванны германия при осуществлении процесса вытягивания кристалла по способу Чохральского. Однако до настоящего времени не удавалось использовать такие графитовые кристаллизаторы для обработки кремния, так как при высокой температуре ванна расплавленного кремния разъедает графитовые стенки кристаллизатора и образует карбид кремния, наличие которого несовместимо с требуемой чистотой. В соответствии с широко используемой технологией, указанной здесь выше, различные процессы обработки кремния при высокой температуре имеют место в кристаллизаторах из кварца или из других основанных на диоксиде кремния материалах, стенки которых усилены углеродными, а более конкретно, графитовыми пластинами.
Эта технология также не лишена проблем. Например, хорошо известно, что газовые фазы, расположенные рядом с ванной расплавленного кремния, влияют на образование равновесия между паром кремния, вытекающим из ванны расплавленного кремния, и атмосферой моноксида углерода, преобладающей в печи. Возникают реакции как на углероде или графите, так и в ванне расплавленного кремния, которые ведут к изменению физических и механических свойств.
Исходя из той же концепции, состоящей в том, чтобы избегать введения других компонентов кроме кремния, уже было предложено использовать кристаллизаторы из нитрида кремния. Так, например, в публикации WO-A1-2004/016835 описан кристаллизатор, главным образом образованный из нитрида кремния. Несмотря на то, что некоторые параметры этого кристаллизатора являются удовлетворительными, его цена делает его использование невозможным в настоящее время. Кроме того, имеются сообщения, что такие кристаллизаторы являются чувствительными к деформации при высокой температуре.
В связи с изложенным, задачей настоящего изобретения является создание резервуара для обработки расплавленного кремния, который не имел бы недостатков известных ранее устройств. В частности, было бы желательно использовать кристаллизатор несколько раз, при условии, что он не имеет никаких существенных ухудшений его физической целостности. Более того, характеристики теплопроводности такого кристаллизатора не должны изменяться в ходе его использования. Другими словами, материал кристаллизатора не должен быть чувствительным к деформации или к изменениям кристаллографической фазы. В конечном счете, необходимо, чтобы кристаллизатор не был источником загрязнения кремния.
Эти задачи могут быть решены при помощи кристаллизатора, выполненного в соответствии с настоящим изобретением. Такой кристаллизатор содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, главным образом образованными (по меньшей мере 65% по весу материала) из карбида кремния. Является совершенно удивительным, что кристаллизатор для обработки расплавленного кремния может быть изготовлен из материала, главным образом образованного из карбида кремния. В самом деле, до настоящего времени, специалисты избегали использовать карбид кремния, который считали источником проблем в любом процессе обработки расплавленного кремния.
Наоборот, заявитель показал, что кристаллизатор, имеющий основной корпус, главным образом состоящий из карбида кремния, не имеет недостатков, присущих обычным кристаллизаторам. В частности, тот факт, что основным компонентом основного корпуса является карбид кремния, имеющий хорошо определенную кристаллографическую фазу, которая не подвергается фазовому превращению при температурах обработки расплавленного кремния, позволяет решить проблему потери однородности передачи/отвода энергии, существующую в обычных кристаллизаторах.
Дополнительно, карбид кремния не имеет пластических фаз при этих температурах и, следовательно, не подвергается деформации.
Благодаря этим отличным характеристикам, такой кристаллизатор может быть повторно использован значительное число раз, в то время как обычные кристаллизаторы приходится заменять после каждого использования. Совершенно удивительно, что решение этой проблемы удалось получить за счет использования материала, который до этого считали источником проблем.
Материал, образующий основной корпус кристаллизатора, дополнительно содержит от 12 до 30% по весу одного или двух компонентов, выбранных из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид кремния. Остальную часть материала, образующего основной корпус, могут составлять до 13% по весу одного или нескольких других компонентов, таких как связующие материалы (химические, гидравлические или другие), агенты, регулирующие вязкость композиции до (ранее) формования и выдержки, и т.п.
Компоненты, выбранные из группы, в которую входят диоксид кремния и нитрид, могут быть введены как таковые в композицию, использованную для формования основного корпуса, или могут быть введены в виде металлического кремния, который будет окислен или азотирован во время выдержки кристаллизатора. Условия выдержки (состав азотирующей или окисляющей газовой среды) следует выбирать в соответствии с желательной композицией. Было обнаружено, что диоксид кремния также может оказывать влияние на текучесть композиции ранее формования и выдержки, а также связывающее действие, в частности, когда это соединение вводят в виде плавленого кварца. Совершенно очевидно, что в таком случае его учитывают только один раз (в содержании от 12 до 30% по весу одного или двух компонентов, выбранных из группы, в которую входят диоксид и нитрид кремния).
Другие регулирующие вязкость вещества также могут быть использованы для того, чтобы изменять характеристики кристаллизатора. Особенно предпочтительным является добавление мелких частиц химически активного оксида алюминия (с размерами, меньшими или равными 200 мкм), так как они позволяют изменять текучесть при формовании, а также работают как связующее при выдержке.
В качестве примеров других связующих, которые могут быть использованы, можно привести, например, органические смолы (оставляющие углеродистый остаток после отверждения), а также алюминат и/или силикат магния и кальция. В соответствии с предпочтительным вариантом, связующее образуют на месте нахождения (in situ) в виде связующего типа нитрида или диоксида кремния. Такое связующее легко может быть получено за счет регулирования параметров выдержки изделия, в частности, за счет регулирования газовой среды выдержки изделия.
Дополнительно было обнаружено, что целесообразно наносить на внутренние стенки кристаллизатора покрытие типа нитрида кремния, как это описано, например, в публикации WO-A1-2004053207 или в европейском патенте 05447224.6, или типа диоксида кремния или в комбинации с ним, как это описано, например, в европейском патенте 05076520 или в публикации WO-A1-2005/106084. Обычно покрытие оксидного типа используют для кристаллизации кремния в виде монокристалла, а покрытие нитридного типа используют для поликристаллической кристаллизации кремния. Следует иметь в виду, что покрытие может быть образовано в ходе выдержки сырого кристаллизатора, изготовленного из кремния (например, выдержка в азотирующей газовой среде позволяет получить поверхностное покрытие из нитрида кремния, в то время как выдержка в окисляющей газовой среде позволяет получить поверхностное покрытие из диоксида кремния).
В соответствии с настоящим изобретением основной корпус содержит связующее. Как уже было указано здесь выше, связующим может быть гидравлическое связующее (например, силикат или алюминат кальция), образующее композицию в виде цемента, химическое связующее (например, силикат магния) или не содержащее цемента связующее (например, гели, ортосиликаты и т.п.), а также химически-активное связующее (связывающее - углерод, действующее при азотирующей выдержке и т.п.).
Карбид кремния преимущественно используют при хорошо заданном гранулометрическом распределении. В частности, является предпочтительным образование фракции более крупных зерен из карбида кремния, так чтобы создать матрицу карбида кремния из крупных зерен, в которой могут находиться более мелкие зерна нитрида или диоксида кремния. Таким образом, большинство карбида кремния будет преимущественно образовано из зерен, имеющих размер больше чем 200 мкм, в то время как диоксид кремния, нитрид кремния и/или металлический кремний преимущественно вводят в виде зерен с размерами меньше чем 10 мкм.
Приведенные далее примеры поясняют различные варианты изобретения. В приведенной далее таблице приведены различные примеры материалов в соответствии с настоящим изобретением, образующих основной корпус кристаллизаторов для обработки расплавленного диоксида кремния. В этой таблице, в первой колонке указана природа компонентов, а в колонках от 2 до 13 указано весовое процентное содержание различных компонентов. Примеры А1, А2, С1, С2, Е1 и Е2 показывают различные варианты гидравлических связующих. Примеры A-F показывают различные варианты химических или химически активных связующих.
Кристаллизаторы были изготовлены из указанных материалов, а затем на их внутренние стенки было нанесено покрытие из нитрида или оксида кремния. Кристаллизация кремния одинакового качества была проведена в каждом из этих кристаллизаторов. Было обнаружено, что ни один из этих кристаллизаторов не получил повреждения в ходе кристаллизации кремния, так что их можно немедленно использовать повторно в другой операции кристаллизации, без какой-либо операции ремонта.
А1 | А2 | А | В | С1 | С2 | С | D | Е1 | Е2 | Е | F | |
Карбид кремния 1-3 мм | 25 | 25 | 25 | 25 | 20 | 20 | 20 | 20 | 25 | 25 | 25 | 22 |
0.2-1 мм | 20 | 20 | 20 | 20 | 30 | 30 | 30 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 |
<025 мм | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 20 | 20 | 20 | 20 |
Всего карбида кремния | 75 | 75 | 75 | 75 | 80 | 80 | 80 | 75 | 70 | 70 | 70 | 67 |
Нитрид кремния | 17 | 15 | 17 | 10 | 15 | 8 | 18 | 25 | 10 | 25 | 17 | |
Диоксид кремния | 5 | 8 | 5 | 5 | 4 | 12 | 6 | 10 | ||||
Всего нитрида и оксида | 22 | 23 | 22 | 15 | 15 | 12 | 18 | 12 | 25 | 16 | 25 | 27 |
Оксид алюминия | 1 | 2 | 8 | 3 | 9 | 2 | 11 | 3 | 2 | |||
Алюминат кальция | 2 | 2 | 5 | 5 | 3 | 3 | ||||||
Оксид магния | 1 | 2 | 2 | 1 | ||||||||
Углерод | 2 | 4 | 3 | |||||||||
Всего других компонентов | 3 | 2 | 3 | 10 | 5 | 8 | 2 | 13 | 5 | 14 | 5 | 6 |
Итого | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Claims (9)
1. Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид, при этом основной корпус имеет, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
2. Кристаллизатор по п.1, в котором основной корпус дополнительно содержит до 13% по весу одного или нескольких компонентов, выбранных из группы, в которую входят углерод, оксид магния, оксид алюминия, силикат и/или алюминат кальция.
3. Кристаллизатор по п.1 или 2, в котором слой диоксида кремния находится между поверхностным покрытием и стенками поверхностей, образующих внутренний объем кристаллизатора.
4. Кристаллизатор по п.1, в котором слой диоксида кремния находится у поверхности стенок основного корпуса на стороне, противоположной стороне, образующей внутренний объем.
5. Кристаллизатор по п.1, в котором, по меньшей мере, 50% по весу частиц карбида кремния имеют размер больше чем 200 мкм.
6. Кристаллизатор по п.1, в котором частицы диоксида или нитрида кремния имеют размер меньше чем 10 мкм.
7. Способ изготовления кристаллизатора для обработки расплавленного кремния, имеющего основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния, и имеет, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора, причем указанный способ включает в себя следующие операции:
a) формование основного корпуса с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем,
b) сушка основного корпуса,
c) выдержка основного корпуса и
d) формирование покрытия из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
a) формование основного корпуса с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем,
b) сушка основного корпуса,
c) выдержка основного корпуса и
d) формирование покрытия из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
8. Способ по п.7, в котором операции с) и d) проводят одновременно путем выдержки основного корпуса в окисляющей или азотирующей газовой среде.
9. Способ по п.7, в котором операция d) предусматривает нанесение покрытия ранее операции выдержки основного корпуса.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06447007A EP1811064A1 (fr) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | Creuset pour le traitement de silicium à l'état fondu |
EP06447007.3 | 2006-01-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008132975A RU2008132975A (ru) | 2010-02-20 |
RU2423558C2 true RU2423558C2 (ru) | 2011-07-10 |
Family
ID=36507605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008132975/05A RU2423558C2 (ru) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления |
Country Status (20)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7833490B2 (ru) |
EP (2) | EP1811064A1 (ru) |
JP (1) | JP5400392B2 (ru) |
KR (1) | KR101212916B1 (ru) |
CN (1) | CN101370968A (ru) |
AT (1) | ATE480650T1 (ru) |
AU (1) | AU2007204406B2 (ru) |
BR (1) | BRPI0706222A2 (ru) |
CA (1) | CA2634199C (ru) |
DE (1) | DE602007009043D1 (ru) |
DK (1) | DK1979512T3 (ru) |
ES (1) | ES2349158T3 (ru) |
NO (1) | NO20083468L (ru) |
PT (1) | PT1979512E (ru) |
RU (1) | RU2423558C2 (ru) |
SI (1) | SI1979512T1 (ru) |
TW (1) | TWI395841B (ru) |
UA (1) | UA89717C2 (ru) |
WO (1) | WO2007080120A1 (ru) |
ZA (1) | ZA200805509B (ru) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI400369B (zh) * | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
TWI401343B (zh) * | 2009-06-25 | 2013-07-11 | Wafer Works Corp | 具有保護層之石英玻璃坩堝及其製造方法 |
US20110177284A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-07-21 | Memc Singapore Pte Ltd. | Silicon wafers and ingots with reduced oxygen content and methods for producing them |
NO20092797A1 (no) * | 2009-07-31 | 2011-02-01 | Nordic Ceramics As | Digel |
DE102010000687B4 (de) * | 2010-01-05 | 2012-10-18 | Solarworld Innovations Gmbh | Tiegel und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
US20110180229A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Crucible For Use In A Directional Solidification Furnace |
JP2011219286A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Koji Tomita | シリコン及び炭化珪素の製造方法及び製造装置 |
PL2655705T3 (pl) * | 2010-12-22 | 2015-08-31 | Steuler Solar Gmbh | Tygle |
WO2012092369A2 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Crucible body and method of forming same |
US20120248286A1 (en) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Systems For Insulating Directional Solidification Furnaces |
CN102862986A (zh) * | 2012-04-19 | 2013-01-09 | 北京民海艳科技有限公司 | 冶金法生产太阳能多晶硅用定向凝固器及多晶硅生产方法 |
CN103774209B (zh) * | 2012-10-26 | 2016-06-15 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法 |
CN103060908A (zh) * | 2013-01-06 | 2013-04-24 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 双层陶瓷坩埚 |
TWI663126B (zh) * | 2014-07-09 | 2019-06-21 | 法商維蘇威法國公司 | 包含可磨塗層之輥、其製造方法及其用途 |
JP5935021B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-06-15 | 蒲池 豊 | シリコン結晶の製造方法 |
CN111848201B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-09-02 | 西安超码科技有限公司 | 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE962868C (de) * | 1953-04-09 | 1957-04-25 | Standard Elektrik Ag | Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung |
GB1450825A (en) * | 1974-05-02 | 1976-09-29 | Smiths Industries Ltd | Methods of manufacturing semiconductor bodies and to the products of such methods |
US4141726A (en) * | 1977-04-04 | 1979-02-27 | The Research Institute For Iron, Steel And Other Metals Of The Tohoku University | Method for producing composite materials consisting of continuous silicon carbide fibers and beryllium |
GB2029817A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-26 | Thorn Electrical Ind Ltd | Sealing of ceramic and cermet partds |
JPS5953209B2 (ja) * | 1981-08-06 | 1984-12-24 | 工業技術院長 | 多結晶シリコンインゴットの鋳造法 |
US4590043A (en) | 1982-12-27 | 1986-05-20 | Sri International | Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
JPS62241872A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-22 | 黒崎窯業株式会社 | 反応焼結Si↓3N↓4−SiC複合体の製造方法 |
DE3629231A1 (de) * | 1986-08-28 | 1988-03-03 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zum aufschmelzen von in einen schmelztiegel chargiertem siliciumpulver und schmelztiegel zur durchfuehrung des verfahrens |
DE3639335A1 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-26 | Bayer Ag | Gegenueber metall- und salzschmelzen resistente werkstoffe, ihre herstellung und deren verwendung |
FR2614321A1 (fr) * | 1987-04-27 | 1988-10-28 | Europ Propulsion | Cartouche en materiaux composites pour dispositif d'elaboration de monocristaux. |
US5037503A (en) * | 1988-05-31 | 1991-08-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Method for growing silicon single crystal |
US6165425A (en) * | 1997-02-06 | 2000-12-26 | Bayer Aktiengesellschaft | Melting pot with silicon protective layers, method for applying said layer and the use thereof |
US6048813A (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-11 | Cree, Inc. | Simulated diamond gemstones formed of aluminum nitride and aluminum nitride: silicon carbide alloys |
JP4343482B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | シリコン系膜の形成方法、シリコン系膜及び光起電力素子 |
BR0117034A (pt) * | 2001-05-31 | 2004-07-27 | Xiaodi Huang | Método para a preparação direta de metal a partir de material que contém metal |
JP2003128411A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-05-08 | Sharp Corp | 板状シリコン、板状シリコンの製造方法および太陽電池 |
DE10217946A1 (de) | 2002-04-22 | 2003-11-13 | Heraeus Quarzglas | Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung desselben |
NO317080B1 (no) | 2002-08-15 | 2004-08-02 | Crusin As | Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler |
US7538044B2 (en) * | 2002-09-12 | 2009-05-26 | Kinotech Solar Energy Corporation | Process for producing high-purity silicon and apparatus |
DE60316337T2 (de) * | 2002-10-18 | 2008-06-05 | Evergreen Solar Inc., Marlborough | Verfahren und vorrichtung zur kristallzüchtung |
UA81278C2 (en) | 2002-12-06 | 2007-12-25 | Vessel for holding a silicon and method for its making | |
US20050022743A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation container and vapor deposition apparatus |
ES2306141T3 (es) | 2004-04-29 | 2008-11-01 | Vesuvius Crucible Company | Crisol para la cristalizacion de silicio. |
KR100573473B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
US7540919B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-06-02 | Gt Solar Incorporated | Solidification of crystalline silicon from reusable crucible molds |
EP1739209A1 (en) | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Vesuvius Crucible Company | Crucible for the crystallization of silicon |
TWI400369B (zh) | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
-
2006
- 2006-01-12 EP EP06447007A patent/EP1811064A1/fr not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-01-11 TW TW096101077A patent/TWI395841B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 KR KR1020087016906A patent/KR101212916B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 WO PCT/EP2007/000254 patent/WO2007080120A1/en active Application Filing
- 2007-01-12 BR BRPI0706222-2A patent/BRPI0706222A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2007-01-12 CN CNA2007800030630A patent/CN101370968A/zh active Pending
- 2007-01-12 DK DK07702727.4T patent/DK1979512T3/da active
- 2007-01-12 RU RU2008132975/05A patent/RU2423558C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 ES ES07702727T patent/ES2349158T3/es active Active
- 2007-01-12 PT PT07702727T patent/PT1979512E/pt unknown
- 2007-01-12 AT AT07702727T patent/ATE480650T1/de active
- 2007-01-12 EP EP07702727A patent/EP1979512B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-12 US US12/159,865 patent/US7833490B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 JP JP2008549835A patent/JP5400392B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 DE DE602007009043T patent/DE602007009043D1/de active Active
- 2007-01-12 CA CA2634199A patent/CA2634199C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 SI SI200730372T patent/SI1979512T1/sl unknown
- 2007-01-12 UA UAA200809060A patent/UA89717C2/ru unknown
- 2007-01-12 AU AU2007204406A patent/AU2007204406B2/en not_active Ceased
- 2007-01-12 ZA ZA200805509A patent/ZA200805509B/xx unknown
-
2008
- 2008-08-11 NO NO20083468A patent/NO20083468L/no not_active Application Discontinuation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HIDE I. et al. Mould shaping silicon crystal growth with a mould coating material by the spinning method, "Journal of Crystal Growth", 1986, vol.79, no.1-3, p.583-589. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO20083468L (no) | 2008-08-11 |
CN101370968A (zh) | 2009-02-18 |
WO2007080120A1 (en) | 2007-07-19 |
ZA200805509B (en) | 2009-12-30 |
DK1979512T3 (da) | 2011-01-17 |
ES2349158T3 (es) | 2010-12-28 |
ATE480650T1 (de) | 2010-09-15 |
CA2634199A1 (en) | 2007-07-19 |
US7833490B2 (en) | 2010-11-16 |
CA2634199C (en) | 2013-09-24 |
UA89717C2 (ru) | 2010-02-25 |
EP1979512B1 (en) | 2010-09-08 |
KR20080082978A (ko) | 2008-09-12 |
DE602007009043D1 (de) | 2010-10-21 |
BRPI0706222A2 (pt) | 2011-03-22 |
US20080292524A1 (en) | 2008-11-27 |
SI1979512T1 (sl) | 2010-11-30 |
PT1979512E (pt) | 2010-11-09 |
KR101212916B1 (ko) | 2012-12-14 |
AU2007204406A1 (en) | 2007-07-19 |
EP1979512A1 (en) | 2008-10-15 |
JP2009523115A (ja) | 2009-06-18 |
TWI395841B (zh) | 2013-05-11 |
AU2007204406B2 (en) | 2012-02-16 |
JP5400392B2 (ja) | 2014-01-29 |
EP1811064A1 (fr) | 2007-07-25 |
TW200738919A (en) | 2007-10-16 |
RU2008132975A (ru) | 2010-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2423558C2 (ru) | Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления | |
RU2355832C2 (ru) | Кристаллизатор для кристаллизации кремния | |
KR101697027B1 (ko) | 실리콘 용융물의 정제용 내화 도가니의 표면용 라이닝 및 용융 및 추가적인 방향성 고체화를 위하여 상기 도가니(들)를 이용하는 실리콘 용융물의 정제 방법 | |
US20040211496A1 (en) | Reusable crucible for silicon ingot growth | |
RU2008103402A (ru) | Тигель для кристаллизации кремния | |
US20060057317A1 (en) | Vessel for holding silicon and method of producing the same | |
US20100139550A1 (en) | Crucible for processing a high-melting material and method of processing said material in said crucible | |
RU2344206C2 (ru) | Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения | |
JP6682762B2 (ja) | Ni合金鋳造品の製造方法 | |
KR101275218B1 (ko) | 금속의 정제 방법 | |
US4234630A (en) | Process for the protection of carbon bodies | |
WO2011081082A1 (ja) | 多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材 | |
JP2008081394A (ja) | 金属シリコンとその製造方法 | |
CN107759236A (zh) | 熔铸莫来石砖的生产工艺 | |
MX2008009002A (en) | Crucible for the treatment of molten silicon | |
DE10063020C2 (de) | Stahltiegel zum eisenfreien Schmelzen von Magnesium und Magnesiumlegierungen | |
JP4693932B1 (ja) | 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体 | |
JP4493515B2 (ja) | 炭素系離型材を有するシリコン凝固用鋳型 | |
JP2005238275A (ja) | 多結晶シリコン塊鋳造用鋳型 | |
RU2378421C1 (ru) | Способ выращивания кристаллов кремния | |
WO2013073204A1 (ja) | 複合材、複合材の製造方法およびシリコンの精製装置 | |
JP2000086251A (ja) | 焼結石英ガラス成形体の焼結方法 | |
JPWO2013073204A1 (ja) | 複合材の製造方法およびシリコンの精製装置 | |
ZA200503920B (en) | Vessel for holding silicon and method of producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180113 |