RU2316611C2 - Способ и устройство для покрытия подложки - Google Patents

Способ и устройство для покрытия подложки Download PDF

Info

Publication number
RU2316611C2
RU2316611C2 RU2004128083A RU2004128083A RU2316611C2 RU 2316611 C2 RU2316611 C2 RU 2316611C2 RU 2004128083 A RU2004128083 A RU 2004128083A RU 2004128083 A RU2004128083 A RU 2004128083A RU 2316611 C2 RU2316611 C2 RU 2316611C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
evaporated
coil
substrate
alternating
electromagnetic field
Prior art date
Application number
RU2004128083A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004128083A (ru
Inventor
ВАН ВЕСТРЮМ Йоханнес Альфонсус Франсискус СХАДЕ (NL)
ВАН ВЕСТРЮМ Йоханнес Альфонсус Франсискус СХАДЕ
Герардус ГЛЕЙМ (NL)
Герардус ГЛЕЙМ
Original Assignee
Корус Текнолоджи Бв
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корус Текнолоджи Бв filed Critical Корус Текнолоджи Бв
Publication of RU2004128083A publication Critical patent/RU2004128083A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2316611C2 publication Critical patent/RU2316611C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу и устройству покрытия подложки слоем материала, такого как металл, и подложке, полученной упомянутыми способом и устройством, и может найти применение в различных отраслях машиностроения для получения изделий с покрытием. В пространстве с низким остаточным давлением испаряют некоторое количество электропроводящего материала, а к подлежащему испарению материалу подводят энергию для испарения указанного материала. Подлежащий испарению материал во время испарения поддерживают в указанном пространстве во взвешенном состоянии без опоры и заключают в переменное электромагнитное поле, генерируемое с помощью высокочастотного переменного тока. Устройство содержит камеру, средства для создания в камере низкого остаточного давления, средства для приема подлежащего испарению материала, средства для изоляции катушки от испарительного пространства в указанной камере и средства для нагрева подлежащего испарению материала. Средства для приема подлежащего испарению материала содержат катушку для генерирования переменного электромагнитного поля. Средства для изоляции содержат керамическую трубу. Предусмотрены питающие средства для подачи испаряемого материала. Подложка представляет собой полосу с электропроводящим материалом из титана, магния, олова, цинка, хрома, никеля или алюминия или смесь одного из указанных металлов с одним или несколькими другими материалами, включая указанные или другие металлы. 3 н. и 16 з.п. ф-лы.

Description

Изобретение относится к способу покрытия подложки слоем материала, такого как металл, согласно которому в пространстве с низким остаточным давлением испаряют некоторое количество электропроводящего материала, а к подлежащему испарению материалу подводят энергию для испарения указанного материала. Изобретение также относится к устройству для покрытия подложки и к подложке, полученной с использованием способа или устройства.
Описанный выше способ является известным методом покрытия подложки (тонкими) слоями материала покрытия, обычно называемым методом нанесения покрытия осаждением из паровой или газовой фазы (PVD). Данный метод широко распространен в электронной и оптической промышленности, в производстве стекла и при производстве покрытых металлом пластиковых листов, используемых для всех видов применения. Метод PVD является привлекательным методом нанесения покрытия, поскольку при его применении достигается высокое качество и исключается образование побочных продуктов.
При применении метода PVD материал покрытия сначала следует превратить в паровую фазу. Такое превращение достигается нагревом материала покрытия в камере, в которой имеется очень низкое остаточное (фоновое) давление, известной как вакуумная камера. В результате нагрева материал покрытия превращается в пар до тех пор, пока достигается давление, которое находится в термодинамическом равновесии с горячей поверхностью материала покрытия, где образуется парообразная фаза. Равновесное давление паров является наиболее важным параметром скорости переноса материала покрытия на подложку, на которой осаждается пар. Равновесное давление пара зависит от температуры материала покрытия. Для достижения приемлемой скорости переноса материала покрытия на подложку, то есть приемлемого количества материала покрытия, осаждаемого на подложку в единицу времени, материал покрытия обычно следует нагреть до высоких температур. Такие температуры часто имеют значения порядка половины температуры кипения при атмосферном давлении, а иногда даже еще выше. На практике температуры нагрева металлов часто составляют примерно 600°С для цинка и примерно 2200°С для ниобия и рения. Для таких металлов, как тантал, молибден и вольфрам, необходимы столь высокие температуры, что они в методе PVD не используются. Такие металлы, как титан, хром, никель, алюминий и им подобные, используются редко, так как скорости переноса материалов из них являются низкими.
Недостаток использования метода PVD состоит в том, что скорости переноса ограничены в основном тем фактом, что подлежащие испарению материалы покрытия всегда находятся в жидком состоянии вследствие высоких температур процесса. Следовательно, материал должен находиться в тигле, который может быть изготовлен, например, из керамического материала или из меди. В последнем случае необходимо интенсивное охлаждение водой с тем, чтобы медь покрывал тонкий слой отвержденного материала покрытия, в результате чего предотвращается плавление или испарение меди и медь оказывается неповрежденной. Одним неблагоприятным последствием охлаждения медного тигля является потеря значительной доли подаваемого тепла в результате охлаждения. Применение керамического тигля ограничено теми материалами покрытия, которые не вступают в химическую реакцию с материалом тигля при высоких температурах процесса. При использовании керамического тигля также представляет проблему и подвод необходимой тепловой энергии, поскольку большинство керамических материалов являются плохими проводниками тепла.
Задачей настоящего изобретения является создание усовершенствованных способа и устройства для покрытия подложек посредством метода PVD.
Другой задачей изобретения является создание способа и устройства указанного типа, в которых скорость переноса материала покрытия выше скорости, которая была возможна до сих пор.
Еще одной задачей изобретения является создание способа и устройства указанного типа, которые на практике обеспечивают возможность использования в качестве материалов покрытий в методе PVD таких материалов, использование которых до сих пор было невозможным.
В соответствии с первым аспектом настоящего изобретения одна или более из указанных задач решаются за счет способа покрытия подложки слоем материала, такого как металл, согласно которому в пространстве с низким остаточным давлением испаряют некоторое количество электропроводящего материала, а к подлежащему испарению материалу подводят энергию для испарения указанного материала, причем в данном способе подлежащий испарению материал во время испарения поддерживают в указанном пространстве во взвешенном состоянии без опоры и заключают в переменное электромагнитное поле и при этом в данном способе переменное электромагнитное поле генерируют с помощью высокочастотного переменного тока.
"Поддержание подлежащего испарению материала в пространстве во взвешенном состоянии без опоры" означает, что больше нет необходимости в использовании медного или керамического тигля. В результате подлежащему испарению материалу можно придать более высокую температуру, поскольку тигель уже не является ограничивающим фактором. Поэтому скорость переноса испарившегося материала на подложку может быть увеличена. Вследствие отсутствия необходимости в использовании тигля возможно также испарение материалов, которые до сих пор невозможно было использовать из-за их способности реагировать с материалом тигля.
Электропроводящий материал можно заключить в переменное электромагнитное поле в результате действия сил Лоренца, которые генерируются при взаимодействии между внешним магнитным полем и вихревыми токами, которые вследствие этого индуцируются в электропроводящем материале.
Переменное электромагнитное поле генерируют с помощью высокочастотного переменного тока. Высокочастотный переменный ток необходим для того, чтобы можно было поддерживать во взвешенном состоянии достаточно большую массу электропроводящего материала с тем, чтобы стало возможным эффективное испарение такого количества электропроводящего материала в минуту, которое достаточно для покрытия подложки в промышленном масштабе.
Способ поддержания и плавления электропроводящих материалов во взвешенном (или, иначе говоря, плавающем) состоянии в переменном электромагнитном поле известен под названием "расплавление взвешенного металла" или "левитация зоны плавления". Способ и устройство данного назначения раскрыты в EP 0751361 В1; в данном случае расплавленный материал используется для прецизионного литья. Следует отметить, что все же всегда используется охлаждаемый водой тигель, с которым расплавленный материал не должен вступать в контакт. Расплавление взвешенного в переменном электромагнитном поле металла также описано различными авторами в ряде статей, представленных на "3-ем Международном симпозиуме по электромагнитной обработке материалов" 3-6 апреля 2000 г. в Нагоя, Япония, стр.345-375 ("3rd International Symposium on Electromagnetic Processing of Materials, April 3-6 2000, Nagoya, Japan, pp.345-375). Однако до сих пор расплавление взвешенного в электромагнитном поле металла не использовалось в комбинации с нанесением покрытия осаждением из паровой или газовой фазы; следовательно, расплавление взвешенного в электромагнитном поле металла с последующим испарением в соответствии с данным изобретением является неизвестным.
Частота переменного тока предпочтительно составляет 10 кГц или выше, более предпочтительно - 50 кГц или выше, даже более предпочтительно - 250 кГц или выше, еще более предпочтительно - 1 МГц или выше, а наиболее предпочтительно - 1,5 МГц или выше. Уровень частоты зависит от количества материала, подлежащего испарению в единицу времени, например, если подложку следует покрывать непрерывно. Указанное обстоятельство требует определенной площади поверхности испарения при выбранной температуре взвешенного материала. Такое количество взвешенного материала требует минимального вихревого тока в поверхностном слое взвешенного материала и, следовательно, минимальной частоты переменного тока.
В соответствии с предпочтительным вариантом воплощения переменное электромагнитное поле генерируют с помощью переменного тока, проходящего через катушку с силой тока 200 А или более, предпочтительно - с силой тока 500 А или более, более предпочтительно - с силой тока 1 кА или более и даже более предпочтительно - с силой тока 4 кА или более. Для получения достаточной нагревательной способности сила переменного тока должна быть выбрана в виде функции уровня частоты переменного тока.
В предпочтительном варианте мощность, рассеянная во взвешенном материале, составляет по меньшей мере 2 кВт, предпочтительно - по меньшей мере 5 кВт, а более предпочтительно - по меньшей мере 10 кВт. Указанные значения являются желательными потому, что испарение взвешенного материала усиливается по мере увеличения рассеянной мощности.
В соответствии с выгодным вариантом воплощения способа подлежащий испарению материал нагревают с помощью электромагнитного индукционного нагрева. Таким образом, подлежащий испарению материал может быть нагрет до требуемой высокой температуры.
В качестве альтернативы или в дополнение подлежащий испарению материал может быть нагрет с помощью лазерных лучей, и/или бомбардировки электронами, и/или индуктивно-связанной плазмы, и/или контактного электронагрева (т.е. нагрева джоулевым теплом). Все указанные методы нагрева могут быть легко использованы для нагрева взвешенного материала.
Подлежащий испарению материал предпочтительно дозагружают с течением времени (т.е. подают по мере необходимости) под действием переменного электромагнитного поля, втягивающего дополнительные количества подлежащего испарению материала. Действие переменного электромагнитного поля на втягивание материала обеспечивает легкое пополнение количества подлежащего испарению материала, которое уменьшается в результате непрерывного или ступенчатого испарения.
В соответствии с выгодным вариантом воплощения переменному электромагнитному полю катушки придают такую форму, что подлежащий испарению материал втягивается отдельным участком переменного поля. В том случае, если подлежащий испарению материал втягивают в отдельный участок переменного поля, тот участок переменного поля, где испаряется материал, не подвергается возмущениям или подвергается возмущениям в меньшей степени.
В данном случае подлежащий втягиванию материал предпочтительно не находится в свободно взвешенном состоянии в пространстве. Поэтому подлежащий втягиванию материал легко движется к тому участку в пространстве, из которого он затем втягивается переменным электромагнитным полем.
В соответствии с дополнительным выгодным вариантом воплощения способа отдельный участок переменного поля получают посредством вспомогательной катушки, которая отделена от указанной катушки. В результате операция втягивания подлежащего испарению материала может контролироваться и регулироваться независимо от испарения материала.
Вышеописанный способ предпочтительно используется для испарения титана, магния, олова, цинка, хрома, никеля или алюминия или смеси одного из указанных металлов с одним или несколькими другими материалами, включая указанные или другие металлы, поскольку они представляют собой коммерчески важные материалы покрытия. После испарения некоторые материалы могут взаимодействовать с химически активным (реакционноспособным) газом, таким как кислород или азот, в результате чего образуются непроводящий оксид или нитриды. Реакция может происходить в паровой фазе или непосредственно после конденсации на подложке.
В соответствии с выгодным вариантом воплощения подложку покрывают слоем материала непрерывно. Во многих случаях это будет означать, что подложку в форме полосы пропускают через вакуумную камеру и во время пребывания участка полосы в этой камере материал должен испариться в количестве, достаточном для покрытия указанного участка полосы. До сих пор это было невозможно вследствие низких скоростей переноса, однако с помощью вышеуказанного способа можно испарить достаточно быстро достаточное количество материала и поэтому можно покрывать подложку, такую как полоса, в промышленном масштабе.
Во втором своем аспекте настоящее изобретение предлагает устройство для покрытия подложки слоем материала, такого как металл, путем испарения электропроводящего материала, содержащее камеру, снабженную средствами для создания в камере низкого остаточного давления, средствами для приема подлежащего испарению материала и средствами для нагрева подлежащего испарению материала, при этом в устройстве по изобретению средства для принятия подлежащего испарению материала содержат катушку, которая может быть использована для генерирования переменного электромагнитного поля с тем, чтобы обеспечить нахождение подлежащего испарению материала во взвешенном состоянии без опоры.
Снабжение катушкой дает возможность получить подлежащий испарению материал во взвешенном состоянии, в связи с чем теперь отсутствует потребность в тигле, в результате чего вышеуказанный способ может быть осуществлен с помощью данного устройства.
Катушка предпочтительно предназначена для генерирования переменного электромагнитного поля посредством высокочастотного переменного тока. Поскольку катушка дает возможность использовать высокочастотный переменный ток, образуется переменное электромагнитное поле, в котором силы Лоренца могут поддерживать подлежащий испарению материал во взвешенном состоянии.
В соответствии с предпочтительным вариантом воплощения средства для нагрева материала содержат электромагнитную индукционную катушку. Следовательно, подлежащий нагреву материал может быть легко нагрет до высокой температуры без осуществления контакта с материалом, подлежащим нагреву.
При использовании в устройстве катушки предпочтительно обеспечивается возможность генерирования вышеуказанных высокочастотных переменных токов и, кроме того, вышеуказанных сил переменного тока.
В качестве альтернативы или в дополнение средства для нагрева материала содержат лазер и/или источник электронов. Указанные средства могут быть также использованы для нагрева подлежащего испарению материала, хотя слегка в меньшей степени.
Предпочтительно предусмотрены средства для изоляции катушки от камеры. Изоляция катушки от испарительного пространства в вакуумной камере дает возможность легко отделить катушку от подлежащего испарению материала и обеспечивает очень хорошее охлаждение катушки без загрязнения материала, поступающего в испарительную камеру и поэтому также достигающего подложки. Кроме того, охлаждающая среда (охладитель) не может вызвать короткое замыкание в камере. В результате обеспечивается возможность приема катушкой высокой мощности и передачи ее подлежащему испарению материалу. Средства изоляции предпочтительно изготовлены из керамического материала, поскольку керамика является стойкой к высоким температурам и охлаждающим средам. Средства изоляции содержат, например, керамическую трубу, поскольку она может быть легко изготовлена и использована.
Средства изоляции катушки также обеспечивают преимущество, состоящее в том, что проводящий материал, который конденсируется на изолирующих материалах в результате воздействия генерируемых катушкой вихревых токов, расплавляется или испаряется, так что он либо возвращается в находящийся во взвешенном состоянии материал в виде расплавленного материала, либо используется в качестве пара, покрывающего подложку. Поэтому изолированная катушка является самоочищающейся.
В соответствии с выгодным вариантом воплощения предусмотрены питающие средства для подачи подлежащего испарению материала в форме проволоки для того, чтобы дозагрузить испаряемый во время использования материал (т.е. восполнить его потребленное количество). Подлежащий испарению материал должен постоянно дозагружаться вследствие того факта, что в каждую единицу времени испаряется часть этого материала; для этой цели питающие средства должны быть сконструированы таким образом, чтобы в вакуумной камере поддерживался вакуум.
В камере предпочтительно размещено измерительное оборудование. Измерительное оборудование используется для контроля за процессом. Измерительное оборудование предпочтительно является подходящим, кроме прочего, для измерения температуры, например, средствами оптической пирометрии.
В своем третьем аспекте настоящее изобретение относится к подложке, снабженной слоем электропроводящего материала, полученным с помощью описанного выше способа и/или описанного выше устройства, причем электропроводящий материал предпочтительно представляет собой металл, более предпочтительно - титан, магний, олово, цинк, хром, никель алюминий или смесь одного из указанных металлов и одного или более других материалов, включая указанные или другие металлы.

Claims (19)

1. Способ покрытия подложки слоем материала, такого как металл, согласно которому в пространстве с низким остаточным давлением испаряют некоторое количество электропроводящего материала, а к подлежащему испарению материалу подводят энергию для испарения указанного материала, при этом подлежащий испарению материал во время испарения поддерживают в указанном пространстве во взвешенном состоянии без опоры и заключают в переменное электромагнитное поле, генерируемое с помощью высокочастотного переменного тока, проходящего через катушку, отличающийся тем, что подложку пропускают через указанное пространство в форме полосы и непрерывно покрывают слоем материала, который с течением времени дозагружают дополнительными количествами подлежащего испарению материала, при этом переменному магнитному полю катушки придают такую форму, что подлежащий испарению материал втягивается отдельным участком этого переменного поля.
2. Способ по п.1, в котором частота переменного тока составляет 10 кГц или выше, предпочтительно - 50 кГц или выше, более предпочтительно - 250 кГц или выше, еще более предпочтительно - 1 МГц или выше, а наиболее предпочтительно - 1,5 МГц или выше.
3. Способ по п.1, в котором переменное электромагнитное поле генерируют с помощью переменного тока с силой тока 200 А или более, предпочтительно - с силой тока 500 А или более, более предпочтительно - с силой тока 1 кА или более, и более предпочтительно - с силой тока 4 кА или более.
4. Способ по п.1, в котором мощность, рассеянная во взвешенном материале, составляет по меньшей мере 2 кВт, предпочтительно - по меньшей мере 5 кВт, а более предпочтительно - по меньшей мере 10 кВт.
5. Способ по любому из пп.1-4, в котором подлежащий испарению материал нагревают с помощью электромагнитного индукционного нагрева.
6. Способ по любому из пп.1-4, в котором подлежащий испарению материал нагревают с помощью лазерных лучей и/или бомбардировки электронами и/или индуктивно-связанной плазмы и/или контактного электронагрева.
7. Способ по п.1, в котором подлежащий втягиванию материал не находится в свободно взвешенном состоянии в указанном пространстве.
8. Способ по п.1, в котором указанный отдельный участок переменного поля получают посредством вспомогательной катушки, которая отделена от указанной катушки.
9. Способ по любому из пп.1-4, в котором испаряют титан, магний, олово, цинк, хром, никель или алюминий, или смесь одного из указанных металлов с одним или несколькими другими материалами, включая указанные или другие металлы.
10. Устройство для покрытия подложки слоем материала, такого как металл, путем испарения электропроводящего материала, содержащее камеру, снабженную средствами для создания в камере низкого остаточного давления, средствами для приема подлежащего испарению материала и средствами для нагрева подлежащего испарению материала, причем средства для приема подлежащего испарению материала содержат катушку для генерирования переменного электромагнитного поля с тем, чтобы обеспечить нахождение подлежащего испарению материала во взвешенном состоянии без опоры, отличающееся тем, что предусмотрены средства для изоляции катушки от испарительного пространства в указанной камере, причем средства изоляции содержат керамическую трубу, при этом предусмотрены питающие средства для подачи подлежащего испарению материала в виде отдельного участка указанной катушки, используемой для генерирования переменного электромагнитного поля.
11. Устройство по п.10, в котором катушка предназначена для генерирования переменного электромагнитного поля посредством высокочастотного переменного тока.
12. Устройство по п.10, в котором средства для нагрева материала содержат электромагнитную индукционную катушку.
13. Устройство по п.10, в котором средства для нагрева материала содержат лазер и/или источник электронов.
14. Устройство по любому из пп.10-13, в котором средства изоляции изготовлены из керамического материала.
15. Устройство по любому из пп.10-13, в котором питающие средства подают подлежащий испарению материал в форме проволоки с тем, чтобы дозагрузить испаряемый материал, который испаряется во время использования.
16. Устройство по любому из пп.10-13, в котором в камере размещено измерительное оборудование.
17. Устройство по п.16, в котором измерительное оборудование предназначено для измерения температуры.
18. Устройство по любому из пп.10-13, которое предназначено для осуществления способа по любому из пп.1-9.
19. Подложка, снабженная слоем электропроводящего материала, полученным с помощью способа по любому из пп.1-9 и/или устройства по любому из пп.10-18, причем подложка представляет собой полосу, а электропроводящий материал предпочтительно представляет собой металл, а более предпочтительно - титан, магний, олово, цинк, хром, никель или алюминий, или смесь одного из указанных металлов с одним или несколькими другими материалами, включая указанные или другие металлы.
RU2004128083A 2002-02-21 2003-02-21 Способ и устройство для покрытия подложки RU2316611C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1020059A NL1020059C2 (nl) 2002-02-21 2002-02-21 Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een substraat.
NL1020059 2002-02-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004128083A RU2004128083A (ru) 2005-06-10
RU2316611C2 true RU2316611C2 (ru) 2008-02-10

Family

ID=27752086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004128083A RU2316611C2 (ru) 2002-02-21 2003-02-21 Способ и устройство для покрытия подложки

Country Status (15)

Country Link
US (1) US7323229B2 (ru)
EP (1) EP1483425B1 (ru)
JP (1) JP4522709B2 (ru)
KR (1) KR100956491B1 (ru)
CN (1) CN100545299C (ru)
AT (1) ATE399889T1 (ru)
AU (1) AU2003221458A1 (ru)
BR (1) BR0307800B1 (ru)
CA (1) CA2476855C (ru)
DE (1) DE60321893D1 (ru)
ES (1) ES2309305T3 (ru)
HK (1) HK1078616A1 (ru)
NL (1) NL1020059C2 (ru)
RU (1) RU2316611C2 (ru)
WO (1) WO2003071000A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080640A1 (en) * 2003-03-14 2004-09-23 Hille & Müller GMBH Aluminium layered brazing product and method of its manufacture
US7973267B2 (en) 2004-08-23 2011-07-05 Tata Steel Nederland Technology Bv Apparatus and method for levitation of an amount of conductive material
JP5064222B2 (ja) * 2004-08-23 2012-10-31 タタ、スティール、ネダーランド、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ ある量の導電性材料を浮揚させる装置および方法
NZ562697A (en) 2005-05-31 2009-12-24 Corus Technology Bv Vacuum evaporation coating of a substrate where the evaporating material is isolated from the induction coil
US7524385B2 (en) * 2006-10-03 2009-04-28 Elemetric, Llc Controlled phase transition of metals
KR100961371B1 (ko) 2007-12-28 2010-06-07 주식회사 포스코 실러 접착성 및 내식성이 우수한 아연계 합금도금강판과 그제조방법
KR101639813B1 (ko) * 2009-10-08 2016-07-15 주식회사 포스코 연속 코팅 장치
WO2012081738A1 (en) * 2010-12-13 2012-06-21 Posco Continuous coating apparatus
KR101207719B1 (ko) * 2010-12-27 2012-12-03 주식회사 포스코 건식 코팅 장치
RU2522666C2 (ru) * 2012-06-27 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Устройство для левитации некоторого количества материала
KR101355817B1 (ko) * 2012-07-09 2014-02-05 한국표준과학연구원 전자기 부양 금속 박막 증착 장치
RU2693852C2 (ru) * 2017-11-07 2019-07-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования " Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Устройство для левитации некоторого количества материала
KR102098455B1 (ko) * 2017-12-26 2020-04-07 주식회사 포스코 연속 증착 장치 및 연속 증착 방법
CN109518133A (zh) * 2018-10-23 2019-03-26 集美大学 一种电磁加热的pvd设备及其生产工艺
CN112760608A (zh) * 2020-12-14 2021-05-07 兰州空间技术物理研究所 碳纤维复合材料表面薄膜沉积过程防止层间放气的方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2664852A (en) * 1950-04-27 1954-01-05 Nat Res Corp Vapor coating apparatus
US2957064A (en) * 1958-09-30 1960-10-18 Westinghouse Electric Corp Stabilizing of levitation melting
GB1206586A (en) * 1966-09-07 1970-09-23 Mini Of Technology Vacuum deposition process of forming alloys
BE713308A (ru) * 1968-04-05 1968-10-07
DE2934011A1 (de) * 1979-08-22 1981-03-26 André Etienne de Dr. Lausanne Rudnay Vorrichtung zum aufdampfen von elektrisch leitenden stoffen (metallen) im hochvakuum
JPS621863A (ja) * 1985-06-28 1987-01-07 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 金属蒸発装置
JP3563083B2 (ja) * 1992-09-11 2004-09-08 真空冶金株式会社 超微粒子のガスデポジション方法及び装置
JPH07252639A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Kao Corp 金属薄膜体の製造方法
US5534314A (en) * 1994-08-31 1996-07-09 University Of Virginia Patent Foundation Directed vapor deposition of electron beam evaporant
JPH08104981A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Sumitomo Electric Ind Ltd Pvd装置
JP2783193B2 (ja) * 1995-06-26 1998-08-06 大同特殊鋼株式会社 レビテーション溶解法及びレビテーション溶解・鋳造装置
US5736073A (en) * 1996-07-08 1998-04-07 University Of Virginia Patent Foundation Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant
DE19811816A1 (de) * 1997-03-24 1998-10-01 Fuji Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-Leistungsschalter
WO1999010935A1 (en) * 1997-08-27 1999-03-04 Josuke Nakata Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material
JPH1171605A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 微粒子製造方法及び装置
EP1321545A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-25 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Method for producing particles with diamond structure

Also Published As

Publication number Publication date
BR0307800A (pt) 2004-12-14
EP1483425A1 (en) 2004-12-08
NL1020059C2 (nl) 2003-08-25
AU2003221458A1 (en) 2003-09-09
JP4522709B2 (ja) 2010-08-11
CN100545299C (zh) 2009-09-30
US20050064110A1 (en) 2005-03-24
ATE399889T1 (de) 2008-07-15
US7323229B2 (en) 2008-01-29
EP1483425B1 (en) 2008-07-02
WO2003071000A1 (en) 2003-08-28
CN1636077A (zh) 2005-07-06
CA2476855A1 (en) 2003-08-28
HK1078616A1 (en) 2006-03-17
ES2309305T3 (es) 2008-12-16
KR100956491B1 (ko) 2010-05-07
JP2005523381A (ja) 2005-08-04
DE60321893D1 (de) 2008-08-14
KR20040085192A (ko) 2004-10-07
RU2004128083A (ru) 2005-06-10
BR0307800B1 (pt) 2012-09-04
CA2476855C (en) 2009-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2316611C2 (ru) Способ и устройство для покрытия подложки
RU2703751C2 (ru) Устройство для формирования покрытий на поверхностях элемента, ленточного материала или инструмента
JP2004507617A (ja) 金属被膜を連続冷プラズマ蒸着するための方法および装置
US2664853A (en) Apparatus for vapor coating
KR20180036766A (ko) 스트립 형상 기판을 코팅하기 위한, 유도 기화기, 기화기 시스템, 및 기화 방법
US20120138452A1 (en) Method and Apparatus for Super-High Rate Deposition
US3860444A (en) Coating of workpieces by vapor deposition
Ehrich et al. Plasma deposition of thin films utilizing the anodic vacuum arc
US4385080A (en) Method for evaporating large quantities of metals and semiconductors by electromagnetic levitation
Kuzmichev et al. Evaporators with induction heating and their applications
US20220267890A1 (en) Multizone crucible apparatus
JP2004211122A (ja) 高耐電圧性部材
US2935589A (en) Vacuum coating
SU1227280A1 (ru) Способ очистки поверхности металлических изделий
RU2676719C1 (ru) Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия
JPS62235466A (ja) 蒸着物質発生装置
KR100548904B1 (ko) 금속 증발용 보트의 제조방법 및 제조장치
JP2005307354A (ja) 有機el素子の製造方法及び装置
GB2108533A (en) Ion plating
White A survey of techniques for the vacuum deposition of thin metallic films
PL184978B1 (pl) Sposób otrzymywania powłok
JPS6479325A (en) Method for evaporating metal element or metal compound
JP2001262320A (ja) 表面加熱蒸発方法
JPH06212408A (ja) 溶融蒸発用金属組成物および金属の溶融蒸発方法
JPH06172975A (ja) ドライプロセス用蒸発るつぼ

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160222