NO317080B1 - Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler - Google Patents

Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler Download PDF

Info

Publication number
NO317080B1
NO317080B1 NO20023865A NO20023865A NO317080B1 NO 317080 B1 NO317080 B1 NO 317080B1 NO 20023865 A NO20023865 A NO 20023865A NO 20023865 A NO20023865 A NO 20023865A NO 317080 B1 NO317080 B1 NO 317080B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
crucibles
silicon
crucible
particles
si3n4
Prior art date
Application number
NO20023865A
Other languages
English (en)
Other versions
NO20023865D0 (no
Inventor
Espen Olsen
Havard Sorheim
Arve Solheim
Original Assignee
Crusin As
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Crusin As filed Critical Crusin As
Priority to NO20023865A priority Critical patent/NO317080B1/no
Publication of NO20023865D0 publication Critical patent/NO20023865D0/no
Priority to CNB038194856A priority patent/CN1302158C/zh
Priority to AU2003263674A priority patent/AU2003263674A1/en
Priority to JP2004528963A priority patent/JP4724419B2/ja
Priority to PCT/NO2003/000274 priority patent/WO2004016835A1/en
Priority to CA002492176A priority patent/CA2492176C/en
Priority to EP03788186A priority patent/EP1534881A1/en
Priority to US10/520,834 priority patent/US7422631B2/en
Publication of NO317080B1 publication Critical patent/NO317080B1/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • C04B35/591Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by reaction sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0051Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
    • C04B38/0058Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity open porosity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00939Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for the fabrication of moulds or cores
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/46Gases other than oxygen used as reactant, e.g. nitrogen used to make a nitride phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1052Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

Teknisk område
Den foreliggende oppfinnelse vedrører av silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter, samt en fremgangsmåte for fremstilling av slike digler.
Teknikkens bakgrunn
Ved krystallisering av rensilisiumsmelter ved rettet størkning og ved krystalltrekking fra rensilisiumsmelter er det kjent å benytte digler fremstilt av kvarts. Kvartsdigler har imidlertid den ulempe at smeltet silisium fukter kvarts og silisium vil derved feste seg til veggene i kvartsdigelen. Videre har kvarts og silisium forskjellige varmeutvidelseskoeffisienter slik at når silisiumsmelte størkner i en kvartsdigel vil det oppstå spenninger i kvartsdigelen som vil ødelegge digelen. Kvartsdigler kan derfor kun benyttes en gang.
Fra JP-59-162199 er det kjent en fremgangsmåte for fremstilling av silisiumnitriddigler for bruk ved trekking av silisiumkrystaller. Diglene ifølge JP-59-162199 fremstilles ved at silisiumpulver formes til ønsket form ved kaldpressing hvoretter digelen oppvarmes i inert atmosfære i et første trinn og deretter utfører nitridering ved en høyere temperatur i et andre trinn. Ifølge JP-59-162199 har de fremstilte diglene en tetthet på 85 % av den teoretiske tetthet for silisiumnitrid.
Diglene fremstilt i henhold til JP-59-162199 har en god styrke, men det har vist seg at diglene fuktes av silisium i en slik grad at når diglene benyttes til rettet størkning av silisiumsmelte vil den størknede silisiumingoten festes til veggene i digelen slik at ingoten ikke kan fjernes fra digelen uten at digelen ødelegges. Diglene ifølge JP-59-162199 kan derfor ikke gjenbrukes dersom de anvendes til rettet størkning av silisiumsmelte. Diglene ifølge JP-59-162199 kan heller ikke gjenbrukes dersom de benyttes for krystalltrekking av silisium en krystaller.
Endelig er det fra EP-A-1160223 kjent et silisiumnitridfilter for filtrering av gasser, hvilket filter har en porøsitet fra 40 til 70%. Silisiumnitridfilteret fremstilles ved nitridering av en gjenstand som omfatter 40-70% silisiumpartikler og 10-60% poredannende middel. Det er ikke nevnt i EP-A-1160223 at filtermaterialet kun brukes til fremstilling av digler for bruk i forbindelse med rettet størkning og krystalltrekking av enkrystaller av silisium.
Beskrivelse av oppfinnelsen
Ved den foreliggende oppfinnelse er man nå kommet frem til silisiumnitriddigler, som ikke fuktes av silisiumsmelte slik at en silisiumsmelte som størknes i en slik digel ikke vil feste seg til digelveggen.
Den foreliggende oppfinnelse vedrører således silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning og trekking av enkrystaller av rensilisium, hvilke digler er kjennetegnet ved at de utgjøres av Si3N4 med en total åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum %, og hvor mer enn 50% av den overflaten som utgjøres av porer som bryter overflaten av diglene består av porer som er større enn den midlere størrelse av Si3N4 partiklene.
Ifølge en foretrukket utførelsesform er diglene belagt med silisiumnitridpartikler med en gjennomsnittlig partikkelstørrelse mindre enn 50um.
Det er overraskende blitt funnet at Si3N4 digler med en slik åpen porøsitet og med en slik porestørrelse ikke fuktes av smeltet silisium og har en tilstrekkelig mekanisk styrke til at diglene kan benyttes en rekke ganger for rettet størkning av smeltet silisium.
Den foreliggende oppfinnelse vedrører videre en fremgangsmåte for fremstilling av silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning av silisium, hvor partikkelformet silisium med en partikkelstørrelse mindre enn 100um formes til en digel og underkastes nitridering for konvertering av silisiumpartiklene til Si3N4, hvilken fremgangsmåte er kjennetegnet ved at formingen utføres ved et slikt trykk og en slik kornstørrelsesfordeling av silisiumpartiklene at den ferdig nitriderte digelen har en åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum %. Videre må mer enn 50% av den overflaten som utgjøres av porer som bryter overflaten av diglene bestå av porer som er større enn den midlere størrelse av Si3N4-patriklene.
Formingen av partiklene utføres fortrinnsvis ved et trykk lavere enn 200 MPa og det er spesielt foretrukket å utføre formingen av partiklene med vibrering.
Forsøk ved bruk av Si3N4 digler i henhold til oppfinnelsen for rettet størkning av silisiumsmelte har vist at den størknede silisiumingoten ikke eller i svært liten grad hefter til veggene i diglene. Det var meget overraskende at digler med en høy åpen porøsitet av 40 til 60 volum % oppviste denne egenskapen.
Ved å belegge diglene med silisiumnitridpulver hvor gjennomsnittlig partikkelstørrelse er maksimum 50um hindres enhver hefting av størknet silisium til veggen i digelen.
Kort beskrivelse av tegning
Figur 1 viser form og dimensjoner på digel fremstilt ifølge eksempel 1.
Detaljert beskrivelse av oppfinnelsen
EKSEMPEL 1
Det ble fremstilt en Si3N4 digel i henhold til oppfinnelsen ved følgende fremgangsmåte. Silisiumpulver med en partikkelstørrelse mindre enn 75um som selges av Elkem ASA under varemerket SILGRAIN<®> ble fylt i en form hvor formhulrommet hadde slik form og dimensjoner som vist på figur 1. Silisiumpulveret ble kompaktert ved vibrasjon hvoretter digelen ble nitridert ved en temperatur mellom 1105 og 1380°C i en vertikal rørovn inntil det ble oppnådd en omsetningsgrad av silisium til Si3N4 på 97 % av teoretisk omsetningsgrad.
Den fremstilte digelen hadde en åpen porøsitet av 41,25 volum % og en tetthet på 1,85 g/cm<3>.
Digelen i henhold til oppfinnelsen ble benyttet for rettet størkning av silisium. Den rettede størkning av silisium ble utført ved å fylle partikkelformet silisium i digelen. Digelen ble deretter plassert i en vertikal rørovn og argon ble tilført for å hindre inntrenging av luft for derved å hindre oksidasjon av digel og silisium-smelten i ovnen. Silisium ble smeltet i digelen ved 1500°C. Deretter ble digelen senket nedover i ovnen slik at bunnen av digelen ble posisjonert utenfor den varme sonen. I denne posisjonen ble temperaturen senket med 60°C pr. time inntil temperaturen av silisiumet nådde 1375°C. Deretter ble ovnen avkjølt til romtemperatur. Ved undersøkelse ble det funnet at den størknede silisiumingoten kun heftet til digelen på enkelte punkter av digeloverflaten hvor åpen porøsitet var lavere enn 40% og hvor porenes størrelse var mindre enn Si3N4-patriklene.
EKSEMPEL 2
En digel fremstilt som beskrevet i eksempel 1 ble belagt innvendig med Si3N4 pulver. Digelen ble benyttet for rettet størkning av silisium etter fremgangsmåten beskrevet i eksempel 1. Inspeksjon viste at det ikke var noen heft mellom digel og silisiumingoten.

Claims (5)

1. Silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning og krystalltrekking av enkrystaller av rensilisium, karakterisert ved at diglene utgjøres av Si3N4 med en total åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum %, og hvor mer enn 50% av den overflaten som utgjøres av porer som bryter overflaten av diglene består av porer som er større enn den midlere størrelsen av Si3N4 partiklene.
2. Digler ifølge krav 1, karakterisert ved at diglene er belagt med silisiumnitridpartikler med gjennomsnittlig partikkelstørrelse mindre enn 50um.
3. Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumnitriddigler for bruk i forbindelse med rettet størkning av silisium, hvor partikkelformet silisium med en partikkelstørrelse mindre enn 100um formes til en digel og underkastes nitridering for konvertering av silisiumpartiklene til Si3N4, karakterisert ved at formingen utføres ved et slikt trykk og en slik kornstørrelsesfordeling av silisiumpartiklene at den ferdig nitriderte digelen har en åpen porøsitet mellom 40 og 60 volum % og hvor mer enn 50% av den overflaten av diglene som utgjøres av porer som bryter overflaten består av porer som er større enn den midlere størrelse av Si3N4 partiklene.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at formingen utføres ved et trykk lavere enn 200 MPa.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at formingen utføres ved vibrering.
NO20023865A 2002-08-15 2002-08-15 Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler NO317080B1 (no)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20023865A NO317080B1 (no) 2002-08-15 2002-08-15 Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler
CNB038194856A CN1302158C (zh) 2002-08-15 2003-08-13 氮化硅的模型配件和制造这种模型配件的方法
AU2003263674A AU2003263674A1 (en) 2002-08-15 2003-08-13 Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts
JP2004528963A JP4724419B2 (ja) 2002-08-15 2003-08-13 窒化ケイ素の成形部品及び該成形部品の製造方法
PCT/NO2003/000274 WO2004016835A1 (en) 2002-08-15 2003-08-13 Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts
CA002492176A CA2492176C (en) 2002-08-15 2003-08-13 Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts
EP03788186A EP1534881A1 (en) 2002-08-15 2003-08-13 Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts
US10/520,834 US7422631B2 (en) 2002-08-15 2003-08-13 Mould parts of silicon nitride and method for producing such mould parts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20023865A NO317080B1 (no) 2002-08-15 2002-08-15 Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO20023865D0 NO20023865D0 (no) 2002-08-15
NO317080B1 true NO317080B1 (no) 2004-08-02

Family

ID=19913899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20023865A NO317080B1 (no) 2002-08-15 2002-08-15 Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7422631B2 (no)
EP (1) EP1534881A1 (no)
JP (1) JP4724419B2 (no)
CN (1) CN1302158C (no)
AU (1) AU2003263674A1 (no)
CA (1) CA2492176C (no)
NO (1) NO317080B1 (no)
WO (1) WO2004016835A1 (no)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1811064A1 (fr) 2006-01-12 2007-07-25 Vesuvius Crucible Company Creuset pour le traitement de silicium à l'état fondu
CN101479410A (zh) * 2006-06-23 2009-07-08 Rec斯坎沃佛股份有限公司 用于使半导体级多晶硅锭料定向凝固的方法和坩埚
KR20090024797A (ko) * 2006-06-23 2009-03-09 알이씨 스캔웨이퍼 에이에스 재사용가능한 도가니 및 이를 제조하는 방법
WO2007148985A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Rec Scanwafer As Device and method for production of semiconductor grade silicon
US7872676B2 (en) * 2007-07-13 2011-01-18 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and devices for offset compensation in CMOC imagers
DE102009048741A1 (de) 2009-03-20 2010-09-30 Access E.V. Tiegel zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Metalllegierung, Bauteil für einen Tiegelgrundkörper eines Tiegels und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils
NO334256B1 (no) * 2009-04-23 2014-01-20 Saint Gobain Ind Keramik Rodental Gmbh Fremgangsmåte for fremstilling av keramisk formdel av reaksjonsbundet silisiumnitrid, apparatur samt anvendelse derav
CN102725443A (zh) * 2009-12-22 2012-10-10 圣戈班工业陶瓷罗登塔尔有限责任公司 氮化硅基坩埚
DE102010000687B4 (de) * 2010-01-05 2012-10-18 Solarworld Innovations Gmbh Tiegel und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken
US20110210470A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 6N Silicon Inc. Crucible and method for furnace capacity utilization
PL2655705T3 (pl) * 2010-12-22 2015-08-31 Steuler Solar Gmbh Tygle
CN102363318A (zh) * 2011-06-30 2012-02-29 德清县建明坩埚厂 用于坩埚成型机的下模
CN102409394B (zh) * 2011-12-05 2015-05-20 苏州纳迪微电子有限公司 多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法
DE102012201116B4 (de) 2012-01-26 2018-05-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Aufreinigung eines Tiegels
DE102012101214B4 (de) 2012-02-15 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wiederverwendbarer Tiegel aus einer Siliziumnitrid-Keramik, Verfahren zu dessen Herstellung, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines mono- oder multikristallinen Halbmetall-Ingots oder Halbmetall-Körpers aus einer Schmelze
FR2989680B1 (fr) 2012-04-24 2014-04-18 Saint Gobain Ct Recherches Procede de fabrication d'un creuset en nitrure de silicium
FR2997419A1 (fr) 2012-10-31 2014-05-02 Saint Gobain Ct Recherches Creuset incorporant un revetement sialon.
DE102013109024B4 (de) 2013-08-21 2019-12-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wiederverwendbarer Tiegel aus einer Siliziumnitrid-Keramik, Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung des Tiegels, sowie Verfahren zur Herstellung eines mono- oder multikristallinen Silizium-Ingots und eines Silizium-Einkristalls aus einer Schmelze
CN104625071B (zh) * 2015-01-28 2016-09-28 东莞劲胜精密组件股份有限公司 一种粉末注射成型表面孔隙材料的制备方法
DE102018210286A1 (de) 2018-06-25 2020-01-02 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls und Halbleiterscheibe aus Silizium
FR3131295B1 (fr) 2021-12-23 2023-12-29 Saint Gobain Ct Recherches support de cuisson de poudre alcaline avec revêtement de porosité contrôlée

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950626B2 (ja) * 1981-05-11 1984-12-10 東芝セラミツクス株式会社 シリコン単結晶引上げ用容器
US4515755A (en) * 1981-05-11 1985-05-07 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Apparatus for producing a silicon single crystal from a silicon melt
JPS57188408A (en) * 1981-05-11 1982-11-19 Toshiba Ceramics Co Ltd Manufacture of high density silicon nitride
JPS57200269A (en) * 1981-06-05 1982-12-08 Daido Steel Co Ltd Manufacture of silicon nitrogen reaction sintered body
JPS5932428B2 (ja) * 1982-04-19 1984-08-08 東芝セラミツクス株式会社 単結晶シリコン引上げ用窒化珪素製治具
JPS59162199A (ja) * 1982-12-23 1984-09-13 テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド 窒化シリコンを用いる結晶成長方法及びそれに使用する部品の製造方法
JPS61236604A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 Toshiba Ceramics Co Ltd β−Si↓3N↓4の合成方法
JPH0597571A (ja) * 1991-06-13 1993-04-20 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上げ用ルツボ
EP0653392B1 (en) * 1993-05-20 1998-10-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd Porous ceramic and process for producing the same
US6165425A (en) * 1997-02-06 2000-12-26 Bayer Aktiengesellschaft Melting pot with silicon protective layers, method for applying said layer and the use thereof
EP1728775B1 (en) 1999-12-24 2010-02-17 Asahi Glass Company, Limited Silicon nitride filter and method for its production
DE10025198A1 (de) * 2000-05-20 2001-11-29 Drache Umwelttechnik Gmbh & Co Verfahren zur Herstellung von porösen Formkörper aus polykristallinem Siliciumnitrid
US20040211496A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Crystal Systems, Inc. Reusable crucible for silicon ingot growth

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005535552A (ja) 2005-11-24
EP1534881A1 (en) 2005-06-01
CN1302158C (zh) 2007-02-28
CN1675412A (zh) 2005-09-28
WO2004016835A1 (en) 2004-02-26
JP4724419B2 (ja) 2011-07-13
US7422631B2 (en) 2008-09-09
CA2492176C (en) 2008-05-13
US20050118461A1 (en) 2005-06-02
CA2492176A1 (en) 2004-02-26
AU2003263674A1 (en) 2004-03-03
NO20023865D0 (no) 2002-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO317080B1 (no) Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler
JP3247363B2 (ja) 金属マトリックス複合物の製造方法
Araki et al. Room‐temperature freeze casting for ceramics with nonaqueous sublimable vehicles in the naphthalene–camphor eutectic system
US20040211496A1 (en) Reusable crucible for silicon ingot growth
KR101212916B1 (ko) 용융 실리콘 처리용 도가니
JP5526938B2 (ja) アルミニウム多孔質焼結体の製造方法
TW201344135A (zh) 用於容納熔融材料之坩堝及其生產,使用方法
EP0530968A1 (en) Method for directional solidification casting of a titanium aluminide
US20150354897A1 (en) Crucible liner
US20150128849A1 (en) Crucible for the manufacture of oxide ceramic single crystals
US8312913B2 (en) Casting process
JP2013095650A (ja) シリカ焼結体ルツボ
US5161602A (en) Graphite mold for single crystal growth of active materials and a process for manufacturing the same
JP2009543954A (ja) スパッタリング標的を作成する方法及びその方法で作成されたスパッタリング標的
TW201242895A (en) Silicon ingot manufacturing vessel
JP2013095651A (ja) シリカ焼結体ルツボ
JP5806941B2 (ja) シリカ焼結体ルツボの製造方法
JP4693932B1 (ja) 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体
US11964873B2 (en) Methods for producing hollow ceramic spheres
JP2003071555A (ja) Si−SiC複合材の製造方法
JPS6045974B2 (ja) チタン製品の鋳造方法
JP2004322143A (ja) 多孔質金属体の製造方法
JPS61215212A (ja) 多結晶シリコンウエハの製造方法
JPH0672790A (ja) 活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法
JPH05270917A (ja) SiC質焼結体およびその焼成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK1K Patent expired