NO317080B1 - Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler - Google Patents
Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler Download PDFInfo
- Publication number
- NO317080B1 NO317080B1 NO20023865A NO20023865A NO317080B1 NO 317080 B1 NO317080 B1 NO 317080B1 NO 20023865 A NO20023865 A NO 20023865A NO 20023865 A NO20023865 A NO 20023865A NO 317080 B1 NO317080 B1 NO 317080B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- crucibles
- silicon
- crucible
- particles
- si3n4
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 title description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 13
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/591—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by reaction sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
- C04B38/0058—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity open porosity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00939—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for the fabrication of moulds or cores
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/428—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/46—Gases other than oxygen used as reactant, e.g. nitrogen used to make a nitride phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
Teknisk område
Den foreliggende oppfinnelse vedrører av silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter, samt en fremgangsmåte for fremstilling av slike digler.
Teknikkens bakgrunn
Ved krystallisering av rensilisiumsmelter ved rettet størkning og ved krystalltrekking fra rensilisiumsmelter er det kjent å benytte digler fremstilt av kvarts. Kvartsdigler har imidlertid den ulempe at smeltet silisium fukter kvarts og silisium vil derved feste seg til veggene i kvartsdigelen. Videre har kvarts og silisium forskjellige varmeutvidelseskoeffisienter slik at når silisiumsmelte størkner i en kvartsdigel vil det oppstå spenninger i kvartsdigelen som vil ødelegge digelen. Kvartsdigler kan derfor kun benyttes en gang.
Fra JP-59-162199 er det kjent en fremgangsmåte for fremstilling av silisiumnitriddigler for bruk ved trekking av silisiumkrystaller. Diglene ifølge JP-59-162199 fremstilles ved at silisiumpulver formes til ønsket form ved kaldpressing hvoretter digelen oppvarmes i inert atmosfære i et første trinn og deretter utfører nitridering ved en høyere temperatur i et andre trinn. Ifølge JP-59-162199 har de fremstilte diglene en tetthet på 85 % av den teoretiske tetthet for silisiumnitrid.
Diglene fremstilt i henhold til JP-59-162199 har en god styrke, men det har vist seg at diglene fuktes av silisium i en slik grad at når diglene benyttes til rettet størkning av silisiumsmelte vil den størknede silisiumingoten festes til veggene i digelen slik at ingoten ikke kan fjernes fra digelen uten at digelen ødelegges. Diglene ifølge JP-59-162199 kan derfor ikke gjenbrukes dersom de anvendes til rettet størkning av silisiumsmelte. Diglene ifølge JP-59-162199 kan heller ikke gjenbrukes dersom de benyttes for krystalltrekking av silisium en krystaller.
Endelig er det fra EP-A-1160223 kjent et silisiumnitridfilter for filtrering av gasser, hvilket filter har en porøsitet fra 40 til 70%. Silisiumnitridfilteret fremstilles ved nitridering av en gjenstand som omfatter 40-70% silisiumpartikler og 10-60% poredannende middel. Det er ikke nevnt i EP-A-1160223 at filtermaterialet kun brukes til fremstilling av digler for bruk i forbindelse med rettet størkning og krystalltrekking av enkrystaller av silisium.
Beskrivelse av oppfinnelsen
Ved den foreliggende oppfinnelse er man nå kommet frem til silisiumnitriddigler, som ikke fuktes av silisiumsmelte slik at en silisiumsmelte som størknes i en slik digel ikke vil feste seg til digelveggen.
Den foreliggende oppfinnelse vedrører således silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning og trekking av enkrystaller av rensilisium, hvilke digler er kjennetegnet ved at de utgjøres av Si3N4 med en total åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum %, og hvor mer enn 50% av den overflaten som utgjøres av porer som bryter overflaten av diglene består av porer som er større enn den midlere størrelse av Si3N4 partiklene.
Ifølge en foretrukket utførelsesform er diglene belagt med silisiumnitridpartikler med en gjennomsnittlig partikkelstørrelse mindre enn 50um.
Det er overraskende blitt funnet at Si3N4 digler med en slik åpen porøsitet og med en slik porestørrelse ikke fuktes av smeltet silisium og har en tilstrekkelig mekanisk styrke til at diglene kan benyttes en rekke ganger for rettet størkning av smeltet silisium.
Den foreliggende oppfinnelse vedrører videre en fremgangsmåte for fremstilling av silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning av silisium, hvor partikkelformet silisium med en partikkelstørrelse mindre enn 100um formes til en digel og underkastes nitridering for konvertering av silisiumpartiklene til Si3N4, hvilken fremgangsmåte er kjennetegnet ved at formingen utføres ved et slikt trykk og en slik kornstørrelsesfordeling av silisiumpartiklene at den ferdig nitriderte digelen har en åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum %. Videre må mer enn 50% av den overflaten som utgjøres av porer som bryter overflaten av diglene bestå av porer som er større enn den midlere størrelse av Si3N4-patriklene.
Formingen av partiklene utføres fortrinnsvis ved et trykk lavere enn 200 MPa og det er spesielt foretrukket å utføre formingen av partiklene med vibrering.
Forsøk ved bruk av Si3N4 digler i henhold til oppfinnelsen for rettet størkning av silisiumsmelte har vist at den størknede silisiumingoten ikke eller i svært liten grad hefter til veggene i diglene. Det var meget overraskende at digler med en høy åpen porøsitet av 40 til 60 volum % oppviste denne egenskapen.
Ved å belegge diglene med silisiumnitridpulver hvor gjennomsnittlig partikkelstørrelse er maksimum 50um hindres enhver hefting av størknet silisium til veggen i digelen.
Kort beskrivelse av tegning
Figur 1 viser form og dimensjoner på digel fremstilt ifølge eksempel 1.
Detaljert beskrivelse av oppfinnelsen
EKSEMPEL 1
Det ble fremstilt en Si3N4 digel i henhold til oppfinnelsen ved følgende fremgangsmåte. Silisiumpulver med en partikkelstørrelse mindre enn 75um som selges av Elkem ASA under varemerket SILGRAIN<®> ble fylt i en form hvor formhulrommet hadde slik form og dimensjoner som vist på figur 1. Silisiumpulveret ble kompaktert ved vibrasjon hvoretter digelen ble nitridert ved en temperatur mellom 1105 og 1380°C i en vertikal rørovn inntil det ble oppnådd en omsetningsgrad av silisium til Si3N4 på 97 % av teoretisk omsetningsgrad.
Den fremstilte digelen hadde en åpen porøsitet av 41,25 volum % og en tetthet på 1,85 g/cm<3>.
Digelen i henhold til oppfinnelsen ble benyttet for rettet størkning av silisium. Den rettede størkning av silisium ble utført ved å fylle partikkelformet silisium i digelen. Digelen ble deretter plassert i en vertikal rørovn og argon ble tilført for å hindre inntrenging av luft for derved å hindre oksidasjon av digel og silisium-smelten i ovnen. Silisium ble smeltet i digelen ved 1500°C. Deretter ble digelen senket nedover i ovnen slik at bunnen av digelen ble posisjonert utenfor den varme sonen. I denne posisjonen ble temperaturen senket med 60°C pr. time inntil temperaturen av silisiumet nådde 1375°C. Deretter ble ovnen avkjølt til romtemperatur. Ved undersøkelse ble det funnet at den størknede silisiumingoten kun heftet til digelen på enkelte punkter av digeloverflaten hvor åpen porøsitet var lavere enn 40% og hvor porenes størrelse var mindre enn Si3N4-patriklene.
EKSEMPEL 2
En digel fremstilt som beskrevet i eksempel 1 ble belagt innvendig med Si3N4 pulver. Digelen ble benyttet for rettet størkning av silisium etter fremgangsmåten beskrevet i eksempel 1. Inspeksjon viste at det ikke var noen heft mellom digel og silisiumingoten.
Claims (5)
1. Silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning og krystalltrekking av enkrystaller av rensilisium,
karakterisert ved at diglene utgjøres av Si3N4 med en total åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum %, og hvor mer enn 50% av den overflaten som utgjøres av porer som bryter overflaten av diglene består av porer som er større enn den midlere størrelsen av Si3N4 partiklene.
2. Digler ifølge krav 1, karakterisert ved at diglene er belagt med silisiumnitridpartikler med gjennomsnittlig partikkelstørrelse mindre enn 50um.
3. Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning av silisium, hvor partikkelformet silisium med en partikkelstørrelse mindre enn 100um formes til en digel og underkastes nitridering for konvertering av silisiumpartiklene til Si3N4, karakterisert ved at formingen utføres ved et slikt trykk og en slik kornstørrelsesfordeling av silisiumpartiklene at den ferdig nitriderte digelen har en åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum % og hvor mer enn 50% av den overflaten av diglene som utgjøres av porer som bryter overflaten består av porer som er større enn den midlere størrelse av Si3N4 partiklene.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at formingen utføres ved et trykk lavere enn 200 MPa.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at formingen utføres ved vibrering.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO20023865A NO317080B1 (no) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler |
CNB038194856A CN1302158C (zh) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | 氮化硅的模型配件和制造这种模型配件的方法 |
AU2003263674A AU2003263674A1 (en) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts |
JP2004528963A JP4724419B2 (ja) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | 窒化ケイ素の成形部品及び該成形部品の製造方法 |
PCT/NO2003/000274 WO2004016835A1 (en) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts |
CA002492176A CA2492176C (en) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts |
EP03788186A EP1534881A1 (en) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts |
US10/520,834 US7422631B2 (en) | 2002-08-15 | 2003-08-13 | Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO20023865A NO317080B1 (no) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO20023865D0 NO20023865D0 (no) | 2002-08-15 |
NO317080B1 true NO317080B1 (no) | 2004-08-02 |
Family
ID=19913899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO20023865A NO317080B1 (no) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7422631B2 (no) |
EP (1) | EP1534881A1 (no) |
JP (1) | JP4724419B2 (no) |
CN (1) | CN1302158C (no) |
AU (1) | AU2003263674A1 (no) |
CA (1) | CA2492176C (no) |
NO (1) | NO317080B1 (no) |
WO (1) | WO2004016835A1 (no) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1811064A1 (fr) | 2006-01-12 | 2007-07-25 | Vesuvius Crucible Company | Creuset pour le traitement de silicium à l'état fondu |
CN101479410A (zh) * | 2006-06-23 | 2009-07-08 | Rec斯坎沃佛股份有限公司 | 用于使半导体级多晶硅锭料定向凝固的方法和坩埚 |
KR20090024797A (ko) * | 2006-06-23 | 2009-03-09 | 알이씨 스캔웨이퍼 에이에스 | 재사용가능한 도가니 및 이를 제조하는 방법 |
WO2007148985A1 (en) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Rec Scanwafer As | Device and method for production of semiconductor grade silicon |
US7872676B2 (en) * | 2007-07-13 | 2011-01-18 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and devices for offset compensation in CMOC imagers |
DE102009048741A1 (de) | 2009-03-20 | 2010-09-30 | Access E.V. | Tiegel zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Metalllegierung, Bauteil für einen Tiegelgrundkörper eines Tiegels und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils |
NO334256B1 (no) * | 2009-04-23 | 2014-01-20 | Saint Gobain Ind Keramik Rodental Gmbh | Fremgangsmåte for fremstilling av keramisk formdel av reaksjonsbundet silisiumnitrid, apparatur samt anvendelse derav |
CN102725443A (zh) * | 2009-12-22 | 2012-10-10 | 圣戈班工业陶瓷罗登塔尔有限责任公司 | 氮化硅基坩埚 |
DE102010000687B4 (de) * | 2010-01-05 | 2012-10-18 | Solarworld Innovations Gmbh | Tiegel und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
US20110210470A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 6N Silicon Inc. | Crucible and method for furnace capacity utilization |
PL2655705T3 (pl) * | 2010-12-22 | 2015-08-31 | Steuler Solar Gmbh | Tygle |
CN102363318A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-29 | 德清县建明坩埚厂 | 用于坩埚成型机的下模 |
CN102409394B (zh) * | 2011-12-05 | 2015-05-20 | 苏州纳迪微电子有限公司 | 多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法 |
DE102012201116B4 (de) | 2012-01-26 | 2018-05-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Aufreinigung eines Tiegels |
DE102012101214B4 (de) | 2012-02-15 | 2016-09-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wiederverwendbarer Tiegel aus einer Siliziumnitrid-Keramik, Verfahren zu dessen Herstellung, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines mono- oder multikristallinen Halbmetall-Ingots oder Halbmetall-Körpers aus einer Schmelze |
FR2989680B1 (fr) | 2012-04-24 | 2014-04-18 | Saint Gobain Ct Recherches | Procede de fabrication d'un creuset en nitrure de silicium |
FR2997419A1 (fr) | 2012-10-31 | 2014-05-02 | Saint Gobain Ct Recherches | Creuset incorporant un revetement sialon. |
DE102013109024B4 (de) | 2013-08-21 | 2019-12-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wiederverwendbarer Tiegel aus einer Siliziumnitrid-Keramik, Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung des Tiegels, sowie Verfahren zur Herstellung eines mono- oder multikristallinen Silizium-Ingots und eines Silizium-Einkristalls aus einer Schmelze |
CN104625071B (zh) * | 2015-01-28 | 2016-09-28 | 东莞劲胜精密组件股份有限公司 | 一种粉末注射成型表面孔隙材料的制备方法 |
DE102018210286A1 (de) | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls und Halbleiterscheibe aus Silizium |
FR3131295B1 (fr) | 2021-12-23 | 2023-12-29 | Saint Gobain Ct Recherches | support de cuisson de poudre alcaline avec revêtement de porosité contrôlée |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950626B2 (ja) * | 1981-05-11 | 1984-12-10 | 東芝セラミツクス株式会社 | シリコン単結晶引上げ用容器 |
US4515755A (en) * | 1981-05-11 | 1985-05-07 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Apparatus for producing a silicon single crystal from a silicon melt |
JPS57188408A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Manufacture of high density silicon nitride |
JPS57200269A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-08 | Daido Steel Co Ltd | Manufacture of silicon nitrogen reaction sintered body |
JPS5932428B2 (ja) * | 1982-04-19 | 1984-08-08 | 東芝セラミツクス株式会社 | 単結晶シリコン引上げ用窒化珪素製治具 |
JPS59162199A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-09-13 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | 窒化シリコンを用いる結晶成長方法及びそれに使用する部品の製造方法 |
JPS61236604A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | β−Si↓3N↓4の合成方法 |
JPH0597571A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-04-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用ルツボ |
EP0653392B1 (en) * | 1993-05-20 | 1998-10-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Porous ceramic and process for producing the same |
US6165425A (en) * | 1997-02-06 | 2000-12-26 | Bayer Aktiengesellschaft | Melting pot with silicon protective layers, method for applying said layer and the use thereof |
EP1728775B1 (en) | 1999-12-24 | 2010-02-17 | Asahi Glass Company, Limited | Silicon nitride filter and method for its production |
DE10025198A1 (de) * | 2000-05-20 | 2001-11-29 | Drache Umwelttechnik Gmbh & Co | Verfahren zur Herstellung von porösen Formkörper aus polykristallinem Siliciumnitrid |
US20040211496A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Crystal Systems, Inc. | Reusable crucible for silicon ingot growth |
-
2002
- 2002-08-15 NO NO20023865A patent/NO317080B1/no not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-08-13 AU AU2003263674A patent/AU2003263674A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-13 WO PCT/NO2003/000274 patent/WO2004016835A1/en active Application Filing
- 2003-08-13 US US10/520,834 patent/US7422631B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-13 CN CNB038194856A patent/CN1302158C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-13 JP JP2004528963A patent/JP4724419B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-13 CA CA002492176A patent/CA2492176C/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-13 EP EP03788186A patent/EP1534881A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005535552A (ja) | 2005-11-24 |
EP1534881A1 (en) | 2005-06-01 |
CN1302158C (zh) | 2007-02-28 |
CN1675412A (zh) | 2005-09-28 |
WO2004016835A1 (en) | 2004-02-26 |
JP4724419B2 (ja) | 2011-07-13 |
US7422631B2 (en) | 2008-09-09 |
CA2492176C (en) | 2008-05-13 |
US20050118461A1 (en) | 2005-06-02 |
CA2492176A1 (en) | 2004-02-26 |
AU2003263674A1 (en) | 2004-03-03 |
NO20023865D0 (no) | 2002-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO317080B1 (no) | Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler | |
JP3247363B2 (ja) | 金属マトリックス複合物の製造方法 | |
Araki et al. | Room‐temperature freeze casting for ceramics with nonaqueous sublimable vehicles in the naphthalene–camphor eutectic system | |
US20040211496A1 (en) | Reusable crucible for silicon ingot growth | |
KR101212916B1 (ko) | 용융 실리콘 처리용 도가니 | |
JP5526938B2 (ja) | アルミニウム多孔質焼結体の製造方法 | |
TW201344135A (zh) | 用於容納熔融材料之坩堝及其生產,使用方法 | |
EP0530968A1 (en) | Method for directional solidification casting of a titanium aluminide | |
US20150354897A1 (en) | Crucible liner | |
US20150128849A1 (en) | Crucible for the manufacture of oxide ceramic single crystals | |
US8312913B2 (en) | Casting process | |
JP2013095650A (ja) | シリカ焼結体ルツボ | |
US5161602A (en) | Graphite mold for single crystal growth of active materials and a process for manufacturing the same | |
JP2009543954A (ja) | スパッタリング標的を作成する方法及びその方法で作成されたスパッタリング標的 | |
TW201242895A (en) | Silicon ingot manufacturing vessel | |
JP2013095651A (ja) | シリカ焼結体ルツボ | |
JP5806941B2 (ja) | シリカ焼結体ルツボの製造方法 | |
JP4693932B1 (ja) | 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体 | |
US11964873B2 (en) | Methods for producing hollow ceramic spheres | |
JP2003071555A (ja) | Si−SiC複合材の製造方法 | |
JPS6045974B2 (ja) | チタン製品の鋳造方法 | |
JP2004322143A (ja) | 多孔質金属体の製造方法 | |
JPS61215212A (ja) | 多結晶シリコンウエハの製造方法 | |
JPH0672790A (ja) | 活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法 | |
JPH05270917A (ja) | SiC質焼結体およびその焼成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK1K | Patent expired |